Сегодня 29 мая 2026
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Теги → micron
Быстрый переход

Micron Technology преодолела рубеж в $1 трлн капитализации на волне ИИ-бума

Рыночная капитализация компании Micron Technology впервые за свою историю во вторник ненадолго превысила отметку в $1 трлн, сообщает Reuters. Это событие стало кульминацией стремительного ралли, которое утвердило крупнейшего американского производителя чипов памяти в статусе одного из главных бенефициаров ИИ-бума.

 Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

Котировки акций Micron показали резкий рост после того, как брокерская компания UBS значительно повысила целевой ориентир по бумагам производителя. По мнению главного рыночного стратега B. Riley Wealth Арта Хогана (Art Hogan), преодоление триллионной отметки сигнализирует о колоссальном спросе на память, необходимую для работы дата-центров в условиях революции искусственного интеллекта. Инвесторы начали активнее вкладываться в компании, выигрывающие от масштабных затрат технологических гигантов, сместив фокус с производителей графических процессоров.

В то время как Nvidia создает процессоры для обучения ИИ-моделей, Micron специализируется на чипах для хранения и передачи данных, выводя США в гонку сильных игроков, где традиционно доминирует Азия. Южнокорейская компания Samsung Electronics уже достигла триллионной капитализации, а SK Hynix также приближается к этому показателю. При этом потенциальные сбои в работе Samsung из-за трудовых споров с профсоюзами могут спровоцировать дополнительный рост цен на рынке памяти на фоне уже существующего дефицита.

Выход в элитный клуб триллионеров знаменует уверенное восстановление Micron после постпандемийного периода, когда производители чипов страдали от переизбытка предложения и слабого спроса на потребительскую электронику. В первом квартале текущего года компания стала одним из фаворитов институциональных инвесторов. В частности, около 2440 фондов, включая Rockefeller Capital Management и Schroders, открыли новые позиции в её капитале. За последние двенадцать месяцев акции производителя выросли более чем в восемь раз благодаря сильным финансовым результатам и ограничению цепочек поставок.

Стремление технологических компаний к созданию общего искусственного интеллекта (AGI) сформировало острый дефицит памяти, из-за чего Micron уже распродала весь объём поставок чипов HBM на 2026 год и запустила производство продуктов следующего поколения HBM4. На этом фоне бумаги Micron подскочили на 17,4 %, достигнув отметки в $881,6, а аналитики UBS установили целевую цену на уровне $1625. Акции Micron торгуются с мультипликатором 8,42 к ожидаемой прибыли за следующие 12 месяцев, что значительно ниже показателей индексов S&P 500 (22,15) и Nasdaq 100 (26,23), сохраняя тем самым значительный потенциал дальнейшего роста.

Micron увеличит объёмы производства DDR4 в четыре раза благодаря расширению своего предприятия в Вирджинии

Модернизация производственной площадки в штате Вирджиния, как стало известно из пресс-релиза Micron Technology на этой неделе, позволит компании приступить к использованию самой передовой технологии на территории США, которая совместима с DDR4. Объёмы выпуска памяти данного типа удастся увеличить в четыре раза, что важно в условиях её дефицита.

 Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

Напомним, бум искусственного интеллекта сосредоточил спрос на микросхемах DDR5 и HBM, цены на которые взлетели и оставили производителям не так много причин поддерживать большие объёмы выпуска DDR4. Между тем, память последнего типа по-прежнему востребована рынком, а потому модернизация одного из американских предприятий Micron в таком ключе имела смысл. На эти нужды компания направила $2 млрд, из которых $275 млн относятся к средствам, полученным от американских властей в рамках так называемого «Закона о чипах», принятого ещё при Байдене. Выпуск DDR4 на новых линиях в Вирджинии компания начнёт до конца текущего года.

Память DDR4 ещё долго будет востребована производителями оборонных систем, автомобильной и медицинской техники, промышленного и телекоммуникационного оборудования, не говоря уже об аэрокосмической сфере. Решение о прекращении масштабного выпуска DDR4 и LPDDR4 сама Micron приняла ещё в прошлом году, в начале текущего она отправила последние партии такой продукции своим клиентам в потребительском и серверном сегментах. Дальнейший выпуск DDR4 компанией Micron будет сосредоточен на специализированных сегментах рынка, по всей видимости.

