Компания Micron сообщила, что первой на рынке выпустила модули оперативной памяти нового стандарта LPCAMM2 (Low-Power Compression Attached Memory Module), доступные в вариантах от 16 до 64 Гбайт. Они предлагают более высокую производительность и энергоэффективность, обеспечивают экономию места и сохраняют модульность, то есть возможность апгрейда ПК.

Источник изображений: micron.com

Массовое производство модулей LPCAMM2 компания Micron запустит в первой половине 2024 года — это новый революционный формфактор с момента выхода стандарта SODIMM в 1997 году. LPCAMM2 базируется на чипах LPDDR5X, но по сравнению с традиционным форматом предлагает снижение энергопотребления на 61 % и рост производительности на 71 % при выполнении основных рабочих нагрузок в тесте PCMark 10, таких как просмотр веб-страниц и видеоконференции. Экономия пространства относительно SO-DIMM составляет 64 %.

Модули памяти LPCAMM2 на чипах LPDDR5X достигают скорости 9600 Мбит/с, тогда как существующие планки SO-DIMM DDR5 демонстрируют 5600 Мбит/с. В режиме ожидания экономия энергии достигает 80 %, что способствует увеличению автономной работы мобильных компьютеров; в задачах, связанных с производством цифрового контента, прирост производительности составляет 7 %.

Micron будет реализовывать память LPCAMM2 под брендом Crucial не только производителям компьютеров, но и конечным пользователям — геймеры и профессионалы смогут самостоятельно заменять модули памяти. Продукция нового формата выйдет на рынок в первой половине 2024 года.

Как стало известно источнику, на прошедшей в декабре конференции IEDM 2023 компания Micron за закрытыми дверями сообщила о разработке и применении кристалла памяти FeRAM огромной ёмкости. Память FeRAM производится около 20 лет, но это традиционно чипы малой ёмкости от 8 до 128 Мбит. Разработка Micron на этом фоне поражает воображение ёмкостью кристалла 32 Гбит, что можно сравнить с восходом новой энергонезависимой памяти.

Фрагмент документа Micron с презентации двухслойной памяти FeRAM. Источник изображения: https://blocksandfiles.com

Память FeRAM работает быстрее памяти NAND. По этому показателю она приближается к оперативной памяти DRAM. При этом чипы FeRAM сохраняют заряд в ячейках даже без подачи питания на них, как и прочая энергонезависимая память. Также память FeRAM более устойчива к износу, что снова делает её предпочтительнее для использования в устройствах для хранения данных. Наконец, FeRAM не боится радиации, магнитных полей и скачков температуры, что предопределило её судьбу оказаться в станках, приборах и в бортовом оборудовании аэрокосмической отрасли.

Несмотря на большой набор преимуществ, память FeRAM не стала массовым явлением. Плотность размещения ячеек у неё очень и очень низкая, и массовая память NAND с её кристаллами колоссальной ёмкости не дала FeRAM никакого шанса проникнуть в область хранения данных. Впрочем, это не удалось даже памяти 3D XPoint (торговая марка Intel Optane), которую Micron разработала вместе с Intel. Доступность и дешевизна NAND сыграла свою негативную роль в печальной судьбе и этой, казалось бы, перспективной энергонезависимой памяти.

Нетрудно представить, что неформальный анонс 32-Гбит кристалла FeRAM компанией Micron может считаться знаменательным событием. Сайт Blocks & Files приводит фрагмент изображения документа с презентации чипа памяти, который недоступен для публичного просмотра.

По словам Micron, чипы FeRAM большой ёмкости подтолкнут развитие генеративных моделей искусственного интеллекта. Они работают быстрее NAND и обладают колоссальной износостойкостью. Опытный чип Micron выдерживает до 10¹⁵ циклов перезаписи. Это на несколько порядков больше, чем у конкурирующих чипов FeRAM компаний Fujitsu, Infineon, SK Hynix и Toshiba, не говоря о жалких тысячах циклов, если мы говорим об устойчивости к износу чипов NAND. Кстати, новую память компания называет NVDRAM (non-volatile dynamic random access memory). Назвать её NVRAM, очевидно, она не решилась, чтобы её FeRAM не путали с другими типами энергонезависимой памяти.

Заявленная компанией скорость записи чипов FeRAM составляет 70–120 нс, тогда как цикл записи NAND приближается к 300 мкс. Время удержания данных в памяти FeRAM (заряда в ячейке) достигает 10 лет.

Можно предположить, что компания Micron получила доступ к патентам и технологиям FeRAM после приобретения активов японской компании Elpida в 2013 году. Сама Elpida этот тип памяти не развивала, но принадлежащие ей на тот момент заводы тайваньских Inotera Memories и Nanya Technology были раньше в собственности компании Infineon и выпускали чипы памяти FeRAM.

