Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Micron выпустила первый SSD ёмкостью 245 Тбайт — Micron 6600 ION для центров обработки данных
05.05.2026 [22:06],
Николай Хижняк
Компания Micron Technology объявила о начале поставок твердотельного накопителя Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт, самого вместительного из доступных на рынке накопителей. Новинка предназначена для поддержки рабочих нагрузок в области искусственного интеллекта, облачных вычислений, корпоративных и гипермасштабных приложений, включая хранилища данных следующего поколения для ИИ, а также облачные файловые и объектные хранилища. 
Источник изображений: Micron По словам производителя, для накопителей Micron 6600 ION E3.L ёмкостью 245 Тбайт требуется на 82 % меньше стоек по сравнению с развёртыванием на основе жёстких дисков. В основе накопителей используется фирменная флеш-память Micron G9 QLC NAND, «которая как минимум на одно поколение опережает любую конкурирующую память QLC, используемую в накопителях для центров обработки данных», заявляет компания.  Твердотельный накопитель Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт доступен в форм-факторах U.2 и E3.L. Один накопитель под нагрузкой потребляет до 30 Вт мощности, что вдвое меньше потребления HDD соответствующей ёмкости. Благодаря этому накопители Micron 6600 ION позволяют снизить стоимость эксплуатации, помогая сократить энергопотребление, потребности в охлаждении и выбросы углекислого газа — ключевые приоритеты для глобальных операторов в условиях растущего экологического и финансового давления. Ключевые особенности Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт на основе лабораторных тестов:
Micron также отмечает, что при масштабировании для установки жёстких дисков требуется в 1,9 раза больше энергии, чем для установки твердотельных накопителей Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт в расчёте на один эксабайт. Повышение энергоэффективности при масштабировании может привести к измеримым последствиям для устойчивого развития, таким как:
Kioxia представила быстрый твердотельный накопитель EG7 на основе 218-слойной 3D QLC NAND
21.04.2026 [19:42],
Сергей Сурабекянц
Образец накопителя Kioxia BG7 на основе 218-слойной памяти 3D NAND TLC был представлен в январе. Устройства ёмкостью от 256 до 2028 Гбайт обеспечивали скорости чтения до 7 Гбайт/с и записи до 6 Гбайт/с, а также производительность до 1 млн IOPS. Представленный сегодня EG7 предлагает практически идентичную ёмкость и производительность, но использует 218-слойную флеш-память QLC. 
Источник изображения: Kioxia BG7 и EG7 — это накопители стандарта PCIe 4.0, выпускаемые в форматах M.2 2230, 2242 и 2280. Они используют архитектуру без выделенного DRAM-буфера. По сути, EG7 — это версия BG7 с QLC-памятью. Официальные данные о ресурсе EG7 пока не опубликованы. Kioxia заявляет о поддержке SED (самошифрования) в соответствии со спецификацией TGC Opal v2.02. В настоящее время накопитель проходит тестирование у некоторых OEM-производителей ПК. Поставки EG7 должны начаться в этом квартале. «Технология QLC продолжает расширять возможности клиентских накопителей, обеспечивая привлекательную ценность без ущерба для пользовательского опыта. С серией EG7 мы позволяем производителям ПК предлагать производительные и энергоэффективные накопители для более широкого спектра систем по более доступной цене», — прокомментировал анонс накопителя директор по продажам и генеральный менеджер подразделения SSD компании Kioxia America Невилл Ичхапория (Neville Ichhaporia). Компания SK hynix недавно анонсировала свой похожий накопитель PQC21 с 321-слойной 3D NAND-памятью QLC и интерфейсом PCIe 4.0. Он доступен только в формате M.2230, с ёмкостью 1 и 2 Тбайт, и предназначен для ПК с искусственным интеллектом. SK hHynix оснастила его SLC-кэшем для увеличения скорости записи. Фактические данные о производительности пока не опубликованы, поэтому прямое сравнение с EG7 невозможно. SK hynix начала поставки первых SSD на основе 321-слойной памяти 3D QLC NAND
08.04.2026 [12:26],
Алексей Разин
Плотность хранения данных в памяти типа 3D NAND определяется количеством слоёв, поэтому его увеличение позволяет создавать компактные и при этом ёмкие накопители. Компания SK hynix заявила о начале поставок своего первого продукта на базе 321-слойной памяти 3D QLC NAND — накопителя PQC21, который будет предлагаться в вариантах ёмкостью 1 или 2 Тбайт соответственно. 
