Зарубежные компании порой сталкиваются в своей деятельности с непредвиденными обстоятельствами природного происхождения. Tesla при строительстве предприятия в окрестностях Берлина более трёх лет назад мешали зимующие лягушки и змеи, а Micron Technology в штате Нью-Йорк вынуждена будет отложить начало строительства своих предприятий из-за летучих мышей.

Источник изображения: Micron Technology

Как поясняет Bloomberg, в технопарке White Pine, на территории которого Micron собиралась в этом году начать строительство двух из четырёх будущих предприятий по выпуску микросхем памяти, обнаружились колонии летучих мышей двух находящихся под угрозой вымирания в Северной Америке видов. К началу зимы они традиционно перемещаются для зимовки в ближайшие пещеры, а до этого проживают в лесных массивах. Сводить деревья на территории будущей строительной площадки Micron до ноября не сможет, поскольку это причинило бы беспокойство редким видам летучих мышей, обитающим в здешних лесах. Даже приступив к своду деревьев в ноябре, Micron обязана позаботиться о том, чтобы у летучих мышей осталась альтернативная территория обитания поблизости, поскольку весной они должны куда-то вернуться из пещер после зимовки.

Задержаться с началом работ на строительной площадке в штате Нью-Йорк компания будет вынуждена ещё и по другой причине. На этой заболоченной территории площадью более 82 га в конкретном районе строительства расположены ручьи общей протяжённостью около 2 км, и все землеустроительные работы нужно согласовывать с профильным американским ведомством, которое отвечает за охрану водных ресурсов. Пока соответствующий план действий компания Micron не предоставила. Завершить все согласования на данном участке американский производитель памяти намеревается к началу 2025 года, при отсутствии других препятствий строительство планируется начать вскоре после этого. Две первые фабрики по выпуску памяти должны быть введены в строй в 2028 и 2029 годах соответственно, в случае необходимости третья появится в 2035 году, а четвёртая — в 2041 году.

Компании Micron уже удалось получить принципиальное согласие Министерства торговли США на предоставление субсидий на строительство всех своих запланированных предприятий на территории страны по «Закону о чипах». Безвозвратные субсидии составят $6,1 млрд, льготных кредитов будет предоставлено $7,5 млрд, а сумма налоговых вычетов пока не уточняется. Власти штата Нью-Йорк дополнительно выделили $5,8 млрд на конкретный проект. Правда, некоторую часть федеральных субсидий Micron наверняка потратит на строительство нового предприятия в родном Айдахо. Проект, подразумевающий инвестиции в размере $15 млрд, был запущен ещё в прошлом году, строительство предприятия уже ведётся, а в эксплуатацию оно будет введено в 2026 году. Площадка в штате Нью-Йорк подразумевает инвестиции на общую сумму до $100 млрд сроком на двадцать лет, поэтому незначительные задержки с реализацией этого проекта нервируют только тех американских законодателей, которые видят растущую угрозу для технологического суверенитета США со стороны Китая.

Стремление азиатских производителей памяти обзавестись предприятиями на территории США вовсе не означает, что исконно американские компании не собираются строить новые заводы за пределами страны. Например, Micron Technology рассматривает возможность организации выпуска передовой памяти HBM в Малайзии, и в следующем году рассчитывает занять до 25 % мирового рынка такой памяти.

По данным TrendForce, на которые ссылается Nikkei Asian Review, подобная доля рынка сейчас принадлежит Micron Technology и в сегменте DRAM в целом. На рынке HBM в этом смысле Micron пока не добилась существенных успехов, поскольку конкурирующим SK hynix и Samsung Electronics принадлежат 50 и 42,4 % этого сегмента соответственно. Таким образом, чтобы занять необходимые 25 % рынка HBM, компании Micron нужно по итогам следующего года увеличить свою долю более чем в три раза.

Micron собирается нарастить не только производственные мощности, но и увеличить количество исследовательских центров и экспериментальных линий, которые помогут компании быстрее выводить на рынок новые разновидности HBM. Помимо экспансии предприятий в родном американском штате Айдахо, компания задумывается о строительстве первого для себя предприятия в Малайзии по обработке кремниевых пластин. Впрочем, тестированием и упаковкой микросхем памяти компания в этой стране уже занимается. Кроме того, её крупнейшее предприятие по производству HBM расположено в центральной части Тайваня, и оно тоже будет расширяться.

