Сегодня 16 июня 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Теги → qlc nand

TeamGroup представила SSD MP44Q на чипах QLC — до 4 Тбайт и до 7400 Мбайт/с

Компания TeamGroup представила серию твердотельных накопителей MP44Q M.2 PCIe 4.0 на основе чипов флеш-памяти 3D QLC NAND. В состав серии вошли модели SSD объёмом 1, 2 и 4 Тбайт.

 Источник изображений: TeamGroup

Источник изображений: TeamGroup

Компания не уточняет, какой контроллер используется в новинках. Для модели MP44Q M.2 PCIe 4.0 объёмом 1 Тбайт производитель заявляет скорость последовательного чтения и записи до 7400 и 6200 Мбайт/с. В свою очередь, для версий объёмом 2 и 4 Тбайт указываются показатели до 7400 и 6500 Мбайт/с. Производитель отмечает, что в накопителях используется кеш-память SLC.

За охлаждение компонентов SSD отвечает тонкий графеновый радиатор.

Заявленный ресурс у модели объёмом 1 Тбайт составляет 512 TBW (терабайт перезаписанной информации). Для модели объёмом 2 Тбайт указывается ресурс 1024 TBW, а для версии SSD на 4 Тбайт — 2048 TBW. На все новинки предоставляется пятилетняя гарантия производителя или 1,6 млн часов работы на отказ.

В продаже серия накопителей TeamGroup MP44Q M.2 PCIe 4.0 появится в мае. Об их стоимости производитель не сообщил.

Представлены Micron 2500 — неожиданно быстрые SSD на новейшей 232-слойной памяти QLC

Компания Micron выпустила твердотельные накопители 2500-й серии, в которых впервые используются чипы флеш-памяти QLC NAND с количеством слоёв более 200. При этом новинки быстрее, чем накопители серии Micron 2550 на базе памяти TLC NAND, хотя исторически TLC-памяти быстрее, чем на QLC.

 Источник изображений: Micron

Источник изображений: Micron

Память QLC в одной ячейке способна хранить четыре бита информации, а TLC — три. Таким образом, в случае с памятью QLC контроллеру SSD приходится согласовывать 16 состояний напряжения QLC на ячейку вместо 8 у TLC. Как результат, операции чтения и записи индивидуальных ячеек у памяти QLC медленнее, чем у TLC. Повысить скорость накопителей на базе QLC-памяти можно через программную составляющую SSD-контроллера, а также с помощью кеш-памяти SLC (один бит на ячейку) и параллельного доступа к данным.

В составе серии накопителей Micron 2500 используются 232-слойные чипы флеш-памяти QLC NAND со скоростью ввода-вывода 2400 МТ/с на контакт, что на 50 % больше, чем у 176-слойных QLC-чипов. Они также обладают почти на 30 % большей плотностью по сравнению с 176-слойной QLC-памятью в составе накопителей Micron 2400 и на 31 % больше плотностью по сравнению с 232-слойными чипами флеш-памяти TLC NAND, которые используются в серии SSD Micron 2550.

Накопители Micron 2500 до 24 % быстрее в операциях чтения и до 31 % в операциях записи, чем накопители Micron 2450 на 176-слойных чипах памяти TLC. Ниже представлена сравнительная таблица с моделями SSD от Micron на основе флеш-памяти TLC и QLC.

 Источник изображения: Blocks and Files

Источник изображения: Blocks and Files

Для новой серии SSD Micron 2500 заявляется скорость в операциях последовательного чтения и записи до 7,1 Гбайт/с и до 6 Гбайт/с соответственно. Производительность в операциях случайного чтения и записи у новинок составляет до 1 млн IOPS, что практически сопоставимо с показателями серии SSD Micron 3500 на базе 232-слойных чипов памяти TLC NAND. При этом по скорости последовательного чтения новинки оказываются даже быстрее. По словам производителя, серия накопителей 2500 на чипах QLC обеспечила в бенчмарке PC Mark10 результат до 45 % выше по сравнению с тремя конкурентами с памятью TLC.

