Неделю назад мы рассказывали, что 11 апреля в цеха компании Yangtze Memory Technologies (YMTC) начало поступать первое промышленное оборудование для выпуска «натуральной китайской» многослойной памяти 3D NAND. В ходе торжественного мероприятия по этому поводу глава материнской корпорации Tsinghua Unigroup Жао Вейгуо (Zhao Weiguo) сообщил, что Yangtze Memory заключила первый контракт на поставку памяти 3D NAND. Это будут 32-слойные микросхемы ёмкостью 64 Гбит для выпуска 8-Гбайт карточек памяти SD. На этом хорошие новости заканчиваются. Перемещаемся в реальность.

Образец 32-слойной памяти 3D NAND компании Yangtze Memory (Tsinghua, CCTV13)

Ограниченное производство 32-слойной памяти 3D NAND компания Yangtze Memory начнёт только в конце текущего года. Были надежды на более ранний старт — в середине года, но этого не произойдёт (быстро только сказка сказывается). Огорчают также объёмы первого заказа — всего 10 776 микросхем. Это едва ли больше дюжины 300-мм пластин. Китайцы с их необъятными человеческими ресурсами такой заказ могут лобзиками выпилить из цельного куска кремния. Как-то очень скромно для амбициозного плана довести до 2022 года мощность предприятия до 300 тыс. 300-мм пластин в месяц. Что же, Москва тоже не сразу строилась.

Отдельно руководство Yangtze Memory подтвердило планы разработать технологию производства 64-слойных 128-Гбит микросхем 3D NAND. Эти планы компания собирается реализовать в течение 2019 года.

Пару дней назад на открытии выставки CITE 2018 (China Information Technology Expo) председатель совета директоров корпорации Tsinghua Unigroup Жао Вейгуо (Zhao Weiguo) сообщил, что с 11 апреля на новом предприятии дочерней компании Yangtze Memory Technology специалисты приступили к монтажу производственного оборудования для выпуска 3D NAND. Вскоре после монтажа и настройки линий завод приступит к производству многослойной флеш-памяти 3D NAND. Первой продукцией станет 32-слойная память «64G 3D NAND». Поскольку уточнений нет, будем считать, что Yangtze начнёт выпуск 64-Гбит памяти (выпуск 512 Гбит микросхем для начала производства в Китае выглядит маловероятным).

В образцах китайская 3D NAND уже существует (Tsinghua, CCTV13)

Многослойная память 3D NAND, которую начнёт выпускать Yangtze Memory, разработана в Китае. На очереди завершение разработки и запуск в производство 64-слойной памяти, что должно произойти уже в следующем году. У компании достаточно ресурсов, чтобы выдержать как график ввода в строй новых линий, так и для финансирования разработок. В последнем случае создавать «национальную» память 3D NAND компании Yangtze Memory Technology помогает компания Spansion, владеющая обширным пулом необходимых патентов.

Торжественное завершение первой фазы строительства завода YMTC в Китае (август 2017 года)

Также на открытии выставки г-н Жао сообщил, что его компания готова в последующие пять лет вложить в расширение производства полупроводников 370 млрд юаней ($58,74 млрд). Всего же за 10 лет Tsinghua Unigroup планирует (и имеет для этого ресурсы) вложить в «китайские» чипы порядка $100 млрд. Выпуском полупроводников, кстати, дело не ограничится. Корпорация развивается по многим направлениям ИТ-деятельности. Например, в первой половине текущего года под эгидой Tsinghua Unigroup будет запущен облачный публичный сервис для бизнеса со стоимостью начальных вложений $1,9 млрд.

На днях стало известно, что новым генеральным директором многострадальной британской компании Imagination Technologies стал ветеран полупроводниковой отрасли Лео Ли (Leo Li). На этом посту он сменил бывшего временного руководителя Imagination Эндрю Хеза (Andrew Heath), под руководством которого компания была продана частному инвестиционному фонду Canyon Bridge Capital Partners LLC. Гражданин Лео Ли отбыл в Англию в штаб-квартиру Imagination в Кингс Лэнгли, графство Хартфордшир. Началась новая станица в истории Imagination. Ожидается мировое господство, экспансия в Китае и создание искусственного интеллекта на платформах компании.

Несколько слов о новом руководителе Imagination Technologies. Но прежде напомним, что компания Imagination рухнула в течение прошлого года, когда Apple заявила о разработке собственного графического процессора для фирменных однокристальных сборок SoC для смартфонов и планшетов (а также, быть может, для центральных процессоров вместо решений Intel). Компания Imagination перестала быть интересна инвесторам и была выставлена на продажу. Активы Imagination за исключением тех, которые связаны с микроархитектурой MIPS, купил инвестиционный фонд Canyon Bridge Capital Partners LLC на деньги от китайского правительства. Поэтому назначение на пост директора Imagination китайца не должно удивлять. Но удивляться есть чему, поверьте.