Техпроцесс 1α, который Micron внедрила на своём предприятии в Вирджинии, позволяет на 40 % увеличить плотность размещения транзисторов по сравнению с 1z, а также создавать ячейки размером менее 15 нм. При этом он позволяет обходиться более доступным оборудованием для DUV-литографии, а не дорогим для EUV. Техпроцессы 1β и 1γ компания Micron будет использовать для выпуска DDR5, LPDDR5 и HBM. Фактически, новые линии в Вирджинии смогут обеспечить спрос на DDR4 и LPDDR4 со стороны американского рынка. В общей сложности, в ближайшие двадцать лет Micron намеревается направить на расширение производства в США около $200 млрд. Крупные производственные кластеры она строит в штатах Нью-Йорк и Айдахо. В Вирджинии расположится предприятие по упаковке памяти типа HBM.

Власти США назвали пошлины на полупроводники действенным стимулом к локализации производства чипов

Торговый представитель США Джеймисон Грир (Jamieson Greer) недавно признался, что власти страны продолжают считать импортные пошлины на полупроводниковые компоненты эффективным инструментом стимулирования локального производства. При этом в ближайшее время у правительства нет планов по их заметному изменению.

 Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

Свои заявления чиновник сделал на мероприятии, посвящённом расширению предприятия Micron Technology в северной части штата Вирджиния. По его словам, правительство продолжает вести диалог с представителями отрасли по поводу величины и сроков введения новых тарифов, хотя «завтра или на следующей неделе» никто их вводить не собирается. «Мы должны удостовериться, что сделаем это вовремя и в нужном размере, чтобы упростить процесс возвращения промышленности в США», — пояснил Грир.

В январе этого года Министерство торговли США подтвердило, что зависимость от импорта полупроводниковых компонентов представляет угрозу для национальной безопасности. Президент Дональд Трамп (Donald Trump) поручил чиновникам провести переговоры с ключевыми экспортёрами на тему тарифного регулирования. По итогам недавней встречи американского президента с китайским коллегой позиция властей США по этому вопросу не изменилась, как подчеркнул Грир. Действующий подход позволяет локализующим производство в США компаниям ввозить определённую часть своей продукции из-за рубежа по льготным тарифным ставкам, но только при условии последующей локализации её выпуска.

Micron собирается в ближайшие двадцать лет направить $200 млрд на развитие производства памяти в США. Компания старается нарастить объёмы выпуска памяти в условиях бума ИИ, но дополнительные мощности появляются медленнее, чем растёт спрос. На конкурирующих Samsung и SK hynix власти США готовы тоже воздействовать при помощи импортных тарифов, если те не будут вкладываться в расширение своего производства в США. Глава Micron пояснил, что на строительство нового предприятия уходит несколько лет, а вот как быстро готовый корпус можно оснастить оборудованием, зависит от текущих прогнозов по рыночному спросу на продукцию. Главное в этой сфере — быть готовым к удовлетворению спроса, как подчеркнул генеральный директор компании Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra). Компания сейчас заключает с клиентами долгосрочные контракты, чтобы повысить предсказуемость поставок памяти.

Micron начала пробные поставки передовых модулей DDR5-9200 RDIMM объёмом 256 Гбайт

Американская компания Micron Technology сегодня заявила о начале поставок образцов модулей памяти типа RDIMM, работающих в режиме DDR5-9200 и предлагающих объём 256 Гбайт в сочетании с несколькими другими инновационными решениями. Поднимая планку как быстродействия, так и ёмкости, Micron оптимально удовлетворяет растущие запросы серверного сегмента рынка.

 Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

Во-первых, как отмечается в пресс-релизе производителя, новые модули памяти оснащены микросхемами DDR5, изготовленными по новейшему техпроцессу 1-гамма 10-нм класса. Во-вторых, эти модули обеспечивают скорость передачи информации до 9200 мегатранзакций в секунду. Кроме того, они имеют трёхмерную компоновку 3DS с межслойными соединениями TSV. Один такой модуль обеспечивает повышение скорости передачи информации с 6400 до 9200 Мт/с при снижении энергопотребления на 40 % по сравнению с двумя модулями предыдущего поколения объёмом по 128 Гбайт.

Регистровые модули RDIMM применяются в серверных системах и рабочих станциях. В условиях бума искусственного интеллекта, сосредоточившего спрос на серверной инфраструктуре, появление подобного продукта выглядит очень своевременным. После валидации данных модулей партнёрами и клиентами Micron сможет приступить к их серийным поставкам.

