Компания Micron представила комплект модулей оперативной памяти Crucial Pro DDR5-6400 объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Для ОЗУ заявляется поддержка профилей разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Источник изображений: Crucial

Память Crucial Pro DDR5-6400 поддерживает профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO с скоростью 6400 МТ/с и таймингами CL 38-40-40-84, а также 6000 МТ/с и CL36-38-38-80. Заявленное рабочее напряжение модулей памяти составляет 1,35 В.

Новинки оснащены радиаторами охлаждения белого или чёрного цвета без RGB-подсветки. Производитель отмечает, что чипы памяти DDR5 в составе указанных модулей производятся с использованием фирменного техпроцесса Micron 1ß (1-beta).

На память Crucial Pro DDR5-6400 предоставляется пожизненная гарантия производителя. В продаже комплекты памяти уже появились. Производитель оценил их в $118,99.

Micron представила обновлённый логотип. По мнению компании, он отражает её 46-летнюю историю и устремление в будущее, включая роль компании в эпоху ИИ и высокопроизводительных вычислений. Новый логотип символизирует стремление Micron оставаться лидером отрасли, уделяя особое внимание инновациям и превосходству.

Источник изображения: Micron Technology

Компания Micron, основанная в 1978 году, уже более 46 лет остаётся лидером в производстве передовых решений для хранения данных и памяти. Её первый значительный прорыв состоялся в 1981 году с выпуском памяти 64K DRAM, произведённой в подвале стоматологического кабинета в Бойсе (штат Айдахо).

Одними из последних достижений Micron считает запуск производства флеш-памяти 3D NAND девятого поколения и успехи в разработке памяти HBM3E. Эти технологии не только изменили подходы к обработке и хранению данных, но и стали ключевыми драйверами прогресса в таких областях, как ИИ и высокопроизводительные вычисления.

Новый логотип Micron отражает приверженность компании к постоянным улучшениям. Цвет логотипа напоминает кремниевые пластины — основу полупроводникового производства. Этот оттенок символизирует связь компании с технологией, подчёркивая её стремление к технологическому прогрессу и отсылая к сложным процессам, определяющим её успех.

Изогнутые формы букв в логотипе были выбраны не случайно: они вдохновлены точными контурами кремниевых пластин и символизируют лидерство компании в индустрии, а также служат визуальной метафорой её постоянного совершенствования и превосходства. Кроме того, плавные, текучие линии логотипа передают ощущение движения и прогресса, отражая динамичную природу технологической сферы.

Градиентные цвета логотипа вдохновлены отражениями света на кремниевых пластинах и олицетворяют приверженность компании равенству и смелости. Они символизируют глобальное присутствие компании и разнообразие взглядов и идей, которые Micron активно развивает, интегрируя их в инновации и технологические решения. Эти идеи составляют основу инструментария компании и на протяжении последнего года определяли вид её рекламных материалов.

Сегодня Micron предоставляет передовые решения для центров обработки и хранения данных, ИИ, высокопроизводительных вычислений и других ключевых отраслей. Эти технологии применяются в смартфонах, ПК, автомобилях и других устройствах, позволяя им работать быстрее и умнее. Решения Micron помогают сообществам людей и организациям принимать более эффективные решения и решать сложные задачи.

Фискальный календарь Micron Technology смещён относительно большинства участников полупроводникового рынка, поэтому вчерашний квартальный отчёт компании в сочетании с благоприятным прогнозом на текущий период оказал благотворное влияние на ту часть фондового рынка, которая имеет отношение к выпуску чипов. Инвесторы поверили, что о перепроизводстве ускорителей вычислений говорить рано.

Источник изображения: Micron Technology

На этом фоне акции самой Micron вчера прибавили в цене почти 15 %, увеличив капитализацию компании более чем на $14 млрд. Выручка Micron за прошлый квартал достигла рекордных для минувшего десятилетия величин, а прогноз на текущий заметно превзошёл ожидания аналитиков. Опрошенные Reuters эксперты Carson Group заявили, что оптимизм Micron как одного из производителей HBM указывает на сохранение тенденции к росту выручки причастных к буму ИИ компаний. Акции Nvidia, Intel и Broadcom вчера выросли в цене более чем на 2 %, а прирост стоимости акций Qualcomm и AMD уложился в этот предел.

