Теги → tlc nand
Быстрый переход

Micron начала поставки первых в мире 232-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND — 1 Тбит на кристалл

Компания Micron объявила о начале поставок 232-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND TLC, обладающих самой высокой плотностью на рынке — объём одного кристалла может достигать 1 Тбит. Помимо значительно выросшей плотности новые 232-слойные чипы флеш-памяти 3D NAND TLC предлагают до двух раз более высокую скорость записи и до 75 % более высокую скорость чтения по сравнению с микросхемами предыдущего поколения.

 Источник изображений: Micron

Источник изображений: Micron

Как показано на изображении ниже, возросшая плотность позволила Micron сократить объём упаковки 232-слойного чипа флеш-памяти 3D NAND TLC на 28 % по сравнению с микросхемами предыдущего поколения. Это может оказаться полезным при производстве, например, тех же смартфонов и карт памяти microSD.

В одной упаковке размером 11,5 × 13,5 мм можно объединить до шестнадцати 232-слойных кристаллов флеш-памяти 3D NAND TLC, получив таким образом чип объёмом 2 Тбайт, который будет в три раза меньше американской почтовой марки. При наиболее плотной компоновке на 1 мм2 можно записать до 14,6 Гбит информации, что на 30–100 % больше, чем у поставляющихся на рынок конкурирующих продуктов. По словам Micron, в одном таком чипе можно сохранить 340 часов видео в формате 4K.

 Предложения Micron и конкурентов. Источник изображения: Tom's Hardware

Предложения Micron и конкурентов. Источник изображения: Tom's Hardware

Как и прежде, Micron использует в новых чипах флеш-памяти свою технологию CMOS under array (CuA), но теперь уже шестого поколения, для повышения плотности за счёт размещения CMOS под массивом ячеек. Компания также применяет конструкцию флэш-памяти с двойным стеком. Это означает, что каждый готовый кристалл состоит из двух 116-слойных кристаллов, соединённых между собой с помощью процесса, который называется последовательной укладкой. Производитель также ссылается на использование новых материалов и процессов для создания отверстий в кристалле с высокой плотностью расположения, что также сказалось на общей плотности микросхем.

Впечатляющая производительность новых флеш-чипов памяти Micron обеспечена новой шестиплоскостной архитектурой, которая впервые применяется для памяти 3D NAND TLC. Плоскость — это область кристалла флеш-памяти, которая независимо отвечает на запросы ввода-вывода, подобно тому, как каждое ядро CPU может выполнять операции параллельно. Чем больше количество плоскостей, тем больше производительность.

В предыдущем поколении флеш-памяти Micron использовалась четырёхплоскостная архитектура. Переход на шестиплоскостную позволил на 50 % (до 2,4 Гбайт/с) увеличить скорость передачи данных по интерфейсу ONFI 5.0, тем самым в целом увеличив пропускную способность кристалла памяти. По словам Micron, на уровне упаковки чипа флеш-памяти это привело к двухкратному повышению производительности в операциях записи и на 75 % увеличило скорость чтения по сравнению с предыдущим поколением, в котором были представлены 176-слойные микросхемы. Правда, это только в теории. На практике всё гораздо сложнее. Ведь это не значит, что в скором времени на рынке появятся твердотельные накопители, вдвое быстрее ныне существующих. Проблема в том, что на производительность SSD также влияют и другие факторы, такие как контроллер памяти и интерфейс. Однако прогресс компании Micron может стимулировать других производителей поднапрячься и разработать компоненты, которые смогут угнаться за новой флеш-памятью американской компании.

По словам Micron, добавление дополнительных плоскостей также положительно сказывается на качестве передачи данных и задержках при операциях записи и чтения, однако производитель пока не публикует более детальные данные на этот счёт. Логика новых 232-слойных чипов флеш-памяти Micron 3D NAND TLC поддерживает новый интерфейс NV-LPPDR4 с пониженным энергопотреблением — затраты энергии на бит уменьшены до 30 % по сравнению с интерфейсом предыдущего поколения. Другими словами, новые чипы обладают более высокой энергоэффективностью. Однако компания опять же не делится какими-то конкретными деталями и примерами.

О надёжности новых флеш-чипов памяти Micron тоже ничего не сообщает. Однако можно ожидать, что новые 232-слойные микросхемы по этому показателю будут соответствовать чипам флеш-памяти предыдущего поколения. Напомним, что показатель надёжности рассчитывается в циклах Program/Erase (P/E) (программирование/стирание). Например, предыдущее поколение памяти TLC от Micron в потребительских накопителях обычно рассчитано на 1–3 тыс. циклов P/E и на 5–10 тыс. циклов для SSD корпоративного класса. На конечный показатель также влияет тип применяемых алгоритмов коррекции ошибок (ECC). Однако от 232-слойных микросхем памяти TLC можно ожидать примерно такого же уровня надёжности.

Компания отмечает, что уже начала поставки новых 232-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND TLC OEM-производителям, а также новых твердотельных накопителей Crucial на их основе (модели не уточняются). Micron лишь недавно запустила производство новых микросхем и в течение всего оставшегося 2022 года будет увеличивать объёмы их выпуска.

