Сегодня 19 июля 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Теги → stt-mram

TSMC создала улучшенную магниторезистивную память — она потребляет в 100 раз меньше энергии

Компания TSMC вместе с учёными Тайваньского НИИ промышленных технологий (ITRI) представила совместно разработанную память SOT-MRAM. Новое запоминающее устройство предназначено для вычислений в памяти и для применения в качестве кеша верхних уровней. Новая память быстрее DRAM и сохраняет данные даже после отключения питания, и она призвана заменить память STT-MRAM, потребляя при работе в 100 раз меньше энергии.

 Экспериментальная пластина с чипами SOT-MRAM. Источник изображения: TSMC / ITRI

Экспериментальная пластина с чипами SOT-MRAM. Источник изображения: TSMC / ITRI

На роль кеш-памяти верхних уровней (от L3 и выше) и для вычислений в памяти, среди прочих перспективных вариантов энергонезависимой памяти, долгое время претендовала магниторезистивная память с записью с помощью переноса спинового момента (STT-MRAM). Этот вариант памяти передавал намагниченность запоминающей ячейке через туннельный переход с помощью спин-поляризованного тока. За счёт этого потребление энергии STT-MRAM оказалось кратно меньше потребления обычной памяти MRAM, в которой запись осуществлялась наведённым электромагнитным полем.

Память SOT-MRAM идёт ещё дальше. Запись (намагниченность) ячейки — слоя ферромагнетика — происходит с помощью спин-орбитального вращательного момента. Эффект проявляется в проводнике в основании ячейки в процессе комбинации двух явлений: спинового эффекта Холла и эффекта Рашбы—Эдельштейна. В результате на соседний с проводником ферромагнетик воздействует индуцированное магнитное поле со стороны спинового тока в проводнике. Это приводит к тому, что для работы SOT-MRAM требуется меньше энергии, хотя настоящие прорывы ещё впереди.

 Марруты токов записи и чтения для двух типов ячеек MRAM. Источник изображения: National University of Singapore

Маршруты токов записи и чтения для двух типов ячеек MRAM. Источник изображения: National University of Singapore

Другие преимущества памяти SOT-MRAM заключаются в раздельных схемах записи и чтения, что положительно сказывается на производительности, а также увеличенная устойчивость к износу.

«Эта элементарная ячейка обеспечивает одновременное низкое энергопотребление и высокоскоростную работу, достигая скорости до 10 нс, — сказал доктор Ши-Чи Чанг, генеральный директор исследовательских лабораторий электронных и оптоэлектронных систем ITRI. — Её общая вычислительная производительность может быть дополнительно повышена при реализации схемотехники вычислений в памяти. Заглядывая в будущее, можно сказать, что эта технология обладает потенциалом для применения в высокопроизводительных вычислениях (HPC), искусственном интеллекте (AI), автомобильных чипах и многом другом».

Память SOT-MRAM с задержками на уровне 10 нс оказывается ближе к SRAM (задержки до 2 нс), чем обычная память DRAM с задержками до 100 нс и выше. И конечно, она существенно быстрее популярной сегодня 3D NAND TLC с задержками от 50 до 100 мкс. Но в процессорах и контроллерах память SOT-MRAM появится не завтра и не послезавтра, как не стала востребованной та же память STT-MRAM, которая разрабатывается свыше 20 лет. Всё это будущее и не очень близкое, хотя, в целом, необходимое для эффективных вычислений в памяти и устройств с автономным питанием.


window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Новая статья: Cast n Chill — вы, сэр, рыба. Рецензия 3 ч.
Возвращение к шутерам от первого лица: Ubisoft подтвердила разработку новой Ghost Recon 4 ч.
Кооперативный боевик Contraband от создателей Just Cause всё ещё жив, но оказался игрой-сервисом 5 ч.
Meta отказалась соблюдать «чрезмерные» правила разработки ИИ, предложенные ЕС 6 ч.
Microsoft уличили в допуске китайцев к секретным облачными системами Пентагона 7 ч.
Legacy of the Forge «уже не за горами» — Warhorse раскрыла, когда ждать новостей о втором дополнении к Kingdom Come: Deliverance 2 7 ч.
Перевод на русский, Denuvo и первые детали геймплея: Persona 4 Revival получила страницу в Steam 8 ч.
Netflix призналась, что начала использовать ИИ при создании сериалов 9 ч.
Фэнтезийная 4X-стратегия Endless Legend 2 от создателей Humankind не выйдет 7 августа в раннем доступе Steam, но есть и хорошая новость 10 ч.
iOS 26 защитит пользователей iPhone от телефонных спамеров 10 ч.
Углеродные выбросы Amazon выросли в 2024 году на 6 % из-за ИИ ЦОД и любителей шопинга 3 ч.
Австрийцы упаковали электромобильный аккумулятор в корпус из дерева и стали 6 ч.
В Роттердаме запустят беспилотные рейсовые автобусы между городом и аэропортом 7 ч.
Asus представила материнскую плату ROG Strix X870-H Gaming WiFi7 S с ярким аниме-дизайном 7 ч.
ASRock представила плату X870E Taichi OCF для экстремального разгона Ryzen 9000 и другие новинки с AM5 9 ч.
США намерены ослабить влияние Китая на подводную интернет-инфраструктуру, но у них это вряд ли получится 10 ч.
Российские учёные создали фотонный детектор с «обонянием» — он учует опасные газы в воздухе, диабет и алкогольную вечеринку 12 ч.
Передовые твердотельные батареи в электромобилях появятся в лучшем случае через пять лет 12 ч.
В России впервые запущено производство особо чистого тетрахлорида германия для выпуска оптоволокна 13 ч.
Китайский охотник за астероидами испытал камеры на Земле и Луне — и поделился впечатляющими снимками 14 ч.