Теги → micron
Быстрый переход

Micron подала запрос на выкуп доли Intel в компании по производству 3D XPoint

Официальным пресс-релизом компания Intel сообщила, что её партнёр по совместному предприятию IM Flash Technology (IMFT) компания Micron воспользовалась своим правом выкупить долю Intel в СП. Процесс выкупа произойдёт не сразу, а не ранее чем через 6 месяцев, и не позже, чем через 12 месяцев. Дату будет устанавливать компания Intel. После этого Micron ещё один год будет поставлять Intel микросхемы 3D XPoint по цене, близкой к себестоимости производства. И только потом Micron будет вольна продавать чипы для накопителей Intel Optane по рыночным (контрактным) ценам.

Стоимость доли Intel в СП IMFT оценивается на уровне $1,5 млрд. Выпуском памяти 3D XPoint занимается бывший завод Micron в штате Юта. Сегодня это единственное в мире предприятие, линии которого адаптированы для производства памяти 3D XPoint. К моменту завершения всякой совместной деятельности с Micron компания Intel рассчитывает запустить производство микросхем 3D XPoint на одном из своих заводов. В декабре в ходе одного из докладов высшего руководства Intel стало известно, что для выпуска 3D XPoint компания модернизирует свою самую первую 300-мм фабрику в США. Это предприятие Fab 11X в Рио Ранчо (штат Нью-Мексико). У компании Intel есть в запасе ещё примерно два года, чтобы самостоятельно наладить производство памяти для накопителей под брендом Optane.

О том, что в области разработки и производства 3D XPoint пути Intel и Micron разойдутся, стало известно ещё в июне 2018 года. Сейчас компании завершают разработку второго поколения данного типа памяти (как считается ― памяти с изменяемым фазовым состоянием вещества или PCM). После этого каждая из них третье поколение памяти 3D XPoint будет разрабатывать самостоятельно. По некоторой информации, компания Micron заподозрена в нарушении патентов на технологии производства памяти PCM, что могло заставить компанию Intel начать отмежёвываться от партнёра.

Первым память PCM (PRAM) ещё с полсотни лет назад предложил учёный и изобретатель Стэнфорд Овшинский (Stanford Ovshinsky). За это время продано множество лицензий и получено огромное число патентов на технологии работы и производства данного вида энергонезависимой памяти. В процессе участвовали и участвуют десятки компаний и сотни научных учреждений. Там настолько всё запутанно, что можно не удивляться, если виновным в нарушении может оказаться только один из партнёров. В данном случае ― компания Micron.

Квартальный отчёт Micron: компания сожалеет, что память начала дешеветь

  • Micron промахнулась с прогнозом выручки, заработав $7,91 млрд вместо $8,02 млрд.
  • На квартальную выручку плохое влияние оказала тарифная война США и Китая.
  • Акции компании упали в цене на 7 % и больше.

Три месяца назад на волне продолжающегося роста цен на память компания Micron побила очередной финансовый рекорд и стала второй по величине полупроводниковой компанией в США. Тогда квартальная выручка Micron достигла $8,44 млрд. Но уже тогда появились признаки, что время лёгких денег для компании и индустрии производства DRAM в целом заканчивается. И действительно, отчёт за следующие три месяца работы Micron подтвердил, что компания последовательно снизила выручку на 5 % (до $7,91 млрд) и получила на 23 % меньше чистой прибыли ($3,29 млрд).

Reuters

Reuters

В годовом отношении квартальные выручка и прибыль Micron пока ещё выросли, соответственно на 16 % и 23 %, но прогноз на следующий квартал уже не оставляет сомнения, что дальше будет только хуже. Согласно прогнозу Micron, в текущем квартале выручка составит от $5,7 млрд до $6,3 млрд. Аналитики Yahoo Finance, например, ожидают от компании выручки на уровне $7,34 млрд, что существенно выше ожиданий производителя. Как на такое реагирует рынок ценных бумаг? Конечно же, снижением котировок, и акции Micron после публикации отчёта сразу упали на 8,5 %.

Интересно отметить, что Micron считает трудности временными. По словам руководства компании, снижение спроса на память для смартфонов и ПК легло на значительные инвентарные запасы памяти не только её производства, но и на запасы её конкурентов. Проблема с нераспроданной памятью может быть решена в течение первого полугодия 2019 года, и во второй половине года цены на память снова могут пойти вверх. Кстати, руководство компании SK Hynix придерживается похожего мнения. В компании призывают не рассчитывать, что в 2019 году может произойти какое-то значительное снижение цен на память.

Reuters

Reuters

Возвращаясь к компании Micron, добавим, что в 2019 финансовом году (в период с декабря 2018 года по конец ноября 2019 года) ожидается в целом прибыльный год. Но это также не означает, что компания не будет делать каких-то превентивных действий, чтобы избежать убытков. Например, уже начались разговоры о сокращении капитальных затрат в 2019 финансовом году.  Что же, если нам два года приходилось затягивать пояса, чтобы купить память, то теперь очередь затягивать пояс компании Micron.

