Теги → stmicroelectronics
Быстрый переход

GlobalFoundries отмечает рост заявок на техпроцесс 22FDX

Буквально месяц назад стало известно, что компания STMicroelectronics отказалась от внедрения техпроцессов с нормами 22 нм на пластинах FD-SOI (кремний на изоляторе с полностью обеднённым слоем). Чипы с нормами 28-нм на пластинах FD-SOI она выпускала либо самостоятельно, либо частично размещала на линиях Samsung. Внедрять новые техпроцессы в компании посчитали нецелесообразным, хотя пока не ясно, откажется STMicroelectronics от гонки за новыми техпроцессами или нет. На повестке дня стоит переход на EUV-литографию, что значительно повышает ценовой порог перехода на следующий уровень.

Переход STMicroelectronics в статус клиента GlobalFoundries сделал хорошую рекламу техпроцессу 22FDX (планарный, 22 нм, пластины DF-SOI). Начало производства чипов с использованием техпроцесса 22FDX сначала стартует на заводе GlobalFoundries в Дрездене. Произойдёт это ближе к середине года. Кроме европейцев техпроцессом 22FDX заинтересовались китайские компании. Ранее GlobalFoundries заявляла, что три таких крупных китайских разработчика, как Shanghai Fudan Microelectronics Group, Rockchip и Hunan Goke Microelectronics, изъявили желание выпускать чипы с использованием техпроцесса 22FDX. Движение STMicroelectronics в сторону GlobalFoundries, как на днях заявили в руководстве чипмейкера, вызвало значительный рост заявок на техпроцесс 22FDX со стороны целого ряда других китайских компаний.

Заводской комплекс GlobalFoundries в Дрездене (бывший завод AMD)

Заводской комплекс GlobalFoundries в Дрездене (бывший завод AMD)

Напомним, техпроцесс 22FDX будет также доступен в Китае. Для этого GlobalFoundries в прошлом году начала строить завод вблизи города Чэнду (Chengdu). Предприятие под именем Fab 11 начнёт получать оборудование в ближайшие недели и обещает начать работу в октябре 2018 года. Правда, на первых порах завод Fab 11 будет выпускать 130-нм продукцию, возможно, на SOI-подложках. Скорее всего, туда переедет бывшее в употреблении оборудование с сингапурских заводов GlobalFoundries. Производство с использованием техпроцесса 22FDX в Китае компания планирует начать в 2019 году.

Как сообщают в GlobalFoundries, чипы с использованием 22FDX смогут работать с напряжением 0,4 В в режимах сверхмалого потребления. По сравнению с 28-нм техпроцессом площадь 22-нм кристаллов будет на 20 % меньше и потребует на 10 % меньше фотошаблонов для литографической проекции. Если сравнивать планарный техпроцесс с техпроцессом FinFET, то сокращение числа фотошаблонов для иммерсионной литографии составит 50 %. Всё это означает удешевление производства с сохранением ряда преимуществ техпроцесса с транзисторами FinFET.

GlobalFoundries будет выпускать 22-нм продукты STMicroelectronics

Франко-итальянская компания STMicroelectronics одной из первых приступила к производству полупроводников с технологическими нормами 28 нм на пластинах из полностью обеднённого кремния на изолирующем слое (FD-SOI, fully depleted silicon-on-insulator). Пластины FD-SOI позволяют создавать транзисторы со значительно меньшими токами утечек, что даёт возможность поднять рабочие частоты или снизить потребление, что обычно достигается снижением масштаба технологических норм производства. Проще говоря, 28-нм техпроцесс на подложках FD-SOI дешевле и не хуже с точки зрения характеристик чипов, чем 20-нм техпроцесс на подложках из монолитного кремния. Соответственно, 22-нм техпроцесс на пластинах FD-SOI обещает характеристики решений, свойственные техпроцессу 14 нм с транзисторами FinFET по цене 22-нм планарного техпроцесса. Вот только STMicroelectronics, как внезапно оказалось, не собирается осваивать техпроцесс 22 нм FD-SOI.