Micron представила скоростные SSD PCIe 4.0 на основе 176-слойных чипов флеш-памяти TLC 3D NAND

Компания Micron представила новые серии твердотельных NVMe-накопителей, которые построены с использованием 176-слойных чипов флеш-памяти TLC 3D NAND. Серия Micron 3400 представлена высокоскоростными моделями в форм-факторе M.2 2280. Серия Micron 2450 в свою очередь состоит из более доступных решений в полноразмерном форм-факторе M.2 2280, среднем M.2 2242, а также компактном M.2 2230.

Для всех новинок заявлена поддержка интерфейса PCIe 4.0 и соответствие протоколу NVMe 1.4. Накопители Micron 2450 представлены моделями объёмом от 256 Гбайт до 1 Тбайт. В состав серии Micron 3400 в свою очередь входят модели объёмом от 512 Гбайт до 2 Тбайт.

Производитель пока не делится подробными деталями о новинках. В то же время компания сообщает, что уровень пропускной способности при операциях чтения у новых накопителей в два раза выше, а записи — на 85 % выше, чем у предыдущего поколения накопителей Micron 2300. Последние предлагают скорость чтения 3300 Мбайт/с и скорость записи 1400-2700 Мбайт/с, а также производительность до 500 тыс. IOPS.

Micron также указывает, что модели Micron 3400 позиционируются для использования в составе систем, где требуется очень высокая производительность. Новинки данной серии смогут отлично себя показать в задачах, связанных с 3D-рендерингом в реальном времени, дизайне, анимации и играх. Модели Micron 2400 в свою очередь, как нельзя лучше подойдут для повседневных задач.

Также отмечается, что благодаря повышенной энергоэффективности представленные новинки соответствуют требованиям стандарта Intel Project Athena для ноутбуков, а также стандартам AMD PSPP (PCIE Speed Power Policy) и требованиям режима Modern Standby (современный режим ожидания) Microsoft Windows.

SK Hynix выпустила тестовые образцы 176-слойной TLC 4D NAND. Это самая многослойная флеш-память в мире

Корейская компания SK Hynix использует термин «4D NAND» осознанно, но предупреждает, что он призван отражать компоновочные преимущества по сравнению с 3D NAND. В третьем поколении такая память стала 176-слойной, и разработчики контроллеров уже получили образцы 512-гигабитных чипов. Массовое производство памяти 4D NAND нового поколения начнётся в середине следующего года.

 Источник изображения: SK Hynix

Источник изображения: SK Hynix

Как поясняет производитель, микросхемы TLC нового поколения сочетают технологию затвора с ловушкой заряда и компоновку с размещением периферийных цепей под массивом ячеек памяти. Впервые представленная в 2018 году в 96-слойном варианте, эта память в третьем поколении предлагает 176 слоёв. По словам SK Hynix, такая память обеспечивает самый высокий выход микросхем с одной кремниевой пластины, повышая удельную эффективность производства на 35 % по сравнению с памятью предыдущего поколения. Себестоимость производства памяти тоже снижается, что обеспечивает корейской компании преимущество по сравнению с конкурентами.

 Источник изображения: SK Hynix

Источник изображения: SK Hynix

Новая память обеспечивает прирост скорости передачи информации на операциях чтения на 20 %. В середине следующего года начнётся массовое производство 176-слойных чипов памяти типа TLC 4D NAND для мобильных устройств, предельная скорость чтения у них вырастет на 70 %, записи — на 35 %. В дальнейшем подобные микросхемы памяти найдут применение в твердотельных накопителях потребительского и корпоративного классов. Следующая цель SK Hynix — выпуск терабитных микросхем TLC 4D NAND с 176-слойной компоновкой.

Компания Micron Technology в прошлом месяце сообщила о завершении разработки и начале поставок первых в мире 176-слойных микросхем памяти типа 3D NAND, поэтому можно не сомневаться, что SK Hynix столкнётся с конкуренцией с её стороны.

Samsung представила SSD 980 Pro PCIe 4.0 со скоростью чтения до 7 Гбайт/с

Ещё на выставке CES 2020 компания Samsung объявила, что работает над созданием твердотельных накопителей 980 Pro. Как и ожидалось, компания ещё до конца лета представила эти SSD в формате M.2, которые получили ряд любопытных особенностей.

Твердотельные накопители Samsung 980 Pro с интерфейсом NVMe 1.3c работают с PCIe 4.0, так что отлично подойдут для мощных систем на базе процессоров Zen 3 и материнских плат AMD X570 и B550. Некоторая задержка с запуском, очевидно, была вызвана пандемией, поскольку от неё пострадали цепочки поставок и производство.

980 Pro может похвастать не только формальной поддержкой модного интерфейса, но и зашкаливающей производительностью. Устройство выйдет в вариантах исполнения 250 Гбайт, 500 Гбайт и 1 Тбайт и сможет предложить скорость последовательной записи до 5000 Мбайт/с и последовательного чтения — до 7000 Мбайт/с. Также SSD может предложить 1 млн IOPS для операций чтения и записи (4 Кбайт, QD32).

