Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства самых быстрых в отрасли микросхем флеш-памяти с интерфейсом eUFS 3.1. Эта память нацелена как на флагманские смартфоны, так и на тонкие ноутбуки. Новинка обеспечит в три раза большую скорость записи, что станет находкой для любителей фотографий с большим разрешением и ценителей видео с разрешением 8K.

Скорость записи на чипы Samsung с шиной eUFS 3.1 ёмкостью 512 Гбайт пробивает психологический барьер в 1 Гбайт/с и достигает 1,2 Гбайт/с в режиме устоявшейся записи. Аналогичная продукция компаний WDC и Toshiba способна показать скорость записи до 800 Мбайт/с. Микросхемы памяти с интерфейсом eUFS 3.0 показывали ещё меньшую скорость записи ― до 400 Мбайт/с. Тем самым Samsung утроила этот параметр, что выглядит весьма впечатляюще.

С подобной скоростью фильм объёмом 100 Гбайт можно переписать за 1,5 минуты, тогда как в случае накопителя eUFS 3.0 запись длилась бы 4 минуты. Пакет больших фотографий на смартфоне или видео с разрешением 8K на ноутбуке ― всем этим станет легче оперировать, когда новая память Samsung проникнет в устройства.

Устоявшаяся скорость чтения с новых микросхем Samsung осталась на уровне микросхем предыдущего поколения и достигает 2,1 Гбайт/с. Теоретический предел скорости обмена по интерфейсу UFS 3.1 достигает 2,9 Гбайт/с, так что производителям ещё есть над чем работать.

Следует сказать, что спецификации eUFS 3.1 по сравнению со спецификациями eUFS 3.0 не предполагают рост скорости обмена до нового значения, хотя оставляют лазейку для увеличения скорости записи. Вероятно, этим и воспользовалась компания Samsung. В частности, спецификации eUFS 3.1 предусматривают наличие буфера для записи. Очевидно, это ускорит запись до какого-то определённого объёма информации, а после переполнения буфера скорость может снизиться, но нам это ещё предстоит узнать. Пока же чипы Samsung eUFS 3.1 объёмом 512 Гбайт, 256 Гбайт и 128 Гбайт остаются самыми быстрыми в индустрии.

Добавим, скорость записи случайных блоков в терминах IOPS выросла незначительно ― всего на 3 % с 68 000 до 70 000. Скорость чтения случайных блоков в IOPS увеличилась внушительно ― на 60 % с 63 000 до 100 000. В новых смартфонах эта память появится не раньше, чем во второй половине этого года.

Как и ожидалось, VIVO представила смартфон Vivo NEX 3S 5G, который получил однокристальную систему Snapdragon 865 и двухрежимный модем Snapdragon X55, чего не было в прошлогоднем NEX 3 5G. Телефон получил и некоторые другие привлекательные функции вроде скоростного накопителя последнего стандарта UFS 3.1 и оперативной памяти LPDDR5.

Vivo NEX 3S 5G позаимствовал у прошлогодней модели многие функции: загнутый на края безрамочный дисплей S-AMOLED Waterfall FullView (1080 × 2256, HDR10+, 100 % цветовой охват гаммы P3 и sRGB), переднюю и заднюю камеры у оригинального телефона NEX 3 5G. Новый смартфон с комбинированным корпусом из стекла и металла имеет размеры 167,44 × 76,14 × 9,4 мм и весит 219,5 грамма. На краях нет физических кнопок включения питания и регулировки громкости. Как и NEX 3 5G, аппарат для этих целей оснащён сенсорными кнопками TouchSense с обратной связью.

NEX 3S 5G — первый флагманский телефон Vivo текущего года на базе мобильной платформы Snapdragon 865. Однокристальная система дополняется 8 Гбайт или 12 Гбайт оперативной памяти LPDDR5 и скоростным накопителем стандарта UFS 3.1 на 256 Гбайт. В смартфоне не предусмотрена поддержка карт памяти.

Фронтальная камера выполнена в виде довольно крупного выдвижного модуля. Он содержит 16-мегапиксельный датчик с диафрагмой f/2 и светодиодную вспышку. Встроенная функция Hyper HDR позволяет телефону повысить точность динамического диапазона, оптимизируя яркость лица пользователя.