Samsung пока не удаётся пройти все этапы сертификации своей памяти HBM3E для её поставок компании Nvidia, а вот Micron свои аналогичные чипы для ускорителей H200 уже поставляет, как и лидирующая на рынке SK hynix. Корейскому гиганту Samsung приходится довольствоваться поставками более зрелых видов HBM для нужд AMD, Google и Amazon. Компания Nvidia является крупнейшим покупателем микросхем HBM, но она приобретает не более 48 % годовой программы выпуска памяти всех трёх мировых производителей, по оценкам Morgan Stanley.

Южнокорейская компания Mimir IP подала иск против Micron, обвинив американского производителя полупроводников в нарушении патентов. Если Mimir IP выиграет, компенсация может составить до $480 млн. Иск, поданный 3 июня в Окружной суд Восточного округа Техаса и Комиссию по международной торговле США (ITC), также направлен против Tesla, Dell, HP и Lenovo за использование продукции Micron. Патенты, на которые ссылается Mimir IP, были недавно приобретены у SK hynix.

Источник изображения: Micron

В мае 2024 года Mimir IP приобрела у SK hynix около 1500 патентов в сфере разработки и производства полупроводников. В поданном иске упоминаются шесть патентов, касающихся устройств измерения напряжения и энергонезависимой памяти 3D NAND. Точные требования Mimir IP не объявлены, обычно такие организации сначала требуют запретить продукцию ответчика в США (чтобы «прекратить нарушения»), а затем облагают ответчика лицензионными сборами. В случае победы Mimir IP компенсация за ущерб может составить до $480 млн.

Похоже, это первый случай, когда корейская непрактикующая организация (non-practicing entity, NPE) подала в суд на американскую компанию по производству полупроводников. NPE не используют приобретённые ими патенты по назначению, а участвуют в судебных процессах ради получения прибыли от исков о нарушении интеллектуальных прав. Участники рынка называют NPE «патентными троллями», а те в ответ утверждают, что якобы помогают монетизировать патенты и стимулируют инновации.

NPE также можно рассматривать как прокси-оружие, позволяющее реальным владельцам патентов бороться со своими конкурентами. В марте 2023 года Micron передала более 400 патентов компании Lodestar Licensing Group. Аналогичным образом, в июне 2023 года Samsung передала 96 патентных прав IKT, дочерней компании Samsung Display. Подобные шаги позволяют использовать специально выделенные компании для ведения судебных разбирательств без непосредственного участия первоначальных владельцев патентов.

Полупроводниковая промышленность за последнее время стала свидетелем серии юридических споров и передачи патентов между крупными компаниями. Ярким примером являются иски VLSI, контролируемой хедж-фондом Fortress, против Intel. Daedalus Prime обвинила Qualcomm, Samsung и TSMC в нарушении патентов Intel. TSMC передала более 50 зарегистрированных в США патентов на чипы компании Advanced Manufacturing Innovations, которая пока не подала исков в суд, но может сделать это в любой момент.

Как и во многих подобных случаях, рассмотрение деталей в различных судах может занять годы. Хотя потенциальный ущерб Micron оценивается в сумму вплоть до $480 млн, окончательный результат судебного разбирательства ещё далеко. Заметим, что недавно компания проиграла патентный спор с Netlist, и теперь должна выплатить $445 млн в качестве компенсации. Похоже, что прокси-войны в сфере интеллектуальной собственности переходят на новый уровень — видимо финансовые успехи Micron не дают покоя патентным троллям.

Intel, Samsung, Micron и другие компании получат миллиарды долларов субсидий на строительство в США заводов по производству передовых чипов. Объёмы финансирования растут стремительными темпами, но бюрократия тормозит развитие отрасли.

Источник изображения: Copilot

Администрация Байдена приняла беспрецедентные меры по стимулированию производства полупроводников в США. Согласно недавнему отчёту Бюро переписи населения США, рост финансирования строительства предприятий по производству вычислительных и электронных устройств настолько велик, что уже в 2024 году правительство США вложит в этот сектор столько же средств, сколько за предыдущие 27 лет вместе взятые.

Старший научный сотрудник Института Питерсона Мартин Чорземп (Martin Chorzempa) продемонстрировал в X график, который отображает стремительный рост инвестиций. Приведённые цифры отражают реальные затраты на строительство, а не просто предварительно выделенные суммы.