Новый шеф Imagination (фото компании)

До «командировки» в Англию Лео Ли был исполнительным директором и председателем бесфабричного разработчика мобильных SoC компании Spreadtrum Communications. Также в роли председателя он возглавлял сестринскую компанию RDA microelectronics. Обе они являются дочерними компаниями корпорации Tsinghua Unigroup. Какое-то время Лео Ли был сопредседателем Tsinghua Unigroup. За девять лет работы директором Spreadtrum Ли увеличил годовую выручку компании со $100 млн до $2 млрд. Под его руководством, в частности, Spreadtrum разрабатывала SoC Intel SoFIA на ядрах ARM. Лео Ли тесно связан как с американским бизнесом, так и с китайским. С этой стороны перспективы у Imagination довольно неплохие.

По данным компании, около 30 % лицензий на ядра PowerVR приобрели компании из Китая. Правда, большинство из них, за исключением Spreadtrum, пока не имеют коммерческих продуктов. В новом статусе с помощью нового директора компания Imagination надеется исправить это положение. Разработчик интересных мобильных графических ядер надеется также на международный рынок и на новые сферы, включая машинное обучение и искусственный интеллект. Например, в сентябре прошлого года на базе PowerVR компания представила IP-модуль PowerVR Series2NX NNA (Neural Network Accelerator). На правах лицензирования модуль можно встраивать в SoC либо использовать в качестве ускорителя в паре с CPU и GPU.

В январе как гром среди ясного неба прозвучало известие, что 96-слойная память 3D NAND станет последней совместной разработкой компаний Intel и Micron. В настоящий момент партнёры завершили разработку 64-слойной памяти 3D NAND и некоторое время назад приступили к массовому производству этой памяти и продуктов на её основе. Разработка 96-слойной 3D NAND завершится к концу текущего года и потом пути-дорожки компаний разойдутся. Во всяком случае, в области производства многослойной NAND-флеш.

В краткосрочной перспективе это решение не будет иметь последствий для бизнеса Intel или Micron, но оно поощряет каждую из них завести новые связи или определить новые пути для развития, наиболее отвечающие веяниям времени. По мнению аналитиков подразделения DRAMeXchange компании TrendForce, компания Intel в какой-то мере определилась как с новым партнёром для совместного выпуска 3D NAND, так и с путями развития бизнеса в этом направлении.

Как сообщают надёжные, но анонимные источники, Intel ведёт переговоры о партнёрстве с китайской компанией UNIC Memory Technology. Интересно отметить, что эта мало кому известная компания в августе прошлого года развернула бурную деятельность и открыла офисы в ряде стран, включая представительства в Гонконге и Сингапуре. Ещё более интересным выглядит от факт, что владельцем UNIC Memory Technology выступает компания Tsinghua Unigroup. Это лидер зарождающегося рынка памяти в Китае и инвестор с деньгами правительства страны. Также около 20 % акций Tsinghua с 2014 года выкуплены компанией Intel, поэтому ниточки в этом клубочке надёжно связаны друг с другом. Потяни за одну, тут же обнаружится другая.

Партнёрство между Intel и UNIC будет проходить по двум линиям. Во-первых, китайцы будут получать с китайского завода Intel в городе Далянь пластины с чипами 3D NAND, резать их на кристаллы, упаковывать в отдельные чипы и тестировать продукцию. Иными словами, выполнять относительно низкоквалифицированные работы по завершающим операциям в производстве микросхем. Во-вторых, UNIC Memory будет заниматься продажами памяти, что для Intel может быть крайне интересно, хотя раньше она не была заинтересована в поставках чипов на сторону. Вероятно, модернизированные в Даляне мощности позволяют компании в избытке получать продукцию и зарабатывать на её поставках. Сообщается, что UNIC будет выпускать UFS, eMMC и «другие» SSD. Кстати, именно эту память может договариваться покупать в Китае компания Apple.

Образцы китайской 32-слойной 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

Работа с Intel и поток продукции на её основе поможет компании UNIC Memory сделать себе имя на рынке. В дальнейшем, когда другая дочерняя компания Tsinghua Unigroup — Yangtze Memory Technologies Company (YMTC) — научится выпускать 64-слойную и более совершенную 3D NAND, это пригодится для продвижения на международный рынок уже чисто китайской продукции без участия Intel. Пока компания YMTC готовится выпускать 32-слойную 3D NAND, которая ни по каким параметрам не составит конкуренции 64-слойной 3D NAND компании Intel. Но всё равно, если Intel действительно начнёт работать с UNIC, в будущем это положительно скажется на мировом рынке NAND-флеш. Выход на него китайцев поможет сдержать аппетиты монополистов.

Как сообщают наши коллеги с интернет-ресурса AnandTech со ссылкой на японские источники, китайская компания UniIC Semiconductors приступила к коммерческим поставкам микросхем DDR4 и модулей на их основе. Память и технология производства DDR4 разработаны силами UniIC Semi в центре компании в городе Сиань (Xi’an). Это первая память поколения DDR4, созданная в Китае силами отечественного производителя.

