Комитет JEDEC сообщил об утверждении спецификаций Universal Flash Storage 4.0 (JESD220F) и UFSHCI 4.0 (JESD223E). По сравнению с версиями UFS 3.0 и 3.1 скорость обмена выросла с 2,9 до 4,2 Гбайт/с. При этом напряжение питания интерфейса снижено с 3,3 до 2,5 В, что сделает контроллеры более холодными и менее прожорливыми, что важно для использования в тонких смартфонах. Есть и другие улучшения, которые найдут применения в скором будущем.

Источник изображения: Samsung

Предыдущая версия стандарта Universal Flash Storage в виде спецификаций UFS 3.1 была принята в 2020 году. Впрочем, на тот момент скорость работы этого последовательного интерфейса осталась на уровне спецификаций UFS 3.0, принятых ещё раньше — в 2018 году. Новая версия стандарта в лице UFS 4.0 сразу пробивает барьер по скорости чтения и записи, а также снижает питание контроллеров до более приемлемого уровня для мобильных устройств.

При всех новшествах стандарт UFS 4.0 остаётся обратно совместимым с UFS 3.0 и 3.1, что позволяет соблюсти преемственность архитектур. Добавим, спецификации UFS 3.1 также были немного улучшены в новом документе JESD231 File Based Optimization, обеспечив прямую совместимость между UFS 3.1 и UFS 4.0 по определённым режимам работы. В частности, новый стандарт JESD231 File Based Optimization позволяет хосту ускорять трафик чтения на основе информации о файловой системе, предоставляемой хостом.

Кроме увеличения скорости обмена по интерфейсу UFS 4.0, за основу чего были взяты спецификации M-PHY 5.0 и UniPro 2.0, разработчики ввели поддержку многокруговой очереди (Multi-Circular Queue) и усовершенствованный интерфейс RMPB для повышения пропускной способность и защиты данных. Для снижения системных задержек предложено включение высокоскоростного запуска канала, передачи данных вне очереди и команды BARRIER. Также внедрена расширенная история ошибок устройства с настраиваемыми хостом временными метками и M-PHY's Eye Monitor.

Отметим, компания Samsung весной этого года уже представила флеш-память с интерфейсом UFS 4.0, пообещав начать её массовое производство текущей осенью. Очевидно, смартфоны с памятью с интерфейсом UFS 4.0 появятся в продаже в будущем году.

Компания Samsung Electronics сообщила о разработке модулей флеш-памяти стандарта Universal Flash Storage (UFS) 4.0, которые предназначены для использования в мощных смартфонах с поддержкой мобильной связи пятого поколения (5G). Новинки обладают очень высокой пропускной способностью и соответственно скоростью передачи данных.

Источник изображений: Samsung

Изделия Samsung UFS 4.0 обеспечивают пропускную способность до 23,2 Гбит/с на линию. Это в два раза больше по сравнению с чипами стандарта UFS 3.1.

Новые флеш-модули построены на основе памяти Samsung V-NAND седьмого поколения и проприетарного контроллера. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 4200 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 2800 Мбайт/с. Достигается двукратный рост по сравнению с решениями UFS 3.1 при чтении и 1,6-кратный рост при записи.

Кроме того, улучшены показатели энергетической эффективности. В частности, по сравнению с UFS 3.1 энергозатраты при чтении данных сократились на 46 %. За счёт этого увеличится время автономной работы смартфонов от аккумулятора.

Samsung приступит к массовому производству модулей UFS 4.0 в третьем квартале нынешнего года. Изделия будут выпускаться в разных вариантах ёмкости — вплоть до 1 Тбайт.

Компания Kioxia сообщила о начале пробных поставок новых модулей флеш-памяти Universal Flash Storage (UFS) стандарта 3.1 объёмом 256 и 512 Гбайт, предназначенных для применения в высокопроизводительных мобильных устройствах.

Производитель заявляет, что толщина модуля UFS 3.1 объёмом 256 Гбайт составляет всего 0,8 мм, а чипа объёмом 512 Гбайт — 1,0 мм. При этом они готовы обеспечить до 30 % более высокую скорость произвольного чтения и до 40 % более высокую скорость произвольной записи по сравнению с чипами предыдущего поколения.

