Теги → qlc nand
Быстрый переход

Micron представила доступные потребительские SSD-накопители на памяти TLC и QLC

Компания Micron представила две новые серии твердотельных накопителей формата M.2 с интерфейсом PCIe 3.0 x4: Micron 2210 и Micron 2300. Новинки позиционируются в качестве доступных устройств хранения данных для потребительских ноутбуков и настольных ПК.

Представители более доступной серии Micron 2210 построены на микросхемах памяти 3D QLC NAND, которая предполагает хранение четырёх бит информации в одной ячейке. Данные новинки, по мнению производителя, представляют собой полноценную альтернативу привычным жёстким дискам за счёт сочетания невысокой цены и довольно большой ёмкости.

В серии Micron 2210 представлены модели объёмом 512 Гбайт, 1 и 2 Тбайт. Для всех заявлена скорость последовательного чтения до 2200 Мбайт/с. Скорость записи у наименее ёмкой модели составляет 1070 Мбайт/с, а у двух других — 1800 Мбайт/с. В операциях со случайным доступом к данным производительность может достигать 265 и 320 тыс. IOPS для чтения и записи соответственно.

В свою очередь накопители Micron 2300 построены на 96-слойных чипах памяти 3D TLC NAND, которая хранит три бита в одной ячейке. Эти накопители предназначены для более производительных систем, ориентированных на интенсивную работу с данными, в том числе САПР, обработку графики и видео.

В серии Micron 2300 предлагается четыре модели, ёмкостью 256 и 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт. Здесь скорость последовательного чтения достигает 3300 Мбайт/с. Скорость записи модели на 256 Гбайт составляет 1400 Мбайт/с, а у трёх более ёмких — 2700 Мбайт/с. Производительность в операциях со случайным доступом достигает 430 и 500 тыс. IOPS для чтения и записи соответственно.

Стоимость твердотельных накопителей Micron 2210 и 2300 пока что не уточняется, равно как и сроки их выхода на рынок.

Maxio Tech придумала, как на базе QLC 3D NAND делать надёжные SSD

Накопители на памяти NAND QLC с записью четырёх бит в каждую ячейку вызывают недоверие у любого мало-мальски разбирающегося пользователя. В то же время этот тип памяти становится всё более массовым за счёт большей ёмкости микросхем и относительно низкой стоимости. Можно ли повысить надёжность SSD на памяти NAND QLC и сохранить преимущества этой памяти? Китайская компания Maxio Tech уверяет, что ей это удалось.

Повысить устойчивость к износу памяти NAND QLC и срок эксплуатации SSD на её основе можно ровно одним способом ― с помощью развитых технологий коррекции ошибок. Китайский разработчик контроллеров SSD, компания Maxio Tech, сообщила, что её новый алгоритм существенно повышает надёжность накопителей на памяти с записью четырёх бит в каждую ячейку. Утверждается, что это первый случай, когда китайская компания смогла достичь прорыва на направлении, где ещё никто в мире не показал выдающегося результата.

Насколько выдающегося? По словам разработчика, фирменная технология коррекции ошибок третьего поколения ― Agile ECC 3 ― снижает вероятность неправильного считывания данных в процессе коррекции ошибок на два порядка. Это заявление справедливо при сравнении с предыдущей технологией Agile ECC 2 на базе алгоритма 2K LDPC при прочих равных. Новый алгоритм 4K LDPC улучшен как в плане работы механизмов мягкого, так и жёсткого декодирования. Это означает, что можно увеличить пропускную способность доступа контроллера к флеш-памяти и, следовательно, производительность SSD.

Новый «китайский» алгоритм повышает устойчивость к износу накопителей на памяти NAND QLC

Новый «китайский» алгоритм LDPC 4K повышает устойчивость к износу накопителей на памяти NAND QLC

Правда, разработчик отмечает, что новый алгоритм потребует более интенсивной работы контроллера, что приведёт к росту энергопотребления и несколько более высокой цене вопроса. В то же время инженеры компании сделали всё возможное, чтобы оптимизировать работу контроллера. В частности, была реализована схема динамического управления питанием, которая помогает сдержать потребление в разумных пределах.

