Тенденции на рынке памяти таковы, что хорошую динамику финансовых показателей демонстрируют те поставщики, которые имеют возможности снабжать Nvidia чипами HBM3E. Поскольку Micron Technology находится в их числе, её квартальная выручка в серверном сегменте выросла в три раза по сравнению с аналогичным периодом прошлого года.

Источник изображения: Micron Technologu

Совокупная выручка Micron по итогам прошлого фискального квартала выросла на 38 % до $8,05 млрд и превзошла ожидания аналитиков тоже во многом благодаря высокому спросу на микросхемы памяти в серверном сегменте. Удельный доход на одну акцию достиг $1,56 против ожидаемых $1,42. Чистая прибыль почти удвоилась до $1,58 млрд. Реализация HBM в прошлом квартале принесла компании более $1 млрд выручки. Она продолжит расти на протяжении всего календарного 2025 года, и все квоты на выпуск HBM в текущем году компания уже распродала авансом.

В своём прогнозе на текущий квартал Micron упоминает выручку в размере $8,8 млрд, что выше ожиданий аналитиков ($8,5 млрд). Текущий фискальный год, который завершится осенью, Micron рассчитывает закрыть с рекордной выручкой и существенно возросшей нормой прибыли. Подобный оптимизм руководства даже вызвал рост котировок акций компании на 6 % в моменте после завершения торгов, но к моменту завершения дополнительной торговой сессии прирост свёлся к менее чем одному проценту.

Впрочем, есть в отчётности Micron и слабые места. Например, норма прибыли в прошлом квартале не превысила 37,9 % и оказалась ниже ожиданий рынка, а в текущем она ограничится 36,5 %, что также хуже сторонних прогнозов. На улучшение ситуации с прибыльностью благодаря росту цен на микросхемы памяти руководство рассчитывает только к четвёртому фискальному кварталу, который ещё не наступил.

Поскольку компания SK hynix уже созналась в начале поставок образцов микросхем памяти типа HBM4, было бы странно сохранять в тайне их характеристики. Представителям Computer Base удалось обобщить всю опубликованную в последние дни информацию о планах ведущих игроков рынка в сфере производства HBM4, и характеристики этой памяти интригуют.

Источник изображения: ComputerBase.de

Хотя SK hynix вчера объявила о начале поставки 12-ярусных стеков HBM4 объёмом 36 Гбайт со скоростью 8 Гбит/с. Но предельными эти показатели, конечно, не будут. Предсказуемо высота стеков сначала увеличится до 16 штук, а в перспективе достигнет и 20 штук, но последняя характеристика с высокой вероятностью будет присуща уже преемнице HBM4. SK hynix намерена предлагать 16-ярусные стеки HBM4 объёмом 48 Гбайт. Пропускной способностью в 8 Гбит/с тоже никто ограничиваться не собирается, поскольку та же Samsung Electronics намеревается поднять её до 9,2 Гбит/с.

Источник изображения: ComputerBase.de

В эти дни отметилась даже американская Micron Technology, лаконично заявив, что в больших количествах начнёт выпускать память типа HBM4 в 2026 году. Samsung попутно поясняет, что в 16-ярусном исполнении намерена предлагать и HBM4, и HBM4E, но если в первом случае предельный объём стека ограничится 36 Гбайт, то во втором он достигнет 64 Гбайт. Одновременно с 9,2 до 10 Гбит/с вырастет и пропускная способность памяти. При выпуске HBM4 и HBM4E, как поясняет Samsung, будет использоваться более сложная литография, присущая технологиям выпуска логических компонентов. Скорее всего, она потребуется для выпуска базового кристалла стека.

Рынок микросхем памяти характеризуется цикличностью, поэтому производители стараются регулировать предложение через объёмы выпуска продукции, а спрос через ценовую политику. Китайская компания YMTC, как ожидается, с апреля текущего года намерена поднять цены на свою память типа NAND как минимум на 10 %, подражая зарубежным конкурентам.

