Память, центральные процессоры, накопители и графические чипы не будут единственными категориями электронных компонентов, цены на которые вырастут в этом году. Поставщики менее сложных электронных изделий во многих случаях уже уведомили клиентов о предстоящем повышении цен на свою продукцию с 1 апреля.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: STMicroelectronics

Европейская STMicroelectronics оказалась в их числе, как отмечает TrendForce со ссылкой на тайваньские СМИ. Этот производитель чипов мотивирует необходимость повышения цен на свою продукцию возросшими транспортными затратами и расходами на электроэнергию, а также подорожанием услуг подрядчиков, которые выпускают часть продукции этой марки, либо занимаются её тестированием и упаковкой. Выборочное повышение цен на продукцию STMicroelectronics запланировано на 1 апреля этого года.

Аналогичным образом поступят Onsemi, NXP, Infineon и Texas Instruments, как отмечают источники. Можно заметить, что цены на полупроводниковые компоненты повышают не только европейские компании, но и американская Texas Instruments, поэтому тенденция не носит ярко выраженной географической привязки. Попутно Tech News со ссылкой на региональных представителей Intel поясняет, что эта компания цены на свои процессоры повышает не из-за конъюнктуры спроса, а на фоне роста собственных затрат. Компании приходится почти на ежедневной основе перераспределять заказы на выпуск чипов между собственными предприятиями и той же TSMC, чтобы сохранить оптимальный баланс цены и объёмов производства. Кстати, на Computex 2026 глава Intel должен раскрыть тему использования технологии Intel 18A сторонними разработчиками, как отмечает источник.

Компания onsemi, история которой корнями уходит в легендарную «Моторолу» (Motorola), представила первые вертикальные силовые полупроводники на основе нитрида галлия (GaN) — vGaN. Утверждается, что vGaN — это новые стандарты в эффективности, плотности мощности и надёжности, столь востребованные в эпоху искусственного интеллекта и электрификации.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Источник изображений: onsemi

Передача тока в горизонтальной плоскости параллельно подложке больше не в тренде, vGaN меняют ориентацию прохождения тока с горизонтальной на вертикальную. Секрет — в самой подложке. Подавляющее большинство силовых элементов GaN создаются на кремниевой или сапфировой подложке. В компании onsemi (до ребрендинга 2021 года — ON Semiconductor) начали производить элементы на подложках из нитрида галлия, что открыло возможность организовать для течения тока путь с самого низа до самого верха — от стока в подложке до истока с управляющим затвором в верхней части элемента.

Технология ориентирована на изготовление компонентов для высоковольтных цепей (от 1200 В и выше), вместе с тем обеспечивая высокие частоты переключения с минимальными потерями. Технология защищена 130 патентами. Наращивание элементов происходит на фабрике onsemi в Сиракузах (штат Нью-Йорк), подчёркивая возможность наиболее передового производства полупроводников в США.

Устройства на vGaN в три раза компактнее планарных аналогов, что позволяет уменьшить размеры узлов и компонентов в силовой электронике, снизить требования к охлаждению и общие затраты на производство и эксплуатацию. Компоненты vGaN характеризуются более низкими энергопотерями — до 50 %, а благодаря высоким частотам переключения пассивные компоненты (конденсаторы и катушки индуктивности) уменьшаются в размере на аналогичную величину. Это делает vGaN-элементы идеальными для создания более лёгких, компактных и энергоэффективных блоков питания и инверторов.

Применение vGaN охватывает широкий спектр отраслей. В центрах данных ИИ vGaN-компоненты повышают плотность мощности в 800-вольтных преобразователях напряжения, снижая затраты на стойки. Для электромобилей они обеспечивают компактные инверторы, увеличивающие пробег. В инфраструктуре зарядки — более быстрые, компактные и надёжные устройства. В возобновляемой энергетике (солнечные и ветровые инверторы) — меньшие потери за счёт тех же свойств: больший поток мощности, высокие рабочие частоты, низкие потери. Дополнительно vGaN подходит для систем хранения энергии (быстрые и эффективные инверторы), промышленной автоматизации (улучшенная электронная обвязка для электромоторов в робототехнике), а также аэрокосмической и оборонной отраслей, где требуются компактность и стойкость к экстремальным условиям.

Образцы vGaN уже доступны для клиентов компании, что лишний раз подчёркивает лидерство onsemi в сфере силовых полупроводников.