За три месяца до публикации квартального отчёта Micron инвесторы в своей массе начали выражать опасение по поводу снижения цен на память HBM и охлаждения рынка компонентов для систем искусственного интеллекта, поэтому ценные бумаги этого производителя подешевели более чем на 20 %. Квартальный отчёт компании и оптимистичный прогноз на текущий период должны убедить инвесторов, что цены на HBM не снизятся и даже будут расти. По крайней мере, темпы роста нормы прибыли самой Micron показывают, что это так и будет, по мнению экспертов. Соответственно, отчёт Micron окажет благотворное влияние на динамику курса акций многих компаний полупроводникового сектора.

Фискальный квартал и год в целом в календаре Micron Technology завершились 29 августа, поэтому их итоги компания подвела лишь на этой неделе. Выручка за последний квартал минувшего фискального года выросла на 93 % до $7,75 млрд, годовая выручка выросла на 62 % до $25,11 млрд, но в текущем квартале она достигнет $8,7 млрд, превысив ожидания аналитиков. Акции производителя памяти на этом фоне выросли почти на 15 %.

Источник изображений: Micron Technology

Американская Micron Technology пока является наименее крупным игроком рынка памяти типа HBM, поскольку она по занимаемой доле рынка уступает как лидирующей SK hynix, так и южнокорейскому гиганту Samsung Electronics, который занимает первое место в мире по объёмам поставок всех типов памяти в совокупности. Это не мешает Micron заявлять, что она уже поставляет образцы 12-слойных стеков HBM3E объёмом 36 Гбайт, лишь чуть-чуть уступая по темпам технологического развития SK hynix. Последняя, напомним, уже приступила к их массовому производству. Micron намеревается сделать это в начале следующего календарного года.

Росту курса акций Micron способствовали и результаты прошлого квартала, которые превзошли ожидания аналитиков. По словам представителей компании, тенденция к росту спроса на микросхемы памяти наметилась и в сегменте ПК, а также смартфонов. Внедрение в этих устройствах функций локального ускорения работы систем искусственного интеллекта подразумевает увеличение потребности в объёме памяти, поэтому спрос на продукцию Micron будет расти, как считает компания. Объёмы поставок ПК по итогам текущего календарного года вырастут на несколько процентов, по мнению руководства компании. В следующем году рост рынка ПК ускорится, во многом из-за выхода Windows 12 и завершения поддержки Windows 10. Если в среднем ПК содержал 12 Гбайт оперативной памяти в прошлом году, то по мере распространения функции ИИ минимальным объёмом станут 16 Гбайт ОЗУ, а в среднем и верхнем ценовых диапазонов нормой станет наличие 32 и 64 Гбайт оперативной памяти соответственно.

Сильны конкурентные позиции Micron и в сегменте серверной памяти, как отмечает руководство. Высокий спрос на HBM заставил Micron распределить все квоты на её производство не только на текущий, но и на следующий год. В сегменте смартфонов объёмы поставок по итогам 2024 календарного года, по мнению Micron, вырастут на величину до 5 %, и продолжат рост в 2025 году. Если в прошлом году флагманские смартфоны в среднем оснащались 8 Гбайт памяти, то в следующем норма вырастет до 12 или 16 Гбайт.

Текущий фискальный квартал Micron рассчитывает завершить с рекордной выручкой в размере от $8,5 до $8,9 млрд. При этом норма прибыли компании достигнет 39,5 %. В минувшем квартале норма прибыли не превышала 35,3 %, но за год до этого она вообще была отрицательной. Аналитики в среднем рассчитывали на $8,28 млрд выручки и 37,7 % нормы прибыли в своих прогнозах на текущий фискальный квартал, поэтому акции компании и подскочили в цене после публикации отчётности. В наступившем фискальном году Micron рассчитывает получить многомиллиардную выручку в трёх категориях: HBM, оперативная память большой ёмкости и твердотельная память серверного назначения. В прошлом фискальном году Micron увеличила долю памяти серверного класса в общей выручки до рекордного уровня.