Источник изображения: YMTC

По информации South China Morning Post, о грядущем росте цен на твердотельную память уже уведомили своих клиентов компании YMTC, Sandisk и Micron Technology. Минимальный прирост цен составит 10 %, как сообщают многочисленные китайские источники. Скорее всего, как ожидает DigiTimes, примеру перечисленных игроков рынка последуют также южнокорейские компании Samsung Electronics и SK hynix.

Данные инициативы свидетельствуют о том, что в текущем году цены на флеш-память действительно вырастут, как предсказывали аналитики. С конца прошлого года к сокращению объёмов выпуска продукции данного типа прибегали Micron, Samsung и SK hynix. Эти меры были призваны замедлить снижение цен на продукцию. В случае с Sandisk рост цен на память также будет продиктован и повышением таможенных пошлин в США. С этой точки зрения Micron Technology окажется в привилегированном положении, поскольку у неё есть предприятия на территории США.

Компании Micron, Samsung и SK hynix анонсировали новые модули памяти SOCAMM на основе уложенных в стеки чипов LPDDR5X, ёмкость которых достигает 128 Гбайт. Технология ориентирована на серверы с низким энергопотреблением и на системы, использующие искусственный интеллект. Первые SOCAMM появятся в системах с Nvidia Grace Blackwell Ultra GB300 Superchip.

Источник изображения: Micron

Micron первой выпустит SOCAMM объёмом 128 Гбайт, используя свою технологию производства DRAM 1β (1-бета, пятое поколение 10-нм класса). Хотя компания не раскрывает точную скорость передачи данных, она заявляет поддержку скорости до 9,6 ГТ/с. В то же время представленный на конференции Nvidia GTC 2025 модуль SOCAMM от SK hynix работает на скорости до 7,5 ГТ/с. Дополнительно Tom's Hardware сообщает, что размер одного модуля SOCAMM составляет 14 × 90 мм, что примерно в три раза меньше стандартного модуля RDIMM, а внутри размещены до четырёх стеков по 16 микросхем памяти LPDDR5X.

Источник изображения: Tom's Hardware

Энергопотребление памяти является одним из ключевых факторов, влияющих на общую энергоэффективность серверов. В системах с терабайтами памяти DDR5 на сокет энергопотребление DRAM может превышать энергопотребление центрального процессора. Nvidia учла этот аспект при разработке своих процессоров Grace, ориентированных на использование энергоэффективной памяти LPDDR5X. Однако в машинах на базе GB200 Grace Blackwell компании пришлось использовать припаянные модули LPDDR5X, так как стандартные модули не могли обеспечить необходимую ёмкость.

Источник изображения: Tom's Hardware

SOCAMM от Micron решает эту проблему, предлагая стандартное модульное решение, способное вместить четыре 16-слойных стека LPDDR5X и обеспечивая тем самым высокую ёмкость. По словам представителей компании, их модули SOCAMM ёмкостью 128 Гбайт потребляют на треть меньше энергии, чем модули DDR5 R-DIMM такой же ёмкости. При этом пока неясно, станет ли SOCAMM отраслевым стандартом, поддерживаемым JEDEC, или останется проприетарным решением, разработанным Micron, Samsung, SK hynix и Nvidia для серверов на базе процессоров Grace и Vera.

В настоящее время Micron уже запустила массовое производство SOCAMM. Они появятся в системах на базе Nvidia GB300 Grace Blackwell Ultra Superchip во второй половине текущего года. Отметим, что модульная конструкция упрощает производство и обслуживание серверов, что, вероятно, положительно скажется на ценах на системы, в первую очередь, для нужд искусственного интеллекта.

Южнокорейская компания SK hynix за счёт своих контрактов на поставку микросхем памяти HBM разных поколений для нужд Nvidia сильно нарастила свою выручку и прибыль, а также заняла половину рынка в соответствующем сегменте. Не желая сбавлять темп, она на этой неделе заявила о досрочном начале поставок клиентам образцов HBM4.

Источник изображения: SK hynix

Как уточняется в пресс-релизе, речь идёт о 12-ярусных стеках HBM4, массовое производство которых будет запущено во второй половине текущего года. Примечательно, что SK hynix упоминает о «крупных клиентах» во множественном числе, говоря о начале отгрузки соответствующих образцов HBM4 для изучения ими. Подчёркивается, что поставки образцов начались раньше, чем планировалось изначально. Сертификация данной памяти клиентами скоро должна начаться. Ко второму полугодию всё должно быть готово для начала массового производства HBM4.