На тыльной стороне установлена тройная камера. Её основным компонентом является 64-мегапиксельный датчик Samsung ISOCELL Bright GW1 с диафрагмой f/1,8. Также в наличии сверхширокоугольный (120°) 13-Мп модуль с диафрагмой f/2,2 и ещё один 13-Мп телефотомодуль с диафрагмой f/2,48 и 2-кратным оптическим зумом. Среди особенностей тыльных камер можно отметить HDR, Hyper-HDR, электронную стабилизацию Super EIS при съёмке видео, запись роликов в разрешении до 4K (в замедленном режиме — 480p и 1080p).

В дисплей Vivo NEX 3S 5G встроен сканер отпечатков пальцев. В телефоне установлена ​​операционная система Android 10 на базе FunTouch OS 10. Существует технология анализа процессов VPG, которая может интеллектуально диагностировать аномалии сторонних приложений. Наличие SD865 обещает отличное игровое окружение. Имеется продвинутный вибромотор X-Axis Haptic для комфортного тактильного отклика во время игр и набора текста. Смартфон оснащён улучшенной системой отвода тепла.

NEX 3S 5G оснащён батареей на 4350 мА·ч, что немного меньше, чем 4500 мА·ч у Vivo NEX 3. Беспроводная зарядка не поддерживается. Хотя сертификация 3C намекала, что аппарат может получить 55-Вт зарядник, конечный продукт поставляется со скоростным зарядным устройством на 44 Вт.

Поддерживается последняя версия Wi-Fi 6 и одновременное подключение к двум сетям Wi-Fi. Другие функции, доступные в NEX 3S 5G, включают поддержку двух SIM-карт, Bluetooth 5.0, GPS и USB-C. Не хватает разве что 3,5-мм аудиоразъёма.

Представленный в Китае Vivo NEX 3S 5G выпускается в двух вариантах: 8/256 Гбайт 12/256 Гбайт по цене соответственно 4998 юаней (около $619) и 5​​298 юаней ($763). Доступны три цветовых исполнения: чёрный, синий и красный. Продажи в Китае начнутся 14 марта. О доступности NEX 3S 5G за пределами внутреннего рынка ничего не сообщается.

Компания Vivo подтвердила, что 10 марта официально представит свой новый флагман — Vivo NEX 3S 5G во время специальной трансляции. Последние сообщения показали, что смартфон имеет номер модели V1950A, а спецификации Vivo V1950A уже просочились в Сеть благодаря сертификациям TENAA и 3C. Теперь стали известны дополнительные подробности.

Как сообщает надёжный в прошлом информатор из Китая, Vivo NEX 3S 5G будет поставляться с оперативной памятью новейшего стандарта LPDDR5 и передовым скоростным накопителем UFS 3.1 (одним из первых на рынке). Для сравнения: Vivo NEX 3 5G укомплектован оперативной памятью LPDDR4x и накопителем UFS 3.0. Кроме того, сообщается, что батарея на 4250 мА·ч будет поддерживать скоростную 55-Вт зарядку, хотя компания может продавать телефон с зарядником на 44 Вт.

Утверждается, что улучшенные характеристики достанутся недёшево: стоимость Vivo NEX 3S 5G может легко перевалить в Китае за 5000 юаней (около $717). Впрочем, в этом нет ничего нового: Vivo NEX 3 5G вышел на родном для компании китайском рынке по цене в 5698 юаней ($816).

Напомним ключевые характеристики оригинальной версии аппарата. Это процессор Snapdragon 855 Plus, 6,89-дюймовый экран Super AMOLED с разрешением 2256 × 1080 точек, выдвижная 16-Мп камера, тройная основная камера в конфигурации 64 млн + 13 млн + 13 млн пикселей, до 12 Гбайт оперативной памяти и флеш-накопитель вместимостью до 256 Гбайт.

Vivo NEX 3S 5G получит однокристальную систему Snapdragon 865, включающую 8 ядер Kryo 585 с тактовой частотой до 2,84 ГГц и графический ускоритель Adreno 650. 6,89-дюймовый экран Super AMOLED с разрешением 2256 × 1080 точек, выдвижная 16-Мп камера фронтальная камера; тройная тыльная камера в конфигурации 64 млн + 13 млн + 13 Мп останутся прежними. Минимальный объём ОЗУ составит 8 Гбайт, а флеш-накопителя — 128 Гбайт.

Большой объём энергонезависимой памяти и быстрый интерфейс ― что ещё надо смартфонам или умной электронике автомобиля? Японская компания Kioxia Corporation свела вместе одно и другое и представила новое поколение ёмких и быстрых однокорпусных флеш-накопителей с интерфейсом UFS 3.1 и объёмом до 1 Тбайт.

