Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Нужно больше памяти: Micron вложит $24 млрд в расширение производства NAND в Сингапуре
27.01.2026 [09:43],
Алексей Разин
Производителей памяти нередко обвиняют в нерасторопности, которая в условиях резкого роста на продукцию приводит к дефициту и росту цен, но американская Micron Technology демонстрирует готовность наращивать производственные мощности. В Сингапуре она расширит своё предприятие по выпуску NAND, вложив $24 млрд. 
Источник изображения: Micron Technology Компания на этой неделе объявила о закладке фундамента нового предприятия по выпуску NAND в Сингапуре, которое расположится рядом с уже существующим. На протяжении последующих 10 лет в развитие этой площадки будет вложено $24 млрд, в итоге здесь появятся дополнительные 65 000 квадратных метров «чистых комнат» для обработки кремниевых пластин. Новое предприятие начнёт выдавать продукцию со второй половины 2028 года, оно позволит создать около 1600 рабочих мест. Micron не скрывает, что расширение производства NAND потребовалось для удовлетворения спроса на твердотельную память со стороны сегмента ИИ. В этом месяце, напомним, Micron также договорилась о покупке предприятия PSMC на Тайване, которое будет переоборудовано под упаковку памяти типа HBM. Конкурирующие Samsung и SK hynix, по имеющимся данным, не готовы вкладываться в расширение производства NAND в текущем году, и даже планируют сократить объёмы выпуска такой продукции на 5 %, отдавая предпочтение производству DRAM. В Сингапуре у Micron сосредоточено производство NAND, она выпускает 98 % своей продукции такого типа в этом крохотном государстве. Здесь также строится предприятие по упаковке HBM, на которое будет потрачено $7 млрд — свою работу оно начнёт в 2027 году. В США компания начала строительство нового комплекса по выпуску DRAM, в которое будет вложено около $100 млрд за ближайшие пару десятилетий. Памяти не будет ещё долго: Micron признала, что «беспрецедентный» дефицит выйдет за пределы 2026 года
19.01.2026 [13:26],
Алексей Разин
Американский производитель памяти в условиях дефицита продукции ведёт себя сообразно ситуации. С одной стороны, нужды потребительского рынка он в свете прекращения поставок модулей памяти под маркой Crucial он готов обслуживать в минимальной степени. С другой стороны, компания вкладывается в расширение своих производственных мощностей. При этом текущим годом период дефицита памяти не ограничится, как считают в Micron. 
Источник изображения: Micron Technology Исполнительный вице-президент по операционной деятельности Micron Technology Маниш Бхатиа (Manish Bhatia) в интервью Bloomberg после церемонии закладки фундамента крупного производственного комплекса в штате Нью-Йорк сообщил, что «текущий дефицит, который наблюдается, является беспрецедентным». По его словам, память типа HBM для ЦОД потребляет так много ресурсов промышленности, что возникает огромный дефицит на стороне классических сегментов рынка типа смартфонов и ПК. И если производители последних выстраиваются в очередь, чтобы уже сейчас забронировать поставки памяти на период после 2026 года, то в дальнейшем спрос на память будет расти и со стороны автомобильных систем автопилота и человекоподобных роботов. В сегменте ИИ, как ранее отмечали представители Micron, все квоты памяти этой марки выкуплены клиентами на весь текущий год. Недавние шаги по покупке предприятия у PSMC на Тайване, по словам исполнительного вице-президента Micron, были направлены на скорейший ввод новой площадки по упаковке памяти в строй. Она сможет приступить к обработке продукции со второй половины следующего года. Все вновь возводимые Micron предприятия по выпуску памяти будут введены в строй значительно позже. В штате Нью-Йорк это случится не ранее 2030 года, а вот первое предприятие в Айдахо сможет начать работу уже в 2027 году. Всего в штате будет построено два предприятия по выпуску памяти и исследовательский центр. Кроме того, Micron модернизирует и расширяет завод в Вирджинии. В любом случае, все новые мощности Micron будет вводить в строй на территории США, а азиатские площадки будут повышать производительность за счёт модернизации и перехода на более совершенные технологии изготовления памяти. В перспективе компания хотела бы 40 % своей памяти типа DRAM выпускать на территории США. США пригрозили Samsung и SK hynix 100-процентными пошлинами за отказ локализовать производство
19.01.2026 [12:08],
Алексей Разин
Обсуждая соглашение с Тайванем в сфере внешней торговли, профильный американский министр Говард Лютник (Howard Lutnick) уже признался, что если тайваньские производители не пожелают локализовать выпуск чипов в США, то могут столкнуться с повышением импортных пошлин до 100 %. Как оказывается, это условие распространяется не только на производителей с Тайваня. 
