Micron Technology объявила о масштабных планах по инвестированию $200 млрд в развитие собственного производства полупроводниковых компонентов на территории США. В рамках этой инициативы будет создано около 90 тысяч рабочих мест, а также будут построены новые фабрики в некоторых штатах и модернизирован завод в Вирджинии.

Источник изображения: micron.com

Инвестиционные намерения были обнародованы в четверг в рамках сотрудничества с администрацией президента США Дональда Трампа (Donald Trump), которая активно поддерживает рост отечественного машиностроения и стремится укрепить позиции страны в области искусственного интеллекта (ИИ), сообщает The Wall Street Journal. Micron направит около $150 млрд на производство памяти внутри страны, включая строительство двух крупных фабрик в штате Айдахо, до четырёх фабрик в Нью-Йорке, модернизацию действующего завода в Вирджинии и развитие технологий высокопроизводительной упаковки чипов.

Эти меры позволят Micron справиться с растущим рыночным спросом, сохранить долю на рынке и достичь цели по выпуску 40 % DRAM-памяти на американских мощностях. Дополнительные $50 млрд будут инвестированы в исследования и разработки, что, по заявлению компании, укрепит технологическое лидерство США. Глава компании Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) отметил, что инвестиции такого рода «демонстрируют приверженность развитию инноваций и укреплению отечественной полупроводниковой отрасли».

На настоящий момент уже достигнуты договоренности о ключевых этапах строительства первой фабрики в Айдахо, где запуск производства DRAM намечен на 2027 год. В конце 2025 года планируется приступить к подготовке площадки в Нью-Йорке после завершения необходимых экологических проверок на уровне штата и федерального правительства. Кроме того, компания ожидает, что все её инвестиции в американские проекты будут соответствовать требованиям для получения налогового кредита на развитие передового машиностроения.

Министр торговли США Ховард Лютник (Howard Lutnick) отметил, что президент Трамп всегда подчёркивал важность развития производства в стране, и масштабные инвестиции Micron окажут поддержку таким ключевым отраслям, как искусственный интеллект, автомобилестроение, авиакосмическая и оборонная промышленность.

Micron официально уведомила своих клиентов о скором прекращении выпуска памяти DDR4. Объёмы поставок этих микросхем будут постепенно сокращаться в течение ближайших шести–девяти месяцев. Ранее Samsung объявила о планах полностью свернуть производство DDR4 в этом году, сосредоточившись на более прибыльных DDR5, LPDDR5 и HBM. Китайский производитель CXMT, несмотря на недавний пик выпуска DDR4, также начал переход на память DDR5 и HBM.

Источник изображения: Future, tomshardware.com

Основной причиной отказа от DDR4, по данным Tom's Hardware, является растущая конкуренция со стороны китайских компаний, которые наводнили рынок более дешёвыми аналогами, а также переход отрасли на новые стандарты. При этом, несмотря на уход ключевых игроков с рынка, спрос на DDR4 остаётся высоким. В мае цены на эти модули подскочили на 50 % и, по словам представителей Micron, дефицит может привести к тому, что DDR4 станет дороже, чем более современные типы памяти.

Micron рекомендует клиентам переходить на память нового поколения, которая становится всё доступнее. При этом компания сохранит ограниченные поставки DDR4/LPDDR4 для долгосрочных партнёров в автомобильной, промышленной и сетевой отраслях, где важнее стабильность, а не высокая скорость.

В то же время рост спроса на оперативную память наблюдается в сегменте ПК и мобильных устройств, где всё шире внедряются ИИ-функции. Такие приложения требуют как большего объёма памяти, так и более высокой пропускной способности, чем может обеспечить DDR4. В связи с этим производители начинают активнее использовать DDR5 и LPDDR5, которые позволяют эффективнее обрабатывать ресурсоёмкие задачи. Например, Apple увеличила минимальный объём ОЗУ в MacBook Air, отказавшись от 8 Гбайт, а многие смартфоны теперь оснащаются 12 или 16 Гбайт памяти.

Эксперты прогнозируют, что массовое производство DDR4 в ближайшее время прекратится, поскольку производители переключаются на более выгодную оперативную память пятого поколения DDR5. Однако высокий спрос на DDR4 сохранится, что приведёт к росту цен и возможному дефициту. Более мелкие игроки скорее всего попытаются занять освободившуюся нишу, но их продукция, вероятно, будет уступать в качестве и надёжности чипам памяти от крупных компаний. Пока из крупнейших производителей памяти лишь SK hynix не объявляла о прекращении выпуска DDR4, но вряд ли она долго будет избегать этого тренда.

