Теги → macronix

Macronix начнёт серийное производство высокоплотной 48-слойной 3D NAND в третьем квартале

Через месяц–другой клуб производителей флеш-памяти 3D NAND пополнится ещё одной компанией ― тайваньским производителем Macronix International. В интервью сайту DigiTimes глава Macronix заявил, что в третьем квартале клиентам компании начнутся поставки опытных партий 48-слойной 3D NAND. Тогда же стартует массовое производство этой продукции. О самом интересном источник умалчивает. Технология Macronix значительно отличается от всех существующих.

Этот тайваньский разработчик и производитель флеш-продукции собирается выпускать 3D NAND по своей собственной технологии, которая минимум на треть плотнее с точки зрения размещения ячеек памяти, чем актуальные технологии производства 3D NAND всех остальных компаний. Остаётся интригой, насколько меньше будет площадь кристалла у 3D NAND памяти Macronix или насколько больше будет объём памяти её кристаллов.

Технология 3D NAND Macronix с высокоплотной структурой SGVC или single-gate vertical channel (вертикальный канал с одним затвором) предполагает разделение каждой круговой ячейки в вертикальном стеке на две независимые ячейки памяти. На основе лицензии на эту технологию компания Kioxia (ранее она называлась Toshiba Memory) в прошлом году начала разрабатывать память Twin BiCS Flash. Если Macronix сдержит своё обещание вскоре начать поставки образцов 48-слойной 3D NAND, подробно об этой памяти мы услышим на августовском саммите разработчиков флеш-памяти.

Сравнение «классической» 3D NAND с круговыми затворами GAA и памяти Macronix с «раздвоенными» вертикальными каналами SGVC

Сравнение «классической» 3D NAND с круговыми затворами GAA и памяти Macronix с «раздвоенными» вертикальными каналами SGVC

Ещё более плотную память 3D NAND с 96 слоями компания Macronix может начать выпускать в стадии тестового производства ближе к концу текущего года. Руководство компании огорчает лишь то, что пандемия коронавируса и американо-китайские трения могут подорвать рынок флеш-памяти. И оборудование, и сырьё, и программы, которые задействованы для производства флеш-памяти ― всё так или иначе принадлежит американским компаниям, поэтому избежать ограничений будет практически невозможно.

Тем не менее, в следующем году компания Macronix продолжит разрабатывать более совершенную 3D NAND, в частности 192-слойную и будет расширять выпуск многослойной флеш-памяти.

К 2022 году Macronix освоит выпуск 192-слойной памяти 3D NAND

Ещё в декабре прошлого года тайваньская компания Macronix International заявила, что начнёт поставки первой памяти типа 3D NAND собственной разработки в конце 2020 года. Речь шла о 96-слойных микросхемах, которые в текущем году будут слабо влиять на выручку компании. Удвоить количество слоёв Macronix сможет в 2022 году.

Источник изображения: eeNews

Источник изображения: eeNews

Издание DigiTimes со ссылкой на председателя совета директоров Macronix Миня У (Miin Wu) сообщает, что доля выручки, генерируемой поставками памяти типа 3D NAND, заметно увеличится только ко второй половине 2021 года. В текущем году поставки 96-слойной памяти 3D NAND существенного влияния на финансовые показатели тайваньского производителя не окажут. В ближайшее время память этого типа будет применяться ограниченно, поэтому конкуренции с ведущими игроками рынка удастся избежать. Компания разрабатывает и 192-слойную память 3D NAND, которая начнёт выпускаться серийно не ранее 2022 года.

Macronix попутно начал выпускать по 19-нм технологии память типа SLC NAND со второй половины прошлого года. Она находит применение не только в телевизионных приставках и другой потребительской электронике, но и в автомобильном секторе. В апреле выручка Macronix International выросла до $114,6 млн, на 64,4 % год к году. За четыре первых месяца текущего года удалось заработать на 58,3 % больше, чем за аналогичный период прошлого года.