Источник изображения: Micron Technology Напомним, компания TSMC благодаря своему участию в локализации производства в Аризоне сможет не только претендовать на получение части из $250 млрд заёмных средств, предоставляемых под гарантии американского правительства, но и в период строительства локальных предприятий ввозить без уплаты пошлин объёмы продукции, в 2,5 раза превышающие объёмы выпуска будущего предприятия. После завершения строительства квота беспошлинного ввоза сокращается до полуторакратной, но все объёмы свыше этого уровня TSMC всё равно будет проводить через американскую таможню по ставке 15 %. Выступая на церемонии закладки фундамента крупного комплекса Micron Technology по выпуску памяти в штате Нью-Йорк, министр Лютник заявил следующее: «Любой, кто хочет выпускать память, имеет два варианта: либо платить пошлину в размере 100 %, либо строить в Америке. Это промышленная политика». Заметим, что крупнейшими поставщиками памяти являются южнокорейские компании Samsung Electronics и SK hynix, американская Micron Technology занимает третье место по общим объёмам производства такой продукции. Соответственно, слова американского министра можно истолковать таким образом, что таможенные пошлины в размере 100 % будут применяться и к продукции Samsung, и SK hynix, ввозимой на территории США, если обе компании не пожелают расширить свою производственную базу в этой стране. Говард Лютник при этом не стал называть имена конкретных компаний или страны, к которым относятся новые требования по локализации производства памяти в США. Их представляется возможным определить, используя простую логику. Samsung Electronics ещё в 2024 году объявила о намерениях вложить в локализацию производства в США более $40 млрд, причём $17 млрд из этой суммы будет направлено на передовое предприятие по тестированию и упаковке микросхем памяти в Техасе. Соответственно, Samsung номинально соответствует новым требованиям властей США к организации если не производства, то хотя бы упаковки памяти на территории страны. Осталось только убедиться, что предполагаемые объёмы обработки продукции в Техасе удовлетворят запросы американских властей. SK hynix в общей сложности собирается направить в американскую экономику $15 млрд, из них $4 млрд будут направлены на передовое предприятие по упаковке и тестированию памяти в штате Индиана. На фоне планов Micron, которая собирается за двадцать лет потратить в США около $200 млрд, эти суммы меркнут, но южнокорейские производители при этом оперируют более сжатыми сроками. Micron купила завод PSMC за $1,8 млрд — всё оборудование «выбросят» ради выпуска HBM
18.01.2026 [10:41],
Алексей Разин
Американская компания Micron Technology на этой неделе своими действиями дала понять, что для расширения производства памяти вовсе не обязательно несколько лет подряд строить новые предприятия. За $1,8 млрд ею будет куплен существующий завод PSMC на Тайване, на мощностях которого во второй половине следующего года будет развёрнут выпуск DRAM. Также на этой площадке будет организована упаковка микросхем HBM с участием PSMC. 
Источник изображения: Micron Technology Сделка между компаниями будет закрыта во втором квартале текущего года после проведения всех необходимых согласований. Предприятие P5 расположено в Тунлуо на северо-западе Тайваня. PSMC является контрактным производителем чипов, и хотя данный вид деятельности в чём-то похож с организационной и технологической точки зрения на выпуск микросхем памяти, приобретаемое Micron предприятие всё же придётся переоборудовать. Фактически, Micron полностью заменит всё оборудование на новое, поскольку предприятие будет перепрофилировано серьёзным образом. Имеющееся оборудование с продаваемого предприятия PSMC переместит в Синьчжу, где оно найдёт применение на модернизируемом заводе компании. Туда же переедет и персонал с фабрики в Тунлуо, но сам процесс перемещения сотрудников и оборудования будет организован таким образом, чтобы минимально влиять на производство продукции. Выпуск микросхем оперативной памяти будет здесь налаживаться компанией Micron поэтапно, в несколько фаз, по мере заполнения завода новым оборудованием. В полную собственность Micron предприятие в Тунлуо перейдёт поэтапно за 18 месяцев. Покупатель согласился авансом заплатить за услуги PSMC по тестированию и упаковке памяти, которые в будущем станут оказываться на приобретаемой площадке. PSMC также выпускает память менее современных типов, после сделки с Micron компании будут сотрудничать в сфере тестирования и упаковки чипов памяти, включая современные виды HBM. Для PSMC эта сделка, по сути, станет проводником в мир поставщиков актуальных компонентов для систем ИИ. Перепрофилированное предприятие в Тунлуо получит около 28 000 кв.м так называемых «чистых комнат», в которых будут обрабатываться кремниевые пластины типоразмера 300 мм с микросхемами DRAM. В соседнем Тайчжуне у Micron уже имеется действующее предприятие по выпуску памяти, поэтому с точки зрения снабжения местных площадок выбор объекта для покупки был рациональным. Для PSMC выручаемые в ходе сделки $1,8 млрд станут большим подспорьем. Продаваемым предприятием интересовались и другие потенциальные покупатели, но общих интересов нашлось больше с Micron, поскольку сделка с этим производителем позволит PSMC приобщиться к деятельности по упаковке HBM и увеличить норму прибыли своего бизнеса. Кроме того, Micron поможет PSMC модернизировать технологии производства DRAM в Синьчжу. PSMC также планирует провести более масштабную реструктуризацию, переведя пять своих предприятий на выпуск более выгодной и востребованной в условиях бума ИИ продукции, включая трёхмерную память и подложки для интеграции многокристальных чипов. Продаваемое предприятие в Тунлуо строилось PSMC с 2021 года и было введено в строй в мае 2024 года, в общей сложности на его строительство и оснащение было потрачено около $2,5 млрд. Получается, что проработать оно смогло не так долго, а продаваться будет с некоторым дисконтом за $1,8 млрд. Впрочем, сотрудничество с Micron позволит PSMC наверстать эти финансовые потери. Тайваньский контрактный производитель, таким образом, встроится в производственную цепочку Micron и сможет зарабатывать на буме искусственного интеллекта, принимая участие в изготовлении актуальных поколений полупроводниковых компонентов. Micron запустила строительство мегафабрики памяти в Нью-Йорке за $100 млрд — проекта ждали с 2022 года
17.01.2026 [23:56],
Алексей Разин
«Делать Америку снова великой» с точки зрения организации новых высокотехнологичных производств на территории страны пыталась и администрация президента Байдена, но пожинать плоды её усилий пришлось политическому преемнику. На этой неделе Micron заложила фундамент фабрики по производству памяти в штате Нью-Йорк, хотя соответствующие намерения были объявлены впервые ещё в 2022 году. 
