Учёные Токийского университета (The University of Tokyo) совместно с коллегами из Центра RIKEN CEMS представили принципиально новый тип энергоэффективного элемента памяти на основе квантово-механических явлений. Переключение состояний элемента опирается на перенос спин-орбитального момента электрона вместо обычного потока электронов (электрического тока), что позволяет памяти работать быстрее, с ничтожным потреблением и почти без износа.

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: The University of Tokyo

Нечто подобное происходит в случае магниторезистивной памяти MRAM. Более того, давно существуют прототипы памяти STT-MRAM (Spin-transfer Torque MRAM), основанные на том же эффекте переноса спин-орбитального момента электрона. Но японские учёные заявляют, что пошли ещё дальше и подобрали такие материалы, которые работают буквально от квантов энергии. Это почти исключает обычное течение тока и сопутствующие ему случайные столкновения электронов с атомами кристаллической решётки, ведущие к паразитному рассеиванию тепла — глобальной проблеме современной электроники.

Этим чудо-материалом оказался антиферромагнетик станнид тримарганца (Mn₃Sn, марганец плюс олово). Он является неколлинеарным антиферромагнетиком. Это значит, что атомы марганца в сплаве расположены в особой «кагоме»-решётке (Kagome lattice), а их магнитные моменты направлены под углом 120° друг к другу (как на рисунке). При этом, в отличие от обычных антиферромагнетиков, Mn₃Sn демонстрирует гигантский аномальный эффект Холла — то есть ведёт себя как ферромагнетик, создавая сильный направленный отклик на электрический ток, хотя его полная намагниченность почти равна нулю. По этим причинам материал быстро и сильно реагирует на привнесённый электроном спин-орбитальный момент — ему не нужны значительные токи для достижения эффекта переключения ячейки из одного магнитного состояния в другое.

Созданный учёными прототип магнитного переключателя способен менять своё логическое состояние всего за 40 пикосекунд, что примерно в 25 раз быстрее лучших современных коммерческих SRAM- и DRAM-элементов, работающих в диапазоне единиц наносекунд. Но главная особенность разработки — сочетание рекордной скорости с крайне низким энергопотреблением, что особенно важно для будущих дата-центров и специализированных ИИ-ускорителей, где проблема тепловыделения становится главным ограничителем роста производительности. Очень короткие управляющие импульсы длительностью 40 пс просто не позволяют элементу разогреться и направить мощность в бесполезное тепло.

Также исследователи продемонстрировали высокую стабильность циклов переключения элемента, что критически важно для энергонезависимой памяти следующего поколения. Заявленное число циклов переключения достигает 10¹², что недостижимо для современной энергонезависимой памяти.

Но и это ещё не все «чудеса». Отдельный прорыв в проекте связан с интеграцией фотонных технологий в элемент. Учёные показали, что переключение возможно не только электрическим сигналом, но и с помощью 60-пикосекундных фототоков, генерируемых лазером обычного телекоммуникационного диапазона (около 1550 нм) и фотоэлектрическим преобразователем. Это фактически демонстрация концепции прямого интерфейса между оптическими каналами передачи данных и магнитной памятью — без промежуточной громоздкой КМОП-логики. Для дата-центров это особенно важно: современные оптоволоконные магистрали уже работают именно в этом диапазоне длин волн, а значит, подобные элементы потенциально могут стать основой для сверхбыстрой опто-спинтронной памяти, напрямую связанной с межсерверными каналами связи.

Практическое значение работы выходит далеко за рамки лабораторного эксперимента. Если технология будет масштабирована до интегральных схем, она может лечь в основу нового класса вычислительных архитектур — энергонезависимых процессоров с почти мгновенным переключением состояний и минимальным энергопотреблением. Это особенно актуально для задач искусственного интеллекта, периферийных и экзафлопсных вычислений, где затраты на охлаждение уже сопоставимы с затратами на сами вычисления. По сути, японские исследователи приблизили создание памяти, которая сочетает преимущества DRAM по скорости и флеш-памяти по энергонезависимости, — комбинации, которую индустрия пытается реализовать уже более двух десятилетий.

Группа «Роснано» предъявила иск бывшим руководителям компании о взыскании 11,9 млрд рублей убытков по проекту Crocus. В рамках этой программы планировалось организовать на территории России производство магниторезистивной оперативной памяти (MRAM).

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Источник изображения: Tingey Injury / unsplash.com

«Иск о взыскании убытков, понесенных «Роснано» в связи с реализацией проекта Crocus, направлен на привлечение ответственных лиц, отвечающих за одобрение и реализацию проекта Crocus в период с 2011 по 2020 гг. Предъявленный иск — часть планомерной работы по восстановлению капитала, прав и репутации компании, которая ведётся в тесном взаимодействии с правоохранительными и надзорными органами. Мы продолжим отстаивать и защищать интересы и права «Роснано» как в досудебном порядке, так и в рамках уголовных дел или в гражданском и арбитражном судопроизводстве», — приводит источник заявление директора по особым поручениям АО «Роснано» Евгения Фролова.

Он также отметил, что «уже на старте проекта в 2011 году члены правления «Роснано» и кураторы проекта Crocus проигнорировали его технологические риски вопреки своим обязанностям не предусмотрели механизмы защиты прав госкомпании и государства от их наступления».

В сообщении сказано, что за девять лет реализации проекта принимавшие решения о его финансировании ответственные лица нарушали нормативные акты АО «Роснано», которые регламентируют инвестиционную деятельность. Финансирование проекта увеличивалось бесконтрольно, несмотря на его убыточность и инвестиционную непривлекательность, а также нарушение контрольных точек реализации.

Стартовавший в 2011 году проект по созданию уникального для страны производства памяти MRAM не достиг первоначальных целей, тогда как возможность возврата значительной части вложений была утрачена. Фролов отметил, что с «первого дня антикризисной программы ведётся системная аналитическая работа по выявлению обстоятельств и объёмов очевидно недобросовестных инвестиционных решений и финансовых операций по целому ряду проектов, которые были реализованы с явными нарушениями».