Теги → ufs
Быстрый переход

Официально о OnePlus 7 Pro: дисплей с сертификацией HDR10+ и накопитель UFS 3.0

OnePlus уже подтвердила ранее, что OnePlus 7 Pro имеет рейтинг A+ от специалистов DisplayMate, а экран прошёл сертификацию «безопасно для глаз» от VDE. Теперь же компания подтвердила, что дисплей также имеет официальную сертификацию HDR10+, что даёт пользователям более динамичное, детализированное и насыщенное окружение при просмотре совместимых материалов. Компания также сотрудничала с популярными веб-сайтами для потокового видео, YouTube и Netflix, для просмотра материалов в формате HDR10.

Исполнительный директор OnePlus Пит Лау (Pete Lau) сказал: «HDR10+ — это будущее не только телевизионных дисплеев, но и смартфонов. Мы надеемся, что наше новейшее устройство станет новым эталоном для индустрии смартфонов и откроет пользователям новый мир визуального совершенства. Мы рады, что занимаем лидирующие позиции в вопросе предоставления миру качественных технологий».

Руководитель также подтвердил, что серия OnePlus 7 будет включать в себя флеш-накопитель стандарта UFS 3.0, который обеспечивает скорость чтения до 2100 Мбайт/с, вдвое больше, чем скорость чипов eUFS (eUFS 2.1). Это гарантирует быструю загрузку приложений, ускоряет показатели захвата изображений и видео, уменьшает время загрузки и так далее. Компания уже намекала, что серия OnePlus 7 предложит более быстрое и плавное окружение.

OnePlus недавно подтвердила, что OnePlus 7 Pro будет иметь повседневную защиту от влаги, но не получит каких-либо сертификаций IP. Компания уже начала приём предварительных заказов на сайте Amazon.in и предлагает 6-месячную гарантию на бесплатную разовую замену экрана в качестве бонуса. Запуск серии OnePlus 7 ожидается ночью 14 мая — трансляцию можно будет увидеть на официальном канале YouTube.

Представлен «100-Мп» Lenovo Z6 Pro с 4 тыльными камерами

Как и ожидалось, Lenovo на особом мероприятии в Китае представила новый флагман Z6 Pro. Этот второй телефон компании на базе 7-нм однокристальной системы Qualcomm Snapdragon 855 был представлен всего через четыре месяца после Lenovo Z5 Pro GT. Телефон получил экран с каплевидным вырезом, до 12 Гбайт ОЗУ и до 512 Гбайт скоростной памяти стандарта UFS 2.1. Кроме того, это первый смартфон Lenovo с четырьмя тыльными камерами, на которые производитель и делает основной упор.

Lenovo Z6 Pro оснащён корпусом из стекла и металла. Дисплей AMOLED с диагональю 6,39 дюймов отличается разрешением Full HD+ (1080 × 2340) пикселей и соотношением сторон 19,5:9. В дисплей интегрирован сканер отпечатков пальцев шестого поколения (так указывает производитель). Стоит также отметить, что экран аппарата отличается широким цветовым охватом DCI-P3, поддержкой HDR10, включает фильтр против ультрафиолетового излучения и возможность тонкой настройки яркости.

Любителей автопортретов порадует лицевая 32-Мп камера с диафрагмой f/2 и алгоритмом улучшения фотографий Face++. Нейронная сеть обучена на тысячах фотографий знаменитостей и старается, сохранив особенности лица владельца, сделать фотографии более профессиональными. Стоит отметить, что режим улучшения портрета доступен даже при съёмке видео.

Но изюминкой устройства выступает массив из четырёх тыльных камер, называемых общим именем AI Hyper Video. Основной 48-Мп сенсор дополняется объективом f/1,8. Сверхширокоугольная 16-Мп камера отличается углом обзора в 125 градусов, 8-Мп телеобъектив обеспечивает 4-кратный зум (очевидно, по отношению к сверхширокоформатной камере). И, наконец, имеется набирающая популярность 2-Мп 3D-камера Time of Flight.