PlayStation 5 может получить SSD-накопитель Samsung 980 QVO с PCIe 4.0 и памятью QLC

Одной из ключевых особенностей консолей нового поколения Xbox Series X и PlayStation 5 станет наличие в них твердотельных накопителей, которые обеспечат им значительный прирост скорости работы. И теперь ресурс LetsGoDigital проанализировал, какой именно SSD может быть использован в будущей PlayStation 5. Да, это не более чем предположения, но обоснованные.

Как стало известно некоторое время назад, новые консоли получат накопители от Samsung. В рамках выставки CES 2020 в начале этого года корейская компания представила новый твердотельный накопитель Samsung 980 PRO. Он выполнен в формате M.2 и использует интерфейс PCIe 4.0 с протоколом NVMe. В его основе используется флеш-память MLC (два бита данных на ячейку), а скоростные характеристики обещаны на уровне 6500 Мбайт/с при чтении и до 5000 Мбайт/с при записи.

Так как память MLC стоит довольно дорого, вышеописанный накопитель тоже будет весьма дорогим, собственно, как и его предшественники серии PRO. Поэтому компания Samsung наверняка выпустит и более доступные модели 980 EVO и 980 QVO со скоростным интерфейсом PCIe 4.0. Такие торговые марки Samsung уже зарегистрировала в Бюро интеллектуальной собственности Европейского Союза (EUIPO), так что их выход является лишь вопросом времени. 

В накопителях серии Samsung EVO обычно используется более доступная флеш-память TLC, способная хранить три бита информации в ячейке, за счёт чего и сами SSD стоят ощутимо дешевле моделей PRO-серии. С точки зрения характеристик накопители EVO примерно на 10 % уступают в скорости, а также обладают вдвое меньшим ресурсом записи данных. Поэтому  накопитель Samsung 980 EVO предложит скорости примерно до 5500–6000 Мбайт/с.

В свою очередь накопители Samsung QVO оснащаются микросхемами памяти QLC, которые способны хранить четыре бита информации в одной ячейке. Такая память стоит ещё дешевле, однако в то же время обладает куда меньшим ресурсом для записи данных. То есть накопители на её основе менее долговечны. По характеристикам Samsung 980 QVO, вероятнее всего, будет уступать 980 EVO, но тем не менее также предложит довольно высокую скорость чтения и записи данных.

Из этих трёх моделей наиболее вероятным кандидатом на роль накопителя для PlayStation 5 выглядит именно Samsung 980 QVO. Для Sony решающим аргументом в пользу данного SSD станет то, что он будет самым доступным из перечисленных моделей. Собственно, в актуальной PS4 компания Sony использовала самые доступные HDD от HGST, так что вряд ли подход к комплектации консоли существенно поменяется. 

В корпоративном сегменте Western Digital делает ставку на QLC и NVMe

После сделки с SanDisk американская корпорация Western Digital получила возможность стать крупным игроком на рынке твердотельных накопителей. Серверный сегмент SSD тоже манит производителя, для профильных клиентов готовятся решения с поддержкой протокола NVMe, а также накопители на базе памяти типа QLC. Доля рынка компании в этих сегментах пока не так велика, но она рассчитывает её значительно увеличить.

Источник изображения: Micron

Источник изображения: Micron

Президент Сива Сиварам (Siva Sivaram), отвечающий в Western Digital Corporation за технологии и стратегию, на мероприятии Wells Fargo для инвесторов признался, что компания уделяет особое внимание продвижению твердотельных накопителей с поддержкой протокола NVMe в серверном сегменте. В конкурентоспособности своих накопителей WDC очень уверена: сейчас доля компании на этом рынке измеряется единицами процентов, но в кратчайшие сроки она намеревается увеличить её до 20 %.

Если говорить о планах по использованию памяти типа QLC в различных сегментах рынка, то WDC в этом смысле очень гордится способностью SanDisk в числе первых производителей осваивать выпуск новых поколений твердотельной памяти. Переход от TLC к QLC не даёт столь заметного преимущества, как раньше, поэтому WDC предпочитает заняться экспансией продуктов на базе памяти типа QLC в корпоративном секторе после выхода следующего поколения накопителей.