Источник изображения: Micron Technology Как поясняет The Register, в окрестностях выбранного для строительства предприятия места исторически обитали и размножались летучие мыши, а потому защитники природы настояли на том, чтобы для них были воссозданы приемлемые условия для существования даже после появления крупного предприятия по выпуску микросхем памяти на этой площадке. На площади около 500 га компании Micron Technology и её подрядчикам пришлось создать убежища для летучих мышей, где они смогли бы укрываться и обзаводиться потомством. Ещё более 250 га будет отведено для безопасной жизнедеятельности некоторых видов пернатых: травяного короткоклювого крапивника, болотной совы и американского луня. Вложить в развитие самого производственного комплекса в штате Нью-Йорк компания Micron намеревается около $100 млрд на протяжении 20 лет, рассчитывая за этот период построить здесь четыре крупных предприятия по выпуску микросхем памяти. Первые два предприятия будут введены в строй не ранее 2030 года, поэтому в обозримой перспективе Micron будет бороться с дефицитом памяти без опоры на возможности данного комплекса. Строительство оставшихся двух предприятий Micron рассчитывает завершить лишь к 2041 году. По планам компании, появление данного комплекса позволит увеличить объёмы производимой на территории США памяти в двенадцать раз за ближайшие два десятилетия. Местные фабрики обеспечат работой 9000 сотрудников, которые будут работать в три смены. С учётом смежных отраслей, за двадцать лет будет создано ещё 40 000 рабочих мест. Ради получения возможности строить свои предприятия в выбранном месте Micron пришлось также воссоздавать водно-болотные угодья вместо тех, что придётся устранить для строительства. По площади компенсирующие угодья превзойдут исходные почти в пять раз, а по способности улавливать парниковые газы они окажутся в три раза эффективнее. Закладка фундамента первого предприятия в штате Нью-Йорк была запланирована компанией Micron на 2024 год, но реализация компенсирующих экологических мероприятий вызвала серьёзную задержку с началом строительства. Акции Micron взлетели на 8 % — ИИ требует всё больше памяти
17.01.2026 [06:44],
Алексей Разин
Квартальная и годовая отчётность TSMC задала тренд для роста котировок акций поставщиков полупроводниковой продукции, используемой в инфраструктуре искусственного интеллекта. Micron Technology не осталась в стороне, её акции вчера подорожали на 8 %, а генеральный директор заявил, что спрос на память со стороны сегмента ИИ растёт всё быстрее. 
Источник изображения: Micron Technology В интервью CNBC Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) сообщил следующее: «Движимый ИИ спрос ускоряет свой рост. Он реален, он уже здесь, и нам требуется всё больше и больше памяти, чтобы его удовлетворить». Именно по этой причине Micron Technology собирается потратить $200 млрд на строительство новых предприятий по производству памяти в США, хотя реализация проекта и будет растянута на несколько лет. На площадке в штате Нью-Йорк компания заложила фундамент нового производственного комплекса буквально вчера. Важность церемонии подчёркивалась тем, что в ней принимал участие министр торговли США Говард Лютник (Howard Lutnick). В строительство и оснащение конкретного комплекса Micron вложит $100 млрд. Кроме того, как подчеркнул глава компании, в ближайшее время она постарается увеличить объёмы выпуска продукции на уже имеющихся предприятиях. Если год назад Micron ожидала роста спроса на серверную память в размере 10 %, то по факту к концу 2025 года темпы роста оказались почти вдвое выше. В сегменте ПК спрос на оперативную память и накопители также оказался выше прогнозов Micron. «Мы ожидаем, что дефицит сохранится и в 2027 году, в обозримом будущем сформируется прочный фундаментальный спрос во всей отрасли, подогреваемый ИИ», — отметил глава Micron. «Это печальная ситуация»: Micron попыталась оправдаться за закрытие Crucial
12.01.2026 [17:51],
Николай Хижняк
В конце прошлого года Micron объявила о судьбоносном решении закрыть бренд потребительских SSD и памяти Crucial. Теперь компания впервые прокомментировала информацию о своём уходе с потребительского рынка. Производитель также предупредил, что, несмотря на начало строительства новых заводов по производству памяти, не следует ожидать значительного увеличения объёмов выпуска чипов памяти, способного повлиять на предложение, по крайней мере до 2028 года. 