Китайский производитель чипов памяти Yangtze Memory Technologies Company (YMTC) подал третий иск в рамках продолжающейся судебной тяжбы против американского конкурента Micron. В новом иске YMTC обвиняет Micron в финансировании масштабной кампании по дезинформации с помощью американской компании по связям с общественностью DCI Group, направленной на клевету в адрес YMTC.

Источник изображения: Micron

В новом иске против Micron утверждается, что американская компания «отстаёт от YMTC в плане инноваций и производительности продуктов», что заставляет её прибегать к незаконным методам, чтобы вырваться вперёд. В частности, Micron обвиняется в финансировании веб-сайта кампании DCI Group по астротурфингу и подготовке отчёта с заглавием «Китайская технологическая угроза» («China Tech Threat», CTT). По словам Micron, веб-сайт кампании CTT, на котором утверждается, что чипы памяти NAND компании YMTC «включают шпионские бэкдоры для Коммунистической партии Китая», в значительной степени финансируется американскими технологическими компаниями Micron и Dell.

Термин «астротурфинг», неоднократно использующийся YMTC в новом иске, относится к практике маскировки корпоративных интересов и сообщений под низовую пропаганду. В своём иске YMTC утверждает, что заявления Micron и других крупных американских технологических фирм в отношении китайского производителя чипов памяти были проплачены и доказуемо ложными. Например, Micron отмечает, что чипы флеш-памяти NAND не имеют встроенных коммуникационных возможностей для отправки данных за границу, как утверждается в отчёте CTT.

Для YMTC это уже третий иск против Micron после того, как китайского производителя чипов памяти назвали представляющим угрозу национальной безопасности США в 2022 году. Компания была внесена в чёрный список Министерства торговли США как потенциальная организация, имеющая связи с китайским правительством или армией. YMTC отреагировала, убедив Управление по надзору за кибербезопасностью Китая запретить использование продуктов компании Micron в китайских правительственных компьютерах.

В 2023 году YMTC подала свой первый иск против Micron, обвинив американскую компанию в нарушении 11 патентов YMTC. Вскоре Micron подала встречный иск, обвиняя YMTC в нарушении собственных патентных прав. Недавнее постановление суда по этому делу предписывало Micron передать 73 страницы конфиденциальных документов, касающихся технологий компании, в рамках раскрытия информации по делу. На этой неделе Micron подала ходатайство о блокировании этого постановления, заявив, что YMTC запросила слишком много страниц, выражая подозрение, что китайский производитель хочет получить доступ к секретной информации, содержащейся в этих документах. Однако характер раскрытия информации, который подразумевает, что документы будут распечатаны и доступны только для одобренных судом внешних юристов и экспертов, а не для YMTC, делает это утверждение несколько сомнительным.

Согласно иску YMTC, предполагаемые партнёры Micron, которые, как было подтверждено, участвовали в PR-кампании China Tech Threat против китайских технологических компаний, зарабатывали деньги на борьбе с китайскими производителями. Отчёт CTT также включает нецитированные и недоказуемые заявления о том, что YMTC якобы была замешана в мошенничестве с социальным обеспечением в 2020 году, а также о том, что OEM-производитель ПК Lenovo якобы является «китайским шпионским активом».

Судебная тяжба YMTC и Micron длится уже несколько лет и не показывает признаков замедления. Как сообщает портал Tom’s Hardware, Micron, известная склонностью к подобным судебным разбирательствам, уже проигрывала аналогичные дела. Например, в прошлом году она проиграла продолжительный спор, в котором обвиняла китайскую компанию Fujian Jinhua в краже интеллектуальной собственности.

Micron объявила о значительном прогрессе в архитектуре HBM4: чипы 12-Hi объединяют 12 кристаллов, обеспечивая 36 Гбайт ёмкости на чип. Первые инженерные образцы таких компонентов памяти компания намерена направить ключевым партнёрам в ближайшие недели; запуск полномасштабного производства намечен на начало 2026 года.