Micron выпустила первый SSD ёмкостью 245 Тбайт — Micron 6600 ION для центров обработки данных

Компания Micron Technology объявила о начале поставок твердотельного накопителя Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт, самого вместительного из доступных на рынке накопителей. Новинка предназначена для поддержки рабочих нагрузок в области искусственного интеллекта, облачных вычислений, корпоративных и гипермасштабных приложений, включая хранилища данных следующего поколения для ИИ, а также облачные файловые и объектные хранилища.

 Источник изображений: Micron

Источник изображений: Micron

По словам производителя, для накопителей Micron 6600 ION E3.L ёмкостью 245 Тбайт требуется на 82 % меньше стоек по сравнению с развёртыванием на основе жёстких дисков. В основе накопителей используется фирменная флеш-память Micron G9 QLC NAND, «которая как минимум на одно поколение опережает любую конкурирующую память QLC, используемую в накопителях для центров обработки данных», заявляет компания.

Твердотельный накопитель Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт доступен в форм-факторах U.2 и E3.L. Один накопитель под нагрузкой потребляет до 30 Вт мощности, что вдвое меньше потребления HDD соответствующей ёмкости. Благодаря этому накопители Micron 6600 ION позволяют снизить стоимость эксплуатации, помогая сократить энергопотребление, потребности в охлаждении и выбросы углекислого газа — ключевые приоритеты для глобальных операторов в условиях растущего экологического и финансового давления.

Ключевые особенности Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт на основе лабораторных тестов:

  • SSD обеспечил до 84 раз лучшую энергоэффективность, в 8,6 раза более быструю предварительную обработку ИИ и в 3,4 раза большую пропускную способность при приёме данных, а также до 29 раз меньшую задержку;
  • продемонстрировал до 435 раз большую пропускную способность на ватт, в 96 раз более быстрое время до первого байта и в 58 раз большую суммарную пропускную способность.

Micron также отмечает, что при масштабировании для установки жёстких дисков требуется в 1,9 раза больше энергии, чем для установки твердотельных накопителей Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт в расчёте на один эксабайт. Повышение энергоэффективности при масштабировании может привести к измеримым последствиям для устойчивого развития, таким как:

  • CO2-эквивалент равный количеству CO2, поглощаемому более чем 9000 взрослыми деревьями в год;
  • сокращение выбросов CO2 на 438 метрических тонн в год;
  • экономия энергии на 921 мегаватт-час в год;
  • экономия на охлаждении систем кондиционирования воздуха составляет более 3,14 Btu в год.

ИИ положил конец циклам на рынке памяти — спрос будет постоянно расти до 2030 года

Отрасль по производству микросхем памяти исторически жила по ритмичным циклам, которые то обогащали участников рынка, то вводили их в глубокие убытки. С появлением генеративного искусственного интеллекта спрос на память продолжает непрерывно расти, аналитики Melius Research даже выразили уверенность, что тенденция сохранится до конца десятилетия. Котировки акций Micron и Sandisk на этом фоне выросли.

 Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

В частности, акции Micron вчера подорожали на 5,6 %, поскольку эксперты Melius Research выразили уверенность в их способности прибавить в цене 41 % в ближайшие 12 месяцев. За предыдущий год котировки акций Micron выросли более чем на 550 %. По мнению аналитиков, Nvidia вскоре начнёт тратить на память ещё больше средств: «Мы находимся в самом начале этого ИИ-цикла, и спрос на память ещё никогда не был так высок». Котировки акций Micron находятся на рекордном уровне, капитализация компании приближается к $600 млрд.

Sandisk, которая специализируется на памяти типа NAND, вчера показала рост котировок акций на 8,1 %, поскольку Melius Research считает возможным дальнейшее движение вверх на 36 % в течение последующих 12 месяцев. В прошлом году акции Sandisk подорожали на 3000 % и позволили капитализации компании превысить отметку в $157 млрд. По данным Counterpoint Research, рынок DRAM уже на протяжении двух кварталов подряд демонстрирует рост более чем на 30 % в денежном выражении, поскольку цены на память стремительно растут. Аналитики Gartner ожидают, что цены на ПК в этом году вырастут на 17 %. Твердотельные накопители для ПК с декабря подорожали в два-три раза.