Переключающий элемент FeRAM обычно выполнен из пьезокерамики в виде цирконат-титаната свинца (PZT). Этот материал сохраняет поляризацию даже после снятия внешнего управляющего сигнала — электромагнитного поля. Грубо можно сказать, что каждая ячейка FeRAM состоит из управляющего транзистора и пьезокерамического конденсатора. Именно вкрапление пьезокерамического элемента делает ячейку очень большой. Как эту проблему решила Micron, не сообщается.

Криптовалютный бум вынуждал NVIDIA платить поставщикам миллиарды долларов авансом каждый квартал, чтобы обеспечить рост производства необходимых компонентов. Сейчас ситуация изменилась лишь в том отношении, что на первое место вышли поставки ускорителей вычислений для ИИ, а крупные авансовые платежи от NVIDIA получают поставщики памяти типа HBM.

Источник изображения: SK hynix

Во всяком случае, об этом со ссылкой на южнокорейское издание Chosun Biz сообщает DigiTimes. По данным источников, компании SK hynix и Micron каждая получили от NVIDIA крупные платежи в размере от $540 до $770 млн. Эти средства должны гарантировать поставки для нужд NVIDIA указанными компаниями необходимого количества микросхем памяти HBM соответствующих поколений. Скорее всего, как предполагают корейские источники, речь идёт о микросхемах памяти типа HBM3e, которые понадобятся NVIDIA в наступающем году для производства нового поколения ускорителей вычислений.

Для производителей памяти уходящий 2023 год был тяжёлым с финансовой точки зрения, поэтому нехарактерные для этого рынка крупные авансовые платежи могут стать для них хорошим стимулом к наращиванию объёмов производства HBM3e. Такая память довольно сложна в производстве, поэтому расширение профильных мощностей требует существенных инвестиций.

Попутно сообщается, что Samsung Electronics всё же прошла сертификационные процедуры, позволяющие ей поставлять микросхемы памяти типа HBM3 и HBM3e для нужд NVIDIA, но проблема заключается в том, что последнюю разновидность памяти корейский гигант выпускает по 10-нм технологии четвёртого поколения, тогда как конкурирующая SK hynix уже освоила 10-нм технологию пятого поколения, получив преимущество по себестоимости такой продукции.

Micron Technology урегулировала судебный спор с ключевым китайским конкурентом — компанией Fujian Jinhua Integrated Circuit, которую ранее обвинила в краже интеллектуальной собственности, пишет Bloomberg, объясняя этот шаг желанием американской компании восстановить заметно ухудшившиеся отношения с официальным Пекином.

Источник изображения: Micron

Micron заявила, что достигла глобального мирового соглашения с Fujian Jinhua, поддерживаемой китайским государством. «Каждая из двух компаний в глобальном масштабе отклонит свои иски против другой стороны и прекратит все судебные разбирательства с ней», — сообщила представительница Micron в электронном письме Bloomberg, отказавшись предоставить подробности соглашения.

До этого в мае китайское правительство запретило использование чипов Micron в критической инфраструктуре из-за серьёзных рисков для национальной безопасности. США также взаимодействуют с союзниками с целью помешать Китаю получить передовые чипы и заблокировать доступ к новейшим технологиям производства полупроводников, в том числе и компьютерной памяти.

В июне Micron сообщила, что из-за действий Китая может пострадать около половины её продаж, связанных с клиентами из этой страны. По словам компании, на предприятия, базирующиеся в материковом Китае и Гонконге, приходится около четверти её глобального дохода.

Напомним, что ещё в 2017 года Micron подала в суд США на компанию Fujian Jinhua и её тайваньского партнёра United Microelectronics Corp. (UMC) с обвинением в краже коммерческой тайны, касающейся производства её чипов памяти. После этого UMC урегулировала спор с Micron, в то время как конфликт американской компании с Fujian продолжался.

В календаре Micron Technology тридцатого ноября завершился первый квартал фискального 2024 года, и говоря о показателях второго квартала, руководство сформировало благоприятный прогноз, который превзошёл ожидания аналитиков. Результаты минувшего квартала тоже оказались лучше прогнозных значений.