В прошлом квартале Micron достигла рекордной выручки в сегменте NAND и твердотельных накопителей. По итогам всего минувшего фискального года компания достигла рекордной выручки на серверном и автомобильном направлениях. В следующем календарном году Micron надеется приступить к массовому производству микросхем DRAM с использованием EUV-технологии класса 1γ, опытное уже осуществляется.

Компания продвигается в строительстве нового предприятия в Айдахо и ожидает получить разрешение властей на строительство предприятия в штате Нью-Йорк. В Индии возводится предприятие по тестированию и упаковке микросхем памяти, а китайское предприятие Micron такого профиля расширяется даже в условиях обоюдных санкций со стороны США и Китая. Приобретённое Micron предприятие Innolux по производству ЖК-панелей на Тайване будет переоборудовано под тестирование и сборку микросхем памяти DRAM.

Поставки HBM принесли в минувшем фискальном году сотни миллионов долларов выручки, как пояснили представители компании. В 2025 году ёмкость рынка HBM достигнет $25 млрд против $4 млрд двумя годами ранее, как ожидают в Micron, и доля данной компании на рынке HBM должна сравняться с её позициями на рынке DRAM в целом.

Спрос на DRAM по итогам текущего календарного года, как считают в Micron, вырастет на величину до 19 %, на память типа NAND — в районе 15 %, а в следующем году оба сегмента будут демонстрировать рост объёмов реализации памяти в среднем на 15 %. Цены на память в 2025 году будут расти из-за ограниченности производственных мощностей по сравнению с уровнем спроса.

Капитальные расходы Micron в минувшем фискальном году достигли $8,1 млрд, в наступившем они будут гораздо выше, достигая 35 % прогнозируемой выручки. В основном это будет вызвано необходимостью наращивать выпуск HBM и строить новые предприятия в США, которые будут субсидироваться властями по «Закону о чипах».

В прошедшем фискальном квартале выручка Micron на 69 % определялась реализацией микросхем типа DRAM. Профильная выручка компании выросла на 93 % в годовом сравнении и достигла $5,3 млрд. По итогам всего фискального года поставки DRAM увеличили профильную выручку Micron на 60 % до $17,6 млрд, это соответствует 70 % всей выручки компании за период.

В принципе, выручка от реализации NAND в четвёртом фискальном квартале не отставала по своей динамике от сегмента DRAM, увеличившись на 96 % до $2,4 млрд, но на этот тип продукции пришлось не более 31 % всей выручки Micron. Более того, в сегменте NAND компания в прошлом квартале получила рекордную выручку. По итогам года в целом профильная выручка выросла на 72 % до $7,2 млрд, но эта сумма соответствует только 29 % всей выручки компании.

Срез выручки четвёртого фискального квартала по направлениям деятельности выглядит таким образом: вычислительные и сетевые решения, охватывающие серверный сегмент, прибавили последовательно 17 % до $3 млрд, мобильное подразделение в силу сезонных явлений прибавило в выручке на 18 % последовательно до $1,9 млрд. В сегменте систем хранения данных рост выручки почти на четверть последовательно до $1,7 млрд был вызван спросом на твердотельные накопители серверного назначения, в этой сфере был установлен новый рекорд по выручке. Строго говоря, выручка от реализации NAND по итогам всего фискального года тоже была рекордной для Micron. Наконец, в сегменте встраиваемых решений выручка Micron сократилась на 9 % в последовательном сравнении до $1,2 млрд.

Бренд Crucial компании Micron пополнил серию твердотельных NVMe-накопителей Crucial P310 моделями полноразмерного формата M.2 2280 с интерфейсом PCIe 4.0 x4. Ранее производитель выпустил в этой серии SSD в компактном формфакторе M.2 2230.

Источник изображений: Crucial

В серию Crucial P310 вошли модели объёмом 500 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт. Для версии на 500 Гбайт заявляется скорость последовательного чтения 6600 Мбайт/с и последовательной записи 3500 Мбайт/с. Для моделей объёмом 1 и 2 Тбайт показатели скорости последовательного чтения и записи составляют 7100 и 6000 Мбайт/с соответственно.