Тайваньская Macronix начнёт поставки фирменной памяти 3D NAND только через год

Только через год тайваньский производитель энергонезависимой памяти NAND и NOR компания Macronix станет первым на острове производителем фирменной памяти 3D NAND. Об этом на днях на праздновании 30-летия компании сообщил её глава Мин Ву (Miin Wu). Первыми серийными чипами 3D NAND станут 64-слойные микросхемы. Массовое производство начнётся во второй половине 2020 года.

Ближе к концу того же года компания начнёт рисковое производство 96-слойных микросхем 3D NAND. Ожидается, что это будут 256-Гбит чипы, серийный выпуск которых стартует в 2021 году. Ещё через год ― в 2022 году ― Macronix планирует начать выпуск 192-слойных чипов 3D NAND. Столь быстрый прогресс можно объяснить тем, что каждый раз удвоение слоёв может происходить за счёт сборки стеков из двух кристаллов 3D NAND меньшей ёмкости.

Структура ячейки 3D NAND SGVC позволит выпускать более плотную многослойную флеш-память

Структура ячейки 3D NAND SGVC позволит Macronix выпускать более плотную многослойную флеш-память

Важно подчеркнуть, что Macronix разрабатывает уникальную и запатентованную структуру 3D NAND. Будущая многослойная NAND-флеш тайваньской компании обещает оказаться одной из самых плотных в индустрии. Macronix с опозданием выйдет на рынок многослойной NAND, но по технологичности производства обещает оказаться среди лидеров отрасли.

Первым клиентом на многослойную NAND-память Macronix может стать её давний партнёр японская компания Nintendo. Может так статься, что именно эта память решит проблемы Nintendo с выпуском 64-Гбайт картриджей для портативной игровой консоли Switch. В прошлом году, напомним, из-за технических проблем, как гласили слухи, Nintendo не смогла организовать выпуск 64-Гбайт картриджей, что требовалось для издания целого ряда новейших игр. Также Macronix рассчитывает на сети 5G, базовые станции для которых потребуют от 1 до 2 Гбайт памяти типа NOR. Для производителя памяти NOR ― это золотое дно.

Тайваньская Macronix рассчитывает войти в клуб производителей 96-слойной 3D NAND

Рынки памяти DRAM и NAND фактически превратились в олигополию. От многообразия имён в начале «нулевых» к сегодняшнему дню число главных игроков сократилось, соответственно, до трёх и шести компаний. Остальные, а это преимущественно тайваньские производители, измельчали настолько, что на этих рынках занимают едва больше 1–2 %. Но даже с такими объёмами они  умудряются не только зарабатывать и держаться на плаву, но также создавать собственные уникальные решения и продукты.

Одна из таких компаний, оставшихся на плаву на рынке NAND, ― это тайваньская Macronix International. На днях Macronix опубликовала отчёт о работе в четвёртом квартале 2018 года. Она уже почувствовала на себе эффект от снижения цен на память. Выручка компании в отчётный период составила $291,3 млн, что на 10 % меньше по сравнению с предыдущим кварталом и на 15 % меньше по сравнению с четвёртым кварталом прошлого года. Но речь не об этом. Даже из таких скудных средств в 2019 году Macronix выделит на исследования и модернизацию своих заводов $485,8 млн. К чему она стремится?

Как заявило руководство компании, ведутся интенсивные разработки в области многослойной 3D NAND. Компания рассчитывает создать собственные технологии выпуска 48-слойной и 96-слойной флеш-памяти для выпуска 128-Гбит и 256-Гбит решений. Рисковое производство 96-слойной памяти Macronix рассчитывает начать в конце 2020 года. Помимо этого компания внедряет в производство на своей 300-мм фабрике техпроцесс с нормами 19 нм для выпуска планарной памяти SLC NAND.

