Компания TeamGroup представила твердотельные NVMe-накопители TeamGroup MP33Q M.2, а также 2,5-дюймовые SATA SSD серии T-Force Vulcan Z. Первые будут выпускаться в версиях ёмкостью до 2 Тбайт, вторые — до 4 Тбайт. Обе серии твердотельных накопителей используют чипы флеш-памяти 3D NAND QLC.

Источник изображений: TeamGroup

Твердотельный накопители TeamGroup Group MP33Q M.2 поддерживают интерфейс PCIe 3.0, соответствуют протоколу NVMe 1.3 и будут предлагаться в версиях объёмом 512 Гбайт, 1 и 2 Тбайт. Производитель заявляет для них скорости последовательного чтения и записи до 2500 и 2100 Мбайт/с соответственно.

Производительность в операциях случайного чтения и записи у модели на 512 Гбайт составляет до 80 тыс. и до 240 тыс. IOPS, у модели на 1 Тбайт — до 130 тыс. и 370 тыс. IOPS, а у модели на 2 Тбайт — до 220 тыс. и 410 тыс. IOPS соответственно. На указанные SSD производитель предоставляет пятилетнюю гарантию.

Накопители серии T-Force Vulcan Z оснащены интерфейсом SATA III (6 Гбит/с) и обеспечивают скорости последовательного чтения и записи соответственно до 550 и 500 Мбайт/с. На модели SSD T-Force Vulcan Z предоставляется трёхлетняя гарантия производителя.

Обе представленные серии твердотельных накопителей поступят в продажу в апреле. Стоимость новинок компания не сообщила, но вряд ли она будет высокой или даже средней — новинки выглядят как представители бюджетного сегмента.

Micron начала поставки твердотельных накопителей с 176-слойной флэш-памятью QLC NAND. Новинки обеспечивают скорость чтения до 4500 Мбайт/с. Компания заявляет, что накопители Micron 2400 являются первыми в отрасли, использующими 176-слойные чипы QLC.

Источник изображений: Micron

Выпуск 176-слойных микросхем MLC был налажен Micron ещё в конце 2020 года, но внедрение аналогичной технологии в производство QLC-памяти даст возможность предлагать SSD большой ёмкости по более доступной цене. Новые твердотельные накопители Micron 2400 с интерфейсом PCIe 4.0 NVMe уже поставляются производителям потребительских компьютеров, благодаря чему пользователи вскоре смогут на личном опыте оценить возможности новинок.

Примечательно, что Micron предлагает своим клиентам накопитель 2400 в том числе в крошечном форм-факторе M.2 размером 22 × 30 мм. Новинка является одним из самых маленьких среди существующих 2-Тбайт накопителей. Micron 2400 также будут доступны в форм-факторах 22 × 42 мм и 22 × 80 мм.

По сравнению с 96-слойными микросхемами QLC Micron, их 176-слойные преемники обеспечивают на 33 % большую пропускную способность ввода/вывода и сниженную на 24 % задержку чтения. Что касается ёмкости Micron 2400, твердотельный накопитель будет доступен в версиях на 512 Гбайт, 1 Тбайт и 2 Тбайт. Модели с максимальной ёмкостью обеспечат производительность в последовательных операциях чтения и записи в 4500 Мбайт/с и 4000 Мбайт/с соответственно. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) достигает 650 тысяч при произвольном чтении и 700 тысяч при произвольной записи.

Что касается ресурса, Micron указывает до 600 Тбайт записи для накопителя на 2 Тбайт. Для 512-Гбайт модели ресурс записи заявлен на уровне 150 Тбайт. Энергопотребление новинок в режиме простоя было снижено на 50 % по сравнению с моделями предыдущего поколения.

Следует понимать, что SSD с 176-слойными микросхемами QLC ориентированы в первую очередь на бюджетный сегмент. Их производительность далека от самых быстрых потребительских накопителей, которые могут достигать скорости 7000 Мбайт/с. Однако такой разрыв в скорости должен с лихвой окупиться стоимостью новинок.

Рынок твердотельных накопителей — это один из тех сегментов, где технический прогресс решительно сметает со своего пути всё устаревшее. Доказательством может служить принятое Intel решение свернуть поставки накопителей серии 665p всего лишь через несколько месяцев после их формального дебюта.