В изделиях используется флеш-память BiCS FLASH 3D. По словам компании, флеш-модули UFS за счёт своей скорости и более высокой плотности всё чаще используются вместо памяти eMMC. Со ссылкой на данные аналитической компании Forward Insights компания Kioxia указывает, что почти 70 % последних заказов чипов флеш-памяти для мобильных устройств приходятся именно на стандарт UFS, и в дальнейшем эта цифра продолжит увеличиваться.

Производитель указывает, что в новых флеш-модулях UFS 3.1 объёмом 256 и 512 Гбайт реализованы дополнительные инструменты, призванные повысить производительность. Например, сообщается о технологии Host Performance Booster (HPB) Ver. 2.0, которая улучшает быстродействие в операциях произвольного чтения информации.

Компания Micron объявила сегодня, 29 июля 2021 года, о начале массовых поставок первых в отрасли 176-слойных чипов флеш-памяти UFS 3.1, предназначенных для использования в мобильных устройствах — смартфонах и планшетах.

Здесь и ниже изображения Micron

Новые изделия, как заявляет Micron, обеспечивают 70-процентный прирост производительности на операциях произвольного чтения и 75-процентное увеличение скорости последовательной записи по сравнению с решениями предыдущего поколения на основе 96-слойной флеш-памяти.

Представленные чипы UFS 3.1 ориентированы в первую очередь на смартфоны с поддержкой сотовой связи пятого поколения (5G). В серию вошли изделия вместимостью 128, 256 и 512 Гбайт. Скорость записи достигает 1500 Мбайт/с, что, к примеру, позволяет загрузить двухчасовой фильм в формате 4К за 9,3 секунды.

Одним из первых устройств, оборудованных новым модулем памяти, станет аппарат Honor Magic 3, официальная презентация которого состоится 12 августа. В дальнейшем изделия возьмут на вооружение и другие производители смартфонов.

Компания Kioxia сообщила о начале пробных поставок нового флеш-модуля Universal Flash Storage (UFS) стандарта 3.1, предназначенного для применения в высокопроизводительных мобильных устройствах, в том числе с поддержкой мобильной связи пятого поколения (5G).

В изделии объединены флеш-память BiCS FLASH 3D и контроллер. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 2050 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 1200 Мбайт/с.

Вместимость составляет 1 Тбайт. При этом, по заявлениям Kioxia, новое решение является самым тонким в мире модулем UFS 3.1 такой ёмкости: толщина равна всего 1,1 мм.

Реализованы дополнительные инструменты, призванные повысить производительность. Так, средства WriteBooster обеспечивают увеличение скорости записи. Технология Host Performance Booster (HPB) Ver. 2.0 улучшает быстродействие на операциях произвольного чтения информации.

О стоимости изделия ничего не сообщается. По всей видимости, первые коммерческие устройства, оснащённые этим модулем, появятся во втором-третьем квартале текущего года.

Сегодня комитет JEDEC представил новый стандарт съёмных карт флеш-памяти — Universal Flash Storage (UFS) 3.0. Карты UFS были представлены четыре года назад и с тех пор замерли в своём развитии на скорости передачи 600 Мбайт/с. Новый стандарт JESD220-2B позволит наделить карточки UFS скоростью интерфейса UFS 3.0 и поднять пропускную способность в два раза — до 1,2 Гбайт/с. Для смартфонов, камер дронов и автомобилей — то, что доктор прописал.

Внешний вид и размеры карты памяти UFS. Источник изображения: JEDEC

Следует напомнить, что карты UFS физически не совместимы с картами microSD, хотя их внешние размеры одинаковы. Огромный багаж microSD в виде многолетней поддержки индустрии не даст этим картам исчезнуть из мира. Но для новых применений карты UFS выглядят предпочтительнее, особенно после принятия нового стандарта.

Карточки UFS 3.0 смогут справиться с такими нагрузками, как одновременная запись с множества камер видеонаблюдения, ведение бортового журнала подключённых автомобилей с регистрацией данных сотен датчиков, включая использование в качестве системы записи «чёрного ящика», и с многими другими задачами, где важны скорость передачи данных и эффективное потребление.