Актуальная продукция UniIC DDR4 включает 4- и 8-Гбайт модули SO-DIMM, 4- и 8-Гбайт модули UDIMM и 4-Гбайт модули UDIMM с поддержкой ECC. Скорость передачи при работе с модулями достигает 2133 мегатранзакций в секунду с напряжением питания 1,2 В и таймингами CL15 (15-15-15). В основе модулей лежат кристаллы ёмкостью 4 Гбит. Эта память не будет ставить рекорды как по плотности записи, так и по скорости доступа. Но сам факт наличия у китайцев технологии производства DDR4 внушает уверенность, что в стране возможен массовый выпуск памяти последнего поколения.

Откуда же взялось это чудо китайской технологии? Да, всё оттуда — с Запада. В 2003 году немецкая компания Infineon AG создала в Сиане подразделение Infineon Xi’an Memory Division для организации в Китае фирменного производства памяти. В 2006 году в связи с отделением производства памяти в отдельную компанию Qimonda подразделение было переименовано в Qimonda Xi’an. С 2003 по 2009 года компания выпускала память DDR, DDR2, DDR3 и другие типы памяти.

В 2009 году Qimonda обанкротилась, а китайские активы были проданы компании Inspur Group. Технологии Qimonda были переданы новому владельцу и компания продолжила выпускать память. В 2013 году компания создала центр по разработкам и начала самостоятельную исследовательскую работу. А в 2015 году она со всеми активами была поглощена китайским инвестором Unigroup Guoxin. Теперь же появившаяся память DDR4 является доказательством того, что все эти пертурбации были не напрасны.

Считается, что Unigroup Guoxin частично принадлежит компании Tsinghua Holdings. В этот момент активы получают нынешнее имя Xi’an UniIC Semiconductor. Поскольку за плечами UniIC Semi стоит Tsinghua Holdings, интеллектуальная собственность UniIC Semiconductor может получить самое широкое распространение в Китае. Это может стать тем щитом, который убережёт китайскую память от нападок на международном рынке. Впрочем, в настоящий момент неизвестно, попадёт ли память DDR4 UniIC Semiconductor на международный рынок или останется в пределах границ Китая.

Буквально за два неполных года китайский инвестиционный холдинг Tsinghua Unigroup из компании с деньгами превратился в компанию с заводами. Подобное чудо трансформации возможно только с поддержкой и с благословения государства. Руководство Китая справедливо расценило, что в развитие полупроводниковой отрасли и, прежде всего, отрасли по выпуску памяти DRAM и NAND, необходимо срочно и много инвестировать.

Кадры со стройки первого завода Yangtze Memory Technologies Company (Tsinghua, CCTV13)

В значительной степени это связано с распространением смартфонов и, как итог, с условной «чипизацией» населения Китая. Смартфоны и многочисленные сервисы по оплате всего и вся дали властям Китая то, что они всегда насаждали — тотальный контроль над действиями своих граждан. Хорошо это или плохо — это отдельный вопрос и, на самом деле, мечта любого правительства. Факт заключается в том, что грядёт переход на новый уровень управления ресурсами (включая людские), для чего потребуются вычислительные мощности и, естественно, полупроводниковая память во всех её проявлениях. Сюда же можно добавить Индустриализацию 4.0, вещи с подключением к Интернету и автоматизацию транспорта.

Компания Tsinghua летом 2016 года начала строить суперфабрику для выпуска памяти 3D NAND. Инвестиции в проект превысили $20 млрд. Также Tsinghua спонсирует ряд инфраструктурных проектов, например, строительство научного парка вблизи города Чэнду (провинция Сычуань). Свежей новостью сайт EE Times со ссылкой на публикацию в Xinhua сообщает, что Tsinghua заключила ещё один масштабный договор о совместных инвестициях в подконтрольные ей заводы. Партнёрами Tsinghua Unigroup по этому проекту стали власти Чунцина и китайский инвестиционный фонд Sino IC Capital. Совместными усилиями партнёры собираются в течение следующих 10 лет вложить в проекты Tsinghua $100 млрд.

Завод китайской компании XMC Memory Fab (XMC), который вошёл в СП с Tsinghua

Начальные инвестиции проекта составляют $15,8 млрд (какая малость, извините за сарказм). В рамках проекта Tsinghua собирается построить вблизи 28-млн Чунцина индустриальный парк, где расположит собственный центр для разработок и исследований и заложит основу для создания производств по выпуску разного рода микросхем. Отдельно не устаём удивляться прозорливости Intel, которая в 2014 году приобрела 20 % акций компании Tsinghua.

Японское информационное агентство Nikkei опубликовало невероятную новость. Сообщается, что Apple ведёт переговоры о закупках памяти у китайского производителя. Этого самого производителя ещё нет, и появится он не завтра и даже не послезавтра. Во всяком случае, если говорить о масштабах закупок в рамках современных потребностей знаменитой компании из Купертино. Если источник не ошибается, речь может идти о второй половине 2019 года или о периоде после 2020 года. Однако стратегическая направленность вырисовывается довольно любопытная.

