Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Micron похвалилась, что её HBM4 — самая быстрая память на рынке
24.09.2025 [11:00],
Алексей Разин
Квартальная отчётная конференция Micron Technology оказалась богата на заявления представителей компании, которые позволяли оценить текущие тенденции в развитии сегмента искусственного интеллекта. Этот производитель, например, убеждён, что сможет предлагать самую быструю память типа HBM4 на рынке. 
Источник изображения: Micron Technology Сумит Садана (Sumit Sadana), исполнительный вице-президент и директор по развитию бизнеса Micron Technology, в ходе своего выступления отметил, что по занимаемой доле рынка в сегменте HBM компания по итогам третьего календарного квартала выйдет примерно на уровень своей доли на рынке DRAM в целом, а по итогам следующего календарного года увеличит свою долю в сегменте HBM по сравнению с текущим годом. Во многом такая уверенность, как он пояснил далее, основана на способности Micron Technology предложить клиентам самую быструю память типа HBM4 на рынке. Вот что заявил представитель компании: «Мы верим, что наша HBM4 обеспечивает самое высокое быстродействие на рынке по сравнению с любым из конкурирующих продуктов. Мы уверены, что сможем полностью распродать всю производственную программу на 2026 год». По данным компании, она снабжает своих клиентов образцами HBM4 со скоростью передачи информации 11 Гбит/с. Поскольку в последние месяцы много говорится о принятом крупными производителями DRAM свернуть производство микросхем DDR4, Сумиту Садане не удалось избежать обсуждения этой темы при общении с аналитиками. Он пояснил, что без учёта LPDDR4, сама по себе DDR4 отвечает лишь за несколько процентов всего бизнеса компании. По сути, это указывает на взятый Micron курс на поэтапное прекращение выпуска DDR4. Глава Micron Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) пояснил, что HBM4 в исполнении этой компании будет оснащаться базовым кристаллом собственной разработки, она станет основным продуктом в этом сегменте рынка, производство которого будет наращиваться в 2026 году. Зато в 2027 году будет налажен выпуск HBM4E, которая будет предлагаться как в стандартизированной, так и в кастомизированной под запросы клиентов форме. В целом, Micron поставляет свою память HBM различных поколений шести крупным клиентам. Выручка Micron взлетела на 46 % благодаря ИИ-буму — в текущем квартале она будет ещё выше
24.09.2025 [07:51],
Алексей Разин
В конце августа в календаре американского производителя микросхем памяти Micron Technology завершился не только четвёртый квартал, но и весь фискальный год. Соответствующий трёхмесячный период позволил компании увеличить выручку на 46 % до $11,3 млрд, превысив прогноз аналитиков. В текущем квартале Micron также рассчитывает выручить больше, чем полагали инвесторы. 
Источник изображения: Micron Technology Если говорить конкретнее, в этом квартале Micron планирует выручить $12,5 млрд против ожидаемых аналитиками $11,9 млрд. Удельный доход на одну акцию составит $3,75 против упоминаемых в сторонних прогнозах $3,05. В минувшем квартале этот доход достиг $3,03 на акцию против ожидаемых $2,84. Чистая прибыль компании в прошлом квартале составила $3,2 млрд против $887 млн годом ранее. По сути, она выросла в три с лишним раза, именно на повышении прибыльности бизнеса руководство Micron намерено сосредоточиться в дальнейшем, поскольку наращивать долю рынка в ущерб доходности оно не собирается. Крупнейшим направлением деятельности для Micron в прошлом квартале были поставки микросхем памяти для нужд облачных провайдеров. Выручка на этом направлении достигла $4,54 млрд, увеличившись в годовом сравнении более чем в три раза. При этом в сегменте традиционных серверов выручка сократилась на 22 % до $1,57 млрд. Компания отмечает, что будет вынуждена увеличивать капитальные затраты ради удовлетворения спроса на свою продукцию. Если в прошлом фискальном году на строительство новых предприятий и производственных линий было направлено $13,8 млрд, то в текущем сумма может оказаться выше. Спрос на память Micron будет превышать предложение на протяжении основной части следующего года, причём бум ИИ стимулирует интерес покупателей к твердотельной памяти NAND, а не только к скоростной оперативной HBM. В сфере поставок HBM3E у Micron заключены контракты почти на весь объём выпуска в 2026 году. Уже начав поставки образцов HBM4 своим клиентам, компания рассчитывает реализовывать такую память главным образом в рамках долгосрочных контрактов. По словам представителей Micron, спрос на память вернулся к росту даже в сегментах ПК и смартфонов, поскольку и они начинают чувствовать влияние бума ИИ. Производство HBM сильнее загружает предприятия компании — причём как по объёму, так и по времени, — поэтому наращивать производственные мощности строго синхронно с динамикой спроса становится проблематично. Micron особенно гордится тем, что выпускает передовую память на территории США, а потому в контексте таможенной политики действующего президента Дональда Трампа (Donald Trump) может оказаться в выигрыше относительно южнокорейских конкурентов. Samsung наконец-то удалось сделать чипы HBM3E, которые устроили Nvidia
20.09.2025 [15:16],
Анжелла Марина
Samsung Electronics прошла квалификационные тесты Nvidia и сможет поставлять ей 12-слойные чипы памяти HBM3E, став третьим поставщиком после SK Hynix и Micron. Южнокорейская компания не только устранила причины предыдущих провалов в тестировании, но и продемонстрировала опережающие показатели скорости для HBM4, усилив конкуренцию на рынке высокопроизводительной памяти. В то же время Micron Technology столкнулась с трудностями при разработке следующего поколения памяти HBM4. 
