Опрос
|
реклама
Быстрый переход
JEDEC рассказала о работе над UFS 5.0 — смартфонную память разгонят до 10,8 Гбайт/с
07.10.2025 [10:42],
Павел Котов
Организация JEDEC Solid State Technology Association объявила, что в скором времени завершит разработку новой версии стандарта универсальной флеш-памяти UFS 5.0. Он предназначен для мобильных устройств и других систем, где требуется высокая производительность при низком энергопотреблении. Скорость последовательного чтения и записи данных достигнет 10,8 Гбайт/с при сохранении обратной совместимости с оборудованием UFS 4.x. 
Источник изображения: Andriy Vitaly / unsplash.com Чтобы обеспечить высокие скорость и энергоэффективность, в новом стандарте используются передовые решения MIPI Alliance: перспективная технология MIPI M-PHY 6.0 с управляющим протоколом UniPro 3.0 и режимом High-Speed Gear 6 (HS-G6), в котором скорость передачи данных удвоилась по сравнению с актуальным HS-G5. В результате пропускная способность интерфейса UFS достигает 46,6 Гбит/с на линию, что обеспечивает эффективную скорость чтения и записи до 10,8 Гбайт/с при использовании двух линий M-PHY. Последняя актуальная спецификация JESD220G UFS 4.1 датирована декабрём 2024 года — она стала обновлением версии 4.0 от 2022 года. Быстрый и энергоэффективный стандарт передачи данных используется в мобильных и носимых устройствах, игровых консолях и автомобильных системах. В JEDEC отметили следующие преимущества нового UFS 5.0:
Почти все Google Pixel 10 получили быструю флеш-память и секретное средство её долговечности
21.08.2025 [17:02],
Владимир Фетисов
Вчера компания Google представила новые смартфоны серии Pixel 10. Хотя внешне они мало чем отличаются от моделей предыдущего поколения, новинки получили немало аппаратных и программных улучшений, включая поддержку стандарта зарядки Qi2 и новой технологии хранения данных Zoned UFS (ZUFS), которая поможет смартфонам работать быстро и плавно на протяжении всего семилетнего срока службы. 
Источник изображения: Google Как и в предыдущем поколении, базовый Pixel 10 оснащён накопителем на 128 или 256 Гбайт, в то время как Pixel 10 Pro, Pixel 10 Pro XL и Pixel 10 Pro Fold поставляются в версиях с накопителями ёмкостью до 1 Тбайт. Большинство моделей серии Pixel 10 поставляются с современными чипами флеш-памяти UFS 4.0 вместо более старых и медленных UFS 3.1, которые применялись во всех Pixel 9. Только самые доступные Pixel 10 и Pixel 10 Pro с накопителями на 128 Гбайт сохранили менее быструю память. Использование более современных чипов памяти формата UFS 4.0 сделает смартфоны Pixel 10 значительно быстрее по сравнению с моделями прошлого поколения. По сравнению с UFS 3.1, формат UFS 4.0 обеспечивает значительно более высокую скорость передачи данных (до двух раз) при меньшем энергопотреблении (до 46 %). Это означает, что приложения и игры будут запускаться быстрее, а в целом работа устройств станет более плавной. Ещё одним важным нововведением стало появление технологии Zoned UFS, которая в значительной степени повышает производительность и долговечность чипов памяти, особенно флеш-накопителей большой ёмкости. Лежащий в основе этой технологии механизм достаточно сложен, но основной принцип заключается в разделении хранилища на отдельные «зоны». Данные записываются последовательно в пределах этих зон, а не случайным образом по всему пространству. 
Источник изображения: androidauthority.com Такой подход позволяет операционной системе эффективно группировать данные со схожими сроками службы и схемами доступа в одни и те же зоны. Когда ОС требуется освободить место, она может удалить всю зону сразу после того, как все хранящиеся в ней данные окажутся ненужными. За счёт этого отпадает необходимость в запуске традиционного и ресурсоёмкого инструмента сбора ненужных данных, что также снизит износ флеш-памяти. Вместе с этим такой подход повысит производительность, особенно при большой нагрузке или при высоком уровне заполнения носителя данными, поскольку нет риска того, что фоновые процессы по сбору данных будут мешать активным операциям чтения/записи. По оценкам SK Hynix, одного из крупнейших производителей флеш-памяти, технология ZUFS может увеличить срок службы чипов памяти, используемых для хранения данных в мобильных устройствах, на 40 %. Компания подчёркивает, что ZUFS особенно полезна для современных приложений, требующих обработки больших объёмов данных, таких как приложения на основе искусственного интеллекта, работающие локально на устройстве. Любопытно, что Google в рамках рекламы ZUFS не упоминала искусственный интеллект. В компании лишь сказали, что технология «обеспечивает ещё более быструю реакцию и запуск приложений для пользователей, которым требуется внутреннее хранилище максимальной производительности». Несмотря на очевидные плюсы, поддержка технологии ZUFS реализована не во всех моделях смартфонов Pixel 10. В США это нововведение смогут испытать владельцы моделей Pixel 10 Pro и Pixel 10 Pro XL с накопителем не менее 512 Гбайт. Более подробная информация о том, какие смартфоны оснащены чипами UFS 4.0, а какие поддерживают ZUFS, приведена в таблице ниже. 