Пропускная способность на уровне 2 Тбайт/с открывает перед пользователями HBM4 новые возможности в скоростной обработке данных, увеличивая скорость на 60 % по сравнению с HBM3E. Один стек, состоящий из 12 ярусов, позволяет хранить до 36 Гбайт информации. Усовершенствованная технология упаковки MR-MUF позволяет улучшать теплопроводные свойства стека памяти, как поясняет SK hynix.

Сторонние источники накануне сообщили, что SK hynix удалось стать исключительным поставщиком 12-ярусных чипов HBM3E для производства ускорителей Nvidia семейства Blackwell Ultra. Впрочем, Micron Technology тоже претендует на благосклонность Nvidia, поскольку свои 12-ярусные чипы HBM3E американский производитель завершил разрабатывать ещё в сентябре 2024 года.

Южнокорейские источники сообщают, что компания Micron в обозримом будущем не планирует расширять использование EUV-сканеров при производстве памяти. Громкий анонс поставок первых в мире чипов Micron DDR5 поколения 1γ с применением EUV-литографии (длина волны 13,5 нм) оказался своего рода психологической атакой на конкурентов. В дальнейшем компания намерена полагаться на массовое использование классических 193-нм сканеров в производстве DRAM.

Источник изображений: Micron

Издание Chosun Biz сообщило, что при производстве памяти Micron DDR5 поколения 1γ (гамма) с помощью EUV-сканера обрабатывается лишь один слой из нескольких десятков. Все остальные слои создаются с использованием аргон-фторидных эксимерных лазеров (ArF) с погружением в жидкость (так называемая иммерсионная литография для повышения разрешения). Таким образом, компания продолжает применять многомасочный подход — использование нескольких фотошаблонов (масок) для каждого слоя чипов вместо одного шаблона при EUV-литографии. Это увеличивает число технологических этапов при обработке каждой кремниевой пластины с памятью, а значит, и себестоимость производства.

Издание отмечает, что многомасочный подход может быть оправдан, если он служит альтернативой EUV-сканерам для обработки 1–3 слоёв микросхем. Однако если требуется обработка большего количества слоёв с помощью EUV, ставка на ArF-литографию обойдётся производителю существенно дороже, что в перспективе сделает продукцию менее конкурентоспособной (более дорогой).

Компании Samsung и SK Hynix уже в ближайшее время планируют использовать EUV-сканеры для обработки более пяти слоёв микросхем (пока это память HBM), и на этом фоне Micron будет выглядеть серьёзно отстающей. Если информация Chosun Biz верна, компания ещё долго будет применять EUV-сканеры лишь для обработки одного критически важного слоя, полагаясь во всём остальном на 193-нм сканеры.

Компания Micron совместно с Astera Labs продемонстрировала на конференции DesignCon 2025 первый в мире твердотельный накопитель (SSD) с интерфейсом PCIe 6.0. Устройство формата E3.S было протестировано в связке с коммутационным чипом Scorpio PCIe 6.0 от Astera Labs, а также ускорителем вычислений Nvidia H100.

Источник изображения: Astera Labs

Несмотря на то, что новый SSD от Micron был впервые представлен на стенде Astera Labs в рамках DesignCon 2025, прошедшей в конце февраля в США, официальная информация о тестах была опубликована лишь на этой неделе в блоге Astera Labs. В ходе испытаний, как сообщает Tom’s Hardware, SSD продемонстрировал скорость последовательного чтения более 27 Гбайт/с на каждом диске, превысив показатели самых быстрых PCIe 5.0 SSD.

Интересно, что в августе прошлого года, Micron анонсировала этот накопитель как первый в индустрии PCIe 6.0 SSD, заявив скорость чтения в 26 Гбайт/с. Однако испытания на стенде Astera Labs позволили превзойти эти ожидания — скорость чтения достигла 27,14 Гбайт/с для каждого из двух SSD в тестовой системе. Для сравнения, самый быстрый из протестированных PCIe 5.0 SSD, Crucial T705, показал максимум 14,5 Гбайт/с, что составляет лишь половину нового рекорда Micron.