Накопители Micron 2500 будут выпускаться в трёх форматах NVMe M.2: малом (22 × 30 мм), среднем (22 × 42 мм) и большом (22 × 80 мм). Новинки соответствуют стандарту PCIe 4.0 и используют протокол NVMe 1.4. Для SSD Micron 2500 заявляется используется технология буфера HMB. Другими словами, они не имеют собственного буфера памяти DRAM и используют для этих целей часть системной памяти DRAM.

Новинки будут выпускаться в объёмах 512 Гбайт, 1 и 2 Тбайт. Для младшей модели заявлен ресурс в 200 TBW (терабайт перезаписанной информации), для двух других — 300 и 600 TBW соответственно. На все модели предоставляется пять лет гарантии или 2 млн часов работы на отказ.

YMTC увеличила ресурс перезаписи флеш-памяти QLC до уровня старой TLC

Эволюция флеш-памяти с точки зрения плотности хранения информации подразумевает, что чем больше зарядов (бит) хранятся в ячейке, тем ниже эксплуатационный ресурс такой памяти. Китайская компания YMTC не согласна с этим и утверждает, что её микросхемы 3D NAND типа QLC по своей долговечности способны превосходить ячейки памяти типа TLC.

 Источник изображения: YMTC

Источник изображения: YMTC

Память QLC в одной ячейке способна хранить четыре бита информации, а TLC — только три, и исторически считалось, что последняя выигрывает с точки зрения своей долговечности по количеству циклов перезаписи. По информации ресурса ITHome, на которую ссылается Tom’s Hardware, компания YMTC заявляет для своих 128-слойных микросхем X3-6070 типа 3D QLC NAND ресурс в 4000 циклов перезаписи. Это как минимум сопоставимо с ресурсом микросхем TLC, достигаемым за счёт оптимизации на уровне контроллеров и применяемых при производстве памяти материалов.

Изначально было принято считать, что память типа QLC способна переносить от 100 до 1000 циклов перезаписи, но и здесь усилия крупных производителей привели к тому, что этот показатель заметно увеличился. YMTC сочла нужным акцентировать внимание на своих достижениях в этой области, хотя очевидно, что они не столь уж уникальны. Память YMTC данной серии уступает конкурирующим решениям по количеству слоёв, поскольку соперники предлагают 176-слойные и более продвинутые микросхемы QLC.

В составе твердотельного накопителя PC41Q потребительского класса YMTC использует 128-слойную память QLC серии X3-6070, предлагая скорости передачи информации до 5000 Мбайт/с и способность хранить информацию при температуре 30 градусов Цельсия на протяжении не менее чем одного года. Время наработки на отказ составит 2 млн часов. Данные показатели отстают от показателей современных SSD на памяти TLC. Тем не менее, компания YMTC даже готова использовать микросхемы QLC в твердотельных накопителях корпоративного класса, где важна надёжность и долговечность.

Обновлено: стоит отметить, что память TLC демонстрировала ресурс в 3000 циклов перезаписи ещё в 2018 году, а к настоящему моменту производители смогли добиться от неё значительно более высокой выносливости, вплоть до 10 тыс. циклов перезаписи.

WD создала SSD на памяти QLC, которые оказались быстрее SSD на базе TLC

Western Digital представила твердотельные накопители PC SN5000S на базе чипов флеш-памяти QLC, которые демонстрируют более высокую производительность по показателям скорости чтения и записи, чем предшественники на базе заведомо более скоростной памяти TLC.

 Источник изображений: Western Digital

Источник изображений: Western Digital

PC SN5000S — новейшая серия потребительских твердотельных накопителей объёмом до 2 Тбайт, выпускающихся компанией в полноразмерном формате M.2 2280 и компактном формате M.2 2230. Серия пришла на замену накопителям PC SN740, предлагающимся в тех же объёмах и разъёмах.