Источник изображения: Martin Chorzempa/X

Этот рост инвестиций обусловлен масштабным увеличением финансирования в рамках закона CHIPS и науки на сумму 280 миллиардов долларов, принятого администрацией Байдена в 2022 году. Закон призван укрепить полупроводниковую промышленность США, на долю которой, как сообщает Tom's Hardware, приходится фактически 0 % производства передовых чипов в мире. Компании, включая Intel, Samsung и Micron, получили миллиарды долларов на строительство новых производственных мощностей в США. При этом значительная часть финансирования направлена на поддержку отечественных научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ.

Эти инвестиции в строительство уже оказывают серьёзное влияние на перспективы производства чипов в США. Согласно недавнему исследованию Ассоциации полупроводниковой промышленности, к 2032 году США планируют утроить внутренние мощности по производству чипов, а их доля в мировом производстве передовых чипов должна достичь 30 %. Это даже превышает завышенные ожидания правительства, так как в феврале министр торговли Джина Раймондо (Gina Raimondo) заявляла о цели в 20 % к 2032 году.

В настоящее время ведётся строительство большинства новых заводов, например кампуса Intel в Огайо. Отмечается, что завод Intel и многие другие новые производства будут играть ключевую роль в разработке передовых техпроцессов производства чипов в США (ранее заводы в основном специализировались на более простых чипах).

Несмотря на все затраты, большинство новых заводов сталкиваются со значительными задержками в строительстве, в частности отставание от графика у Samsung, TSMC и Intel составляет более года. Виной этому, в первую очередь, плохое регулирование, что делает США одной из самых медленных стран в мире по производству чипов.

Основные игроки рынка полупроводниковой памяти объявили о планах массового производства GDDR7, являющийся новым стандартом JEDEC для памяти, применяемой с графическими процессорами. Потребители с нетерпением ждут выхода GDDR7, которая обещает резкий скачок производительности графических систем, необходимый для игр и ресурсоёмких приложений.

Источник изображения: anandtech.com

SK hynix продемонстрировала свою линейку продуктов GDDR7 на недавно прошедшей выставке Computex 2024. По заявлению представителей компании, массовое производство запланировано только на первый квартал 2025 года, сообщает ресурс AnandTech. Это делает SK hynix последним из «большой тройки» производителей памяти в плане старта промышленного выпуска чипов нового стандарта.

Конкуренты опережают южнокорейского гиганта. Компания Samsung уже приступила к тестовому производству GDDR7 с целью начать поставки до конца 2024 года. А Micron нацелена не только запустить конвейер в этом году, но и поставить первые партии чипов партнёрам для установки в готовые устройства.

Таким образом, SK hynix рискует отстать от лидеров рынка почти на год. Однако стоит отметить, что при использовании отраслевых стандартов памяти время старта массового производства не так критично. Главное, чтобы чипы поступали партнёрам для тестирования и интеграции в продукты.

На Computex 2024 компания SK hynix продемонстрировала рабочие образцы GDDR7, а также раскрыла планы по выпуску чипов ёмкостью 16 Гбит и 24 Гбит со скоростью передачи данных до 40 Гбит/с. Пока неизвестно, когда будут готовы более производительные, а значит и более дорогостоящие конфигурации. Тем временем Samsung и Micron начнут производство с 16-Гбит со скоростью 32 Гбит/с. Выход на рынок с более быстрыми микросхемами стал бы серьёзным конкурентным преимуществом для SK hynix.

Источник изображения: anandtech.com

В целом рынок ожидает появления GDDR7 с большим интересом. Новый стандарт обещает существенный рост производительности и пропускной способности по сравнению с предшественником. Это позволит создавать более мощные видеокарты и графические процессоры для самых ресурсоёмких приложений, таких как облачный гейминг, метавселенные и промышленная визуализация. Ближайшие год-два станут временем активной конкурентной борьбы за рынок этого многообещающего продукта.

Американский производитель микросхем памяти Micron Technology выбрал период проведения выставки Computex 2024 на Тайване для своего заявления о начале поставок образцов микросхем GDDR7. Серийные чипы памяти этого поколения будут доступны клиентам компании во второй половине текущего года, причём интерес к ним уже проявила AMD.