Источник изображения: NewEgg

В ноябре прошлого года Intel представила твердотельные накопители серии 665p, также известные под условным обозначением Neptune Harbor Refresh. Они сочетали контроллер Silicon Motion SM2263 с поддержкой NVMe и микросхемы 3D NAND типа QLC собственного производства, насчитывающие 96 слоёв. От предшественников серии Intel 660p, таким образом, они отличались незначительно.

Источник изображения: Intel

Уведомление в специальном разделе сайта Intel сообщает, что накопители семейства 665p уже попали под действие программы прекращения поставок. Заказать их можно будет до 31 января следующего года, последняя партия будет отгружена 30 апреля того же года.

Причины, заставившие Intel так скоро проститься с накопителями данной серии, не уточняются, но они наверняка имеют отношение к оптимизации ассортимента производимой памяти. Intel наращивает объёмы выпуска 144-слойной памяти типа QLC, поэтому место на конвейере нужно очистить от менее выгодных устаревших микросхем. В следующем году Intel переведёт на использование 144-слойной памяти весь ассортимент своих твердотельных накопителей.

В календаре Micron фискальный квартал завершился 28 мая, компания рассказала на отчётном мероприятии, какие технологические вехи преодолела в разгар пандемии. Образцы памяти класса HBM начали поступать к клиентам, производство оперативной памяти перешло на техпроцесс 1z нм, стартовали поставки 128-слойной NAND с замещающим затвором.

Источник изображения: Micron Technology

Долгое время Micron Technology со стороны наблюдала за выпуском памяти типа HBM корейскими конкурентами, но теперь и она перешла от разработки памяти данного класса к поставкам образцов клиентам. Подчёркивается, что HBM в исполнении Micron способна составить конкуренцию передовым продуктам, присутствующим на рынке, поэтому чисто технически наверняка уместно говорить о микросхемах типа HBM2 или даже HBM2e. Имена клиентов, получающих образцы этой памяти, Micron не называет, но подчёркивает, что с её помощью будут создаваться решения для систем искусственного интеллекта.

В сфере производства оперативной памяти Micron удалось технологически продвинуться до литографии ступени 1z нм. Фактически, это соответствует примерно 13-нм техпроцессу изготовления, и он является самым продвинутым в сегменте DRAM. Пока клиенты получают только образцы соответствующих микросхем, но Micron говорит о переводе на техпроцессы 1z и 1y нм до половины всего объёма выпускаемой DRAM. В следующем фискальном году, который наступит у Micron этой календарной осенью, компания рассчитывает начать выпуск памяти по техпроцессу 1α нм. Уже начались поставки микросхем DDR5, изготавливаемых по технологии 1z нм.

Источник изображения: Micron Technology

В минувшем квартале было налажено массовое производство 128-слойной памяти NAND с замещающим затвором, о которой компания рассказывала ещё в сентябре прошлого года. Клиенты уже получают соответствующие микросхемы. Отмечается хороший прогресс в сфере освоения выпуска памяти NAND с замещающим затвором второго поколения, которая в будущем займёт заметную часть ассортимента продукции Micron. Подобная память первого поколения к концу текущего календарного года тоже существенно увеличит свою долю в производственной программе компании.

Память 3D NAND с четырьмя битами на ячейку (QLC) теперь занимает более 10 % всего объёма выпускаемой твердотельной памяти Micron. Это способствует снижению производственных затрат, но в компании отдаёт себе отчёт в том, что память типа TLC ещё долго будет доминировать на рынке. Накопители на базе памяти типа QLC уже поставляются на потребительский рынок. В серверном сегменте они планомерно вытесняют жёсткие диски со скоростью вращения шпинделя 10 000 об/мин.

Накопители Micron с интерфейсом NVMe расширяют свой ассортимент, они уже предлагаются в потребительском секторе. В мае были представлены твердотельные накопители потребительского класса на базе памяти TLC и QLC соответственно. Оба типа накопителей используют 96-слойную память 3D NAND.