Cравнение 3D NAND с распространёнными затворами GAA и SGVC компании

Сравнение 3D NAND с распространёнными затворами GAA и SGVC компании Macronix

Кроме этого Macronix выпускает память типа NOR ― быструю, надёжную, но сравнительно небольшой плотности. Такая память находит применение в автомобильной электронике и электронике промышленного назначения. На 300-мм подложках Macronix выпускает 55-нм NOR-флеш, а на 200-мм ― 75-нм. В качестве туза в рукаве компания держит (и развивает) технологию выпуска сверхплотной 3D NAND с оригинальной структурой SGVC или single-gate vertical channel (вертикальный канал с одним затвором). Технология позволяет примерно на треть увеличить плотность ячеек памяти 3D NAND без ухудшения характеристик памяти. Может так статься, технология SGVC будет реализована с началом выпуска 48-слойной или 96-слойной 3D NAND Macronix.

За нарушение патентов на флеш-память Toshiba заплатила Macronix $40 млн

Полтора года назад один из двух законодателей моды на флеш-память — японская компания Toshiba — была уличена в нарушении патентов тайваньской компании Macronix. В апреле 2017 года по поводу обнаруженных нарушений Macronix подала жалобу в Комиссию США по международной торговле (U.S. International Trade Commission). Признание вины Toshiba грозило остановить ввоз продукции компании в США, что могло стать крайне неприятным для производителя NAND-флеш событием. К тому же на тот момент судьба подразделения Toshiba Memory была совершенно не определена.

Для защиты своих интересов Toshiba подала встречные иски против Macronix: один на Тайване в октябре 2017 и второй в Японии в ноябре. В одном случае Toshiba обвинила Macronix в нарушении двух своих патентов, а во втором — в трёх. В ответ в начале 2018 года Macronix дополнительно обвинила в нарушениях партнёра Toshiba — тайваньскую компанию Phison Electronics.

3D NAND с затворами GAA и SGVC

Macronix разрабатывает 3D NAND с затворами SGVC

На прошлой неделе, как сообщают тайваньские источники, Toshiba и Macronix урегулировали спор. В пятницу 5 октября Macronix направила на Тайваньскую биржу ценных бумаг сообщение, в котором рассказала о достигнутых с Toshiba договорённостях. Так, компании разделили между собой права на более чем 30 патентов. Кроме этого Toshiba выплатит тайваньскому разработчику $40 млн, что указывает на правомочность обвинений в краже патентов. Для Macronix это важный момент. Компания разрабатывает оригинальную технологию производства высокоплотной памяти 3D NAND и рассчитывает выйти с ней на рынок в течение года–двух.

Macronix представила 3D NAND с рекордной плотностью хранения данных

Со второго по шестое декабря в Сан-Франциско прошла конференция IEDM 2017 (IEEE International Electron Devices Meeting). Среди прочих докладов интересно отметить выступление представителей тайваньской компании Macronix. В своё время Macronix плотно сотрудничала с немецким производителем памяти компанией Qimonda. Вместе они разрабатывали технологии производства флеш-памяти. Задел оказался хорошим. Сейчас, когда имя Qimonda забыто, а компания давно прекратила своё существование, Macronix продолжает самостоятельно разрабатывать теперь уже многослойную флеш-память 3D NAND. Оказалось, что она даже способна удивить.

Сообщается, что Macronix на IEDM 2017 представила 3D NAND с новой высокоплотной структурой SGVC или single-gate vertical channel (вертикальный канал с одним затвором). Все остальные компании выпускают 3D NAND с затворами, которые окружают вертикальный канал со всех сторон — с круговым охватом или gate-all-around (GAA). За счёт использования меньшего по объёму затвора вертикальные каналы в 3D NAND Macronix удалось расположить ближе друг к другу — плотнее. Можно рассчитывать, что себестоимость хранения данных в 3D NAND Macronix будет меньше, чем в случае 3D NAND других производителей.