Производитель заявляет о поддержке видео 4K с идеальной стабилизацией на основе оптической системы (8-осевой, что бы это ни значило), ToF, гироскопа и продвинутых интеллектуальных алгоритмов с анализом сцены (к сожалению, похоже, только при 30 кадрах/с). Размер пикселей в 2,9 микрон, а также ИИ позволяют делать более качественные ночные снимки. Поддерживается режим супермакросъёмки с расстояния в 2,39 см. Имеется поддержка фазовой и лазерной автофокусировки и двухтоновая светодиодная вспышка. Также имеется режим Double View Vlog, который позволяет вести одновременную съёмку видео с передней и задней камер. К сожалению, использовавшиеся в маркетинге «100 мегапикселей» говорят лишь о суммарном разрешении всех камер или упомянутой возможности параллельной съёмки с обеих камер.

Аппарат поставляется с предустановленной платформой Android 9 Pie с интерфейсом ZUI 11. Для оптимальной игровой производительности предусмотрен режим автоматического разгона Game Turbo и технология жидкостного охлаждения с медной трубкой для отвода избыточного тепла от процессора. Аккумулятор на 4000 мА·ч поддерживает скоростную 27-Вт зарядку через порт USB-C.

Lenovo Z6 Pro оснащается двухчастотной технологией GPS L1 + L5 для более точного отслеживания местоположения. Смартфон также поддерживает обратную зарядку через порт USB-C. Другими возможностями подключения Z6 Pro являются поддержка двух SIM-карт, 4G VoLTE, Wi-Fi 802.11ac, Bluetooth 5.0. Есть даже 3,5-мм разъём для наушников и стереодинамики Dolby Atmos. Смартфон имеет размеры 157,5 × 74,6 × 8,65 мм при весе в 185 граммов.

Lenovo Z6 Pro в Китае выпускается в четырёх основных вариантах:

  • 6 Гбайт ОЗУ и 128 Гбайт флеш-памяти — 2899 юаней (~$431);
  • 8/128 Гбайт — 2999 юаней (~$446);
  • 8/256 Гбайт — 3799 юаней (~$565);
  • 12/512 Гбайт — 4999 юаней (~$744).

Компания также заявила, что будет сотрудничать с тремя крупнейшими поставщиками услуг сотовой связи в Китае, чтобы стать первым местным производителем, выпустившим смартфон с поддержкой 5G в лице Lenovo Z6 Pro 5G Discovery Edition. Аппарат поставляется в корпусе в двух градиентных цветовых исполнениях: красно-чёрном и зелёно-синем. Lenovo Z6 Pro уже доступен в Китае для предварительного заказа, через официальный интернет-магазин Jingdong Mall и Tmall. Официальные продажи начнутся 29 апреля.

Samsung наделит смартфоны флеш-накопителями eUFS 3.0 ёмкостью 512 Гбайт

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли встраиваемых флеш-модулей embedded Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 вместимостью 512 Гбайт.

Изделия рассчитаны на высокопроизводительные мобильные устройства — прежде всего на флагманские смартфоны. Модули eUFS 3.0 обеспечивают двукратный прирост быстродействия по сравнению с изделиями предыдущего поколения — eUFS 2.1.

Так, заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 2100 Мбайт/с. Для сравнения: у eUFS 2.1 этот показатель составляет до 1000 Мбайт/с.

По сравнению с твердотельными накопителями SATA SSD модули eUFS 3.0 демонстрируют четырёхкратное увеличение скорости чтения, а по сравнению с обычными картами microSD — 20-кратное.

Скорость записи у модуля eUFS 3.0 ёмкостью 512 Гбайт достигает 410 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при чтении и записи составляет до 63 000 и 68 000 соответственно.

В составе нового изделия используются восемь 512-гигабитных кристаллов V-NAND. Кроме того, в состав модуля входит высокопроизводительный контроллер.

Samsung Electronics также отмечает, что во второй половине текущего года планируется начать производство модулей eUFS 3.0 вместимостью 1 Тбайт. 

В ожидании 5G: Western Digital начала поставки образцов 512-Гбайт накопителей UFS 3.0

Мы уже знаем, что новые флагманы компании Samsung могут нести на борту однокорпусные флеш-накопители с шиной UFS 3.0. Ёмкость таковых может достигать 512 Гбайт, чем не могут похвастаться многие модели ноутбуков. Более того, шина UFS версии 3.0 в полной конфигурации с поддержкой двух линий для обмена данными теоретически может обеспечить скорость передачи информации на уровне 23,2 Гбит/с.