Intel SSD 665p на основе 96-слойной флеш-памяти QLC поступили в продажу

Intel вывела на рынок серию твердотельных накопителей SSD 665p с кодовым именем Neptune Harbour Refresh для клиентского сегмента. Выполненные в формате NVMe M.2-2280, накопители используют интерфейс PCI-Express 3.0 x4.

Как и предыдущая успешная серия SSD 660p, устройства построены на том же контроллере Silicon Motion SMI2263 с кеш-памятью LPDDR3 DRAM, но используют новую 96-слойную флеш-память Intel QLC NAND вместо 64-слойных микросхем, что обеспечило существенный прирост производительности.

В настоящее время серия Intel SSD 665p включает только две модели ёмкостью 1 и 2 Тбайт. Более старшая обеспечивает скорость последовательной передачи до 2000 Мбайт/с и скорость произвольного доступа до 250 000 операций ввода-вывода/с как при чтении, так и при записи.

Версия объёмом 1 Тбайт отличается быстродействием до 2000 Мбайт/с для операций последовательного чтения и до 1925 Мбайт/с — записи, а также до 160 000 операций произвольного чтения IOPS и до 200 000 — записи. С более подробным анализом производительности можно ознакомиться в материале к сентябрьскому анонсу.

Серия 665p выпускается без радиатора, за счёт чего может быть легко установлена в ноутбуки, но будет отличаться повышенным уровнем нагрева в отличие от аналогов с пассивной системой охлаждения. Компания не сообщила рейтинги выносливости для новых накопителей, но оба SSD имеют 5-летнюю гарантию. Рекомендованная стоимость терабайтного носителя составляет $159, а более ёмкая модель, вероятно, оценена вдвое дороже.

Intel готовит 144-слойную QLC NAND и разрабатывает пятибитную PLC NAND

Сегодня утром в южнокорейском Сеуле Intel провела мероприятие «Memory and Storage Day 2019», посвящённое перспективным планам на рынке памяти и твердотельных накопителей. На нём представители компании рассказали о будущих моделях Optane, о прогрессе в разработке пятибитовой PLC NAND (Penta Level Cell) и о других перспективных технологиях, которые она собирается продвигать в течение последующих лет. Также Intel рассказала о своём желании в дальней перспективе внедрить энергонезависимую оперативную память в настольных компьютерах и о новых моделях привычных SSD для этого сегмента.

Наиболее неожиданной частью презентации Intel о ведущихся разработках стал рассказ о PLC NAND — ещё более плотной разновидности флеш-памяти. Компания подчёркивает, что за последние два года общее количество производимых в мире данных удвоилось, поэтому накопители на базе четырёхбитовой QLC NAND уже не кажутся хорошим решением этой проблемы — отрасль нуждается в каких-то вариантах с большей плотностью хранения информации. Выходом должна стать флеш-память типа Penta-Level Cell (PLC), в каждой ячейке которой хранится сразу по пять битов данных. Таким образом, иерархия видов флеш-памяти в скором виде станет выглядеть как SLC-MLC-TLC-QLC-PLC. Новая PLC NAND сможет хранить в пять раз больше данных по сравнению с SLC, но, естественно, с меньшей производительностью и надёжностью, поскольку для записи и чтения пяти битов контроллер должен будет различать 32 различных состояния заряда ячейки.

Стоит заметить, что Intel в своём стремлении сделать ещё более плотную флеш-память не одинока. О планах по созданию PLC NAND во время прошедшего в августе Flash Memory Summit говорила также и компания Toshiba. Однако технология Intel имеет существенные отличия: компания использует ячейки памяти с плавающим затвором, в то время как разработки Toshiba строятся вокруг ячеек на базе ловушки заряда. Плавающий затвор при росте плотности хранения информации кажется лучшим решением, поскольку он минимизирует взаимное влияние и перетекание зарядов в ячейках и даёт возможность считывать данные с меньшим количеством ошибок. Иными словами, дизайн Intel лучше подходит для наращивания плотности, что подтверждается результатами испытаний коммерчески доступной QLC NAND, сделанной по разным технологиям. Такие тесты показывают, что деградация данных в ячейках QLC-памяти, построенных на базе плавающего затвора, происходит вдвое-втрое медленнее, чем в ячейках QLC NAND с ловушкой заряда.