Если разбираться с продажами Micron по главным категориям продуктов, то можно узнать, что в отчётном квартале от поставок памяти DRAM компания получила 68 % выручки, тогда как поставки памяти NAND принесли 28 %. Квартальная выручка от поставок DRAM последовательно сократилась на 9 %, хотя за год пока ещё показала рост на 18 %. Выручка от поставок NAND снизилась на 2 % за квартал и увеличилась на 17 % за год. Средняя цена продажи оперативной памяти за квартал упала на величину до 10 %, а средняя цена продажи микросхем NAND уменьшилась до 5 %. При этом памяти DRAM компания Micron больше продавать не стала, хотя поставки NAND увеличились до 5 %.

Наконец, компанию Micron не обошла больная тема тарифной войны США и Китая. В конце сентября Президентом США Дональдом Трампом был введен 10 % тариф на товары из Китая в объёме $200 млрд. Это уменьшило валовую прибыль Micron в отчётном квартале на 0,5 %. В течение следующего года руководство компании обещает придумать, как минимизировать ущерб от санкций.

TrendForce: цены на DRAM продолжают падать, в начале 2019 года тенденция сохранится

Как сообщает DRAMeXchange, подразделение TrendForce, контрактные цены на продукцию DRAM начали снижаться начиная с последнего квартала текущего года. Для некоторых контрактов стоимость чипов была снижена вдвое, что очень редко наблюдается на рынке. Ситуация указывает на то, что OEM-производители в настоящее время прогнозируют дальнейшие проблемы рынка, так что снижение цен на память в первом квартале 2019 года должно продолжиться.

В ноябре этого года средние цены на модули DRAM низкого и среднего класса объёмом 4 и 8 Гбайт начали падать, в то время как цены модулей высокого класса остались на прежнем уровне. Средняя контрактная цена 4-Гбайт модулей DRAM за ноябрь снизилась на 3,2 % с $31 до $30. В то же время средняя контрактная цена модулей DRAM на 8 Гбайт уменьшилась на 1,6 % с $61 до $60.

DRAMeXchange считает, что средние отпускные цены на DRAM снизятся почти на 8 % в четвёртом квартале года по сравнению с третьим. В частности, память DRAM для ПК, серверов и специализированных решений продемонстрирует падение, близкое к 10 %. Для сравнения: средняя стоимость мобильной DRAM опустится лишь на 5 %, потому что ранее рост цен на этот вид памяти был более умеренным.

Если же говорить о первом квартале 2019 года, то ожидается дальнейшее увеличение предложения за счёт наращивания доли продуктов, выпускаемых по 1Y-нм нормам, повышения доли выхода годных чипов и дальнейшего расширения производственных мощностей на фабрике Samsung в Пхёнтхэке в последней четверти этого года. В то же время традиционно первый квартал года отличается пониженным спросом, к тому же рост рынка смартфонов почти остановился по сравнению с предыдущими годами. В результате снижение цен мобильной DRAM в начале 2019 года может усилиться, да и в целом ожидается более сильное падение стоимости DRAM, чем в последней четверти 2018 года.

На снижение цен также будут оказывать последствия торговые споры в США и Китая. В частности, продукты DDR4 могут продемонстрировать более резкое падение цен по сравнению с DDR3 из-за слабого спроса со стороны ПК и серверов.

Бывший инженер Intel обвиняется в краже секретов 3D XPoint в пользу Micron

Как известно, в деле совместной разработки следующего поколения памяти 3D XPoint компании Intel и Micron «подали на развод». Начиная с 2019 года каждая из них будет самостоятельно разрабатывать этот новый вид энергонезависимой памяти и продукцию на её основе. Очевидно, это сделает обе компании конкурентами в данной области. И также понятно, что они перестанут делиться секретами производства 3D XPoint. Собственно, они уже не только перестали сотрудничать, но даже умудрились влезть в судебное разбирательство.

Наши коллеги с сайта The Register поделились ссылкой на судебный иск компании Intel, направленный в эту среду в окружной суд города Сакраменто, штат Калифорния. По словам Intel, бывший сотрудник компании — инженер Дойл Риверс (Doyle Rivers) — похитил секретные данные о технологии производства памяти 3D XPoint и передал информацию в руки сотрудников компании Micron. Точнее, он уволился из Intel, где участвовал в разработке 3D XPoint, и поступил на работу в аналогичный отдел Micron. Обычно в трудовом договоре прописывается запрет на переход к конкуренту в течение определённого срока после увольнения, что данный сотрудник полностью проигнорировал.