Источник изображения: Micron Technology

Выручка Micron в минувшем квартале выросла на 16 % до $4,73 млрд против ожидавшихся $4,54 млрд. Чистые убытки за период составили $1,05 млрд или $1,23 млрд, в зависимости от методики расчёта. Операционные расходы удалось немного сократить по сравнению с аналогичным периодом предыдущего фискального года, до $1,093 млрд. Норма операционных убытков составила 23,9 %, операционные убытки достигли $1,128 млрд. Выручка от реализации памяти типа DRAM достигла $3,4 млрд или 73 % от совокупной. Профильная выручка последовательно выросла на 24 %, объёмы поставок в натуральном выражении выросли более чем на 20 %, а средняя цена реализации выросла на несколько процентов. На долю NAND пришлись $1,2 млрд или 26 % общей выручки, на этом направлении выручка выросла на 2 % последовательно, а средняя цена реализации увеличилась на 20 %. С точки зрения сегментов рынка самым активно растущим оказался мобильный, он увеличил свою часть выручки Micron на 97 % до $1,3 млрд.

По словам генерального директора Micron Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), в прошедшем квартале компания добилась успехов не только за счёт повышения операционной дисциплины, но благодаря более высоким ценам на память по сравнению с ожидавшимися. В 2024 году, как он заявил, фундаментальные показатели деятельности компании будут улучшаться на протяжении всего периода, а ёмкость рынка по итогам 2025 календарного года достигнет рекордного значения. Особая ставка делается на продвижение памяти типа HBM в свете высокого спроса на системы искусственного интеллекта. Компания уже распродала всю память типа HBM, которую способна будет выпустить в 2024 году. В одноимённом фискальном периоде реализация HBM принесёт Micron сотни миллионов долларов выручки, по словам руководства. С технической точки зрения память этого типа является самым сложным видом продукции Micron, но и самым прибыльным. В минувшем фискальном квартале Micron уже отгрузила первым клиентам образцы микросхем типа HBM3E, которые обеспечивают на 10 % более высокое быстродействие и на 30 % сниженное энергопотребление по сравнению с конкурирующими предложениями этого типа.

О сотрудничестве с NVIDIA в этой сфере в презентации Micron было сказано отдельно. Сейчас память типа HBM3E производства Micron проходит последние этапы квалификационных испытаний, что позволит соответствующим микросхемам использоваться при производстве ускорителей NVIDIA GH200 и H200. Кроме того, микросхемы памяти Micron типа LPDDR5X уже используются в сочетании с процессорами NVIDIA Grace. Массовое производство HBM3E компания собирается начать в следующем календарном квартале.

В текущем фискальном квартале Micron рассчитывает выручить от $5,1 до $5,5 млрд, что выше ожидавшихся аналитиками $4,99 млрд. Убытки в пересчёте на одну акцию ограничатся диапазоном от 21 до 35 центов, тогда как аналитики прогнозировали до 62 центов убытков на одну акцию компании. После закрытия торгов акции Micron Technology выросли в цене на 4,8 %, хотя в ходе основной торговой сессии потеряли 4,2 %.

Глава Micron пояснил, что с точки зрения динамики цен 2024 год станет для отрасли по производству микросхем памяти периодом перехода к росту, но наращивать объёмы выпуска продукции компания будет осторожно. Сегмент ПК в 2024 календарном году вырастет на 2–5 %, как считает руководство Micron, сегмент смартфонов тоже демонстрирует признаки восстановления, но в 2024 году вырастет незначительно. В любом случае, в этих сегментах рынка покупатели хотя бы избавились от излишков памяти, как пояснил Мехротра. На ценах это сказывается благоприятным для производителей образом. С точки зрения баланса спроса и предложения на микросхемы памяти следующий год обеспечит возвращение к историческим уровням, как считает руководство компании. Предложение, во всяком случае, нормализуется уже в первой половине следующего года. В начале наступающего года DDR5 начнёт доминировать над DDR4 в структуре поставок продукции Micron. Для производства микросхемы HBM эквивалентной ёмкости требуется в два раза больше кремниевых пластин, чем для DDR5.

Распространение во второй половине следующего календарного года ПК с функцией ускорения работы систем искусственного интеллекта, по мнению представителей Micron, позволит увеличить среднее содержание оперативной памяти на один ПК на величину от 4 до 8 Гбайт, попутно увеличится и средняя ёмкость используемых твердотельных накопителей. В сегменте смартфонов прирост объёма оперативной памяти в силу появления такого фактора будет примерно таким же.

По итогам текущего года спрос на DRAM должен вырасти на 8–9 %, в сегменте твердотельной памяти он достигнет 19–19 %. В последующие годы спрос на DRAM будет измеряться 18–19 % в год, а на направлении NAND он достигнет 21–23 %. В 2024 году спрос на DRAM приблизится к этим показателям, а вот на рынке NAND темпы роста окажутся ниже. На протяжении 2024 года компания собирается удерживать поставки на уровне ниже потребностей рынка, чтобы способствовать реализации сохраняющихся складских запасов продукции.