Источник изображения: Samsung Samsung Electronics недавно прошла квалификационные тесты Nvidia на свои 12-слойные чипы HBM3E пятого поколения после нескольких неудачных попыток, но, несмотря на это, в ближайшее время компания будет поставлять чипы в ограниченном объёме и останется третьим по значимости поставщиком после SK Hynix и Micron, сообщает Investing.com. Одновременно, уже в этом месяце, Samsung планирует отправить Nvidia крупные партии образцов нового стандарта HBM4 для получения ранней квалификации. Компания уже прошла квалификацию у AMD и поставила этому производителю 12-слойные чипы HBM3E. Это событие происходит на фоне обострения конкуренции в сегменте памяти HBM4. В частности, Nvidia запросила у поставщиков достижения скорости передачи данных для HBM4 свыше 10 Гбит/с, что значительно выше текущего отраслевого стандарта в 8 Гбит/с. По данным отчётов, Samsung продемонстрировала скорость в 11 Гбит/с, превзойдя показатели SK Hynix в 10 Гбит/с, в то время как Micron пока вообще не справляется с выполнением этих требований. Аналитик из крупной американской банковской и финансовой холдинговой компании Wells Fargo Эндрю Роча (Andrew Rocha) указал, что данный сдвиг вероятно приведёт к удешевлению HBM, особенно если Samsung начнёт снижать стоимость продукции для завоевания доли рынка. Одновременно Сандeп Дешпанде (Sandeep Deshpande) из JPMorgan расценил пройденную Samsung квалификацию как позитивное событие для производителей полупроводникового оборудования, в частности для ASML в Европе, поскольку это возвращает одного из лидеров рынка памяти в конкурентную гонку HBM после длительного отставания от SK Hynix и Micron. Он отметил, что у Samsung имеются свободные площади в чистых помещениях, что позволяет быстро устанавливать оборудование и наращивать производственные мощности. Власти Японии выделят $3,63 млрд субсидий на региональные нужды Micron
13.09.2025 [05:58],
Алексей Разин
Программа субсидирования национальной полупроводниковой отрасли действует не только в США, в Японии она работает довольно успешно, хотя до сих пор чаще приходилось упоминать о ней в контексте строительства предприятия TSMC. Американская Micron до марта 2030 года сможет получить $3,63 млрд субсидий от японских властей. 
Источник изображения: Micron Technology Для этого, как поясняет Nikkei Asian Review, американскому производителю памяти нужно будет реализовать программу инвестиций на $10,2 млрд по расширению и модернизации предприятия в Хиросиме, которая рассчитана до весны 2030 года. По итогам модернизации предприятие должно выйти на выпуск 40 000 кремниевых пластин с чипами памяти в месяц в период с марта по май 2030 года. Власти Японии готовы покрыть субсидиями примерно треть запланированных Micron затрат. Ещё $244 млн субсидий будут направлены в течение пяти ближайших лет на исследования и разработки, проводимые компанией Micron на территории Японии. Предполагается, что эти усилия будут направлены на создание передовой скоростной памяти, которая будет применяться как в серверных ускорителях вычислений, так и в автомобильной электронике для нужд автопилота. В этой сфере субсидии могут покрыть до половины затрат производителя памяти. Японские чиновники отметили, что на решение властей предоставить субсидии Micron повлияло использование компанией до 80 % местных материалов при производстве микросхем памяти в Хиросиме, а также деятельность Micron по обучению кадров для местной полупроводниковой промышленности. Субсидии предоставляются с рядом условий. Micron должна будет сохранить массовое производство памяти на указанной площадке в течение как минимум десяти лет, а также быть готова в случае необходимости нарастить объёмы производства, если возникнет дефицит вроде того, что наблюдался во время пандемии. Всего Micron, с учётом уже предоставленных субсидий, сможет получить в Японии до $5,3 млрд финансовой поддержки от местных властей. США не собираются обменивать субсидии на акции TSMC или Micron — они хорошо справляются сами
22.08.2025 [07:13],
Алексей Разин
Обсуждение идеи о передаче под контроль правительства США десяти процентов акций Intel в обмен на субсидии по «Закону о чипах» зашло в такое русло, что аналогичная схема якобы предлагалась и для других компаний, развивающих своё производство на территории страны. Однако, знакомые с планами Белого дома источники утверждают, что власти не будут «частично национализировать» те компании, которые хорошо справляются сами. 