На этом фоне достаточно любопытной выглядит информация о том, что Micron решила разделить свои разработки флеш-памяти с Intel в том числе из-за желания перейти на использование ячеек с ловушкой зарядов. Intel же остаётся приверженцем первоначальной технологии и планомерно внедряет её во всех новых решениях.

Кроме PLC NAND, которая пока продолжает находиться в стадии разработки, Intel намеревается увеличивать плотность хранения информации во флеш-памяти применением и других, более доступных технологий. В частности, компания подтвердила скорый переход на массовый выпуск 96-слойной QLC 3D NAND: она будет применяться в новом потребительском накопителе Intel SSD 665p.

Затем последует освоение производства 144-слойной QLC 3D NAND — она попадёт в серийные накопители в следующем году. Любопытно, что при этом Intel пока отрицает намерения использовать трёхкратную «спайку» монолитных кристаллов, поэтому в то время как 96-слойный дизайн предполагает вертикальную сборку двух 48-слойных кристаллов, 144-слойная технология, по-видимому, будет базироваться на 72-слойных «полуфабрикатах».

Вместе с ростом числа слоёв в кристаллах QLC 3D NAND разработчики Intel пока не намерены наращивать ёмкость самих кристаллов. На базе 96- и 144-слойной технологий будут выпускаться такие же терабитные кристаллы, как у 64-слойной QLC 3D NAND первого поколения. Это связано с желанием обеспечить SSD на её основе приемлемый уровень производительности. Первыми SSD, где будет применена 144-слойная память, станут серверные накопители Arbordale+.

Intel представила SSD 665p с более ёмкой и быстрой памятью QLC NAND

Intel на мероприятии в Южной Корее представила миру новые твердотельные накопители потребительского класса — Intel SSD 665p. Речь идёт о преемнике Intel 660p, первого и наиболее успешного потребительского твердотельного накопителя, использующего флеш-память NAND с четырьмя битами на ячейку (QLC). 665p не является серьёзным обновлением: он включает тот же 4-канальный контроллер Silicon Motion SM2263, но обновляет память NAND до 96-слойной 3D QLC NAND второго поколения от Intel. Эта более новая память QLC сохраняет ту же ёмкость 1024 Гбит на кристалл, одновременно уменьшая общий размер чипа.

Intel продемонстрировала 665p в реальном времени, сравнив 1-Тбайт накопитель 660p с прототипом 1-Тбайт 665p на базе опытной прошивки — оба накопителя были установлены ​​на идентичные ноутбуки ASUS. Intel использовала бета-версию CrystalDiskMark 7, чтобы проиллюстрировать производительность 665p: улучшение скорости последовательной передачи данных на 40–50 % и показатели скорости случайного доступа примерно на 30 %.

Слева — предварительная версия 1-Тбайт 665p, справа — 1-Тбайт 660p, Legit Reviews

Слева — предварительная версия 1-Тбайт 665p, справа — 1-Тбайт 660p, Legit Reviews

Стоит, конечно, учитывать короткую продолжительность теста и относительную наполненность накопителей, так что эти цифры являются измерениями скорее производительности кеш-памяти SLC (один бит на ячейку). Не ясно, насколько изменились скорости записи в худшем случае в QLC, и именно здесь 660p сильно отстаёт от твердотельных накопителей на основе TLC (три бита на ячейку). Показатели последовательного ввода-вывода, которые Intel указала для 660p, также намного ниже того, что журналисты Anandtech измерили на собственном стенде с 660p в CDM 7, поэтому улучшение последовательного ввода-вывода может в реальности составить порядка 20 %, а не 40–50%.

Тесты Anandtech также показали, что Intel 660p может достигать аналогичных скоростей 1,7–1,8 Гбайт/с при последовательной передаче с достаточно большой глубиной очереди, поэтому улучшение 665p может сводиться к расширению этого показателя. В любом случае, похоже, что 665p будет ещё одним накопителем, который обеспечивает достаточно высокую производительность в большинстве случаев использования, но на самом деле не нуждается во всех четырёх линиях PCIe.

