Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Micron запустила массовое производство первого в мире SSD с PCIe 6.0 — Micron 9650 обеспечит до 28 000 Мбайт/с
14.02.2026 [12:35],
Павел Котов
Micron Technology объявила о запуске в массовое производство Micron 9650 — компания объявила его первым в мире серийным твердотельным накопителем с поддержкой стандарта PCIe 6.0. 
Источник изображений: micron.com Производитель подчёркивает, что переход на PCIe 6.0 — это шаг вперёд по сравнению с PCIe 5.0 и удвоенная пропускная способность. Фактор пропускной способности является ограничивающим в инфраструктуре искусственного интеллекта, где производится постоянное перемещение данных между накопителями и вычислительными ресурсами. SSD Micron 9650 предназначен для работы в центрах обработки данных — с потребительского рынка компания ушла, когда в декабре закрыла бренд Crucial.  Скорость последовательного чтения данных у Micron 9650 составляет до 28 000 Мбайт/с, последовательной записи — до 14 000 Мбайт/с; до 5,5 млн операций ввода-вывода в секунду при случайном чтении и до 900 тыс. — при случайной записи. Компания привела аналогичные показатели для SSD с интерфейсом PCIe 5.0, и некоторые из них оказались вдвое меньшими.  Ещё одной сильной стороной Micron 9650, добавили в компании, является производительность на ватт — потребляя те же 25 Вт, что и накопитель предыдущего поколения, новая модель предлагает до двухкратного прироста скорости. Пропускная способность Micron 9650 на 1 Вт составляет 1120 Мбайт/с против 560 Мбайт/с у модели с PCIe 5.0; в случайном чтении показатели равны 220 тыс. против 132 тыс. операций ввода-вывода в секунду на ватт. Nvidia готова пожертвовать скоростью HBM4, чтобы получить достаточно памяти для Vera Rubin
13.02.2026 [08:40],
Алексей Разин
Производители HBM4 не так просто отмечают, что их память способна работать на частотах, превышающих требования стандарта JEDEC. Принято считать, что ради достижения максимального быстродействия своих ускорителей Vera Rubin компания Nvidia выдвинула поставщикам HBM4 повышенные требования к скорости работы памяти. Теперь она готова пойти на попятную ради стабильности поставок памяти. 
Источник изображения: Samsung Electronics Об этом сообщает южнокорейское зеркало ZDNet, поясняя, что изначально Nvidia рассчитывала оснащать свои ускорители вычислений Vera Rubin памятью HBM4, обеспечивающей скорость передачи информации не ниже 11,7 Гбит/с. Снабжать её памятью типа HBM4 вызвались SK hynix, Samsung Electronics и Micron Technology. Хотя все три поставщика способны выпускать память с заданными характеристиками, делать они это пока могут не в тех объёмах, которые требуются Nvidia. ZDNet сообщает, что Nvidia готова согласится и на закупку чипов HBM4, обеспечивающих только скорость передачи данных на уровне 10,6 Гбайт/с, хотя не откажется и от более быстрых микросхем со скоростью 11,7 Гбайт/с. В этом году дефицит памяти проявит себя сильнее, а потому Nvidia не хочет усложнять жизнь себе, своим поставщикам и клиентам, устанавливая чрезмерно строгие технические условия на поставку HBM4. Южнокорейская SK hynix может обеспечить до 60 % поставок HBM4 для нужд Nvidia, но даже она не готова предложить партнёру исключительно быстрые микросхемы данного типа. Samsung хотя и заявила о начале серийных поставок HBM4, нарастить свои профильные мощности в сжатые сроки не сможет, а Nvidia при этом не сможет полностью полагаться в данном вопросе и на Micron. Получается, что компании придётся подстраиваться под возможности производителей HBM4, жертвуя быстродействием части ассортимента ускорителей Vera Rubin. Micron опровергла слухи, что её HBM4 оказалась не нужна Nvidia — массовое производство начнётся в текущем квартале
12.02.2026 [08:01],
Алексей Разин
Ведущие производители памяти сейчас соперничают за лучшие условия сотрудничества с Nvidia в сфере поставок HBM4, и финансовый директор Micron Technology Марк Мёрфи (Mark Murphy) недавно дал понять, что данная компания не собирается оставаться за бортом прогресса. Массовые поставки микросхем HBM4 она начинает в этом квартале, быстрее первоначального намеченного срока. 