Источник изображения: TSMC Речь идёт о способности производителей чипов самостоятельно финансировать строительство новых предприятий в США и делать это в больших объёмах. Под такое определение попадают те же TSMC и Micron Technology, как поясняет The Wall Street Journal знакомый с планами властей США источник. Те производители, которые согласны увеличить свои инвестиции в американскую полупроводниковую промышленность, «частичной национализации» смогут избежать. Те же Micron и TSMC готовы увеличить свои капитальные расходы в США сверх того объёма, который был оговорён при согласовании субсидий по «Закону о чипах» при предыдущей американской администрации. Напомним, что намерения властей США получить в обмен на субсидии для Intel около 10 % её акций подтвердил на этой неделе министр торговли США Говард Лютник (Howard Lutnick), сославшись на стремление Дональда Трампа (Donald Trump) не раздавать деньги безвозмездно направо и налево, как это делал его предшественник. Нужно сказать, что в отношении возможной передачи пакета акций TSMC американским властям тайваньские чиновники придерживаются весьма гибкой позиции. С одной стороны, эта компания считается частной, а потому любые подобные сделки должны обсуждаться с её акционерами. С другой стороны, 48 % акций TSMC принадлежат тайваньским правительственным структурам, и при необходимости любые шаги в интересах государства можно будет продвинуть. Поскольку эта доля меньше 50 %, формально TSMC считается частной компанией, но преуменьшать заинтересованность властей острова в процветании этого контрактного производителя тоже не стоит. Не только Intel: власти США намерены заполучить доли в TSMC, Micron и Samsung в обмен на субсидии
20.08.2025 [04:58],
Алексей Разин
Роль американского государства в развитии национальной полупроводниковой промышленности неожиданно может усилиться, благодаря обсуждаемой новой инициативе. Помимо пакета акций Intel, власти рассчитывают получить в обмен на субсидии доли в капитале других производителей чипов, которые направят эти деньги на строительство предприятий в США. 
Источник изображения: Intel По крайней мере, о наличии подобных планов сообщает Reuters. По данным информированных источников агентства, инициатива исходит от министра торговли США Говарда Лютника (Howard Lutnick). Прочими кандидатами на «частичную национализацию» являются тайваньская TSMC, американская Micron Technology и южнокорейская Samsung Electronics. Всем этим компаниям предыдущая администрация США пообещала выделить по несколько миллиардов долларов в качестве субсидий на строительство американских предприятий. При этом основная часть средств ещё не была передана получателям, поэтому нынешние власти США намерены трансформировать субсидии в усиление влияния на конкретных производителей чипов. Вчера информация о ведении соответствующих переговоров с Intel о передаче 10 % акций компании американскому государству была подтверждена пресс-секретарём Белого дома Кэролайн Левитт (Karoline Leavitt). Она подчеркнула, что подобная идея является очень креативной и никогда ранее не реализовывалась. Сам министр торговли Лютник в интервью CNBC подчеркнул, что власти страны не хотят диктовать Intel условия работы, но если государственные инвестиции состоятся, то это станет символом усиления влияния государства на крупные компании и началом новой эры. История США знает примеры частичной национализации компаний в периоды экономической нестабильности. По словам министра, сделка с Intel не будет подразумевать появления у американских властей права голоса в управлении корпорацией. Идея нынешней администрации США заключается в том, что при Байдене деньги раздавались безвозмездно, а Трамп хотел бы получить взамен акции компаний, которые на них претендуют. По данным Reuters, в переговорах с прочими претендентами на участие в подобных сделках с использованием средств «Закона о чипах» задействован и министр финансов США Скотт Бессент (Scott Bessent), но главная роль всё же отведена Лютнику. Именно он продвигает идею частичной национализации компаний, и она находит поддержку у американского президента. Ещё в прошлом году предыдущий состав Министерства торговли США утвердил выделение $4,75 млрд субсидий для нужд Samsung, $6,2 млрд для Micron и $6,6 млрд для TSMC. По всей видимости, под схему частичной национализации попадают наиболее крупные получатели субсидий по «Закону о чипах», но проблема заключается в том, что TSMC и Samsung являются зарубежными компаниями, и сделки с их капиталом от лица властей США будет не так просто реализовать. Micron запустила массовые увольнения персонала в Китае
12.08.2025 [13:24],
Алексей Разин
За благополучным фасадом улучшенного прогноза по выручке в текущем квартале, как отмечает TrendForce со ссылкой на китайские СМИ, американская компания Micron Technology может скрывать неприятную правду о начавшихся сокращениях местного штата сотрудников. По данным источников, разработчики в Шанхае и Шэньчжэне покидают компанию против своей воли. 