Производительность в операциях случайного чтения и записи для новинок заявляется до 1 млн и 1,2 млн IOPS соответственно. Для накопителя Crucial P310 2280 Gen 4 NVMe объёмом 500 Гбайт заявлен ресурс в 110 TBW (терабайт перезаписанной информации), а для моделей объёмом 1 и 2 Тбайт — 220 и 440 TBW соответственно. На все версии предоставляется пятилетняя гарантия производителя.

Младшую модель SSD объёмом 500 Гбайт компания оценила в $88,99, версии на 1 и 2 Тбайт — в $114,99 и $189,99 соответственно. Все новинки поставляются без радиаторов охлаждения.

По данным тайваньских СМИ, на которые ссылается TrendForce, в этот вторник в районе 13:35 по местному времени на севере Тайваня произошёл сбой в системе энергоснабжения, от которого могли пострадать предприятия полупроводниковой отрасли, расположенные в регионе. От происшествия могло пострадать оборудование на фабриках Nanya и Micron по выпуску памяти.

Источник изображения: Micron Technology

Как сообщили тайваньские СМИ, на расположенных на севере Тайваня предприятиях Nanya Technology энергоснабжение отсутствовало на протяжении 20 минут, но для критических фаз производства была задействована система резервного электропитания. По этой причине участки фотолитографии и травления на этих предприятиях Nanya должны были минимально пострадать от отключения, а на не оснащённых такой системой участках производства пока ведётся оценка возможного ущерба.

Предприятие Micron Technology, как отмечают тайваньские источники, столкнулось с кратковременной просадкой напряжения, и пока есть основания надеяться, что его деятельность не была затронута инцидентом. Тем не менее, по некоторым слухам, у компании пострадали части оборудования для сухого травления и иммерсионной литографии.

В любом случае, даже если Nanya и Micron столкнулись с нарушением своих производственных процессов на севере Тайваня, имеющихся запасов готовой продукции должно хватить для бесперебойного снабжения клиентов компаний.

В мае 2018 года американская компания Micron Technology приступила к выкупу собственных акций, но к декабрю 2022 года рыночная ситуация заставила этого производителя микросхем памяти приостановить программу. Опираясь на текущие благоприятные для сегмента прогнозы, Micron решила возобновить выкуп акций, как отмечается в официальной заявке, поданной американским регуляторам.

Источник изображения: Micron Technology

Как отмечает Bloomberg, до недавних пор Micron оставалась одной из 24 компаний, чьи акции включены в индекс Nasdaq 100, которые не выкупали акции на протяжении прошлого года. Капитализация этих 24 компаний по итогам прошлого года в среднем сократилась на 9,5 %, тогда как сам индекс вырос почти на 10 %. Теперь на рынке памяти, по мнению руководства Micron, сложились более благоприятные условия, что позволяет вернуться к выкупу собственных акций у инвесторов. Данная новость сразу вызвала рост их котировок примерно на 5 % на торгах в Нью-Йорке.

Во многом энтузиазм руководства Micron объясняется благоприятной конъюнктурой на рынке памяти типа HBM. Только реализация HBM3E принесла компании в прошлом квартале $100 млн выручки, в текущем квартале все типы поставляемой HBM принесут её несколько сотен миллионов долларов США. К августу 2025 года профильная выручка Micron будет уже измеряться миллиардами долларов. Важно учитывать и то, что Micron свою память типа HBM3E сертифицировала для использования в составе ускорителей Nvidia H200, и это позволяет ей рассчитывать на хорошую выручку при условии сохранения высокого спроса на компоненты для систем искусственного интеллекта. Руководство Micron при этом осознаёт трудности, сопровождающие масштабирование производства HBM. Сложность сертификации в комбинации с этими трудностями, по мнению представителей Micron, буквально вынуждает поставки памяти двигаться с «включенным ручным тормозом».

Компания Micron представила 276-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND девятого поколения (Micron G9 NAND), а также серию твердотельных накопителей Micron 2650 стандарта PCIe 4.0 на их основе. Последние будут выпускаться в форматах M.2 2230, 2242 и 2280, предлагая объёмы 256 и 512 Гбайт, а также 1 Тбайт.