Как сообщает официальным пресс-релизом американо-арабская компания GlobalFoundries, заказы на производство 22-нм чипов на пластинах FD-SOI компания STMicroelectronics будет размещать на её заводах. Для этого нет никаких технологических препятствий, поскольку техпроцесс 22FDX GlobalFoundries разработан и лицензирован у STMicroelectronics. Будем надеяться, что STMicro не прервёт цепочку изысканий и совершенствования интересных техпроцессов, как это произошло, например, в случае японского производителя компании Fujitsu. Напомним, Fujitsu не смогла самостоятельно разработать и внедрить на своих производствах 40-нм техпроцесс и сначала пользовалась услугами компании TSMC, а потом (в 2014 году) лицензировала 40-нм техпроцесс у тайваньской компании UMC. Лет десять назад подобное казалось бы за гранью, но времена меняются, да.

Производственный комплекс GlobalFoundries Fab 8. Фото FinanceFeeds.net

Производственный комплекс GlobalFoundries Fab 8. Фото FinanceFeeds.net

Техпроцесс 22FDX компания GlobalFoundries внедряет на заводах в Дрездене (приём заказов начнётся в текущем году) и на новом заводе в Китае, который сейчас строится и войдёт в строй в 2019 году. Судя по всему, к GlobalFoundries также перейдут заказы по выпуску следующего поколения национальных китайских процессоров Godson. В настоящий момент производством Godson с нормами 28 нм на подложках FD-SOI занимается STMicroelectronics. Также подложки FD-SOI оптимальны для выпуска радиочастотных компонентов и аналоговых чипов. Компания STMicroelectronics рассчитывает воспользоваться всем этим в полной мере.

STMicro собирается построить в Европе две 300-мм фабрики

Франко-итальянская компания STMicroelectronics, как сообщает французское издание Usine Nouvelle, планирует построить в Европе два новых завода для выпуска полупроводников. Одно из предприятий может быть построено вблизи итальянского города Аграте-Брианца (Agrate), а второе — недалеко от французского Кроля (Crolles). Стоит отметить, что В Европе свой последний завод компания STMicroelectronics построила и оснастила пятнадцать лет назад — в 2002 году. Это предприятие под названием Crolles 2, построенное совместно с компаниями Motorola и Philips. Площадка Crolles 2 стала местом разработки большинства передовых техпроцессов, впоследствии внедрённых на полупроводниковых заводах в Европе, Китае и на Тайване.

В 2007 году компании Motorola (тогда уже Freescale) и Philips вышли из союза Crolles 2 и Европа перестала быть центром международных разработок полупроводниковых технологий. Во всяком случае, в прежнем объёме. Также были свёрнуты планы по возведению в странах ЕС новых заводов по выпуску полупроводников. Та же компания STMicroelectronics, например, в 2004 году начала строить новый завод в Катании (Италия), но дальше строительства зданий и корпусов дело не пошло. Всё было заброшено на стадии строительства коробок.

STMicroelectronics

STMicroelectronics

Планы построить в Европе два новых завода STMicroelectronics источники связывают с амбициозным высокопоставленным управленцем компании Жаном-Марком Шери (Jean-Marc Chery). Он занимает должность заместителя генерального директора компании и метит на его пост. По словам Шери, которые приводит интернет-ресурс Electronics Weekly, 10–15 % мощностей STMicroelectronics занято контрактным производством, тогда как все остальные линии загружены выполнением собственных заказов компании, и эти линии не простаивают, что требует расширения мощностей. Правда, строительство начнётся только в том случае, если власти Италии и Франции, которые владеют 27,5 % акциями компании, согласятся финансировать проект общей стоимостью $3,63 млрд.

Процессоры Godson 3B1500 и Godson 3A3000 производства STMicro (http://www.loongson.cn)

Процессоры Godson 3B1500 и Godson 3A3000 производства STMicro (http://www.loongson.cn)

Добавим, в этом году дела у компании STMicroelectronics определённо налаживаются. Это нашло в отражении курса акций производителя, которые за год вдвое увеличились в цене. Основной современной продукцией компании можно считать 28-нм решения на подложках FD-SOI. C использованием данного техпроцесса, например, STMicroelectronics выпускает китайские процессоры Godson. Также она лицензировала компании GlobalFoundries техпроцесс по выпуску микросхем на пластинах FD-SOI. Кроме этого она обслуживает компании Freescale и NXP Semiconductors (бывшее подразделение Philips). Это микроконтроллеры, прикладные процессоры и автомобильная электроника.