Источник изображения: Micron Technology Помимо разработчиков и исследователей, Micron решила сократить сотрудников в Китае, отвечающих за тестирование продукции и техническую поддержку клиентов. В ответ на публикации в китайских СМИ представители компании заявили о принятом решении сократить ресурсы, задействованные в разработке мобильной твердотельной памяти NAND — причём в масштабах всего мирового рынка, а не только Китая. В частности, будет прекращена разработка решений поколения UFS 5, как отмечает TrendForce. При этом, по словам представителей Micron, это решение не повлияет на создание других перспективных продуктов в сегментах NAND и SSD, включая решения для автомобильной отрасли. Если в 2023 году доля выручки Micron на китайском рынке достигала 14 %, то в прошлом году она сократилась до 12,1 %, в том числе из-за ограничений на использование её памяти в объектах критически важной вычислительной инфраструктуры КНР. В то же время в США компания получила 52,4 % выручки, а на Тайване — 18,7 %. Это не помешало Micron в апреле 2024 года заложить фундамент нового предприятия по тестированию и упаковке памяти в китайском Сиане. На его строительство изначально планировалось выделить $600 млн, а запуск комплекса намечен на вторую половину текущего года. На фоне бума ИИ компания Micron решилась улучшить свой квартальный прогноз
12.08.2025 [08:29],
Алексей Разин
Приближение к концу очередного фискального квартала заставило Micron Technology пересмотреть изначальный прогноз по динамике выручки и норме прибыли за период. Эту новость можно отнести к разряду приятных для инвесторов, поскольку по факту Micron ожидает завершить период с более выдающимися финансовыми результатами по сравнению с заложенными в ранний прогноз. 
Источник изображения: Micron Technology Итак, диапазон квартальной выручки изначально был немного шире, но ниже по своему среднему значению: от $10,4 до $11 млрд. Теперь Micron рассчитывает выручить за квартал, который завершится 28 августа текущего года, от $11,1 до $11,3 млрд. Центр диапазона, другими словами, сместился вверх на $500 млн. Норма прибыли должна уложиться в диапазон от 44 до 45 % против прежнего диапазона от 41 до 43 %. Удельный доход на одну акцию должен составить от $2,78 до $2,92 против прежнего диапазона от $2,35 до $2,65. Ключевые категории продукции, по словам представителей Micron, реализуются сейчас по более высоким ценам, чем ожидалось, что и позволяет улучшить финансовый прогноз. В особенности цены способствуют росту выручки на направлении DRAM, но наиболее прибыльная HBM как раз относится к этому сегменту. Улучшение прогноза было благосклонно воспринято фондовым рынком, акции Micron подорожали после открытия торгов в Нью-Йорке на 7,1 %, что является дневным максимум за последние три месяца. Даже если цены на HBM будут снижаться или расти меньшими темпами, объёмы поставок соответствующих микросхем позволят Micron нивелировать это влияние. Масштабные инвестиции в производство памяти на территории США, которые за несколько последующих лет в совокупности достигнут $200 млрд, ограждают продукцию Micron от воздействия повышенных таможенных пошлин. Представители компании выразили готовность активно сотрудничать и с другими производителями, развивающими своё присутствие на территории США. Micron представила SSD на 122 Тбайт и 14 000 Мбайт/с — следующая модель будет в два раза ёмче
30.07.2025 [13:26],
Николай Хижняк
Компания Micron представила серию твердотельных накопителей корпоративного уровня Micron 6600 ION, поддерживающих стандарт PCIe 5.0 и предлагающих объём до 122 Тбайт. В следующем году производитель планирует выпустить модели объёмом до 245 Тбайт. Также была анонсирована серия менее ёмких и более массовых SSD для дата-центров — Micron 7600. 