Расположение контактов на карте памяти UFS. Источник изображения: JEDEC

Кроме увеличения скорости обмена новый стандарт предусматривает поддержку загрузки с карты, ускоряя и упрощая этот процесс; реализует возможность удаления функций, которые могут оказаться ненужными конкретному продукту, что также упрощает процесс разработки; и минимизирует количество логических модулей для упрощения управления хранилищем. Разработка контроллеров и их сопряжение с картами UFS 3.0 должны стать проще, как и программная поддержка совместимых продуктов.

Ждём массовых анонсов новых карт памяти и поддерживающих их устройств.

Ассоциация стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC недавно выпустила новую версию стандарта UFS (Universal Flash Storage) с номером 2.2. Хотя организация только сейчас официально объявила об этом стандарте, запуск процессоров MediaTek Dimensity 800U и Dimensity 720 ранее уже подтвердил его существование. Тем не менее, теперь общественности сообщили детали об этом стандарте.

Последней версией ветки UFS 2.x до сих пор была UFS 2.1, а 3.x — UFS 3.1. Теперь появилась версия UFS 2.2, которая предлагает несколько новых функций. Вот что сообщает ассоциация: «Целью этого стандарта является описание электрического интерфейса UFS и устройства памяти UFS. Он заменит JESD220C, UFS 2.1 и принесёт функцию под названием WriteBooster».

Итак, основное различие между UFS 2.2 и UFS 2.1 — добавление функции WriteBooster (буквально — ускоритель записи). Она улучшает скорость записи UFS 2.2 по сравнению с предшественником. Этот показатель заметно влияет на быстродействие устройства в некоторых задачах. Впервые технология WriteBooster была представлена в UFS 3.1 — она подразумевает использование более скоростного энергонезависимого кеша, выпускаемого по технологии SLC.

Сегодня смартфоны начального уровня используют накопители eMMC, тогда как поддержка UFS 2.x становится нормой в устройствах среднего класса. Флагманы же зачастую предлагают более продвинутые накопители USF 3.x. По сравнению с eMMC накопители UFS предлагает гораздо более высокую скорость последовательного чтения и записи, а также повышенную скорость произвольного чтения и записи. Кроме того, UFS может осуществлять одновременные чтение и запись, обрабатывать несколько команд одновременно. Это делает аппараты с памятью UFS гораздо более отзывчивыми.

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства самых быстрых в отрасли микросхем флеш-памяти с интерфейсом eUFS 3.1. Эта память нацелена как на флагманские смартфоны, так и на тонкие ноутбуки. Новинка обеспечит в три раза большую скорость записи, что станет находкой для любителей фотографий с большим разрешением и ценителей видео с разрешением 8K.

Скорость записи на чипы Samsung с шиной eUFS 3.1 ёмкостью 512 Гбайт пробивает психологический барьер в 1 Гбайт/с и достигает 1,2 Гбайт/с в режиме устоявшейся записи. Аналогичная продукция компаний WDC и Toshiba способна показать скорость записи до 800 Мбайт/с. Микросхемы памяти с интерфейсом eUFS 3.0 показывали ещё меньшую скорость записи ― до 400 Мбайт/с. Тем самым Samsung утроила этот параметр, что выглядит весьма впечатляюще.

С подобной скоростью фильм объёмом 100 Гбайт можно переписать за 1,5 минуты, тогда как в случае накопителя eUFS 3.0 запись длилась бы 4 минуты. Пакет больших фотографий на смартфоне или видео с разрешением 8K на ноутбуке ― всем этим станет легче оперировать, когда новая память Samsung проникнет в устройства.

Устоявшаяся скорость чтения с новых микросхем Samsung осталась на уровне микросхем предыдущего поколения и достигает 2,1 Гбайт/с. Теоретический предел скорости обмена по интерфейсу UFS 3.1 достигает 2,9 Гбайт/с, так что производителям ещё есть над чем работать.