В смартфонах Samsung наверняка используются накопители UFS 3.0 этого бренда, но другие компании тоже не отстают. В конце января о начале поставок образцов однокорпусных накопителей с шиной UFS 3.0 сообщила Toshiba, а теперь в этом призналась компания Western Digital. Как и другие производители, WDC позиционирует чипы флеш-памяти с шиной UFS 3.0 для смартфонов с подключением к сотовым сетям 5-го поколения, для планшетов, платформ с машинным обучением, а также для широкого спектра периферийных вычислительных устройств с элементами ИИ и для вещей с подключением к Интернету.

В основе представленных компанией Western Digital новых однокорпусных накопителей iNAND MC EU511 лежат 96-слойные микросхемы 3D NAND. За счёт технологии iNAND SmartSLC 6-го поколения накопители могут развивать скорость записи в режиме турбо до 750 Мбайт/с. Двухчасовой фильм, сжатый кодеком H.265 объёмом 4,5 Гбайт, заявляют в WDC, запишется всего за 3,6 секунды. Разработчики уверяют, что для просмотра видео с разрешением 4K/8K на мобильных устройствах ничего лучшего не придумать. Подобная производительность также будет кстати для гарнитур дополненной и виртуальной реальности.

Поставки образцов накопителей iNAND MC EU511 в версиях от 64 Гбайт до 512 Гбайт уже начались OEM-партнёрам компании. В устройствах новая память обещает появиться во второй половине года. Возможно, память с шиной UFS, наконец, начнёт вытеснять из смартфонов память eMMC.

Терабайт в смартфоне: в Samsung начат выпуск новейших модулей eUFS

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли встраиваемых модулей флеш-памяти Embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 вместимостью 1 Тбайт.

Изделие рассчитано на применение в мобильных устройствах следующего поколения. Речь идёт о смартфонах и фаблетах, владельцы которых, как отмечается, смогут получить накопитель, сравнимый по ёмкости с SSD в ноутбуках премиум-класса.

Анонсированный модуль eUFS 2.1 имеет размеры 11,5 × 13,0 мм. Он выполнен с применением флеш-памяти V-NAND и новейшего проприетарного контроллера, обеспечивающего высокие показатели быстродействия.

В частности, заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 1000 Мбайт/с. Последовательная запись данных может осуществляться со скоростью до 260 Мбайт/с.

Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) составляет до 58 тыс. при произвольном чтении данных и до 50 тыс. при произвольной записи.

Таким образом, терабайтный модуль eUFS 2.1 сможет полностью удовлетворить потребности будущих смартфонов в высокоскоростном хранилище информации. Утверждается, что решение обеспечивает примерно в два раза более высокую скорость чтения данных по сравнению с обычными SSD-накопителями в формате 2,5 дюйма с интерфейсом SATA.

По всей видимости, изделие будет предлагаться в качестве опции для некоторых модификаций флагманских аппаратов Galaxy S10, анонс которых состоится в ближайшие недели. 

Для смартфонов и VR Toshiba представила первую в мире флеш-память с шиной UFS 3.0

Компания Toshiba Memory представила первую в мире флеш-память с интерфейсом UFS 3.0. Чистовая версия спецификаций UFS 3.0 была представлена комитетом JEDEC почти ровно год назад ― в конце января 2018 года. Тем самым до появления первых образцов коммерческих чипов памяти с новым интерфейсом пришлось ждать целый год. Увы, это реалии хорошей и удобной для мобильного применения последовательной шины Universal Flash Storage (UFS), которая в устройства пробивается с изрядными трудностями. Предпочтением для производителей по-прежнему остаются память и интерфейс eMMC, хотя UFS не уступает по скорости передачи данных и имеет массу других положительных характеристик: сниженное энергопотребление, улучшенную систему команд и другое.

С шиной UFS 3.0 компания Toshiba выпустила или готовится выпускать три однокорпусных продукта ёмкостью 128, 256 и 512 Гбайт. Образцы 128-Гбайт чипов доступны для рассылки немедленно, а остальные два будут доступны после марта. Все чипы набраны из кристаллов новейшей 96-слойной памяти 3D NAND (BiCS FLASH). В Toshiba ожидают, что новинки с шиной UFS 3.0 найдут применение в массе мобильных устройств, включая смартфоны, планшеты и гарнитуры виртуальной и дополненной реальности. Высокая плотность и возросшая скорость передачи данных будут востребованы для работы с медийными файлами, тогда как размеры чипов памяти остаются достаточно маленькими, чтобы без проблем разместиться в компактных и тонких устройствах.