Поставлять память типа NAND (3D NAND) компании Apple должна компания Yangtze Memory Technologies. Это дочернее предприятие со значительным капиталом корпорации Tsinghua Unigroup и с долевым участием так называемого Большого Фонда под эгидой правительства Китая. Источник прямо намекает, что Apple могли вынудить планировать работу с Yangtze Memory. Если компания хочет продолжать работать на китайском рынке, она обязана подчиняться местным правилам, которые для зарубежных компаний становятся всё жёстче и жёстче.

Образцы китайской 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

Может так статься, что закупаемая у китайцев память для смартфонов и планшетов Apple так и не выйдет за пределы страны. В настоящий момент Китай считается для Apple третьим по значимости рынком после США и Европы. За последнюю четверть 2017 года работа в Китае принесла компании порядка 20 % от заявленной квартальной выручки в объёме $88,29 млрд.

Не следует также считать, что китайское — это всегда означает низкое качество. С 2012 года, когда у Apple было 7 китайских поставщиков комплектующих, к 2017 году число китайских поставщиков для сборки устройств Apple увеличилось до 19 компаний. Если Apple решится закупать 3D NAND у китайского производителя, она сможет стимулировать поставщика подтянуть качество этой продукции до требуемого уровня.

Три основные китайские компании, которые собираются выпускать память (TrendForce)

Первые производственные линии компании Yangtze Memory Technologies начнут выпускать коммерческую продукцию в текущем году. Ею станет 32-слойная 3D NAND. В разработке памяти компании помогал американо-японский производитель NOR-флеш компания Spansion. Для своих нужд Apple закупает порядка 15 % от всей выпускаемой в мире памяти NAND — это 160 млн гигабайт в 2017 году. Такие объёмы поставят на ноги любую промышленность, способную переварить заказы.

Завершение начального этапа строительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

В свете слухов о возможном сотрудничестве Apple и Yangtze Memory Technologies, подконтрольной Tsinghua Unigroup, информация о сближении Intel и  Tsinghua Unigroup на поприще лицензирования и производства 3D NAND заиграла новыми красками. Компания Intel, напомним, владеет 20 % акций Tsinghua, которые она за $1,5 млрд приобрела в 2014 году. Тем самым очерчивается сфера общих интересов всех трёх «фигурантов». Если всё окажется правдой, рынок флеш-памяти ждут серьёзные перемены. Через пять лет мы можем его не узнать.

Ранее на этой неделе мы сообщали, что компании Intel и Micron меняют отношение к совместной разработке энергонезависимой памяти 3D NAND. Партнёры по совместному предприятию IM Flash Technologies (IMFT) до конца текущего года представят созданную ими 3D NAND третьего поколения (96-слойную), и, после этого, каждая займётся разработкой многослойной NAND самостоятельно. На первый взгляд, компании приняли странное решение, ведь СП IMFT продолжит свою работу. Во всяком случае, в рамках совместного предприятия Intel и Micron продолжат разрабатывать и выпускать память 3D XPoint. Но это только на первый взгляд.

В прошлом Intel неоднократно подчёркивала, что её не интересует соревнование на рынке NAND-флеш. Она выпускает преимущественно корпоративные SSD и не ищет рынков сбыта для микросхем NAND (3D NAND). Подобная политика означает следование предложения за спросом и не предусматривает интенсивного наращивания производства. Более того, в 2012 году Intel продала свою долю в предприятии СП в Сингапуре компании Micron и ограничилась поддержкой одного лишь предприятия в штате Юта. Также в 2015 году она вложила $5 млрд в модернизацию своего 300-мм завода в Китае (в городе Далянь), который раньше выпускал 2D NAND и процессорные чипсеты компании. С мая прошлого года предприятие в Даляне выпускает 64-слойную 3D NAND, которой Intel явно не делится с Micron. Налицо отдаление от Micron, которое, как уверены наши тайваньские коллеги, может зайти очень далеко.

Образцы китайской 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

По сообщению тайваньского интернет-ресурса DigiTimes со ссылкой на источники среди местных производителей, Intel может лицензировать технологию производства 3D NAND компании Tsinghua Unigroup. По мнению источников, это поможет Intel углубиться в китайский рынок и китайскую экономику. С заводом понятно. Увеличение производства 3D NAND на предприятии в Даляне легко найдёт сбыт на локальном рынке. Но зачем компании Intel нужно помогать китайцам создавать собственное производство 3D NAND, не поясняется. Но этот мотив мы можем объяснить сами.

Завершение начального этапа строительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

В сентябре 2014 года компания Intel опубликовала пресс-релиз, в котором сообщила о намерении приобрести порядка 20 % акций тогда ещё малоизвестной нам компании Tsinghua Unigroup. Сделано это было с прицелом на сотрудничество с дочерними компаниями Tsinghua: Spreadtrum Communications и RDA Microelectronics. Из этих инвестиций потом родились SoC Intel SoFIA.