Следует сказать, что спецификации eUFS 3.1 по сравнению со спецификациями eUFS 3.0 не предполагают рост скорости обмена до нового значения, хотя оставляют лазейку для увеличения скорости записи. Вероятно, этим и воспользовалась компания Samsung. В частности, спецификации eUFS 3.1 предусматривают наличие буфера для записи. Очевидно, это ускорит запись до какого-то определённого объёма информации, а после переполнения буфера скорость может снизиться, но нам это ещё предстоит узнать. Пока же чипы Samsung eUFS 3.1 объёмом 512 Гбайт, 256 Гбайт и 128 Гбайт остаются самыми быстрыми в индустрии.

Добавим, скорость записи случайных блоков в терминах IOPS выросла незначительно ― всего на 3 % с 68 000 до 70 000. Скорость чтения случайных блоков в IOPS увеличилась внушительно ― на 60 % с 63 000 до 100 000. В новых смартфонах эта память появится не раньше, чем во второй половине этого года.

Как и ожидалось, VIVO представила смартфон Vivo NEX 3S 5G, который получил однокристальную систему Snapdragon 865 и двухрежимный модем Snapdragon X55, чего не было в прошлогоднем NEX 3 5G. Телефон получил и некоторые другие привлекательные функции вроде скоростного накопителя последнего стандарта UFS 3.1 и оперативной памяти LPDDR5.

Vivo NEX 3S 5G позаимствовал у прошлогодней модели многие функции: загнутый на края безрамочный дисплей S-AMOLED Waterfall FullView (1080 × 2256, HDR10+, 100 % цветовой охват гаммы P3 и sRGB), переднюю и заднюю камеры у оригинального телефона NEX 3 5G. Новый смартфон с комбинированным корпусом из стекла и металла имеет размеры 167,44 × 76,14 × 9,4 мм и весит 219,5 грамма. На краях нет физических кнопок включения питания и регулировки громкости. Как и NEX 3 5G, аппарат для этих целей оснащён сенсорными кнопками TouchSense с обратной связью.

NEX 3S 5G — первый флагманский телефон Vivo текущего года на базе мобильной платформы Snapdragon 865. Однокристальная система дополняется 8 Гбайт или 12 Гбайт оперативной памяти LPDDR5 и скоростным накопителем стандарта UFS 3.1 на 256 Гбайт. В смартфоне не предусмотрена поддержка карт памяти.

Фронтальная камера выполнена в виде довольно крупного выдвижного модуля. Он содержит 16-мегапиксельный датчик с диафрагмой f/2 и светодиодную вспышку. Встроенная функция Hyper HDR позволяет телефону повысить точность динамического диапазона, оптимизируя яркость лица пользователя.

На тыльной стороне установлена тройная камера. Её основным компонентом является 64-мегапиксельный датчик Samsung ISOCELL Bright GW1 с диафрагмой f/1,8. Также в наличии сверхширокоугольный (120°) 13-Мп модуль с диафрагмой f/2,2 и ещё один 13-Мп телефотомодуль с диафрагмой f/2,48 и 2-кратным оптическим зумом. Среди особенностей тыльных камер можно отметить HDR, Hyper-HDR, электронную стабилизацию Super EIS при съёмке видео, запись роликов в разрешении до 4K (в замедленном режиме — 480p и 1080p).

В дисплей Vivo NEX 3S 5G встроен сканер отпечатков пальцев. В телефоне установлена ​​операционная система Android 10 на базе FunTouch OS 10. Существует технология анализа процессов VPG, которая может интеллектуально диагностировать аномалии сторонних приложений. Наличие SD865 обещает отличное игровое окружение. Имеется продвинутный вибромотор X-Axis Haptic для комфортного тактильного отклика во время игр и набора текста. Смартфон оснащён улучшенной системой отвода тепла.

NEX 3S 5G оснащён батареей на 4350 мА·ч, что немного меньше, чем 4500 мА·ч у Vivo NEX 3. Беспроводная зарядка не поддерживается. Хотя сертификация 3C намекала, что аппарат может получить 55-Вт зарядник, конечный продукт поставляется со скоростным зарядным устройством на 44 Вт.