Источник изображения: micron.com

Для производства чипов HBM4 нового образца используется устоявшаяся технология плиток DRAM 1β, применяемая с 2022 года; в конце этого года она намеревается перейти на 1γ на основе литографии EUV для производства DDR5. Увеличив разрядность интерфейса с 1024 до 2048 бит, Micron добилась пропускной способности 2 Тбайт/с на чип, что на 20 % больше, чем предусматривает стандарт HBM3E.

Первыми заказчиками чипов HBM4 от Micron, как ожидается, станут Nvidia и AMD. Nvidia планирует интегрировать эти модули памяти в ускорители искусственного интеллекта Rubin-Vera во второй половине 2026 года. AMD будет использовать память HBM4 в ускорителях Instinct MI400; подробнее об этом компания расскажет на своей конференции Advancing AI 2025.

Рост ёмкости и пропускной способности HBM4 отвечают растущим требованиям к оборудованию для систем генеративного ИИ, высокопроизводительных вычислений и других систем с интенсивным использованием данных. Большая высота стека и увеличенная ширина интерфейса обеспечат более эффективный обмен данными, что важно в многочиповых конфигурациях. Micron ещё предстоит подтвердить, что память нового образца предлагает адекватные тепловые характеристики, и провести тесты, которые на практике определят пригодность HBM4 к работе с самыми требовательными нагрузками ИИ.

Компания Micron сообщила о начале поставок тестовых образцов первых в мире энергоэффективных чипов памяти LPDDR5X, произведённых по передовому техпроцессу 10-нм класса 1γ (гамма). Эти микросхемы ориентированы на повышение ИИ-производительности флагманских смартфонов.

Источник изображения: ZDNet

По данным южнокорейского издания ZDNet, техпроцесс 1γ знаменует собой шестое поколение памяти DRAM 10-нм класса, массовое производство которой, как ожидается, будет наращиваться к концу этого года. Узел имеет ширину линии порядка 11–12 нанометров и в полупроводниковой промышленности Южной Кореи обычно обозначается как 1c DRAM. LPDDR5X — это наиболее передовое поколение энергоэффективной DRAM, доступное на сегодняшний день на рынке. Основное применение данной памяти — мобильные устройства и ноутбуки.

Согласно пресс-релизу Micron, компания в настоящее время проводит испытания 16-гигабитных чипов LPDDR5X на базе техпроцесса 1γ с избранными партнёрами и планирует предложить полный спектр ёмкостей — от 8 до 32 Гбайт — для использования во флагманских смартфонах 2026 года.

В пресс-релизе также говорится, что данная память LPDDR5X обеспечивает самую высокую в отрасли скорость для LPDDR5X — 10,7 Гбит/с — и демонстрирует до 20 % более высокую энергоэффективность по сравнению с другими аналогичными решениями. Память упакована в самый тонкий для LPDDR5X корпус толщиной всего 0,61 мм. По словам Micron, это на 6 % тоньше, чем у конкурирующих продуктов, и на 14 % тоньше по сравнению с её собственной памятью LPDDR5X предыдущего поколения. Компания также подчёркивает, что LPDDR5X на базе техпроцесса 1γ является её первым решением в сегменте мобильной памяти, при производстве которого применяется передовая EUV-литография.

В феврале этого года Micron объявила о первых поставках образцов памяти DDR5 на основе техпроцесса 1γ таким клиентам, как Intel и AMD. Согласно пресс-релизу, Micron также остаётся единственной компанией, поставляющей чипы памяти HBM3E и SOCAMM для ИИ-серверов. Производитель отмечает, что его память SOCAMM LPDDR5X, разработанная при поддержке Nvidia, поддерживает специализированный ИИ-чип GB300 Grace Blackwell Ultra.

Южнокорейские конкуренты Micron — компании Samsung и SK hynix — также разрабатывают собственные чипы памяти 1c DRAM. В августе прошлого года SK hynix объявила о создании первых в индустрии 16-гигабитных чипов памяти DDR5 на основе узла 1c — шестого поколения 10-нм техпроцесса. По данным MoneyToday от января 2025 года, компания завершила подготовку к массовому производству чипов 1c DDR5. Компания Samsung, в свою очередь, отложила развитие шестого поколения 10-нм техпроцесса DRAM (1c) до июня 2025 года.

Аналитический отчёт TrendForce за первый квартал 2025 года показывают, что глобальный доход отрасли производства памяти DRAM составил $27,01 млрд, что на 5,5 % ниже по сравнению с предыдущим кварталом. Эксперты полагают, что этот спад обусловлен падением контрактных цен на обычные микросхемы DRAM и сокращением объёмов поставок памяти HBM.