STMicroelectronics прекращает выпуск чипов для ТВ-приставок и увольняет рабочих

Крупнейший в Европе чипмейкер STMicroelectronics сообщил о прекращении производства чипов для телевизионных приставок, что отразится почти на 2 тыс. сотрудников компании.

Как сообщает агентство Reuters со ссылкой на заявление STMicroelectronics от 27 января 2016 года, в рамках сворачивания бизнеса по выпуску микросхем для ТВ-приставок во Франции, странах Азии и США будет сокращено 430, 670 и 120 рабочих мест соответственно. Ещё 600 человек перейдут в другие подразделения STMicroelectronics, в том числе автомобильное.

st.com

st.com

Компания надеется, что эти меры позволят ей экономить ежегодно $170 млн. При этом сначала STMicroelectronics должна будет единоразово потратить эту же сумму на проведение реструктуризации.

Связанное с чипами для ТВ-приставок направление за последние два года принесло STMicroelectronics убытки в размере $500 млн, что вдвое больше суммарной операционной прибыли производителя за 2014 и 2015 гг.

bloomberg.com

bloomberg.com

Между тем, правительство Франции, которое совместно с итальянским владеет 27,5 % акций STMicroelectronics и потому может блокировать стратегические решения компании, раскритиковало её планы по ликвидации бизнеса и рабочих мест.

«Мы хотим, чтобы новая стратегия работала, позволяя этой компании наращивать доходы и восстанавливаться», — заявил Стефан ле Фоль (Stephane Le Foll), пресс-секретарь французского президента Франсуа Олланда (Francois Hollande), при котором безработица в стране превысила психологическую отметку в 10 %.  

Один из старейших американских чипмейкеров Fairchild может быть продан

СМИ стало известно о новом крупном слиянии в полупроводниковой отрасли. По данным Bloomberg, крупнейший европейский чипмейкер STMicroelectronics собирается купить американскую компанию Fairchild Semiconductor International.

Как сообщает информагентство со ссылкой на осведомлённые источники, STMicroelectronics провела анализ предполагаемой сделки, однако окончательное решение по ней может быть отрицательным, учитывая немалую стоимость Fairchild.

bloomberg.com

bloomberg.com

На момент закрытия биржи в Нью-Йорке во вторник, 27 октября, рыночная капитализация Fairchild составила около $2 млрд. Котировки компании подскочили на 4,3 % на фоне слухов о её продаже.

Собеседники издания допускают, что STMicroelectronics откажется от этого приобретения, сосредоточившись на улучшении прибыльности бизнеса и оптимизации расходов.

Fairchild разрабатывает полупроводниковые решения для управления питанием в электронных устройствах, чипы для автомобилей и электронные преобразователи сигналов. Основанная в 1957 году компания считается одним из старейших производителей микросхем в США.

bloomberg.com

bloomberg.com

Ранее в октябре 2015 года в СМИ прошла информация о том, что руководство Fairchild обратилось к банку Goldman Sachs Group за помощью в поиске покупателя компании. Переговоры по этому поводу вендор вёл с ON Semiconductor и Infineon Technologies. После появления этих слухов акции Fairchild подорожали на 20 %. 

Появились новые детали о техпроцессе 22-нм FD-SOI

О планах GlobalFoundries, касающихся освоения 22-нанометровой технологии FD-SOI, мы сообщали совсем недавно, а сейчас в Сети появились подробности об этом техпроцессе. Во-первых, внедрение FD-SOI подтверждено: технологический процесс будет готов к началу экспериментального производства чипов (tape-outs) в начале 2016 года, а массовое производство начнётся ближе к концу того же года. Технология, имеющая ряд преимуществ, будет использоваться, главным образом, для малых чипов, выпускаемых в больших объёмах. Разработчики сложных интегральных схем вряд ли будут заинтересованы в использовании 22-нм FD-SOI.