В Intel утверждают, что подозреваемый подвергался «агрессивной» агитации для перехода в Micron со стороны бывших коллег, которые перешли туда раньше. Чтобы влиться в новый коллектив с наибольшим эффектом, гражданин сделал попытку скачать на флешку секретные данные, к которым никто за пределами Intel, включая Micron, не имел доступа и прав на этот доступ. Система защиты не допустила копирования, после чего подозреваемый залил на флешку рабочие данные со своего ноутбука.

В персональном запросе к бывшему работнику Intel потребовала вернуть флешку. Флешка была возвращена, но оказалась очищенной от данных. Адвокат Дойла уточнил, что данные были переписаны на домашний компьютер подзащитного, после чего Intel потребовала от гражданина предоставить ноутбук на предмет поиска украденной информации или следов этой информации. В установленный компанией срок обвиняемый не отдал ноутбук и не связался с Intel. Поэтому компания просит суд разобраться в этом неприятном деле.

Производители памяти сосредоточены на освоении новых технологических норм

По словам аналитиков из DRAMeXchange, ведущие поставщики оперативной памяти DRAM смогли добиться роста операционной прибыли до рекордных уровней в третьем квартале 2018 года, хотя рост средней стоимости их продукции начал замедляться. Компании сейчас сосредоточены на повышении своих результатов с использованием более совершенных технологических процессов для оптимизации структуры затрат.

Операционная маржа (отношение операционной прибыли к объёму продаж) бизнеса DRAM у Samsung, согласно оценкам аналитиков, достигла 70 % в III квартале 2018 года. Samsung уже использует 1x-нм технологический процесс в массовом производстве и приступила в третьем квартале к развёртыванию более продвинутых 1y-нм норм.

В свою очередь, у SK Hynix, согласно выкладкам DRAMeXchange, операционная маржа бизнеса DRAM выросла в прошлом квартале с 63 % до 66 %, также благодаря значительному увеличению доли выхода годной 1x-нм продукции. SK Hynix начала печать чипов с использованием 1x-нм норм в конце 2017 года и сосредоточилась на повышении показателя годных кристаллов. Кроме того, SK Hynix планирует завершить до конца текущего года строительство своей второй 300-мм фабрики в китайском городе Уси. Новый объект начнёт вносить свой вклад в общий объем продукции DRAM в первой половине 2019 года, но наращивание объёмов производства будет происходить относительно медленно из-за неопределённости в мировой экономике.

Наконец, в третьем квартале операционная маржа Micron Technology увеличилась до 62 % c 60 % во втором, что DRAMeXchange также связывает с увеличением доли выпуска чипов, производимых с соблюдением 1х-нм норм в общем объёме производства. Тайваньская дочерняя компания Micron Memory Taiwan вскоре переведёт все свои производственные мощности на 1x-нм техпроцесс и приступит к освоению более совершенных 1z-нм норм. Тем не менее, последние вряд ли будут готовы к массовой печати до 2020 года. Другая тайваньская дочерняя компания, Micron Technology Taiwan, перешла на массовое 1x-нм производство и в конце 2018 года начнёт развивать свои 1y-нм нормы.

По мнению DRAMeXchange, у всех трёх ведущих производителей DRAM операционная маржа не возрастёт в последней четверти текущего года, поскольку их усилия по сокращению затрат вряд ли компенсируют влияние наметившегося постепенного падения цен на чипы памяти.

Китай может оштрафовать производителей памяти на $2,5 млрд за сговор

Китай усилил давление на трёх крупнейших мировых поставщиков памяти DRAM. По сообщению Financial Times, глава китайского антимонопольного бюро Ву Чжэнго (Wu Zhenguo) заявил о значительном прогрессе в расследовании против Samsung, SK Hynix и Micron: собран массивный объём доказательств. К сожалению, пока не сообщается, что именно китайское правительство нашло против этих компаний и какие дальнейшие шаги собирается предпринять?

Преимущественно это дело касается роста цен, вызванного глобальным дефицитом чипов DRAM, и призвано помочь китайским компаниям лучше конкурировать со своими международными коллегами. Расследование, как сообщается, началось в июне после того, как взлетели цены на DRAM. Аналитики DRAMeXchange заявили в сентябре, что в течение года возможно снижение цен на 5 процентов. Однако Samsung замедлила производство, чтобы уменьшить предложение и сохранить цены на прежнем уровне.

Аналитик SK Securities Ким Янг-ву (Kim Young-woo) сообщил Financial Times, что в результате этого расследования Китай может наложить штраф в размере до $2,5 млрд на Samsung, SK Hynix и Micron. Рынок DRAM стал одним из полей сражения в надвигающейся торговой войне между США и Китаем. Антимонопольное расследование против американской Micron очевидно является частью этого процесса.

В начале года Китай наложил запрет на продажу определённых продуктов Micron на своей территории, а в октябре США заблокировали американский экспорт для Fujian Jinhua Integrated Circuit Company. Эта китайская компания развернула своё производство памяти DRAM с объёмом капиталовложений в $8 млрд. Технологический процесс налажен с помощью тайваньского контрактного производителя UMC. Однако Micron обвинила UMC в краже интеллектуальной собственности. Ответные иски не заставили себя долго ждать. Недавно Министерство юстиции США выдвинуло обеим компаниям, UMC и Jinhua, обвинения в краже коммерческих секретов Micron.