Источник изображения: Micron Technology Ещё в декабре прошлого года Micron рассчитывала приступить к поставкам HBM4 лишь во втором квартале текущего года, но теперь полна решимости наращивать объёмы уже в текущем квартале. Образцы HBM4 компания Micron поставляет своим клиентам с сентября прошлого года. Она изначально отмечала, что предлагает самую быструю память HBM4 на рынке со скоростью передачи информации более 11 Гбит/с, но с тех пор лидерство в данной сфере пытается оспаривать Samsung. По данным южнокорейских СМИ, все три крупнейших поставщика HBM4 смогут снабжать памятью этого типа компанию Nvidia, которой она нужна для оснащения ускорителей вычислений семейства Rubin. На долю SK hynix придётся около 55 % таких поставок, Samsung получит около 25 %, а Micron придётся довольствоваться 20 %. В любом случае, по словам финансового директора Micron Technology, слухи о неспособности компании принять участие в снабжении Nvidia памятью HBM4 в текущем году не имеют ничего общего с реальностью. Как ожидается, очередной рассказ об ускорителях Rubin можно будет услышать от представителей Nvidia на мартовской конференции GTC 2026. Micron при этом продолжает расширять свои мощности, пригодные под организацию упаковки чипов памяти. Помимо сотрудничества с тайваньской PSMC, американский производитель памяти с 2024 года скупает простаивающие тайваньские предприятия по выпуску ЖК-панелей. В прошлом году Micron купила два таких завода на Тайване у AUO, а в этом готовится купить ещё одно у Innolux. После переоборудования такие предприятия можно приспособить к тестированию и упаковке микросхем памяти. Совместный проект с PSMC начнёт приносить свои плоды с конца 2027 года. Samsung, SK hynix и Micron стали перепроверять все заказы на поставку памяти, чтобы исключить закупки впрок
01.02.2026 [16:26],
Николай Хижняк
По данным Nikkei Asia, три крупнейших производителя микросхем памяти — Micron, SK hynix и Samsung Electronics — усилили контроль за заказами клиентов, чтобы предотвратить преднамеренное накопление запасов. Источники издания сообщают, что производители чипов памяти теперь требуют от клиентов раскрывать информацию о конечных потребителях и объёмах заказов, чтобы убедиться в подлинности спроса и предотвратить перебронирование или чрезмерное накопление запасов, которые могут ещё больше дестабилизировать рынок. 
Источник изображения: Micron Продолжающийся дефицит чипов памяти сильнее всего ударит по потребительской электронике начального и среднего уровня такой, как телевизоры, телеприставки, домашние маршрутизаторы, бюджетные планшеты, смартфоны и ПК. Автомобильный сектор также может столкнуться со значительным давлением из-за более длительных циклов сертификации. Последствия повышения цен на память уже начинают проявляться во всех сегментах потребительской электроники. По данным TrendForce, до дефицита на чипы DRAM приходилось всего 2,5–3 % от общей себестоимости компонентов при сборке тех же телевизоров. С тех пор эта доля быстро выросла до 6–7 %, что оказало значительное давление на прибыльность брендов. Менее крупные бренды с меньшим масштабом производства и ресурсами, вероятно, будут нести более тяжёлое бремя, чем гиганты рынка. На фоне роста затрат и ужесточения поставок производители ПК также могут сократить объёмы выпускаемых продуктов. Аналитики TrendForce снизили свой прогноз по поставкам ноутбуков на 2026 год, пересмотрев его снижение с 5,4 % в годовом исчислении до более резкого падения на 9,4 %. Как пишет Nikkei Asia, в ответ на дефицит некоторые производители даже начали скупать старые запасы продуктов, хранящихся на складах заказчиков. Извлечение микросхем памяти из этих устройств и их повторная установка на другие печатные платы, нередко в рамках продуктов совершенно другого сегмента, позволяет повторно использовать компоненты и обеспечить дополнительные поставки. Однако такой подход, как сообщается, ограничен вторичными рынками, которые могут мириться с потенциальными проблемами качества. Издание добавляет, что некоторые производители ПК также разрабатывают модели устройств начального уровня с дополнительными слотами для памяти, что позволит пользователям при необходимости увеличить объём памяти позже. Гиганты в сфере производства памяти недавно отреагировали на сохраняющийся дефицит. SK hynix сообщила, что её запасы DRAM резко сократились в годовом исчислении в четвёртом квартале прошлого года и, как ожидается, продолжат сокращаться во второй половине этого года, что говорит о том, что ситуация с поставками для клиентов, вероятно, останется напряженной ещё некоторое время. Что касается флеш-памяти NAND, SK hynix отметила, что её запасы — в первую очередь для SSD — сокращаются со второй половины прошлого года и сейчас находятся на уровне, сопоставимом с запасами DRAM. По информации Hankyung, запасы DRAM у Samsung сократились примерно до шести недель, что составляет примерно половину от типичных 10–12 недель. Обладая крупнейшими производственными мощностями среди большой тройки производителей памяти, Samsung имеет все шансы извлечь максимальную выгоду из сложившейся ситуации на рынке. Нужно больше памяти: Micron вложит $24 млрд в расширение производства NAND в Сингапуре
27.01.2026 [09:43],
Алексей Разин
Производителей памяти нередко обвиняют в нерасторопности, которая в условиях резкого роста на продукцию приводит к дефициту и росту цен, но американская Micron Technology демонстрирует готовность наращивать производственные мощности. В Сингапуре она расширит своё предприятие по выпуску NAND, вложив $24 млрд. 