Источник изображения: Micron Technology

Учитывая актуальность сферы искусственного интеллекта, Micron изначально подчёркивает, что память типа GDDR7 может найти применение не только в игровых видеокартах, но и в ускорителях вычислений. В последнем случае пригодится и поддержка ECC, и возросшая до 32 Гбит/с пропускная способность. Память GDDR7 поддерживает до четырёх каналов передачи информации на одну упаковку, что в два раза больше по сравнению с GDDR6. Напряжение питания снижено с 1,35 до 1,2 В, что в совокупности с выпуском GDDR7 по техпроцессу 10-нм класса категории 1β позволяет Micron заявить об улучшении соотношения производительности и энергопотребления на 50 %.

В задачах искусственного интеллекта GDDR7 сокращает задержки на 20 % при создании картинок по текстовому описанию, а пропускная способность по сравнению с GDDR6 увеличивается на 60 % при использовании 384-разрядной шины памяти. В игровых приложениях скорость отрисовки сцены вырастает минимум на 30 % при работе с растровой графикой или методом трассировки лучей, если рассматривать разрешения 1080p, 1440 и 4K.

Компоновочно микросхемы GDDR7 также усовершенствовались по сравнению с GDDR6. По крайней мере, их высота сократилась с 1,2 до 1,1 мм, а переход на более мелкий шаг контактов позволяет увеличить их количество с 180 до 266 штук, хотя GDDR7 может выпускаться и в 180-контактном исполнении. Представители AMD подтвердили, что ведут совместную работу с Micron в сфере игровых решений, но конкретных сроков выхода собственных продуктов с поддержкой GDDR7 называть не стали. Высока вероятность того, что GDDR7 будет активно применяться в системах активной помощи водителю, поскольку они требуют работы с искусственным интеллектом, а эта память для него приспособлена лучше предшественниц.

Если активность TSMC на территории Японии можно объяснить заинтересованностью местных властей в возрождении национальной полупроводниковой промышленности, то Micron Technology предприятиями по выпуску оперативной памяти в Японии располагает с 2012 года, а потому строительство нового говорит о расширении производственной базы в этой стране.

Источник изображения: Micron Technology

Около 12 лет назад Micron Technology поглотила основанную в 1999 году японскую компанию Elpida Memory, с тех пор первая выпускает часть продукции на территории Страны восходящего солнца. Существующие предприятия Micron расположены в Хиросиме, но к концу 2027 года здесь появится ещё одно, способное выпускать микросхемы DRAM по литографической технологии 10-нм класса типа «гамма» (1γ), на его строительство предполагается выделить около $5,1 млрд.

Об этом сообщает Nikkei со ссылкой на японские СМИ. Власти Японии готовы предоставить Micron около $1,3 млрд субсидий на строительство нового предприятия. Для работы данного завода потребуются литографические сканеры ASML класса EUV, которые позволяют изготавливать чипы по современным техпроцессам. Первоначально Micron хотела построить новое предприятие в 2024 году, но рыночные условия вынудили компанию перенести график строительства на более поздний срок. Теперь возведение завода начнётся в 2026 году, а к работе он приступит к концу 2027 года.

Крупнейший производитель микросхем Micron Technology выплатит 445 миллионов долларов в качестве компенсации компании Netlist. Micron проиграла судебный процесс, касающийся нарушения патентных прав в области технологии модулей памяти для высокопроизводительных вычислений.

Источник изображения: Micron.com

Согласно вердикту присяжных окружного суда США Восточного округа Техаса, продукция Micron, в частности её чипы памяти, нарушает два патента Netlist, связанных с технологиями улучшения ёмкости и производительности микросхем памяти. Присяжные также постановили, что нарушение патентов со стороны Micron было преднамеренным, поэтому размер компенсации мог и вовсе дойти до $1,335 млрд., сообщает Reuters.

Победа Netlist над Micron является крупнейшей в истории патентных споров в области полупроводниковой памяти. Это также вторая по величине компенсация за нарушение патентов, присуждённая окружным судом Восточного округа Техаса.

В прошлом году Netlist уже выигрывала аналогичный процесс против Samsung по тем же патентам — технология высокопроизводительной памяти, получив компенсацию в $303 миллионов долларов. Теперь компания одержала ещё одну громкую победу над очередным крупным игроком отрасли.

Напомним, Micron является одним из основных игроков на рынке компьютерной памяти. Спрос на её чипы, используемые в приложениях искусственного интеллекта, резко вырос в последнее время. Однако поражение в суде из-за нарушения чужих патентов может замедлить этот рост и повредить репутации Micron как инновационной компании. Представители Micron не сразу прокомментировали приговор.