Размеры корпуса памяти Toshiba с шиной UFS 3.0 составляют 11,5 × 13 мм. Контроллер встроен в чип памяти и поддерживает все необходимые для работы NAND-флеш протоколы, включая коррекцию ошибок, выравнивание массивов данных, перевод логической адресации в физическую (к ячейкам), сокрытие битых ячеек и другое, что значительно упрощает жизнь разработчикам устройств (фактически чип с шиной UFS ― это готовый к немедленному использованию однокорпусной SSD).

Теоретическая пропускная способность по одной линии для шины UFS 3.0 составляет 11,6 Гбит/с, что для двух стандартных линий интерфейса достигает общей пропускной способности 23,2 Гбит/с. Тем самым, если сравнивать с шиной UFS 2.0, устоявшиеся скорости чтения и записи выросли соответственно на 70 % и 80 %. Это хорошее предложение для проектировщиков смартфонов. Воспользуются ли?

Samsung обещает флеш-накопители UFS 3.0 в 2019 году

Компания Samsung в ходе мероприятия Qualcomm 4G/5G Summit в Гонконге рассказала о планах по выводу на рынок флеш-памяти UFS (Universal Flash Storage) стандарта 3.0.

Напомним, что UFS — это общая спецификация флеш-накопителей для различных электронных устройств, включая смартфоны. По сравнению с широко используемой памятью eMMC, чипы UFS обеспечивают существенное увеличение производительности и сокращение энергопотребления.

Итак, сообщается, что Samsung выведет решения UFS 3.0 на рынок в 2019 году. Такие изделия будут предлагаться в модификациях вместимостью 128 Гбайт, 256 Гбайт и 512 Гбайт.

Накопители UFS 3.0 по сравнению с UFS 2.1 обеспечат приблизительно двукратное увеличение скорости передачи данных. Это особенно важно в свете грядущей эпохи 5G.

Отмечается также, что первые модули флеш-памяти для смартфонов вместимостью 1 Тбайт появятся в 2021 году.

Кроме того, в ходе мероприятия Qualcomm 4G/5G Summit было объявлено, что на 2020 год намечено начало использования в мобильных устройствах оперативной памяти LPDDR5. 

Смартфон Lenovo Z5 выйдет в версии с 4 Тбайт встроенной памяти

Китайский производитель Smartisan привлёк внимание общественности смартфоном R1, который помимо флагманской аппаратной составляющей на базе Snapdragon 845 получил флеш-накопитель UFS 2.1 на 1 Тбайт. Таким образом модель Smartisan R1 стала первым в своём классе мобильным устройством, встроенная память которого достигла указанного значения. Однако по заявлению вице-президента Lenovo Чанг Ченга (Chang Cheng), его компания в скором времени покажет гаджет, способный превзойти детище Smartisan по критерию вместимости цифрового контента. Речь идёт о находящемся в разработке смартфоне Lenovo Z5, готовом предложить для хранения персональной информации в 4 раза больше свободного пространства. 

Согласно официальным сведениям, озвученным господином Ченгом, топовую версию Z5 оснастят накопителем ёмкостью 4 Тбайт. Заявленного объёма встроенной памяти хватит более чем на миллион фотографий, сделанных камерой данного смартфона. Флеш-накопитель на 4 Тбайт может вместить примерно 2000 фильмов в HD-качестве или 150 тыс. аудиокомпозиций в Lossless-формате. Чанг Ченг также подтвердил, что анонс флагманского смартфона намечен на июнь текущего года.  

Вдобавок к флеш-накопителю модель Lenovo Z5 сможет похвастаться оригинальным безрамочным исполнением: на дисплей смартфона придётся около 95 % площади всей фронтальной панели. Сами рамки вокруг экрана, конечно же, никуда не денутся, но их толщина будет сведена к минимуму для достижения желанного визуального эффекта. Тыльную сторону Lenovo Z5 выполнят из закалённого стекла. 