Компания Micron представила две новые серии твердотельных накопителей формата M.2 с интерфейсом PCIe 3.0 x4: Micron 2210 и Micron 2300. Новинки позиционируются в качестве доступных устройств хранения данных для потребительских ноутбуков и настольных ПК.

Представители более доступной серии Micron 2210 построены на микросхемах памяти 3D QLC NAND, которая предполагает хранение четырёх бит информации в одной ячейке. Данные новинки, по мнению производителя, представляют собой полноценную альтернативу привычным жёстким дискам за счёт сочетания невысокой цены и довольно большой ёмкости.

В серии Micron 2210 представлены модели объёмом 512 Гбайт, 1 и 2 Тбайт. Для всех заявлена скорость последовательного чтения до 2200 Мбайт/с. Скорость записи у наименее ёмкой модели составляет 1070 Мбайт/с, а у двух других — 1800 Мбайт/с. В операциях со случайным доступом к данным производительность может достигать 265 и 320 тыс. IOPS для чтения и записи соответственно.

В свою очередь накопители Micron 2300 построены на 96-слойных чипах памяти 3D TLC NAND, которая хранит три бита в одной ячейке. Эти накопители предназначены для более производительных систем, ориентированных на интенсивную работу с данными, в том числе САПР, обработку графики и видео.

В серии Micron 2300 предлагается четыре модели, ёмкостью 256 и 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт. Здесь скорость последовательного чтения достигает 3300 Мбайт/с. Скорость записи модели на 256 Гбайт составляет 1400 Мбайт/с, а у трёх более ёмких — 2700 Мбайт/с. Производительность в операциях со случайным доступом достигает 430 и 500 тыс. IOPS для чтения и записи соответственно.

Стоимость твердотельных накопителей Micron 2210 и 2300 пока что не уточняется, равно как и сроки их выхода на рынок.

Накопители на памяти NAND QLC с записью четырёх бит в каждую ячейку вызывают недоверие у любого мало-мальски разбирающегося пользователя. В то же время этот тип памяти становится всё более массовым за счёт большей ёмкости микросхем и относительно низкой стоимости. Можно ли повысить надёжность SSD на памяти NAND QLC и сохранить преимущества этой памяти? Китайская компания Maxio Tech уверяет, что ей это удалось.

Повысить устойчивость к износу памяти NAND QLC и срок эксплуатации SSD на её основе можно ровно одним способом ― с помощью развитых технологий коррекции ошибок. Китайский разработчик контроллеров SSD, компания Maxio Tech, сообщила, что её новый алгоритм существенно повышает надёжность накопителей на памяти с записью четырёх бит в каждую ячейку. Утверждается, что это первый случай, когда китайская компания смогла достичь прорыва на направлении, где ещё никто в мире не показал выдающегося результата.

Насколько выдающегося? По словам разработчика, фирменная технология коррекции ошибок третьего поколения ― Agile ECC 3 ― снижает вероятность неправильного считывания данных в процессе коррекции ошибок на два порядка. Это заявление справедливо при сравнении с предыдущей технологией Agile ECC 2 на базе алгоритма 2K LDPC при прочих равных. Новый алгоритм 4K LDPC улучшен как в плане работы механизмов мягкого, так и жёсткого декодирования. Это означает, что можно увеличить пропускную способность доступа контроллера к флеш-памяти и, следовательно, производительность SSD.

Новый «китайский» алгоритм LDPC 4K повышает устойчивость к износу накопителей на памяти NAND QLC

Правда, разработчик отмечает, что новый алгоритм потребует более интенсивной работы контроллера, что приведёт к росту энергопотребления и несколько более высокой цене вопроса. В то же время инженеры компании сделали всё возможное, чтобы оптимизировать работу контроллера. В частности, была реализована схема динамического управления питанием, которая помогает сдержать потребление в разумных пределах.

Пока бушуют «эпидемиологические страсти» вокруг китайского производства, компания Intel решила сообщить о выпуске 10-миллионного накопителя на базе памяти типа QLC 3D NAND на китайском предприятии в Даляне. Поставки памяти этого типа начались в конце 2018 года.