Накопители будут поставляться в комплекте с новым контроллером Samsung Elpis. Существенным минусом можно считать использование NAND TLC, то есть в одной ячейке памяти новых SSD от Samsung может храниться до 3 бит данных. Это существенно снижает стоимость гигабайта, но также кратно уменьшает количество циклов перезаписи на ячейку и приводит к падению скорости при заполнении накопителя. В результате показатель TBW (количество терабайт данных, которое гарантированно можно записать на накопитель) для флагманского накопителя объёмом 1 Тбайт составил лишь 600 (для сравнения: Corsair MP600 отличается уровнем надёжности в 1800 TBW).

Все заявленные характеристики справедливы для SSD объёмом 1 Тбайт. Уже в модели на 500 Гбайт показатель TBW падает до 300, а у версии на 250 Гбайт — до 150 Тбайт. Несколько уменьшаются и скоростные показатели: у 500-Гбайт варианта скорость почти не падает: 6900 Мбайт/с и 800 000 IOPS для чтения и 5000 Мбайт/с и 1 млн IOPS для записи. А вот младшая модель характеризуется скоростью лишь 6400 Мбайт/с и 500 000 IOPS для чтения и 2700 Мбайт/с и 600 000 IOPS для записи.

Таким образом, удешевление теперь добралось и до серии Pro, которая ранее использовала память NAND MLC с двумя битами на ячейку. Наверняка это приведёт к более привлекательной цене, но эту информацию, как и точное время появления накопителей на полках магазинов, Samsung пока не сообщила. 980 Pro обеспечены 5-летней гарантией.

Micron представила доступные потребительские SSD-накопители на памяти TLC и QLC

Компания Micron представила две новые серии твердотельных накопителей формата M.2 с интерфейсом PCIe 3.0 x4: Micron 2210 и Micron 2300. Новинки позиционируются в качестве доступных устройств хранения данных для потребительских ноутбуков и настольных ПК.

Представители более доступной серии Micron 2210 построены на микросхемах памяти 3D QLC NAND, которая предполагает хранение четырёх бит информации в одной ячейке. Данные новинки, по мнению производителя, представляют собой полноценную альтернативу привычным жёстким дискам за счёт сочетания невысокой цены и довольно большой ёмкости.

В серии Micron 2210 представлены модели объёмом 512 Гбайт, 1 и 2 Тбайт. Для всех заявлена скорость последовательного чтения до 2200 Мбайт/с. Скорость записи у наименее ёмкой модели составляет 1070 Мбайт/с, а у двух других — 1800 Мбайт/с. В операциях со случайным доступом к данным производительность может достигать 265 и 320 тыс. IOPS для чтения и записи соответственно.

В свою очередь накопители Micron 2300 построены на 96-слойных чипах памяти 3D TLC NAND, которая хранит три бита в одной ячейке. Эти накопители предназначены для более производительных систем, ориентированных на интенсивную работу с данными, в том числе САПР, обработку графики и видео.

В серии Micron 2300 предлагается четыре модели, ёмкостью 256 и 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт. Здесь скорость последовательного чтения достигает 3300 Мбайт/с. Скорость записи модели на 256 Гбайт составляет 1400 Мбайт/с, а у трёх более ёмких — 2700 Мбайт/с. Производительность в операциях со случайным доступом достигает 430 и 500 тыс. IOPS для чтения и записи соответственно.

Стоимость твердотельных накопителей Micron 2210 и 2300 пока что не уточняется, равно как и сроки их выхода на рынок.

Toshiba RD500 и RC500: твердотельные накопители для игровых компьютеров

Компания Toshiba Memory Europe анонсировала твердотельные накопители формата M.2 NVMe в новых сериях RD500 и RC500. Представители первой позиционируются в качестве решений для производительных игровых систем, тогда как новинки второй серии подойдут скорее для рядовых пользователей и тех, кто хочет освежить свой систему, но не нуждается в максимально быстром накопителе.

Твердотельные накопители Toshiba RD500 и RC500 построены с использованием современных 96-слойных микросхем флеш-памяти TLC BiCS (TLC 3D NAND) и обладают SLC-кешем. Новинки выполнены в формате компактных модулей M.2 2280 и подключаются к системе посредством четырёх линий PCIe 3.0. Также они соответствуют спецификациям NVMe 1.3c.

Новинки серии RD500 доступны в версиях объёмом 500 Гбайт, 1 и 2 Тбайт. Они используют новый 8-канальный контроллер, который способен обеспечить им скорость последовательного чтения в 3400 Мбайт/с и скорость последовательной записи в 3200 Мбайт/с. Производительности в случайном чтении и записи (4K, QD32, T8) составляет 685 000 и 625 000 IOPS соответственно.

В свою очередь накопители Toshiba RC500 выйдут в версиях на 250 и 500 Гбайт, а также 1 Тбайт. Они получили менее продвинутый 4-канальный контроллер, который способен обеспечить скорость последовательного чтения и записи в 1700 и 1600 Мбайт/с соответственно. Скорость случайного чтения составляет 355 000 IOPS, а случайно записи — 410 000 IOPS.

Твердотельные накопители Toshiba RD500 и RC500 поступят в продажу в четвёртом квартале текущего года. Стоимость новинок пока что не уточняется.