Источник изображения: Micron Ответ на критику решения компании закрыть Crucial прозвучал в интервью портала WCCFTech с Кристофером Муром (Christopher Moore), вице-президентом Micron по маркетингу подразделения мобильных и клиентских устройств. Издание не стало медлить и сразу же задало Муру вопросы о спорном, но не совсем неожиданном решении Micron закрыть потребительский бренд оперативной памяти и твердотельных накопителей Crucial в конце прошлого года. В начале декабря компания заявила, что собирается свернуть свой потребительский бизнес к концу следующего месяца (в январе 2026 года), перераспределив мощности на производство DRAM и SSD для корпоративного сектора и сегмента разработки решений в области искусственного интеллекта. Мура спросили, действительно ли поставщики памяти теперь ориентируются на сектор ИИ и «оставляют [рынок] потребителей позади» в результате этого. «Я не хотел бы говорить кому-то, что думать или что он неправ, но наша точка зрения заключается в том, что мы стараемся помогать потребителям по всему миру. Мы просто делаем это через разные каналы. У нас по-прежнему очень большой бизнес на клиентском и мобильном рынках. Мы также, конечно, обслуживаем наших клиентов из сегмента центров обработки данных. И сейчас ситуация такова, что общий объём целевого рынка (TAM) в сегменте ЦОД растёт просто невероятно. И мы хотим убедиться, что как компания также способствуем удовлетворению спроса этого рынка», — заявил Мур. Он добавил, что компания по-прежнему обслуживает клиентское направление рынка, поставляя оперативную память LPDDR5 OEM-производителям, таким как Dell и Asus, для использования, в том числе, в ноутбуках. Однако эта новость вряд ли утешит сообщество энтузиастов и любителей самостоятельной сборки ПК, сталкивающихся с колоссальным ростом цен на рынке ОЗУ и SSD. По словам Мура, Micron поддерживает связь со «всеми существующими брендами ПК», но компания просто не может позволить себе игнорировать спрос со стороны сегмента ИИ. «Сейчас происходит следующее: активно ведётся строительство центров обработки данных, и общий объём рынка (TAM) в сегменте корпоративных ЦОД растёт. Сначала он достиг 30–35 %, затем 40 %, а теперь и 50–60 % от общего рынка, что приводит к дефициту ресурсов. Вся отрасль испытывает нехватку. Думаю, это нужно понимать. Это не проблема Micron, это проблема всей отрасли, где мы и наши конкуренты спешим максимально удовлетворить потребности этих сегментов, а ресурсов просто не хватает. Это действительно печальная ситуация. Но я считаю очень важным, чтобы люди понимали, что мы по-прежнему обслуживаем потребительский рынок», — добавил Мур. 
Источник изображения: AMD Надежды профессиональных сборщиков, а также любителей самостоятельной сборки ПК связаны со строительством и вводом в эксплуатацию новых мощностей по производству памяти DRAM. Та же Micron ранее объявила о подготовке к началу строительства мегафабрики в Нью-Йорке стоимостью $100 млрд, где планирует производить 40 % всего объёма выпускаемой компанией DRAM-памяти к 2040-м годам. Мур в интервью WCCFTech также упомянул о предстоящем запуске завода ID1 в Айдахо, который должен начать работу в середине 2027 года, хотя изначально его ввод в эксплуатацию планировался на конец того же года. Однако топ-менеджер Micron предупредил, что «реальный, значимый объём производства» в цепочке поставок DRAM от нового завода в Айдахо станет заметен только к 2028 году. В настоящий момент Micron не справляется даже с текущим спросом. Генеральный директор компании заявил в декабре, что Micron способна удовлетворить лишь от половины до двух третей спроса на память, а это означает, что новые мощности в первую очередь будут направлены на восполнение существующего дефицита. Иными словами, даже если 2028 год может стать первым значимым шагом Micron к увеличению поставок DRAM, может пройти ещё несколько месяцев, прежде чем обычные потребители начнут замечать изменения к лучшему в ценах на сборку ПК. «Вы правы. Они [новые производственные линии] появятся. Для значительного увеличения объёма производства нам нужно больше чистых помещений, а это требует много времени. Поэтому три года назад мы начали строительство завода ID1 в Айдахо. Он должен быть введён в эксплуатацию в середине 2027 года — мы перенесли его открытие на более ранний срок, поскольку изначально ввод планировался к концу 2027 года. Но вы не увидите реального, значимого объёма производства к тому времени, как мы завершим все квалификационные испытания, клиенты примут продукцию и всё оборудование будет запущено и готово к работе, — это произойдёт не раньше 2028 года. Производители памяти спешат строить новые производственные линии, но различные ограничения в процессе в конечном итоге вынуждают их сдвигать сроки на несколько кварталов вперёд. А это значит, что для среднестатистического потребителя дефицит DRAM может сохраняться довольно долго или, по крайней мере, до тех пор, пока спрос со стороны ИИ не начнёт снижаться», — заявил Мур. ИИ-ускорители упёрлись в предел скорости HBM, и эта проблема пострашнее дефицита памяти
11.01.2026 [12:27],
Алексей Разин
По оценкам представителей отрасли, современные ИИ-ускорители в своём развитии достигли того этапа, когда пропускная способность интерфейса памяти становится узким местом на пути дальнейшего масштабирования быстродействия. Дефицит памяти или её объём в этом отношении уходят на второй план, и устранение этого барьера главным образом зависит от разработчиков GPU и больших языковых моделей. 
