Компании Kioxia и Sandisk сотрудничают более двадцати лет, хотя первая из них в начале этого пути входила в состав Toshiba. Текущее соглашение подразумевает совместный выпуск твердотельной памяти минимум до конца 2034 года, поэтому свою деятельность Sandisk синхронизирует с Kioxia. Как и она, первая из компаний объявила о начале поставок образцов передовой 332-слойной памяти TLC NAND.

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Компьютер месяца — август 2026 года

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Источник изображения: Sandisk

Поскольку это, по сути, одна и та же продукция, Sandisk ничего нового в отношении образцов 1-терабитных микросхем TLC, производимых по технологии BiCS десятого поколения, рассказать не смогла. Плотность хранения данных превышает 29 Гбайт на квадратный миллиметр площади, что в удельном измерении позволяет говорить о 59-процентном превосходстве над BiCS8, а также увеличении пропускной способности на треть по сравнению с той же памятью. Соответственно, сообщается и о повышении энергетической эффективности, которое уже наблюдалось в случае с аналогичной продукцией Kioxia: до 10 % на операциях ввода и 34 % на операциях вывода.

Повышение плотности хранения данных, скорости их передачи и снижение энергозатрат отлично вписываются в набор приоритетов операторов центров обработки данных, которым нужна более ёмкая и скоростная, но при этом экономичная память для долговременного хранения данных. Для Sandisk присутствие в серверном сегменте рынка должно являться важным источником выручки в условиях бума систем искусственного интеллекта. Прибыль, получаемая на этом рынке, направляется на общее развитие бизнеса компании.

Спустя всего 4 месяца после запуска TLC V-NAND 9-го поколения, Samsung объявил о начале массового производства аналогичной памяти типа QLC, предлагая рынку более широкую линейку передовых решений для хранения данных. Новая память обеспечивает оптимальную производительность для самых различных сфер применения, в том числе для задач искусственного интеллекта (ИИ).

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Компьютер месяца — август 2026 года

Источник изображения: Samsung Electronics

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства 9-го поколения вертикальной NAND-памяти (V-NAND) с четырьмя битами на ячейку (Quad Level Cell, QLC) ёмкостью 1 Тбит. «Успешный запуск массового производства QLC V-NAND 9-го поколения всего через четыре месяца после TLC-версии позволяет нам предложить полную линейку передовых SSD-решений, отвечающих потребностям эпохи искусственного интеллекта», — сказал Сон Хой Хур (SungHoi Hur), исполнительный вице-президент и руководитель подразделения флеш-памяти и технологий Samsung.

Samsung планирует расширить применение QLC V-NAND 9-го поколения, начиная с фирменных потребительских продуктов и заканчивая мобильной универсальной флеш-памятью (UFS), SSD для клиентских ПК и серверов, включая решения для поставщиков облачных сервисов. Новое поколение памяти отличается рядом технологических возможностей, лучше сказать — прорывов. Так, Channel Hole Etching (технология травления каналов) от Samsung позволила добиться максимального количества слоёв в отрасли с двухуровневой структурой. При этом, используя опыт, накопленный при разработке трёхуровневой структуры ячеек (TLC) V-NAND 9-го поколения, специалисты Samsung оптимизировали площадь ячеек и периферийных схем, достигнув ведущей в отрасли плотности битов, которая примерно на 86 % выше, чем у QLC V-NAND предыдущего поколения.

Помимо высокой плотности, QLC V-NAND девятого поколения отличается повышенной производительностью и надёжностью благодаря также технологиям Designed Mold, Predictive Program и Low-Power Design. Технология Designed Mold регулирует расстояние между Word Lines (WL) для обеспечения однородности и оптимизации характеристик ячеек во всех слоях. Технология Predictive Program прогнозирует и контролирует изменения состояния ячеек, чтобы минимизировать ненужные действия. В результате Samsung удалось удвоить скорость записи и повысить скорость ввода/вывода данных на 60 %, а энергопотребление снизить при чтении и записи данных примерно на 30 % и 50 % соответственно благодаря использованию Low-Power Design.