Крупнейшие компании на рынке флеш-памяти, включая Micron, Samsung и Western Digital, объявили о повышении цен на свои продукты. Причины называются самые разные, однако производители отчасти ссылаются на землетрясение на Тайване. Правда, если производственные мощности Micron действительно пострадали, Samsung, похоже, пытается извлечь больше прибыли из корпоративного сегмента и повышенного спроса на ИИ-технологии.

Источник изображения: Samsung

Случившееся 3 апреля землетрясение стало сильнейшим в регионе за последние 25 лет и привело к многочисленным разрушениям. Сразу после окончания стихийного бедствия Micron остановила большую часть производства на Тайване. Сильнее всего пострадали высокотехнологичные производства серверной DRAM, потребительскому направлению NAND для SSD и флэш-накопителей повезло больше. Тайваньские СМИ сообщают, что за последние месяцы Micron подняла цены более чем на 20 %, что, видимо, не особо сказалось на поставках потребительских продуктов компании.

Samsung также объявила о повышении цен на корпоративные SSD, которые, вероятно, во втором квартале 2024 года подорожают на 20–25 %. По слухам, на рынке наблюдается дефицит корпоративных SSD, что вполне логично, ведь их, вероятно, используют в системах искусственного интеллекта. Однако основным компонентом ИИ-вычислений остаются графические процессоры, и там всё тоже не слишком гладко. По всей видимости, Samsung решила воспользоваться дефицитом SSD на рынке ИИ-систем и сыграть на этом. А поскольку компания удерживает 40 % рынка корпоративных SSD, её ценовые решения влияют на всю отрасль.

Western Digital не осталась в стороне и объявила о повышении цен на HDD и накопители на флеш-памяти, ссылаясь на перебои с поставками.

Американская компания Micron Technology хоть и претендует на субсидии в США, которые направит на развитие местных предприятий, располагает четырьмя производственными площадками на Тайване, которые после землетрясения в начале месяца до сих пор не восстановили работу в полном объёме. В целом же в текущем квартале объёмы поставок DRAM сократятся на 4–6 % из-за последствий землетрясения.

Источник изображения: Micron Technology

Таким прогнозом компания поделилась на этой неделе, как сообщает Reuters. В долгосрочной перспективе это стихийное бедствие не окажет существенного влияния на способность Micron поставлять микросхемы памяти типа DRAM. Компания будет подводить итоги квартала в начале июня, поэтому сложно судить о том, на какой период затянется восстановление работы тайваньских предприятий.

В марте глава Micron Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) сообщил, что все квоты на выпуск памяти типа HBM на текущий год уже раскуплены, и захвачена даже некоторая часть следующего года. Он с тех пор не уточнял, затронуло ли тайваньское землетрясение производственные мощности, связанные с выпуском памяти этого типа.

Пока СМИ активно обсуждали выделение субсидий властями США на строительство предприятий Intel и TSMC, а также предстоящее аналогичное событие у Samsung, все как-то забыли, что американская Micron Technology ещё в позапрошлом году пообещала, что потратит более $100 млрд на строительство предприятий в США в течение ближайших двух десятилетий. Эксперты считают, что компания вполне может рассчитывать на субсидии в размере более $5 млрд.

Источник изображения: Micron Technology

Напомним, в октябре 2022 года Micron Technology объявила о намерениях построить в штате Нью-Йорк огромный производственный комплекс по выпуску микросхем памяти, который обеспечит работой 50 000 человек. Только в текущем десятилетии на эти нужды Micron собиралась потратить $20 млрд, а всего за два десятилетия была готова выделить $100 млрд на развитие одной только этой площадки. Кроме того, в штате Айдахо компания собирается построить предприятие стоимостью $15 млрд, растянув эти расходы на ближайшие десять лет.

Словом, Micron рассчитывает серьёзно вложиться в развитие национальной полупроводниковой промышленности. Представители Citi считают, что это позволяет компании рассчитывать на получение субсидий в размере более $5 млрд. Это не так уж мало, если учесть, что без предполагаемой доли Samsung в оставшемся бюджете Министерства США на выделение субсидий сейчас находится около $20 млрд, после достижения договорённостей с Intel ($8,5 млрд) и TSMC ($6,6 млрд). Если ещё $6,6 млрд достанутся Samsung, то в распоряжении чиновников останутся около $13,3 млрд, из них Micron Technology могла бы претендовать на $5 млрд, как считают аналитики Citi. Ожидается, что решение о выделении субсидий Samsung Electronics будет принято властями США на следующей неделе, сроки согласования субсидий для Micron пока не уточняются.