Достичь таких показателей помог сетевой коммутатор Astera Scorpio P-Series Fabric Switch, поддерживающий до 64 линий PCIe 6.0. Этот коммутатор был разработан для высокопроизводительных вычислений (HPC) и искусственного интеллекта (ИИ), обеспечивая быструю связь между процессорами, видеокартами и хранилищами. Кроме того, в тестах использовалась технология Nvidia Magnum IO GPUDirect (GDS), позволяющая устройствам хранения данных напрямую взаимодействовать с памятью GPU, минуя центральный процессор и уменьшая задержки.

Отметим, что стандарт PCIe 6.x продолжает совершенствоваться и развиваться (актуальная версия — PCIe 6.3), обещая стать новым отраслевым стандартом как для корпоративных решений, так и в перспективе для потребительских устройств. Если PCIe 5.0 обеспечивает двустороннюю пропускную способность до 128 Гбайт/с на шине x16, то PCIe 6.x удвоит этот показатель до 256 Гбайт/с.

В условиях растущего спроса на скорость в сфере ИИ и HPC, интерфейс PCIe 6.0 по факту уже готов предложить рынку долгожданное ускорение, что подтверждается совместными испытаниями Micron и Astera Labs.

Исторически потребность в больших объёмах памяти активнее демонстрировали серверные системы и рабочие станции, поэтому производители модулей памяти в первую очередь удовлетворяли запросы соответствующих сегментов рынка, оставляя направление ПК на потом. В случае с модулями DDR5 планки объёмом 64 Гбайт для обычных ПК появились в продаже лишь недавно.

Источник изображения: Akiba PC Hotline

По крайней мере, об этом можно судить по публикации хранящего традиции десятилетиями японского ресурса Akiba PC Hotline, рассказывающего о новинках знаменитого местного рынка электроники оперативно и с иллюстрациями. Японским фоторепортёрам удалось зафиксировать факт появления в местной рознице комплектов памяти типа DDR5-5600 объёмом 2 × 64 Гбайт производства Crucial, подходящих для использования в настольных ПК.

Как известно, под маркой Crucial выпускает модули памяти и твердотельные накопители американская компания Micron Technology. Производитель на данный момент предлагает комплекты DDR5-5600 из двух 64-Гбайт модулей в форматах UDIMM и SO-DIMM.

В Японии, где импортируемая электроника традиционно облагается высокими пошлинами, комплект модулей типа UDIMM стоит более $322. Память предлагает задержки CL46-45-45 и совместимость с процессорами Intel Core Ultra 14-го поколения, а также процессорами AMD Ryzen 8000 или более молодыми. Функции Intel XMP и AMD Expo соответственно обеспечивают быстрый выбор оптимального с точки зрения быстродействия режима работы, заложено по два профиля в каждом (DDR5-5600 и DDR5-5200).

Компания Micron Technology объявила, что первой в отрасли начала поставки чипов памяти DDR5, изготовленных с использованием полупроводниковой EUV-литографии. Память поставляется избранным партнёрам для оценки эффективности самых передовых на сегодня решений. Новые чипы обладают повышенной пропускной способностью, пониженным энергопотреблением и более плотным размещением ячеек — всем, что нужно для развития ИИ, от гаджетов до серверов.

Источник изображений: Micron

Новая память Micron продолжает относиться к классу 10-нм продукции. Нет точной информации, насколько цифра техпроцесса близка к 10 нм. Но это уже третье приближение к ней и, что более важно, компания наконец-то перешла к использованию литографических сканеров в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне с длиной волны 13,5 нм (EUV). Дальше масштабирование пойдёт легче.