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

Что само по себе необычно, Intel едва ли не впервые провела транзакцию в юанях, заплатив за акции Tsinghua Unigroup 9 млрд юаней (примерно $1,5 млрд). Тем самым понятно, что успех Tsinghua Unigroup на рынке добавит финансов в копилку Intel. Пятая часть акций — это значительная часть дохода по ним. Компания Intel имеет прямой интерес в росте прибыльности Tsinghua и, соответственно, получит свою часть бонусов после запуска заводов Tsinghua Unigroup по выпуску 3D NAND. Для такого, быть может, не жалко расстаться с Micron и даже лицензировать китайцам технологию производства 3D NAND. Вы не находите? Это взорвёт мировой рынок NAND, но Intel останется в выигрыше в любом случае, чего не скажешь о Samsung, SK Hynix и Micron.

Аналитики торговой площадки TrendForce (электронной биржи по торговле памятью всех типов) подготовили небольшой доклад, который знакомит с тремя потенциально крупнейшими китайскими производителями памяти. Мы уже упоминали имена всех трёх компаний, но поскольку есть путаница в переводе названий на английский язык, а также за прошедший год произошёл ряд изменений в стратегии и тактике производителей, новая информация будет очень кстати.

Краткое досье на три китайские компании, которые собираются сыграть на рынке полупроводниковой памяти (TrendForce)

Прежде всего, TrendForce отмечает, что стратегия китайских производителей изменилась. Как вы можете помнить, два года назад были попытки Tsinghua Unigroup купить компанию Micron и долю в SK Hynix. Эти и многие другие предложения со стороны китайских производителей встретили резкое неприятие со стороны западных партнёров. Поэтому с прошлого года китайские производители стали вкладывать деньги в отечественные центры по разработкам и проектированию. При этом Китай не прекращает собирать таланты в регионе, активно нанимая инженеров в Японии, на Тайване и в Южной Корее. Серьёзность подхода налицо.

Две из трёх упоминавшихся выше компаний — JHICC и Innotron — фокусируются на производстве памяти типа DRAM. Компания JHICC (Fujian Jinhua Integrated Circuit Co) формально создана в феврале 2016 года под эгидой фонда Fujian An Xin Industrial Investment. Фонд учреждён компанией Fujian Electronics & Information Group и властями города Цюаньчжоу и городского уезда Цзиньцзян. Ранее сообщалось, что в JHICC активно участвует тайваньская компания UMC, но у неё начались серьёзные трения с Micron по этому поводу, и чем оно всё закончится пока непонятно.

Действующий завод китайской компании XMC Memory Fab (XMC)

Специализация компании JHICC — это память DRAM для нужд потребительской электроники. Это очень большой по потребностям рынок и JHICC рассчитывает серьёзно расширить бизнес. Более того, с помощью поддержки правительственных субсидий JHICC собирается получить патенты и выйти в течение 2018 года на международный рынок. Тем самым, кстати, она не составит конкуренции кому-то из лидеров отрасли, и этот номер может пройти для неё без последствий (подобную память выпускают преимущественно тайваньские производители условно второго эшелона).

Свежие кадры со стройки первого завода Yangtze Memory Technologies Company (Tsinghua, CCTV13)

Компания Innotron фокусируется на разработке и производстве мобильной памяти типа LPDDR. Это уже вызов международным лидерам отрасли. Китайские бренды на глобальном рынке смартфонов удерживают порядка 40 %. Если Innotron успешно начнёт массовый выпуск памяти LPDDR4 и найдёт общий язык с соотечественниками (а она его, скорее всего, найдёт) она станет объектом пристального внимания со стороны Samsung, SK Hynix и Micron. Компания Innotron, добавим, создана в июне 2016 года компанией Hefei Industri Investment Group (HIIG) при поддержке так называемого Большого Фонда китайского правительства, направленного на поддержку национальной полупроводниковой индустрии.

Образцы китайской 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

Наконец, компания Yangtze Memory Technologies Company (YMTC), созданная в июле 2016 года для производства национальной NAND флеш. Компания YMTC считается дочерней компанией Tsinghua Unigroup, в которую вошёл местный производитель XMC и которая поддержана Большим Фондом и рядом местных фондов и партнёрами Tsinghua. На первом этапе YMTC планирует выпускать 32-слойную 3D NAND и, возможно, 2D NAND для продуктов начальной категории — это карточки флеш-памяти и USB-накопители. Конкурировать с мировыми брендами и выходить на рынок SSD компания YMTC собирается после освоения производства 64- и 96-слойной 3D NAND. Это произойдёт, по оценкам аналитиков, не раньше 2020–2021 года. Стоит ещё заметить, что китайские компании исключают производство своими силами графической памяти типа GDDRх, хотя производство компьютерной памяти типа DRAM DDR всё-таки планируется. Но пока об этом подробностей нет. Ждём, чем закончатся иски Micron к UMC.