Источник изображения: Intel

Преодоление данного рубежа в Intel считают явным доказательством того, что память типа QLC 3D NAND утвердилась в качестве массовой основы для твердотельных накопителей различного назначения. В настоящее время этим микросхемы Intel применяет для производства накопителей серий 660p и 665p, а также гибридных решений Optane H10, сочетающих QLC 3D NAND и память типа 3D XPoint.

Выпускаемая сейчас Intel память типа QLC 3D NAND имеет 64-слойную или 96-слойную структуру. Последняя была освоена в условиях массового производства только в прошлом году, но в этом году Intel рассчитывает начать выпуск 144-слойной памяти типа QLC 3D NAND. Она позволит дополнительно увеличить плотность хранения информации. На основе памяти типа QLC 3D NAND выпускаются твердотельные накопители как серверного, так и клиентского класса.

Одной из ключевых особенностей консолей нового поколения Xbox Series X и PlayStation 5 станет наличие в них твердотельных накопителей, которые обеспечат им значительный прирост скорости работы. И теперь ресурс LetsGoDigital проанализировал, какой именно SSD может быть использован в будущей PlayStation 5. Да, это не более чем предположения, но обоснованные.

Как стало известно некоторое время назад, новые консоли получат накопители от Samsung. В рамках выставки CES 2020 в начале этого года корейская компания представила новый твердотельный накопитель Samsung 980 PRO. Он выполнен в формате M.2 и использует интерфейс PCIe 4.0 с протоколом NVMe. В его основе используется флеш-память MLC (два бита данных на ячейку), а скоростные характеристики обещаны на уровне 6500 Мбайт/с при чтении и до 5000 Мбайт/с при записи.

Так как память MLC стоит довольно дорого, вышеописанный накопитель тоже будет весьма дорогим, собственно, как и его предшественники серии PRO. Поэтому компания Samsung наверняка выпустит и более доступные модели 980 EVO и 980 QVO со скоростным интерфейсом PCIe 4.0. Такие торговые марки Samsung уже зарегистрировала в Бюро интеллектуальной собственности Европейского Союза (EUIPO), так что их выход является лишь вопросом времени.

В накопителях серии Samsung EVO обычно используется более доступная флеш-память TLC, способная хранить три бита информации в ячейке, за счёт чего и сами SSD стоят ощутимо дешевле моделей PRO-серии. С точки зрения характеристик накопители EVO примерно на 10 % уступают в скорости, а также обладают вдвое меньшим ресурсом записи данных. Поэтому накопитель Samsung 980 EVO предложит скорости примерно до 5500–6000 Мбайт/с.

В свою очередь накопители Samsung QVO оснащаются микросхемами памяти QLC, которые способны хранить четыре бита информации в одной ячейке. Такая память стоит ещё дешевле, однако в то же время обладает куда меньшим ресурсом для записи данных. То есть накопители на её основе менее долговечны. По характеристикам Samsung 980 QVO, вероятнее всего, будет уступать 980 EVO, но тем не менее также предложит довольно высокую скорость чтения и записи данных.

Из этих трёх моделей наиболее вероятным кандидатом на роль накопителя для PlayStation 5 выглядит именно Samsung 980 QVO. Для Sony решающим аргументом в пользу данного SSD станет то, что он будет самым доступным из перечисленных моделей. Собственно, в актуальной PS4 компания Sony использовала самые доступные HDD от HGST, так что вряд ли подход к комплектации консоли существенно поменяется.

В сентябре прошлого года Intel пообещала, что серверные процессоры Ice Lake выйдут примерно в одно время с модулями памяти Optane DC и твердотельными накопителями Optane нового поколения. Теперь годовой отчёт Intel говорит только о намерениях компании начать поставки образцов этой продукции в текущем году.

Источник изображения: Intel, AnandTech

Представители сайта Tom’s Hardware обратили внимание на последовательность выхода новых продуктов на базе твердотельной памяти, которую Intel описывает в своём годовом отчёте по форме 10-K. Производитель с гордостью сообщает, что в 2020 году собирается представить твердотельные накопители на базе 144-слойной памяти типа QLC 3D NAND, которую компания разработала уже без участия Micron, а выпускать эти микросхемы памяти будет китайское предприятие Intel.

