Компания onsemi, история которой корнями уходит в легендарную «Моторолу» (Motorola), представила первые вертикальные силовые полупроводники на основе нитрида галлия (GaN) — vGaN. Утверждается, что vGaN — это новые стандарты в эффективности, плотности мощности и надёжности, столь востребованные в эпоху искусственного интеллекта и электрификации.

Топ-10 смартфонов до 20 тысяч рублей (2025 год)

HUAWEI XMAGE 2025: мобильная фотография как полноценное окно в мир искусства

Топ-10 смартфонов до 35 тысяч рублей (2025 год)

Российские итоги HUAWEI XMAGE 2025 и выставка «Фото[графическое] путешествие»

HUAWEI FreeBuds 7i: ставка на глубину

Процессоры за 30 тысяч рублей — большой сравнительный тест

Смартфон HUAWEI Pura 80 Pro как универсальный инструмент тревел-фотографа

Источник изображений: onsemi

Передача тока в горизонтальной плоскости параллельно подложке больше не в тренде, vGaN меняют ориентацию прохождения тока с горизонтальной на вертикальную. Секрет — в самой подложке. Подавляющее большинство силовых элементов GaN создаются на кремниевой или сапфировой подложке. В компании onsemi (до ребрендинга 2021 года — ON Semiconductor) начали производить элементы на подложках из нитрида галлия, что открыло возможность организовать для течения тока путь с самого низа до самого верха — от стока в подложке до истока с управляющим затвором в верхней части элемента.

Технология ориентирована на изготовление компонентов для высоковольтных цепей (от 1200 В и выше), вместе с тем обеспечивая высокие частоты переключения с минимальными потерями. Технология защищена 130 патентами. Наращивание элементов происходит на фабрике onsemi в Сиракузах (штат Нью-Йорк), подчёркивая возможность наиболее передового производства полупроводников в США.

Устройства на vGaN в три раза компактнее планарных аналогов, что позволяет уменьшить размеры узлов и компонентов в силовой электронике, снизить требования к охлаждению и общие затраты на производство и эксплуатацию. Компоненты vGaN характеризуются более низкими энергопотерями — до 50 %, а благодаря высоким частотам переключения пассивные компоненты (конденсаторы и катушки индуктивности) уменьшаются в размере на аналогичную величину. Это делает vGaN-элементы идеальными для создания более лёгких, компактных и энергоэффективных блоков питания и инверторов.

Применение vGaN охватывает широкий спектр отраслей. В центрах данных ИИ vGaN-компоненты повышают плотность мощности в 800-вольтных преобразователях напряжения, снижая затраты на стойки. Для электромобилей они обеспечивают компактные инверторы, увеличивающие пробег. В инфраструктуре зарядки — более быстрые, компактные и надёжные устройства. В возобновляемой энергетике (солнечные и ветровые инверторы) — меньшие потери за счёт тех же свойств: больший поток мощности, высокие рабочие частоты, низкие потери. Дополнительно vGaN подходит для систем хранения энергии (быстрые и эффективные инверторы), промышленной автоматизации (улучшенная электронная обвязка для электромоторов в робототехнике), а также аэрокосмической и оборонной отраслей, где требуются компактность и стойкость к экстремальным условиям.

Образцы vGaN уже доступны для клиентов компании, что лишний раз подчёркивает лидерство onsemi в сфере силовых полупроводников.

Американский производитель чипов Onsemi намеревается вложить до $2 млрд в расширение производства в Чехии в рамках наращивания своих европейских мощностей. К тому же, под это дело можно получить субсидии Евросоюза, ведь блок стремится добиться самодостаточности в поставках критически важных полупроводников.

Топ-10 смартфонов до 20 тысяч рублей (2025 год)

HUAWEI XMAGE 2025: мобильная фотография как полноценное окно в мир искусства

Топ-10 смартфонов до 35 тысяч рублей (2025 год)

HUAWEI FreeBuds 7i: ставка на глубину

Смартфон HUAWEI Pura 80 Pro как универсальный инструмент тревел-фотографа

Процессоры за 30 тысяч рублей — большой сравнительный тест

Российские итоги HUAWEI XMAGE 2025 и выставка «Фото[графическое] путешествие»

Источник изображений: onsemi.com

Проект по реконструкции предприятия обещает стать крупнейшей единовременной прямой иностранной инвестицией в Чехии. В ожидании одобрения государственной помощи Onsemi расширит предприятие в городе Рожнов-под-Радгоштем на востоке страны — здесь будет запущена полная производственная цепочка для выпуска полупроводниковой продукции из карбида кремния, в том числе чипов, которые используются в автопроме и секторе возобновляемых источников энергии.

«На этом объекте будут производиться интеллектуальные силовые полупроводники, необходимые для повышения энергоэффективности компонентов в автомобилях, возобновляемых источниках энергии и центрах обработки данных искусственного интеллекта», — говорится в заявлении Onsemi. Чипы из карбида кремния дороже стандартных кремниевых, но автопроизводители отдают им предпочтение, потому что их отличают энергоэффективность, лёгкость и прочность.

Европейские власти поняли, что необходимо контролировать зависимость региона от азиатских поставок чипов, когда за пандемийным дефицитом последовал рост торговой напряжённости с Китаем — проблема усугубилась, с усложнением судоходства в Красном море. Инвестиции в размере $2 млрд от Onsemi станут «крупнейшими в своём роде в современной истории» Чехии, заявил премьер-министр страны Петр Фиала (Petr Fiala). Государственная помощь в рамках проекта может составить до 27,5 % от общего объёма вложений компании, добавили в чешском Минпромторге — она должна быть одобрена в I квартале 2025 года, включая уведомление Еврокомиссии.