Завтра в китайской столице начнёт работу Форум по развитию Китая, который в этом году посетит представительная делегация зарубежных бизнесменов. Накануне министр торговли КНР Ван Вэньтао (Wang Wentao) провёл серию встреч с руководителями зарубежных компаний полупроводникового сектора, чтобы заверить их в наличии у китайских властей намерений продолжать плодотворное сотрудничество.

Источник изображения: Apple

Об этих встречах поведали ресурсы Bloomberg и Nikkei Asian Review. С главой Apple Тимом Куком (Tim Cook), который находится в Китае с рабочей поездкой со среды, китайский министр торговли встретился ещё вчера, после чего руководитель американской корпорации заявил, что она продолжит инвестировать не только в торговую сеть на территории страны, но и в развитие цепочек поставок и прикладные исследования.

Попавшая в прошлом году под китайские санкции американская компания Micron Technology не только направила на форум своего генерального директора Санджея Мехротру (Sanjay Mehrotra), но и позволила ему заявить о намерениях увеличить объём инвестиций в китайскую экономику. Китайский министр не обошёл вниманием и главу Qualcomm Криштиано Амона (Cristiano Amon), которого также призвал усилить инвестиции в китайский рынок. Правда, глава американского разработчика мобильных процессоров заявил в ответ, что рассчитывает на формирование властями США и Китая стабильных условий для развития бизнеса.

С главой южнокорейской SK hynix Квак Но Чуном (Kwak Noh-Jung) у китайского министра торговли состоялась беседа на тему возможного расширения бизнеса в КНР, поскольку для этого производителя памяти Китай остаётся не только крупнейшей производственной площадкой, но и важным рынком сбыта продукции. Беседа Ван Вэньтао с председателем совета директоров французского банка BNP Paribas была сосредоточена на посредничестве этой финансовой структуры в налаживании взаимовыгодных отношений между китайским и европейским бизнесом. Министр торговли Китая также провёл встречу в формате круглого стола с представителями зарубежных производителей фармакологической продукции.

Компания Micron показала на конференции Nvidia GTC 2024 необычные модули оперативной памяти MCRDIMM объёмом 256 Гбайт. Данные модули с большой высотой предназначены для нового поколения серверных систем, в том числе на базе будущих процессоров Intel Xeon Scalable Granite Rapids. Micron сообщила, что уже начала рассылать образцы заинтересованным покупателям.

Источник изображений: Micron

Продемонстрированные производителем модули памяти MCRDIMM DDR5 объёмом 256 Гбайт работают со скоростью 8800 МГц. Они предназначены для серверных систем формата 1U. В основе указанных модулей памяти используются 32-гигабитные микросхемы DDR5. С каждой стороны такого модуля расположено по 40 чипов памяти. Энергопотребление одного модуля ОЗУ MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт составляет около 20 Вт, что относительно немного, учитывая, что ранее выпущенные тем же производителем модули DDR5-8000 RDIMM объёмом 128 Гбайт при стандартном профиле DDR5-4800 потребляют 10 Вт.

Multiplexer Combined Ranks (MCR) DIMM — тип двухранговых модулей ОЗУ, которые работают параллельно с двумя рангами благодаря использованию специального буфера. Этот буфер позволяет двум физическим рангам действовать так, как если бы они были двумя отдельными модулями памяти, работающими параллельно. Благодаря этому производительность таких модулей эффективно удваивается за счёт одновременного извлечения 128 байтов данных из обоих рангов за такт. Буфер работает со своим хост-контроллером памяти DDR5, что позволяет памяти работать на скорости выше, чем предусмотрено стандартом. В данном случае речь идёт о 8800 МТ/с.

Обычно модули с двумя физическими рангами функционируют как один модуль. Таким образом, центральный процессор или контроллер памяти за один такт извлекает только 64 байта данных. Память MCRDIMM удваивают это значение, тем самым существенно увеличивая ёмкость и производительность каждого модуля.

Тот факт, что Micron решила показать свои модули памяти MCRDIMM объёмом 256 Гбайт именно на конференции Nvidia GTC 2024, посвящённой ИИ, может говорить о том, что компания рассматривает этот продукт в качестве решения для ИИ-серверов нового поколения, например, на базе процессоров Intel Xeon Scalable Granite Rapids. Системы на их основе будут использовать огромные объёмы памяти для обучения ИИ-моделей, поэтому указанные модули ОЗУ придутся как нельзя кстати. Сами чипы Intel Xeon Scalable Granite Rapids будут поддерживать 12-канальный режим работы памяти по два модуля на канал. Таким образом, на основе модулей Micron можно будет создавать серверы с 3 Тбайт ОЗУ при использовании 12 слотов памяти и до 6 Тбайт ОЗУ при использовании 24 слотов памяти.