Источник изображения: SK hynix За скорость чтения и записи дополнительно отвечает технология кеширования данных SLC, которая часть ячеек микросхемы использует в одноимённом режиме. Первично наиболее часто используемые данные записываются в режиме SLC, и только потом конвертируются в исходный формат. Это позволяет значительно увеличить скорость записи данных, как утверждает SK hynix. Уже в этом месяце производитель начнёт снабжать своими накопителями PQC21 компанию Dell Technologies, которая намеревается использовать их в своих ПК. Постепенно перечень клиентов SK hynix на этом направлении будет расширяться. В пресс-релизе SK hynix приводится прогноз IDC, согласно которому доля памяти QLC NAND в сегменте накопителей cSSD вырастет с 22 % в 2025 году до 61 % в 2027 году. SK hynix показала первые 16-слойные стеки HBM4, память LPDDR6 и другие новинки
06.01.2026 [12:38],
Алексей Разин
Производство HBM3E для SK hynix буквально стало «золотой жилой», которая позволила значительно улучшить финансовое положение компании. По этой причине она связывает с HBM4 особые надежды и использовала CES 2026 для демонстрации образцов 16-слойных микросхем объёмом 48 Гбайт. 
Источник изображений: SK hynix Как отмечается в пресс-релизе на сайте SK hynix, образцы 16-слойной HBM4 впервые демонстрируются ею именно на CES 2026 в Лас-Вегасе. Ранее компания уже показывала 12-слойные микросхемы HBM4 объёмом 36 Гбайт, которые обеспечивали скорость передачи информации до 11,7 Гбит/с. При этом SK hynix признаёт, что с точки зрения продаж именно 36-гигабайтные чипы HBM3E с 12-ярусной компоновкой будут двигать бизнес компании в этом году. Такую память SK hynix продемонстрирует в сочетании с GPU тех разработчиков, которые продолжат с ней сотрудничать в сегменте HBM3E. В серверном сегменте также найдут применение модули оперативной памяти типа SOCAMM2, отличающиеся низким энергопотреблением. В мобильном сегменте LPDDR6 будет оптимизирована под периферийные вычисления в сфере ИИ, обеспечивая нужный баланс быстродействия и энергопотребления. На стенде SK hynix в Лас-Вегасе также можно будет найти образцы 321-слойной флеш-памяти типа QLC 3D NAND, которые позволят создавать накопители eSSD высокой ёмкости. Эта память также сочетает высокое быстродействие с низким энергопотреблением, что особенно ценится в сфере центров обработки данных.  Компания также будет уделять внимание и другим инновациям, включая создание заказной HBM4, в составе которой некоторые функции будут реализованы на уровне базового кристалла стека с учётом пожеланий конкретного заказчика. Память типа PIM, подразумевающая выполнение некоторых вычислений собственными силами, также является одним из перспективных направлений разработок SK hynix. Технология AiMX подразумевает ускорение вычислений в системах ИИ на уровне памяти типа GDDR6. Ещё одной разновидностью периферийных вычислений на уровне памяти является технология Compute-using-DRAM (CuD). Вычисления будут выполняться даже на стороне SSD, а интерфейс CXL позволит ускорить обмен данными между различными компонентами вычислительных систем. Грядёт подорожание SSD: цены на память NAND вырастут на 5–10 % в четвёртом квартале
25.09.2025 [15:04],
Алексей Разин
По данным TrendForce, на рынке флеш-памяти основная покупательская активность сконцентрировалась в первом полугодии, поэтому от второго аналитики ожидали некоторого спада, но резко возросший спрос на QLC для SSD корпоративного класса нарушил наметившийся тренд. В результате в следующем квартале цены на NAND могут вырасти на 5–10 %. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как отмечают авторы исследования, к всплеску интереса облачных провайдеров к памяти типа QLC привёл возникший дефицит жёстких дисков, и теперь в качестве альтернативы HDD они готовы временно рассматривать твердотельные накопители большой ёмкости на основе QLC NAND. Компания SanDisk сразу же подняла цены на 10 %, а Micron прекратила принимать заказы для пересмотра условий поставок. Контрактные цены на NAND в четвёртом квартале могут в результате увеличиться на 5–10 %, причём не только на QLC. По итогам третьего квартала они выросли только на 3–8 %. Расширение производственных мощностей большинством участников рынка на этом направлении не предусматривается, поскольку они сосредоточены на миграции в сторону более совершенных технологий производства с целью снижения издержек. Это значит, что предложение будет отставать от спроса на NAND, и цены вернутся к росту после наметившейся было ранее стабилизации. Если расширение производства в сегменте и будет наблюдаться, то главным образом в сфере QLC. За пределами облачного рынка спрос на твердотельную память продолжит оставаться вялым. Тем более, что облачные провайдеры и OEM-производители основную часть своих товарных запасов успели сформировать в первом полугодии. По мере экспансии ускорителей семейства Blackwell спрос на твердотельные накопители серверного класса продолжит расти в этом полугодии, поскольку предпосылок для снижения дефицита жёстких дисков не наблюдается. В клиентском секторе спрос и предложение на SSD приблизились к равновесию по итогам первого полугодия, поэтому во втором покупательский интерес будет проявляться только к моделям большой ёмкости на основе QLC. В корпоративном сегменте спрос сконцентрирован на моделях SSD объёмом более 120 Тбайт. Здесь возможно сохранение дефицита на протяжении следующего года, цены начнут расти уже в четвёртом квартале текущего. В сегменте eMMC и UFS давление на цены оказывает не только слабый спрос в клиентском секторе, но и высокая конкуренция со стороны китайских поставщиков. В таких условиях если цены на память такого типа и будут повышены в четвёртом квартале, то главным образом с целью покрытия убытков на стороне производителей. Цены на кремниевые пластины для изготовления NAND в четвёртом квартале тоже наверняка вырастут, поскольку в сфере производства серверных накопителей будет сохраняться высокий спрос на них. Первую в мире 321-слойную флеш-память 3D QLC NAND начала массово выпускать SK hynix
25.08.2025 [09:55],
Алексей Разин
В сфере производства памяти типа 3D NAND индикатором прогресса остаётся увеличение количества слоёв, и южнокорейская компания SK hynix недавно заявила о завершении разработки и начале серийного выпуска 321-слойных чипов QLC в 2-терабитном исполнении. Это первый в мире случай использования более чем 300 слоёв при выпуске микросхем памяти типа QLC. На рынок новые чипы выйдут в следующем полугодии. 
Источник изображения: SK hynix Как отмечает SK hynix, ёмкость новых чипов в два раза превышает имеющиеся аналоги. Увеличив количество рабочих плоскостей в составе ячеек с 4 до 6, компания надеется не только обеспечить рост быстродействия на операциях чтения, но и обеспечить длительное сохранение заявленных на старте показателей скорости в процессе эксплуатации. Скорости передачи информации по сравнению с изделиями предыдущего поколения удвоились, скорость записи выросла на величину до 56 %, скорость чтения на величину до 18 %. Энергоэффективность на операциях записи увеличилась более чем на 23 %, что позволяет рекомендовать новую 321-слойную память для использования в системах с искусственным интеллектом, где энергопотребление является серьёзным сдерживающим развитие инфраструктуры фактором. При этом SK hynix в первую очередь начнёт поставлять 321-слойные чипы QLC для производства накопителей для ПК, и только потом они пропишутся в серверном сегменте и смартфонах. В одной упаковке могут объединяться 32 кристалла NAND, поэтому данная память с лучшей стороны проявит себя на рынке серверных накопителей. На рынке соответствующая память появится в первой половине следующего года. SanDisk представила первый в мире SSD ёмкостью 256 Тбайт
05.08.2025 [18:37],
Павел Котов
SanDisk представила первый в мире твердотельный накопитель ёмкостью 256 Тбайт и его младшую версию на 128 Тбайт. Новый SSD построен на корпоративной платформе UltraQLC, ориентированной на сценарии, в которых особенно важны высокая ёмкость, производительность и надёжность. 