Micron представила первый в индустрии 1-Тбайт SSD для установки в автомобили

Через какую-то пару–тройку лет среди автомобилистов за рюмкой чая наверняка будет возникать спор о том, SSD каких компаний лучше использовать в своих машинах. Обсуждать будут не только производительность, но и устойчивость к износу, объёмы и способность переносить жару и морозы.

Аналитики и производители на эти темы уже не спорят. Они пророчат. Пройдёт совсем немного времени, и личные авто превратятся в центры обработки данных на колёсах. По мнению специалистов Strategy Analytics, например, в 2023 году будет продано 1,8 млн автомобилей с уровнем автономного вождения Level 3 (шоссейные автопилоты) или выше. Такие машины потребуют установки SSD от 1 Тбайт и большего объёма. Объёмы понадобятся для 3D-карт, записи данных в «чёрный ящик», хранения показаний датчиков, развлекательного контента с качеством 4K и многого другого.

Компания Micron подготовилась к подобному развитию сценария уже сейчас и представила самый первый, по её словам, 1-Тбайт SSD для автомобилей и промышленных установок. Новинки поставляются в виде образцов в семействах Micron 2100AI и 2100AT. В первом случае речь идёт об однокорпусном исполнении в BGA-упаковке со сторонами 16 × 20 мм (для прямой распайки на монтажную плату). Во втором случае это внешне обычный SSD PCIe в формфакторе M.2 со сторонами 22 × 30 мм с поддержкой протокола NVMe. В каждом случае модельный ряд включает изделия объёмом от 64 Гбайт до 1 Тбайт.

SSD Micron 2100 M.2 PCIe NVMe (Micron)

SSD Micron 2100 M.2 PCIe NVMe (Micron)

Заявленные скоростные характеристики накопителей составляют до 2 Гбайт/с для чтения и до 1,1 Гбайт/с для записи, что в два и полтора раза быстрее аналогичных характеристик для однокорпусных накопителей с интерфейсом UFS 2.1 и в случае SSD с интерфейсом SATA 6 Гбит/с. Выпад в сторону интерфейса UFS 2.1, надо полагать, это своеобразный привет компаниям Samsung и Western Digital, которые для автомобильной электроники предлагают накопители с шиной UFS. Также Micron заявляет, что потребление энергии SSD 2100AI и 2100AT меньше, чем в случае UFS-накопителей.

Поскольку SSD Micron 2100AI и 2100AT предназначены для автомобилей и промышленности, они выдерживают расширенный диапазон рабочих температур: от –40 °C до 105 °C. В качестве памяти для SSD выбрана 64-слойная 3D NAND TLC. Массовое производство накопителей начнётся во второй половине 2019 года.

UMC заявляет о различии технологий производства DRAM её и Micron

В ответ на обвинения компании UMC в краже технологий производства памяти у компании Micron, выдвинутые в начале этого месяца Министерством юстиции США, тайваньский производитель полупроводников выпустил новое заявление. Как утверждают в UMC, разработанная компанией технология производства DRAM и сама структура кристалла памяти отличаются от тех, которые разработаны в компании Micron. В частности, память UMC содержит запоминающие ячейки в конфигурации 3 × 2 слоя, а память Micron строится исходя из конфигурации 2 × 3 слоя.

wsj.com

wsj.com

Кроме того, компания Micron вводит в заблуждение, когда утверждает о самостоятельной разработке технологий производства памяти в США. Например, около 10 лет назад Micron выкупила у японской компании Elpida тайваньского производителя памяти компанию Rexchip и через поглощённые активы получила доступ к 25-нм производству DRAM. Компания UMC предупреждает, что она готова закрыть глаза на эту подтасовку фактов, но в случае необходимости доказывать свою правоту будет действовать решительно и по обстоятельствам.

Как поясняют в UMC, компания начала выпускать память DRAM ещё в 1996 году и делала это до 2010 года, а позже разработала и приступила к выпуску чипов со встроенной DRAM. Интересно, что одним из первых клиентов этого тайваньского контрактника на чипы DRAM была американская компания Alliance Semiconductor Corporation. Для неё UMC начала выпускать микросхемы памяти уже в 1996 году. Штат разработчиков техпроцессов производства памяти UMC в разное время в среднем насчитывал около 150 человек и только в 2016 году, когда был заключён контракт на разработку производства памяти для китайской компании Jinhua, число разработчиков было увеличено до 300 человек.

На разработку нового 32-нм техпроцесса производства DRAM для китайцев компания UMC потратила много средств и два года. Очевидно, что это не самый новейший техпроцесс, который на два поколения отстаёт от современных техпроцессов DRAM с нормами класса 10 нм. Можно поверить UMC, что она опиралась на собственные разработки, а не на украденные у Micron или у кого-то другого. Кстати, UMC докладывает, что в составе её разработчиков DRAM трудятся не более 10 % бывших работников тайваньских филиалов Micron.