Источник изображения: Micron Technology Компания на этой неделе объявила о закладке фундамента нового предприятия по выпуску NAND в Сингапуре, которое расположится рядом с уже существующим. На протяжении последующих 10 лет в развитие этой площадки будет вложено $24 млрд, в итоге здесь появятся дополнительные 65 000 квадратных метров «чистых комнат» для обработки кремниевых пластин. Новое предприятие начнёт выдавать продукцию со второй половины 2028 года, оно позволит создать около 1600 рабочих мест. Micron не скрывает, что расширение производства NAND потребовалось для удовлетворения спроса на твердотельную память со стороны сегмента ИИ. В этом месяце, напомним, Micron также договорилась о покупке предприятия PSMC на Тайване, которое будет переоборудовано под упаковку памяти типа HBM. Конкурирующие Samsung и SK hynix, по имеющимся данным, не готовы вкладываться в расширение производства NAND в текущем году, и даже планируют сократить объёмы выпуска такой продукции на 5 %, отдавая предпочтение производству DRAM. В Сингапуре у Micron сосредоточено производство NAND, она выпускает 98 % своей продукции такого типа в этом крохотном государстве. Здесь также строится предприятие по упаковке HBM, на которое будет потрачено $7 млрд — свою работу оно начнёт в 2027 году. В США компания начала строительство нового комплекса по выпуску DRAM, в которое будет вложено около $100 млрд за ближайшие пару десятилетий. Памяти не будет ещё долго: Micron признала, что «беспрецедентный» дефицит выйдет за пределы 2026 года
19.01.2026 [13:26],
Алексей Разин
Американский производитель памяти в условиях дефицита продукции ведёт себя сообразно ситуации. С одной стороны, нужды потребительского рынка он в свете прекращения поставок модулей памяти под маркой Crucial он готов обслуживать в минимальной степени. С другой стороны, компания вкладывается в расширение своих производственных мощностей. При этом текущим годом период дефицита памяти не ограничится, как считают в Micron. 
Источник изображения: Micron Technology Исполнительный вице-президент по операционной деятельности Micron Technology Маниш Бхатиа (Manish Bhatia) в интервью Bloomberg после церемонии закладки фундамента крупного производственного комплекса в штате Нью-Йорк сообщил, что «текущий дефицит, который наблюдается, является беспрецедентным». По его словам, память типа HBM для ЦОД потребляет так много ресурсов промышленности, что возникает огромный дефицит на стороне классических сегментов рынка типа смартфонов и ПК. И если производители последних выстраиваются в очередь, чтобы уже сейчас забронировать поставки памяти на период после 2026 года, то в дальнейшем спрос на память будет расти и со стороны автомобильных систем автопилота и человекоподобных роботов. В сегменте ИИ, как ранее отмечали представители Micron, все квоты памяти этой марки выкуплены клиентами на весь текущий год. Недавние шаги по покупке предприятия у PSMC на Тайване, по словам исполнительного вице-президента Micron, были направлены на скорейший ввод новой площадки по упаковке памяти в строй. Она сможет приступить к обработке продукции со второй половины следующего года. Все вновь возводимые Micron предприятия по выпуску памяти будут введены в строй значительно позже. В штате Нью-Йорк это случится не ранее 2030 года, а вот первое предприятие в Айдахо сможет начать работу уже в 2027 году. Всего в штате будет построено два предприятия по выпуску памяти и исследовательский центр. Кроме того, Micron модернизирует и расширяет завод в Вирджинии. В любом случае, все новые мощности Micron будет вводить в строй на территории США, а азиатские площадки будут повышать производительность за счёт модернизации и перехода на более совершенные технологии изготовления памяти. В перспективе компания хотела бы 40 % своей памяти типа DRAM выпускать на территории США. США пригрозили Samsung и SK hynix 100-процентными пошлинами за отказ локализовать производство
19.01.2026 [12:08],
Алексей Разин
Обсуждая соглашение с Тайванем в сфере внешней торговли, профильный американский министр Говард Лютник (Howard Lutnick) уже признался, что если тайваньские производители не пожелают локализовать выпуск чипов в США, то могут столкнуться с повышением импортных пошлин до 100 %. Как оказывается, это условие распространяется не только на производителей с Тайваня. 