Согласно исследованиям TrendForce, в третьем квартале 2023 года произошёл значительный подъём рынка оперативной памяти DRAM: общая выручка выросла до 13,48 миллиардов долларов. Это соответствует 18-процентному росту относительно предыдущего квартала.

Источник изображения: pixabay.com

Значительный рост выручки объясняется постепенным восстановлением спроса, что побуждает производителей активизировать закупки. В перспективе четвёртого квартала поставщики DRAM твёрдо намерены повышать цены, так как ожидается, что контрактные цены на чипы памяти вырастут примерно на 13–18 %. Вместе с тем, восстановление спроса будет не таким ярким, как в предыдущие пиковые сезоны. В целом, несмотря на спрос для поддержания запасов, закупки в серверном сегменте остаются ограниченными из-за высокого уровня запасов с прошлых кварталов, что предполагает ограниченный рост поставок DRAM в четвёртом квартале.

Следует отметить, что три основных производителя оперативной памяти отметили рост выручки в третьем квартале. Выручка Samsung выросла на 15,9 % до 5,25 миллиардов долларов США благодаря стабильному спросу на чипы большой ёмкости, который стимулируется развитием систем искусственного интеллекта и выходом на рынок чипов DDR5, выполненных по нормам 1α. SK hynix продемонстрировала самый заметный рост среди производителей, достигнув величины в 34,4 % при объёмах продаж в 4,626 миллиардов долларов США. Компания при этом значительно сократила разрыв в доле рынка с Samsung до менее чем 5 %. Выручка Micron выросла примерно на 4,2 % до 3,075 миллиардов долларов, несмотря на небольшое снижение ASP (Average Selling Price — средняя цена продажи), чему способствовал рост спроса и объёмов поставок.

Samsung, вместе с тем, форсировала сокращение производства к концу третьего квартала, в основном нацелившись на продукты DDR4 с одновременным увеличением уровней запасов. По прогнозам, в четвёртом квартале сокращение производства может усилиться до 30 %, что приведёт к снижению объёма выпускаемых пластин памяти. При этом, рассчитывая на постепенное восстановление спроса, Samsung планирует увеличить объёмы выпуска чипов памяти не раньше второго квартала 2024-го года. SK hynix выиграла на росте поставок памяти HBM и DDR5, и ожидает небольшого увеличения объёмов производства пластин к концу текущего года, а в следующем году — стабильного ежеквартального роста в соответствии с растущим проникновением DDR5 на рынок.

Micron, ранее сократившая производство, в настоящее время поддерживает относительно здоровый уровень запасов. В четвёртом квартале 2023-го года компания уже начала увеличивать объёмы выпуска пластин, в первую очередь уделяя особое внимание передовому техпроцессу 1β. По некоторым оценкам, объём обработки кремниевых пластин в 2024-м году продолжит незначительно расти, при этом основное внимание будет уделяться переходу на более современные производственные процессы.

В то же время, на Тайване поставки компании Nanya выросли до 17–19 % благодаря заказам от клиентов рынка персональных компьютеров и динамикой спотового рынка. Однако низкий спрос на основные продукты компании — память DDR3 и DDR4, — а также снижение цен ограничили рост выручки, которая в итоге составила скромные 244 миллиона долларов США. Агрессивная ценовая стратегия компании Winbond, направленная на расширение бизнеса по выпуску DDR3 и освоение новых производственных мощностей, способствовала росту отгрузок и увеличению выручки компании в третьем квартале до 112 миллионов долларов США.

Источник изображения: TrendForce

PSMC (Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation) рассчитывает свою выручку в основном от потребительских продуктов DRAM, за исключением, собственно, услуг фотолитографического производства пластин. Благодаря росту спотовых цен, наблюдалось небольшое увеличение спроса, что привело к росту квартальной выручки от DRAM на 4,4 %. Однако, если учесть доходы от фотолитографического производства чипов, то в этом квартале следует констатировать снижение на 5,5 %.

Акции компании Micron Technology, крупнейшего американского производителя микросхем оперативной и флеш-памяти, заметно упали сегодня на предварительных торгах, несмотря на повышение производителем прогноза по квартальной выручке, сообщает издание Bloomberg.

Источник изображения: Micron

Хотя Micron повысила прогноз по скорректированной выручке в первом квартале финансового года с 4,6 до 4,7 млрд долларов, акции компании упали на 4 % по состоянию на 9:11 утра в Нью-Йорке. Micron также заявила, что ожидает скорректированных операционных расходов в размере $990 млн, что намного превышает ожидания аналитиков.