Модель Western Digital PC SN5000S объёмом 2 Тбайт с памятью QLC по скорости записи до 16,5 %, а по скорости чтения до 15,5 % быстрее по сравнению с моделью SN740 того же объёма, но с памятью TLC. Модель SN740 объёмом 1 Тбайт по-прежнему чуть быстрее по записи, чем SN5000S, но по скорости чтения отстаёт от новинки на 14,3 %. Преимуществом накопителя SN5000S объёмом 2 Тбайт над предшественником также является на 100 TBW (терабайт перезаписанной информации) более высокий запас ресурса работы. Однако ресурс нового SSD объёмом 1 Тбайт на 100 TBW ниже (300 TBW против 400 TBW у SN740 того же объёма). Недостатком новой серии SSD также можно считать чуть более высокий показатель энергопотребления.

 Источник изображения: Tom's Hardware

Источник изображения: Tom's Hardware

Как правило, накопители на базе флеш-памяти NAND QLC отстают от SSD на базе других типов флеш-памяти. Объясняется это тем, что память QLC хранит четыре бита информации в одной ячейке, что сказывается на итоговой производительности не в лучшую сторону. Напомним, что флеш-память SLC хранит один бит информации на ячейку, MLC-память — два бита информации, а TLC — три бита. Чем меньше битов хранится в ячейке, тем она быстрее и долговечнее. Хотя возможность хранения большего количества битов на ячейку увеличивает плотность памяти, необходимость чтения и записи большего количества битов приводит к снижению производительности и в целом повышает износ памяти NAND.

Для улучшения производительности накопителей на базе памяти QLC и других многоразрядных типов памяти NAND существует несколько способов. Пожалуй, самым очевидным является использование кеш-памяти SLC в составе накопителя. Хотя QLC, как уже говорилось выше, хранит четыре бита информации в ячейке, накопителю при наличии кеш-памяти SLC необязательно заполнять все четыре бита информации при записи. SSD будут работать гораздо лучше, если обозначить часть ячеек памяти в качестве псевдо-SLC. Правда, для этого занимаются пустые ячейки, что в конечном итоге сокращает доступный объём самого SSD.

Несмотря на недостатки памяти QLC и других многоразрядных типов флеш-памяти NAND некоторые производители, например, Samsung, заинтересованы в дальнейшем развитии этой технологии. Так как обычным потребителям не всегда нужна лучшая производительность и надёжность, а при выборе SSD предпочтение чаще отдаётся исходя из цены и объёма накопителя, модели SSD на базе памяти QLC обычно являются наиболее экономичным выбором покупателя. В свою очередь, накопители на памяти SLC с низкой плотностью лучше подходят для серверов, где высокая производительность и надёжность оказываются гораздо полезнее.

Samsung расскажет в феврале о 280-слойной флеш-памяти 3D QLC NAND и 32-гигабитных чипах DDR5-8000

Помимо рассказа о чипах памяти GDDR7 со скоростью 37 Гбит/с на контакт компания Samsung Electronics на конференции 2024 IEEE-SSCC в феврале также раскроет подробности и о других инновационных продуктах в области разработки микросхем памяти. Например, компания расскажет о будущих 280-слойных чипах флеш-памяти 3D QLC NAND объёмом 1 Тбит. В перспективе они будут использоваться в потребительских твердотельных накопителях и смартфонах.

 Источник изображения: TechPowerUp

Источник изображения: TechPowerUp

Указанные чипы флеш-памяти Samsung предложат плотность 28,5 Гбит/мм2 и скорость 3,2 Гбайт/с. Для сравнения, текущие самые быстрые чипы флеш-памяти 3D NAND, использующиеся в самых передовых NVMe-накопителях, обеспечивают скорость передачи данных до 2,4 Гбайт/с.

Samsung также расскажет на мероприятии о новом поколении чипов памяти DDR5 стандарта DDR5-8000 с ёмкостью 32 Гбит (4 Гбайт). В этих микросхемах используется симметричная мозаичная архитектура ячеек памяти. Сами чипы будут производиться с использованием 5-го поколения техпроцесса Samsung 10-нм класса.

На основе таких микросхем производители модулей оперативной памяти смогут в перспективе выпускать одноранговые планки памяти DDR5-8000 объём 32 и 48 Гбайт или двухранговые модули памяти объёмом 64 или 96 Гбайт.