Источник изображений: Micron

По словам Micron, запросы её клиентов стали основной причиной разработки новых чипов флеш-памяти. Цель состояла в том, чтобы создать 1-Тбит кристалл, который поместится в упаковку BGA размером 11,5 × 13,5 мм, при этом будет обладать пропускной способностью 3,6 Гбит/с и иметь на 44 % более высокую битовую плотностью по сравнению с её решениями предыдущих поколений.

Источник изображения: Blocks and Files

Micron заявляет, что новые накопители на базе её 276-слойных чипов флеш-памяти со скоростью 3,6 Гбит/с на канал обеспечивают лучшую производительность в классе. Micron G9 NAND обладает до 99 % более высокой пропускной способностью записи и на 88 % более высокой пропускной способностью чтения на кристалл, чем доступные в настоящее время конкурирующие решения NAND от SK hynix, Solidigm, Kioxia, Western Digital и Samsung. Кроме того, плотность Micron G9 NAND до 73 % выше, а их размер на 28 % меньше, чем решения конкурентов.

Для накопителя Micron 2650 объёмом 256 Гбайт компания заявляет скорость последовательного чтения на уровне 5000 Мбайт/с и последовательной записи в 2500 Мбайт/с, а также производительность в операциях случайного чтения и записи на уровне 370 тыс. и 500 IOPS. Для модели объёмом 512 Гбайт указываются скорости последовательного чтения и записи на уровне 7000 и 4800 Мбайт/с и производительность в случайных операциях чтения и записи на уровне 740 тыс. и 1 млн IOPS. Для версии SSD объёмом 1 Тбайт заявлены скорости последовательного чтения и записи соответственно на уровне 7000 и 6000 Мбайт/с, а также производительность в операциях случайного чтения и записи на уровне 1 млн IOPS.

По словам Micron, её новинки обеспечивают до 38 % более высокую производительность в тесте PCMark 10, в среднем на 36 % более высокую пропускную способность и на 40 % быстрее обращаются к данным.

Компания отмечает, что новые чипы 276-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND уже доступны в накопителях Micron 2650 для OEM-партнёров, а также проходят тестирование для потребительских SSD и продуктов её собственного бренда Crucial.

Компания Micron представила модули оперативной память DDR5 типа MRDIMM (Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module), которые предназначены специально для серверных систем на базе процессоров Intel Xeon 6-го поколения (Granite Rapids). Новинки предлагают очень высокую скорость работы.

Источник изображений: Micron

В отличие от обычных серверных модулей памяти RDIMM, новые планки MRDIMM от Micron обладают на 39 % более высокой пропускной способностью, на 15 % более высокой энергоэффективностью и обеспечивают до 40 % более низкую задержку.

Micron выпустит модули MRDIMM объёмом на 32, 64, 96, 128 и 256 Гбайт. Все они будут доступны в виде модулей стандартной высотой, а планки на 128 и 256 Гбайт также будут выпускаться в увеличенном формате TFF высотой 56,9 мм. Все новинки будут работать со скоростью 8800 МТ/с.

Micron отмечает, что её модули ОЗУ DDR5 MRDIMM будут производиться с использованием 16-, 24- и 32-Гбит микросхем памяти DDR5 DRAM, выполненных с применением фирменного и зарекомендовавшего себя техпроцесса 1β. Высокие планки памяти обладают большей площадью поверхности. Как следствие, производитель обещает для них рабочую температуру на 24 % ниже, чем у обычных модулей ОЗУ.

По словам производителя, благодаря повышенной пропускной способности памяти MRDIMM серверные процессоры Intel Xeon следующего поколения получат значительный прирост производительности, что сделает серверы для систем искусственного интеллекта гораздо эффективнее.

В настоящий момент Micron рассылает образцы памяти DDR5 MRDIMM для тестирования заинтересованным клиентам. Начало массовых поставок новой оперативной памяти ожидается во второй половине этого года.

Американская компания Micron Technology не только стала мишенью китайских санкций, но и подверглась обвинениям со стороны китайского конкурента в лице компании YMTC, выпускающей твердотельную память типа 3D NAND. Этот китайский производитель на днях обвинил Micron в нарушении 11 своих патентов и подал иск в суде американской юрисдикции.

