Группа «Роснано» предъявила иск бывшим руководителям компании о взыскании 11,9 млрд рублей убытков по проекту Crocus. В рамках этой программы планировалось организовать на территории России производство магниторезистивной оперативной памяти (MRAM).

Процессоры за 30 тысяч рублей — большой сравнительный тест

Смартфон HUAWEI Pura 80 Pro как универсальный инструмент тревел-фотографа

Российские итоги HUAWEI XMAGE 2025 и выставка «Фото[графическое] путешествие»

HUAWEI FreeBuds 7i: ставка на глубину

HUAWEI XMAGE 2025: мобильная фотография как полноценное окно в мир искусства

Топ-10 смартфонов до 35 тысяч рублей (2025 год)

Топ-10 смартфонов до 20 тысяч рублей (2025 год)

Источник изображения: Tingey Injury / unsplash.com

«Иск о взыскании убытков, понесенных «Роснано» в связи с реализацией проекта Crocus, направлен на привлечение ответственных лиц, отвечающих за одобрение и реализацию проекта Crocus в период с 2011 по 2020 гг. Предъявленный иск — часть планомерной работы по восстановлению капитала, прав и репутации компании, которая ведётся в тесном взаимодействии с правоохранительными и надзорными органами. Мы продолжим отстаивать и защищать интересы и права «Роснано» как в досудебном порядке, так и в рамках уголовных дел или в гражданском и арбитражном судопроизводстве», — приводит источник заявление директора по особым поручениям АО «Роснано» Евгения Фролова.

Он также отметил, что «уже на старте проекта в 2011 году члены правления «Роснано» и кураторы проекта Crocus проигнорировали его технологические риски вопреки своим обязанностям не предусмотрели механизмы защиты прав госкомпании и государства от их наступления».

В сообщении сказано, что за девять лет реализации проекта принимавшие решения о его финансировании ответственные лица нарушали нормативные акты АО «Роснано», которые регламентируют инвестиционную деятельность. Финансирование проекта увеличивалось бесконтрольно, несмотря на его убыточность и инвестиционную непривлекательность, а также нарушение контрольных точек реализации.

Стартовавший в 2011 году проект по созданию уникального для страны производства памяти MRAM не достиг первоначальных целей, тогда как возможность возврата значительной части вложений была утрачена. Фролов отметил, что с «первого дня антикризисной программы ведётся системная аналитическая работа по выявлению обстоятельств и объёмов очевидно недобросовестных инвестиционных решений и финансовых операций по целому ряду проектов, которые были реализованы с явными нарушениями».

Компания TSMC вместе с учёными Тайваньского НИИ промышленных технологий (ITRI) представила совместно разработанную память SOT-MRAM. Новое запоминающее устройство предназначено для вычислений в памяти и для применения в качестве кеша верхних уровней. Новая память быстрее DRAM и сохраняет данные даже после отключения питания, и она призвана заменить память STT-MRAM, потребляя при работе в 100 раз меньше энергии.

Процессоры за 30 тысяч рублей — большой сравнительный тест

HUAWEI XMAGE 2025: мобильная фотография как полноценное окно в мир искусства

Топ-10 смартфонов до 20 тысяч рублей (2025 год)

Топ-10 смартфонов до 35 тысяч рублей (2025 год)

HUAWEI FreeBuds 7i: ставка на глубину

Смартфон HUAWEI Pura 80 Pro как универсальный инструмент тревел-фотографа

Российские итоги HUAWEI XMAGE 2025 и выставка «Фото[графическое] путешествие»

Экспериментальная пластина с чипами SOT-MRAM. Источник изображения: TSMC / ITRI

На роль кеш-памяти верхних уровней (от L3 и выше) и для вычислений в памяти, среди прочих перспективных вариантов энергонезависимой памяти, долгое время претендовала магниторезистивная память с записью с помощью переноса спинового момента (STT-MRAM). Этот вариант памяти передавал намагниченность запоминающей ячейке через туннельный переход с помощью спин-поляризованного тока. За счёт этого потребление энергии STT-MRAM оказалось кратно меньше потребления обычной памяти MRAM, в которой запись осуществлялась наведённым электромагнитным полем.

Память SOT-MRAM идёт ещё дальше. Запись (намагниченность) ячейки — слоя ферромагнетика — происходит с помощью спин-орбитального вращательного момента. Эффект проявляется в проводнике в основании ячейки в процессе комбинации двух явлений: спинового эффекта Холла и эффекта Рашбы—Эдельштейна. В результате на соседний с проводником ферромагнетик воздействует индуцированное магнитное поле со стороны спинового тока в проводнике. Это приводит к тому, что для работы SOT-MRAM требуется меньше энергии, хотя настоящие прорывы ещё впереди.

Маршруты токов записи и чтения для двух типов ячеек MRAM. Источник изображения: National University of Singapore

Другие преимущества памяти SOT-MRAM заключаются в раздельных схемах записи и чтения, что положительно сказывается на производительности, а также увеличенная устойчивость к износу.

«Эта элементарная ячейка обеспечивает одновременное низкое энергопотребление и высокоскоростную работу, достигая скорости до 10 нс, — сказал доктор Ши-Чи Чанг, генеральный директор исследовательских лабораторий электронных и оптоэлектронных систем ITRI. — Её общая вычислительная производительность может быть дополнительно повышена при реализации схемотехники вычислений в памяти. Заглядывая в будущее, можно сказать, что эта технология обладает потенциалом для применения в высокопроизводительных вычислениях (HPC), искусственном интеллекте (AI), автомобильных чипах и многом другом».

Память SOT-MRAM с задержками на уровне 10 нс оказывается ближе к SRAM (задержки до 2 нс), чем обычная память DRAM с задержками до 100 нс и выше. И конечно, она существенно быстрее популярной сегодня 3D NAND TLC с задержками от 50 до 100 мкс. Но в процессорах и контроллерах память SOT-MRAM появится не завтра и не послезавтра, как не стала востребованной та же память STT-MRAM, которая разрабатывается свыше 20 лет. Всё это будущее и не очень близкое, хотя, в целом, необходимое для эффективных вычислений в памяти и устройств с автономным питанием.