Техпроцесс, разрабатываемый в стенах GlobalFoundries, будет использовать 28-нанометровые BEOL (back-end-of-line, межблочные соединения, контакты и диэлектрики) STMicroelectronics, а также FEOL (front-end-of-line, отдельные транзисторы и другие элементы) того же разработчика, но 14-нанометровые. Следует знать, что габариты кристалла определяются именно техпроцессом BEOL. Как и вышеупомянутые технологии STMicroelectronics, техпроцесс GlobalFoundries 22-нм FD-SOI будет являть собой планарную технологию. Планарные техпроцессы, как известно, требуют меньше слоёв металлизации и более простые фотомаски, в сравнении с техпроцессами класса FinFET. В отличие от версии процесса STMicroelectronics, техпроцесс GlobalFoundries не потребует использования мультипаттернинга (double-patterning, технология увеличения плотности размещения элементов), что существенно упростит проектирование чипов по этой технологии.

Поскольку 22-нм FD-SOI использует 28-нанометровые BEOL, размер кристалла у чипов будет аналогичен размеру кристаллов микросхем, производимых с использованием обычного 28-нанометрового техпроцесса. Следовательно, для производителей сложных и габаритных интегральных схем смысла в переходе на описываемый техпроцесс будет немного, поскольку это лишь увеличит себестоимость продукции — подложки FD-SOI стоят дороже обычных кремниевых. Но разработчики схем, ориентированных на дешёвые решения с низким уровнем энергопотребления новой технологией заинтересуются, поскольку стоимость разработки останется практически прежней, благодаря планарности техпроцесса, а производительность при неизменной экономичности можно будет существенно поднять.

Изначально GlobalFoundries предложит новый техпроцесс клиентам, уже использующим технологии SOI. Со временем он может стать экономически интересным для создателей микросхем для носимых устройств, «Интернета вещей» и других аналогичных решений. Следует отметить, что разрабатываемый GlobalFoundries техпроцесс 22-нм FD-SOI несовместим ни с 14-нм, ни с 28-нм техпроцессами FD-SOI, поэтому клиентам таких компаний, как STMicroelectronics и Samsung (лицензировавшей 28-нм FD-SOI у STM), желающим воспользоваться технологиями GlobalFoundries, придётся адаптировать к ним дизайн своих разработок.

Европейские микросхемы могут быть не хуже «китайских»

В марте этого года расположенный в Гренобле институт CEA-Leti — Европейский центр разработки полупроводниковых и других технологий — предложил «национальную» программу поддержки европейских разработчиков полупроводников. Программа «Silicon Impulse» даёт возможность завершить цикл разработки решений в Европе, включая выпуск изделий не в далёком Китае, а рядом — по-домашнему. Глобализация вывела за скобки европейские компании полупроводникового сектора, но остатки былых наработок всё ещё позволяют Европе грозно «бряцать пробирками».

На днях в программу «Silicon Impulse» внесено интересное дополнение. Сообщается, что теперь европейским разработчикам будет доступен 28-нм техпроцесс с применением подложек SOI с полностью обеднённым изолятором (fully-depleted silicon-on-insulator, FD-SOI). По слухам, подобные подложки может широко использовать компания Samsung при производстве 14-нм однокристальных схем для «умных» часов Apple Watch. В общем случае использование подложек с полностью обеднённым изолятором снижает токи утечки и повышает энергоэффективность микросхем и решений.

Слева структура транзистора на обычной кремниевой подложке, а справа на пластине FD-SOI

Слева структура транзистора на обычной кремниевой подложке, а справа на пластине FD-SOI

Производителем микросхем по программе «Silicon Impulse» с использованием подложек FD-SOI будет компания STMicroelectronics. Следует уточнить, что в Европе среди местных разработчиков осталось очень мало клиентов, которые могли бы самостоятельно заказать и оплатить коммерчески выгодные объёмы производства полупроводников в Европе (организовать производство в Китае — без проблем). Поэтому программа «Silicon Impulse» предусматривает возможность собрать для размещения на одной пластине заказы нескольких компаний. Это так называемое челночное MPW-производство (multi-project wafer, мультипроектные пластины). Компания STMicroelectronics, например, организует производство по таким проектам четыре раза в год. Первое производство с 28-нм техпроцессом на пластинах FD-SOI будет запущено в феврале 2016 года.

Преимущества использования подложек FD-SOI по сравненнию с обычными пластинами

Преимущества использования подложек FD-SOI по сравнению с обычными пластинами

Добавим, программа «Silicon Impulse» включает все этапы сопровождения разработки — от проектирования микросхем с использованием пакетов компаний Synopsys и Mentor Graphics до верификации проектов, производства и тестирования готовых изделий. Также в помощь разработчикам предоставляется возможность лицензировать готовые блоки от ядер ARM до интегрированных модулей различной функциональности вплоть до радиочастотных цепей.