Источник изображения: Nvidia По словам сооснователя Majestic Labs Ша Рабии (Sha Rabii), на которого ссылается CNBC, если непосредственно ускорители вычислений в последние годы продвинулись в своём быстродействии весьма значительно, сопутствующая им память стала не особо быстрее. По сути, именно производительность памяти ограничивает сейчас дальнейший рост быстродействия больших языковых моделей. При этом переход к инференсу увеличит потребности в объёме памяти, так что спрос на неё будет расти очень быстро. В любом случае, чем больше в инфраструктуре ИИ памяти, тем большее количество клиентов она способна обслуживать в единицу времени. О необходимости наращивать объёмы выпуска памяти на CES 2026 говорил и основатель Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang). Он даже отметил, что покупатели игровых решений компании типа видеокарт и консолей «обижены» на отрасль ИИ, поскольку дефицит памяти толкает цены вверх даже в указанных смежных сегментах рынка. Даже запланированный AMD и Nvidia переход на использование памяти типа HBM4 не позволит полностью решить проблему пропускной способности. Память этого семейства всё равно ограничена в количестве задействованных каналов и высоте стека микросхем, не говоря уже о ширине интерфейса. Пропускная способность вычислительных систем могла бы масштабироваться гораздо эффективнее, если бы не свойственные HBM ограничения. Наращивать количество вычислительных блоков в составе GPU в таких условиях не имеет особого смысла, ибо память не будет успевать передавать все данные при вычислительных нагрузках, имеющих отношение как к обучению больших языковых моделей, так и инференсу. Доступные разработчикам компонентов методы упаковки чипов также выступают в роли специфического ограничивающего фактора, в условиях высокого спроса профильные мощности сильно загружены, усиливая дефицит скоростной памяти и повышая расходы производителей. На архитектурном уровне разработчики пытаются изучать альтернативы типа осуществления вычислений прямо внутри микросхем памяти (PIM), увеличения плотности компоновки микросхем в составе стека памяти, а также применения в многокристальных решениях прогрессивных интерфейсов типа UCIe, которые позволяют не только увеличить эффективную полосу пропускания, но и снизить задержки при работе с данными. Темпы дальнейшего масштабирования инфраструктуры ИИ будут зависеть от прогресса в сфере внедрения более скоростной памяти. HBM4 предложит прирост быстродействия в полтора раза относительно HBM3E, позволяя через свою более широкую 2048-разрядную шину передавать до 2 терабайт данных в секунду. К 2027 году на арену выйдет память типа HBM4E, которая потенциально увеличить скорость передачи информации ещё в полтора раза. Внедрение интерфейса CXL также должно способствовать повышению эффективности обмена данными между компонентами вычислительных систем. В части памяти переход к CXL обеспечит увеличение степени загрузки на 50 %, а также снижение энергопотребления на величину до 20–30 %. Появление новых методов трёхмерной компоновки памяти тоже должно способствовать повышению производительности и снижению энергопотребления. Micron на следующей неделе заложит фундамент крупнейшего комплекса по производству памяти в США
08.01.2026 [08:59],
Алексей Разин
Ещё при президенте Байдене компания Micron Technology объявила о намерениях построить в США крупные предприятия по производству памяти, часть которых должна расположиться в штате Нью-Йорк. Пройдя все необходимые этапы согласований, она теперь готова 16 января заложить фундамент комплекса в этом штате, который станет крупнейшим среди подобных на территории США. 
Источник изображения: Micron Technology В общей сложности на строительство четырёх предприятий по выпуску микросхем памяти в штате Нью-Йорк будет направлено около $100 млрд, и это половина всей суммы, которую Micron собирается направить на развитие производства в США в ближайшие полтора десятилетия. В середине января будет в торжественной обстановке заложен фундамент первого из четырёх предприятий на территории штата Нью-Йорк, но оно вряд ли начнёт выпускать продукцию ранее 2030 года. Ещё три предприятия по соседству будут достроены до 2040 года, так что программа развития комплекса рассчитана на длительный срок. Micron подчёркивает, что этот комплекс станет самым современным с технологической точки зрения, во многом его возможности будут использоваться для удовлетворения спроса на память со стороны инфраструктуры для ИИ. Кроме того, эта площадка станет самой крупной среди выпускающих полупроводниковые компоненты на территории США. Судя по обширному списку приглашённых на январскую церемонию закладки фундамента официальных лиц, обратного пути не будет, и как минимум первое предприятие по выпуску памяти в штате Нью-Йорк компания построит. SSD с PCIe 5.0 становятся массовыми: представлен Micron 3610, но купить его можно будет только в комплекте с ПК или ноутбуком
07.01.2026 [10:50],
Павел Котов
Быстрые SSD с поддержкой PCIe 5.0 поначалу были настолько дорогими, что оправдывали себя только при сборке высокопроизводительных игровых систем. Изменить это призван недорогой накопитель Micron 3610, который, впрочем, не поступит в открытую продажу. 