Samsung 970 EVO Plus: скоростные твердотельные накопители на 96-слойной памяти

Компания Samsung представила новую серию твердотельных накопителей Samsung 970 EVO Plus. От вышедших в прошлом году Samsung 970 EVO представители нового семейства отличаются тем, что в них применена трёхмерная флеш-память TLC V-NAND с 96 слоями вместо 64-слойной. И, как показывает наш обзор, это привело к ощутимому приросту быстродействия.

Твердотельные накопители Samsung 970 EVO Plus выполнены в формате M.2 2280. Для подключения используется интерфейс NVMe 1.3 и четыре линии PCI Express 3.0. В новой серии на данный момент доступны модели объёмом 250 и 500 Гбайт, а также 1 Тбайт. В апреле производитель обещает добавить версию новинки на 2 Тбайт.

Новые накопители Samsung 970 EVO Plus используют тот же контроллер Samsung Phoenix, что и обычные Samsung 970 EVO, и прирост производительности обеспечивается только за счёт новой памяти. По словам Samsung, максимальная производительность в операциях случайного чтения увеличилась с 500 до 600 тысяч IOPS, а в операциях случайной записи — с 480 до 550 тыс IOPS. Что касается скорости последовательного чтения и записи, то производитель заявляет до 3500 и 3300 Мбайт/с соответственно. Правда, все эти максимальные показатели характерны лишь для модели на 1 Тбайт. У остальных моделей скорость последовательной записи и случайного чтения несколько ниже.

Важно отметить, что с переходом на новую память не последовало никаких изменений в сроке гарантии и заявленном ресурсе. На накопители Samsung 970 EVO Plus предоставляется гарантия на пять лет, а максимальный ресурс определён из расчёта возможности перезаписи трети ёмкости накопителя в день и достигает 600 Тбайт в случае модели на 1 Тбайт.

Ещё стоит отметить, что Samsung решила установить на новые 970 EVO Plus точно такие же цены, как и на 970 EVO. В конечном итоге новые модели 970 EVO Plus вытеснят из продажи SSD предшествующего семейства, которые сейчас уже снимаются с производства. Новые твердотельные накопители Samsung 970 EVO Plus уже доступны для заказа по цене от $90 за модель на 250 Гбайт.

ADATA представила твердотельный накопитель Ultimate SU800 ёмкостью 2 Тбайт

Компания ADATA выпустила серию твердотельных накопителей Ultimate SU800 в середине 2016 года для конкуренции с производительными SATA-накопителями, вроде Samsung 850 Evo. В данном семействе представлены накопители на памяти 3D TLC NAND объёмом от 128 Гбайт до 1 Тбайт. Теперь же к ним присоединился 2,5-дюймовый SATA-накопитель ёмкостью 2 Тбайт.

Как и в версиях меньшей ёмкости, в новинке используется контроллер Silicon Motion SM2258G и твердотельная память 3D TLC NAND производства компании Micron. У 2-Тбайт модели Ultimate SU800 имеется DRAM-буфер, а также до 8 % её объёма может выделяться под SLC-кеш.

По словам производителя, новинка способна обеспечить скорость последовательного чтения до 560 Мбайт/с, и скорость последовательной записи до 520 Мбайт/с. Производительность в операциях с произвольным доступом достигает 80 тыс. IOPS.

Производитель предоставляет гарантию сроком на три года. Суммарный объём данных, который можно будет записать без потери гарантии на накопитель Ultimate SU800 объёмом 2 Тбайт, составляет 1600 Тбайт. Ориентировочная стоимость новинки составит $379.

Maxio Technology продемонстрировала SSD на базе «китайской» 3D NAND

Правительство Китайской Народной Республики вкладывает десятки миллиардов долларов в развитие современной полупроводниковой промышленности, поэтому неудивительно, что эта отрасль развивается в стране очень быстрыми темпами. Ранее в этом году компания Xi’an UniIC Semiconductors начала поставки чипов DDR4-2133, а теперь союз двух компаний, Yangtze Memory Technologies Co. и UNIC Memory Technology, готовится к началу массовых поставок 64-слойной памяти TLC NAND. Maxio Technology, располагающая китайским подразделением, продемонстрировала прототип твердотельного накопителя на базе контроллера собственной разработки MAS0902, оснащённого чипами флеш-памяти с маркировкой UNIC. Обсуждаемый прототип относится к решениям начального уровня: его ёмкость составляет всего 256 Гбайт, а используемый интерфейс — SATA.

Вряд ли он заинтересует энтузиастов, для этого его производительность слишком невысока, но вот используемой флеш-памяти стоит уделить более пристальное внимание. Компании Yangtze Memory Technologies Co. И UNIC Memory Technology принадлежат холдингу Tsinghua Unigroup, который, в свою очередь, контролируется правительством КНР. Первая из компаний уже обладает технологиями, необходимыми для производства 32-слойной флеш-памяти и, как сообщают источники, вовсю готовится развернуть производство чипов с вдвое большим количеством слоёв. UNIC Memory Technology при этом отвечает за продажи самой памяти и продуктов на её основе. Она располагает возможностями приобретения неразрезанных кремниевых пластин и партий кристаллов, а также мощностями для их упаковки, тестирования и производства модулей eMMC или накопителей SSD.