Пять электронных компонентов для флагманских смартфонов 2014 года

Производители электронных компонентов продолжают совершенствовать микрочипы, рассчитанные на использование в смартфонах. Флагманские сотовые аппараты наступившего года получат ещё более мощные процессоры, экраны увеличенного разрешения и больше памяти. Попробуем перечислить новейшие разработки, которые появятся в смартфонах в 2014-м.

Qualcomm Snapdragon 805

«Система на чипе» Snapdragon 805 компании Qualcomm объединяет четыре основных вычислительных ядра Krait 450 с тактовой частотой до 2,5 ГГц и графический ускоритель Adreno 420, поддерживающий видео в формате Ultra HD. Производитель обещает 40-процентный прирост быстродействия графической подсистемы по сравнению с процессором Snapdragon 800. Ожидается, что первое устройство на основе Snapdragon 805 появится в апреле или мае. Им может стать топовый смартфон Galaxy S5 компании Samsung.

NVIDIA Tegra K1

Чип Tegra K1, представленный NVIDIA в ходе выставки CES 2014, получил 192-ядерный графический ускоритель на архитектуре Kepler с поддержкой программных интерфейсов DirectX 11 и OpenGL 4.4, тесселяции и движка Unreal Engine 4. Процессор выйдет в двух версиях: одна из них получит четыре 32-битных вычислительных ядра ARM Cortex A15 с тактовой частотой до 2,3 ГГц и дополнительное ядро; вторая — два 64-битных вычислительных ядра Super Core (Denver) с частотой до 2,5 ГГц. Устройства на этом чипе, как ожидается, выйдут в первой половине текущего года.

Samsung LPDDR4 Mobile DRAM

Сегодня топовые смартфоны и планшеты оснащаются 3 Гбайт оперативной памяти. В 2014-м можно ожидать появления аппаратов с 4 Гбайт ОЗУ. Это стало возможным благодаря анонсу компанией Samsung первых в отрасли мобильных чипов памяти LPDDR4 ёмкостью 8 Гбит. Изделия обеспечивают скорость передачи данных до 3200 Мбит/с на один вывод; энергопотребление при напряжении питания в 1,1 В уменьшилось на 40%.

Экраны высокого разрешения

Под занавес 2013-го китайская компания BBK Electronics представила под брендом Vivo смартфон Xplay 3S, ставший первым в мире аппаратом с дисплеем формата 2К (2560x1440 точек). В нынешнем году, как ожидается, такие экраны станут нормой в сегменте high-end-класса. К примеру, LG Display разработала 5,5-дюймовую AH-IPS-панель формата Quad HD (2560x1440 точек), которая обладает очень высоким показателем плотности пикселей — 538 ppi.

Более совершенные датчики

Смартфоны нового поколения обзаведутся улучшенными сенсорами, которые позволят реализовать новые функции управления и сбора информации. Так, STMicroelectronics анонсировала новейший 9-осный датчик положения и движения: в чипе размером 3,5х3 мм объединены 3-осный акселерометр, 3-осный гироскоп и 3-осный магнитометр.

 

Итоги года на рынке полупроводников: SK Hynix и Mediatek – в лидерах

Среди компаний, чей полупроводниковый бизнес развивался в 2013 году наиболее успешно, первые места следует отдать SK Hynix и Mediatek, – так считают аналитики из IC Insights, поделившиеся своими выводами. Предварительные данные свидетельствуют, что рост доходов этих двух компаний по итогам года составит 44 и 34 процента соответственно, что является наилучшими показателями для полупроводниковых гигантов, входящих в двадцатку лидеров рынка.

«Несмотря на значительный пожар и падение отгрузок на крупнейшем заводе по выпуску памяти в Китае, SK Hynix смогла воспользоваться ростом на рынке DRAM в этом году и, как ожидается, переместится в рейтинге производителей микроэлектроники на три позиции вверх», - сказано в информационном бюллетене, распространённом аналитической компанией IC Insights. Mediatek же, как ожидается, займёт в табеле о рангах 16 позицию, переместившись вверх с 22 места, занимаемого ей в прошлом году. Этой фирме за 2013 год удалось удвоить поставки процессоров для коммуникаторов, доведя их объём до 200 миллионов штук в год. Фактически, компания выехала на волне высокого спроса на недорогие смартфоны, испытываемого в настоящее время в Китае и странах азиатско-тихоокеанского региона.