Сотрудники Legit Reviews поделились своими крупными фотографиями 665p вместе с 660p, благодаря чему стало ясно, что и компоновка печатной платы практически не изменилась: односторонний накопитель M.2 2280 заполняет все четыре места для упаковок NAND в модели объёмом 2 Тбайт. Intel не поделилась запланированной датой запуска 665p на рынок, но это, видимо, состоится в течение ближайшего квартала. Цены должны быть сопоставимыми с 660p, что сделает его одним из самых дешёвых потребительских накопителей NVMe на рынке.

SK Hynix начала производство микросхем 4D QLC NAND объёмом 1 Тбит

Компания SK Hynix приступила к производству 96-слойных микросхем памяти 4D QLC NAND объёмом 1 Тбит. На данный момент начаты поставки образцов этих микросхем крупным разработчикам контроллеров для твердотельных накопителей. А это означает, что до массового производства этих микросхем, а также накопителей на их основе, остаётся уже не так много времени.

Для начала напомним, что 4D NAND — это маркетинговое название несколько видоизменённой памяти 3D NAND. Компания SK Hynix решила использовать такое название, потому как в её микросхемах периферийные цепи, управляющие массивом ячеек, располагаются не рядом с ячейками, а перенесены под них (Periphery Under Cell, PUC). Интересно, что подобные решения есть и у других производителей, но они не используют громкое название «4D NAND», а скромно продолжают называть свою память «3D NAND».

По словам производителя, перенос периферии под ячейки позволил уменьшить площадь микросхем более чем на 10 % по сравнению с классическими микросхемами 3D QLC NAND. Это в сочетании с 96-слойной компоновкой ещё больше повышает плотность хранения данных. Хотя, как известно, память QLC и так отличается высокой плотностью за счёт хранения четырёх бит информации в ячейке.

Сейчас SK Hynix начала поставлять микросхемы 4D QLC NAND объёмом 1 Тбит различным производителям для тестирования и последующего создания накопителей на их основе. Но вместе с этим она сама также работает над SSD на базе этих микросхем памяти. Компания трудится над собственным контроллером, а также разрабатывает программную основу для своих решений, которые планируется поставлять на потребительский рынок. SK Hynix планирует выпустить собственные SSD на базе 4D QLC NAND в следующем году.

Серию Crucial BX500 пополнит твердотельный накопитель на 960 Гбайт

Компания Crucial расширила серию твердотельных накопителей BX500, представленных ранее в этом году. Теперь помимо моделей на 120, 240 и 480 Гбайт в данное семейство входит и SSD-накопитель на 960 Гбайт.

Производитель указывает, что представители серии BX500 построены на памяти 3D NAND производства Micron, но не уточняет, какой именно тип этой памяти здесь использован. Тем не менее в данном случае используется память типа TLC с трёхбитовыми ячейками, хотя цена Crucial BX00 и выглядит так, как будто это — накопители, подобные Samsung 860 QVO на базе QLC-памяти.

Как и для всех других версий Crucial BX500, для новинки объёмом 960 Гбайт заявляется скорость последовательного чтения до 540 Мбайт/с и последовательной записи до 500 Мбайт/с. Накопитель выполнен в форм-факторе 2,5 дюйма и имеет толщину 7 мм. Подключается новинка через интерфейс SATA III.

Согласно характеристикам, накопители Crucial BX500 поддерживают использование многошагового алгоритма обеспечения целостности данных, мониторинг температуры, ускорение записи за счёт SLC-кеша, а также у них есть поддержка TRIM, SMART и ECC. К тому же Crucial предоставит пользователям копию Acronis True Image для переноса текущей системы на их новый твердотельный накопитель.

Линейка Crucial BX500 относится к бюджетному сегменту, и производитель оценил новый накопитель на 960 Гбайт в $130.

Рассекречен твердотельный накопитель Samsung на основе QLC-памяти

На сайтах сразу нескольких европейских ретейлеров появилась информация о новых твердотельных (SSD) накопителях Samsung для потребительского рынка — устройствах на основе флеш-памяти QLC NAND.

Напомним, что технология QLC предусматривает хранения четырёх бит информации в одной ячейке. По сравнению с изделиями TLC (три бита в ячейке) плотность хранения данных возрастает на 33 %. А это позволяет снизить удельную стоимость накопителей на единицу ёмкости.