Относительное сравненние 3D NAND с затворами GAA и SGVC

Относительное сравнение 3D NAND с затворами GAA и SGVC

К сожалению, компания не сообщает о площади опытного кристалла 3D NAND с SGVC-ячейками. Без этого параметра нельзя однозначно утверждать, что память Macronix плотнее той же V-NAND Samsung, хотя поверхностное сравнение говорит о преимуществе разработки тайваньской компании. Судите сами: 128-Гбит память Macronix выполнена в виде 16 слоёв с MLC-ячейкой (два бита в ячейке), а рекорд Samsung — это 512-Гбит 3D NAND TLC, которая состоит из 64 слоёв. Каждый слой памяти Macronix содержит 8 Гбайт данных в двухбитовых ячейках, а каждый слой памяти Samsung хранит те же 8 Гбайт данных, но в трёхбитовых ячейках. Выглядит интересно. Хотелось бы увидеть это в коммерческих продуктах.

Macronix анонсировала NAND-чипы повышенной надёжности

Компания Macronix заявила о начале серийного производства микросхем памяти SLC NAND второго поколения. Новинки используют 36-нм технологию с плавающим затвором. Для производства чипов применяется фабрика с 300-мм оборудованием.

macronix.com

macronix.com

Новые NAND-чипы будут предлагаться в вариантах ёмкостью от 1 до 8 Гбит (первое поколение было представлено моделями ёмкостью от 512 Мбит до 1 Гбит). Напряжение питания микросхем составляет 1,8 В. Конечно, 36-нм проектные нормы по нынешним меркам вчерашний день. Но микросхемы Macronix имеют свои особенности. Отмечаются расширенный диапазон рабочих температур и высокая надёжность, что позволит применять новинки в промышленных приложениях и других задачах, где требуется повышенная устойчивость к неблагоприятным условиям.

macronix.com

macronix.com

SLC NAND-чипы Macronix выдерживают температуры от -40 до +85 градусов Цельсия, порядка 100 тысяч циклов записи/стирания. Время случайного доступа составляет 25 мкс, а время последовательного доступа к данным составляет всего 25 нс.

Модели ёмкостью 2 и 4 Гбит доступны на рынке, начиная со второго квартала текущего года. 8-Гбит чипы будут доступны в виде ознакомительных образцов в третьем квартале, а серийный выпуск стартует в четвёртом квартале. Чипы ёмкостью 1 Гбит массово начнут выпускаться уже в начале 2015 года.

Macronix и Qimonda официально закрепили союз

В конце прошлого года появилась информация о возможном сотрудничестве Qimonda и Macronix в области создания флэш-памяти. Сегодня договор между двумя компаниями подписан, и мы можем более подробно узнать, чем же они будут заниматься в рамках партнёрства. Речь идёт не конкретно о сотрудничестве в области флэш-памяти, а о технологиях энергонезависимой памяти в общем. Совместный проект, который, по условиям договора, будет жить не менее пяти лет, сфокусируется на разработках новых технологий в выбранной сфере. Партнёры совместно обеспечат финансовое подкрепление исследований и сформируют команду разработчиков из личного штата инженеров. Ожидается, что Macronix наибольший вклад привнесёт своими последними достижениями в области флэш-памяти, в то время как Qimonda предоставит исследователям оборудование для производства 300-мм кремниевых пластин, размещенное на дрезденской фабрике в Германии. Оба партнёра рады сотрудничеству и надеются, что совместными усилиями они смогут обеспечить себе уверенное положение в быстро развивающемся сегменте энергонезависимой памяти. Стоит отметить, что кооперация таких опытных разработчиков вполне может привести к интересным достижениям и, возможно, даже прорыву в области технологий памяти, ведь две головы всегда лучше, чем одна. Материалы по теме: - Qimonda переходит на 300-мм кремниевые пластины;
- Улучшение флэш-технологии: способ Macronix.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