До того, как возникающие на горизонте индустрии китайские производители памяти подобные компании Tsinghua Unigroup столкнутся с лидерами рынка в лице Samsung, SK Hynix и Micron, все они, так или иначе, пройдут через залы судебных заседаний. Аналитики рынка и, в частности, представители компании IC Insights уверены, что китайцам выход на рынок DRAM и NAND будет стоить наиболее серьёзных усилий именно на правовом поприще. Точнее, в области патентного права. Никто не сомневается, что гигантские даже для США деньги на развитие местной промышленности и полупроводниковой индустрии позволят китайским компаниям построить заводы и ввести их в эксплуатацию. Одна только Tsinghua Unigroup потратит на два новых завода порядка $50 млрд примерно за пять лет, а ведь есть и другие!

Завершение начального этапа строительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

Первой в борьбу включилась компания Micron. Две недели назад Micron подала иск в федеральный суд Северной Калифорнии, апеллируя к Закону о защите коммерческой тайны (Defend Trade Secrets Act) и к Закону об инвестировании полученных от рэкета капиталов (Racketeer Influenced and Corrupt Organization Act). Второй закон относится к гражданскому праву, и, в целом, иск Micron носит характер борьбы с промышленным шпионажем, а не с несоблюдением патентного права. Компания Micron обвиняет тайваньскую United Microelectronics Corp (UMC) и китайскую Fujian Jinhua Integrated Circuit Co (JHICC) в воровстве коммерческих секретов и в других неправомочных действиях. Но настоящий праздник на улице законников начнётся тогда, уверены в IC Insights, когда китайские производители памяти начнут продвигать свою продукцию на рынок.

thestreet.com

Начало поставок образцов или серийной продукции DRAM и NAND китайскими компаниями обещает запустить серию патентных исков против них. Китайские производители это уже проходили. Например, созданная в начале 2000-х годов компания SMIC и её последователь в лице Grace Semiconductor быстро захватили около 13 % мирового рынка контрактных полупроводников. Вскоре последовала серия исков от лидеров рынка. Так, компания TSMC через суды вынудила SMIC умерить аппетиты и продать часть акций. Сегодня SMIC удерживает менее 8 % рынка контрактных чипов и часть дивидендов выплачивает тайваньскому производителю. Нечто подобное, уверены аналитики, произойдёт на рынке памяти, что заставит китайцев оплатить патенты и интегрироваться в мировую структуру данного направления в индустрии.

Динамика годовых капитальных затрат Samsung (данные IC Insights)

В то же время, следует заметить, что та же компания Samsung не ждёт у моря погоды (не надеется на закон), а делает всё от неё зависящее, чтобы помешать выйти на рынок новичкам. В текущем году Samsung вдвое увеличила капитальные затраты на производство чипов. Это очевидным образом поднимает цену входного билета на рынок DRAM и NAND. О соблюдении закона можно спорить годами, тогда как себестоимость продукции работает здесь и сейчас. Другое дело, что китайцы мало ограниченны в средствах и, что более важно, на них не так давят законы «свободного рынка», как на зарубежных коллег. Впрочем, когда припекло, правительство Южной Кореи спасло SK Hynix без оглядки на какие-то там международные договорённости, просто завалив компанию государственными субсидиями. В Китае с этим ещё проще, так что выбранная компанией Samsung политика может оказаться единственно верной. Хочешь мира — готовься к войне.

Китайский холдинг Tsinghua Unigroup уверенно идёт к поставленной партией и правительством цели — наладить в Китае производство твердотельной памяти и продукции на её основе. В 2018 году частично принадлежащий Tsinghua Unigroup завод должен начать массовый выпуск 32-слойной памяти 3D NAND. Параллельно Tsinghua строит одно или даже два крупных предприятия для производства 3D NAND и памяти DRAM.

Китайская компания Tsinghua Unigroup в представлении тайваньских карикатуристов (www.chinabusinessnews.com)

Упаковкой «китайских» чипов 3D NAND частично или полностью будет заниматься дочернее предприятие в Сучжоу тайваньской компании Siliconware Precision Industries (SPIL). В конце ноября SPIL сообщила, что Tsinghua Unigroup приобрела 30 % акций этого китайского подразделения за $154 млн. А на днях появилось сообщение, что Tsinghua Unigroup приобретает контрольный пакет акций в китайском подразделении хорошо известной нам тайваньской компании Lite-On Technology Corp. За сумму в $55 млн Tsinghua получит 55 % акций дочерней компании Lite-On и доступ к соответствующим мощностям производителя в Сучжоу.

Надо сказать, что Lite-On Technology пока не располагает производством в Сучжоу. На деньги Tsinghua Unigroup и собственные инвестиции в объёме $45 млн в Сучжоу будет построен завод для выпуска SSD-накопителей для китайского рынка. Тем самым Tsinghua обеспечит полный цикл производства от выпуска кристаллов памяти до их упаковки, тестирования и сборки в продукцию для конечного потребления. Китайский завод Lite-On начнёт работать в конце 2018 года с выходом на полную мощность в 2019 году. От начала запуска проекта по выпуску «национальной памяти» в Китае до выхода коммерческой продукции в виде SSD, карт памяти и флеш-накопителей пройдёт всего три неполных года.