С памятью типа 3D XPoint нового поколения всё обстоит несколько сложнее. Речь уже не идёт о появлении в этом году серийных продуктов на её основе. Накопители семейства Optane для серверного применения в текущем году будут поставляться только в виде образцов. По всей видимости, подразумеваются накопители Optane поколения Alder Stream. Компания Intel приписывает им троекратное увеличение скорости передачи информации и снижение задержек в четыре раза по сравнению с предшественниками.

Больше всего отдалена от момента попадания в руки клиентов память типа Optane DC поколения Barlow Pass. Компания сообщает, что в этом году она будет существовать только в качестве квалификационных образцов, а использоваться будет совместно с будущими процессорами Intel Xeon. Напомним, что представить 10-нм процессоры Ice Lake-SP руководство Intel пообещало до конца второго полугодия. У клиентов компании уже есть образцы этих процессоров. Похоже, совместимые образцы памяти Optane DC появятся только в следующем году.

После сделки с SanDisk американская корпорация Western Digital получила возможность стать крупным игроком на рынке твердотельных накопителей. Серверный сегмент SSD тоже манит производителя, для профильных клиентов готовятся решения с поддержкой протокола NVMe, а также накопители на базе памяти типа QLC. Доля рынка компании в этих сегментах пока не так велика, но она рассчитывает её значительно увеличить.

Источник изображения: Micron

Президент Сива Сиварам (Siva Sivaram), отвечающий в Western Digital Corporation за технологии и стратегию, на мероприятии Wells Fargo для инвесторов признался, что компания уделяет особое внимание продвижению твердотельных накопителей с поддержкой протокола NVMe в серверном сегменте. В конкурентоспособности своих накопителей WDC очень уверена: сейчас доля компании на этом рынке измеряется единицами процентов, но в кратчайшие сроки она намеревается увеличить её до 20 %.

Если говорить о планах по использованию памяти типа QLC в различных сегментах рынка, то WDC в этом смысле очень гордится способностью SanDisk в числе первых производителей осваивать выпуск новых поколений твердотельной памяти. Переход от TLC к QLC не даёт столь заметного преимущества, как раньше, поэтому WDC предпочитает заняться экспансией продуктов на базе памяти типа QLC в корпоративном секторе после выхода следующего поколения накопителей.

Intel вывела на рынок серию твердотельных накопителей SSD 665p с кодовым именем Neptune Harbour Refresh для клиентского сегмента. Выполненные в формате NVMe M.2-2280, накопители используют интерфейс PCI-Express 3.0 x4.

Как и предыдущая успешная серия SSD 660p, устройства построены на том же контроллере Silicon Motion SMI2263 с кеш-памятью LPDDR3 DRAM, но используют новую 96-слойную флеш-память Intel QLC NAND вместо 64-слойных микросхем, что обеспечило существенный прирост производительности.

В настоящее время серия Intel SSD 665p включает только две модели ёмкостью 1 и 2 Тбайт. Более старшая обеспечивает скорость последовательной передачи до 2000 Мбайт/с и скорость произвольного доступа до 250 000 операций ввода-вывода/с как при чтении, так и при записи.

Версия объёмом 1 Тбайт отличается быстродействием до 2000 Мбайт/с для операций последовательного чтения и до 1925 Мбайт/с — записи, а также до 160 000 операций произвольного чтения IOPS и до 200 000 — записи. С более подробным анализом производительности можно ознакомиться в материале к сентябрьскому анонсу.

Серия 665p выпускается без радиатора, за счёт чего может быть легко установлена в ноутбуки, но будет отличаться повышенным уровнем нагрева в отличие от аналогов с пассивной системой охлаждения. Компания не сообщила рейтинги выносливости для новых накопителей, но оба SSD имеют 5-летнюю гарантию. Рекомендованная стоимость терабайтного носителя составляет $159, а более ёмкая модель, вероятно, оценена вдвое дороже.

Сегодня утром в южнокорейском Сеуле Intel провела мероприятие «Memory and Storage Day 2019», посвящённое перспективным планам на рынке памяти и твердотельных накопителей. На нём представители компании рассказали о будущих моделях Optane, о прогрессе в разработке пятибитовой PLC NAND (Penta Level Cell) и о других перспективных технологиях, которые она собирается продвигать в течение последующих лет. Также Intel рассказала о своём желании в дальней перспективе внедрить энергонезависимую оперативную память в настольных компьютерах и о новых моделях привычных SSD для этого сегмента.