Источник изображения: Samsung

В первом квартале 2025 года SK hynix, несмотря на падение выручки на 7,1 % по сравнению с предыдущим кварталом, заняла лидирующее место среди производителей DRAM с выручкой $9,72 млрд. Растущая доля памяти HBM3e помогла компании сохранить средние цены продаж по сравнению с предыдущим кварталом.

Выручка Samsung по сравнению с предыдущим кварталом резко снизилась на 19 % до $9,1 млрд, обеспечив компании лишь второе место в рейтинге производителей DRAM. Падение продаж аналитики связывают в основном с невозможностью напрямую продавать память HBM в Китай и значительным сокращением поставок дорогостоящей HBM3e после модернизации производства.

Micron заняла третье место с $6,58 млрд выручки, что на 2,7 % выше по сравнению с предыдущим кварталом. Масштабные поставки памяти HBM3e компенсировали незначительное снижение средней цены продаж.

По мере перехода трёх ведущих поставщиков DRAM на передовые техпроцессы освобождающиеся рыночные ниши все чаще заполняются тайваньскими поставщиками, использующими зрелые процессы. Этим объясняется явный квартальный рост выручки для Nanya и Winbond в первом квартале.

Nanya начала поставки отдельных продуктов DDR5 и сообщила о выручке в размере $219 млн, что на 7,5 % больше, чем в предыдущем квартале. Winbond продемонстрировала существенный рост поставок памяти форматов LPDDR4 и DDR4, что увеличило выручку компании на 22,7 % до $146 млн, несмотря на общее снижение цен.

PSMC, которая сообщает только о своей внутренней выручке от потребительской DRAM, отметила снижение выручки за первый квартал на 1,4 % до $11 млн из-за сокращения выпуска пластин.

Источник изображения: TrendForce

В настоящий момент производители ПК и смартфонов наращивают складские запасы, стремясь по максимуму использовать 90-дневный льготный период перед введение повышенных таможенных тарифов, что привело к заметному увеличению объёмов поставок. Во втором квартал 2025 года TrendForce прогнозирует восстановление цен на основные контрактные позиции микросхем памяти с тенденцией к дальнейшему росту.

Micron под маркой Crucial анонсировала на Computex 2025 новые твердотельные накопители. Crucial T710 стал одним из самых быстрых потребительских SSD со скоростью до 14,9 Гбайт/с. В свою очередь, внешний накопитель Crucial X10 предлагается в компактном защищённом корпусе и доступен в версиях объёмом до 8 Тбайт. Компания также продемонстрировала прототип портативного SSD с интерфейсом USB4 — его скорость достигает 4 Гбайт/с, пишет Tom’s Hardware.

Источник изображений: tomshardware.com

В центре внимания оказался Crucial T710: производитель увеличил скорость по сравнению с предыдущей моделью T705, уместил накопитель в более тонкий корпус, подходящий для ноутбуков, а также снизил энергопотребление и тепловыделение. С 1 июля в продажу поступят версии без радиатора, а к осени появятся варианты с радиатором — его толщина уменьшена с 21 до 11 мм. Среди нововведений также значится светодиодный индикатор активности на плате SSD.

Важнейшим преимуществом Crucial T710 как преемника T705 стала скорость. Накопитель нового поколения демонстрирует производительность до 2,2 млн IOPS при случайном чтении (на 28 % больше, чем у предшественника) и до 1,8 млн IOPS при случайной записи (на 42 % выше). Энергопотребление при случайных операциях чтения и записи снижено на 67 % и 80 % соответственно. Crucial T710 выпускается в версиях ёмкостью 1, 2 и 4 Тбайт. Максимальные скорости последовательного чтения и записи составляют 14,9 и 13,8 Гбайт/с соответственно (в зависимости от объёма накопителя). Аналогичную скорость чтения предлагает и «самый быстрый SSD в мире» — WD Black SN8100.

Ресурс накопителя составляет от 600 до 2400 Тбайт (TBW) — также в зависимости от объёма. Модель оптимизирована для работы с технологией Microsoft DirectStorage, что способствует росту производительности в играх.