Источник изображений: Micron В накопителях серии Micron 6600 ION используются 2-терабитные чипы флеш-памяти QLC 3D NAND, представленные компанией чуть более месяца назад. Таким образом, Micron догнала таких производителей, как Kioxia и SanDisk, уже выпустивших чипы флеш-памяти BiCS8 QLC аналогичной ёмкости. В перспективе Micron планирует предложить корпоративный SSD объёмом почти 250 Тбайт (245,76 Тбайт), однако он ожидается только в следующем году, тогда как Kioxia уже выпускает образцы устройств такого объёма. А пока что, в текущем квартале Micron намерена начать рассылку образцов 6600 ION объёмом до 122,88 Тбайт. Также будут представлены модели на 30,72 и 61,44 Тбайт в форматах 2,5 дюйма, U.2 (15 мм) и E3.S (7,5 мм).  Эти накопители не рассчитаны на максимальную производительность, что неудивительно, учитывая, что флеш-память QLC по-прежнему существенно уступает TLC по скорости. Тем не менее, для новинок заявлена практически максимальная для интерфейса PCIe 5.0 x4 скорость последовательного чтения — до 14 Гбайт/с. Максимальная скорость последовательной записи значительно ниже и составляет 3000 Мбайт/с.  Накопители серии 6600 ION ориентированы в первую очередь на холодное хранение данных, где им предстоит конкурировать с традиционными жёсткими дисками. В своём пресс-релизе Micron указывает на преимущества SSD в плане энергоэффективности и компактности. Например, серверная стойка формата 2U с 40 SSD объёмом по 122,88 Тбайт обеспечит в 3,4 раза больше места для хранения по сравнению со стойкой, в которой установлены 40 HDD объёмом по 36 Тбайт — это максимальная ёмкость жёстких дисков на сегодняшний день. В то же время SSD остаются существенно дороже: твердотельный накопитель объёмом 122 Тбайт стоит в несколько раз больше, чем три жёстких диска по 36 Тбайт. При этом Micron не раскрывает цены на представленные новинки.  Компания также анонсировала серию твердотельных накопителей Micron 7600 с интерфейсом PCIe 5.0, которая должна стать первым представителем нового массового класса SSD для дата-центров. Максимальная скорость чтения у таких моделей составляет 12 Гбайт/с, а производительность в операциях ввода-вывода достигает 2,1 млн IOPS. Хотя это не предел для PCIe 5.0, накопители обеспечивают заметное преимущество по сравнению с SSD на базе PCIe 4.0. Благодаря использованию памяти TLC NAND скорость записи достигает 7 Гбайт/с, а задержка при записи составляет всего 15 мкс.  Серия представлена моделями Micron 7600 Pro с коэффициентом ежедневной записи (DWPD) 1 и объёмами от 1,92 до 15,36 Тбайт, а также Micron 7600 Max с DWPD 3 и объёмами от 1,6 до 12,8 Тбайт. Новинки выпускаются в трёх форм-факторах: E3.S, E1.S и U.2. По заявлению Micron, контроллер, флеш-память NAND, кеш-память DRAM и программное обеспечение — всё собственного производства компании. Поставки образцов накопителей Micron 7600 уже начались. Образцы моделей 6600 ION объёмом 122 Тбайт в форматах E3.S и U.2 будут доступны в третьем квартале этого года. Модели объёмом 245 Тбайт ожидаются не ранее первой половины 2026 года. Micron представила первый в мире SSD с PCIe 6.0 — серверный Micron 9650 со скоростью 28 Гбайт/с
30.07.2025 [11:19],
Николай Хижняк
Компания Micron представила первый твердотельный накопитель с интерфейсом PCIe 6.0 — серверный SSD Micron 9650. Для новинки заявлена скорость последовательного чтения до 28 Гбайт/с и производительность при операциях ввода-вывода до 5,5 млн IOPS. Такая производительность будет полезной, в частности, для максимально быстрой передачи данных в ИИ-ускорители в составе дата-центров. 
Источник изображений: Micron О разработке решений с поддержкой интерфейса PCIe 6.0 компания Micron объявила ещё год назад. В марте этого года американский производитель продемонстрировал работу прототипа SSD со скоростью 27 Гбайт/с. Финальный вариант накопителя обеспечивает скорость до 28 Гбайт/с. Интерфейс PCIe 5.0 x4 обеспечивает пиковую пропускную способность до 14 Гбайт/с. Таким образом, PCIe 6.0 x4 удваивает этот показатель — до 28 Гбайт/с. Однако в данном накопителе это значение достигается только при операциях последовательного чтения. Скорость последовательной записи у Micron 9650 составляет «всего» 14 Гбайт/с. Такой уровень производительности записи характерен для всех версий Micron 9650. Также новый SSD от Micron выводит на новый уровень пиковые значения производительности при операциях с файлами объёмом 4 Кбайт — компания обещает до 5,5 млн IOPS при чтении, но существенно меньше при записи. По словам Micron, все ключевые компоненты Micron 9650 разработаны и произведены в США. Девятое поколение флеш-памяти TLC NAND, кеш-память DRAM, а также контроллер PCIe 6.0 с поддержкой спецификаций NVMe 2.0 — всё это собственные разработки Micron.  Серия накопителей Micron 9650 представлена в двух вариантах: Micron 9650 Pro с коэффициентом ежедневной записи (DWPD) 1 и объёмами от 7,68 до 30,72 Тбайт, а также Micron 9650 Max с коэффициентом DWPD 3 и объёмами от 6,4 до 25,6 Тбайт. Все модели выпускаются в форм-факторе E3.S. Модели 9650 Pro объёмом от 7,68 до 15,36 Тбайт также доступны в формате E1.S (высотой 15 или 9 мм). Они оптимизированы для жидкостного охлаждения. Список потенциальных клиентов на такие SSD возглавляют центры обработки данных для ИИ, где используются всё более крупные модели, и, соответственно, требуется максимально быстрая обработка больших объёмов данных. Однако у ведущих производителей процессоров — AMD и Intel — пока нет платформ с поддержкой PCIe 6.0. Такая поддержка ожидается с выходом процессоров AMD Venice и Intel Diamond Rapids, которые появятся не ранее 2026 года. Micron сообщила, что уже рассылает образцы накопителей Micron 9650 заинтересованным клиентам. Однако компания не уточнила, когда начнётся массовое производство и когда указанные SSD поступят в продажу. Micron выпустила первую в мире флеш-память SLC NAND для космических ЦОД — она не боится радиации, вакуума и мороза
23.07.2025 [17:47],
Геннадий Детинич
Компания Micron сообщила о выпуске первых в индустрии 256-гигабитных чипов SLC NAND для работы в условиях космоса. Эти микросхемы устойчивы к радиации, низким температурам и вакууму. Подобную память никто в мире больше не производит. По крайней мере, в промышленных масштабах. Новые чипы имеют высочайшую в своём классе плотность и позже будут дополнены «космическими» чипами памяти NAND, NOR и DRAM. 