В свою очередь, небольшая Netlist, базирующаяся в Калифорнии, в последние годы активно защищает свои патенты в судах. И новая победа позволит компании получить солидный доход от выигранных дел и продолжить развитие передовых разработок в области технологий памяти. «Мы благодарны суду за работу и признание важности инноваций Netlist», — заявил адвокат Netlist Джейсон Шисби (Jason Sheasby).

На предстоящей конференции Build, компания Microsoft анонсирует выпуск собственных процессоров Cobalt для облачной платформы Azure, сообщает Tech Crunch. Эти чипы разработаны специально для нужд облачных вычислений и должны обеспечить существенный прирост производительности. Cobalt на 40 % эффективнее конкурирующих ARM-чипов.

Источник изображения: Microsoft

Cobalt представляет собой 64-битный процессор на архитектуре ARM с 128 ядрами. По словам вице-президента Microsoft Скотта Гатри (Scott Guthrie), он на 40 % быстрее аналогичных решений конкурентов, в частности чипов AWS Graviton от Amazon. Ускорение коснется широкого круга задач, включая работу с искусственным интеллектом и обработку больших объемов данных для больших языковых моделей (LLM).

Первыми заказчиками уже стали такие компании как Adobe и Snowflake. Они получат доступ к тестовым версиям чипов в рамках публичной бета-программы. Кроме Cobalt, для Azure будут доступны и графические ускорители AMD Instinct MI300X, являющиеся пока наиболее выгодным решением для задач машинного обучения, по мнению Microsoft. Гатри назвал MI300X «самым экономичным графическим процессором для Azure OpenAI на данный момент».

Еще одним анонсом на выставке Build станет снижение цен на использование больших языковых моделей в Azure. Хотя пока не ясно, о каких конкретно моделях идет речь, но возможно это будут сервисы от OpenAI.

В числе прочего, Microsoft покажет обновленную аналитическую платформу Fabric с поддержкой потоковой передачи данных. Ожидается партнерство Fabric и Snowflake для улучшения совместимости и миграции данных. А для разработчиков также анонсируют интеграцию Azure и GitHub Copilot на базе естественного языка. Мероприятие Microsoft Build пройдет на следующей неделе.

Выступая на конференции Nvidia GTC 2024 в марте, гендиректор компании Дженсен Хуанг (Jensen Huang) не скрывал своего энтузиазма в отношении чипов памяти HBM — он называл их «технологическим чудом» и неотъемлемой частью революции искусственного интеллекта. Эти чипы Nvidia закупает у корейской SK hynix, но поскольку спрос на ИИ-ускорители продолжает расти, расширяется и список поставщиков. Это вызывает ожесточённую конкуренцию среди производителей чипов памяти за перспективный источник дохода, пишет Nikkei.

Источник изображения: skhynix.com

Явным лидером сегмента HBM является SK hynix, удерживающая более половины мирового рынка, но её стремятся догнать Samsung и Micron, соревнуясь с лидером в технологиях, по цене и другим критериям. Если упростить, HBM — это несколько чипов DRAM (Direct Random-Access Memory), объединённых с помощью технологии 3D-монтажа для увеличения производительности и эффективности. Конкурентоспособность производителей такой памяти определяется не только качеством чипов DRAM, но и передовыми методами их объединения, а это непростая задача, ведь если хотя бы на одном из уровней возникает проблема, в негодность приходит весь продукт. Важнейшей характеристикой при выпуске HBM становится показатель выхода годной продукции.

Три крупнейших игрока рынка памяти делают ставку на HBM, поскольку здесь достигается значительная ценовая надбавка: эта память стоит примерно впятеро дороже DDR5 — самого продвинутого типа DRAM в ПК. По итогам текущего года, считают аналитики, доля HBM на рынке DRAM составит уже 20 % в денежном выражении, а в 2025 году вырастет до 30 %. SK hynix уверена, что сможет сохранить лидерство за счёт своей технологии объединения чипов памяти MR-MUF (Advanced Mass Reflow Molded Underfill). Первый в мире компонент HBM компания разработала ещё десять лет назад для использования в видеоиграх, но востребованным этот тип памяти стал лишь с появлением генеративного ИИ. Последняя версия в этом сегменте — HBM3e, которую Nvidia намеревается внедрить в этом году.