Полупроводниковый завод компании UMC (UMC)

Полупроводниковый завод компании UMC (UMC)

На время разбирательства в суде дела против UMC и Jinhua со стороны Министерства юстиции США тайваньская компания приостанавливает разработки для китайской стороны и надеется на возобновления сотрудничества после улаживания конфликта.

Выход смартфонов с 12 Гбайт оперативной памяти ожидается в 2019 году

Компания Micron Technology объявила о начале массового производства самых ёмких в отрасли монолитных чипов оперативной памяти LPDDR4x DRAM.

Изделия LPDDR4X (Low Power DDR4X) предназначены для использования в различных мобильных устройствах. Это могут быть смартфоны, планшеты и пр.

Micron Technology приступила к серийному выпуску монолитных чипов LPDDR4x-4266 ёмкостью 12 Гбит. Они производятся с применением технологии 10-нанометрового класса.

Утверждается, что новые изделия обеспечивают снижение энергопотребления приблизительно на 10 процентов по сравнению с чипами предыдущего поколения с аналогичными скоростными характеристиками.

Сетевые источники добавляют, что новые чипы позволяет оснащать смартфоны 12 Гбайт оперативной памяти. Первые такие аппараты, как ожидается, появятся на рынке уже в следующем году.

Добавим, что в настоящее время объём ОЗУ в смартфонах достигает 10 Гбайт. К примеру, таким объёмом оперативной памяти располагает аппарат Xiaomi Black Shark Helo. 

Министерство юстиции США официально обвинило UMC и Jinhua в краже секретов Micron

Словно бы подтверждая тезис Дональда Трампа о величии Америки, технологии которой ворует кто ни попадя, Министерство юстиции США выдвинуло официальные обвинения в краже коммерческих секретов Micron компаниями UMC и Jinhua. Это уже четвёртый за последний месяц случай, когда китайские компании обвиняются в промышленном шпионаже. Но это явление носит систематический характер и за последние месяцы приобретает всё больший размах. По словам действующего директора ФБР, которого цитирует Reuters, едва ли не каждое из 56 отделений Бюро расследует факты экономического шпионажа со стороны китайцев.

Обвинение тайваньской компании UMC и китайского производителя памяти DRAM Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd — это эхо прошлогодней истории. Год назад компания Micron подала гражданский иск против UMC, JHICC и трёх бывших работников Micron, включая бывшего директора одной из тайваньских компаний, которые Micron поглотила, обвинив всех в краже технологий производства памяти типа DRAM. Компании UMC и JHICC подали встречные иски, добившись в итоге запрета продаж на территории Китая части продукции Micron. Фактически Министерство юстиции США подхватило судебную инициативу Micron и развило её до уголовного преследования UMC и Jinhua.

За официальным обвинением должны последовать суд и уголовное наказание. Также будет взыскан штраф за противоправные действия UMC и Jinhua. Для этого Министерство юстиции США также подаёт гражданский иск против обеих компаний. Компании Micron и UMC выпустили официальные пресс-релизы по поводу выдвинутого Министерством обвинения. Сайт Jinhua на момент написания новости недоступен.

Компания Micron привела краткую сводку по истории вопроса и с пониманием отнеслась к выводам Министерства юстиции США. Компания UMC, в свою очередь, выразила сожаление о том, что никто не провёл с ней консультации и не предупредил о готовящемся обвинении. В то же время UMC подчёркивает, что обвинения Министерства не несут ничего нового и фактически совпадают с поданным компанией Micron гражданским иском.

Добавим, компания Jinhua, которая является совместным предприятием между местными властями и одним из местных производителей электроники, характеризуется стороной обвинения как «полностью принадлежащая властям Китая», что, в общем-то, правда лишь отчасти. Также Jinhua «удостоилась» персональных санкций со стороны американского регулятора как угрожающая национальной безопасности США.

Подробности «развода» в IM Flash: Intel готова производить 3D XPoint у себя, а Micron пропустит 3D XPoint первого поколения

На прошлой неделе компания Micron подвела черту под многолетним совместным проектом с Intel, IM Flash Technology (IMFT), объявив о плане по выкупу доли Intel в совместном предприятии. Окончание совместной работы не стало сюрпризом, но при этом вызвало ряд вопросов касательно будущего памяти 3D XPoint как таковой. С тех пор представители компаний Intel и Micron сделали ряд заявлений, которые проливают свет на их планы.