Источник изображения: Micron Technology Напомним, компания TSMC благодаря своему участию в локализации производства в Аризоне сможет не только претендовать на получение части из $250 млрд заёмных средств, предоставляемых под гарантии американского правительства, но и в период строительства локальных предприятий ввозить без уплаты пошлин объёмы продукции, в 2,5 раза превышающие объёмы выпуска будущего предприятия. После завершения строительства квота беспошлинного ввоза сокращается до полуторакратной, но все объёмы свыше этого уровня TSMC всё равно будет проводить через американскую таможню по ставке 15 %. Выступая на церемонии закладки фундамента крупного комплекса Micron Technology по выпуску памяти в штате Нью-Йорк, министр Лютник заявил следующее: «Любой, кто хочет выпускать память, имеет два варианта: либо платить пошлину в размере 100 %, либо строить в Америке. Это промышленная политика». Заметим, что крупнейшими поставщиками памяти являются южнокорейские компании Samsung Electronics и SK hynix, американская Micron Technology занимает третье место по общим объёмам производства такой продукции. Соответственно, слова американского министра можно истолковать таким образом, что таможенные пошлины в размере 100 % будут применяться и к продукции Samsung, и SK hynix, ввозимой на территории США, если обе компании не пожелают расширить свою производственную базу в этой стране. Говард Лютник при этом не стал называть имена конкретных компаний или страны, к которым относятся новые требования по локализации производства памяти в США. Их представляется возможным определить, используя простую логику. Samsung Electronics ещё в 2024 году объявила о намерениях вложить в локализацию производства в США более $40 млрд, причём $17 млрд из этой суммы будет направлено на передовое предприятие по тестированию и упаковке микросхем памяти в Техасе. Соответственно, Samsung номинально соответствует новым требованиям властей США к организации если не производства, то хотя бы упаковки памяти на территории страны. Осталось только убедиться, что предполагаемые объёмы обработки продукции в Техасе удовлетворят запросы американских властей. SK hynix в общей сложности собирается направить в американскую экономику $15 млрд, из них $4 млрд будут направлены на передовое предприятие по упаковке и тестированию памяти в штате Индиана. На фоне планов Micron, которая собирается за двадцать лет потратить в США около $200 млрд, эти суммы меркнут, но южнокорейские производители при этом оперируют более сжатыми сроками. Micron купила завод PSMC за $1,8 млрд — всё оборудование «выбросят» ради выпуска HBM
18.01.2026 [10:41],
Алексей Разин
Американская компания Micron Technology на этой неделе своими действиями дала понять, что для расширения производства памяти вовсе не обязательно несколько лет подряд строить новые предприятия. За $1,8 млрд ею будет куплен существующий завод PSMC на Тайване, на мощностях которого во второй половине следующего года будет развёрнут выпуск DRAM. Также на этой площадке будет организована упаковка микросхем HBM с участием PSMC. 
Источник изображения: Micron Technology Сделка между компаниями будет закрыта во втором квартале текущего года после проведения всех необходимых согласований. Предприятие P5 расположено в Тунлуо на северо-западе Тайваня. PSMC является контрактным производителем чипов, и хотя данный вид деятельности в чём-то похож с организационной и технологической точки зрения на выпуск микросхем памяти, приобретаемое Micron предприятие всё же придётся переоборудовать. Фактически, Micron полностью заменит всё оборудование на новое, поскольку предприятие будет перепрофилировано серьёзным образом. Имеющееся оборудование с продаваемого предприятия PSMC переместит в Синьчжу, где оно найдёт применение на модернизируемом заводе компании. Туда же переедет и персонал с фабрики в Тунлуо, но сам процесс перемещения сотрудников и оборудования будет организован таким образом, чтобы минимально влиять на производство продукции. Выпуск микросхем оперативной памяти будет здесь налаживаться компанией Micron поэтапно, в несколько фаз, по мере заполнения завода новым оборудованием. В полную собственность Micron предприятие в Тунлуо перейдёт поэтапно за 18 месяцев. Покупатель согласился авансом заплатить за услуги PSMC по тестированию и упаковке памяти, которые в будущем станут оказываться на приобретаемой площадке. PSMC также выпускает память менее современных типов, после сделки с Micron компании будут сотрудничать в сфере тестирования и упаковки чипов памяти, включая современные виды HBM. Для PSMC эта сделка, по сути, станет проводником в мир поставщиков актуальных компонентов для систем ИИ. Перепрофилированное предприятие в Тунлуо получит около 28 000 кв.м так называемых «чистых комнат», в которых будут обрабатываться кремниевые пластины типоразмера 300 мм с микросхемами DRAM. В соседнем Тайчжуне у Micron уже имеется действующее предприятие по выпуску памяти, поэтому с точки зрения снабжения местных площадок выбор объекта для покупки был рациональным. Для PSMC выручаемые в ходе сделки $1,8 млрд станут большим подспорьем. Продаваемым предприятием интересовались и другие потенциальные покупатели, но общих интересов нашлось больше с Micron, поскольку сделка с этим производителем позволит PSMC приобщиться к деятельности по упаковке HBM и увеличить норму прибыли своего бизнеса. Кроме того, Micron поможет PSMC модернизировать технологии производства DRAM в Синьчжу. PSMC также планирует провести более масштабную реструктуризацию, переведя пять своих предприятий на выпуск более выгодной и востребованной в условиях бума ИИ продукции, включая трёхмерную память и подложки для интеграции многокристальных чипов. Продаваемое предприятие в Тунлуо строилось PSMC с 2021 года и было введено в строй в мае 2024 года, в общей сложности на его строительство и оснащение было потрачено около $2,5 млрд. Получается, что проработать оно смогло не так долго, а продаваться будет с некоторым дисконтом за $1,8 млрд. Впрочем, сотрудничество с Micron позволит PSMC наверстать эти финансовые потери. Тайваньский контрактный производитель, таким образом, встроится в производственную цепочку Micron и сможет зарабатывать на буме искусственного интеллекта, принимая участие в изготовлении актуальных поколений полупроводниковых компонентов. Micron запустила строительство мегафабрики памяти в Нью-Йорке за $100 млрд — проекта ждали с 2022 года
17.01.2026 [23:56],
Алексей Разин
«Делать Америку снова великой» с точки зрения организации новых высокотехнологичных производств на территории страны пыталась и администрация президента Байдена, но пожинать плоды её усилий пришлось политическому преемнику. На этой неделе Micron заложила фундамент фабрики по производству памяти в штате Нью-Йорк, хотя соответствующие намерения были объявлены впервые ещё в 2022 году. 