Поддерживается последняя версия Wi-Fi 6 и одновременное подключение к двум сетям Wi-Fi. Другие функции, доступные в NEX 3S 5G, включают поддержку двух SIM-карт, Bluetooth 5.0, GPS и USB-C. Не хватает разве что 3,5-мм аудиоразъёма.

Представленный в Китае Vivo NEX 3S 5G выпускается в двух вариантах: 8/256 Гбайт 12/256 Гбайт по цене соответственно 4998 юаней (около $619) и 5​​298 юаней ($763). Доступны три цветовых исполнения: чёрный, синий и красный. Продажи в Китае начнутся 14 марта. О доступности NEX 3S 5G за пределами внутреннего рынка ничего не сообщается.

Компания Vivo подтвердила, что 10 марта официально представит свой новый флагман — Vivo NEX 3S 5G во время специальной трансляции. Последние сообщения показали, что смартфон имеет номер модели V1950A, а спецификации Vivo V1950A уже просочились в Сеть благодаря сертификациям TENAA и 3C. Теперь стали известны дополнительные подробности.

Как сообщает надёжный в прошлом информатор из Китая, Vivo NEX 3S 5G будет поставляться с оперативной памятью новейшего стандарта LPDDR5 и передовым скоростным накопителем UFS 3.1 (одним из первых на рынке). Для сравнения: Vivo NEX 3 5G укомплектован оперативной памятью LPDDR4x и накопителем UFS 3.0. Кроме того, сообщается, что батарея на 4250 мА·ч будет поддерживать скоростную 55-Вт зарядку, хотя компания может продавать телефон с зарядником на 44 Вт.

Утверждается, что улучшенные характеристики достанутся недёшево: стоимость Vivo NEX 3S 5G может легко перевалить в Китае за 5000 юаней (около $717). Впрочем, в этом нет ничего нового: Vivo NEX 3 5G вышел на родном для компании китайском рынке по цене в 5698 юаней ($816).

Напомним ключевые характеристики оригинальной версии аппарата. Это процессор Snapdragon 855 Plus, 6,89-дюймовый экран Super AMOLED с разрешением 2256 × 1080 точек, выдвижная 16-Мп камера, тройная основная камера в конфигурации 64 млн + 13 млн + 13 млн пикселей, до 12 Гбайт оперативной памяти и флеш-накопитель вместимостью до 256 Гбайт.

Vivo NEX 3S 5G получит однокристальную систему Snapdragon 865, включающую 8 ядер Kryo 585 с тактовой частотой до 2,84 ГГц и графический ускоритель Adreno 650. 6,89-дюймовый экран Super AMOLED с разрешением 2256 × 1080 точек, выдвижная 16-Мп камера фронтальная камера; тройная тыльная камера в конфигурации 64 млн + 13 млн + 13 Мп останутся прежними. Минимальный объём ОЗУ составит 8 Гбайт, а флеш-накопителя — 128 Гбайт.

Большой объём энергонезависимой памяти и быстрый интерфейс ― что ещё надо смартфонам или умной электронике автомобиля? Японская компания Kioxia Corporation свела вместе одно и другое и представила новое поколение ёмких и быстрых однокорпусных флеш-накопителей с интерфейсом UFS 3.1 и объёмом до 1 Тбайт.

Однокорпусные флеш-накопители Kioxia с интерфейсом UFS 3.1

Всего новая линейка однокорпусных флеш-накопителей компании Kioxia содержит чипы памяти ёмкостью 128, 256, 512 Гбайт и 1-Тбайт версию. Но пока компания распространяет среди клиентов только образцы 256-Гбайт чипов. Образцы остальной продукции компания начнёт распространять после марта. Важной особенностью новинок стала адаптация спецификаций UFS 3.1, чистовая редакция которых была утверждена всего месяц назад.

Интересно отметить, что хотя спецификации UFS 3.1 не повысили скорость обмена по шине данных по сравнению с предыдущей версией спецификаций UFS 3.0, чипы Kioxia в новом исполнении обеспечивают 30-процентный прирост в режиме последовательного чтения данных. В пресс-релизе нет точных цифр, но, исходя из доступных на сайте спецификаций, от флеш-памяти с шиной UFS 3.1 можно ожидать максимальную скорость чтения до теоретически допустимой стандартом или до 2,9 Гбайт/с для двух линий передачи данных.