В СП по выпуску SSD компании Tsinghua Unigroup будет принадлежать три места в совете директоров, а компании Lite-On Technology два места. Без лишних слов понятно, кто будет определять политику ведения бизнеса. Правда, генеральных директора у СП может оказаться два. Один от Tsinghua, а другой от Lite-On Technology. Также в Tsinghua обещают обеспечить производство клиентами, а Lite-On берёт на себя организацию производства, поставок комплектующих и связь с контрактными производителями. На первых порах сотрудничество с тайваньскими компаниями может превалировать, но по мере укрепления местного производства 3D NAND приоритет однозначно будет отдан китайским поставщикам.

Тайваньский интернет-ресурс DigiTimes со ссылкой на индустриальные источники сообщает, что китайская компания Yangtze River Storage Technology (YMTC) справилась с разработкой 32-слойной флеш-памяти 3D NAND раньше запланированного срока. Пусть это произошло всего на два месяца раньше установленного, но это всё равно достижение. Фактически к созданию «национальной» многослойной NAND компания YMTC приступила летом 2016 года, когда была образована в виде СП между компаниями Tsinghua Unigroup и Wuhan Xinxin Semiconductor. И двух лет не прошло, как YMTC выпустила образцы, создала на их основе SSD-накопители и подтвердила заявленные характеристики конечных изделий.

Forbes.com

В основе разработки китайской 3D NAND лежит SLC-ячейка, запатентованная американо-японской компанией Spansion. Незадолго до создания СП YMTC компания Wuhan Xinxin Semiconductor лицензировала технологию производства NAND-памяти у Spansion и начала с помощью её инженеров проектировать 3D NAND, к процессу создания которой позже присоединилась Tsinghua Unigroup, чему помогла значительным объёмом денег. Вскоре после этого СП начало строить завод для производства 3D NAND в Китае. Первая очередь цехов построена и сейчас принимает промышленное оборудование. Опытное производство на линиях СП YMTC стартует во втором квартале 2018 года с массовым выпуском решений после снижения уровня брака до допустимых пределов (обычно это 5–8 %).

Торжественное завершение первой фазы строительства завода YMTC в Китае

Завершение разработки 32-слойной 3D NAND открывает путь к следующему шагу — к созданию 64-слойной флеш-памяти. Согласно планам, 64-слойная 3D NAND должна быть готова к производству в 2019 году и, по всей видимости, должна попасть в массовое производство в 2020 году. Лидеры отрасли — компании Samsung, SK Hynix и Micron — перешли на массовый выпуск 64-слойной памяти 3D NAND в основном с началом второй половины текущего года. Тем самым китайцы отстанут от них по технологичности на срок порядка двух лет. Если учесть, что многое ими сделано почти что с нуля, то есть чему удивиться, а кому-то — испугаться.

Создаётся впечатление, что с защитой интеллектуальной собственности у компании Micron как с рассохшейся бочкой — течёт изо всех щелей. Прошёл всего месяц с момента появления информации об аресте двух бывших сотрудников Micron, которые якобы передали секретную информацию о технологиях производства памяти компании тайваньскому контрактнику UMC, как вновь сообщается о кражах и арестах.

thestreet.com

По данным издания United Evening News, на которое ссылается авторитетный ресурс Tapei Times, прокуратура Тайваня потребовала ареста пяти бывших сотрудников компании Inotera Memories, которая с декабря прошлого года перешла в полную собственность Micron. В период с сентября по ноябрь 2016 года указанные лица якобы передали своему будущему работодателю в Китае секретную информацию о технологиях производства памяти. Данные передавались в виде фотокопий (фотографических снимков), бумажных ксерокопий, сообщениями по электронной почте и с помощью сервиса коротких сообщений WeChat.

Все подозреваемые оставили работу в компании Inotera Memories ради перехода в профильную компанию на территории Китая. По слухам, в этом им помогла крупнейшая китайская инвестиционная компания ИТ-направленности — Tsinghua Unigroup. Последняя не раз упоминалась в наших новостях с 2015 года и отметилась желанием купить как саму компанию Micron, так и приобрести значительную долю в компании Western Digital. Обе сделки были заблокированы регулирующими органами США. Похоже, в Tsinghua Unigroup нашли другой способ решить проблему технологического голода.

Micron готова дружить с Тайванем, но не с Китаем (директор Micron Марк Дуркан и Президент Тайваня Цай Инвэнь, фото Cheng Ting-Fang)

Сообщается, что каждому из подозреваемых в краже технологических секретов Micron была начислена втрое большая зарплата, чем они получали в компании Inotera Memories. Речь идёт о сумме в 200 000 новых тайваньских долларов в месяц каждому, что эквивалентно $6576. Как ни крути, а это чрезвычайно весомый аргумент для смены места работы. Многие ли откажутся?