Источник изображения: Micron Technology Как поясняет The Register, в окрестностях выбранного для строительства предприятия места исторически обитали и размножались летучие мыши, а потому защитники природы настояли на том, чтобы для них были воссозданы приемлемые условия для существования даже после появления крупного предприятия по выпуску микросхем памяти на этой площадке. На площади около 500 га компании Micron Technology и её подрядчикам пришлось создать убежища для летучих мышей, где они смогли бы укрываться и обзаводиться потомством. Ещё более 250 га будет отведено для безопасной жизнедеятельности некоторых видов пернатых: травяного короткоклювого крапивника, болотной совы и американского луня. Вложить в развитие самого производственного комплекса в штате Нью-Йорк компания Micron намеревается около $100 млрд на протяжении 20 лет, рассчитывая за этот период построить здесь четыре крупных предприятия по выпуску микросхем памяти. Первые два предприятия будут введены в строй не ранее 2030 года, поэтому в обозримой перспективе Micron будет бороться с дефицитом памяти без опоры на возможности данного комплекса. Строительство оставшихся двух предприятий Micron рассчитывает завершить лишь к 2041 году. По планам компании, появление данного комплекса позволит увеличить объёмы производимой на территории США памяти в двенадцать раз за ближайшие два десятилетия. Местные фабрики обеспечат работой 9000 сотрудников, которые будут работать в три смены. С учётом смежных отраслей, за двадцать лет будет создано ещё 40 000 рабочих мест. Ради получения возможности строить свои предприятия в выбранном месте Micron пришлось также воссоздавать водно-болотные угодья вместо тех, что придётся устранить для строительства. По площади компенсирующие угодья превзойдут исходные почти в пять раз, а по способности улавливать парниковые газы они окажутся в три раза эффективнее. Закладка фундамента первого предприятия в штате Нью-Йорк была запланирована компанией Micron на 2024 год, но реализация компенсирующих экологических мероприятий вызвала серьёзную задержку с началом строительства. Акции Micron взлетели на 8 % — ИИ требует всё больше памяти
17.01.2026 [06:44],
Алексей Разин
Квартальная и годовая отчётность TSMC задала тренд для роста котировок акций поставщиков полупроводниковой продукции, используемой в инфраструктуре искусственного интеллекта. Micron Technology не осталась в стороне, её акции вчера подорожали на 8 %, а генеральный директор заявил, что спрос на память со стороны сегмента ИИ растёт всё быстрее. 
Источник изображения: Micron Technology В интервью CNBC Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) сообщил следующее: «Движимый ИИ спрос ускоряет свой рост. Он реален, он уже здесь, и нам требуется всё больше и больше памяти, чтобы его удовлетворить». Именно по этой причине Micron Technology собирается потратить $200 млрд на строительство новых предприятий по производству памяти в США, хотя реализация проекта и будет растянута на несколько лет. На площадке в штате Нью-Йорк компания заложила фундамент нового производственного комплекса буквально вчера. Важность церемонии подчёркивалась тем, что в ней принимал участие министр торговли США Говард Лютник (Howard Lutnick). В строительство и оснащение конкретного комплекса Micron вложит $100 млрд. Кроме того, как подчеркнул глава компании, в ближайшее время она постарается увеличить объёмы выпуска продукции на уже имеющихся предприятиях. Если год назад Micron ожидала роста спроса на серверную память в размере 10 %, то по факту к концу 2025 года темпы роста оказались почти вдвое выше. В сегменте ПК спрос на оперативную память и накопители также оказался выше прогнозов Micron. «Мы ожидаем, что дефицит сохранится и в 2027 году, в обозримом будущем сформируется прочный фундаментальный спрос во всей отрасли, подогреваемый ИИ», — отметил глава Micron. «Это печальная ситуация»: Micron попыталась оправдаться за закрытие Crucial
12.01.2026 [17:51],
Николай Хижняк
В конце прошлого года Micron объявила о судьбоносном решении закрыть бренд потребительских SSD и памяти Crucial. Теперь компания впервые прокомментировала информацию о своём уходе с потребительского рынка. Производитель также предупредил, что, несмотря на начало строительства новых заводов по производству памяти, не следует ожидать значительного увеличения объёмов выпуска чипов памяти, способного повлиять на предложение, по крайней мере до 2028 года. 