Наиболее неожиданной частью презентации Intel о ведущихся разработках стал рассказ о PLC NAND — ещё более плотной разновидности флеш-памяти. Компания подчёркивает, что за последние два года общее количество производимых в мире данных удвоилось, поэтому накопители на базе четырёхбитовой QLC NAND уже не кажутся хорошим решением этой проблемы — отрасль нуждается в каких-то вариантах с большей плотностью хранения информации. Выходом должна стать флеш-память типа Penta-Level Cell (PLC), в каждой ячейке которой хранится сразу по пять битов данных. Таким образом, иерархия видов флеш-памяти в скором виде станет выглядеть как SLC-MLC-TLC-QLC-PLC. Новая PLC NAND сможет хранить в пять раз больше данных по сравнению с SLC, но, естественно, с меньшей производительностью и надёжностью, поскольку для записи и чтения пяти битов контроллер должен будет различать 32 различных состояния заряда ячейки.

Стоит заметить, что Intel в своём стремлении сделать ещё более плотную флеш-память не одинока. О планах по созданию PLC NAND во время прошедшего в августе Flash Memory Summit говорила также и компания Toshiba. Однако технология Intel имеет существенные отличия: компания использует ячейки памяти с плавающим затвором, в то время как разработки Toshiba строятся вокруг ячеек на базе ловушки заряда. Плавающий затвор при росте плотности хранения информации кажется лучшим решением, поскольку он минимизирует взаимное влияние и перетекание зарядов в ячейках и даёт возможность считывать данные с меньшим количеством ошибок. Иными словами, дизайн Intel лучше подходит для наращивания плотности, что подтверждается результатами испытаний коммерчески доступной QLC NAND, сделанной по разным технологиям. Такие тесты показывают, что деградация данных в ячейках QLC-памяти, построенных на базе плавающего затвора, происходит вдвое-втрое медленнее, чем в ячейках QLC NAND с ловушкой заряда.

На этом фоне достаточно любопытной выглядит информация о том, что Micron решила разделить свои разработки флеш-памяти с Intel в том числе из-за желания перейти на использование ячеек с ловушкой зарядов. Intel же остаётся приверженцем первоначальной технологии и планомерно внедряет её во всех новых решениях.

Кроме PLC NAND, которая пока продолжает находиться в стадии разработки, Intel намеревается увеличивать плотность хранения информации во флеш-памяти применением и других, более доступных технологий. В частности, компания подтвердила скорый переход на массовый выпуск 96-слойной QLC 3D NAND: она будет применяться в новом потребительском накопителе Intel SSD 665p.

Затем последует освоение производства 144-слойной QLC 3D NAND — она попадёт в серийные накопители в следующем году. Любопытно, что при этом Intel пока отрицает намерения использовать трёхкратную «спайку» монолитных кристаллов, поэтому в то время как 96-слойный дизайн предполагает вертикальную сборку двух 48-слойных кристаллов, 144-слойная технология, по-видимому, будет базироваться на 72-слойных «полуфабрикатах».

Вместе с ростом числа слоёв в кристаллах QLC 3D NAND разработчики Intel пока не намерены наращивать ёмкость самих кристаллов. На базе 96- и 144-слойной технологий будут выпускаться такие же терабитные кристаллы, как у 64-слойной QLC 3D NAND первого поколения. Это связано с желанием обеспечить SSD на её основе приемлемый уровень производительности. Первыми SSD, где будет применена 144-слойная память, станут серверные накопители Arbordale+.

Intel на мероприятии в Южной Корее представила миру новые твердотельные накопители потребительского класса — Intel SSD 665p. Речь идёт о преемнике Intel 660p, первого и наиболее успешного потребительского твердотельного накопителя, использующего флеш-память NAND с четырьмя битами на ячейку (QLC). 665p не является серьёзным обновлением: он включает тот же 4-канальный контроллер Silicon Motion SM2263, но обновляет память NAND до 96-слойной 3D QLC NAND второго поколения от Intel. Эта более новая память QLC сохраняет ту же ёмкость 1024 Гбит на кристалл, одновременно уменьшая общий размер чипа.