Поскольку 32-слойная NAND UNIC во многом является тестовым продуктом, послужившим для отработки техпроцессов, вряд ли она появится на рынке в мало-мальски заметных масштабах. Массовый выпуск 64-слойной памяти ещё только предстоит начать, поэтому дабы помочь своим коллегам-производителям SSD и индустрии в целом, компания UNIC Memory Technology в настоящее время продаёт под своей маркой 64-слойные чипы TLC NAND производства Intel ёмкостью 256 Гбит. Планами Tsinghua Unigroup по развитию индустрии NAND-устройств может активно воспользоваться Maxio Technology — это поможет компании развить своё производство и увеличить объёмы продаж SSD-контроллеров. Возможно, чипы Intel могут иметь больше возможностей, нежели их собратья с маркировкой UNIC, но на данный момент какая-либо информация по этому вопросу отсутствует. Тем временем, дела у Yangtze идут по плану и вскоре мы увидим память UNIC, действительно имеющую китайское происхождение.

Накопители Transcend SSD430K используют чипы 3D TLC NAND

Компания Transcend известна своим взвешенным подходом к формированию новых серий накопителей, особенно если это касается SSD, предназначенных для корпоративного сегмента рынка и использования в составе промышленных ПК. В новых моделях SSD430K для встраиваемых систем с широким спектром применения тайваньский производитель впервые, в рамках сегмента, прибегнул к чипам флеш-памяти 3D TLC NAND. Предшествующая серия SSD420K базировалась на микросхемах MLC NAND, но поскольку многолетняя «обкатка» TLC-памяти (в частности, в многослойной компоновке) оказалась успешной, у компании Transcend не было причин не перейти на 3D TLC NAND в накопителях «430-й» серии.

Устройства Transcend SSD430K, как и их предшественники, выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе, в корпусе толщиной 6,8 мм. Материалом изготовления последнего, скорее всего, служит алюминий. Интерфейсом подключения служит «классический» SATA 6 Гбит/с. Вариантов объёма у новых накопителей, по крайней мере первое время, будет немного — особенно на фоне SSD420K с их ёмкостью от 64 Гбайт до 1 Тбайт. На данный момент известно о планах Transcend вывести на рынок 64-, 128-, 256- и 512-Гбайт модели SSD430K. Их предзаказ в магазинах Западной Европы обойдётся в €54, €77, €127 и €216 соответственно. Стоимость гигабайта варьируется в пределах 0,42–0,84 евро, 0,50–0,99 доллара или 31–62 руб.

 Цены в магазинах с низким рейтингом несколько скромнее

Цены в магазинах с низким рейтингом несколько скромнее

Максимальные скорости чтения и записи у Transcend SSD430K типичны для современных SATA-накопителей — до 550 и 500 Мбайт/с соответственно. Модель контроллера пока не определена, но, скорее всего, им является перемаркированный Silicon Motion SM2258, который, в отличие от SM2246EN (составляющая SSD420K), специально создавался для работы с 3D NAND. Как и «2246-я» модель, «2258-я» имеет четырёхканальную архитектуру, DRAM-буфер и поддержку контроля ошибок. Вместо алгоритма BCH ECC используется более актуальный LDPC ECC.

 Сравнительные характеритистики контроллеров Silicon Motion

Сравнительные характеритистики контроллеров Silicon Motion

Среди прочего, новые накопители характеризуются равномерным распределением операций записи между ячейками (технология Advanced Global Leveling), поддержкой функции «сбора мусора» (Advanced Garbage Collection), команды TRIM и энергосберегающего состояния DEVSLP. Среднее энергопотребление SSD удалось снизить почти на 40 % — с 3,46 Вт у SSD420K до 2,11 Вт у SSD430K. Срок официальной гарантии по-прежнему составляет три года.

Mushkin Source: семейство SSD для тех, кто пока не расстался с HDD

Один из старейших производителей твердотельных накопителей для потребительского рынка, компания Mushkin решила устроить взбучку конкурентам в бюджетном сегменте, выпустив 2,5-дюймовые SATA SSD с лаконичным названием Source. Новинки привлекают к себе внимание сочетанием флеш-памяти типа 3D TLC NAND и весьма демократичных расценок. Учитывая низкую стоимость, не удивительно, что они рекомендованы Mushkin как первые SSD для тех, кто до сих пор не решался купить твердотельный накопитель, экономя деньги.

Новое семейство представлено устройствами с доступным объёмом в 120, 250, 500 Гбайт и 1 Тбайт для записи данных. Первые три SSD уже начали появляться в розничных магазинах, тогда как флагманская модель пока задерживается.

По своей «начинке» Mushkin Source близки к накопителям WD Green, хотя разница в объёме и производительности свидетельствует о том, что различиями (как минимум на уровне прошивки) между ними пренебрегать не стоит. В Source используется сочетание безбуферного четырёхканального контроллера Silicon Motion SM2258, микросхем флеш-памяти 3D TLC NAND от неназванного поставщика и интерфейса SATA 6 Гбит/с.