Источник изображения: samsung.com

Доля SK hynix на мировом рынке HBM по итогам 2024 года составит 52 %, считают аналитики Trendforce. Samsung станет второй с показателем 42,4 %, а Micron достанутся лишь 5 % рынка. Для Samsung, привыкшей идти впереди своего меньшего соотечественника, это некоторый повод для беспокойства — сейчас она активно старается наверстать упущенное и намеревается начать поставки чипов HBM3e во II квартале. Это даст ей шанс опередить SK hynix, которая собирается наладить поставки этих чипов Nvidia только в III квартале. В руководстве Samsung сообщили, что вывод HBM3e на рынок идёт без сбоев и в соответствии с графиком клиента. Имя клиента корейский производитель не назвал, но в марте Nvidia сама подтвердила, что тестирует образцы HBM от Samsung.

Но технологическая разница между чипами памяти SK hynix и Samsung всё же существует и сохранится ещё какое-то время. Есть ещё один претендент, на которого стоит обратить внимание. В феврале американская Micron запустила массовое производство чипов HBM3e — они потребляют значительно меньше, чем продукция конкурентов, и также будут использоваться в ускорителях Nvidia H200. Бум ИИ пошёл на пользу Micron, которая вернулась к прибыльности на квартал раньше запланированного срока из-за роста спроса на ИИ-серверы. Недавно компания похвасталась, что уже распродала всю память HBM3e, которую выпустит в 2024 году и распределила значительную часть заказов на 2025 год.

К сегменту HBM присматриваются и другие участники рынка. Powertech, крупнейший в мире поставщик услуг по упаковке и тестированию чипов памяти, считает, что в перспективе HBM будет использоваться даже в ПК и бытовой электронике. В компании Globalwafers, третьем по величине производителе кремниевых пластин в мире, считают, что во второй половине текущего года HBM станет одним из ключевых направлений роста, а в перспективе она вообще изменит отрасль памяти. Но есть и другое мнение: приход Samsung на рынок HBM3e может уже в 2025 году спровоцировать кризис перепроизводства, считает аналитик Kiwoom Securities Пак Ю Ак (Pak Yu-ak).

Южнокорейская SK hynix пока остаётся главным поставщиком микросхем памяти типа HBM для нужд Nvidia, но ей пытаются составить конкуренцию и Samsung Electronics, и Micron Technology. Корейские СМИ сообщают, что Nvidia стимулирует обострение конкуренции между поставщиками HBM, стремясь получить более выгодные для себя цены на их продукцию.

Источник изображения: SK hynix

Напомним, недавно из уст представителей SK hynix прозвучали обещания начать поставки образцов 12-ярусных стеков HBM3E своим клиентам, а в третьем квартале приступить к их массовому производству. Подобная активность в информационном поле, как считают представители Business Korea, связана с действиями компании Nvidia, которая не особо скрывает намерения конкурирующих поставщиков HBM от друг друга, пытаясь обострить соперничество и тем самым добиться более выгодных для себя условий закупки.

Недавний визит председателя совета директоров SK Inc. Чэй Тэ Вона (Chey Tae-won) в США, который в конце апреля встретился с главой и основателем Nvidia Дженсеном Хуангом (Jensen Huang), как принято считать, был связан как раз с этой темой. Конкурирующая Samsung Electronics начать поставки 12-ярусной HBM3E пообещала до конца текущего полугодия, поэтому SK hynix позже пришлось раскрыть свои аналогичные намерения. Не осталась в стороне даже Micron, которая пока способна выпускать только 8-ярусные стеки HBM3E, но от соответствующих заявлений не воздерживается. По словам корейских источников, все эти действия поставщиков HBM могут быть вызваны активностью Nvidia, которая сильнее давит на них как в графике начала поставок новейшей памяти, так и в вопросах цены.

Мобильная рабочая станция Lenovo ThinkPad P1 Gen 7 стала первым ноутбуком, оснащённым памятью нового форм-фактора LPCAMM2, который выступает преемником модулей SODIMM.

Источник изображений: lenovo.com

Рабочий ноутбук Lenovo ThinkPad P1 Gen 7 позиционируется как решение для систем искусственного интеллекта. Он работает на чипах Intel последнего поколения — вплоть до Core Ultra 9 185H; и, помимо интегрированной графики, может комплектоваться либо игровой дискретной видеокартой Nvidia GeForce RTX 4060/4070, либо профессиональной Nvidia RTX 1000/2000/3000 Ada Generation. Кроме того, отмечает Lenovo, это первый в мире ноутбук с памятью LPCAMM2. Она занимает на 64 % меньше места в корпусе и потребляет на 61 % меньше мощности, чем SODIMM, поскольку вместо обычной DDR5 здесь используются чипы LPDDR5X.