Однокорпусные флеш-накопители Kioxia с интерфейсом UFS 3.1

Всего новая линейка однокорпусных флеш-накопителей компании Kioxia содержит чипы памяти ёмкостью 128, 256, 512 Гбайт и 1-Тбайт версию. Но пока компания распространяет среди клиентов только образцы 256-Гбайт чипов. Образцы остальной продукции компания начнёт распространять после марта. Важной особенностью новинок стала адаптация спецификаций UFS 3.1, чистовая редакция которых была утверждена всего месяц назад.

Интересно отметить, что хотя спецификации UFS 3.1 не повысили скорость обмена по шине данных по сравнению с предыдущей версией спецификаций UFS 3.0, чипы Kioxia в новом исполнении обеспечивают 30-процентный прирост в режиме последовательного чтения данных. В пресс-релизе нет точных цифр, но, исходя из доступных на сайте спецификаций, от флеш-памяти с шиной UFS 3.1 можно ожидать максимальную скорость чтения до теоретически допустимой стандартом или до 2,9 Гбайт/с для двух линий передачи данных.

Скорость записи, очевидно, будет меньше. Исходя из данных, обнародованных производственным партнёром Kioxia компанией Western Digital, для 256-Гбайт сборки скорость устоявшейся записи будет достигать 800 Мбайт/с.

Версия однокорпусных флеш-накопителей Western Digital с интерфейсом UFS 3.1

В целом же Kioxia предлагает рассматривать новые однокорпусные накопители в свете поддержки спецификаций UFS 3.1, что даёт рост скорости записи до трёх раз благодаря новому режиму WriteBooster (за счёт введения буфера из памяти NAND SLC), а также обещает лучшую энергоэффективность благодаря новому и более глубокому режиму сна UFS-DeepSleep Power Mode вместо ранее используемого режима UFS-Sleep Power Mode.

Наконец, флеш-память с поддержкой новых спецификаций UFS 3.1 обеспечивает опциональный режим кеширования карты логических и физических адресов накопителя в системной памяти DRAM (Host Performance Booster или HPB). Это позволит ускорить работу с накопителем при чтении случайных блоков из памяти. Также новые спецификации позволяют контроллеру памяти сообщать хосту о снижении производительности при перегреве.

Накопители становятся умнее, быстрее и более ёмкими. В смартфонах, судя по всему, эти новинки окажутся во второй половине текущего года.

Компания Western Digital анонсировала модули флеш-памяти iNAND MC EU521, рассчитанные на использование в смартфонах топового уровня с поддержкой мобильной связи пятого поколения (5G).

Представленные изделия соответствуют стандарту UFS 3.1 (Universal Flash Storage), который обеспечивает высокую производительность и небольшое энергопотребление.

В основу модулей iNAND MC EU521 положены 96-слойные микрочипы 3D NAND. Заявленная скорость записи информации достигает 800 Мбайт/с.

В настоящее время в семейство входят модули вместимостью 128 Гбайт и 256 Гбайт. В дальнейшем, по всей видимости, будут представлены изделия ёмкостью 512 Гбайт.

Размеры составляют 11,5 × 13 × 1,0 мм. Заявленный диапазон рабочих температур простирается от минус 25 до плюс 85 градусов Цельсия.

Помимо 5G-смартфонов, называются и другие сферы применения модулей iNAND MC EU521: это устройства виртуальной и дополненной реальности, планшеты, хромбуки, камеры высокого разрешения и пр. 

Совершенствуются не только производство и микросхемы флеш-памяти. Интерфейсы также претерпевают изменения. Около 10 лет назад на смену параллельному интерфейсу eMMC вышел последовательный интерфейс UFS. Последняя версия UFS 3.0 одобрена два года назад. Сегодня она получила важные расширения.

Комитет JEDEC сообщил, что выпущен новый стандарт для интерфейса UFS и дополнение к нему. В частности, версия стандарта подросла до индекса 3.1. Версия 3.0 была принята 31 января 2018 года. За прошедшие с тех пор два года рабочая группа комитета разработала, согласовала и выпустила чистовую редакцию в виде основного стандарта JESD220E и дополнительного JESD220-3.