Источник изображения: Micron Technology

Об этом сообщило на этой неделе агентство Bloomberg, сославшись на поданный YMTC в прошлую пятницу иск к американской компании Micron Technology в Федеральном окружном суде Северного округа Калифорнии. В нём Micron обвиняется китайской компанией YMTC в грубом нарушении законных прав этой компании на интеллектуальную собственность, защищаемую 11 патентами.

Этот иск был подан на следующий день после того, как суд в Техасе вынес решение в пользу компании Netlist, обвинявшей Micron в нарушении её прав на интеллектуальную собственность. Теперь Micron должна будет выплатить Netlist материальную компенсацию в размере $445 млн. В какую сумму оценивается ущерб по иску YMTC, не уточняется.

Это уже не первый случай судебного преследования Micron со стороны YMTC, первое дело такого плана начало рассматриваться американскими органами правосудия ещё в ноябре 2023 года. В том иске фигурировали технологии YMTC, имеющие отношение к выпуску и работе микросхем памяти типа 3D NAND. Уже в прошлом году YMTC начала снабжать своих клиентов 232-слойными чипами памяти этого типа, что вполне соответствует уровню технологических возможностей основных мировых конкурентов. Micron с мая прошлого года находится в Китае под санкциями, её продукция не может использоваться в объектах критической информационной инфраструктуры. Теперь китайская компания пытается преследовать американского конкурента на родной для него земле.

Сегмент портативных консолей активно развивается. Valve Steam Deck, Asus ROG Ally и им подобные решения сформировали спрос на накопители типа M.2 2230. Такие SSD есть у всех крупных производителей, включая Micron (линейки 2400, 2550 и 2500), но только сейчас компания выпустила эту продукцию под брендом Crucial.

Источник изображения: crucial.com

Crucial P310 — это семейство твердотельных накопителей M.2 2230 PCIe 4.0 NVMe, которые могут похвастаться внушительной скоростью чтения и записи: 7,1 и 6 Гбайт/с соответственно. Пока семейство представлено моделями объёмом 1 и 2 Тбайт за $115 и $215 соответственно. В накопителях используются 232-слойные чипы 3D NAND и новейший контроллер Phison E27T без буфера DRAM, произведённые по 12-нм технологии TSMC. Как утверждает Micron, и те, и другие обеспечивают низкое потребление энергии при активном использовании.

Источник изображения: anandtech.com

Спецификации указывают, что в накопителях используется память 232L 3D QLC, отмечает AnandTech. По сравнению с вышедшими ранее SSD Micron 2550 в том же формфакторе замена контроллера помогла добиться некоторых улучшений в плане энергоэффективности и производительности. Вместе с высокой ёмкостью при скромной цене эти качества являются преимуществами семейства Crucial P310. Но не обошлось и без недостатков: у новых SSD не слишком продолжительный срок службы — производителем указана величина 0,12 DWPD (полных перезаписей накопителя в день), и это действительно скромный показатель в сравнении с 0,33 DWPD, которые в том же сегменте готовы предложить конкуренты.

В отличие от крупнейших производителей полупроводниковой продукции, таких как Intel и TSMC, компания Micron не спешит развёртывать оборудование со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) для производства DRAM. Но уже в этом году Micron намеревается запустить опытное производство с использованием EUV на своём техпроцессе 1γ (1-gamma) класса 10 нм, передаёт Technews.

Источник изображения: micron.com

Сейчас вся серийная продукция компании выпускается с использованием DUV-литографии, то есть на основе глубокого ультрафиолета. Но уже до конца года Micron запустит опытное производство на EUV-оборудовании, а в 2025 году оно может стать полномасштабным. Корейская Samsung ещё в 2020 году доложила, что успешно отгрузила миллион первых в отрасли модулей DDR4 класса 10 нм (D1x), произведённых на EUV-оборудовании. SK hynix стала применять такую литографию в 2021 году для выпуска чипов DDR класса 10 нм; и уже в этом году она намеревается потратить на закупку этого оборудования $1,5 млрд.