В отрасли многие ожидали более значительного повышения прогнозов Micron по выручке на фоне восстанавливающего спроса на чипы памяти, как NAND, так и DRAM. Инвесторы рассчитывали на поворотный момент, который завершит тяжёлый год для рынка компьютерной памяти.

Как пишет Bloomberg, за текущий год акции Micron выросли на 55 % на ожиданиях завершения исторического спада в сфере производства микросхем оперативной и флеш-памяти.

Китайские производители чипов или оборудования для их производства периодически становятся подозреваемыми в делах о промышленном шпионаже, но существуют и противоположные по схеме взаимодействия прецеденты. Недавно китайская компания YMTC обвинила американского производителя памяти Micron Technology в нарушении восьми своих патентов.

Источник изображения: Micron Technology

Как сообщает Reuters, девятого ноября YMTC подала иск в Федеральный окружной суд Северного округа Калифорнии, обвинив в нарушении прав на использование интеллектуальной собственности Micron Technology и её подразделение по работе с потребительскими продуктами Micron Consumer Product Group. Какие именно технологии Micron, по мнению YMTC, незаконно у неё позаимствовала, не уточняется, но американская компания обвиняется истцом в использовании интеллектуальной собственности YMTC для конкуренции с этой компанией и укрепления своих позиций на рынке.

Представители YMTC в комментариях Reuters подтвердили существование такого иска, заодно пояснив, что он имеет отношение к патентам компании, описывающим технологии разработки, изготовления и функционирования памяти типа 3D NAND. Напомним, что китайская YMTC с лета начала снабжать своих клиентов 232-слойной памятью типа 3D NAND, вплотную приблизившись к технологическим возможностям зарубежных конкурентов, а в показателях плотности хранения информации даже превзойдя их. Представители YMTC выразили надежду, что иск будет рассмотрен органами правосудия США в сжатые сроки.

Напомним, что с мая текущего года продукция Micron Technology, в соответствии с решением китайских властей, не может использоваться на объектах критически важной информационной инфраструктуры КНР. При этом сама компания Micron не отказывается от намерений вложить $603 млн в расширение китайских мощностей по тестированию и упаковке памяти. От выпуска чипов типа DRAM на территории КНР она отказалась в прошлом году, хотя до этого китайский рынок обеспечивал до половины всей выручки Micron. В прошлом году эта доля не превысила 16 %. В 2018 году Micron обвинила в хищении своей интеллектуальной собственности китайскую компанию Fujian Jinhua, так что взаимоотношения с местными производителями у неё уже давно не самые благоприятные.

Компания Micron представила модули регистровой оперативной памяти (RDIMM) для серверов ёмкостью 128 Гбайт, способные работать со скоростью до 8000 МТ/с. В их составе используются 32-гигабитные монолитные чипы DDR5, производящиеся с использованием технологического процесса 1β (1-бета), являющегося самым продвинутым у производителя. Массовое производство этих модулей ОЗУ начнётся в следующем году. Ещё компания поделилась планами на будущее.

Источник изображений: Micron

По словам компании, задействованная технология для производства 32-гигабитных монолитных кристаллов памяти DDR5 обеспечивает ряд преимуществ перед конкурирующей технологией 3DS TSV (Through-Silicon Via). Так, для новых чипов заявлены повышение битовой плотности более чем на 45 %, увеличение энергоэффективности до 24 %, снижение задержек до 16 % и повышение эффективности в задачах обучения ИИ до 28 %. Отказ от 3DS TSV позволил Micron лучше оптимизировать буферы ввода данных и критические схемы ввода-вывода, а также уменьшить ёмкость выводов на линиях данных.

Micron в прошлом удваивала плотность монолитных кристаллов памяти примерно каждые три года. С дальнейшим развитием технологий производитель планирует перейти к выпуску 48-гигабитных и 64-гигабитных монолитных кристаллов памяти, которые откроют перспективу создания модулей ОЗУ объёмом 1 Тбайт.

В дополнение к анонсу модулей памяти RDMIMM DDR5-8000 на 32-гигабитных чипах памяти на техпроцессе 1β, компания также опубликовала обновлённые планы по выпуску будущих продуктов. С середины 2024 года планируется начать массовое производство 16-гигабитных и 24-гигабитных чипов памяти GDDR7 со скоростью передачи данных 32 ГТ/с (гигатрансферов в секунду).

С 2024 года компания также планирует начать выпуск памяти RDIMM, MCRDIMM и решений CXL ёмкостью 128–256 Гбайт, а в 2026 году — объёмом более 256 Гбайт. С 2026 года производитель также начнёт выпуск энергоэффективных модулей памяти LPCAMM2 объёмом до 192 Гбайт и скоростью до 9600 МТ/с. Кроме того, планируется выпуск памяти HBM4 и HBM4E. Это новое поколение высокопроизводительной памяти должно обеспечить полосу пропускания от 1,5 Тбайт/с до более чем 2 Тбайт/с на стек при ёмкости от 36 до 64 Гбайт.