Интерфейс UFS или Universal Flash Storage проник в флагманские смартфоны и в смартфоны среднего класса. Микросхемы флеш-памяти с интерфейсом UFS 3.0 компании начали выпускать и использовать в течение 2019 года. Шина UFS показывает себя с лучшей стороны в мобильных устройствах за счёт высокой производительности со скоростью передачи данных до 2,9 Гбайт/с всего по двум линиям. Эффективность и простота обеспечили памяти с шиной UFS путь в автомобильную электронику, которая начала стремительно нуждаться в ёмкой памяти.

Новая версия UFS 3.1 не принесла роста скорости обмена. Вместо этого она добавила три новых важных функции. Во-первых, предложена архитектура с энергонезависимым кеш-буфером из памяти NAND SLC (Write Booster). Несомненно, что это приведёт к росту скорости записи. Тем самым однокорпусные накопители с шиной UFS стали полностью похожи на SSD. На монтажной плате смартфонов теперь будет располагаться полноценный флеш-диск.

Во-вторых, устройства с UFS получат новое состояние DeepSleep для наименее дорогих платформ. Иначе говоря, для простых схематических решений, когда накопитель UFS использует регулятор напряжения совместно с другими элементами платформы, теперь будет доступен режим перехода в сон. Третьей новой функцией стала возможность UFS-накопителя информировать хост о снижении производительности при перегреве. Очевидно, что это будет нужно для автомобильной электроники, от работы которой зависит безопасность, поэтому она должна быть безукоризненной.

Что касается дополнительного стандарта JESD220-3, то он предоставляет опциональную возможность кешировать карту логических и физических адресов устройства UFS в системной памяти DRAM (Host Performance Booster или HPB). В случае значительных объёмов системной памяти эта опция позволит ускорить работу с массивом памяти с интерфейсом UFS. Можно ожидать, что карты памяти и массивы памяти с поддержкой спецификаций UFS 3.1 появятся в текущем году ближе к его концу.

Британская организация Carbon Trust, занимающаяся оценкой выбросов углерода и потребления воды при промышленном производстве, провела сертификацию модулей флеш-памяти Samsung eUFS 3.0 объёмом 512 Гбайт. По словам Samsung, это первые в отрасли мобильные флеш-накопители, прошедшие подобную сертификацию.

По оценке экспертов, на производство одного мобильного модуля памяти eUFS 3.0 объёмом 512 Гбайт необходимо 310 литров воды, а выбросы углерода при этом составляют 13,4 кг. На первый взгляд кажется, что это довольно много, но на самом деле полупроводниковое производство является довольно «чистым». Для сравнения, производство, эксплуатация в течение трёх лет и утилизация iPhone 11 со 128 Гбайт памяти, по оценке самой Apple, обеспечивает 77 кг углеродных выбросов.

Samsung отметила, что продолжит внедрять технологии, обеспечивающие снижение влияния её производства на окружающую среду. Также было отмечено, что своей высокой экологичностью накопители eUFS 3.0 объёмом 512 Гбайт обязаны «уникальной технологии литографии» и компоновке из более чем 90 слоёв.

Кстати, высокой экологичностью обладают не только чипы Samsung eUFS 3.0 объёмом 512 Гбайт. На днях Министерство охраны окружающей среды Кореи присвоило накопителям Samsung eUFS 2.1 объёмом 1 Тбайт и микросхемам флеш-памяти Samsung V-NAND пятого поколения ёмкостью 512 Гбайт сертификат Экологической декларации продукции (EPD), который также указывает на низкие выбросы при производстве этих устройств.

Компания Kioxia (ранее — Toshiba Memory) сообщила о разработке первого в отрасли модуля встраиваемой флеш-памяти UFS на 512 Гбайт, предназначенного для использования в автомобильной сфере.

Представленное изделие соответствует спецификации универсальных флеш-накопителей JEDEC версии 2.1. Заявленный диапазон рабочих температур простирается от минус 40 до плюс 105 градусов Цельсия.

Важно отметить, что модуль характеризуется повышенной надёжностью, что важно с учётом сферы его применения. Так, технология Thermal Control защищает изделие от перегрева в условиях высоких температур, которые могут возникать в автомобильных системах. Функция Extended Diagnosis помогает центральному процессору легко определять состояние устройства. Наконец, технология Refresh может использоваться для обновления данных, находящихся в UFS-модуле, и помогает увеличить продолжительность их хранения.