Источник изображений: Micron Как справедливо отмечают в Micron, космическая экономика стремительно растет, чему способствует быстрый рост числа коммерческих и государственных миссий. Параллельно по мере развития вычислительной техники и искусственного интеллекта растет спрос на высокопроизводительные технологии обработки данных, способные работать непосредственно на орбите. Это поможет преобразовать космические операции: датчики космического корабля смогут анализировать данные, обнаруживать аномалии и принимать решения автономно, снижая зависимость от наземных систем и экономя на трафике для связи с Землёй. «Поскольку мы расширяем границы вычислительной техники в космосе, для хранения и обработки данных необходима радиационно-устойчивая память Micron, — сказал Крис Бакстер (Kris Baxter), вице-президент и корпоративный генеральный менеджер подразделения Micron по встраиваемым устройствам и автомобилестроению. — По мере расширения операций с искусственным интеллектом в космосе — от автономной навигации до анализа в режиме реального времени — Micron уделяет всё большее внимание предоставлению решений, обеспечивающих устойчивость и интеллект, необходимые для аэрокосмических миссий следующего поколения». Для подтверждения соответствия новой памяти требованиям аэрокосмической отрасли, представленные Micron чипы были испытаны по протоколам NASA PEM-INST-001 Level 2 flow и военному стандарту США MIL-STD-883 TM1019 condition D. В первом случае была проведена годичная проверка компонентов, включая циклирование при экстремальных температурах, 590 часов проверок дефектов и динамическую проверку надёжности для обеспечения возможности космических полетов. Военный стандарт проверял память Micron на устойчивость к дозам ионизирующего излучения. Стандарт измеряет совокупное количество гамма-излучения, которое изделие может поглощать и оставаться функциональным в стандартных условиях эксплуатации на орбите. Это измерение является критически важным для определения жизненного цикла памяти.  Наконец, «космическая» NAND-память Micron прошла испытание на воздействие единичного события (SEE), что соответствует стандартам ASTM F1192 Американского общества по испытаниям и материалам и спецификациям JESD57 Совета по разработке электронных устройств (JEDEC). Тестирование SEE оценивает воздействие высокоэнергетических частиц на полупроводники и подтверждает, что компоненты могут безопасно и надёжно работать в суровых радиационных условиях, снижая риск сбоя миссии. Расширение линейки чипов памяти SLC NAND и поставка иных видов памяти, включая оперативную, произойдёт в следующем году и в дальнейшем портфель этой продукции продолжит расширяться, чтобы удовлетворить любой спрос. Samsung до сих пор не хватает собственной памяти LPDDR5X для смартфонов Galaxy S25
30.06.2025 [13:55],
Алексей Разин
Одной из сильных сторон смартфонов Samsung всегда считалось наличие у компании вертикально интегрированного производства, позволяющего в приоритетном порядке получать от профильных подразделений передовые дисплеи и микросхемы памяти. В случае с LPDDR5X этот принцип не работает, поскольку основным поставщиком чипов памяти такого типа остаётся Micron. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как отмечает ComputerBase.de со ссылкой на южнокорейские СМИ, компания Samsung до сих пор поставляет лишь четыре из десяти необходимых для оснащения смартфонов Galaxy S25 микросхем оперативной памяти LPDDR5X. Шесть из десяти чипов поставляются конкурирующей американской компанией Micron Technology. Подобное положение дел даже не особо изменилось полгода спустя с момента начала производства смартфонов данного семейства. Собственная память LPDDR5X-9600, по данным южнокорейских СМИ, не отличается высоким уровнем выхода чипов, способных стабильно работать на указанной скорости. Соответственно, затраты на её выпуск велики, а объёмы производства весьма скромны. В этих условиях целесообразнее покупать память у конкурента. LPDDR5X-9600 производства Samsung превосходит продукцию Micron «на бумаге», предлагая меньшее энергопотребление, но по факту компания не может выпускать её в достаточных количествах. Samsung и Micron выпускают такую память по схожей технологии класса 1-бета, последняя также снабжает данной продукцией компанию Apple. При этом в начале месяца стало известно, что Micron начала выпуск микросхем DDR5 по технологии 1γ. В случае с LPDDR5X это обеспечивает рост быстродействия, снижение энергопотребления и наличие тонкого корпуса. Сможет ли Samsung наладить выпуск LPDDR5X подходящего качества и в нужных количествах к дебюту семейства смартфонов Galaxy S26 в начале следующего года, пока понять сложно. На всякий случай ведутся тесты микросхем производства Micron, чтобы закрыть потребности в памяти в случае собственных неудач. Micron представила накопители Micron 2600 QLC с уровнем производительности памяти TLC
30.06.2025 [08:15],
Николай Хижняк
Компания Micron выпустила OEM-накопители Micron 2600 на базе памяти NAND QLC для производителей ПК и ноутбуков, оснащённые технологией Adaptive Write Technology (AWT), обеспечивающей им уровень производительность более дорогих моделей SSD на базе памяти TLC. 