Однако тайваньскому производителю всё ещё очень далеко до результатов, показанных лидером мобильного рынка, компанией Qualcomm, поставки чипов которой в этом году составят порядка 716 миллионов штук, что больше результатов прошлого года примерно на 21 процент. В то же время доходы Qualcomm с прошлого года выросли на 30 процентов, а чистая прибыль увеличилась на 22 процента и достигла 7,91 млрд. долларов. Однако прогноз Qualcomm на следующий год не отличается безудержным оптимизмом. Хотя компания обещает не останавливаться на достигнутом, прогнозируемый на следующий год рост доходов, как ожидается, не превысит 11 процентов.

Среди других компаний, улучшивших своё положение в рейтинге, следует отметить американскую Broadcom. Ей удалось увеличить свои продажи на 4 процента и попасть благодаря этому в десятку крупнейших. Существенно выросли и показатели Micron, что объясняется завершением приобретения Elpida.

Неудачниками же по итогам 2013 года станут три японских компании: Fujitsu, Renesas и Sony. Fujitsu упала в рейтинге сразу на пять позиций после продажи в апреле этого года своего бизнеса по производству аналоговых устройств и микроконтроллеров компании Spansion. Renesas продемонстрировала наибольшее среди лидеров рынка 16-процентное падение продаж. Недалеко от неё оказалась и Sony, чей полупроводниковый бизнес сократился на 14 процентов. Однако аналитики поясняют, что по результатам японских фирм ударило изменение курса йены. И если пересчитать финансовые показатели Sony, Fujitsu и Renesas по курсу прошлого года, то окажется, что эти компании  добились роста на 4, 3 и 2 процента соответственно.

В целом в отчёте IC Insights отмечается, что разработка полупроводников, как и их контрактное производство, остаются достаточно прибыльным видом бизнеса. Хороших результатов удаётся добиваться и компаниям, работающим на рынке памяти (особенно если принять во внимание 29-процентный рост этого рынка в 2013 году). В результате девять из двадцати компаний, добившихся увеличения дохода – это либо чистые разработчики  (Qualcomm и Broadcom), либо контрактные производители (TSMC и Globalfoundries), либо поставщики памяти (SK Hynix, Micron и Toshiba).

Выход Qualcomm на рынок ТВ-приставок может встряхнуть рынок

Qualcomm решила попробовать силы на новом для себя рынке приставок для телевизоров, представив 4-ядерный ARM-процессор Snapdragon 600 MPQ8064, умеющий кодировать и декодировать видео в высокоэффективном формате HEVC (H.265). Поддерживаются разрешения вплоть до 1080p, хотя этот чип пока не умеет обрабатывать видео Ultra HD (или 4K). H.265 позволяет при вдвое меньшем видеопотоке обеспечивать такое же качество, как и H.264. В результате возможности потокового интернет-вещания заметно улучшаются и повышается качество видео.

Аналитики из IHS убеждены, что выход Qualcomm на рынок ТВ-приставок вполне может встряхнуть эту индустрию. В настоящее время на этом $2-млрд рынке доминируют две компании — Broadcom и STMicroelectronics, получающие до 80% всех доходов от рынка процессоров для ТВ-приставок. Однако с приходом Qualcomm дуополии может прийти конец.

В сентябре Qualcomm сообщила о партнёрстве с Technicolour, ведущем французском производителе ТВ-приставок, имеющем подразделение в США. Чипы Snapdragon 600 будут использоваться в системе Svelte, которая получит одновременно поддержку стандарта 4G Long Term Evolution — таким образом, LTE впервые появится в ТВ-приставках.

Qualcomm также подумывает о расширении бизнеса на рынок домашних мультимедийных центров, тонких клиентов и абонентских шлюзов. IHS считает, что благодаря масштабам компании и её опыту, она представляет серьёзную угрозу на этих рынках для Broadcom, ST, Intel и других ведущих компаний.