Ранее гендиректор Micron Санджай Мехротра (Sanjay Mehrotra) сообщил инвесторам, что подготовка опытного производства на основе техпроцесса 1γ класса 10 нм продвигается успешно, а запуск массового выпуска продукции нового поколения запланирован на 2025 год. Технология выпуска памяти DRAM с использованием 1γ разрабатывается на заводе компании в японской Хиросиме — предприятие станет первой площадкой для опытного производства.

Чтобы удовлетворить спровоцированный бумом технологий искусственного интеллекта высокий спрос на высокопроизводительные чипы памяти Micron строит пилотную производственную линию для выпуска HBM в США и рассматривает возможность запуска второй линии в Малайзии.

Компания Micron заявила, что переход на новую видеопамять GDDR7 обеспечит 30-процентную прибавку производительности в играх как с растровой графикой, так и с трассировкой лучей по сравнению с памятью поколения GDDR6 (включая GDDR6X).

Источник изображений: Micron

Производитель, в частности, отметил, что столь значительная прибавка в производительности ожидается от будущих чипов памяти GDDR7 со скоростью 32 Гбит/с на контакт. Это на 12 Гбит/с быстрее обычной GDDR6, обеспечивающей скорость на уровне 20 Гбит/с. Micron не поделилась информацией о том, какие тесты были проведены для определения прибавки производительности в 30 %. Тем не менее, заявленные цифры впечатляют, особенно если принять на веру то, что рост достигается только за счёт памяти.

Micron сообщает, что GDDR7 обладает на 60 % более высоким показателем пропускной способности по сравнению с GDDR6, а также она на 50 % энергоэффективнее памяти предыдущего поколения. Также новая память обладает на 20 % более низкими задержками, что должно помочь в таких чувствительных к отзывчивости памяти задачах, как машинное обучение и ИИ-генерация изображений.

По словам Micron, тестовая платформа с 12 чипами GDDR7, подключенными по 384-битной шине, демонстрирует пропускную способность более 1,5 Тбайт/с. Для сравнения, видеокарта GeForce RTX 4090 с микросхемами GDDR6X со скоростью 21 Гбит/с на контакт предлагает пропускную способность на уровне 1,08 Тбайт/с.

Производство памяти GDDR7 начнётся с микросхем со скоростью передачи данных 28 и 32 ГТ/с. Однако в будущих планах ведущих производителей памяти (Micron, Samsung и SK hynix) уже значатся разработка и выпуск ещё более скоростных чипов с показателем до 40 ГТ/с.

Согласно слухам и утечкам, Nvidia станет первой компанией, которая перейдёт на использование памяти GDDR7. AMD, как ожидается, продолжит использовать память GDDR6 в своих будущих видеокартах и, возможно, не будет менять стандарт вплоть до выпуска условных Radeon RX 9000. Что касается Intel, то компания может либо перейти к использованию GDDR7 в своих будущих дискретных видеокартах нового поколения (Battlemage), либо продолжит использовать GDDR6 и подождёт с переходом на GDDR7 до выхода третьего поколения видеокарт Arc на архитектуре Celestial.

Когда Micron в 2022 году объявила о планах построить два новых завода в США, запуск их в эксплуатацию планировался «к концу десятилетия». На этой неделе компания обозначила более точные сроки начала их работы: фабрика в Айдахо должна начать выпуск продукции в 2027 финансовом году, а в Нью-Йорке — в 2028 финансовом году.

Источник изображения: Micron

2027 финансовый год Micron начинается в сентябре 2026 года, поэтому новый завод в штате Айдахо должен начать работу в период с сентября 2026 по сентябрь 2027 года. 2028 финансовый год компании начинается в сентябре 2027 года, поэтому фабрика в Нью-Йорке, скорее всего, начнёт работу в период с сентября 2027 по сентябрь 2028 года. Кроме объективных сроков, необходимых для строительства и подготовки производства, на дату ввода в эксплуатацию существенное влияние окажет динамика спроса на память DRAM.

План капитальных затрат Micron на 2024 финансовый год составляет примерно $8 млрд, при этом расходы на оборудование для производства пластин снижены по сравнению с прошлым годом. В четвёртом квартале 2024 финансового года компания потратит около $3 млрд на строительство фабрик, новые оборудование и модернизацию производства.