Источник изображений: Micron Флеш-память NAND имеет четыре основных типа: SLC с записью одного бита на ячейку, MLC с записью двух битов, TLC с записью трёх и QLC с четырьмя битами на ячейку. Чем больше битов на ячейку, чем дешевле память в производстве. В то же время размещение большего количество битов в ячейке ухудшает производительность записи и долговечность памяти. Технология адаптивной записи (AWT) NVMe-накопителей Micron 2600 с памятью QLC обеспечивает производительность записи уровня памяти TLC. Эти накопители оснащены кеш-памятью верхнего уровня SLC для новых входящих записей, а также кешем второго уровня TLC. Кеш TLC используется, когда SLC переполняется. Когда обе области памяти SLC и TLC заполнены, AWT переносит данные из этих областей в основную память QLC при простое SSD (даже в течение короткого периода времени). AWT также динамически изменяет размеры областей SLC и TLC, чтобы обеспечить доступность заявленной ёмкости накопителя. Micron утверждает, что AWT позволяет достичь скорости последовательной записи на 63 процента выше, а скорости случайной записи на 49 процентов выше, чем у конкурирующих SSD на чипах памяти QLC и TLC.  В состав накопителей Micron 2600 входит безбуферный четырёхканальный контроллер Phison PS5029-E29T. Они оснащаются 2-Тбит 276-слойными чипами флеш-памяти Micron 3D NAND 9-го поколения c шестиплоскостной архитектурой и поддержкой интерфейса NVMe PCIe Gen 4×4.  Micron заявляет, что накопители новой серии обеспечивают самую высокую скорость ввода-вывода NAND, которая сейчас предлагается в клиентских SSD PCIe 4.0» и «до четырёх раз более высокую скорость последовательной непрерывной записи данных объёмом до 800 Гб в составе модели накопителя с заявленной ёмкостью 2 Тбайт». Компания также утверждает, что новинки обеспечивают лучшую последовательную и случайную производительность по сравнению с другими SSD-накопителями TLC и QLC без DRAM и «легко превосходят конкурентные SSD на базе QLC, а также бюджетные SSD на базе TLC» по скорости.  Накопители Micron 2600 предлагают ёмкость 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт. Их показатели случайной и последовательной производительности, а также ресурс увеличиваются с ростом ёмкости. Например, скорость последовательного чтения и записи накопителя ёмкостью 2 Тбайт достигает 7200 и 6500 Мбайт/с, а случайной производительности чтения и записи — 1 и 1,1 млн IOPS соответственно. В 2024 году Micron выпустила QLC-накопители серии 2500, предлагавшие те же варианты ёмкости, но оснащённые 232-слойной памятью 3D NAND. Их производительность в случайных операциях чтения и записи достигали 1 млн IOPS, а производительность последовательного чтения и записи — 7,1 и 6 Гбит/с соответственно у модели ёмкостью 2 Тбайт. Таким образом, эффективность Micron 2600 на 2 Тбайт с технологией AWT на фоне предшественника той же ёмкости выросла несильно — всего на 7,7 %. Размер кеша SLC в моделях SSD серий 2500 и 2600 неизвестен, но меньший объём кеш-памяти SLC может отрицательно повлиять на производительность записи.  В то же время ресурс новых накопителей вырос более заметно. Micron 2500 на 2 Тбайт имеет заявленный ресурс 600 TBW (терабайт перезаписанной информации), у Micron 2500 той же ёмкости этот показатель составляет 700 TBW, то есть на 17 процентов больше. Накопители Micron 2600 QLC с AWT в настоящий момент проходят тестирование у OEM-клиентов компании. При этом следует отметить, что не все модели 2600 имеют технологию AWT — Micron предоставляет версии накопителей 2600 и без неё. Выручка Micron от реализации HBM последовательно выросла на 50 %
26.06.2025 [07:39],
Алексей Разин
В конце мая в календаре Micron Technology завершился очередной фискальный квартал, итоги которого она смогла подвести только накануне, сообщив о росте выручки по итогам периода на 36 % в годовом сравнении до $9,3 млрд. Последовательно выручка от реализации HBM выросла почти на 50 %, что позволило компании порадовать инвесторов оптимистичным прогнозом на текущий квартал. 