При создании модуля компания Kioxia объединила в одном корпусе 3D-флеш-память BiCS Flash собственной разработки и контроллер. Изделие может применяться в составе бортовых информационно-развлекательных комплексов, цифровых приборных кластеров, средств обработки и передачи информации и ADAS-решений.

Добавим, что семейство автомобильных UFS-модулей Kioxia также включает изделия вместимостью 16, 32, 64, 128 и 256 Гбайт. 

Смартфоны оснащаются накопителем стандарта eMMC или UFS (Universal Flash Storage), и не новость, что последний — гораздо более быстрый тип хранилища и намного предпочтительнее. Раньше UFS можно было найти в основном на флагманских телефонах, но такие накопители становятся стандартом и для аппаратов среднего уровня. Два года назад был представлен стандарт USF 3.0, а теперь пришло время для версии 3.1.

Ассоциация твердотельных технологий JEDEC представила последнюю версию стандарта UFS под названием UFS 3.1 (JESD220E). Она сменит на посту UFS 3.0, которую уже можно найти в ряде флагманов, включая продукты Samsung и OnePlus.

Согласно пресс-релизу JEDEC, UFS 3.1 предназначена для мобильных решений и вычислительных систем, которые требуют высокой производительности и низкого энергопотребления. Новая технология хранения принесла три основных улучшения по сравнению с последним поколением:

• Write Booster — возможность использования более скоростного энергонезависимого кеша, выпускаемого по технологии SLC, который призван увеличить скорость записи;
• DeepSleep — новый режим работы устройств UFS с минимальным энергопотреблением, предназначенное для недорогих систем, которые совместно используют регуляторы напряжения UFS наряду с другими функциями;
• Performance Throtlling Notification — позволяет контроллеру UFS уведомлять аппарат о снижении производительности накопителя из-за перегрева.

JEDEC также анонсировала сопутствующее расширение стандарта под названием UFS Host Performance Booster (HPB), которое предусматривает кеширование в оперативной памяти DRAM карты логических и физических адресов устройства UFS — в случае накопителей большой ёмкости это должно существенно повысить скорость доступа к данным и показатели чтения.

Нет никакой информации относительно того, когда мы увидим первые продукты, использующие новый стандарт хранения данных. Вряд ли это будет Samsung Galaxy S20 или OnePlus 8 — скорее пройдёт ещё немало времени до запуска первых аппаратов с UFS 3.1. Впрочем, кто знает — речь идёт не о столь существенном обновлении, как в случае с переходом на UFS 3.0 с UFS 2.1 (теоретический максимум пропускной способности остаётся прежним — 23,2 Гбит/с). При этом улучшения в области производительности и энергопотребления в недорогих аппаратах нельзя не приветствовать. Накопители традиционно были узким местом мобильных устройств, и улучшения в этой области всегда приятно видеть. Скачать JESD220E и JESD220-3 можно с сайта JEDEC.

Как и было обещано, китайская Xiaomi представила свой новый игровой смартфон Black Shark 2 Pro, улучшенную версию выпущенного в марте смартфона Black Shark 2. Прежде всего, новый аппарат получил ещё более мощную и продвинутую однокристальную систему Qualcomm Snapdragon 855 Plus — она отличается от обычной версии Snapdragon 855 увеличенной на 4,2–15 % производительностью (максимальная тактовая частота ЦП повышена с 2,84 ГГц до 2,96 ГГц, а ГП — с 585 МГц до 672 МГц). Это второй после ASUS ROG Phone 2 смартфон с таким чипом.

Но это далеко не всё: устройство обзавелось скоростным накопителем следующего поколения UFS 3.0 — первыми смартфонами с такой памятью была серия OnePlus 7. Кроме того, как и намекал производитель, время реакции на касания снижено до 34,7 мс  (частота снятия показаний — 240 Гц), а также используется новый оптимизированный алгоритм обработки прикосновений, особенно для игр. Напомним: скорость срабатывания сенсора в смартфонах Black Shark 2 и Black Shark 1 достигала 43,5 мс, что и по сей день было наилучшим показателем в отрасли.

Смартфон также получил 6,39-дюймовый дисплей AMOLED с разрешением FHD+, поддержкой HDR и улучшенной технологией борьбы с ШИМ — DC Dimming 2.0. Жидкостное охлаждение 3.0 обещает более эффективный отвод тепла благодаря применению пластины и трубки с хладагентом — всё это немаловажно для игровых нагрузок. Стоит также упомянуть, что аппарат использует новое оформление тыльной стороны в духе автомобилей F1 и новый эффект освещения.