«Сердцем» смартфона Z5 вероятнее всего окажется процессор Helio P60. Данное предположение основывается на хвалебных отзывах руководящей верхушки Lenovo в адрес новых SoC от MediaTek, которые видятся им равноценной альтернативой передовым чипам Qualcomm. Более подробно о Lenovo Z5 станет известно ближе к дате релиза устройства.

Samsung начала выпуск «автомобильных» UFS-накопителей объёмом 256 Гбайт

Последовательная шина Universal Flash Storage (UFS) медленно проникает в смартфоны, но может оказаться широко востребованной в автомобильной электронике. Во всяком случае, производители флеш-памяти с шиной UFS — компании Samsung и Toshiba — раз за разом предлагают разработчикам всё более совершенные модули памяти. Накопители с интерфейсом UFS работают с использованием всего одной или двух линий памяти и отличаются высокой эффективностью при передаче данных. Особенно важно это будет для электромобилей, в которых каждый запасённый ватт электроэнергии можно будет либо пустить на обслуживание электроники, либо потратить на пробег лишних километров.

Свежим пресс-релизом компания Samsung Electronics докладывает о начале массового производства 256-Гбайт модулей eUFS 2.1 с поддержкой части спецификаций UFS 3.0. Комитет JEDEC опубликовал финальные спецификации UFS 3.0 всего десять дней назад. Новая версия стандарта, помимо двукратного увеличения скорости передачи по одной линии до 1,2 Гбайт/с, содержит два «автомобильных» расширения. Именно эти две возможности заложены в новых чипах Samsung. О двукратном увеличении скорости обмена данными речь пока не идёт.

Итак, новые eUFS 2.1 модули Samsung поддерживают расширенный диапазон рабочих температур от −40 °C до 105 °C (память с шиной eMMC 5.1 работает в диапазоне от −25 °C до 85 °C) и, что касается второго нововведения, поддерживают обновление (регенерацию) данных. Обе эти опции появились в третьей версии стандарта, что позволило Samsung заявить о выпуске первой в индустрии памяти eUFS с поддержкой элементов стандарта UFS 3.0. Ради справедливости отметим, что модули eUFS с поддержкой расширенного температурного диапазона максимальным объёмом 128 Гбайт в декабре представила Toshiba.

Как и декабрьская память Toshiba, модули eUFS 2.1 компании Samsung работают с большей производительностью, чем предписывают спецификации UFS 2.1. Так, заявленная скорость обмена по одной линии составляет 850 Мбайт/с, тогда как стандартом установлена максимальная скорость передачи на уровне 600 Мбайт/с. Для чтения случайных блоков производительность приближается к 45 000 IOPS. Встроенные в память Samsung датчики температуры могут передавать данные в управляющий процессор. Тем самым процессор может оперативно понижать частоту обращения к памяти в случае перегрева или заданным образом реагировать на любое установленное пороговое значение температуры.

В Samsung ожидают, что память eUFS распространится в автомобилях премиального класса в качестве компонентов информационных и развлекательных систем, а затем появится в автомобильной электронике всех уровней сложности и классности.

Новая статья: Главные события прошедшей недели, 29 января – 4 февраля 2018 года

Данные берутся из публикации Главные события прошедшей недели, 29 января – 4 февраля 2018 года

Опубликованы спецификации UFS 3.0: флеш-память смартфонов удвоит скорость

Комитет JEDEC Solid State Technology Association опубликовал финальные спецификации стандарта Universal Flash Storage версии 3.0 (UFS). С момента принятия спецификаций UFS 2.1 прошло около двух лет (приняты в апреле 2016 года). Но на тот момент скорость обмена по шине UFS осталась без изменения. Версия UFS 2.0, принятая в начале октября 2013 года, предписывала скорость обмена по одной линии интерфейса на уровне 600 Мбайт/с. Всего шина UFS содержит две линии с последовательной передачей данных. Скорость интерфейса в такой конфигурации предполагала передачу данных на уровне 1,2 Гбайт/с. В версии UFS 3.0 скорость обмена увеличена до 11,6 Гбит/с на линию или до 2,4 Гбайт/с на обе линии интерфейса.