Источник изображения: Micron Technology Как отмечается в пресс-релизе Micron, в сегменте центров обработки данных выручка компании по итогам прошлого квартала более чем удвоилась и достигла рекордной величины. Строго говоря, совокупная выручка Micron от реализации DRAM в минувшем квартале достигла рекордной суммы во многом благодаря HBM и серверному сегменту в целом. Квартальная выручка в размере $9,3 млрд также превзошла ожидания рынка, находившиеся на отметке $8,87 млрд. Текущий квартал является последним в 2025 фискальном году для Micron, весь год компания рассчитывает завершить с рекордной выручкой и солидной прибылью. Соответственно, прогноз на четвёртый фискальный квартал оказался лучше ожиданий рынка, в него заложен диапазон выручки от $10,4 до $11 млрд, что выше упоминаемой сторонними аналитиками суммы ($9,89 млрд). Удельный доход на одну акцию в размере $2,5 также превышает ожидания рынка ($2,03). По словам представителей Micron, в прошлом квартале стремление клиентов закупить больше памяти в ожидании роста таможенных тарифов оказало на выручку компании минимальное влияние. Во второй половине календарного года Micron рассчитывает на хороший спрос. Кроме того, за этот период доля Micron на рынке HBM должна подтянуться к общим показателям, характерным для сегмента DRAM в целом. Сейчас Micron снабжает своими чипами HBM новейших поколений как Nvidia, так и AMD. Поскольку Samsung немного отстаёт от конкурентов в этой сфере, Micron сохраняет возможность укреплять свои позиции на перспективном рынке. Micron вложит $200 млрд в производство чипов в США и создаст 90 тысяч рабочих мест
14.06.2025 [05:30],
Анжелла Марина
Micron Technology объявила о масштабных планах по инвестированию $200 млрд в развитие собственного производства полупроводниковых компонентов на территории США. В рамках этой инициативы будет создано около 90 тысяч рабочих мест, а также будут построены новые фабрики в некоторых штатах и модернизирован завод в Вирджинии. 
Источник изображения: micron.com Инвестиционные намерения были обнародованы в четверг в рамках сотрудничества с администрацией президента США Дональда Трампа (Donald Trump), которая активно поддерживает рост отечественного машиностроения и стремится укрепить позиции страны в области искусственного интеллекта (ИИ), сообщает The Wall Street Journal. Micron направит около $150 млрд на производство памяти внутри страны, включая строительство двух крупных фабрик в штате Айдахо, до четырёх фабрик в Нью-Йорке, модернизацию действующего завода в Вирджинии и развитие технологий высокопроизводительной упаковки чипов. Эти меры позволят Micron справиться с растущим рыночным спросом, сохранить долю на рынке и достичь цели по выпуску 40 % DRAM-памяти на американских мощностях. Дополнительные $50 млрд будут инвестированы в исследования и разработки, что, по заявлению компании, укрепит технологическое лидерство США. Глава компании Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) отметил, что инвестиции такого рода «демонстрируют приверженность развитию инноваций и укреплению отечественной полупроводниковой отрасли». На настоящий момент уже достигнуты договоренности о ключевых этапах строительства первой фабрики в Айдахо, где запуск производства DRAM намечен на 2027 год. В конце 2025 года планируется приступить к подготовке площадки в Нью-Йорке после завершения необходимых экологических проверок на уровне штата и федерального правительства. Кроме того, компания ожидает, что все её инвестиции в американские проекты будут соответствовать требованиям для получения налогового кредита на развитие передового машиностроения. Министр торговли США Ховард Лютник (Howard Lutnick) отметил, что президент Трамп всегда подчёркивал важность развития производства в стране, и масштабные инвестиции Micron окажут поддержку таким ключевым отраслям, как искусственный интеллект, автомобилестроение, авиакосмическая и оборонная промышленность. |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
![Российские итоги HUAWEI XMAGE 2025 и выставка «Фото[графическое] путешествие»](https://cdn.3dnews.ru/assets/external/illustrations/2025/11/21/1132762/02.jpg?resize=w400)