Юридические тонкости

В соответствии с условиями соглашения от 2005 года о совместном предприятии между Intel и Micron, последняя контролирует 51 % компании и имеет право приобрести оставшуюся долю при определенных условиях, заплатив за текущие активы ($1,5 млрд в данном случае). В действительности Intel планомерно выходила из совместного предприятия уже какое-то время. Так, корпорация продала Micron свои доли в производственных комплексах IM Flash в Сингапуре и Вирджинии ещё в 2012 году, что оставило IM Flash лишь с одной фабрикой около города Лехай, штат Юта. Данный объект сегодня используется исключительно для производства памяти типа 3D XPoint и на сегодняшний день является единственной фабрикой, выпускающей данную память.

Особенности 3D XPoint

Особенности 3D XPoint

Согласно договоренностям, Intel приобретает микросхемы от IM Flash по специальному долгосрочному соглашению о поставках и ценам, близким к стоимости производства. При этом как только Micron объявляет о намерениях выкупить долю Intel, последняя может назначить любую дату закрытия сделки, но не позднее 12 месяцев с момента заявки Micron. Разумеется, всё это время предприятие будет работать как обычно, исполняя контрактные обязательства перед Intel. Таким образом, в случае объявления Micron о намерениях выкупить долю Intel первого января 2019 года, последняя может назначить датой закрытия сделки 31 декабря 2019 года. Кроме того, после закрытия сделки Micron обязана продавать память 3D XPoint компании Intel ещё год, но уже на условиях контрактного производства (то есть по более высокой цене, чем обычно). Таким образом Intel сможет получать микросхемы производства IM Flash как минимум до 31 декабря 2020 года.

Фабрика IM Flash

Фабрика IM Flash

Принимая во внимание временной промежуток длиной в 26 месяцев (или даже больше), у Intel будет достаточно времени для начала выпуска памяти 3D XPoint на своих мощностях. В самой компании утверждают, что намерения Micron никак не нарушат перспективных планов Intel в области накопителей Optane на базе 3D XPoint.

Intel: к производству 3D XPoint готова

Технологический процесс производства 3D Xpoint существенно отличается от техпроцесса изготовления 2D и 3D NAND, а потому невозможно в короткие сроки наладить выпуск памяти нового типа на любой фабрике, производящей флеш-память. Впрочем, в Intel говорят, что у компании уже есть возможность изготавливать 3D XPoint на нескольких площадках.

«Мы можем производить Optane на нескольких фабриках», — заявил представитель Intel в ходе большого интервью на форумe сайта AnandTech ранее в этом году. «Но мы всё еще производим данный тип устройств на фабрике IMFT, которой владеем совместно с Micron».

В «чистой» комнате производственного комплекса IM Flash Technologies

В «чистой» комнате производственного комплекса IM Flash Technologies

Таким образом, у Intel есть ряд возможностей для переноса выпуска 3D XPoint с площадки около города Лехай в штате Юта. При этом следует понимать, что производство 3D XPoint в комплексе Fab 68 около города Далянь в Китае означает сокращение выпуска 3D NAND, что может быть неприемлемо для Intel. Так что хотя Fab 68 является одним из логичных мест для изготовления 3D XPoint, не стоит сбрасывать со счетов и иные фабрики Intel.

Micron пропустит 3D XPoint первого поколения

Впрочем, у Intel есть как минимум год, чтобы наладить производство 3D XPoint на любой из них. Дело в том, что Micron не планирует использование памяти 3D XPoint первого поколения для коммерческих продуктов QuantX, а потому компания сможет снабжать партнёра такой памятью ещё довольно долгое время.

Перспективный план в Micron области энергонезависимой памяти от 2015 года

Перспективный план в Micron области энергонезависимой памяти от 2015 года

Intel и Micron намерены завершить разработку второго поколения 3D XPoint во втором или третьем квартале 2019 года. При этом Micron собирается представить свои собственные продукты на базе памяти данного типа в конце 2019 года, а затем развернуть их массовое производство уже в 2020 году. Примечательно, что примерно в это же время Micron начнёт пилотное производство разработанной в собственных лабораториях памяти нового типа (назовём её post-3D XPoint).

Принимая во внимание решение Micron не использовать текущую версию памяти 3D XPoint в собственных продуктах, для компании не будет практического смысла ставить бывшему партнёру палки в колёса недопоставками соответствующих микросхем. Другой вопрос, что память 3D XPoint второго поколения разрабатывается на базе НИОКР-площадки IM Flash, а техпроцесс её производства отлаживается в производственном комплексе около города Лехай. Таким образом, большой вопрос, как «развод» между Intel и Micron повлияет на старт массового производства 3D XPoint 2.

Cadence и Micron о DDR5: 16-Гбит чипы появятся в 2019 году

Ранее в этом году Cadence и Micron провели первую в отрасли публичную демонстрацию работы оперативной памяти (dynamic random access memory, DRAM) следующего поколения — DDR5. На мероприятии TSMC в начале этого месяца компании представили дополнительную информацию как о стандарте в целом, так и о разработке решений на его базе. Оказывается, окончательная спецификация DDR5 ещё не была принята JEDEC, но Micron всё ещё планирует начать производство чипов памяти DDR5 в конце 2019 года.