А Китай всё строит

Компания Tsinghua Unigroup и ряд других крупных китайских компаний приступили в конце прошлого года и в этом году к строительству трёх крупных мегафабрик по производству 3D NAND и DRAM. После выхода заводов на полную мощность примерно через пять лет Китай получит доступ к достаточно недорогой национальной оперативной и энергонезависимой памяти. Он больше не будет зависеть от прихотей международного рынка памяти и от западных производителей. Также это гарантированно обрушит международный рынок памяти, о чём руководство компании Micron предупреждает при каждом удобном случае.

В конце прошлой недели власти провинции Хубэй и города Ухань, местная и столичная партийная номенклатура, а также президент компании Tsinghua Unigroup торжественно объявили о завершении первой фазы строительства нового завода по производству многослойной памяти 3D NAND. Первый камень в будущее предприятие ценой $24 млрд был заложен 30 декабря 2016 года. Спустя девять месяцев ответственные руководители доложили о готовности первого из цехов и электростанции (подстанции) к установке оборудования. В эксплуатацию первая очередь линий и электростанция будут введены в 2018 году.

Ожидается, что предприятие начнёт свою деятельность с выпуска 32-слойной 3D NAND. Технологию производства памяти разработала и передаёт китайцам компания Spansion (бывшее СП компаний AMD и Fujitsu). Будущий завод формально принадлежит совместному предприятию Yangtze River Storage Technology (YRST) между проправительственным фондом Tsinghua Unigroup и местным производителем компанией Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing (XMC). На площади свыше 524 000 квадратных метров будут построены необходимые сооружения и три огромные чистые комнаты. Расчётная мощность завода составит 300 тыс. 300-мм подложек в месяц. Это, а также два других строящихся в Китае мегапредприятия для выпуска памяти, через 5–10 лет полностью обеспечат страну оперативной и энергонезависимой памятью и создадут предпосылки для обрушения мирового рынка памяти.

Президент компании Tsinghua Unigroup Жао Вейгуо сравнил собственное производство памяти с вводом в строй первого авианосца в Китае

Глава Tsinghua Unigroup на торжественном мероприятии по поводу завершения первой фазы строительства завода в Ухани заявил, что планы Китая по обеспечению страны памятью сродни с вводом в Поднебесной в строй первого авианосца Liaoning. Запуск электроники на Liaoning, кстати, стал возможен благодаря работе специалистов с харьковского Хартрона. Санкции санкциями, но ослов, гружённых золотом, ещё никто не отменял. Как бы там ни было, Китай целеустремлённо движется к полному импортозамещению в части компьютерной памяти. Ближайшие годы максимально этому благоприятствуют, подчеркнул глава Tsinghua Unigroup.

Как вы можете помнить, руководство Тайваня и его американские партнёры обеспокоены планами Китая стать крупным или даже крупнейшим игроком на рынке оперативной памяти. Препятствия на этом пути чинятся самые разные: от запрета уезжать на работу в Китай тайваньским сотрудникам производителей памяти до попыток остановить разработку технологий или заполучить акции ключевых в этом бизнесе компаний. Китай, со своей стороны, ищет (и находит) пути для обхода негласных санкций. Так, заводы по производству DRAM и 3D NAND уже строятся и начнут выпускать кристаллы памяти в 2018 и 2019 годах с выходом на полную мощность в течение примерно пяти лет.

Слабым звеном в этих планах Китая оставался момент, который касался упаковки и тестирования кристаллов памяти. Китайский холдинг в лице Tsinghua Unigroup попытался купить до 25 % акций в трёх тайваньских компаниях, отвечающих за упаковку чипов — это компании Powertech Technology, ChipMOS Technologies и Siliconware Precision Industries (SPIL). По тем или иным причинам, вне зависимости от предпринятых компанией Tsinghua усилий, все три сделки не состоялись. Идея заполучить в свои руки нити управления специалистом по упаковке провалилась. Уточним, что все вышеперечисленные компании были не против сделки, поскольку это открывало перед ними новые возможности. Поэтому каждая из них наверняка попытается обойти негласное эмбарго.

Компания SPIL, как сообщает сайт DigiTimes, разработала свой вариант обхода запрета на сотрудничество с китайскими производителями памяти. Упаковывать память SPIL прекратила в 2007 году, переключившись на упаковку и тестирование логики. Сейчас SPIL намерена возродить сервис по упаковке памяти в лице китайского подразделения Siliconware Electronics (Fujian). Предприятие будет обслуживать совместный завод компаний UMC и Jin Hua (предприятие Fujian Jin Hua Integrated Circuit) по производству памяти типа DRAM. Упаковывать многослойную память 3D NAND предприятие пока не планирует, оставляя эту работу на будущее.

Очевидно, что одного завода Siliconware Electronics будет недостаточно для обслуживания всех будущих китайских линий по выпуску DRAM и 3D NAND. Следует ожидать, что другие тайваньские компании по упаковке и тестированию чипов, так или иначе, найдут путь для работы с китайскими подрядчиками. Свято место, как известно, долго не пустует.