 Сравнение актуальных моделей микроконтроллеров Silicon Motion

Сравнение актуальных моделей микроконтроллеров Silicon Motion

Для ускорения работы с данными в отсутствие чипа DRAM используется технология SLC-кеширования. Помимо неё заявлены: поддержка команды TRIM, энергосберегающего режима DEVSLP, функции контроля ошибок LDPC ECC, технологий защиты данных MEDS (Mushkin Enhanced Data-protection Suite) и StaticDataRefresh.

Паспортная производительность Mushkin Source в целом превосходит показатели SSD WD Green. Слабым местом, похоже, является малое количество IOPS при считывании данных, характерное для младших моделей:

  • MKNSSDSR120GB (120 Гбайт): до 510/440 Мбайт/с (чтение/запись), до 29 000/79 000 IOPS (чтение/запись);
  • MKNSSDSR250GB (250 Гбайт): до 560/515 Мбайт/с (чтение/запись), до 54 000/81 000 IOPS (чтение/запись);
  • MKNSSDSR500GB (500 Гбайт): до 560/520 Мбайт/с (чтение/запись), до 75 000/81 000 IOPS (чтение/запись).

От терабайтного накопителя можно ожидать быстродействие уровня SSD объёмом 500 Гбайт, его стоимость пока неизвестна. Как уже было отмечено выше, Mushkin Source достаточно дёшевы. Так, за 120-Гбайт модель на amazon.com просят $38,99, за 250-Гбайт — $62,99, за 500-Гбайт — $109,99. Уверенность производителя в новых SSD подкреплена трёхлетней гарантией.

Семейство SSD Kingston A400 пополнилось моделью на 960 Гбайт

Серия твердотельных накопителей Kingston A400 пользуется большой популярностью среди желающих приобрести SSD при ограниченном бюджете. До недавнего времени в рамках семейства A400 предлагались три модели форм-фактора 2,5 дюйма/7мм — объёмом 120 Гбайт (SA400S37/120G), 240 Гбайт (SA400S37/240G) и 480 Гбайт (SA400S37/480G). Спустя год после их появления на рынке американский производитель принял решение расширить ассортимент, выпустив SSD A400 объёмом 960 Гбайт (SA400S37/960G). Данное событие не было удостоено отдельного анонса, потому как сегодня Kingston предпочитает акцентировать внимание публики на новых сериях продуктов, в частности, скоростных M.2 SSD с интерфейсом PCI Express.

Возможности Kingston A400 довольно хорошо изучены. Эти накопители характеризуются относительно скромной для SATA SSD производительностью и небольшим заявленным ресурсом. С другой стороны, стоимость A400 весьма демократична, а используемый набор компонентов позволяет надеяться на многократное превышение паспортного срока службы (до исчерпания ресурса). Отметим, что в ресурсных испытаниях 3DNews 240-гигабайтный SSD A400 выдержал запись 90 Тбайт данных (и продолжает работать) при заявленном ресурсе 80 Тбайт.

В Kingston подчёркивают, что 960-Гбайт модель A400 рассчитана на запись не менее 300 Тбайт данных в течение трёхлетнего гарантийного срока. В спецификации 480-Гбайт накопителя указан ресурс в 160 Тбайт. Согласно результатам внутреннего тестирования утилитой ATTO Disk Benchmark, скорости последовательных чтения и записи у обоих SSD составляют 500 и 450 Мбайт/с соответственно.

«Начинка» Kingston A400 представлена изготовленной по 15-нм техпроцессу флеш-памятью 3D TLC NAND Micron первого поколения и двухканальным безбуферным контроллером Phison PS3111-S11 (сокращённо — S11). Интерфейсом подключения служит SATA 6 Гбит/с.

В магазинах Западной Европы продажи A400 960GB уже начались: за накопитель просят от €255, что довольно много на фоне минимальной стоимости 480-Гбайт версии (от €115). Параллельно Kingston готовится выпустить в розничную продажу M.2 SSD A1000 с существенно более высоким уровнем быстродействия.

SK Hynix выпускает eSSD на 72-слойных чипах 3D NAND

Финансовые неурядицы Hynix (позднее — SK Hynix) на рубеже десятилетий стали одной из причин, по которой компания с опозданием включилась в борьбу за сколько-нибудь значительную долю рынка NAND флеш-памяти. Тем не менее южнокорейский вендор прилагает все усилия, чтобы упрочить свои позиции. В частности, летом SK Hynix объявила о начале поставок 72-слойной 3D TLC NAND. Дальнейшее «взросление» производственных технологий позволило удвоить объём микросхем для их использования в ёмких SSD-накопителях корпоративного класса (англ. enterprise SSD, eSSD), и теперь SK Hynix готова отгружать заказчикам устройства на основе 512-Гбит 3D NAND. Судя по отсутствию в пресс-релизе компании аббревиатуры, указывающей на количество бит в ячейке, речь как раз идёт о многослойном варианте TLC NAND.

Новая флеш-память нашла применение в eSSD двух форм-факторов — 2,5 дюйма и M.2. Первые получат интерфейс SATA с пропускной способностью 6 Гбит/с, а вторые — PCI Express 3.0. В обоих случаях будут использоваться микроконтроллер и прошивка SK Hynix. Ёмкость 2,5-дюймовых накопителей будет достигать 4 Тбайт, а их собратьев — «более 1 Тбайт» (скорее всего, 1–1,5 Тбайт). Южнокорейский разработчик подчёркивает, что одного четырёхтерабайтного eSSD будет достаточно для записи 200 фильмов в формате Ultra HD.