Как отмечалось ещё в мае, основной особенностью DDR5 SDRAM является увеличенная ёмкость микросхем, а не только более высокая производительность и низкое энергопотребление. Разумеется, DDR5 обеспечит скорость работы интерфейса от 4266 до 6400 МТрансферов/с, её напряжение питания снизится до 1,1 В с допустимым диапазоном колебаний 3 % (т. e. на ± 0,033 В) и будет использовать два независимых 32/40-разрядных канала на модуль (без/или с ECC). Кроме того, DDR5 увеличит эффективность командной шины (поскольку оба независимых канала будут иметь свою собственную 7-разрядную шину адресов (Add) и команд (Cmd)), получит лучшие схемы обновления, а также увеличенное количество групп банков для дополнительного увеличения производительности. Примечательно, что в Cadence говорят о том, что технологические усовершенствования DDR5 позволят увеличить реальную пропускную способность памяти на 36 % по сравнении с DDR4 даже при скорости передачи данных 3200 МТ/с, а после того, как DDR5 заработает на проектных скоростях вроде 4800 МТ/с, фактическая пропускная способность станет на 87 % выше, чем у DDR4-3200 (другой вопрос, какие при этом будут задержки). Тем не менее, одной из ключевых особенностей DDR5 станет именно возможность увеличивать плотность монолитной микросхемы памяти свыше 16 Гбит.

Прототип контроллера памяти компании Cadence

Прототип контроллера памяти компании Cadence

Ведущие производители оперативной памяти уже имеют в своём арсенале монолитные чипы DDR4 ёмкостью 16 Гбит, но эти устройства не могут предложить действительно высоких тактовых частот или скоростей ввода/вывода из-за законов физики. По этой причине компаниям вроде Micron предстоит проделать немалую работу, чтобы объединить высокую производительность и плотность ячеек DRAM. В частности, в Micron обеспокоены непостоянным временем удержания заряда ячейками памяти, а также другими феноменами на уровне атомов для микросхем памяти, произведённых по технологическим процессам 10–12 нм. При этом в случае с DDR5 шина Add/Cmd уже имеет встроенную терминацию, призванную сделать сигналы более чистыми и увеличить стабильность при высоких скоростях передачи данных. Кроме того, модули памяти высокой ёмкости будут экипироваться собственными регуляторами напряжения и управления питания. Таким образом, хотя стандарт DDR5 и адаптирован к тому, чтобы объединить производительность и плотность, компаниям вроде Micron потребуется проявить своё мастерство при изготовлении соответствующих микросхем.

Микросхемы памяти DDR5 производства Micron

Микросхемы памяти DDR5 производства Micron

Micron рассчитывает начать производство чипов памяти DDR5 ёмкостью 16 Гбит с использованием техпроцесса с «шириной затвора менее 18 нм» уже в конце 2019 года. Впрочем, это не означает, что одновременно с этим появятся приложения, использующие новую DRAM. В свою очередь, Cadence уже предлагает готовый блок DDR5 (контроллер + физический интерфейс), реализованный для техпроцессов TSMC N7 (7 nm, DUV) и N7+ (7 nm, DUV+EUV). Таким образом, у разработчиков систем на кристалле (system-on-chip, SoC) есть всё необходимое для создания совместимых с новым типом памяти SoC. Кроме того, в Cadence работают над соответствующими IP-блоками DDR5 и для более совершенных норм производства.

Предположения Cadence в области принятия DDR5 различными типами устройств

Предположения Cadence в области принятия DDR5 различными типами устройств

Учитывая ключевые преимущества DDR5, неудивительно, что серверы станут первыми устройствами, использующими новый тип оперативной памяти, согласно ожиданиям Cadence. Что особенно интересно, так это то, что в Cadence полагают, что SoC для клиентских компьютеров, произведенные по техпроцессу N7+, будут поддерживать DDR5. По сути, это означает, что подобные процессоры начнут появляться уже в 2020 году. Учитывая предсказываемые Cadence высокие темпы принятия DDR5 рынком, логично предполагать, что новый тип оперативной памяти будет поддержан широким спектром SoC.

Тенденции на рынке оперативной памяти по оценкам Cadence

Тенденции на рынке оперативной памяти по оценкам Cadence

Intel отказывается от совместного производства памяти 3D XPoint с Micron

Официальным пресс-релизом компания Micron сообщила, что намерена воспользоваться своим правом и выкупить долю компании Intel в совместном предприятии IM Flash Technologies. Данной возможностью Micron воспользуется после 1 января 2019 года. Затем в течение 6–12 месяцев компании закроют сделку по передаче активов, главным из которых представляется завод по обработке 300-мм кремниевых пластин в штате Юта. Это предприятие выпускает как память 3D NAND, так и микросхемы 3D XPoint. Последние практически в полном объёме забирает компания Intel для выпуска твердотельных накопителей под маркой Optane. Тем самым со временем Intel лишится поставок новейшей и необычной энергонезависимой памяти.