Шина UFS пока прописалась преимущественно во флагманских моделях смартфонов, хотя она также ориентирована на использование в персональных компьютерах (ноутбуках). Данный интерфейс занимает промежуточное положение между памятью eMMC и SSD-накопителями. Добавим, ориентация на мобильные устройства вылилась в то, что в качестве физического уровня доступа для интерфейса UFS выбрана сигнальная структура альянса MIPI (Mobile Industry Processor Interface). Если точнее, интерфейс UFS 3.0 опирается на версию MIPI M-PHY v4.1 и транспортный уровень MIPI UniProSM v1.8.

Стандарт UFS также описывает возможность использования съёмных карт памяти с этим интерфейсом или UFS Card Extension. Скорость обмена с картами памяти пока не повышена и использует физический уровень M-PHY HS-Gear3, хотя версия стандарта для карт расширения получила обновление до версии 1.1. Также номер увеличился у спецификаций UFS Host Controller Interface (UFSHCI) до версии 3.0. Сообщается, что внесённые в стандарт изменения упростят проектировщикам разработку контроллеров.

Карты памяти Samsung в формфакторе UFS (не совместимы с microSD)

Карты памяти Samsung в формфакторе UFS (не совместимы с microSD)

Отметим, что интерфейс UFS демонстрирует хорошее соотношение производительности к потреблению, что приобретает важность не только для носимой электроники, но также для автомобильной. Ожидается, что шина UFS окажется востребованной в автомобилях. В версии UFS 3.0 стандарта для этого предусмотрели два «автомобильных» нововведения. Во-первых, для контролеров предусмотрен расширенный рабочий температурный режим от −40 °C до 105 °C. Во-вторых, введён режим обновления команд, что призвано улучшить механизмы контроля концентраторов и способствовать улучшению надёжности в работе с данными.

Однокорпусные SSD Toshiba с шиной UFS 2.0

Однокорпусные SSD Toshiba с шиной UFS 2.1 для автомобильных систем

Разработка контроллеров с поддержкой спецификаций UFS 3.0 стартовала несколько месяцев назад. В коммерческих устройствах интерфейс UFS 3.0 обещает появиться к концу текущего года или в первой половине следующего года.

Toshiba представила модули флеш-памяти UFS 2.1 для автомобильных систем

Toshiba Memory Corporation сообщила о начале пробных поставок передовых встраиваемых модулей флеш-памяти, рассчитанных на применение в автомобильных системах.

Изделия выполнены в соответствии со стандартом JEDEC UFS 2.1. В упаковке с габаритами 11,5 × 13,0 × 1,0 мм размещены микросхемы памяти NAND Flash и контроллер. Задействована 15-нанометровая технология производства.

Модули выполнены в соответствии со стандартом AEC-Q100 Grade2. Заявленный диапазон рабочих температур простирается от минус 40 до плюс 105 градусов Цельсия. Это позволяет использовать накопители в самых жёстких условиях.

Вместимость составляет 16, 32, 64 и 128 Гбайт. Утверждается, что решения обеспечивают скорость последовательного чтения информации до 850 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении достигает 50 тыс.

Во втором квартале следующего года Toshiba Memory Corporation планирует начать поставки модулей UFS 2.1 вместимостью 256 Гбайт. Эти решения будут выполнены в корпусе с размерами 12,0 × 16,0 × 1,6 мм.

Добавим, что UFS — это общая спецификация флеш-накопителей для различных устройств. По сравнению с памятью eMMC, чипы UFS обеспечивают существенное увеличение производительности при одновременном снижении потребляемой энергии. 

В Samsung начат выпуск первых модулей eUFS ёмкостью 512 Гбайт для смартфонов

Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первых в отрасли флеш-модулей eUFS (embedded Universal Flash Storage) вместимостью 512 Гбайт для мобильных устройств следующего поколения.

В составе новых решений применены 64-слойные чипы V-NAND ёмкостью 512 Гбит в количестве восьми штук. Кроме того, в состав модулей входит контроллер. Для максимизации производительности и энергетической эффективности применены новейшие проприетарные технологии Samsung.

Современная конструкция микросхемы 64-слойной памяти 512 Гбит V-NAND и новая технология управления питанием в контроллере eUFS минимизируют неизбежное увеличение энергопотребления при наращивании ёмкости. Кроме того, чип контроллера ускоряет процесс сопоставления, преобразуя адреса логических блоков в адреса физических блоков.