На Crucial T710 установлен контроллер SMI SM2508; в предыдущей модели T705 использовался чип Phison. Новый контроллер отличается сниженным энергопотреблением, что обеспечивает накопителю более высокую эффективность и улучшенные тепловые характеристики. Дополнительную производительность обеспечивают 276-слойные чипы G9 TLC NAND со скоростью 3600 МТ/с. В накопителе присутствует кэш-память DRAM, однако её объём компания Crucial не раскрыла.

Ещё одной новинкой стал портативный Crucial X10, обеспечивающий скорость чтения до 2100 Мбайт/с — вдвое больше, чем у модели предыдущего поколения. Накопитель подключается через интерфейс USB 3.3 Gen 2×2 и выпускается в версиях на 1, 2, 4, 6 и 8 Тбайт. Вариант на 6 Тбайт встречается нечасто среди портативных SSD, но позволяет предложить промежуточную ценовую категорию между 4 и 8 Тбайт. Модель основана на контроллере SMI SM2322. Корпус защищён от пыли и влаги по стандарту IP65 и выдерживает падение с высоты до 9,8 фута (298,7 см). Накопитель уже поступил в розничную продажу.

Crucial также продемонстрировала на Computex 2025 работающий прототип SSD с интерфейсом USB4, но уточнила, что пока не готова взять на себя обязательство по его коммерческому выпуску. В тесте CrystalDisk прототип показал скорости последовательного чтения и записи на уровне 4000 и 3700 Мбайт/с соответственно. Такая модель может решить некоторые проблемы, связанные с ограниченной поддержкой интерфейса USB 3.3 Gen 2×2 на материнских платах, из-за чего потенциал современных накопителей не всегда раскрывается в полной мере.

В конце прошлого месяца Micron Technology заявила, что в этом и следующем году цены на память будут расти в целом по рынку из-за непредсказуемого роста спроса со стороны той же сферы искусственного интеллекта. В более приватном общении со своими потребителями в США она была вынуждена вскоре добавить, что цены придётся увеличить и из-за возросших пошлин.

Источник изображения: Micron Technology

По крайней мере, как сообщает Reuters, соответствующие письма получили клиенты Micron в США. В рассылке они уведомлялись о вынужденном повышении цен на модули памяти и твердотельные накопители данной марки, приобретаемые в США с текущей недели. Масштаб повышения цен не обсуждается, но Micron поясняет клиентам, что модули памяти и твердотельные накопители, импортируемые в страну, не освобождаются от новых таможенных пошлин, в отличие от полупроводниковых компонентов.

Хотя Micron Technology располагает предприятиями по выпуску микросхем памяти на территории США и планирует построить новые, определённый ассортимент продукции она импортирует из Китая, Тайваня, Японии, Малайзии и Сингапура. Ещё в конце марта руководство компании дало понять, что не будет колебаться в переносе возросших из-за пошлин затрат на кошельки покупателей. Как пояснил Reuters некий производитель накопителей на основе флеш-памяти NAND из Азии, при обозначенных властями США новых таможенных пошлинах никто из производителей памяти не будет готов «взять на себя» весь удар.

Южнокорейские СМИ попутно отмечают, что компании Samsung Electronics и SK hynix наверняка пойдут на схожие меры при поставках своей продукции в США. Тем более, что они основную часть своей памяти до сих пор выпускают на территории Китая, который от «тарифов Трампа» пострадает больше всего. В целом, отрасль по производству памяти устроена таким образом, что упаковка чипов и производство модулей сосредоточены в странах Азии, которые максимально затронуты новыми таможенными тарифами США.

Компания Micron официально заявила о повышении цен на память, ссылаясь на растущий спрос на DRAM и NAND-флеш. По прогнозам, тенденция к удорожанию сохранится до 2026 года. Причина проста — искусственный интеллект (ИИ), дата-центры и потребительская электроника требуют всё больше высокопроизводительных решений, однако предложение пока не успевает за спросом.

Источник изображения: Micron, tomshardware.com

Решение Micron, как отмечает Tom's Hardware, основано на недавнем периоде перепроизводства и падения доходов рынка памяти. Однако в последнее время цены начали постепенно восстанавливаться благодаря сокращению производства крупными игроками и росту интереса к ИИ и высокопроизводительным вычислениям. Теперь, когда Micron открыто заявила о повышении цен, ожидается, что за ней последуют и другие производители, такие как Samsung и SK Hynix, продолжая тенденцию удорожания.