Разработчиком стандарта памяти для ноутбуков LPCAMM2 является компания Dell. Впервые проприетарные модули CAMM (Compression Attached Memory Module) использовались в модели Dell Precision 7670 в 2022 году. В 2023 году компания передала свою разработку в JEDEC — организацию, которая устанавливает стандарты технологий памяти. В сентябре JEDEC утвердила стандарт как LPCAMM2, и интерес к нему проявили Samsung и Micron. Помимо выигрыша в аспекте скорости работы, эффективности и физических размерах, LPCAMM2 предлагает возможность работы одного модуля в двухканальном режиме. При этом пользователь может заменять модули памяти нового образца своими силами, как и SODIMM.

Теперь следует дождаться обзоров Lenovo ThinkPad P1 Gen 7 — они покажут, так ли хороша LPCAMM2. И будет повод проверить утверждение Micron, что в режиме ожидания память нового образца сокращает потребление энергии на 80 %.

С наступлением весны и приближением намеченных на осень президентских выборов в США правительство страны начало активнее распределять средства, предусмотренные для стимулирования строительства на её территории передовых предприятий по выпуску полупроводниковых компонентов. Intel, TSMC и Samsung уже получили предварительные гарантии, а очередь до Micron Technology дошла только на этой неделе.

Источник изображения: Micron Technology

Единственный американский производитель микросхем памяти, осуществляющий активную деятельность в наши дни, намерен в ближайшие годы потратить $125 млрд на строительство четырёх новых предприятий в штате Нью-Йорк и одного в штате Айдахо. Кроме того, в штате Вирджиния существующее предприятие по выпуску микросхем типа DRAM будет модернизировано и расширено, на эти нужды до 2030 года компания планирует потратить $3 млрд.

В рамках церемонии, которая прошла сегодня в штате Нью-Йорк, власти США объявили о готовности выделить по «Закону о чипах» до $6,1 млрд безвозвратных субсидий и до $7,5 млрд в форме льготных кредитов для нужд компании Micron Technology. С учётом уже распределённых средств среди прочих соискателей субсидий, правительство США располагает ещё $6,5 млрд бюджетных средств, которые должны быть распределены до конца текущего года между компаниями, выражающими твёрдые намерения наладить выпуск передовых полупроводниковых компонентов на территории США.

Одно из строящихся предприятий Micron в Айдахо будет введено в строй в 2026 году, ещё два предприятия в штате Нью-Йорк будут запущены в 2028 и 2029 годах. Два дополнительных предприятия в этом штате, которые будут построены позже, действием предварительного соглашения с властями США не покрываются. С учётом наличия у SK hynix планов по строительству в стране предприятия по упаковке чипов памяти, США могут стать единственным регионом планеты, где имеются предприятия всех крупнейших производителей памяти и современных чипов прочего назначения. Из выделенных Micron средств $40 млн будут направлены на обучение персонала для новых предприятий в Нью-Йорке и Айдахо, проекты этого производителя в целом позволят создать 20 000 новых рабочих мест на территории США.

GlobalFoundries, Intel, TSMC и Samsung уже получили от властей США гарантии предоставления субсидий и льготных кредитов на строительство на территории страны новых предприятий, которые займутся выпуском чипов до конца текущего десятилетия. На очереди теперь остаётся Micron Technology, и Bloomberg сообщает, что соответствующее заявление будет сделано на следующей неделе.

Источник изображения: Micron Technology

Для этого у президента США Джозефа Байдена (Joseph Biden) на 25 апреля запланирована поездка в штат Нью-Йорк, где Micron Technology к 2041 году обещает построить аж четыре новых предприятия по выпуску микросхем памяти. По данным источника, власти США выделят Micron $6,1 млрд безвозвратных субсидий и некоторую сумму льготных кредитов. Впрочем, по условиям «Закона о чипах», субсидированию подлежат лишь проекты со сроком реализации до 2030 года, поэтому в штате Нью-Йорк у Micron под действие этой программы попадут лишь два из четырёх предприятий по производству памяти, если они будут построены вовремя. Ещё одно предприятие Micron будет построено в штате Айдахо, оно может получить субсидии без подобных ограничений.