Источник изображения: androidauthority.com Для тех, кто планирует приобрести новый смартфон Google за пределами США, также есть ограничения. На странице поддержки Google сказано, что только модели Pixel 10 Pro и Pixel 10 Pro XL с накопителем на 1 Тбайт поддерживают ZUFS, в то время как модели с накопителем на 512 Гбайт лишь оснащены чипами памяти UFS 4.0. Складной смартфон Pixel 10 Pro Fold с накопителем на 512 Гбайт и 1 Тбайт также получил поддержку ZUFS. Независимо от того, какую модель выберет покупатель, существенной разницы в производительности внутреннего накопителя при повседневном использовании быть не должно. При повседневном использовании Pixel 10 с чипами UFS 3.1 должны работать также быстро, как и модели с чипами UFS 4.0. Большее влияние на общее восприятие окажут другие аппаратные отличия, такие как ёмкость накопителя, объём оперативной памяти и отсутствие испарительной камеры у базовой модели. Флеш-память подорожает на 8–13 % в текущем квартале и потянет за собой цены на SSD
09.07.2025 [16:20],
Алексей Селиванов
По прогнозам аналитиков TrendForce, контрактные цены на флеш-память NAND во второй половине 2025 года вырастут на 5–10 %. При этом из-за слабого спроса на смартфоны подорожание микросхем памяти eMMC и UFS будет менее выраженным. 
Источник изображения: Unsplash Исследования TrendForce показывают, что рынок NAND-памяти значительно выровнялся после сокращения производства и распродажи избыточных складских запасов в первой половине 2025 года. Поставщики перенаправили мощности на более маржинальные продукты. С точки зрения спроса на память NAND ключевую роль в первом полугодии сыграли наращивание корпоративных инвестиций в ИИ и массовые отгрузки новых чипов Nvidia Blackwell — твердотельные накопители используется в каждом сервере, так что рост их поставок обеспечивает спрос на память NAND. И вряд ли ситуация изменится в ближайшей перспективе, так что корпоративные SSD продолжат пользоваться спросом и подорожают на 5–10 % в третьем квартале.  Что касается клиентских SSD, то в третьем квартале 2025 года это направление переживет сильный рост спроса, поскольку производители захотят восполнить запасы после того, как в первой половине года распродали компьютеры лучше, чем ожидалось. Рост спроса на ПК обусловлен несколькими факторами, в том числе окончанием поддержки Windows 10, ростом спроса на системы с новыми процессорами, и растущим интересом к моноблочным ПК в Китае. Прогнозируется, что контрактные цены на клиентские SSD вырастут на 3–8 %. Что касается рынка памяти для мобильных устройств, включая смартфоны, носимые устройства и планшеты, то здесь из-за вялого спроса на сами гаджеты ожидается также невысокий спрос на память eMMC и UFS, так что несмотря на сокращение производства её подорожание в третьем квартале удержится в пределах 0–5 %. В TrendForce отметили, что поставщики сокращают объёмы выпуска NAND-чипов, отдавая предпочтение более маржинальным решениям. В итоге цены на цельные кремниевые пластины с отпечатанными на них чипами памяти в третьем квартале могут подняться на 8–13 %. Kioxia начала тестировать быструю и эффективную память UFS 4.1 для смартфонов будущего
09.07.2025 [12:47],
Павел Котов
Kioxia объявила о начале испытаний флеш-накопителей Universal Flash Storage (UFS) версии 4.1. Память предназначена для работы на мобильных устройствах нового поколения, в том числе современных смартфонах с искусственным интеллектом — компоненты предлагают высокие производительность и энергоэффективность в упаковке BGA. 
Источник изображения: Kioxia Модули Kioxia UFS 4.1 объединяют инновационную флеш-память BiCS FLASH 3D и контроллер в упаковке, соответствующей стандарту JEDEC. Здесь используется память Kioxia BiCS FLASH 3D восьмого поколения, в которой реализована технология CBA (CMOS direct bonded to Array), предполагающая прямое подключение CMOS-схемы к массиву ячеек памяти. Это обеспечивает значительный прирост энергоэффективности, производительности и плотности. Память Kioxia UFS 4.1 доступна в вариантах ёмкостью 256 и 512 Гбайт и 1 Тбайт. Скорость случайной записи для чипов на 512 Гбайт и 1 Тбайт выросла на 30 %; случайной записи для чипов на 512 Гбайт — на 45 %, 1 Тбайт — на 35 %. Энергоэффективность при чтении данных для чипов на 512 Гбайт и 1 Тбайт выросла на 15 %; при записи для тех же чипов — на 20 %. Добавлены также два решения, оптимизирующие работу встроенных накопителей: очистка от мусора может инициироваться хост-системой, а не компонентом памяти, чтобы в процессе работа устройства в целом не замедлялась; есть возможность изменять размер буфера WriteBooster, благодаря чему можно добиться лучшей производительности. Наконец, производителю удалось уменьшить толщину чипа ёмкостью 1 Тбайт. SK hynix представила смартфонную память UFS 4.1 на основе 321-слойной 4D NAND
22.05.2025 [19:16],
Павел Котов
SK hynix объявила о разработке модулей памяти UFS 4.1 на основе самых высоких в мире 321-слойных ячеек памяти 3D NAND (или 4D NAND в терминологии самой компании). Эти модули предназначены для использования во встроенных накопителях мобильных устройств. 