Технические характеристики Black Shark 2 Pro следующие:

• 6,39-дюймовый дисплей AMOLED с разрешением Full HD+ (2340 × 1080 пикселей, 19,5:9), 108,9-процентным цветовым охватом DCI-P3, поддержкой HDR и яркостью 430 нит;
• 7-нм чип Snapdragon 855 Plus (1 ядро ЦП Kryo 485 @2,96 ГГц, 3 Kryo 485 @2,42 ГГц, 4 Kryo 385 @1,8 ГГц и графикой Adreno 640 @675 МГц);
• 12 Гбайт ОЗУ LPDDR4x в связке с 128/256-Гбайт встроенным накопителем UFS 3.0;
• Android 9 Pie с оболочкой MIUI 10;
• поддержка двух SIM-карт (nano + nano);
• 48-Мп основная тыльная камера с 1/2-дюймовым сенсором Sony IMX586 и размером пикселя 0,8 мкм (Quad Bayer — 1,6 мкм) и объективом с диафрагмой f/1,75; и 12-Мп модуль Samsung S5K3M5 1/3,6" (размер пикселя 1 мкм) с телеобъективом 2X и диафрагмой f/2,2; светодиодная вспышка;
• 20-Мп фронтальная камера (размер пикселя 0,9 мкм) и объективом с диафрагмой f/2;
• подэкранный датчик отпечатков пальцев;
• размеры: 163,61 × 75,01 × 8,77 мм при весе 205 грамм;
• Dual 4G VoLTE, Wi-Fi 802.11ac двухдиапазонный (2 × 2 MU-MIMO), Bluetooth 5, GPS / ГЛОНАСС / Beidou, USB Type-C;
• аккумулятор 4000 мА·ч с поддержкой скоростной 27-Вт зарядки.

Black Shark 2 Pro поставляется в чёрном, серебристо-ледяном, синем (с оранжевым акцентом), оранжевом и фиолетовом цветовых исполнениях по цене 2999 юаней (около $435) за версию 12/128 Гбайт и 3499 юаней за вариант 12/256 Гбайт ($508). Он уже доступен для предварительного заказа в Китае, а в продажу поступит 2 августа.

OnePlus уже подтвердила ранее, что OnePlus 7 Pro имеет рейтинг A+ от специалистов DisplayMate, а экран прошёл сертификацию «безопасно для глаз» от VDE. Теперь же компания подтвердила, что дисплей также имеет официальную сертификацию HDR10+, что даёт пользователям более динамичное, детализированное и насыщенное окружение при просмотре совместимых материалов. Компания также сотрудничала с популярными веб-сайтами для потокового видео, YouTube и Netflix, для просмотра материалов в формате HDR10.

Исполнительный директор OnePlus Пит Лау (Pete Lau) сказал: «HDR10+ — это будущее не только телевизионных дисплеев, но и смартфонов. Мы надеемся, что наше новейшее устройство станет новым эталоном для индустрии смартфонов и откроет пользователям новый мир визуального совершенства. Мы рады, что занимаем лидирующие позиции в вопросе предоставления миру качественных технологий».

Руководитель также подтвердил, что серия OnePlus 7 будет включать в себя флеш-накопитель стандарта UFS 3.0, который обеспечивает скорость чтения до 2100 Мбайт/с, вдвое больше, чем скорость чипов eUFS (eUFS 2.1). Это гарантирует быструю загрузку приложений, ускоряет показатели захвата изображений и видео, уменьшает время загрузки и так далее. Компания уже намекала, что серия OnePlus 7 предложит более быстрое и плавное окружение.

OnePlus недавно подтвердила, что OnePlus 7 Pro будет иметь повседневную защиту от влаги, но не получит каких-либо сертификаций IP. Компания уже начала приём предварительных заказов на сайте Amazon.in и предлагает 6-месячную гарантию на бесплатную разовую замену экрана в качестве бонуса. Запуск серии OnePlus 7 ожидается ночью 14 мая — трансляцию можно будет увидеть на официальном канале YouTube.

Как и ожидалось, Lenovo на особом мероприятии в Китае представила новый флагман Z6 Pro. Этот второй телефон компании на базе 7-нм однокристальной системы Qualcomm Snapdragon 855 был представлен всего через четыре месяца после Lenovo Z5 Pro GT. Телефон получил экран с каплевидным вырезом, до 12 Гбайт ОЗУ и до 512 Гбайт скоростной памяти стандарта UFS 2.1. Кроме того, это первый смартфон Lenovo с четырьмя тыльными камерами, на которые производитель и делает основной упор.