В мае этого года власти КНР заявили, что продукция американской компании Micron Technology может содержать некие угрозы для национальной безопасности, поэтому микросхемы памяти этой марки было запрещено применять в объектах критически важной информационной инфраструктуры. Теперь же КНР выразили благожелательность по отношению к намерениям Micron развивать свой бизнес в этой стране.

Источник изображения: Micron Technology

По информации Reuters, министр торговли Ван Вэньтао (Wang Wentao) на встрече с генеральным директором Micron Technology Санджеем Мехротрой (Sanjay Mehrotra) пообещал, что власти Китая будут создавать благоприятные условия для иностранных инвестиций и предоставлять инвесторам определённые гарантии. «Мы приветствуем решение Micron Technology укореняться на китайском рынке и достигать нового уровня развития с учётом соблюдения законов и правил КНР», — заявил чиновник.

Напомним, что в мае этого года китайский регулятор заявил, что продукция американского производителя микросхем памяти Micron Technology не прошла проверку на безопасность. Тогда сообщалось, что это решение может затронуть самые разные отрасли — от телекоммуникаций до транспорта и финансов — в соответствии с широким определением критической информационной инфраструктуры, принятым в Китае. «В ходе проверки было установлено, что продукция компании Micron имеет серьезные риски сетевой безопасности, что создает значительные угрозы безопасности цепочки поставок критической информационной инфраструктуры Китая и влияет на национальную безопасность страны», — было сказано в заявлении Управления киберпространства Китая (CAC).

А в июне представители Micron подтвердили готовность компании вложить $603 млн в расширение и модернизацию своего предприятия в Китае. При этом намерения Micron получать субсидии властей США на строительство новых предприятий на территории страны накладывают на компанию определённые ограничения на расширение своей деятельности в Китае. Очевидно, американский производитель нашёл какой-то компромисс в своих инвестиционных планах в обеих странах. Встреча министра торговли КНР и главы Micron прошла в рамках подготовки к встрече на высшем уровне между президентом США Джозефом Байденом (Joseph Biden) и Си Цзиньпином (Xi Jinping), которая может состояться в конце текущего года.

Компания Crucial представила скоростной NVMe-накопитель T500 стандарта PCIe 4.0. Новинка будет выпускаться в объёмах 500 Гбайт, 1 и 2 Тбайт, и предлагаться в двух вариантах исполнениях: версия на 500 Гбайт будет поставляться без радиатора охлаждения, варианты на 1 и 2 Тбайт — как с радиатором, так и без него.

Источник изображений: Crucial

По словам производителя, версия накопителя T500 с радиатором отлично подойдёт для использования в составе ПК и игровых приставок PS5, версия без радиатора предназначена для использования в ноутбуках.

В основе накопителей Crucial T500 используются 232-слойные чипы памяти 3D TLC NAND от Micron, а также контроллер Phison PS5025-E25, представленный в прошлом году. Версия SSD объёмом 500 Гбайт предлагает скорости последовательного чтения и записи до 7200 и 5700 Мбайт/с соответственно. Для варианта на 1 Тбайт заявлены скорости соответственно в 7300 и 6800 Мбайт/с, а для старшей модели объёмом 2 Тбайт — 7400 и 7050 Мбайт/с соответственно. Накопители оснащены кеш-памятью LPDDR4 DRAM в объёме 1 Гбайт на 1 Тбайт объёма SSD.

Производительность новинок при случайном чтении составляет от 800 тыс. до 1 180 000 IOPS в зависимости от версии, а записи — от 300 тыс. до 1 200 000 IOPS. Ресурс накопителей Crucial T500 варьируется от 300 TBW (терабайт перезаписанной информации) у SSD объёмом 500 Гбайт до 1200 TBW у модели на 2 Тбайт. Для T500 заявлена поддержка технологии Microsoft DirectStorage, которая призвана ускорить загрузку в играх, а также системы шифрования TCG Opal.

Версию накопителя Crucial T500 объёмом 500 Гбайт производитель оценил в $90 (в расчёте 18 центов за гигабайт пространства), вариант на 1 Тбайт оценён в $120 (без радиатора и в расчёте 12 центов за 1 Гбайт) и $130 (с радиатором и в расчёте 13 центов за Гбайт). Старшая модель объёмом 2 Тбайт оценивается в $170 (без радиатора, 8,5 цента за гигабайт) и $180 (с радиатором и в расчете 9 центов за 1 Гбайт). На все версии SSD предоставляется пятилетняя гарантия производителя.