В своём обращении к партнёрам Micron подчеркнула, что ключевым фактором пересмотра ценовой политики стал «непредсказуемый спрос в различных сегментах». В частности, компания отмечает, что ИИ-приложения стремительно развиваются, а значит, необходимо поддерживать конкурентоспособность продуктовой линейки. Micron также рекомендовала партнёрам заранее планировать закупки, чтобы избежать дефицита и перебоев с поставками.

Одним из главных драйверов роста цен является растущий спрос на высокоскоростную память HBM (High Bandwidth Memory), критически важную для ИИ-ускорителей и графических процессоров нового поколения. По мере того как Nvidia, AMD и Intel развивают свои ИИ-технологии, потребность в быстрой и энергоэффективной памяти только увеличивается. Несмотря на усилия Micron и её конкурентов по наращиванию объёмов производства, предложение всё ещё отстаёт от спроса, что дополнительно подогревает рост цен.

Чтобы справиться с этим вызовом, Micron недавно объявила о строительстве нового завода в Сингапуре, где будет производиться HBM-память. Инвестиции в проект составят $7 млрд, а запуск намечен на 2026 год. В планах также значится выпуск передовых решений, таких как HBM3E, HBM4 и HBM4E, что, по мнению экспертов, позволит компании укрепить позиции в стремительно растущем сегменте.

Влияние на рынок потребительской электроники
Помимо ИИ и дата-центров, оживление наблюдается и в сегменте потребительской электроники. Производители ПК и смартфонов начали увеличивать заказы на память, готовясь к новым продуктовым релизам в конце 2025 и начале 2026 года. Это является ещё одним аргументом в пользу повышения цен — спрос остаётся стабильно высоким, и, судя по всему, тенденция продолжится.

Поскольку Micron первой объявила о росте цен, теперь остаётся ждать реакции конкурентов и клиентов. Если текущий уровень спроса сохранится, отрасль может столкнуться с продолжительным повышением цен, что повлияет не только на корпоративные дата-центры, но и на бытовые устройства — от игровых компьютеров до смартфонов.

Тенденции на рынке памяти таковы, что хорошую динамику финансовых показателей демонстрируют те поставщики, которые имеют возможности снабжать Nvidia чипами HBM3E. Поскольку Micron Technology находится в их числе, её квартальная выручка в серверном сегменте выросла в три раза по сравнению с аналогичным периодом прошлого года.

Источник изображения: Micron Technologu

Совокупная выручка Micron по итогам прошлого фискального квартала выросла на 38 % до $8,05 млрд и превзошла ожидания аналитиков тоже во многом благодаря высокому спросу на микросхемы памяти в серверном сегменте. Удельный доход на одну акцию достиг $1,56 против ожидаемых $1,42. Чистая прибыль почти удвоилась до $1,58 млрд. Реализация HBM в прошлом квартале принесла компании более $1 млрд выручки. Она продолжит расти на протяжении всего календарного 2025 года, и все квоты на выпуск HBM в текущем году компания уже распродала авансом.

В своём прогнозе на текущий квартал Micron упоминает выручку в размере $8,8 млрд, что выше ожиданий аналитиков ($8,5 млрд). Текущий фискальный год, который завершится осенью, Micron рассчитывает закрыть с рекордной выручкой и существенно возросшей нормой прибыли. Подобный оптимизм руководства даже вызвал рост котировок акций компании на 6 % в моменте после завершения торгов, но к моменту завершения дополнительной торговой сессии прирост свёлся к менее чем одному проценту.

Впрочем, есть в отчётности Micron и слабые места. Например, норма прибыли в прошлом квартале не превысила 37,9 % и оказалась ниже ожиданий рынка, а в текущем она ограничится 36,5 %, что также хуже сторонних прогнозов. На улучшение ситуации с прибыльностью благодаря росту цен на микросхемы памяти руководство рассчитывает только к четвёртому фискальному кварталу, который ещё не наступил.

Поскольку компания SK hynix уже созналась в начале поставок образцов микросхем памяти типа HBM4, было бы странно сохранять в тайне их характеристики. Представителям Computer Base удалось обобщить всю опубликованную в последние дни информацию о планах ведущих игроков рынка в сфере производства HBM4, и характеристики этой памяти интригуют.