Китайская YMTC наладила поставки 232-слойной QLC 3D NAND раньше всех, и американские санкции ей не помешали

Ещё в ноябре прошлого года китайская компания YMTC объявила о начале массового производства 232-слойной памяти типа QLC 3D NAND, опередив конкурентов типа Kioxia и SK hynix. Даже Micron Technology со своей 232-слойной памятью типа TLC 3D NAND чуть отстаёт от китайского соперника, который давно находится под санкциями США. На этой неделе появились доказательства, что передовая память YMTC уже используется в серийных твердотельных накопителях.

 Источник изображения: TechInsights

Источник изображения: TechInsights

Та самая компания TechInsights, которая в конце лета добыла доказательства наличия 7-нм процессоров HiSilicon Kirin в составе смартфонов Huawei семейства Mate 60, на уходящей неделе опубликовала отчёт об изучении выпущенного в июле без особой огласки твердотельного накопителя ZhiTai Ti600 объёмом 1 Тбайт. Данный накопитель как раз использует 232-слойную память YMTC типа QLC 3D NAND. По словам экспертов TechInsights, данные микросхемы памяти обеспечивают высочайшую плотность хранения информации среди всех чипов, поставляемых на рынок в коммерческих партиях, а именно — 19,8 Гбит/мм2.

Как известно, прогресса в этой сфере YMTC смогла добиться за счёт использования технологии Xtacking 3.0, позволяющей формировать микросхемы памяти 3D NAND с таким количеством слоёв. Конкурирующие компании Micron и Solidigm (Intel) только разрабатывают 232-слойную память типа QLC 3D NAND, а у первой в арсенале уже имеется 232-слойная TLC 3D NAND, но она уступает решению YMTC по плотности хранения данных из-за использования трёх бит на ячейку вместо четырёх.

Являющаяся крупнейшим производителем памяти Samsung Electronics отказалась от разработки 236-слойной памяти типа QLC 3D NAND в восьмом поколении, вместо этого сосредоточившись на микросхемах QLC и TLC девятого поколения. SK hynix специализируется на памяти типа TLC 3D NAND, которая тоже уступает продукции YMTC по плотности хранения данных на конкретном этапе. Получается, что китайской компании удалось в условиях санкций наладить выпуск передовой памяти QLC 3D NAND, обогнав всех соперников по плотности хранения информации.

TeamGroup представила SSD на памяти 3D NAND QLC с интерфейсами PCIe 3.0 и SATA

Компания TeamGroup представила твердотельные NVMe-накопители TeamGroup MP33Q M.2, а также 2,5-дюймовые SATA SSD серии T-Force Vulcan Z. Первые будут выпускаться в версиях ёмкостью до 2 Тбайт, вторые — до 4 Тбайт. Обе серии твердотельных накопителей используют чипы флеш-памяти 3D NAND QLC.

 Источник изображений: TeamGroup

Источник изображений: TeamGroup

Твердотельный накопители TeamGroup Group MP33Q M.2 поддерживают интерфейс PCIe 3.0, соответствуют протоколу NVMe 1.3 и будут предлагаться в версиях объёмом 512 Гбайт, 1 и 2 Тбайт. Производитель заявляет для них скорости последовательного чтения и записи до 2500 и 2100 Мбайт/с соответственно.

Производительность в операциях случайного чтения и записи у модели на 512 Гбайт составляет до 80 тыс. и до 240 тыс. IOPS, у модели на 1 Тбайт — до 130 тыс. и 370 тыс. IOPS, а у модели на 2 Тбайт — до 220 тыс. и 410 тыс. IOPS соответственно. На указанные SSD производитель предоставляет пятилетнюю гарантию.

Накопители серии T-Force Vulcan Z оснащены интерфейсом SATA III (6 Гбит/с) и обеспечивают скорости последовательного чтения и записи соответственно до 550 и 500 Мбайт/с. На модели SSD T-Force Vulcan Z предоставляется трёхлетняя гарантия производителя.

Обе представленные серии твердотельных накопителей поступят в продажу в апреле. Стоимость новинок компания не сообщила, но вряд ли она будет высокой или даже средней — новинки выглядят как представители бюджетного сегмента.


window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