Формально, Министерство торговли США после всех принятых решений располагает ещё около $16 млрд безвозвратных субсидий, которые планирует распределить между соискателями до конца текущего года, но Bloomberg предупреждает, что $3,5 млрд из этой суммы пойдёт на финансирование проекта по производству чипов оборонного назначения, поскольку Пентагон не нашёл возможности покрыть эти затраты из собственных средств. Получается, что в распоряжении чиновников осталось около $13 млрд, и в эту сумму не входят упоминаемые выше $6,1 млрд для компании Micron.

Предприятие Micron в Айдахо должно начать работу в 2026 году, на его строительство планируется потратить около $15 млрд. Кластер в штате Нью-Йорк будет поэтапно расширяться до 2041 года, его бюджет достигает $100 млрд. Придётся ли Micron как-то подстраиваться под требования Министерства торговли США, как это произошло с TSMC и Samsung, которые взяли на себя обязательство наладить выпуск 2-нм чипов на территории страны до 2030 года, пока сказать сложно. У производства микросхем памяти есть своя специфика, власти США могут потребовать от Micron наладить выпуск HBM на территории страны, как это произошло с Samsung.

Компания Micron выпустила твердотельные накопители 2500-й серии, в которых впервые используются чипы флеш-памяти QLC NAND с количеством слоёв более 200. При этом новинки быстрее, чем накопители серии Micron 2550 на базе памяти TLC NAND, хотя исторически TLC-памяти быстрее, чем на QLC.

Источник изображений: Micron

Память QLC в одной ячейке способна хранить четыре бита информации, а TLC — три. Таким образом, в случае с памятью QLC контроллеру SSD приходится согласовывать 16 состояний напряжения QLC на ячейку вместо 8 у TLC. Как результат, операции чтения и записи индивидуальных ячеек у памяти QLC медленнее, чем у TLC. Повысить скорость накопителей на базе QLC-памяти можно через программную составляющую SSD-контроллера, а также с помощью кеш-памяти SLC (один бит на ячейку) и параллельного доступа к данным.

В составе серии накопителей Micron 2500 используются 232-слойные чипы флеш-памяти QLC NAND со скоростью ввода-вывода 2400 МТ/с на контакт, что на 50 % больше, чем у 176-слойных QLC-чипов. Они также обладают почти на 30 % большей плотностью по сравнению с 176-слойной QLC-памятью в составе накопителей Micron 2400 и на 31 % больше плотностью по сравнению с 232-слойными чипами флеш-памяти TLC NAND, которые используются в серии SSD Micron 2550.

Накопители Micron 2500 до 24 % быстрее в операциях чтения и до 31 % в операциях записи, чем накопители Micron 2450 на 176-слойных чипах памяти TLC. Ниже представлена сравнительная таблица с моделями SSD от Micron на основе флеш-памяти TLC и QLC.

Источник изображения: Blocks and Files

Для новой серии SSD Micron 2500 заявляется скорость в операциях последовательного чтения и записи до 7,1 Гбайт/с и до 6 Гбайт/с соответственно. Производительность в операциях случайного чтения и записи у новинок составляет до 1 млн IOPS, что практически сопоставимо с показателями серии SSD Micron 3500 на базе 232-слойных чипов памяти TLC NAND. При этом по скорости последовательного чтения новинки оказываются даже быстрее. По словам производителя, серия накопителей 2500 на чипах QLC обеспечила в бенчмарке PC Mark10 результат до 45 % выше по сравнению с тремя конкурентами с памятью TLC.

Накопители Micron 2500 будут выпускаться в трёх форматах NVMe M.2: малом (22 × 30 мм), среднем (22 × 42 мм) и большом (22 × 80 мм). Новинки соответствуют стандарту PCIe 4.0 и используют протокол NVMe 1.4. Для SSD Micron 2500 заявляется используется технология буфера HMB. Другими словами, они не имеют собственного буфера памяти DRAM и используют для этих целей часть системной памяти DRAM.

Новинки будут выпускаться в объёмах 512 Гбайт, 1 и 2 Тбайт. Для младшей модели заявлен ресурс в 200 TBW (терабайт перезаписанной информации), для двух других — 300 и 600 TBW соответственно. На все модели предоставляется пять лет гарантии или 2 млн часов работы на отказ.