Источник изображения: skhynix.com Для обеспечения стабильной работы систем искусственного интеллекта на мобильных устройствах требования к высокой производительности и низкому энергопотреблению памяти NAND постоянно возрастают, отметили в компании. Оптимизированные под ИИ-нагрузки компоненты UFS 4.1 должны помочь SK hynix укрепить позиции на рынке памяти для флагманских смартфонов. Модули нового поколения обеспечивают прирост энергоэффективности на 7 % по сравнению с предыдущей версией, основанной на 238-слойных чипах NAND. Кроме того, их толщина уменьшена с 1 до 0,85 мм, что соответствует актуальному тренду на сверхтонкие смартфоны. Скорость передачи данных для новых модулей SK hynix UFS 4.1 достигает 4300 Мбайт/с — это самый высокий показатель последовательного чтения среди компонентов четвёртого поколения UFS. Показатели случайного чтения и записи, критически важные для многозадачности, увеличились на 15 % и 40 % соответственно. Массовые поставки модулей UFS 4.1 нового образца SK hynix планирует начать в первом квартале следующего года. Они будут доступны в вариантах объёмом 512 Гбайт и 1 Тбайт. SK hynix представила флеш-память Zoned UFS (ZUFS) 4.0, оптимизированную для работы ИИ на мобильных устройствах
09.05.2024 [06:43],
Николай Хижняк
Компания SK hynix разработала новый тип мобильной флеш-памяти Zoned UFS (ZUFS) 4.0, предназначенный для ускорения выполнения задач, связанных с работой ИИ-алгоритмов на смартфонах и других мобильных устройствах. 
Источник изображения: SK hynix ZUFS 4.0 — это тип флеш-памяти NAND, которая оптимизирует управление данными на устройствах с технологиями искусственного интеллекта. Достигается это за счёт классификации и хранения данных, связанных с ИИ, в определённых зонах устройства хранения в соответствии с характеристиками смартфона. Такой метод целевого хранения данных, в отличие от обычной флеш-памяти UFS, повышает скорость и эффективность доступа к данным для операционной системы смартфона, а также для приложений искусственного интеллекта. SK hynix заявляет, что флеш-память ZUFS 4.0 ускоряет запуск приложений на смартфонах до 45 % по сравнению с обычной флеш-памятью UFS. Кроме того, новая технология значительно снижает процесс деградации производительности операций чтения и записи, продлевая жизненный цикл устройства хранения данных на 40 %. Компания сообщает, что приступила к разработке флеш-памяти ZUFS в 2019 году, предвидя растущий спрос на высокопроизводительные решения хранения данных для искусственного интеллекта на мобильных устройствах. SK hynix начнёт массовое производство флеш-памяти ZUFS 4.0 в третьем квартале 2024 года. Micron представила самые компактные микросхемы флеш-памяти UFS 4.0 для смартфонов
27.02.2024 [15:31],
Николай Хижняк
Компания Micron представила на выставке MWC 2024 самые компактные микросхемы флеш-памяти стандарта UFS 4.0, предназначенные для смартфонов, планшетов и других мобильных устройств. Размеры упаковки чипа составляет всего 9 × 13 мм. Они будут выпускаться в объёмах до 1 Тбайт и предложат скорости последовательного чтения и записи до 4300 и 4000 Мбайт/с соответственно. 
Источник изображений: Micron Новые микросхемы памяти Micron UFS 4.0 построены на базе 232-слойных чипов 3D TLC NAND. Сокращение размеров микросхем компания объясняет потребностью производителей смартфонов и других мобильных устройств в оснащении своих продуктов более крупными батареями. Новые микросхемы памяти стандарта UFS 4.0 от компании Micron являются результатом совместных усилий специалистов компании из лабораторий в США, Китае и Южной Корее.  Площадь новых микросхем сократилась на 20 % по сравнению с чипами UFS производителя, выпущенных в июне прошлого года. Компания заявляет, что сокращение размера микросхем также привело к снижению их энергопотребления, но без потери в общей производительности. В новых чипах памяти Micron используется новая проприетарная технология HPM (High-Performance Mode), которая оптимизирует производительность памяти при интенсивном использовании смартфона и повышает её скорость работы на 25 %. Micron сообщила, что уже начала поставки образцов памяти UFS 4.0 OEM-производителям устройств. Компания предлагает микросхемы ёмкостью 256 и 512 Гбайт, а также объёмом 1 Тбайт. |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
