SK hynix объявила о разработке модулей памяти UFS 4.1 на основе самых высоких в мире 321-слойных ячеек памяти 3D NAND (или 4D NAND в терминологии самой компании). Эти модули предназначены для использования во встроенных накопителях мобильных устройств.

Источник изображения: skhynix.com

Для обеспечения стабильной работы систем искусственного интеллекта на мобильных устройствах требования к высокой производительности и низкому энергопотреблению памяти NAND постоянно возрастают, отметили в компании. Оптимизированные под ИИ-нагрузки компоненты UFS 4.1 должны помочь SK hynix укрепить позиции на рынке памяти для флагманских смартфонов.

Модули нового поколения обеспечивают прирост энергоэффективности на 7 % по сравнению с предыдущей версией, основанной на 238-слойных чипах NAND. Кроме того, их толщина уменьшена с 1 до 0,85 мм, что соответствует актуальному тренду на сверхтонкие смартфоны. Скорость передачи данных для новых модулей SK hynix UFS 4.1 достигает 4300 Мбайт/с — это самый высокий показатель последовательного чтения среди компонентов четвёртого поколения UFS. Показатели случайного чтения и записи, критически важные для многозадачности, увеличились на 15 % и 40 % соответственно.

Массовые поставки модулей UFS 4.1 нового образца SK hynix планирует начать в первом квартале следующего года. Они будут доступны в вариантах объёмом 512 Гбайт и 1 Тбайт.

Компания SK hynix разработала новый тип мобильной флеш-памяти Zoned UFS (ZUFS) 4.0, предназначенный для ускорения выполнения задач, связанных с работой ИИ-алгоритмов на смартфонах и других мобильных устройствах.

Источник изображения: SK hynix

ZUFS 4.0 — это тип флеш-памяти NAND, которая оптимизирует управление данными на устройствах с технологиями искусственного интеллекта. Достигается это за счёт классификации и хранения данных, связанных с ИИ, в определённых зонах устройства хранения в соответствии с характеристиками смартфона. Такой метод целевого хранения данных, в отличие от обычной флеш-памяти UFS, повышает скорость и эффективность доступа к данным для операционной системы смартфона, а также для приложений искусственного интеллекта.

SK hynix заявляет, что флеш-память ZUFS 4.0 ускоряет запуск приложений на смартфонах до 45 % по сравнению с обычной флеш-памятью UFS. Кроме того, новая технология значительно снижает процесс деградации производительности операций чтения и записи, продлевая жизненный цикл устройства хранения данных на 40 %.

Компания сообщает, что приступила к разработке флеш-памяти ZUFS в 2019 году, предвидя растущий спрос на высокопроизводительные решения хранения данных для искусственного интеллекта на мобильных устройствах.

SK hynix начнёт массовое производство флеш-памяти ZUFS 4.0 в третьем квартале 2024 года.

Компания Micron представила на выставке MWC 2024 самые компактные микросхемы флеш-памяти стандарта UFS 4.0, предназначенные для смартфонов, планшетов и других мобильных устройств. Размеры упаковки чипа составляет всего 9 × 13 мм. Они будут выпускаться в объёмах до 1 Тбайт и предложат скорости последовательного чтения и записи до 4300 и 4000 Мбайт/с соответственно.

Источник изображений: Micron

Новые микросхемы памяти Micron UFS 4.0 построены на базе 232-слойных чипов 3D TLC NAND. Сокращение размеров микросхем компания объясняет потребностью производителей смартфонов и других мобильных устройств в оснащении своих продуктов более крупными батареями. Новые микросхемы памяти стандарта UFS 4.0 от компании Micron являются результатом совместных усилий специалистов компании из лабораторий в США, Китае и Южной Корее.

Площадь новых микросхем сократилась на 20 % по сравнению с чипами UFS производителя, выпущенных в июне прошлого года. Компания заявляет, что сокращение размера микросхем также привело к снижению их энергопотребления, но без потери в общей производительности. В новых чипах памяти Micron используется новая проприетарная технология HPM (High-Performance Mode), которая оптимизирует производительность памяти при интенсивном использовании смартфона и повышает её скорость работы на 25 %.

Micron сообщила, что уже начала поставки образцов памяти UFS 4.0 OEM-производителям устройств. Компания предлагает микросхемы ёмкостью 256 и 512 Гбайт, а также объёмом 1 Тбайт.

Micron представила свои первые устройства хранения данных UFS 4.0. Самые быстрые представители серии обеспечат скорости последовательного чтения до 4300 Мбайт/с и записи до 4000 Мбайт/с, что, по данным Micron, делает их самыми производительными модулями памяти UFS на сегодняшний день. Micron ожидает, что её накопители UFS 4.0 со сверхнизким энергопотреблением появятся во флагманских смартфонах, планшетах и ноутбуках уже в этом году.

Источник изображений: Micron

В линейке новых накопителей UFS 4.0 от Micron представлены продукты трёх ёмкостей — 256 и 512 Гбайт, а также 1 Тбайт. Все они оборудованы контроллерами собственного производства Micron. В более дорогих продуктах ёмкостью 512 Гбайт и 1 Тбайт используются 1-Тбит 232-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND с архитектурой с шестью массивами, которые обеспечивают скорость последовательного чтения и записи до 4300 и 4000 Мбайт/с соответственно. Устройство на 256 Гбайт немного медленнее, так как основано на памяти NAND с архитектурой с четырьмя массивами. Количество массивов отражает число отдельно работающих полей данных — чем их больше, чем быстрее память.

Новые модули хранения данных от Micron полностью соответствуют спецификации UFS 4.0 и используют две линии низкоуровневого протокола M-PHY Gear 5 для передачи данных. Кроме того, они поддерживают такие проприетарные возможности контроллера, как Data Stream Separation (разделяет часто используемые данные от редко используемых для оптимизации фоновой сборки мусора), Auto Read Burst (повышает производительность чтения за счёт использования дефрагментации устройства после длительного использования) и Eye Monitoring (контроль целостности сигнала).

Micron сообщает, что в дополнение к более высокой производительности, модули Micron UFS 4.0, обладают на 25 % более высокой энергоэффективностью. Использование 232-слойных чипов 3D TLC NAND большой ёмкости также позволяет Micron делать свои модули UFS 4.0 довольно тонкими. В компании заявляют, что их толщина не превышает 0,8–0,9 мм, что позволит производителям мобильных устройств либо сделать свои продукты тоньше, либо установить аккумулятор большей ёмкости.

«Последнее мобильное решение Micron тесно переплетает воедино нашу лучшую в своём классе технологию UFS 4.0, запатентованный контроллер с низким энергопотреблением, 232-слойную память NAND и гибко настраиваемую архитектуру встроенного ПО для обеспечения непревзойдённой производительности», — заявил Марк Монтиерт (Mark Montierth), генеральный менеджер мобильного бизнес-подразделения Micron.

В настоящее время Micron тестирует свои накопители UFS 4.0 совместно с ведущими производителями смартфонов и планирует начать их массовое производство во второй половине года.