Новые SSD-изделия Samsung объединены в семейство 860 QVO — Quality and Value Optimized SSD. Эти устройства на основе QLC-памяти выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе. Для подключения служит стандартный интерфейс Serial ATA.

Указано, что скорость последовательного чтения достигает 550 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 520 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при чтении составляет до 96 000, при записи — до 89 000.

В семейство Samsung 860 QVO войдут модели вместимостью 1 Тбайт, 2 Тбайт и 4 Тбайт. Стоимость накопителей варьируется у различных ретейлеров. Предполагается, что официальная розничная цена составит соответственно 140 евро, 270 евро и 540 евро. Производитель обеспечит новинки трёхлетней гарантией. Начало поставок ожидается в декабре. 

Высокий уровень брака при выпуске 3D NAND QLC может повлечь рост цен на память

Как сообщают тайваньские источники в лице интернет-ресурса DigiTimes, все ведущие производители флеш-памяти столкнулись с проблемами при переходе на выпуск многослойной памяти с записью четырёх бит в ячейку (QLC). Ранее в этом году компании Samsung, Intel/Micron и Toshiba/WD объявили о завершении разработки памяти 3D NAND QLC и начали опытный или даже серийный выпуск новинок. Среди них память 3D NAND QLC не готова выпускать только компания SK Hynix. Последняя, напомним, в виде образцов начнёт поставлять многослойную QLC 3D NAND только через год.

QLC 3D NAND компании Toshiba

QLC 3D NAND компании Toshiba

Переход на производство памяти с записью четырёх бит в каждую ячейку — это логичный шаг по направлению к снижению стоимости хранения данных на носителях из твердотельной памяти. Переход на 3D NAND QLC должен быть массовым и повсеместным. К сожалению, если верить тайваньским источникам, уровень брака при выпуске 3D NAND QLC превышает 50 %, что не может привести к какому-либо удешевлению стоимости хранения. Более того, сообщается о значительных поступлениях в каналы продаж некондиционных чипов памяти. Вероятно, речь идёт о направлении в каналы продаж микросхем памяти с частично неработающими банками и этой продукцией якобы завалены склады.

По данным DigiTimes, нечто подобное, но в меньшем масштабе происходит с производством 3D NAND TLC. Многослойная память с записью трёх бит в ячейку массово выпускается второй год подряд и уровень выхода годных чипов 3D NAND TLC достаточно высок. В пересчёте на биты память 3D NAND сегодня удерживает свыше 60 % в потоке производства всей новой памяти NAND-флеш. Тем не менее, дальнейшее повышение уровня выхода годных микросхем 3D NAND TLC также может представлять для производителей трудно решаемую проблему. Как итог, рынок 3D NAND в первом полугодии 2019 года может быть подвержен кризису недопоставок, что приведёт к росту цен на флеш-память и продукцию на её основе.

Micron: производство QLC 3D NAND сопровождается высоким уровнем брака

В этом году появились первые твердотельные накопители на основе микросхем памяти 3D QLC NAND. Данная память предполагает хранение четырёх битов данных в одной ячейке, что означат большую плотность хранения данных, а соответственно и меньшую стоимость самих твердотельных накопителей. Однако в реальности всё оказалось несколько сложнее.

Меньше месяца назад компания Intel представила первые потребительские твердотельные накопители на памяти 3D QLC NAND, которые называются Intel SSD 660p. Новинки предлагают неплохую производительность, а официальная стоимость модели на 1 Тбайт составляет всего $200. И можно было бы ожидать, что появление накопителей на памяти QLC от других производителей приведёт к снижению стоимости до ещё меньшей отметки.

Однако по сообщениям отраслевых источников этого не произойдёт, во всяком случае в рамках текущего поколения микросхем памяти. Всё дело в том, что на совместном предприятии IMFT компаний Intel и Micron процент выхода 64-слойных микросхем 3D QLC NAND, пригодных для использования в составе твердотельных накопителей, составляет лишь 48 %. И это очень мало, если принять во внимание тот факт, что процент выхода годных 64-слойных микросхем TLC (три бита на ячейку) на предприятии IMFT составляет около 90 % на сегодняшний день.