Утверждается, что новые модули обеспечивают возможность последовательного чтения информации со скоростью до 860 Мбайт/с. Последовательная запись данных может осуществляться со скоростью до 255 Мбайт/с.

Что касается показателя IOPS (операций ввода/вывода в секунду), то при произвольном чтении он достигает 42 тыс., при произвольной записи — 40 тыс.  Благодаря высокой скорости произвольной записи памяти eUFS, которая примерно в 400 раз превосходит скорость в 100 операций ввода/вывода в секунду, характерную для традиционных карт microSD, пользователи мобильных устройств могут полноценно пользоваться мультимедийными функциями, например, вести серийную съёмку в высоком разрешении, а также искать файлы и загружать видео в режиме просмотра с двумя приложениями.

Изделия рассчитаны на применение во флагманских смартфонах, фаблетах и планшетах. Ёмкости в 512 Гбайт хватит для хранения обширной коллекции мультимедийных материалов — фильмов, видеоклипов, изображений высокого разрешения и пр. Кроме того, благодаря высокой производительности накопители обеспечат поддержку самых требовательных приложений. 

«Новая память Samsung 512 Гбайт eUFS является наилучшим решением встроенной памяти для смартфонов премиум-класса нового поколения, так как позволяет преодолеть потенциальные ограничения системной производительности, которые могут наблюдаться при использовании карт microSD», — говорит южнокорейский гигант.

Таким образом, можно предположить, что будущие смартфоны Galaxy S9 в топовой конфигурации будут комплектоваться флеш-накопителем вместимостью 512 Гбайт.

Toshiba начала поставки новых UFS-накопителей на основе памяти 3D Flash

Корпорация Toshiba Memory сообщила о начале пробных отгрузок модулей Universal Flash Storage (UFS) нового поколения для мобильных устройств и носимой электроники.

Напомним, что UFS — это общая спецификация флеш-накопителей для различных устройств. По сравнению с памятью eMMC, чипы UFS обеспечивают существенное увеличение производительности при одновременном снижении потребляемой энергии.

В новых изделиях Toshiba применяется 64-слойная флеш-память BiCS Flash 3D. Чипы выполнены в соответствии со стандартом JEDEC UFS 2.1. В упаковке размером 11,5 × 13 мм размещены микросхемы памяти и контроллер.

В семействе представлены решения ёмкостью 32, 64, 128 и 256 Гбайт. Производитель приводит показатели быстродействия для версии вместимостью 64 Гбайт: скорость последовательного чтения информации достигает 900 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 180 Мбайт/с. По быстродействию в режиме произвольного чтения и записи новые решения примерно на 200 % и 185 % превосходят изделия предыдущего поколения.

Новые модули UFS производства Toshiba рассчитаны на мощные смартфоны, фаблеты и планшеты, а также устройства виртуальной и дополненной реальности. 

Samsung начинает выпуск первых в отрасли флеш-чипов eUFS для автомобильных систем

Компания Samsung Electronics анонсировала, как утверждается, первые в отрасли встраиваемые чипы флеш-памяти Universal Flash Storage (eUFS), предназначенные для автомобильного бортового оборудования.

UFS — это общая спецификация флеш-накопителей для различных электронных устройств. По сравнению с широко используемой памятью eMMC, чипы UFS обеспечивают существенное увеличение производительности при одновременном снижении потребляемой энергии.

Новые чипы Samsung eUFS рассчитаны на использование в составе передовых систем помощи водителю (Advanced Driver Assistance Systems, ADAS), приборных панелей следующего поколения, а также информационно-развлекательных комплексов.

Представлены изделия вместимостью 64 и 128 Гбайт. Они выполнены в соответствии со стандартом JEDEC UFS 2.1. Заявленная скорость чтения данных достигает 850 Мбайт/с, что приблизительно в 3,4 раза выше по сравнению с показателями памяти eMMC 5.0. Количество операций ввода/вывода в секунду (показатель IOPS) при чтении достигает 45 000 — это примерно в 6,3 раза больше, чем у eMMC.

Контроллер чипов Samsung eUFS содержит датчик температуры, что позволяет отслеживать состояние микросхем и контролировать приближение температуры к критическим значениям.

Компания Samsung говорит о начале производства новых изделий eUFS. Таким образом, в скором времени такие чипы появятся в системах подключённых автомобилей и транспортных средств с комплексом самоуправления. 

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