Если верить Micron, избранным партнёрам начали отгружаться 16-Гбит чипы DDR5. Кристаллы памяти выпущены с использованием техпроцесса 1γ (гамма). Предыдущие техпроцессы этого класса — 1α (альфа) и 1β (бета) — реализовывались с использованием сканеров с длиной волны 193 нм. Рассказывая о преимуществах чипов поколения 1γ, компания сравнивает их с чипами DDR5 предыдущего поколения — 1β. По сравнению с ними новинки на 15 % быстрее (до 9200 МТ/с), потребляют более чем на 20 % меньше энергии и обладают на 30 % большей плотностью расположения ячеек на кристалле.

Улучшенные характеристики памяти будут востребованы в периферийных устройствах с поддержкой искусственного интеллекта, в ПК с ИИ-функциями и в серверах, на которых работают большие языковые модели. Тем самым ассортимент памяти с технологическими нормами 1γ не ограничится лишь производством чипов DDR5, но также будет расширен за счёт выпуска других типов памяти, например LPDDR5X.

Компания Micron представила серию твердотельных накопителей Micron 4600 с поддержкой интерфейса PCIe 5.0. В неё вошли модели объёмом 512 Гбайт, 1, 2 и 4 Тбайт, построенные на базе флеш-памяти Micron G9 TLC NAND. Новинки ориентированы на использование в потребительских ноутбуках и ПК.

Источник изображений: Micron

Для модели Micron 4600 объёмом 512 Гбайт производитель заявил скорость последовательного чтения 10 300 Мбайт/с и последовательной записи 5780 Мбайт/с, производительность в случайных операциях чтения в 800 тыс. IOPS и записи в 1,2 млн IOPS, а также ресурс 300 TBW (терабайт перезаписанной информации).

SSD объёмом 1 Тбайт предложит скорость последовательного чтения и записи соответственно в 14 500 и 11 500 Мбайт/с, производительность в операциях случайного чтения и записи в 1,6 млн и 2,1 млн IOPS, а также ресурс 600 TBW. Для моделей объёмом 2 и 4 Тбайт заявлены скорости последовательного чтения 14 500 Мбайт/с и записи 12 000 Мбайт/с, производительность в случайных операциях чтения и записи 2,1 млн IOPS, а также ресурс в 1200 и 1600 TBW соответственно.

Micron позиционирует серию NVMe-накопителей Micron 4600 PCIe Gen 5 в качестве решений для OEM-производителей ноутбуков и ПК. Новинки предлагают различные технологии защиты и шифрования, включая TCG Opal, Security Protocol and Data Model (SPDM), Data Object Exchange (DOE) и Device Identifier Composition Engine (DICE).

Компания также заявляет, что новые SSD обеспечивают прирост производительности до 61 % в приложениях для мультимедиа и развлечений, до 59 % в приложениях для энергетической отрасли, до 45 % в приложениях для разработки продуктов и до 38 % в приложениях для биологических исследований, согласно данным тестов SPECwpc, по сравнению с накопителями PCIe 4.0.

Образцы твердотельных накопителей Micron 4600 PCIe Gen 5 уже поставляются производителям компьютеров и ноутбуков.

На фоне проблем Samsung Electronics в обеспечении компании Nvidia передовой памятью типа HBM3E, успехи американской Micron Technology в этой сфере позволяют ей претендовать на статус второго по величине поставщика Nvidia. В ближайшее время Micron начнёт снабжать этого клиента 12-ярусными стеками HBM3E, которые разработала к сентябрю прошлого года.

Источник изображения: Micron Technology

Естественно, SK hynix в этой сфере обгоняет обоих конкурентов, но в наличии нескольких поставщиков HBM3E заинтересована сама Nvidia, поскольку это позволяет ей повысить надёжность цепочек поставок и получить некоторые рычаги для торга с поставщиками. На мероприятии Wolfe Research, как сообщает Business Korea, финансовый директор Micron Technology Марк Мёрфи (Mark Murphy) рассказал о преимуществах 12-ярусных стеков HBM3E, предлагаемых компанией. По сравнению с 8-ярусными чипами HBM3E конкурентов, они обеспечивают увеличение ёмкости на 50 % и снижение энергопотребления на 20 %.