Скорость записи, очевидно, будет меньше. Исходя из данных, обнародованных производственным партнёром Kioxia компанией Western Digital, для 256-Гбайт сборки скорость устоявшейся записи будет достигать 800 Мбайт/с.

Версия однокорпусных флеш-накопителей Western Digital с интерфейсом UFS 3.1

В целом же Kioxia предлагает рассматривать новые однокорпусные накопители в свете поддержки спецификаций UFS 3.1, что даёт рост скорости записи до трёх раз благодаря новому режиму WriteBooster (за счёт введения буфера из памяти NAND SLC), а также обещает лучшую энергоэффективность благодаря новому и более глубокому режиму сна UFS-DeepSleep Power Mode вместо ранее используемого режима UFS-Sleep Power Mode.

Наконец, флеш-память с поддержкой новых спецификаций UFS 3.1 обеспечивает опциональный режим кеширования карты логических и физических адресов накопителя в системной памяти DRAM (Host Performance Booster или HPB). Это позволит ускорить работу с накопителем при чтении случайных блоков из памяти. Также новые спецификации позволяют контроллеру памяти сообщать хосту о снижении производительности при перегреве.

Накопители становятся умнее, быстрее и более ёмкими. В смартфонах, судя по всему, эти новинки окажутся во второй половине текущего года.

Компания Western Digital анонсировала модули флеш-памяти iNAND MC EU521, рассчитанные на использование в смартфонах топового уровня с поддержкой мобильной связи пятого поколения (5G).

Представленные изделия соответствуют стандарту UFS 3.1 (Universal Flash Storage), который обеспечивает высокую производительность и небольшое энергопотребление.

В основу модулей iNAND MC EU521 положены 96-слойные микрочипы 3D NAND. Заявленная скорость записи информации достигает 800 Мбайт/с.

В настоящее время в семейство входят модули вместимостью 128 Гбайт и 256 Гбайт. В дальнейшем, по всей видимости, будут представлены изделия ёмкостью 512 Гбайт.

Размеры составляют 11,5 × 13 × 1,0 мм. Заявленный диапазон рабочих температур простирается от минус 25 до плюс 85 градусов Цельсия.

Помимо 5G-смартфонов, называются и другие сферы применения модулей iNAND MC EU521: это устройства виртуальной и дополненной реальности, планшеты, хромбуки, камеры высокого разрешения и пр.

Совершенствуются не только производство и микросхемы флеш-памяти. Интерфейсы также претерпевают изменения. Около 10 лет назад на смену параллельному интерфейсу eMMC вышел последовательный интерфейс UFS. Последняя версия UFS 3.0 одобрена два года назад. Сегодня она получила важные расширения.

Комитет JEDEC сообщил, что выпущен новый стандарт для интерфейса UFS и дополнение к нему. В частности, версия стандарта подросла до индекса 3.1. Версия 3.0 была принята 31 января 2018 года. За прошедшие с тех пор два года рабочая группа комитета разработала, согласовала и выпустила чистовую редакцию в виде основного стандарта JESD220E и дополнительного JESD220-3.

Интерфейс UFS или Universal Flash Storage проник в флагманские смартфоны и в смартфоны среднего класса. Микросхемы флеш-памяти с интерфейсом UFS 3.0 компании начали выпускать и использовать в течение 2019 года. Шина UFS показывает себя с лучшей стороны в мобильных устройствах за счёт высокой производительности со скоростью передачи данных до 2,9 Гбайт/с всего по двум линиям. Эффективность и простота обеспечили памяти с шиной UFS путь в автомобильную электронику, которая начала стремительно нуждаться в ёмкой памяти.