В основе умных часов Pebble лежит чип STMicroelectronics

На днях STMicroelectronics выпустила пресс-релиз, сообщив, что в основе наручных часов Pebble лежит созданный ею микроконтроллер STM32. Pebble Smartwatch связывается с Android-смартфонами и iPhone посредством интерфейса Bluetooth, сообщая пользователю тихой вибрацией о входящих звонках, почте или SMS.

Работа платформы часов и неплохие показатели энергоэффективности обеспечивает 90-нм микроконтроллер STM32 F2, который предоставляет неплохой баланс между функциональности и временем автономной работы. Размеры 32-бит чипа STM32 F205 с интегрированным ядром ARM Cortex-M3 @120 МГц, процессором обработки сигналов, различными интерфейсами и контроллером памяти составляют всего 4 мм.

Кроме собственно STM32 в часах Pebble используется также сенсор захвата движений с цифровым выходом STMicroelectronics LIS3DH MEMS. LIS3DH улавливает ускорение во всех трёх координатах и обеспечивает работу продвинутых функций часов при максимальной экономии энергии. Часы можно заказать на официальном сайте, причём они совместимы с iPhone и iPod Touch c iOS 5 или iOS 6 устройствами Android с версией ОС 2.3 и выше.

STMicroelectronics вновь потерпела убытки

Один из крупнейших производителей микросхем, компания STMicroelectronics вновь заявила об убыточном квартале. Руководители компании поспешили заверить инвесторов, что во втором квартале выручка и валовая маржа вырастут.

В первом квартале 2013 года чистый убыток составил $171 млрд. Солидную его часть составили затраты на реструктуризацию компании ST-Ericsson. Напомним, в четвертом квартале прошлого года убыток составил $428 млн, а в первом квартале 2012 года — $176 млн.

Президент и генеральный директор STMicroelectronics Карло Бозотти (Carlo Bozotti) отметил, что, несмотря на сложные макроэкономические условия, компания показала стабильные результаты. Особо порадовали подразделения, занимающиеся выпуском микроконтроллеров, систем питания. Также господин Бозотти выделил успешное внедрение собственного 28-нм техпроцесса FD-SOI в целом ряде решений партнёров.

Материалы по теме:

Источник:

STMicro и Ericsson закроют ST-Ericsson и уволят 1600 человек

STMicroelectronics и Ericsson сообщили о предстоящем закрытии своего совместного предприятия ST-Ericsson путём разделения бизнеса между обеими компаниями и увольнения около 1600 сотрудников.

Этим анонсом завершились месяцы предположений и слухов относительно будущего ST-Ericsson, которая пострадала из-за сильного снижения объёмов заказов со стоны главного клиента — финской Nokia, растерявшей долю рынка под напором Apple и Samsung. ST-Ericsson оказалось сложно противостоять более проворным азиатским производителям мобильных чипов, которые быстрее реагируют на нужды заказчиков на фоне усиливающейся тенденции, когда крупные производители смартфонов вроде Samsung создают собственные процессоры.

Павильон ST-Ericsson на выставке Mobile World Congress в Барселоне 25 февраля 2013 года (REUTERS/Albert Gea)

Шведская Ericsson, которая занимается разработкой оборудования для телекоммуникационных сетей, и франко-итальянский производитель чипов STMicro пытались найти покупателя ST-Ericsson, но так и не нашли желающих приобрести компанию, которая не приносила прибыли с момента основания в 2008 году.

Президент STMicroelectronics Карло Бозотти (Carlo Bozotti) отметил во время анонса, что рассматривались все возможные сценарии, и анонсируемое разделение было среди вариантов. При этом он добавил, что STMicroelectronics будет продолжать производство чипов ST-Ericsson, пока заказчикам они будут необходимы.

В основе смартфона Galaxy S III mini лежит платформа ST-Ericsson NovaThor ModAp семейства U8500/U8520

В рамках плана по разделению ST-Ericsson из общего числа в 4450 сотрудников компании 1800 человек перейдут в Ericsson (преимущественно в Швеции, Германии, Индии и Китае). Эти специалисты будут продолжать заниматься производством линейки многорежимных модемов 4G.

К STMicroelectronics перейдут остальные существующие продукты ST-Ericsson, а также сборочные цеха и тестовые лаборатории. Их будут обслуживать 950 человек, преимущественно во Франции и Италии. Остальные направления деятельности ST-Ericsson будут остановлены — в результате будет сокращено 1600 человек по всему миру. Около 500—700 увольнений придётся на Европу, включая 400—600 человек в Швеции и 50—80 в Германии. Заводы пока закрываться не будут.