Источник изображения: ComputerBase.de

Хотя SK hynix вчера объявила о начале поставки 12-ярусных стеков HBM4 объёмом 36 Гбайт со скоростью 8 Гбит/с. Но предельными эти показатели, конечно, не будут. Предсказуемо высота стеков сначала увеличится до 16 штук, а в перспективе достигнет и 20 штук, но последняя характеристика с высокой вероятностью будет присуща уже преемнице HBM4. SK hynix намерена предлагать 16-ярусные стеки HBM4 объёмом 48 Гбайт. Пропускной способностью в 8 Гбит/с тоже никто ограничиваться не собирается, поскольку та же Samsung Electronics намеревается поднять её до 9,2 Гбит/с.

Источник изображения: ComputerBase.de

В эти дни отметилась даже американская Micron Technology, лаконично заявив, что в больших количествах начнёт выпускать память типа HBM4 в 2026 году. Samsung попутно поясняет, что в 16-ярусном исполнении намерена предлагать и HBM4, и HBM4E, но если в первом случае предельный объём стека ограничится 36 Гбайт, то во втором он достигнет 64 Гбайт. Одновременно с 9,2 до 10 Гбит/с вырастет и пропускная способность памяти. При выпуске HBM4 и HBM4E, как поясняет Samsung, будет использоваться более сложная литография, присущая технологиям выпуска логических компонентов. Скорее всего, она потребуется для выпуска базового кристалла стека.

Рынок микросхем памяти характеризуется цикличностью, поэтому производители стараются регулировать предложение через объёмы выпуска продукции, а спрос через ценовую политику. Китайская компания YMTC, как ожидается, с апреля текущего года намерена поднять цены на свою память типа NAND как минимум на 10 %, подражая зарубежным конкурентам.

Источник изображения: YMTC

По информации South China Morning Post, о грядущем росте цен на твердотельную память уже уведомили своих клиентов компании YMTC, Sandisk и Micron Technology. Минимальный прирост цен составит 10 %, как сообщают многочисленные китайские источники. Скорее всего, как ожидает DigiTimes, примеру перечисленных игроков рынка последуют также южнокорейские компании Samsung Electronics и SK hynix.

Данные инициативы свидетельствуют о том, что в текущем году цены на флеш-память действительно вырастут, как предсказывали аналитики. С конца прошлого года к сокращению объёмов выпуска продукции данного типа прибегали Micron, Samsung и SK hynix. Эти меры были призваны замедлить снижение цен на продукцию. В случае с Sandisk рост цен на память также будет продиктован и повышением таможенных пошлин в США. С этой точки зрения Micron Technology окажется в привилегированном положении, поскольку у неё есть предприятия на территории США.

Компании Micron, Samsung и SK hynix анонсировали новые модули памяти SOCAMM на основе уложенных в стеки чипов LPDDR5X, ёмкость которых достигает 128 Гбайт. Технология ориентирована на серверы с низким энергопотреблением и на системы, использующие искусственный интеллект. Первые SOCAMM появятся в системах с Nvidia Grace Blackwell Ultra GB300 Superchip.

Источник изображения: Micron

Micron первой выпустит SOCAMM объёмом 128 Гбайт, используя свою технологию производства DRAM 1β (1-бета, пятое поколение 10-нм класса). Хотя компания не раскрывает точную скорость передачи данных, она заявляет поддержку скорости до 9,6 ГТ/с. В то же время представленный на конференции Nvidia GTC 2025 модуль SOCAMM от SK hynix работает на скорости до 7,5 ГТ/с. Дополнительно Tom's Hardware сообщает, что размер одного модуля SOCAMM составляет 14 × 90 мм, что примерно в три раза меньше стандартного модуля RDIMM, а внутри размещены до четырёх стеков по 16 микросхем памяти LPDDR5X.

Источник изображения: Tom's Hardware

Энергопотребление памяти является одним из ключевых факторов, влияющих на общую энергоэффективность серверов. В системах с терабайтами памяти DDR5 на сокет энергопотребление DRAM может превышать энергопотребление центрального процессора. Nvidia учла этот аспект при разработке своих процессоров Grace, ориентированных на использование энергоэффективной памяти LPDDR5X. Однако в машинах на базе GB200 Grace Blackwell компании пришлось использовать припаянные модули LPDDR5X, так как стандартные модули не могли обеспечить необходимую ёмкость.