Новая версия UFS 3.1 не принесла роста скорости обмена. Вместо этого она добавила три новых важных функции. Во-первых, предложена архитектура с энергонезависимым кеш-буфером из памяти NAND SLC (Write Booster). Несомненно, что это приведёт к росту скорости записи. Тем самым однокорпусные накопители с шиной UFS стали полностью похожи на SSD. На монтажной плате смартфонов теперь будет располагаться полноценный флеш-диск.

Во-вторых, устройства с UFS получат новое состояние DeepSleep для наименее дорогих платформ. Иначе говоря, для простых схематических решений, когда накопитель UFS использует регулятор напряжения совместно с другими элементами платформы, теперь будет доступен режим перехода в сон. Третьей новой функцией стала возможность UFS-накопителя информировать хост о снижении производительности при перегреве. Очевидно, что это будет нужно для автомобильной электроники, от работы которой зависит безопасность, поэтому она должна быть безукоризненной.

Что касается дополнительного стандарта JESD220-3, то он предоставляет опциональную возможность кешировать карту логических и физических адресов устройства UFS в системной памяти DRAM (Host Performance Booster или HPB). В случае значительных объёмов системной памяти эта опция позволит ускорить работу с массивом памяти с интерфейсом UFS. Можно ожидать, что карты памяти и массивы памяти с поддержкой спецификаций UFS 3.1 появятся в текущем году ближе к его концу.

Британская организация Carbon Trust, занимающаяся оценкой выбросов углерода и потребления воды при промышленном производстве, провела сертификацию модулей флеш-памяти Samsung eUFS 3.0 объёмом 512 Гбайт. По словам Samsung, это первые в отрасли мобильные флеш-накопители, прошедшие подобную сертификацию.

По оценке экспертов, на производство одного мобильного модуля памяти eUFS 3.0 объёмом 512 Гбайт необходимо 310 литров воды, а выбросы углерода при этом составляют 13,4 кг. На первый взгляд кажется, что это довольно много, но на самом деле полупроводниковое производство является довольно «чистым». Для сравнения, производство, эксплуатация в течение трёх лет и утилизация iPhone 11 со 128 Гбайт памяти, по оценке самой Apple, обеспечивает 77 кг углеродных выбросов.

Samsung отметила, что продолжит внедрять технологии, обеспечивающие снижение влияния её производства на окружающую среду. Также было отмечено, что своей высокой экологичностью накопители eUFS 3.0 объёмом 512 Гбайт обязаны «уникальной технологии литографии» и компоновке из более чем 90 слоёв.

Кстати, высокой экологичностью обладают не только чипы Samsung eUFS 3.0 объёмом 512 Гбайт. На днях Министерство охраны окружающей среды Кореи присвоило накопителям Samsung eUFS 2.1 объёмом 1 Тбайт и микросхемам флеш-памяти Samsung V-NAND пятого поколения ёмкостью 512 Гбайт сертификат Экологической декларации продукции (EPD), который также указывает на низкие выбросы при производстве этих устройств.

Компания Kioxia (ранее — Toshiba Memory) сообщила о разработке первого в отрасли модуля встраиваемой флеш-памяти UFS на 512 Гбайт, предназначенного для использования в автомобильной сфере.

Представленное изделие соответствует спецификации универсальных флеш-накопителей JEDEC версии 2.1. Заявленный диапазон рабочих температур простирается от минус 40 до плюс 105 градусов Цельсия.

Важно отметить, что модуль характеризуется повышенной надёжностью, что важно с учётом сферы его применения. Так, технология Thermal Control защищает изделие от перегрева в условиях высоких температур, которые могут возникать в автомобильных системах. Функция Extended Diagnosis помогает центральному процессору легко определять состояние устройства. Наконец, технология Refresh может использоваться для обновления данных, находящихся в UFS-модуле, и помогает увеличить продолжительность их хранения.

При создании модуля компания Kioxia объединила в одном корпусе 3D-флеш-память BiCS Flash собственной разработки и контроллер. Изделие может применяться в составе бортовых информационно-развлекательных комплексов, цифровых приборных кластеров, средств обработки и передачи информации и ADAS-решений.

Добавим, что семейство автомобильных UFS-модулей Kioxia также включает изделия вместимостью 16, 32, 64, 128 и 256 Гбайт.