Источник изображения: Micron Micron 3610 — внутренний SSD формфактора M.2 с интерфейсом PCIe 5.0 — сочетает в себе высокие скорости чтения и записи, энергоэффективность и возможность контролировать температуру; он хорошо подходит для ноутбуков и других клиентских устройств. Отличительной особенностью Micron 3610, построенного на чипах G9 QLC NAND, является отсутствие DRAM — производитель позиционирует его как массовый твердотельный накопитель пятого поколения, занимающий промежуточное положение между премиальными Micron 4600 и недорогими SSD на базе PCIe 4.0. Новый Micron 3610 обеспечивает скорость последовательного чтения до 11 000 Мбайт/с и последовательной записи — до 9300 Мбайт/с; скорость случайного чтения составляет 1,5 млн IOPS, случайной записи — 1,6 млн IOPS, то есть он адекватно справляется с ресурсоёмкими рабочими нагрузками. Производитель, однако, подчёркивает, что Micron 3610 не будет продаваться в розницу как отдельный компонент, а станет поставляться только производителям ПК, в том числе Dell и HP, и появится в составе готовой продукции. Micron постаралась снизить производственные затраты на этот SSD: была использована недорогая память QLC NAND, а вместо встроенной DRAM применён HMB (Host Memory Buffer), что помогло снизить энергопотребление и тепловыделение, а также увеличить время автономной работы компьютера, если накопитель используется в ноутбуке. Ещё одна отличительная особенность Micron 3610 — размещение чипов памяти только на одной стороне платы M.2, благодаря чему накопитель комфортно размещается в ограниченном пространстве. Модель будет выпускаться в вариантах ёмкостью от 1 до 4 Тбайт и станет первым SSD с интерфейсом PCIe 5.0 в одностороннем исполнении и формфакторе M.2 2230. Из-за роста цен на память выпускать её уже стало выгоднее, чем чипы на заказ
23.12.2025 [09:40],
Алексей Разин
Масштабы бизнеса тайваньской TSMC подразумевают не только колоссальные капитальные затраты, но и хорошую прибыльность деятельности по контрактному производству чипов. Рынок памяти традиционно характеризовался цикличностью с затяжными периодами убыточности, но в четвёртом квартале рост цен сделал этот бизнес более доходным по сравнению с TSMC. 
Источник изображения: Samsung Electronics По крайней мере, на этом настаивает Hankyung, подводя предварительные итоги деятельности Samsung Electronics и SK hynix в четвёртом квартале текущего года. Впервые за последние семь лет выпуск памяти станет более доходным бизнесом по сравнению с контрактным производством чипов. Если TSMC по итогам этого квартала может ограничиться нормой прибыли на уровне 60 %, то у Samsung Electronics и SK hynix этот показатель может достичь 63 и 67 % соответственно. В предыдущем фискальном квартале норма прибыли американской Micron Technology уже достигла 56 %, а по итогам текущего должна вырасти до 67 %. Таким образом, к февралю следующего года Micron также может обойти TSMC по прибыльности. Все три основных игрока рынка памяти сосредоточили усилия на увеличении объёмов выпуска HBM для сегмента инфраструктуры ИИ. Для нужд выпуска HBM ими было выделено от 18 до 28 % мощностей, задействованных при производстве DRAM. Цены на память такого типа в результате выросли за квартал на 30 %. Эволюция сегмента ИИ также диктует свои условия рынку памяти. На этапе перехода от обучения больших языковых моделей к инференсу вырастет потребность в более энергоэффективной памяти большого объёма. HBM отойдёт на второй план, больше будут востребованы микросхемы типов GDDR7 и LPDDR5X. Будут появляться и новые виды памяти, включая варианты с поддержкой вычислений непосредственно на стороне памяти. Особое внимание будет уделяться прогрессивным компоновочным решениям, позволяющим увеличить плотность хранения данных. Samsung обогнала Micron и вернула себе второе место на рынке памяти HBM
21.12.2025 [21:55],
Николай Хижняк
В третьем квартале этого года Samsung Electronics обошла Micron Technology и вернула себе второе место на рынке высокоскоростной памяти (HBM). После падения на третье место в первом и втором кварталах компания продемонстрировала тенденцию к восстановлению, расширив поставки продуктов HBM3E (5-го поколения). 