На расширение производства памяти путём строительства нового предприятия уходит не менее двух с половиной лет, поэтому рост предложения сдерживается даже при наличии у производителей желания продавать больше памяти. При этом участники рынка демонстрируют заинтересованность в заключении долгосрочных контрактов на поставку памяти сроком на три или пять лет. Помимо прочего, такие контракты позволяют получать от клиентов крупные авансовые платежи, которые можно направить на расширение производственных мощностей. Micron и SK hynix готовы тратить десятки миллиардов долларов США на строительство новых предприятий по выпуску памяти как в США, так и в Азии.

Для самых мощных видеокарт: Micron начала поставки 3-Гбайт чипов GDDR7 со скоростью 32 Гбит/с

В конце позапрошлого месяца компания Micron Technology представила микросхемы GDDR7 объёмом 3 Гбайт, способные работать на скорости до 36 Гбит/с, но к их поставкам она до сих пор не приступила. Зато в каталоге продукции на сайте производителя уже упоминаются микросхемы аналогичной ёмкости, работающие на частотах до 32 Гбит/с.

 Источник изображений: Micron Technology

Источник изображений: Micron Technology

Как поясняет VideoCardz, наиболее быстрые чипы GDDR7 объёмом 3 Гбайт компания Micron пока только поставляет клиентам в виде инженерных образцов, а в стадии массового производства находятся чипы, работающие с более низкой скоростью 28 Гбит/с. Два других крупных производителя оперативной памяти — Samsung Electronics и SK hynix, тоже располагают микросхемами GDDR7 объёмом 3 Гбайт в ассортименте собственной продукции. Такие чипы, например, использовались графическими решениями Nvidia GeForce RTX 5090 (в исполнении для ноутбуков) и профессиональным графическим адаптером RTX 6000 поколения Blackwell.

На уровне слухов ранее обсуждалась возможность использования такой памяти видеокартой GeForce RTX 5050 с 9 Гбайт памяти, но в какие сроки она появится, не уточняется. Некоторые эксперты вообще сомневаются, что в этом году Nvidia представит новое поколение игровых видеокарт. Даже если это случится, то не ранее начала осени. Пока же остаётся только гадать, в каких количествах будет востребована память типа GDDR7 объёмом по 3 Гбайт на чип.

Micron обозначила сроки создания многоярусной памяти GDDR7

Бум технологий искусственного интеллекта показал, что для разных вычислительных нагрузок требуется разная память. Производители последней экспериментируют с альтернативами дорогой HBM, и многоярусная GDDR7 может стать одной из них. Micron первые прототипы такой памяти надеется получить в следующем году, а к разработке и тестированию приступит в следующем полугодии.

 Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

Исторически память типа GDDR использовалась видеокартами, но ускорители вычислений для систем искусственного интеллекта как раз оснащаются графическими процессорами в сочетании с более дорогой и сложной в производстве HBM. Нарастить удельный объём GDDR позволит увеличение количества ярусов в стеке, но даже при такой компоновке GDDR7 окажется дешевле HBM. Пропускная способность в первом случае также будет ниже, но для определённых задач типа инференса характеристик многоярусной GDDR7 должно вполне хватить.

По уровню быстродействия многоярусная GDDR7 как раз расположится между классической GDDR и HBM. По сути, новый вид памяти можно будет применять и в игровых видеокартах, поэтому разработка Micron может быть востребована не только в сегменте инфраструктуры для ИИ. Помимо более низкой цены, многоярусная GDDR7 по сравнению с HBM будет использовать более простые технологии упаковки. Выпускать такую память можно будет в существенно больших количествах по сравнению с HBM. Если Micron преуспеет в создании такой памяти, она может занять доминирующие позиции в перспективном сегменте рынка. Стоимость одного гигабайта памяти многоярусной GDDR7 будет в десять или двадцать раз ниже, чем у HBM.

При этом нельзя утверждать, что создание многоярусной GDDR7 окажется лёгкой задачей с технической точки зрения. Помимо поиска технологии соединения ярусов, нужно как-то решить проблему теплоотвода и возросшего энергопотребления. Важно сохранить ценовое преимущество при производстве такой памяти, иначе вся затея не оправдает себя.

С середины месяца акции Micron упали в цене на 30 %

В первую торговую сессию на этой неделе акции компании Micron Technology снизились в цене ещё на 10 %, усугубив снижение курса, которое наблюдалось с момента оглашения итогов фискального квартала 18 марта. В общей сложности, с того момента акции Micron успели подешеветь на 30 %.

 Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

В минувшую пятницу, как отмечает CNBC, акции Micron успели частично отыграть итоги предыдущего шестидневного падения, но в понедельник оно усугубилось и привело к тому, что с 18 марта акции компании потеряли в цене 30 %. Принято считать, что неделя началась с угроз Дональда Трампа (Donald Trump) по разрушению важных для Ирана объектов нефтяной инфраструктуры, и данная перспектива оказала негативное влияние на фондовый рынок, включая и котировки акций в технологическом секторе.

В частности, облачные провайдеры CoreWeave и Nebius просели в цене на 8 %, тогда как акции Sandisk и Western Digital, производящих твердотельную память и жёсткие диски, подешевели на 7 и 9 % соответственно. Давление на котировки акций производителей памяти оказал и анонс корпорацией Google методики сжатия данных TurboQuant, которая должна позволить сократить потребность в памяти при работе с ИИ-моделями. Кроме того, руководство Micron призналось, что компания может покрыть лишь от половины до двух третей потребностей своих клиентов в микросхемах памяти, а для увеличения производственных мощностей придётся резко увеличивать капитальные расходы. Тем не менее, по сравнению с прошлым годом, курс акций Micron всё равно выше на 270 % даже на текущих уровнях. Правда, с начала этого года он поднялся всего на 2 %.

Выпуск DDR5 стал прибыльнее HBM для всех крупнейших производителей памяти

В декабре прошлого года руководство Micron Technology призналось, что норма прибыли при выпуске классических типов DRAM, например, DDR5, оказалась выше обеспечиваемой при производстве HBM. Недавно он снова вернулся к этому тезису, говоря об итогах минувшего фискального квартала. Конкуренты располагают примерно такими же финансовыми показателями.

 Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

По крайней мере, News 1 со ссылкой на руководство SK hynix сообщает, что обычная DDR уже обеспечивает норму прибыли в районе 80 %, тогда как при выпуске HBM она колеблется в районе 60 %. В прошлом квартале норма прибыли Micron в целом по компании выросла последовательно с 75 до 81 %, что также говорит о росте прибыльности бизнеса не только в сегменте HBM. Samsung на правах крупнейшего производителя памяти соответствующие тенденции прочувствовала ещё в конце прошлого года.

Для выпуска HBM тоже требуются кристаллы DRAM, рост спроса на первый тип памяти первоначально вызывал рост цен на DDR5, поскольку последних чипов на рынке становилось меньше. В определённый момент производители бросились наращивать выпуск HBM в ущерб DDR5, поэтому цены на последнюю выросли до такого уровня, что сейчас её продавать выгоднее. Тем более, что затраты на выпуск DDR5 значительно ниже, чем в случае с HBM, а потому разница между доходами и расходами заметно больше, и прибыль растёт активнее.

Южнокорейские производители опережают китайских в части технологий выпуска HBM примерно на три года, но если цены останутся на высоком уровне, то у китайских конкурентов появится определённый шанс закрепиться на международном рынке DDR. Правда, санкции США могут этому помешать, но китайские производители в любом случае заинтересованы в скорейшей организации массового выпуска HBM и экспансии производства DDR.

В условиях дефицита памяти поставщики начали диктовать выгодные себе условия. Как уже отмечалось ранее, Samsung намеревается заключать со своими клиентами долгосрочные контракты на период от трёх до пяти лет, гарантируя поставку определённых объёмов продукции, но с привязкой цены к текущим уровням на рынке моментальных сделок. Кроме того, покупателям придётся сделать крупные авансовые платежи в пользу будущих поставок, и как они будут засчитываться, во многом будет зависеть от динамики рыночных цен.

Micron со своими клиентами также заключает долгосрочные контракты, но они также охватывают и исследовательскую деятельность, поскольку будущие типы HBM, например, должны учитывать индивидуальные запросы конкретных клиентов, а потому соответствующую адаптацию памяти необходимо прописывать в договорах. Micron также сосредотачивается на комплексных поставках продукции для нужд ЦОД, которые охватывают DDR5 и HBM одновременно.

Поскольку новые мощности по выпуску памяти будут введены в строй не ранее конца следующего года, при сохранении растущего спроса на микросхемы памяти будут увеличиваться и нормы прибыли производителей. Руководство SK hynix пытается найти инновационный подход к стабилизации цен на память, но удастся ли его реализовать, станет понятно в ближайшее время.