В 2025 финансовом году компания планирует существенно увеличить капитальные вложения, планируя направить около 30 % выручки на развитие технологий и производственных мощностей. Компания ожидает, что её квартальные капитальные затраты превысят уровень в $3 млрд, что составит около $12 млрд в 2025 финансовом году. Существенно вырастет финансирование сборки и тестирования высокоскоростной памяти (HBM), а также строительства производственных и серверных мощностей.

В 2025 финансовом году более $2 млрд будет направлено на строительство новых заводов в Айдахо и Нью-Йорке. Строительство завода в Айдахо уже идёт полным ходом. Строительство объекта в Нью-Йорке ещё не началось, поскольку компания работает над нормативными и разрешительными процессами в штате.

На фондовом рынке складывается новая тенденция: инвесторы больше внимания уделяют не фактическим финансовым результатам эмитентов, а стараются смотреть в будущее, и если представители компаний не радуют их более радужным прогнозом, они разочаровываются и стремятся продавать акции. Примерно то же самое произошло с ценными бумагами Micron, которые после публикации квартального отчёта упали на 7 %.

Источник изображения: Micron Technology

В минувшем фискальном квартале компания выручила $6,81 млрд, добившись роста этого показателя на 82 % и превзойдя ожидания аналитиков, которые соответствовали $6,67 млрд выручки. Прогноз на текущий квартал подразумевает получение выручки в размере $7,6 млрд по середине диапазона, но эта сумма совпадает с большинством прогнозов аналитиков, а инвесторы рассчитывали на превосходство собственных оценок Micron над прогнозами аналитиков, что и вызвало снижение котировок акций компании на 7 % после публикации отчётности.

Впрочем, некоторая коррекция вряд ли сильно навредит акциям Micron, ведь в прошлом году они более чем удвоились в цене, а с начала текущего года укрепились на 67 %. Компания является одним из трёх производителей памяти типа HBM, которая востребована в сегменте систем искусственного интеллекта, и с этим связана определённая часть спроса на акции этого эмитента. Глава Micron Technology Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) отметил рост выручки в серверном сегменте на 50 % в последовательном сравнении, упомянув о возможности дальнейшего роста цен на профильную продукцию компании, но признал, что сегменты смартфонов и ПК демонстрируют слабый спрос на память. Он также заявил, что все квоты на выпуск HBM распределены по заказам клиентов до конца 2025 года. Масштабирование производства подобной памяти идёт не без трудностей, как признались представители компании. Это и вызовет рост цен на данную продукцию, по их мнению.

Если год назад Micron завершила фискальный квартал с чистыми убытками в размере $1,9 млрд, то сейчас она смогла получить чистую прибыль в размере $332 млн. Глава компании выразил уверенность, что Micron окажется одним из бенефициаров многолетнего роста рынка, вызванного спросом на память со стороны сегмента искусственного интеллекта. Новейших микросхем HBM3E компания в прошлом квартале продала на сумму $100 млн, и руководство надеется, что в текущем квартале аналогичная выручка достигнет нескольких сотен миллионов долларов США. В течение всего 2025 фискального года, который длится до следующего августа, Micron рассчитывает выручить от реализации HBM3E несколько миллиардов долларов США.

В текущем фискальном году, который завершится в этом августе, Micron рассчитывает потратить $8 млрд на строительство новых предприятий и модернизацию существующих, а также закупку оборудования для них. В следующем фискальном году капитальные затраты значительно вырастут из-за необходимости финансирования строительства новых предприятий в Айдахо и штате Нью-Йорк. Первая из площадок начнёт выдавать коммерческую продукцию не ранее 2027 фискального года, вторая присоединится к ней годом позже.

Как ожидает Micron, в этом году рынок ПК нарастит объёмы продаж на несколько процентов. Сегмент смартфонов прибавит от силы 5 %, но уже в следующем году спросу на память для подобных устройств начнёт способствовать распространение платформ с поддержкой искусственного интеллекта. Как подчеркнул Мехротра, текущий год будет характеризоваться для рынка памяти тенденцией к восстановлению спроса, а следующий может обеспечить рекордную выручку.