В 2024 году компания Crucial также планирует выпустить версию SSD объёмом 4 Тбайт. Её стоимость пока неизвестна.

Компания Micron сообщила, что приступила к поставкам образцов энергоэффективной оперативной памяти LPDDR5X-9600, производящейся с использованием её самого передового технологического процесса 1β (1-бета).

Источник изображения: Micron

В Micron отмечают, что оперативная память LPDDR5X на техпроцессе 1β предлагает скорость до 9,6 Гбит/с на контакт (LPDDR5X-9600). Пропускная способность памяти более чем на 12 % выше, чем у LPDDR5X-8533 (8,533 Гбит/с на контакт).

Компания также сообщает, что оперативная память LPDDR5X на техпроцессе 1β почти на 30 % энергоэффективнее чипов памяти LPDDR5X на техпроцессе 1α. Micron будет выпускать память LPDDR5X на техпроцессе 1β микросхемами объёмом до 16 Гбайт.

Источник изображения: SK hynix

В свою очередь южнокорейская SK hynix будет поставлять микросхемы памяти LPDDR5T-9600 («T» от «Turbo») объёмом 16 Гбайт, которые работают с напряжением VDD от 1,01 до 1,12 и VDDQ 0,5 В. Для сравнения, максимальное напряжение VDD для памяти LPDDR5X, согласно спецификациям, составляет 1,1 В. Таким образом память LPDDR5T немного выходит за эти рамки.

Микросхемы памяти Micron LPDDR5X-9600 и SK hynix LPDDR5T-9600 совместимы с новейшими флагманскими процессорами Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3 с поддержкой генеративного ИИ и будут применяться в смартфонах на их основе. Micron уже приступила к поставкам чипов LPDDR5X-9600 объёмом 16 Гбайт с пиковой пропускной способностью 76,8 Гбайт/с. SK Hynix рассказала, что её микросхемы прошли проверку компанией Qualcomm, поэтому южнокорейский производитель, вероятно, начнёт поставки этих чипов в ближайшее время.

Около 90 % выпускаемой в мире оперативной памяти сейчас поставляется тремя компаниями, две из которых (Samsung и SK hynix) относятся к Южной Корее, а третья является американской — Micron Technology. При этом доля США на мировом рынке памяти сейчас едва достигает 2 %, но через 20 лет руководство Micron надеется увеличить этот показатель до 15 %.

Источник изображения: Micron Technology

Об этом в интервью CNBC рассказал генеральный директор Micron Technology Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra). По его словам, в производственной программе компании доля выпускаемой на территории США памяти к тому времени вырастет с 10 до 60 %. Для этого будут построены новые предприятия в штатах Айдахо и Нью-Йорк. В первом из штатов выпуск памяти на новом предприятии будет налажен в 2026 году, а предприятие в штате Нью-Йорк начнёт возводиться в конце следующего года, чтобы к 2027 году наладить выпуск микросхем памяти. Подобные предприятия, по словам представителей Micron, обязаны быть крупными, чтобы обеспечить экономию расходов на масштабах производства. В штате Нью-Йорк компания рассчитывает за двадцать лет построить четыре предприятия, потратив на это до $100 млрд. На первом этапе в плане субсидий она уже может рассчитывать на поддержку властей штата в размере $5,5 млрд, также подана заявка и на субсидирование из федерального бюджета по так называемому «Закону о чипах». На строительство предприятия в Айдахо планируется потратить $15 млрд. Сейчас Micron свои передовые чипы памяти производит преимущественно в Японии и на Тайване, но в ближайшие годы она рассчитывает усилить роль США в этой сфере.

Долгое время Micron не строила новых предприятий, а свою экспансию на рынке осуществляла за счёт поглощения более мелких производителей и их производственных площадок. В частности, с 1998 года Micron провела 11 соответствующих сделок. Теперь пришла пора взяться за строительство новых предприятий, и текущий спад на рынке памяти не смущает руководство Micron Technology. В сегменте смартфонов потребность в увеличении объёма памяти проявит себя довольно скоро из-за роста вычислительной нагрузки и появления более «тяжёлого» транслируемого по сети контента. В сегменте искусственного интеллекта будет расти спрос на скоростную память типа HBM. Автопилот и развитие автомобильной электроники обеспечат спрос на память со стороны транспортной отрасли.