Micron сейчас способна покрывать спрос на память от силы на две трети от требуемого уровня

Недавние заявления руководства Micron Technology о намерениях увеличить капитальные затраты ради более полного удовлетворения спроса на память вызвали снижение курса акций компании. Тем не менее, генеральный директор Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) подчёркивает, что нынешние объёмы выпуска позволяют Micron покрывать лишь от 50 до 67 % спроса, а потому проблему дефицита решить не позволят.

 Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

Чтобы покрыть растущий спрос, Micron должна будет серьёзно потратиться на расширение производства, как подчеркнул глава компании. «Мы способны обеспечивать наших ключевых клиентов в среднесрочной перспективе лишь от 50 % до двух третей их потребности»,заявил Мехротра в интервью CNBC. По прогнозам руководства Micron, до конца текущего года на рынке сохранится дефицит как DRAM, так и NAND, причём и в следующем году такое положение дел будет актуально. Разрыв между спросом и предложением на рынке памяти глава Micron назвал «беспрецедентным».

Выпуск DRAM для производителей сейчас является более выгодным бизнесом, поэтому доступные для производства NAND ресурсы перераспределяются в пользу первого типа памяти. Это вызывает дефицит и рост цен на твердотельную память. Кроме того, в сегменте DRAM основные объёмы продукции уходят на серверный рынок, в результате страдают сегмент ПК и смартфонов. Ещё одним следствием дефицита DRAM становится ускорение износа твердотельных накопителей (SSD), которые активнее используются для размещения файлов подкачки. Эти накопители тоже дорожают из-за роста цен на NAND.

Для китайских производителей памяти сложившиеся условия представляют определённый шанс для выхода на международный рынок, но только не в тех случаях, когда поставки китайской памяти упираются в запреты со стороны США. Ведущие китайские производители памяти в лице YMTC и CXMT недавно исчезли из санкционного списка Пентагона, но могут вернуться в него после внесения изменений в профильные документы. Американским производителям электроники данная неопределённость в условиях дефицита памяти точно не добавит уверенности в будущем.

Micron пообещала дать бой дефициту памяти, резко увеличив капитальные затраты — инвесторы не в восторге

Американская компания Micron Technology на этой неделе отчиталась о результатах второго квартала 2026 фискального года. Её выручка почти утроилась до $23,86 млрд, но инвесторов расстроило заявление руководства о необходимости увеличить капитальные затраты ради борьбы с дефицитом памяти. По итогам публикации отчётности акции Micron подешевели на 4,43 % после закрытия торгов.

 Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

В условиях роста цен на память Micron по итогам прошлого фискального квартала не только утроила выручку. Её норма прибыли в годовом сравнении увеличилась с 36,8 до 74,4 %, а операционная прибыль выросла в восемь или девять раз, в зависимости от методики расчёта. Чистая прибыль тоже увеличилась пропорционально, а размер квартальных дивидендов решено было увеличить на 30 %.

Самое интересное, что выручка Micron равномерно увеличивалась по всем четырём основным направлениям деятельности: в облачном сегменте (в 2,6 раза), на направлении центров обработки данных (в 3,1 раза), в сегменте мобильных и клиентских решений (в 3,5 раза) и в секторе автомобильной и встраиваемой электроники (в 2,6 раза). То есть, нельзя утверждать, что серверный сегмент «перетянул одеяло», хотя его совокупная доля выручки (вместе с облачным) превысила 56 %.

В текущем квартале Micron рассчитывает на увеличение выручки более чем на 200 % до $33,5 млрд, что значительно выше заложенных аналитиками в свои прогнозы $24,3 млрд. Собственно, результаты прошлого квартала также превзошли ожидания рынка, но росту курса акций компании это не способствовало, поскольку руководство заявило о необходимости резкого увеличения капитальных расходов. В следующем фискальном году, который начнётся нынешней осенью, Micron увеличит капитальные затраты более чем на $10 млрд. Компания возводит крупные фабрики по производству памяти в штате Айдахо и собирается расширять свои мощности в штате Нью-Йорк. Первая из площадок начнёт выдавать продукцию к середине следующего года. В Нью-Йорке выпуск памяти на новых предприятиях начнётся во второй половине 2028 года. Кроме того, сделка с тайваньской PSMC также потребует дополнительных инвестиций в производственную инфраструктуру со стороны Micron.

Сейчас Micron уже выпускает память типа HBM4 для Nvidia, а в следующем году будет развёрнут выпуск HBM4E. По данным Nvidia, ускорители поколения Feynman, которые выйдут в 2028 году, будут использовать кастомизированную HBM. Это значит, что производителям памяти придётся более плотно работать с Nvidia на этапе подготовки к её массовому выпуску.