Источник изображения: Micron Ответ на критику решения компании закрыть Crucial прозвучал в интервью портала WCCFTech с Кристофером Муром (Christopher Moore), вице-президентом Micron по маркетингу подразделения мобильных и клиентских устройств. Издание не стало медлить и сразу же задало Муру вопросы о спорном, но не совсем неожиданном решении Micron закрыть потребительский бренд оперативной памяти и твердотельных накопителей Crucial в конце прошлого года. В начале декабря компания заявила, что собирается свернуть свой потребительский бизнес к концу следующего месяца (в январе 2026 года), перераспределив мощности на производство DRAM и SSD для корпоративного сектора и сегмента разработки решений в области искусственного интеллекта. Мура спросили, действительно ли поставщики памяти теперь ориентируются на сектор ИИ и «оставляют [рынок] потребителей позади» в результате этого. «Я не хотел бы говорить кому-то, что думать или что он неправ, но наша точка зрения заключается в том, что мы стараемся помогать потребителям по всему миру. Мы просто делаем это через разные каналы. У нас по-прежнему очень большой бизнес на клиентском и мобильном рынках. Мы также, конечно, обслуживаем наших клиентов из сегмента центров обработки данных. И сейчас ситуация такова, что общий объём целевого рынка (TAM) в сегменте ЦОД растёт просто невероятно. И мы хотим убедиться, что как компания также способствуем удовлетворению спроса этого рынка», — заявил Мур. Он добавил, что компания по-прежнему обслуживает клиентское направление рынка, поставляя оперативную память LPDDR5 OEM-производителям, таким как Dell и Asus, для использования, в том числе, в ноутбуках. Однако эта новость вряд ли утешит сообщество энтузиастов и любителей самостоятельной сборки ПК, сталкивающихся с колоссальным ростом цен на рынке ОЗУ и SSD. По словам Мура, Micron поддерживает связь со «всеми существующими брендами ПК», но компания просто не может позволить себе игнорировать спрос со стороны сегмента ИИ. «Сейчас происходит следующее: активно ведётся строительство центров обработки данных, и общий объём рынка (TAM) в сегменте корпоративных ЦОД растёт. Сначала он достиг 30–35 %, затем 40 %, а теперь и 50–60 % от общего рынка, что приводит к дефициту ресурсов. Вся отрасль испытывает нехватку. Думаю, это нужно понимать. Это не проблема Micron, это проблема всей отрасли, где мы и наши конкуренты спешим максимально удовлетворить потребности этих сегментов, а ресурсов просто не хватает. Это действительно печальная ситуация. Но я считаю очень важным, чтобы люди понимали, что мы по-прежнему обслуживаем потребительский рынок», — добавил Мур. 
Источник изображения: AMD Надежды профессиональных сборщиков, а также любителей самостоятельной сборки ПК связаны со строительством и вводом в эксплуатацию новых мощностей по производству памяти DRAM. Та же Micron ранее объявила о подготовке к началу строительства мегафабрики в Нью-Йорке стоимостью $100 млрд, где планирует производить 40 % всего объёма выпускаемой компанией DRAM-памяти к 2040-м годам. Мур в интервью WCCFTech также упомянул о предстоящем запуске завода ID1 в Айдахо, который должен начать работу в середине 2027 года, хотя изначально его ввод в эксплуатацию планировался на конец того же года. Однако топ-менеджер Micron предупредил, что «реальный, значимый объём производства» в цепочке поставок DRAM от нового завода в Айдахо станет заметен только к 2028 году. В настоящий момент Micron не справляется даже с текущим спросом. Генеральный директор компании заявил в декабре, что Micron способна удовлетворить лишь от половины до двух третей спроса на память, а это означает, что новые мощности в первую очередь будут направлены на восполнение существующего дефицита. Иными словами, даже если 2028 год может стать первым значимым шагом Micron к увеличению поставок DRAM, может пройти ещё несколько месяцев, прежде чем обычные потребители начнут замечать изменения к лучшему в ценах на сборку ПК. «Вы правы. Они [новые производственные линии] появятся. Для значительного увеличения объёма производства нам нужно больше чистых помещений, а это требует много времени. Поэтому три года назад мы начали строительство завода ID1 в Айдахо. Он должен быть введён в эксплуатацию в середине 2027 года — мы перенесли его открытие на более ранний срок, поскольку изначально ввод планировался к концу 2027 года. Но вы не увидите реального, значимого объёма производства к тому времени, как мы завершим все квалификационные испытания, клиенты примут продукцию и всё оборудование будет запущено и готово к работе, — это произойдёт не раньше 2028 года. Производители памяти спешат строить новые производственные линии, но различные ограничения в процессе в конечном итоге вынуждают их сдвигать сроки на несколько кварталов вперёд. А это значит, что для среднестатистического потребителя дефицит DRAM может сохраняться довольно долго или, по крайней мере, до тех пор, пока спрос со стороны ИИ не начнёт снижаться», — заявил Мур. ИИ-ускорители упёрлись в предел скорости HBM, и эта проблема пострашнее дефицита памяти
11.01.2026 [12:27],
Алексей Разин
По оценкам представителей отрасли, современные ИИ-ускорители в своём развитии достигли того этапа, когда пропускная способность интерфейса памяти становится узким местом на пути дальнейшего масштабирования быстродействия. Дефицит памяти или её объём в этом отношении уходят на второй план, и устранение этого барьера главным образом зависит от разработчиков GPU и больших языковых моделей. 