Источник изображения: Tom's Hardware

SOCAMM от Micron решает эту проблему, предлагая стандартное модульное решение, способное вместить четыре 16-слойных стека LPDDR5X и обеспечивая тем самым высокую ёмкость. По словам представителей компании, их модули SOCAMM ёмкостью 128 Гбайт потребляют на треть меньше энергии, чем модули DDR5 R-DIMM такой же ёмкости. При этом пока неясно, станет ли SOCAMM отраслевым стандартом, поддерживаемым JEDEC, или останется проприетарным решением, разработанным Micron, Samsung, SK hynix и Nvidia для серверов на базе процессоров Grace и Vera.

В настоящее время Micron уже запустила массовое производство SOCAMM. Они появятся в системах на базе Nvidia GB300 Grace Blackwell Ultra Superchip во второй половине текущего года. Отметим, что модульная конструкция упрощает производство и обслуживание серверов, что, вероятно, положительно скажется на ценах на системы, в первую очередь, для нужд искусственного интеллекта.

Южнокорейская компания SK hynix за счёт своих контрактов на поставку микросхем памяти HBM разных поколений для нужд Nvidia сильно нарастила свою выручку и прибыль, а также заняла половину рынка в соответствующем сегменте. Не желая сбавлять темп, она на этой неделе заявила о досрочном начале поставок клиентам образцов HBM4.

Источник изображения: SK hynix

Как уточняется в пресс-релизе, речь идёт о 12-ярусных стеках HBM4, массовое производство которых будет запущено во второй половине текущего года. Примечательно, что SK hynix упоминает о «крупных клиентах» во множественном числе, говоря о начале отгрузки соответствующих образцов HBM4 для изучения ими. Подчёркивается, что поставки образцов начались раньше, чем планировалось изначально. Сертификация данной памяти клиентами скоро должна начаться. Ко второму полугодию всё должно быть готово для начала массового производства HBM4.

Пропускная способность на уровне 2 Тбайт/с открывает перед пользователями HBM4 новые возможности в скоростной обработке данных, увеличивая скорость на 60 % по сравнению с HBM3E. Один стек, состоящий из 12 ярусов, позволяет хранить до 36 Гбайт информации. Усовершенствованная технология упаковки MR-MUF позволяет улучшать теплопроводные свойства стека памяти, как поясняет SK hynix.

Сторонние источники накануне сообщили, что SK hynix удалось стать исключительным поставщиком 12-ярусных чипов HBM3E для производства ускорителей Nvidia семейства Blackwell Ultra. Впрочем, Micron Technology тоже претендует на благосклонность Nvidia, поскольку свои 12-ярусные чипы HBM3E американский производитель завершил разрабатывать ещё в сентябре 2024 года.

Южнокорейские источники сообщают, что компания Micron в обозримом будущем не планирует расширять использование EUV-сканеров при производстве памяти. Громкий анонс поставок первых в мире чипов Micron DDR5 поколения 1γ с применением EUV-литографии (длина волны 13,5 нм) оказался своего рода психологической атакой на конкурентов. В дальнейшем компания намерена полагаться на массовое использование классических 193-нм сканеров в производстве DRAM.

Источник изображений: Micron

Издание Chosun Biz сообщило, что при производстве памяти Micron DDR5 поколения 1γ (гамма) с помощью EUV-сканера обрабатывается лишь один слой из нескольких десятков. Все остальные слои создаются с использованием аргон-фторидных эксимерных лазеров (ArF) с погружением в жидкость (так называемая иммерсионная литография для повышения разрешения). Таким образом, компания продолжает применять многомасочный подход — использование нескольких фотошаблонов (масок) для каждого слоя чипов вместо одного шаблона при EUV-литографии. Это увеличивает число технологических этапов при обработке каждой кремниевой пластины с памятью, а значит, и себестоимость производства.

Издание отмечает, что многомасочный подход может быть оправдан, если он служит альтернативой EUV-сканерам для обработки 1–3 слоёв микросхем. Однако если требуется обработка большего количества слоёв с помощью EUV, ставка на ArF-литографию обойдётся производителю существенно дороже, что в перспективе сделает продукцию менее конкурентоспособной (более дорогой).

Компании Samsung и SK Hynix уже в ближайшее время планируют использовать EUV-сканеры для обработки более пяти слоёв микросхем (пока это память HBM), и на этом фоне Micron будет выглядеть серьёзно отстающей. Если информация Chosun Biz верна, компания ещё долго будет применять EUV-сканеры лишь для обработки одного критически важного слоя, полагаясь во всём остальном на 193-нм сканеры.