Напомним, Samsung в это время лишь договорилась о снабжении Nvidia своими 8-ярусными стеками HBM3E, которые будут применяться для производства ускорителей вычислений, предлагаемых на китайском рынке. Образцы 12-ярусной памяти HBM3E компания Samsung отправит Nvidia к концу текущего месяца, но не факт, что соответствующая продукция устроит клиента по своим характеристикам и качеству.

Как сообщалось ранее, SK hynix и Samsung стараются опередить друг друга в выводе на рынок микросхем памяти HBM4, намереваясь предложить их Nvidia в течение года. Micron Technology собирается начать поставки HBM4 в следующем году, поэтому конкуренция за соответствующие заказы Nvidia будет очень острой.

Год едва начался, а осведомлённые источники уже сообщают о дальнейших планах SK hynix расширять ассортимент предлагаемой памяти для ускорителей вычислений. В июне текущего года эта южнокорейская компания намеревается начать поставки образцов HBM4 для нужд Nvidia, а к концу третьего квартала готовится развернуть серийное производство такой памяти.

Источник изображения: SK hynix

Как уже отмечалось, взятые на себя SK hynix обязательства ускорить внедрение HBM4 примерно на полгода позволили Nvidia сдвинуть сроки анонса ускорителей вычислений семейства Rubin, которым нужна такая память в 12-ярусном исполнении, с 2026 года на вторую половину текущего. Цифровые проекты чипов HBM4 у специалистов SK hynix были готовы уже к концу прошлого квартала, и теперь они приступают к плотному взаимодействию с коллегами из Nvidia по вопросу внедрения HBM4 в массовое производство. Каждый ускоритель Rubin потребует по восемь стеков HBM4, а более поздняя версия Rubin Ultra будет использовать 12 стеков HBM4.

Конкурирующая Samsung Electronics постарается завершить разработку HBM4 к середине текущего года, причём рассчитывает выпускать чипы DRAM для соответствующих стеков по более продвинутой технологии 10-нм класса, чем это собираются сделать SK hynix и Micron. Последняя намеревается наладить выпуск HBM4 только в 2026 году. В случае с выпуском HBM3E для нужд Nvidia лидером рынка остаётся SK hynix, но конкуренты постараются хоть в чём-то её опередить для получения выгодных заказов от крупнейшего разработчика ускорителей вычислений.

Micron обновила линейку потребительских продуктов Crucial, выпустив новые скоростные SSD, а также увеличив объём памяти для модулей DDR5 до 64 Гбайт. Твердотельный накопитель P510, представленный на глобальной выставке технологий CES 2025 в качестве главной новинки, обещает высокую скорость PCIe 5.0 и низкое энергопотребление.

Источник изображений: Micron

Твердотельный накопитель Crucial P510 с интерфейсом PCIe 5.0 разработан как для ноутбуков, так и для настольных компьютеров. Этот SSD, доступный в вариантах на 1 и 2 Тбайт, показал скорость последовательного чтения до 11 000 Мбайт/с и записи до 9 550 Мбайт/с. Несмотря на то, что P510 не превосходит по производительности флагманские модели T705 и T700, его ключевым преимуществом является сниженное энергопотребление, сообщает издание Tom's Hardware.

Основной акцент при разработке P510 был сделан на повышении энергоэффективности. По словам представителей компании, новый SSD потребляет на 25 % меньше энергии по сравнению с предыдущими PCIe 5.0 накопителями этого класса. Хотя конкретная модель, использованная для сравнения, не была названа, известно, что T705 и T700 потребляют максимум 12,3 Вт и 11,5 Вт соответственно. Таким образом, P510 может достигать максимального энергопотребления в диапазоне от 8,6 Вт до 9,2 Вт, что особенно важно для увеличения времени автономной работы в ноутбуках. В Micron подтвердили использование «новой, более энергоэффективной архитектуры» для контроллера SSD, предположительно E31T.