Источник изображения: Nvidia По словам сооснователя Majestic Labs Ша Рабии (Sha Rabii), на которого ссылается CNBC, если непосредственно ускорители вычислений в последние годы продвинулись в своём быстродействии весьма значительно, сопутствующая им память стала не особо быстрее. По сути, именно производительность памяти ограничивает сейчас дальнейший рост быстродействия больших языковых моделей. При этом переход к инференсу увеличит потребности в объёме памяти, так что спрос на неё будет расти очень быстро. В любом случае, чем больше в инфраструктуре ИИ памяти, тем большее количество клиентов она способна обслуживать в единицу времени. О необходимости наращивать объёмы выпуска памяти на CES 2026 говорил и основатель Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang). Он даже отметил, что покупатели игровых решений компании типа видеокарт и консолей «обижены» на отрасль ИИ, поскольку дефицит памяти толкает цены вверх даже в указанных смежных сегментах рынка. Даже запланированный AMD и Nvidia переход на использование памяти типа HBM4 не позволит полностью решить проблему пропускной способности. Память этого семейства всё равно ограничена в количестве задействованных каналов и высоте стека микросхем, не говоря уже о ширине интерфейса. Пропускная способность вычислительных систем могла бы масштабироваться гораздо эффективнее, если бы не свойственные HBM ограничения. Наращивать количество вычислительных блоков в составе GPU в таких условиях не имеет особого смысла, ибо память не будет успевать передавать все данные при вычислительных нагрузках, имеющих отношение как к обучению больших языковых моделей, так и инференсу. Доступные разработчикам компонентов методы упаковки чипов также выступают в роли специфического ограничивающего фактора, в условиях высокого спроса профильные мощности сильно загружены, усиливая дефицит скоростной памяти и повышая расходы производителей. На архитектурном уровне разработчики пытаются изучать альтернативы типа осуществления вычислений прямо внутри микросхем памяти (PIM), увеличения плотности компоновки микросхем в составе стека памяти, а также применения в многокристальных решениях прогрессивных интерфейсов типа UCIe, которые позволяют не только увеличить эффективную полосу пропускания, но и снизить задержки при работе с данными. Темпы дальнейшего масштабирования инфраструктуры ИИ будут зависеть от прогресса в сфере внедрения более скоростной памяти. HBM4 предложит прирост быстродействия в полтора раза относительно HBM3E, позволяя через свою более широкую 2048-разрядную шину передавать до 2 терабайт данных в секунду. К 2027 году на арену выйдет память типа HBM4E, которая потенциально увеличить скорость передачи информации ещё в полтора раза. Внедрение интерфейса CXL также должно способствовать повышению эффективности обмена данными между компонентами вычислительных систем. В части памяти переход к CXL обеспечит увеличение степени загрузки на 50 %, а также снижение энергопотребления на величину до 20–30 %. Появление новых методов трёхмерной компоновки памяти тоже должно способствовать повышению производительности и снижению энергопотребления. Micron на следующей неделе заложит фундамент крупнейшего комплекса по производству памяти в США
08.01.2026 [08:59],
Алексей Разин
Ещё при президенте Байдене компания Micron Technology объявила о намерениях построить в США крупные предприятия по производству памяти, часть которых должна расположиться в штате Нью-Йорк. Пройдя все необходимые этапы согласований, она теперь готова 16 января заложить фундамент комплекса в этом штате, который станет крупнейшим среди подобных на территории США. 