Показатели быстродействия SATA-накопителей на базе 72-слойной 512-Гбит 3D NAND достаточно скромные. Скорости последовательных чтения и записи не превышают 560 и 515 Мбайт/с соответственно, а количество IOPS составляет не более 98 000 при чтении и 32 000 при записи. Устройства меньшего объёма, использующие интерфейс PCI Express 3.0, характеризуются скоростными показателями 2700/1100 Мбайт/с (чтение/запись) и 230 000/35 000 IOPS.

 72-слойная 3D NAND флеш-память SK Hynix для массового потребителя

72-слойная 3D NAND флеш-память SK Hynix для массового потребителя

SK Hynix с энтузиазмом развивает направление eSSD, видя в нём источник высокой прибыли (по сравнению с потребительским сегментом рынка). Оптимистично оценивают перспективы твердотельных накопителей корпоративного класса и аналитики IHS Markit. Согласно их прогнозам, к концу 2021 года объём рынка SSD вырастет с $25,1 млрд до $31,2 млрд, и более половины из этой суммы обеспечит корпоративный сегмент (рост с $13,4 млрд до $17,6 млрд за четыре года).

Статус серийного продукта устройства eSSD на основе 72-слойной 512-Гбит 3D NAND пока не получили: в данный момент осуществляются поставки опытных образцов этих накопителей в пределах США.

Накопители SanDisk X600 вышли в двух форм-факторах

Принадлежащая корпорации Western Digital компания SanDisk анонсировала дебют на рынке новой серии твердотельных накопителей с лаконичным названием X600. Устройства объёмом 128, 256 и 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт, имеют два варианта исполнения — 2,5 дюйма/7 мм и M.2 2280. Несмотря на внешние различия, прикладные характеристики моделей одного объёма совпадают. В новых накопителях SanDisk X-серии используются интерфейс SATA 6 Гбит/с, неназванный контроллер (предположительно, производства Marvell) и 64-слойная флеш-память Western Digital 3D TLC NAND.

По сравнению с предшественниками семейства X400, модели 2018 года характеризуются более высоким уровнем быстродействия и, в среднем, бóльшим ресурсом. Кроме того, стоит отметить, что среди устройств SanDisk X400 не было и, очевидно, уже не будет двухтерабайтного SSD.

Как и в предыдущей серии, младшие накопители SanDisk X600 уступают в производительности старшим. В то же время у «загрузочного» 128-Гбайт SSD увеличены скорость последовательной записи и количество IOPS при записи (с 340 до 490 Мбайт/с и с 60 000 до 74 000 соответственно). Ресурс самой доступной модели семейства X600 остался таким же — 72 Тбайт, а вот у остальных накопителей он вырос.

Среди прочего, производитель отмечает снижение энергопотребления SSD в рабочем режиме на величину до 25 % (относительно X400). Средний показатель теперь составляет всего 52–60 мВт, а пиковые значения — от 2,05 до 3,8 Вт. Режим сна (DEVSLP) помогает минимизировать энергопотребление. Также для SanDisk X600 заявлена поддержка технологии кеширования данных nCache 2.0 и алгоритм коррекции ошибок DataGuard Client.

Новые накопители SanDisk уже предлагаются в США и странах Западной Европы. В отсутствие рекомендованных цен приведём фактические:

  • SanDisk X600 128 Гбайт, 2,5 дюйма: $70,90 (newegg.com)/€61,14 (geizhals.eu);
  • SanDisk X600 256 Гбайт, 2,5 дюйма: $105,38/€95,42;
  • SanDisk X600 512 Гбайт, 2,5 дюйма: $180,79/€169,22;
  • SanDisk X600 1 Тбайт, 2,5 дюйма: $312,59/€324,80;
  • SanDisk X600 2 Тбайт, 2,5 дюйма: $681,13/€651,97;
  • SanDisk X600 128 Гбайт, M.2 2280: $70,90/€63,56;
  • SanDisk X600 256 Гбайт, M.2 2280: $107,14/€94,19;
  • SanDisk X600 512 Гбайт, M.2 2280: $177,09/€167,05;
  • SanDisk X600 1 Тбайт, M.2 2280: $323,99/€330,99;
  • SanDisk X600 2 Тбайт, M.2 2280: $776,56/€691,99.

Первые сведения об Intel SSD 760p, 700p и 660p на 64-слойной 3D NAND

Конкуренты Intel на рынке твердотельных накопителей не сидят сложа руки, и калифорнийская компания готовит новые устройства на основе 3D NAND флеш-памяти, сочетающие в себе высокий уровень производительности и, судя по всему, демократичную цену. Как удалось выяснить ресурсу Tom's Hardware, в ассортименте Intel в обозримом будущем появятся три новые серии SSD — 760p и 660p в форм-факторе M.2 2280 и 700p в формате BGA SSD.