Аналитики ожидали, что капитальные затраты Micron в этом фискальном году, который завершается в августе, не превысят $22,4 млрд, но теперь компания рассчитывает потратить на соответствующие нужды $25 млрд вместо первоначально запланированных $20 млрд. В следующем фискальном году эти расходы увеличатся ещё более чем на $10 млрд. Компания надеется благодаря быстрому расширению производства памяти устранить её дефицит или хотя бы способствовать этому.

Micron запустила массовое производство памяти HBM4 для Nvidia Vera Rubin

Поскольку на этой неделе Nvidia официально представила свою ИИ-платформу Vera Rubin, компания Micron Technology не нашла причин для дальнейшего сокрытия факта сотрудничества с ней в области поставок памяти типа HBM4. Было объявлено, что этот третий по счёту поставщик приступил к серийному производству микросхем HBM4 в 12-ярусном исполнении.

 Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

В одном стеке HBM4 при такой компоновке содержится 36 Гбайт памяти, которая способна передавать информацию со скоростью более 1 Гбит/с на контакт, обеспечивая совокупную пропускную способность на уровне 2,8 Тбайт/с. По сравнению с HBM3E той же марки, это соответствует росту пропускной способности в 2,3 раза и улучшению энергетической эффективности более чем на 20 %, как отмечает Tom’s Hardware. Micron Technology также отправила своим клиентам образцы 16-ярусных чипов HBM4 объёмом 48 Гбайт. По сравнению с 12-ярусным стеком, они обеспечивают увеличение удельной ёмкости на 33 %.

Одновременно Micron объявила о начале массового производства твердотельных накопителей семейства 9650, обеспечивающих поддержку новейшего интерфейса PCI Express 6.0. Данные накопители обеспечивают скорость последовательного чтения до 28 Гбайт/с и 5,5 млн операций ввода-вывода в секунду на операциях произвольного чтения. По сравнению с накопителями, оснащаемыми интерфейсом PCI Express 5.0, это обеспечивает вдвое более высокое быстродействие на операциях чтения, энергоэффективность также увеличивается в два раза. Данные накопители оптимизированы для использования в составе стоек BlueField-4 STX, относящихся к платформе Vera Rubin.

Кроме того, Micron представила модули памяти типа SOCAMM2 объёмом 192 Гбайт, также оптимизированные для решений Nvidia семейства Vera Rubin, включая стойки NVL72 и обособленные платформы на основе центральных процессоров Vera. Эти модули памяти будут предлагаться в диапазоне ёмкостей от 48 до 256 Гбайт. Платформа Vera Rubin поддерживает до 2 Тбайт оперативной памяти, а пропускная способность на один процессор достигает 1,2 Тбайт/с при использовании данной памяти. Все три новинки Micron уже производятся серийно и могут поставляться для нужд Nvidia и её партнёров, выпускающих решения семейства Vera Rubin.

Micron построит вторую фабрику по производству памяти на Тайване рядом с купленной у PSMC

Сделка между Micron Technology и тайваньским контрактным производителем PSMC по продаже предприятия на Тайване под нужды упаковки памяти показала пример того, как бум ИИ может открыть новые возможности даже перед компаниями, которые до недавних пор не были на острие технического прогресса. Как выясняется, рядом с уже купленным у PSMC предприятием Micron построит второе подобное.

 Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

Как отмечает Reuters, американская Micron Technology сегодня сообщила о закрытии сделки по покупке предприятия P5 у PSMC на Тайване за $1,8 млрд. Напомним, в рамках данной сделки Micron интересовала преимущественно сама производственная площадка, поскольку новый собственник намерен избавиться от имеющегося на ней оборудования, завести новое и наладить тестирование и упаковку микросхем памяти HBM с участием прежнего владельца предприятия в лице PSMC. Кроме того, здесь же Micron намеревается выпускать и классическую DRAM, спрос на которую в условиях ИИ-бума также весьма высок. При этом PSMC своему оборудованию с проданного предприятия найдёт применение в другой части Тайваня, так что оно не будет просто отправлено на свалку.