В том, что при запуске новых технологий производители сталкиваются с большим процентом брака, нет ничего удивительного. Обычно компании работают над этим, и со временем процент брака снижается. Однако в случае с IMFT производитель больше занят завершением разработки перспективной 96-слойной флеш-памяти, а потому ресурсов на отладку 64-слойной QLC может не хватить.

Таким образом, экономический эффект от 33-процентного увеличения плотности хранения информации, который в теории должна давать память с QLC-ячейками, полностью нейтрализуется производственными трудностями. Более того, с учётом выхода годных кристаллов NAND, переход на QLC пока не способен дать никакого выигрыша в себестоимости твердотельных накопителей. И это может означать, что появление привлекательных по цене SSD большого объёма, которое ожидалось вместе с распространением QLC 3D NAND, может произойти далеко не сразу, а роль QLC-памяти в процессе падения цен на твердотельные накопители окажется минимальной.

В течение года цены на SSD должны снизиться в полтора раза

Не так давно мы писали о том, что цены на твердотельные накопители будут уменьшаться в ближайшем будущем. Теперь же аналитики сообщают, что уже в будущем году цена на твердотельную памяти (NAND) может упасть до исторического минимума в 8 центов ($0,08) за 1 Гбайт.

В качестве главной причины для снижения цен, аналитики называют слишком большие объёмы производства памяти, наблюдаемые на данный момент. Проще говоря, сейчас происходит перепроизводство. Кроме того, производители на данный момент начинают выпуск более ёмких чипов NAND, в том числе 3D QLC NAND, которые сами по себе предлагают меньшую стоимость в расчёте на один гигабайт.

Правда, большинство производителей твердотельной памяти также производят и оперативную память (DRAM), что должно несколько компенсировать потери от уменьшения стоимости флеш-памяти. Хотя стоит заметить, что и цена на оперативную память начала снижаться.

По предварительным грубым подсчётам стоимость твердотельных накопителей объёмом 480–512 Гбайт в будущем году может составить около $70. В свою очередь более ёмкие накопители на 1 и 2 Тбайт могут подешеветь до 120 и 200 долларов США соответственно. Несомненно, снижение стоимости SSD-накопителей негативно скажется на продажах традиционных жёстких дисков. Поэтому производители последних сейчас активно стараются освоить рынок SSD.

Накопители Intel SSD 660p на основе QLC 3D NAND представлены официально

Корпорация Intel официально представила накопители Intel SSD 660p — свои первые твердотельные решения на основе памяти QLC 3D NAND, рассчитанные на потребительский рынок.

Напомним, что технология QLC, или Quad-Level Cell, предусматривает хранение четырёх бит информации в одной ячейке. За счёт этого плотность хранения данных по сравнению с изделиями TLC (Triple-Level Cell) NAND, которые содержат три бита информации в ячейке, возрастает на 33 %.

Как и предполагалось, в серию Intel 660p вошли три модели — вместимостью 512 Гбайт, а также 1 Тбайт и 2 Тбайт. Изделия полагаются на контроллер Silicon Motion SMI 2263. Накопители выполнены в формате M.2 2280 (22 × 80 мм); задействован интерфейс PCI-Express 3.0 x4.

Скоростные показатели и величина IOPS (операций ввода/вывода в секунду при работе с блоками данных размером 4 Кбайт) выглядят следующим образом:


 

512 Гбайт

1 Тбайт

2 Тбайт

Чтение, Мбайт/с

1500

1800

1800

Запись, Мбайт/с

1000

1800

1800

IOPS при чтении

90 000

150 000

220 000

IOPS при записи

220 000

220 000

220 000

Что касается цены, то младшая версия обойдётся примерно в 100 долларов США. Стоимость модификаций вместимостью 1 Тбайт и 2 Тбайт составляет соответственно 200 и 400 долларов, что делает Intel SSD 660p самым доступным накопителем с интерфейсом NVMe.

Несмотря на использование четырёхбитовой памяти, производитель даёт на новые накопители пятилетнюю гарантию. При этом объём перезаписи, в пределах которой действует гарантия, составляет 100 Тбайт для модели 512 Гбайт и 200 Тбайт - для двух старших версий.