Ericsson прогнозирует, что линейка LTE-продуктов за последний квартал её отчётного года принесёт около $80 млн убытков из-за затрат на исследования и разработку. Исполнительный директор Ericsson Ханс Вестберг (Hans Vestberg) говорит, что собирается сделать бизнес чипов связи 4G третьим в мире по масштабам. «Мы, разумеется, хотим сделать подразделение прибыльным… и, имея более мелкую организацию, я полагаю, у нас гораздо больше шансов этого добиться», — добавил он.

Сразу вслед за анонсом акции STMicroelectronics упали на 2,8%, а Ericsson — на 1,35%.

Материалы по теме:

Источник:

Samsung будет выпускать 28-нм чипы для STMicroelectronics

Предприятия южнокорейского промышленного гиганта Samsung Electronics выбраны компанией STMicroelectronics для изготовления интегральных микросхем по 32/28-нм технологическому процессу. Новые партнеры к этому моменту уже наладили успешный выпуск целого ряда высокоинтегрированных продуктов, SoC-решений для мобильной и потребительской электроники, сетевых приложений.

Основной смысл новой сделки Samsung Electronics и STMicroelectronics заключается в том, что европейский разработчик и производитель громадного ассортимента полупроводниковой продукции (начиная от одиночных транзисторов, заканчивая SoC-микросхемами) теперь будет заказывать выпуск микрочипов своему азиатскому партнеру. Пока речь идет лишь о производстве высокоинтегрированных микросхем, изготавливаемых по 32-/28-нм техпроцессу. Почему принято решение только в отношении этой продукции?

Автомобильные микрочипы STMicroelectronics и микросхемы для потребительской электроники

Дело в том, что организация современной технологии выпуска микрочипов по самым точным техпроцессам сопряжена с колоссальными финансовыми затратами на приобретение и обслуживание оборудования. Компания Samsung уже обладает достаточно мощным производственным комплексом, который способен выпускать микросхемы с проектными нормами вплоть до 28 нанометров.

 

Продукция STMicroelectronics для всех сфер жизни общества

В связи с этим, компания STMicroelectronics принимает вполне логичное решение отдать часть обязанностей крупному чипмейкеру, уже имеющему все ресурсы для выполнения нужных задач. Успешный выпуск целого ассортимента микрочипов на производственных мощностях Samsung подтвердил правильность такого подхода — разработчик получает гарантированный результат без необходимости развертывания сложнейшего производственного комплекса и его освоения. Это еще один шаг на пути разделения чипмейкеров, которые теперь часто становятся контрактными производителями полупроводниковых устройств, и чисто разработчиков, главная задача которых — создание архитектуры, схемотехники и “чертежей” интегральных микросхем.

Материалы по теме:

Samsung и STMicroelectronics сообщили о партнёрстве в 28/32-нм производстве

Компания Samsung Electronics сообщила о начале производства чипов для компании STMicroelectronics с соблюдением 32/28-нм норм High-K Metal Gate (HKMG) технологического процесса. Сообщается, что в рамках партнёрских действий достигли стадии tape out уже более десятка систем на чипе ST для применения в мобильной и потребительской электронике, в сетевом оборудовании.

«Мы успешно начали производство нового поколения 32/28-нм чипов STMicroelectronics, — отметил один из ответственных руководителей Samsung. — Производственное сотрудничество с ST демонстрирует наше стремление к лидерству в области 32/28-нм HKMG техпроцесса. Мы агрессивно наращиваем 32/28-нм мощности и продолжаем предоставлять наиболее совершенные нормы производства нашим клиентам».

Samsung и STMicroelectronics разрабатывали 32/28-нм нормы производства в рамках участия в международном альянсе развития полупроводниковой индустрии ISDA. Производственный бизнес Samsung предоставил возможность производить чипы с соблюдением 32-нм HKMG техпроцесса для тех, кто желал вывести первыми свои чипы, освоенные несколько позже 28-нм нормы позволяют ещё несколько улучшить показатели энергоэффективности чипов и плотности размещения транзисторов на единицу площади кристалла.

Материалы по теме:

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