Intel продемонстрировала 665p в реальном времени, сравнив 1-Тбайт накопитель 660p с прототипом 1-Тбайт 665p на базе опытной прошивки — оба накопителя были установлены ​​на идентичные ноутбуки ASUS. Intel использовала бета-версию CrystalDiskMark 7, чтобы проиллюстрировать производительность 665p: улучшение скорости последовательной передачи данных на 40–50 % и показатели скорости случайного доступа примерно на 30 %.

Слева — предварительная версия 1-Тбайт 665p, справа — 1-Тбайт 660p, Legit Reviews

Стоит, конечно, учитывать короткую продолжительность теста и относительную наполненность накопителей, так что эти цифры являются измерениями скорее производительности кеш-памяти SLC (один бит на ячейку). Не ясно, насколько изменились скорости записи в худшем случае в QLC, и именно здесь 660p сильно отстаёт от твердотельных накопителей на основе TLC (три бита на ячейку). Показатели последовательного ввода-вывода, которые Intel указала для 660p, также намного ниже того, что журналисты Anandtech измерили на собственном стенде с 660p в CDM 7, поэтому улучшение последовательного ввода-вывода может в реальности составить порядка 20 %, а не 40–50%.

Тесты Anandtech также показали, что Intel 660p может достигать аналогичных скоростей 1,7–1,8 Гбайт/с при последовательной передаче с достаточно большой глубиной очереди, поэтому улучшение 665p может сводиться к расширению этого показателя. В любом случае, похоже, что 665p будет ещё одним накопителем, который обеспечивает достаточно высокую производительность в большинстве случаев использования, но на самом деле не нуждается во всех четырёх линиях PCIe.

Сотрудники Legit Reviews поделились своими крупными фотографиями 665p вместе с 660p, благодаря чему стало ясно, что и компоновка печатной платы практически не изменилась: односторонний накопитель M.2 2280 заполняет все четыре места для упаковок NAND в модели объёмом 2 Тбайт. Intel не поделилась запланированной датой запуска 665p на рынок, но это, видимо, состоится в течение ближайшего квартала. Цены должны быть сопоставимыми с 660p, что сделает его одним из самых дешёвых потребительских накопителей NVMe на рынке.

Компания SK Hynix приступила к производству 96-слойных микросхем памяти 4D QLC NAND объёмом 1 Тбит. На данный момент начаты поставки образцов этих микросхем крупным разработчикам контроллеров для твердотельных накопителей. А это означает, что до массового производства этих микросхем, а также накопителей на их основе, остаётся уже не так много времени.

Для начала напомним, что 4D NAND — это маркетинговое название несколько видоизменённой памяти 3D NAND. Компания SK Hynix решила использовать такое название, потому как в её микросхемах периферийные цепи, управляющие массивом ячеек, располагаются не рядом с ячейками, а перенесены под них (Periphery Under Cell, PUC). Интересно, что подобные решения есть и у других производителей, но они не используют громкое название «4D NAND», а скромно продолжают называть свою память «3D NAND».

По словам производителя, перенос периферии под ячейки позволил уменьшить площадь микросхем более чем на 10 % по сравнению с классическими микросхемами 3D QLC NAND. Это в сочетании с 96-слойной компоновкой ещё больше повышает плотность хранения данных. Хотя, как известно, память QLC и так отличается высокой плотностью за счёт хранения четырёх бит информации в ячейке.

Сейчас SK Hynix начала поставлять микросхемы 4D QLC NAND объёмом 1 Тбит различным производителям для тестирования и последующего создания накопителей на их основе. Но вместе с этим она сама также работает над SSD на базе этих микросхем памяти. Компания трудится над собственным контроллером, а также разрабатывает программную основу для своих решений, которые планируется поставлять на потребительский рынок. SK Hynix планирует выпустить собственные SSD на базе 4D QLC NAND в следующем году.

Данные берутся из публикации Обзор NVMe-накопителя Intel SSD 660p: уместна ли QLC-память в SSD для PCI Express?