Источник изображения: Counterpoint Research По данным исследовательской компании Counterpoint Research от 19 декабря, глобальная доля Samsung Electronics на рынке HBM (по выручке) в третьем квартале составила 22 %. По сравнению с предыдущим кварталом рост составил 7 процентных пунктов (с 15 %). За тот же период Micron заняла 21 % рынка, тем самым уступив второе место Samsung Electronics. SK hynix сохранила первую позицию с долей в 57 %. Хотя она по-прежнему является лидером рынка, её доминирование несколько ослабло по сравнению с предыдущим кварталом, когда её доля составляла 64 %. Согласно оценкам аналитиков, Samsung Electronics заложила основу для восстановления, преодолев негативный фактор сокращения экспорта в Китай и начав полномасштабные поставки продукции HBM3E с третьего квартала. Samsung также демонстрирует серьёзную конкуренцию на общем рынке DRAM. По доле рынка DRAM в третьем квартале, рассчитанной на основе выручки, SK hynix сохранила первое место с 34 %, в то время как доля Samsung Electronics достигла 33 % (рост на 1 п.п). Разрыв между Samsung и SK hynix составляет всего 1 процентный пункт. В отчёте говорится, что SK hynix сотворила настоящую сенсацию, впервые в истории обогнав Samsung Electronics и заняв первое место по выручке от DRAM в первом квартале этого года. Падение Samsung Electronics на второе место после 33-летнего удержания позиции «полупроводникового императора» с 1992 года стало беспрецедентным событием в истории полупроводниковой промышленности. Micron же заняла третье место с долей рынка в 26 % за тот же отчётный период. Рынок DRAM в этом квартале в целом вырос на 26 % по сравнению с предыдущим кварталом благодаря рекордному росту цен и увеличению объёмов поставок. Поскольку три ведущих производителя памяти сократили производство устаревшей DRAM, возник дефицит предложения, что привело к росту цен. Аналитики отрасли ожидают дальнейшего усиления конкуренции за лидерство на рынке HBM4 в следующем году. Samsung Electronics расширяет производственные мощности HBM3E во второй половине года и ускоряет разработку продуктов следующего поколения (HBM4). Ожидается, что SK hynix тоже сосредоточит все усилия на сохранении своего лидерства в сегменте HBM. Samsung почти не будет отставать от SK hynix по срокам поставок HBM4 для Nvidia
21.12.2025 [07:55],
Алексей Разин
Бум искусственного интеллекта сказочно обогащает Nvidia и её основателя, но партнёры компании тоже неплохо зарабатывают на поставках необходимых для построения вычислительной инфраструктуры компонентов. В сегменте HBM3E лидером стала SK hynix, но Samsung надеется наверстать упущенное при выпуске HBM4 и практически не отстаёт от конкурента на этапе подготовки к массовым поставкам этого типа памяти. 
Источник изображения: SK hynix Как отмечает Business Korea, сейчас Samsung Electronics и SK hynix уже предоставили образцы HBM4 для проведения сертификации на стороне Nvidia, которая будет применять память такого типа в составе своих ускорителей с архитектурой Rubin. До конца первого квартала 2026 года стороны должны определиться с ценами и объёмами поставок HBM4, как ожидают отраслевые источники. Формально, Samsung и SK hynix уже снабжают клиентов образцами HBM4, получая за них деньги. Этот этап ещё нельзя назвать массовыми поставками, но он предшествует завершению сертификации и заключению контрактов на отгрузку серийной продукции, так что дело осталось за малым. По некоторым данным, Nvidia уже проверила образцы HBM4 в исполнении SK hynix на своих ускорителях поколения Rubin. Как только выпуск последних будет налажен в серийных объёмах, SK hynix сможет начать поставки своей памяти типа HBM4. Предварительные переговоры о цене и объёмах поставок HBM4 компания SK hynix с Nvidia уже тоже провела. Технические моменты также были согласованы, и слухи о необходимости переработки дизайна HBM4 по требованию Nvidia не соответствуют действительности, как утверждает Business Korea. Ещё на квартальной отчётной конференции представители SK hynix заявили, что компания будет готова начать поставки HBM4 в четвёртом квартале текущего года. Переговоры с Samsung о поставках HBM4 для нужд Nvidia в следующем году также достигли завершающей стадии, по данным источника. Скорее всего, Samsung станет вторым по величине после SK hynix поставщиком HBM4 для Nvidia. Чипы HBM4 производства Samsung также тестируются Nvidia в составе ускорителей Rubin. К преимуществам Samsung можно отнести более продвинутые литографические нормы, которая она может использовать при производстве HBM4. Micron и ранее занимала третье место на рынке HBM, и в случае с HBM4 мало что изменится, поскольку над разработкой этого типа памяти компании пришлось потрудиться дольше, чем планировалось. Вопреки заявлениям руководства, первые образцы HBM4 в исполнении Micron по уровню быстродействия уступали продукции конкурентов. Если SK hynix полагается при производстве базовых кристаллов с логикой для HBM4 на возможности TSMC, а Samsung располагает собственными мощностями с хорошим по меркам сегмента технологическим потенциалом, то Micron предпочла выпускать базовые кристаллы HBM4 собственными силами, а потому не обладает существенным запасом для повышения быстродействия изготавливаемых чипов. «В течение 2026 года и дальше» — Micron напугала, насколько затянется дефицит памяти
18.12.2025 [21:57],
Николай Хижняк
Компания Micron, один из трёх крупнейших поставщиков памяти в мире, прогнозирует сложные месяцы для мирового рынка оперативной памяти. В рамках квартального финансового отчёта генеральный директор Micron Санджай Мехротра (Sanjay Mehrotra) заявил, что «жёсткие отраслевые условия» на рынке DRAM и NAND, как ожидается, сохранятся «в течение 2026 года и дальше», поскольку искусственный интеллект стимулирует рост спроса. 