Samsung запустила производство массовых SSD на памяти QLC V-NAND

В конце прошлого месяца компания Samsung раскрыла подробности о готовящихся твердотельных накопителях на микросхемах флеш-памяти 3D QLC NAND, которые подразумевают хранение четырёх бит информации в одной ячейке. Теперь же корейский производитель объявил о начале массового производства таких SSD для потребительского рынка.

Главное преимущество твердотельной памяти QLC, хранящей четыре бита в ячейке, перед TLC, хранящей лишь три бита в ячейке, заключается в более высокой на 33 % плотности хранения данных. Это открывает путь к очередному снижению удельной стоимости накопителей на единицу ёмкости. Правда, не стоит рассчитывать, что новые твердотельные накопители с QLC-памятью будут дешёвыми настолько, чтобы в полной мере заменить традиционные жёсткие диски. Однако применение четырёхбитовой флеш-памяти наверняка положительно скажется на распространении SSD большей ёмкости. Как ожидается, к 2022 году QLC-память будет использоваться более чем в 20 % поставляемых накопителей.

Новые твердотельные накопители Samsung построены на той же платформе, что и нынешние Samsung 860 EVO. Новинки выполнены в форм-факторе 2,5 дюйма и работают через интерфейс SATA. Но вместо 64-слойных чипов TLC V-NAND ёмкостью 256 и 512 Гбит, в них используются 64-слойные чипы QLC V-NAND ёмкостью 1 Тбит. Учитывая возможность использования до 32 чипов в 2,5-дюймовом SSD, новые QLC-накопители получат ёмкость вплоть до 4 Тбайт.

Что касается производительности, то по словам Samsung, она будет сравнима с характеристиками нынешних моделей. Новинки используют тот же контроллер Samsung MJX, что и нынешние Samsung 860 EVO. Поэтому скорость последовательного чтения достигает 540 Мбайт/с, а последовательной записи — 520 Мбайт/с  (при использовании SLC-кеширования в рамках технологии TurboWrite). Это – вполне обычные показатели для SATA-накопителей, ограниченные рамками интерфейса.

Новые твердотельные накопители Samsung на памяти 3D QLC NAND появятся в продаже в конце осени или начале зимы. Модельный ряд будет включать SSD ёмкостью от 1 до 4 Тбайт. Как ожидается, такие накопители окажутся примерно на 20 % дешевле типичных массовых TLC-моделей аналогичного объёма. На потребительские накопители с четырёхбитовой памятью будет даваться трёхлетняя гарантия.

Также Samsung обещает выпустить более скоростные SSD с интерфейсом PCIe на новой памяти, но сначала они появятся в серверном сегменте, а уже потом – в массовом.

Заметим, что не только Samsung к концу текущего года начнёт продажи твердотельных накопителей на памяти с архитектурой QLC. Не так давно мы писали о появлении в предложении европейских магазинов потребительских накопителей Intel SSD 660p, которые являются самыми доступными SSD с интерфейсом PCIe. Ранее другие производители, вроде Western Digital и Toshiba также объявили о своих намерениях выпустить подобные изделия.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Oppo анонсировала телевизор Smart TV K9 с диагональю 75 дюймов по цене $900 3 мин.
Oppo представила смарт-часы Watch Free с автономностью до двух недель 51 мин.
Владельцы старых экземпляров Tesla к бета-тестированию новой версии FSD допущены не будут 53 мин.
Новая статья: Обзор процессора Core i7-11700F: когда не стыдно сэкономить 9 ч.
Официально представлен смартфон OPPO K9 Pro: 120-Гц дисплей, чип Dimensity 1200 и поддержка 60-Вт зарядки 14 ч.
Китайские IT-гиганты заверили власти в готовности способствовать «всеобщему процветанию» 16 ч.
Минобороны США создаст прототип ядерного микрореактора для удовлетворения энергетических потребностей военных 16 ч.
CoolIT Systems ожидает удвоения выручки в НРС-сегменте в 2021 году 17 ч.
Шанхайский завод Tesla выпустит 300 тыс. машин с января по сентябрь текущего года 22 ч.
Hyper представила 14-портовую док-станцию для ноутбуков на базе Chrome OS 24 ч.