Компания также расширила линейку модулей оперативной памяти DDR5, представив новые варианты с повышенной плотностью. Модули Crucial DDR5 Pro Overclocking теперь доступны в версии 32 Гбайт (ранее было 16 Гбайт). Также анонсировано начало продаж модулей CUDIMM на 32 Гбайт и 64 Гбайт и модулей CSODIMM на 24 Гбайт и 32 Гбайт, ограниченных частотой DDR5-6400. Для традиционных UDIMM и SODIMM компания предложит варианты объёмом 64 Гбайт и частотой DDR5-5600. Таким образом, Micron расширяет возможности для пользователей, предлагая более широкий выбор оперативной памяти повышенного объёма.

Помимо P510, компания обновила модель SSD P310, выпустив вариант с радиатором. Новый радиатор был разработан с целью уменьшения размеров для использования SSD в ограниченных пространствах, таких как PlayStation 5. Ожидается, что SSD P510 поступит в продажу весной этого года, а P310 с радиатором будет доступен уже в текущем месяце. Модули оперативной памяти с более высокой плотностью поступят на рынок в феврале.

Скромные размеры Сингапура не мешают этому карликовому государству выступать не только в роли одного из крупнейших хабов по поставке электронных компонентов, но и выпускать их в приличных количествах на своей территории. Micron собирается к 2026 году запустить здесь предприятие по упаковке чипов памяти семейства HBM, его строительство было запущено на этой неделе.

Источник изображения: Micron Technology

На соответствующей торжественной церемонии, как отмечает DigiTimes, присутствовала довольно представительная делегация сингапурских чиновников. Предприятие Micron Technology по тестированию и упаковке микросхем памяти, фундамент которого был торжественно заложен на этой неделе, будет первым в своём роде на территории Сингапура. К работе оно приступит уже в следующем году, а ещё через год Micron намеревается существенно расширить свои мощности по тестированию и упаковке чипов с использованием передовых методов.

До конца текущего десятилетия и в начале следующего Micron надеется вложить около $7 млрд в расширение подобных мощностей, создав от 1400 до 3000 новых рабочих мест. Данные показатели учитывают потребность компании в увеличении штата разработчиков соответствующих технологий и компонентов. Micron также намеревается расширять свои мощности по производству твердотельной памяти NAND на территории Сингапура. Компания будет гибко балансировать типы расширяемых производственных линий в соответствии с потребностями рынка.

Квартальное отчётное мероприятие Micron Technology на прошлой неделе позволило руководству американской компании поделиться более подробными планами по развитию ассортимента продукции. Если в 2026 году Micron приступит к производству микросхем памяти типа HBM4, то позднее собирается наладить выпуск HBM4E, главной особенностью которой станет кастомизируемый базовый кристалл.

Источник изображения: Micron Technology

Данная часть стека памяти лежит в его основе и содержит базовую логику, необходимую для работы с расположенными выше микросхемами памяти. Micron собирается наделять базовый кристалл HBM4E тем набором функций, который интересен конкретным крупным заказчикам. Насколько велика будет степень свободы Micron в этой сфере, заранее сказать сложно, но очевидно, что стандарты JEDEC будут определять какие-то рамки. Чисто технически Micron сможет добавлять поддержку новых интерфейсов, увеличивать объём кеша, добавлять шифрование данных и всё в таком духе.

Как подчеркнул глава Micron на прошлой неделе, «HBM4E обеспечит сдвиг парадигмы в бизнесе по производству памяти, поскольку предложит опцию кастомизации базового кристалла с логикой для определённых клиентов, используя передовой производственный процесс TSMC». По словам генерального директора Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), подобные возможности индивидуализации улучшат финансовые показатели компании Micron.

Если же вернуться к более близкой HBM4, то непосредственно микросхемы памяти для стеков этого типа Micron намерена выпускать с помощью своего техпроцесса 10-нм класса пятого поколения (1β), тогда как конкурирующие SK hynix и Samsung присматриваются к более современной технологии 10-нм класса шестого поколения. Наличие 2048-разрядной шины позволит HBM4 обеспечить скорость передачи информации до 6,4 гигатранзакций в секунду. Массовое производство HBM4 компания рассчитывает развернуть в 2026 календарном году. Сейчас Micron уже активно поставляет 8-ярусные стеки HBM3E для ускорителей Nvidia Blackwell, 12-ярусные проходят тестирование клиентами и получают самые лестные отзывы, по словам руководства компании.