Источник изображения: Micron Technology В разгар бума ИИ Micron зарабатывает больше, чем когда-либо, поскольку такие компании, как OpenAI, Meta✴✴, Microsoft и Google, оснащают свои центры обработки данных мощными ИИ-чипами, поставляемыми в комплекте с высокоскоростной памятью HBM. Компания в очередной раз отчиталась о рекордной выручке в размере $13,64 млрд за прошедший квартал, что является значительным скачком по сравнению с $8,71 млрд, полученными за тот же период прошлого года. Micron недавно сообщила о закрытии своего бизнеса по производству потребительской продукции Crucial и смещении фокуса на гораздо более прибыльное производство памяти HBM, для выпуска которой используется в три раза больше кремниевых пластин по сравнению со стандартной DRAM. Это приводит к сокращению ресурсов, доступных для производства чипов памяти DRAM, применяемых в потребительских ПК, смартфонах, смарт-телевизорах и даже автомобилях. Дисбаланс в доступности памяти DRAM уже начал приводить к росту цен на комплекты оперативной памяти DDR5, и ожидается, что вскоре это повлияет и на другие устройства. «За последние несколько месяцев планы наших клиентов по созданию центров обработки данных для ИИ привели к резкому увеличению прогнозируемого спроса на память и хранилища», — сказал Мехротра во время конференции по итогам квартала, добавив, что «объём предложения будет существенно отставать от спроса в обозримом будущем». Micron также заявила в своём отчёте, что эти «ограничения предложения в сегменте чипов памяти» могут повлиять на поставки ПК в следующем году. Компания стремится нарастить производство и ожидает увеличения поставок DRAM и NAND-памяти на 20 % в следующем году, однако этого всё ещё недостаточно, чтобы полностью удовлетворить спрос. Micron предсказала рост рынка памяти HBM до $100 млрд к 2028 году
18.12.2025 [13:04],
Алексей Разин
Руководство американской Micron Technology, как позволяет понять публикация Seeking Alpha, на квартальном отчётном мероприятии заглядывало в будущее чуть дальше 2026 года. По мнению Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), до 2028 года рынок памяти в денежном выражении будет расти в среднем на 40 % в год, и достигнет ёмкости в $100 млрд против $35 млрд по итогам текущего года. 
Источник изображения: Micron Technology Как добавил генеральный директор Micron, рубеж в $100 млрд рынок HBM преодолеет на два года быстрее, чем планировалось изначально. Дефицит памяти сохранится, по его мнению, не только до конца 2026 года, но и в последующие периоды. По словам Мехротры, ключевым фактором роста поставок памяти DRAM и NAND для компании станет переход на более прогрессивные технологии их производства, поскольку в краткосрочной перспективе другого способа нарастить объёмы выпуска просто не будет. Соответственно, увеличенные с $18 до $20 млрд капитальные затраты в следующем году Micron направит главным образом на внедрение новых технологий производства памяти. Приоритет будет отдан так называемому техпроцессу «1-гамма» для выпуска DRAM и сектору HBM во всём его многообразии. К слову, в прошлом квартале бизнес Micron рос довольно гармонично. На направлении DRAM выручка увеличилась последовательно на 20 % до $10,8 млрд (к сегменту относится и HBM), а производство NAND нарастило профильную выручку на 22 % до $2,7 млрд по сравнению с предыдущим кварталом. Общая выручка компании последовательно выросла на 21 % до $13,6 млрд, в годовом сравнении она увеличилась на 57 %. По словам Мехротры, дефицит HBM сохранится в следующем году, причём на улучшение ситуации с доступностью классической DRAM тоже рассчитывать не приходится. В своих конкурентных позициях на рынке Micron очень уверена, поскольку готова предложить клиентам хорошие характеристики и при этом сохранять прибыльность. Норма прибыли как таковая далее будет расти более умеренными темпами, чем в предыдущие пару кварталов, но предстоящая миграция на новые технологии производства памяти существенно её не испортит. Долгосрочные контракты на поставку памяти, которые рассчитаны на несколько лет, Micron теперь заключает на гораздо более выгодных условиях, чем ранее. |
|
✴ Входит в перечень общественных объединений и религиозных организаций, в отношении которых судом принято вступившее в законную силу решение о ликвидации или запрете деятельности по основаниям, предусмотренным Федеральным законом от 25.07.2002 № 114-ФЗ «О противодействии экстремистской деятельности»; |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