Источник изображения: Micron Technology В общей сложности на строительство четырёх предприятий по выпуску микросхем памяти в штате Нью-Йорк будет направлено около $100 млрд, и это половина всей суммы, которую Micron собирается направить на развитие производства в США в ближайшие полтора десятилетия. В середине января будет в торжественной обстановке заложен фундамент первого из четырёх предприятий на территории штата Нью-Йорк, но оно вряд ли начнёт выпускать продукцию ранее 2030 года. Ещё три предприятия по соседству будут достроены до 2040 года, так что программа развития комплекса рассчитана на длительный срок. Micron подчёркивает, что этот комплекс станет самым современным с технологической точки зрения, во многом его возможности будут использоваться для удовлетворения спроса на память со стороны инфраструктуры для ИИ. Кроме того, эта площадка станет самой крупной среди выпускающих полупроводниковые компоненты на территории США. Судя по обширному списку приглашённых на январскую церемонию закладки фундамента официальных лиц, обратного пути не будет, и как минимум первое предприятие по выпуску памяти в штате Нью-Йорк компания построит. SSD с PCIe 5.0 становятся массовыми: представлен Micron 3610, но купить его можно будет только в комплекте с ПК или ноутбуком
07.01.2026 [10:50],
Павел Котов
Быстрые SSD с поддержкой PCIe 5.0 поначалу были настолько дорогими, что оправдывали себя только при сборке высокопроизводительных игровых систем. Изменить это призван недорогой накопитель Micron 3610, который, впрочем, не поступит в открытую продажу. 
Источник изображения: Micron Micron 3610 — внутренний SSD формфактора M.2 с интерфейсом PCIe 5.0 — сочетает в себе высокие скорости чтения и записи, энергоэффективность и возможность контролировать температуру; он хорошо подходит для ноутбуков и других клиентских устройств. Отличительной особенностью Micron 3610, построенного на чипах G9 QLC NAND, является отсутствие DRAM — производитель позиционирует его как массовый твердотельный накопитель пятого поколения, занимающий промежуточное положение между премиальными Micron 4600 и недорогими SSD на базе PCIe 4.0. Новый Micron 3610 обеспечивает скорость последовательного чтения до 11 000 Мбайт/с и последовательной записи — до 9300 Мбайт/с; скорость случайного чтения составляет 1,5 млн IOPS, случайной записи — 1,6 млн IOPS, то есть он адекватно справляется с ресурсоёмкими рабочими нагрузками. Производитель, однако, подчёркивает, что Micron 3610 не будет продаваться в розницу как отдельный компонент, а станет поставляться только производителям ПК, в том числе Dell и HP, и появится в составе готовой продукции. Micron постаралась снизить производственные затраты на этот SSD: была использована недорогая память QLC NAND, а вместо встроенной DRAM применён HMB (Host Memory Buffer), что помогло снизить энергопотребление и тепловыделение, а также увеличить время автономной работы компьютера, если накопитель используется в ноутбуке. Ещё одна отличительная особенность Micron 3610 — размещение чипов памяти только на одной стороне платы M.2, благодаря чему накопитель комфортно размещается в ограниченном пространстве. Модель будет выпускаться в вариантах ёмкостью от 1 до 4 Тбайт и станет первым SSD с интерфейсом PCIe 5.0 в одностороннем исполнении и формфакторе M.2 2230. Из-за роста цен на память выпускать её уже стало выгоднее, чем чипы на заказ
23.12.2025 [09:40],
Алексей Разин
Масштабы бизнеса тайваньской TSMC подразумевают не только колоссальные капитальные затраты, но и хорошую прибыльность деятельности по контрактному производству чипов. Рынок памяти традиционно характеризовался цикличностью с затяжными периодами убыточности, но в четвёртом квартале рост цен сделал этот бизнес более доходным по сравнению с TSMC. 
Источник изображения: Samsung Electronics По крайней мере, на этом настаивает Hankyung, подводя предварительные итоги деятельности Samsung Electronics и SK hynix в четвёртом квартале текущего года. Впервые за последние семь лет выпуск памяти станет более доходным бизнесом по сравнению с контрактным производством чипов. Если TSMC по итогам этого квартала может ограничиться нормой прибыли на уровне 60 %, то у Samsung Electronics и SK hynix этот показатель может достичь 63 и 67 % соответственно. В предыдущем фискальном квартале норма прибыли американской Micron Technology уже достигла 56 %, а по итогам текущего должна вырасти до 67 %. Таким образом, к февралю следующего года Micron также может обойти TSMC по прибыльности. Все три основных игрока рынка памяти сосредоточили усилия на увеличении объёмов выпуска HBM для сегмента инфраструктуры ИИ. Для нужд выпуска HBM ими было выделено от 18 до 28 % мощностей, задействованных при производстве DRAM. Цены на память такого типа в результате выросли за квартал на 30 %. Эволюция сегмента ИИ также диктует свои условия рынку памяти. На этапе перехода от обучения больших языковых моделей к инференсу вырастет потребность в более энергоэффективной памяти большого объёма. HBM отойдёт на второй план, больше будут востребованы микросхемы типов GDDR7 и LPDDR5X. Будут появляться и новые виды памяти, включая варианты с поддержкой вычислений непосредственно на стороне памяти. Особое внимание будет уделяться прогрессивным компоновочным решениям, позволяющим увеличить плотность хранения данных. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
