Сегодня 14 ноября 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Теги → raytheon

Из-за китайских санкций США занялись разработкой транзисторов на алмазах и нитриде алюминия

В передовых силовых микросхемах и радиочастотных усилителях используются полупроводники с широким значением запрещённой зоны, например, нитрид галлия (GaN). Львиную долю мировых поставок галлия контролирует Китай, и недавно введённые Пекином ограничения на его экспорт означают дополнительные риски для нацбезопасности ряда стран, включая США. Поэтому входящее в Минобороны США агентство DARPA поручило Raytheon разработать синтетические полупроводники из алмазов и нитрида алюминия в качестве альтернативы GaN.

 Источник изображения: Maxence Pira / unsplash.com

Источник изображения: Maxence Pira / unsplash.com

Цель Raytheon — обеспечить внедрение данных материалов в оборудование, предназначенное для современных и перспективных радиолокационных и коммуникационных систем: радиочастотные переключатели, ограничители и усилители мощности — это поможет расширить их возможности и дальность действия. Такие компоненты будут применяться в аппаратуре для зондирования, радиоэлектронной борьбы, направленной передачи энергии и в системах высокоскоростного оружия, включая гиперзвуковое. В будущем, вполне возможно, подобные полупроводники найдут применение и в гражданской сфере, например, в электромобилях, системах связи и других приложениях.

Ведущим материалом в силовых и высокочастотных полупроводниках является нитрид галлия, ширина запрещённой зоны которого составляет 3,4 эВ. Его возможности способен превзойти синтетический алмаз с 5,5 эВ — он окажется полезным в оборудовании, где критически важны высокочастотные характеристики, высокая подвижность электронов, экстремальный контроль температур, высокие мощность и долговечность. Но синтетический алмаз пока является новым материалом в полупроводниковой сфере, и до сих пор существуют проблемы, связанные с его массовым производством. Ещё более широкая запрещённая зона в 6,2 эВ у нитрида алюминия, а значит, он даже лучше подходит для такого оборудования. Но Raytheon только предстоит разработать соответствующие полупроводниковые компоненты.

На первом этапе компания займётся разработкой полупроводниковых плёнок на основе алмаза и нитрида алюминия. На втором — эти технологии будут оптимизироваться для работы на пластинах большего диаметра, в частности, для сенсорных систем. Обе фазы Raytheon надлежит завершить за три года. У компании уже есть опыт в интеграции GaN- и GaAs-компонентов в радиолокационное оборудование, поэтому и с новой задачей она, вероятно, справится.


window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
YouTube тестирует новый формат просмотра длинных видео как на Shorts 2 мин.
YouTube на Quest запускает функцию совместного просмотра — до 7 друзей в одном VR-кинозале 2 ч.
FTC потребовала от Meta продать Instagram и WhatsApp 6 ч.
Поработайте за нас: AWS предоставит учёным кластеры из 40 тыс. ИИ-ускорителей Trainium 8 ч.
Комедийный детектив Loco Motive в духе квестов 90-х выйдет на два года позже обещанного — дата релиза и новый трейлер 9 ч.
Warhammer 40,000, Armored Core и даже Concord: анимационный сериал Secret Level от авторов «Любовь, смерть и роботы» получил насыщенный трейлер 10 ч.
«RuStore на гаджетах Apple быть!» — Госдума приняла в I чтении законопроект об обязательной установке RuStore 11 ч.
«Дарим играм вечную жизнь»: GOG запустил программу по сохранению игровой классики для будущих поколений 11 ч.
Никаких «красных линий»: Microsoft продолжит выпускать эксклюзивы Xbox на PS5 и Switch 12 ч.
Dogecoin подскочил на 153 % после выборов в США — по капитализации он обогнал Ford 12 ч.