Поставки памяти 3D XPoint компании Intel компания Micron будет продолжать ещё один год после завершения передачи активов. Если выкуп начнётся 1 января 2019 года и продлится до 31 декабря 2019 года, то Intel будет обеспечена поставками микросхем 3D XPoint до 31 декабря 2020 года. В течение этого срока Intel должна будет наладить собственное производство памяти 3D XPoint. Можно ожидать, что память 3D XPoint она начнёт выпускать на своём китайском заводе в городе Далянь, где уже налажен полномасштабный выпуск памяти 3D NAND.

Компания Micron также заинтересована в запуске собственного производства 3D XPoint на линиях Intel. Первые фирменные SSD на памяти 3D XPoint компания Micron представит в конце 2019 года, а массовые поставки решений начнёт в 2020 году. Поэтому ей придётся ещё один год делить с бывшим партнёром относительно небольшие производственные мощности по выпуску микросхем 3D XPoint. Чем раньше Intel начнёт собственное производство этой памяти, тем быстрее будет развиваться аналогичная продуктовая линейка Micron.

Раскол в стане Intel и Micron обозначился в начале текущего года, когда компании объявили о намерении каждой из них самостоятельно разрабатывать память 3D NAND с числом слоёв свыше 96 штук. В июне компании то же самое заявили в отношении совместной разработки памяти 3D XPoint, которая завершится в начале 2019 года. Так что вопрос ликвидации совместной производственной деятельности стал лишь вопросом времени.

Компания IM Flash Technologies была создана в 2006 году. Каждый из партнёров внёс в СП по $1,2 млрд. Сейчас Micron готова заплатить Intel за её часть активов $1,5 млрд и покрыть долг Intel перед СП в объёме $1 млрд. Поскольку деятельность завода IM Flash Technologies уже входит в отчётность Micron, данная сделка не окажет заметного влияния на финансовые показатели компании. После завершения сделки завод и персонал IM Flash Technologies станут дочерним подразделением компании Micron.

Crucial P1: твердотельные накопители NVMe PCIe в формате M.2 2280

Компания Micron Technology представила под брендом Crucial твердотельные накопители серии P1, подходящие для использования в настольных и портативных компьютерах.

Изделия относятся к решениям NVMe PCIe. Спецификация NVMe (NVM Express) описывает доступ к SSD с помощью шины PCI Express (в данном случае PCIe 3.0 x4). Это обеспечивает более высокие показатели скорости чтения и записи, а также позволяет снизить задержки.

В настоящее время в серии Crucial P1 представлены накопители вместимостью 512 Гбайт и 1 Тбайт. Позднее появится модель ёмкостью 2 Тбайт.

Скорость последовательного чтения данных варьируется от 1900 до 2000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — от 950 до 1750 Мбайт/с.

Накопители выполнены с применением микрочипов QLC NAND. Технология QLC, или Quad-Level Cell, предусматривает хранение четырёх бит информации в одной ячейке. Таким образом, плотность хранения данных по сравнению с изделиями TLC (Triple-Level Cell) NAND, которые содержат три бита информации в ячейке, возрастает на 33 %.

На решения семейства Crucial P1 предоставляется пятилетняя гарантия. Цена начинается со 110 долларов США. 

Micron инвестирует в ИИ-стартапы до $100 млн

На проходящем в эти дни мероприятии Micron Insight 2018 один из крупнейших производителей компьютерной памяти Micron объявил о готовности внести значительные инвестиции в начинающих разработчиков технологий искусственного интеллекта. Ранее для инвестиционных проектов профильное подразделение Micron Ventures выбирало компании и стартапы, близкие к области деятельности материнской компании. Поднятая вокруг ИИ шумиха заставила Micron пристальнее приглядеться к теме искусственного интеллекта. Чтобы не остаться за бортом прогресса, в компании приняли решение учредить специальный фонд для инвестиций в ИИ-стартапы.

Объём фонда для инвестирования компании в ИИ составил $100 млн — довольно внушительная даже для Micron сумма. Причём пятую часть от этих денег — $20 млн — компания направит в ИИ-стартапы, возглавляемые женщинами и представителями других «не представленных» групп. Первый миллион долларов на развитие ИИ компания Micron готова раздать немедленно, $500 тыс. из которых она уже разделила между учебной организацией AI4All и учебно-исследовательской лабораторией Berkeley Artificial Intelligence Research (BAIR) Lab.

wsj.com

wsj.com

Данная новость должна напомнить всем причастным, что сезон раздачи денег за достижения в области ИИ в полном разгаре и ещё не поздно принять участие в дележе грантов. Пример с Micron в этом плане довольно показательный. Компания всегда осторожно распоряжалась средствами для инвестиций и никогда не бросалась в новые для неё области как в омут с головой.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