Источник изображения: SanDisk Накопитель выполнен в форм-факторе U.2, располагает многоядерным контроллером и построен на чипах памяти BiCS8 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит. Одной из ключевых особенностей накопителей UltraQLC является технология Direct Write QLC, благодаря которой данные записываются непосредственно в память QLC, минуя буфер псевдо-SLC (pSLC). Это обеспечивает надёжную запись на случай отключения питания и снижает задержку. Заявлена также функция динамического регулирования частоты (Dynamic Frequency Scaling — DFS), которая повышает производительность на 10 % при любом заданном уровне мощности. Однако более подробную информацию о ней SanDisk пока не раскрыла — возможно, подразумевается оптимизация частоты контроллера и скорости интерфейса в зависимости от нагрузки. Наконец, присутствует профиль Data Retention, который помогает сократить число циклов обновления данных на 33 %. Это способствует росту надёжности, отказоустойчивости и энергоэффективности накопителя. SSD адресован облачным провайдерам — гиперскейлерам. Отсутствие pSLC-кеширования является как сильной, так и слабой стороной SSD-накопителя — всё зависит от сценариев его использования. Буфер pSLC, представляющий собой область QLC-памяти, работающей в режиме SLC, обеспечивает SSD скорость отклика в районе от 200 до 300 мкс. Однако при заполнении буфера этот показатель резко возрастает до диапазона от 800 до 1200 мкс. Другими словами, с наличием буфера такой накопитель способен предложить высокую производительность при коротких всплесках, но это преимущество исчезает при записи больших объёмов данных. В отсутствие буфера и прямой записи в память QLC накопитель ведёт себя стабильнее. В SanDisk могут повысить скорость записи другими методами, такими как наличие большого DRAM-буфера, умная адресация, многослойная и многокристальная параллельная запись и избыточное резервирование. Новые твердотельные накопители SanDisk объёмами 128 и 256 Тбайт поступят в продажу в первой половине 2026 года. Напомним, что в прошлом месяце компания Kioxia представила первый в мире SSD ёмкостью 245 Тбайт. Samsung начала массовое производство памяти QLC V-NAND 9-го поколения для ИИ
12.09.2024 [14:38],
Анжелла Марина
Спустя всего 4 месяца после запуска TLC V-NAND 9-го поколения, Samsung объявил о начале массового производства аналогичной памяти типа QLC, предлагая рынку более широкую линейку передовых решений для хранения данных. Новая память обеспечивает оптимальную производительность для самых различных сфер применения, в том числе для задач искусственного интеллекта (ИИ). 
Источник изображения: Samsung Electronics Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства 9-го поколения вертикальной NAND-памяти (V-NAND) с четырьмя битами на ячейку (Quad Level Cell, QLC) ёмкостью 1 Тбит. «Успешный запуск массового производства QLC V-NAND 9-го поколения всего через четыре месяца после TLC-версии позволяет нам предложить полную линейку передовых SSD-решений, отвечающих потребностям эпохи искусственного интеллекта», — сказал Сон Хой Хур (SungHoi Hur), исполнительный вице-президент и руководитель подразделения флеш-памяти и технологий Samsung. Samsung планирует расширить применение QLC V-NAND 9-го поколения, начиная с фирменных потребительских продуктов и заканчивая мобильной универсальной флеш-памятью (UFS), SSD для клиентских ПК и серверов, включая решения для поставщиков облачных сервисов. Новое поколение памяти отличается рядом технологических возможностей, лучше сказать — прорывов. Так, Channel Hole Etching (технология травления каналов) от Samsung позволила добиться максимального количества слоёв в отрасли с двухуровневой структурой. При этом, используя опыт, накопленный при разработке трёхуровневой структуры ячеек (TLC) V-NAND 9-го поколения, специалисты Samsung оптимизировали площадь ячеек и периферийных схем, достигнув ведущей в отрасли плотности битов, которая примерно на 86 % выше, чем у QLC V-NAND предыдущего поколения. Помимо высокой плотности, QLC V-NAND девятого поколения отличается повышенной производительностью и надёжностью благодаря также технологиям Designed Mold, Predictive Program и Low-Power Design. Технология Designed Mold регулирует расстояние между Word Lines (WL) для обеспечения однородности и оптимизации характеристик ячеек во всех слоях. Технология Predictive Program прогнозирует и контролирует изменения состояния ячеек, чтобы минимизировать ненужные действия. В результате Samsung удалось удвоить скорость записи и повысить скорость ввода/вывода данных на 60 %, а энергопотребление снизить при чтении и записи данных примерно на 30 % и 50 % соответственно благодаря использованию Low-Power Design. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