Схема сотрудничества подразумевает, что Micron будет платить PSMC за тестирование и упаковку HBM на тайваньской площадке P5. Переезд персонала и оборудования PSMC будет организован в несколько фаз, чтобы минимально влиять на производственные процессы. Примерно за полтора года Micron станет полноправным владельцем предприятия в Тунлуо, которое купила за $1,8 млрд. Как отмечает американский производитель, второе предприятие по производству и упаковке памяти в Тунлуо будет по своим масштабам сопоставимо с первым. Другими словами, здесь на площади около 28 000 квадратных метров будут обрабатываться кремниевые пластины типоразмера 300 мм.

Строительство нового предприятия Micron начнёт летом этого года, в эксплуатацию оно будет введено через пару лет. От Тайчжуна, где у Micron уже имеется производственная инфраструктура, новая площадка расположена на незначительном по меркам Тайваня удалении. Как отмечает TrendForce со ссылкой на японские СМИ, компания Micron также расширяет свои производственные мощности в данной стране. В западной части площадки в Хиросиме, где у Micron уже имеется предприятие по выпуску памяти, наблюдается строительная активность. Дополнительные мощности планируется ввести в строй к февралю 2028 года. В Японии Micron собирается наладить выпуск не только DRAM перспективных типов, но и HBM. Церемония торжественной закладки фундамента новой японской фабрики намечена на май этого года. Через пару лет с конвейера нового предприятия начнёт сходить память типа HBM. Строительство движется с опережением графика, на уровне финансирования его поддерживают государственные субсидии. В Индии в конце февраля Micron открыла своё первое в стране предприятие по тестированию и упаковке чипов с использованием современных технологий. Когда оно выйдет на полную мощность, то сможет обрабатывать до 10 % мировых объёмов продукции Micron.

В самый раз для ИИ: Micron выпустила первый в мире модуль памяти LPDRAM SOCAMM2 на 256 Гбайт

Компания Micron представила первый в мире высокопроизводительный модуль оперативной памяти LPDRAM SOCAMM2 объёмом 256 Гбайт — он разработан специально для работы в центрах обработки данных и рабочих нагрузок в области искусственного интеллекта.

 Источник изображений: micron.com

Источник изображений: micron.com

Оперативная память нового типа потребляет втрое меньше мощности и отличается компактными габаритами модуля — сам модуль построен на монолитных кристаллах объёмом 32 Гбит. При наличии 8-канального центрального процессора в системе с 2 Тбайт памяти скорость при рабочей нагрузке инференса (запуска) ИИ увеличивается в 2,3 раза по важнейшему показателю — времени до выдачи первого токена.

Новый модуль памяти Micron ориентирован на задачи вывода больших языковых моделей и прочие рабочие нагрузки, в которых объёмы памяти, пропускная способность, эффективность и величина задержки определяют производительность и масштабируемость. Формфактор SOCAMM2 представляет собой идеальное решение с более компактными размерами модулей и сниженным потреблением энергии в сравнении с традиционным форматом RDIMM. Разработку компонента компания Micron вела совместно с Nvidia. В рабочих нагрузках ИИ видеопамять на графическом процессора имеет решающее значение, но при больших объёмах KV-кеша его можно частично выгружать в более дешёвую общую системную память, если та достаточно быстрая — и эту возможность предлагает LPDRAM SOCAMM2 от Micron.


window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Yandex B2B Tech, Selectel и MetaMentor представили ИИ ПАК по подписке 3 ч.
Apple выпустила первую публичную бета-версию iOS 26.6 4 ч.
Первое за 11 лет дополнение к The Witcher 3: Wild Hunt будет не меньше, чем «Кровь и вино» — подробности «Баллад прошлого» 5 ч.
Миллион героев: продажи Heroes of Might & Magic: Olden Era за месяц в раннем доступе достигли впечатляющей величины 6 ч.
Пиратская градостроительная стратегия Corsair Cove получила новый трейлер, дату выхода и демоверсию в Steam 7 ч.
Activision наконец анонсировала Call of Duty: Modern Warfare 4 — первый трейлер, дата выхода и релиз на Switch 2 8 ч.
Собственный мир дикой природы: разработчики Elite: Dangerous анонсировали амбициозный симулятор зоопарков Planet Zoo 2 10 ч.
Хакеры теперь требуют с российских компаний по 50 млн рублей за данные и молчание — а потом охотно торгуются 11 ч.
«Это просто нечто»: геймплейный трейлер метроидвании Silent Planet: Elegy of a Dying World заворожил фанатов Castlevania: Symphony of the Night 14 ч.
Инженера Google арестовали после того, как он заработал $1,2 млн на ставках в Polymarket 15 ч.