Micron представила память HBM3 Gen2 с пропускной способностью 1,2 Тбайт/с — на 44 % быстрее обычной HBM3

Сегодня Micron представила свои первые чипы памяти с высокой пропускной способностью HBM3, ориентированные на высокопроизводительные системы. Micron стала последним из крупных производителей памяти, освоивших производство HBM3. Стремясь наверстать упущенное, Micron сразу начнёт выпуск ускоренной версии памяти HBM3 Gen2. Массовое производство новых стеков памяти, предназначенных в первую очередь для центров обработки данных, стартует в начале 2024 года.

Источник изображений: Micron

Стеки Micron HBM3 Gen2 ёмкостью 24 Гбайт созданы путём штабелирования восьми кристаллов памяти (8-Hi) ёмкостью 24 Гбит, изготовленных с использованием техпроцесса 1β. Для сравнения, SK hynix набирает свои 24-гигабайтные стеки из 16-гигабитных кристаллов в конфигурации 12-Hi. Таким образом, Micron может стать первым поставщиком, предлагающим чипы HBM3 ёмкостью 24 Гбайт в более типичной конфигурации 8-Hi. А в следующем году компания планирует представить 36-гигабайтные стеки HBM3 Gen2 с ещё большей ёмкостью.

Теоретическая скорость передачи данных HBM3 Gen2 может достигать 9,2 ГТ/с (гигатрансфер в секунду), что на 44 % превышает базовую спецификацию HBM3, и на 15 % превосходит 8 ГТ/с — скорость конкурирующей памяти SK hynix HBM3E. Пиковая пропускная способность каждого стека HBM3 Gen2 составляет 1,2 Тбайт/с.

Micron заявляет, что использование её 24-гигабайтных стеков HBM3 Gen2 обеспечит пропускную способность 4,8 Тбайт/с в 4096-битных подсистемах памяти (четыре стека) и 7,2 Тбайт/с в 6096-битных (шесть стеков). Для сравнения: пиковая пропускная способность памяти у ускорителя NVIDIA H100 SXM составляет 3,35 Тбайт/с.

Micron в своих новых стеках памяти увеличила количество сквозных соединений Through Silicon Via (TSV) в два раза по сравнению с продуктами HBM3 других поставщиков и сократила расстояние между кристаллами DRAM. Эти два изменения в упаковке уменьшили тепловое сопротивление чипов памяти и облегчили их охлаждение.

Кроме того, увеличение количества TSV сулит и другие преимущества — рост пропускной способности, снижение задержек, повышение энергоэффективности и масштабируемости благодаря распараллеливанию передачи. Это также повышает надёжность, смягчая последствия сбоев за счёт перенаправления данных. Однако эти преимущества сопряжены с повышенной сложностью производства и потенциально более высоким уровнем брака.

Как и другая память HBM3, стеки HBM3 Gen2 от Micron поддерживают коррекцию ошибок ECC Reed-Solomon, мягкое восстановление ячеек памяти, жёсткое восстановление ячеек памяти, а также автоматическую проверку ошибок и поддержку очистки. Помимо высоких частот, стеки Micron HBM3 Gen2 полностью совместимы с современным оборудованием, использующим HBM3.

Micron планирует начать массовое производство своих 24-гигабайтных стеков HBM3 в первом квартале 2024 года, а серийный выпуск 36-гигабайтных стеков HBM3 должен стартовать во второй половине 2024 года.

На сегодняшний день JEDEC ещё не утвердил спецификации для HBM3 со скоростью выше 6,4 ГТ/с, поэтому память Micron HBM3 Gen2, как и конкурирующая память SK hynix HBM3E на данный момент превышают требования стандарта. Но эксперты не сомневаются, что он будет скорректирован, расходясь в предположениях о новом наименовании.

Micron также сообщила, что уже работает над памятью HBMNext. Это новое поколение памяти должно обеспечить полосу пропускания от 1,5 Тбайт/с до более чем 2 Тбайт/с на стек при ёмкости от 36 до 64 Гбайт.