Lenovo Z6 Pro оснащён корпусом из стекла и металла. Дисплей AMOLED с диагональю 6,39 дюймов отличается разрешением Full HD+ (1080 × 2340) пикселей и соотношением сторон 19,5:9. В дисплей интегрирован сканер отпечатков пальцев шестого поколения (так указывает производитель). Стоит также отметить, что экран аппарата отличается широким цветовым охватом DCI-P3, поддержкой HDR10, включает фильтр против ультрафиолетового излучения и возможность тонкой настройки яркости.

Любителей автопортретов порадует лицевая 32-Мп камера с диафрагмой f/2 и алгоритмом улучшения фотографий Face++. Нейронная сеть обучена на тысячах фотографий знаменитостей и старается, сохранив особенности лица владельца, сделать фотографии более профессиональными. Стоит отметить, что режим улучшения портрета доступен даже при съёмке видео.

Но изюминкой устройства выступает массив из четырёх тыльных камер, называемых общим именем AI Hyper Video. Основной 48-Мп сенсор дополняется объективом f/1,8. Сверхширокоугольная 16-Мп камера отличается углом обзора в 125 градусов, 8-Мп телеобъектив обеспечивает 4-кратный зум (очевидно, по отношению к сверхширокоформатной камере). И, наконец, имеется набирающая популярность 2-Мп 3D-камера Time of Flight.

Производитель заявляет о поддержке видео 4K с идеальной стабилизацией на основе оптической системы (8-осевой, что бы это ни значило), ToF, гироскопа и продвинутых интеллектуальных алгоритмов с анализом сцены (к сожалению, похоже, только при 30 кадрах/с). Размер пикселей в 2,9 микрон, а также ИИ позволяют делать более качественные ночные снимки. Поддерживается режим супермакросъёмки с расстояния в 2,39 см. Имеется поддержка фазовой и лазерной автофокусировки и двухтоновая светодиодная вспышка. Также имеется режим Double View Vlog, который позволяет вести одновременную съёмку видео с передней и задней камер. К сожалению, использовавшиеся в маркетинге «100 мегапикселей» говорят лишь о суммарном разрешении всех камер или упомянутой возможности параллельной съёмки с обеих камер.

Аппарат поставляется с предустановленной платформой Android 9 Pie с интерфейсом ZUI 11. Для оптимальной игровой производительности предусмотрен режим автоматического разгона Game Turbo и технология жидкостного охлаждения с медной трубкой для отвода избыточного тепла от процессора. Аккумулятор на 4000 мА·ч поддерживает скоростную 27-Вт зарядку через порт USB-C.

Lenovo Z6 Pro оснащается двухчастотной технологией GPS L1 + L5 для более точного отслеживания местоположения. Смартфон также поддерживает обратную зарядку через порт USB-C. Другими возможностями подключения Z6 Pro являются поддержка двух SIM-карт, 4G VoLTE, Wi-Fi 802.11ac, Bluetooth 5.0. Есть даже 3,5-мм разъём для наушников и стереодинамики Dolby Atmos. Смартфон имеет размеры 157,5 × 74,6 × 8,65 мм при весе в 185 граммов.

Lenovo Z6 Pro в Китае выпускается в четырёх основных вариантах:

• 6 Гбайт ОЗУ и 128 Гбайт флеш-памяти — 2899 юаней (~$431);
• 8/128 Гбайт — 2999 юаней (~$446);
• 8/256 Гбайт — 3799 юаней (~$565);
• 12/512 Гбайт — 4999 юаней (~$744).

Компания также заявила, что будет сотрудничать с тремя крупнейшими поставщиками услуг сотовой связи в Китае, чтобы стать первым местным производителем, выпустившим смартфон с поддержкой 5G в лице Lenovo Z6 Pro 5G Discovery Edition. Аппарат поставляется в корпусе в двух градиентных цветовых исполнениях: красно-чёрном и зелёно-синем. Lenovo Z6 Pro уже доступен в Китае для предварительного заказа, через официальный интернет-магазин Jingdong Mall и Tmall. Официальные продажи начнутся 29 апреля.

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли встраиваемых флеш-модулей embedded Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 вместимостью 512 Гбайт.