Предприятие Micron в штате Нью-Йорк, строительство которого начнётся в следующем году, будет ежедневно потреблять объём воды, сопоставимый с ёмкостью 25 олимпийских бассейнов, а также потреблять объём электроэнергии, которого хватило бы на 25 000 домовладений. Говоря о преимуществах строительства предприятия в США, руководство Micron отмечает низкую стоимость энергоресурсов. При этом здесь дороже рабочая сила, а также выше затраты на строительство предприятий, но и по этому показателю прочие регионы планеты догоняют США. Нехватку квалифицированных кадров Micron старается побороть за счёт сотрудничества с американскими университетами. В конце концов, в ближайшие пару десятилетий компании предстоит в одном только штате Нью-Йорк принять на работу около 50 000 жителей США, поэтому целевые образовательные программы приходится запускать уже сейчас. Micron даже финансирует деятельность тематического летнего лагеря для подростков, чтобы формировать у молодёжи интерес к полупроводниковой отрасли.

Компания Micron Technology сообщила о начале массового производства и поставок 16-гигабитных чипов памяти DDR5, выполненных по самому передовому технологическому процессу производителя — 1β (1-beta). На основе этой памяти могут создаваться модули ОЗУ для серверов и персональных компьютеров со скоростью до 7200 МТ/с.

Источник изображений: Micron

Компания заявляет, что переход на техпроцесс 1β с передовой технологией High-K CMOS, четырёхфазной регулировкой тактовой частоты и синхронизацией тактов позволил увеличить производительность на 50 %, а энергоэффективность на ватт увеличена на 33 % по сравнению с прошлым поколением памяти.

С ростом количества ядер CPU для удовлетворения растущих потребностей рабочих нагрузок центров обработки данных значительно возрастает и потребность в более ёмкой памяти с высокой пропускной способностью. Память DRAM DDR5 со скоростью передачи данных до 7200 МТ/с на основе техпроцесса 1β от Micron позволяет масштабировать вычислительные возможности с более высокой производительностью для таких сфер, как обучение и интеграция искусственного интеллекта (ИИ), генеративного ИИ, анализ данных и базы данных в памяти (IMDB) в центрах обработки данных и на клиентских платформах.

Новые микросхемы памяти Micron получили объём 16, 24 и 32 Гбит (2, 3 и 4 Гбайт) и предлагают скорость работы от 4800 до 7200 MT/с. Новая память будет доступна как в серверном, так и в потребительском сегменте. Micron планирует распространить использование передового техпроцесса 1β на производство кристаллов памяти LPDDR5x, GDDR7 и даже HBM3e, отмечает производитель.

Год назад компания Micron Technology, бравируя своим американским происхождением, объявила о грандиозных планах по развитию производства памяти на территории США, рассчитывая получить государственную поддержку в рамках «Закона о чипах». Торжественная церемония начала строительства предприятия в штате Айдахо состоялась на этой неделе.

Источник изображения: Micron Technologies

Как подчёркивается в пресс-релизе, это первый за последние двадцать лет такого рода проект на территории США, реализуемый исконно американской компанией. Церемония закладки фундамента приурочена к 45-летнему юбилею компании Micron Technology, и компанию передовому предприятию в штате Айдахо составит научно-исследовательский центр, расположенный по соседству со штаб-квартирой. В экономику штата на протяжении жизненного цикла предприятия руководство Micron планирует вложить $15,3 млрд, а непосредственно местным компаниям достанется около $13 млрд. Помимо 2000 рабочих мест на предприятии, Micron будет способствовать появлению ещё около 15 000 вакансий на стройке и в смежных отраслях. За последующие десять лет Micron собирается вложить в экономику родного штата не менее $75 млн, которые будут направлены на пользу обществу и обучение кадров. Во всяком случае, на новом предприятии будет использоваться только электроэнергия из возобновляемых источников, а водные ресурсы будут полностью использоваться повторно после очистки.

В штате Айдахо, как подчёркивает Micron, располагается единственное на территории страны предприятие по выпуску опытных образцов памяти DRAM. Местными специалистами зарегистрировано две трети патентных заявок, принадлежащих компании. В среднем они регистрируют до трёх патентных заявок ежедневно, если распределить всё количество на период существования научно-исследовательского центра. Появление по соседству передового предприятия, позволяющего выпускать в массовых количествах микросхемы памяти, обеспечит мощный синергетический эффект, как убеждены в Micron.

Так называемые «чистые помещения», в которых будет налажен выпуск микросхем памяти типа DRAM, будут введены в строй на новом предприятии с 2025 года, объёмы производства памяти будут наращиваться пропорционально спросу. В идеале, площадь «чистых помещений» на предприятии сможет приблизиться к 56 000 м². Здесь же расположится и крупнейший «чистый цех» на территории США. Ещё в августе этого года Micron подала заявку на получение субсидий на реализацию проектов в Айдахо и штате Нью-Йорк, но выделение средств со стороны американских властей пока не гарантируется.