Лучшую производительность среди вышеперечисленных накопителей обеспечат Intel SSD 760p. Благодаря интерфейсу PCI Express 3.0 x4 (до 3,94 Гбайт/с), протоколу NVMe и неназванному контроллеру в сочетании с 64-слойной флеш-памятью 3D TLC NAND скорость считывания данных у устройств 760p будет достигать 3,2 Гбайт/с, а скорость записи — 1,6 Гбайт/с. Показатели IOPS также обещают быть весьма достойными: до 350 000 при чтении и до 280 000 при записи.

Вышеприведённые цифры, скорее всего, относятся к одному-двум старшим накопителям серии. Всего же будет выпущено пять устройств — «загрузочные» SSD объёмом 128 и 256 Гбайт, и ёмкие накопители на 512 Гбайт, 1 и 2 Тбайт.

Не такие высокие скоростные показатели у Intel SSD 700p. Данное семейство, также использующее 64-слойную 3D TLC NAND-память, предназначено для интеграции в состав тонких и при этом довольно «шустрых» ноутбуков и «2-в-1». И, разумеется, BGA-исполнение предполагает, что SSD 700p ни при каких условиях не появятся на прилавках розничных магазинов в качестве отдельных продуктов. Накопители «700-й» серии будут потреблять в среднем вдвое меньше собратьев 760p — 0,05 Вт против 0,1 Вт.

Устройства объёмом 128, 256 и 512 Гбайт характеризуются производительностью до 1,8/1,2 Гбайт/с и 150 000/150 000 IOPS (чтение/запись). На все рассматриваемые в данной заметке накопители распространяется пятилетняя гарантия Intel. В их число входят и SSD 660p, которые, по слухам, получат 64-слойную память типа 3D QLC NAND. Отметим, что в прошлом году разработчики NAND флеш-памяти добились значительного прогресса в повышении ресурса ячеек, хранящих четыре бита данных.

 WD уже начала производство 96-слойной памяти 3D QLC NAND

WD уже начала производство 96-слойной памяти 3D QLC NAND

Максимальные показатели быстродействия у Intel SSD 660p весьма достойные для технологии QLC: 1,8/1,1 Гбайт/с и 150 000/150 000 IOPS (чтение/запись). Объём накопителей составит 512 Гбайт, 1 и 2 Тбайт.

По первым ценникам можно получить лишь приблизительное представление о стоимости SSD Intel 2018 года. Так, популярный за океаном интернет-магазин TigerDirect предлагает младший 128-Гбайт SSD 760p по цене $87,99 (без учёта налога с продаж). Другой американский сайт, connection.com, оценил двухтерабайтную модель той же серии в $841,19. Кроме того, в Индонезии замечен 256-Гбайт Intel SSD 660p с ценником 2,32 млн рупий (9822 руб. или $174).

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Apple расширила ценовой диапазон в App Store — теперь приложение может стоить от $0,29 до $10 000 3 ч.
Microsoft обязалась 10 лет выпускать Call of Duty на консолях Nintendo и «в любой день» готова подписать соглашение с Sony 4 ч.
Создатели Dead Island 2 показали геймплей за зомби и функцию голосового управления 4 ч.
THQ Nordic подтвердила дату выхода экшен-платформера SpongeBob SquarePants: The Cosmic Shake — предзаказ доступен и в российском Steam 5 ч.
Microsoft рассматривает создание «суперприложения» для смартфонов, вдохновившись WeChat и «Яндекс.Go» 5 ч.
Adobe приступила к сокращению сотрудников вслед за другими IT-гигантами 6 ч.
Мобильная The Witcher: Monster Slayer в духе Pokemon GO закроется, не прожив и двух лет — разработчиков ждут увольнения 15 ч.
Токены и смарт-карты JaCarta совместимы с инфраструктурой виртуальных рабочих мест «Базис.WorkPlace» 15 ч.
Легендарный симулятор колонии дварфов Dwarf Fortress добрался до Steam — в том числе российского 16 ч.
CD Projekt RED опубликовала список модификаций, проверенных на совместимость с улучшенной версией The Witcher 3: Wild Hunt 17 ч.
ViewSonic представила портативный 15,6-дюймовый монитор ColorPro VP16-OLED для профессионалов 4 мин.
Поставки iPhone снизятся ещё сильнее, считает один из крупных поставщиков Apple 13 мин.
Colorful подтвердила, что GeForce RTX 4070 Ti — это переименованная GeForce RTX 4080 12GB 23 мин.
Старт продаж видеокарт Radeon RX 7900-й серии пройдёт с осложнениями — ожидаются дефицит и перенос выпуска некоторых моделей 45 мин.
Blue Origin поборется со SpaceX за контракт NASA на ещё один лунный посадочный модуль 2 ч.
Intel подтвердила подготовку чипов Sapphire Rapids для рабочих станций — по слухам, у них будет до 56 ядер 2 ч.
Редакция 3DNews ищет авторов новостей 3 ч.
Toyota показала прототип кроссовера с ДВС, который работает на водороде 3 ч.
Через два года у Apple, AMD и NVIDIA появятся чипы «Made in USA»: их будет выпускать TSMC на новых заводах в Аризоне 3 ч.
TSMC уже работает над освоением 1-нм техпроцесса, заявил министр экономики Тайваня 6 ч.