Изделия рассчитаны на высокопроизводительные мобильные устройства — прежде всего на флагманские смартфоны. Модули eUFS 3.0 обеспечивают двукратный прирост быстродействия по сравнению с изделиями предыдущего поколения — eUFS 2.1.

Так, заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 2100 Мбайт/с. Для сравнения: у eUFS 2.1 этот показатель составляет до 1000 Мбайт/с.

По сравнению с твердотельными накопителями SATA SSD модули eUFS 3.0 демонстрируют четырёхкратное увеличение скорости чтения, а по сравнению с обычными картами microSD — 20-кратное.

Скорость записи у модуля eUFS 3.0 ёмкостью 512 Гбайт достигает 410 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при чтении и записи составляет до 63 000 и 68 000 соответственно.

В составе нового изделия используются восемь 512-гигабитных кристаллов V-NAND. Кроме того, в состав модуля входит высокопроизводительный контроллер.

Samsung Electronics также отмечает, что во второй половине текущего года планируется начать производство модулей eUFS 3.0 вместимостью 1 Тбайт. 

Мы уже знаем, что новые флагманы компании Samsung могут нести на борту однокорпусные флеш-накопители с шиной UFS 3.0. Ёмкость таковых может достигать 512 Гбайт, чем не могут похвастаться многие модели ноутбуков. Более того, шина UFS версии 3.0 в полной конфигурации с поддержкой двух линий для обмена данными теоретически может обеспечить скорость передачи информации на уровне 23,2 Гбит/с.

В смартфонах Samsung наверняка используются накопители UFS 3.0 этого бренда, но другие компании тоже не отстают. В конце января о начале поставок образцов однокорпусных накопителей с шиной UFS 3.0 сообщила Toshiba, а теперь в этом призналась компания Western Digital. Как и другие производители, WDC позиционирует чипы флеш-памяти с шиной UFS 3.0 для смартфонов с подключением к сотовым сетям 5-го поколения, для планшетов, платформ с машинным обучением, а также для широкого спектра периферийных вычислительных устройств с элементами ИИ и для вещей с подключением к Интернету.

В основе представленных компанией Western Digital новых однокорпусных накопителей iNAND MC EU511 лежат 96-слойные микросхемы 3D NAND. За счёт технологии iNAND SmartSLC 6-го поколения накопители могут развивать скорость записи в режиме турбо до 750 Мбайт/с. Двухчасовой фильм, сжатый кодеком H.265 объёмом 4,5 Гбайт, заявляют в WDC, запишется всего за 3,6 секунды. Разработчики уверяют, что для просмотра видео с разрешением 4K/8K на мобильных устройствах ничего лучшего не придумать. Подобная производительность также будет кстати для гарнитур дополненной и виртуальной реальности.

Поставки образцов накопителей iNAND MC EU511 в версиях от 64 Гбайт до 512 Гбайт уже начались OEM-партнёрам компании. В устройствах новая память обещает появиться во второй половине года. Возможно, память с шиной UFS, наконец, начнёт вытеснять из смартфонов память eMMC.

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли встраиваемых модулей флеш-памяти Embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 вместимостью 1 Тбайт.

Изделие рассчитано на применение в мобильных устройствах следующего поколения. Речь идёт о смартфонах и фаблетах, владельцы которых, как отмечается, смогут получить накопитель, сравнимый по ёмкости с SSD в ноутбуках премиум-класса.

Анонсированный модуль eUFS 2.1 имеет размеры 11,5 × 13,0 мм. Он выполнен с применением флеш-памяти V-NAND и новейшего проприетарного контроллера, обеспечивающего высокие показатели быстродействия.

В частности, заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 1000 Мбайт/с. Последовательная запись данных может осуществляться со скоростью до 260 Мбайт/с.

Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) составляет до 58 тыс. при произвольном чтении данных и до 50 тыс. при произвольной записи.

Таким образом, терабайтный модуль eUFS 2.1 сможет полностью удовлетворить потребности будущих смартфонов в высокоскоростном хранилище информации. Утверждается, что решение обеспечивает примерно в два раза более высокую скорость чтения данных по сравнению с обычными SSD-накопителями в формате 2,5 дюйма с интерфейсом SATA.

По всей видимости, изделие будет предлагаться в качестве опции для некоторых модификаций флагманских аппаратов Galaxy S10, анонс которых состоится в ближайшие недели.