Американская компания Micron Technology воодушевила инвесторов не только с точки зрения динамики выручки и прибыли в прошлом квартале, но и с точки зрения прогноза на ближайшие кварталы. Кроме того, результаты квартала превзошли ожидания рынка. В результате курс акций компании после закрытия основной сессии вырос почти на 20 %.

Источник изображения: Micron Technology

За прошлый квартал Micron Technology смогла увеличить выручку на 58 % в годовом сравнении до $5,8 млрд, последовательно выручка выросла на 23 %. Сегмент DRAM формировал 71 % выручки компании в минувшем квартале, на этом направлении выручка последовательно выросла на 21 % до $4,2 млрд, хотя в ёмкостном выражении объёмы поставок увеличились всего на несколько процентов. Зато средняя цена реализации поднялась на 18–19 %, преимущественно за счёт высокого спроса на память HBM и DDR5 в серверном сегменте. Кстати, год назад реализация DRAM приносила Micron 74 % всей выручки, поэтому нельзя утверждать, что данный вид деятельности стал сильнее доминировать в структуре выручки. Многое в этом смысле зависит от уровня цен.

Направление NAND последовательно увеличило профильную выручку Micron на 27 % до $1,6 млрд, те же 27 % оно формировало в совокупной выручке компании. При этом фактические объёмы поставок флеш-памяти Micron сократила на несколько процентов, но средняя цена реализации выросла последовательно более чем на 30 %. В целом, как оценивает ситуацию руководство Micron, именно усилия производителей по сокращению объёмов выпуска продукции способствовали росту цен на твердотельную память.

Структурно поставки микросхем памяти Micron делит между четырьмя подразделениями: сетевые и вычислительные решения в годовом сравнении увеличили выручку на 59 % до $2,2 млрд, мобильный сегмент вырос на 69 % до $1,6 млрд, встраиваемые решения прибавили 28 % до $1,11 млрд, а системы хранения при скромном абсолютном значении $905 млн добились впечатляющего роста выручки на 79 % по сравнению с аналогичным периодом предыдущего года.

Примечательно, что по итогам прошлого квартала Micron удалось получить чистую прибыль в размере $476 млн, тогда как год назад компания столкнулась с убытками на сумму $2,08 млрд. Фактически, текущему кварталу предшествовали подряд пять убыточных. Руководство Micron Technology выразило надежду, что цены будут расти на протяжении всего 2024 года, а фискальный 2025 год, который завершится в августе 2025 года принесёт ей рекордную выручку и значительно улучшенные показатели прибыльности.

В серверном сегменте спрос на HBM и DDR5 вызывает дефицит производственных мощностей, поскольку та же HBM3E при своём производстве требует в три раза большее количество кремниевых пластин по сравнению с DDR5. Если добавить сюда и трудности с наращиванием мощностей по упаковке памяти класса HBM, то после перехода к выпуску HBM4 ситуация должна только усугубиться. Уже в следующем году объёмы производства HBM поравняются с объёмами выпуска DRAM в целом.

В прошлом фискальном квартале Micron уже начала поставлять в коммерческих масштабах микросхемы памяти типа HBM3E. Она обеспечивает снижение энергопотребления на 30 % по сравнению с конкурирующими решениями этого поколения, микросхемы этого типа производства Micron будут использоваться компанией Nvidia для оснащения своих ускорителей вычислений H200, хотя данная продукция Micron сейчас проходит сертификацию и на соответствие требованиям других производителей процессоров. В этом году Micron рассчитывает выручить несколько миллионов долларов США от реализации HBM, все квоты на её выпуск в текущем календарном году уже раскуплены, и большинство квот на следующий год тоже распределено между клиентами. В 2025 году Micron начнёт серийный выпуск 12-ярусных стеков памяти типа HBM3E. На серверном рынке по итогам текущего года объёмы поставок серверных систем вырастут на 5–9 %, как прогнозирует руководство компании.

В сегменте ПК объёмы продаж при этом вырастут на скромные 2–3 %, так называемые AI PC начнут составлять заметную часть продаж только в следующем году. В среднесрочной перспективе спрос на DRAM будет расти на 14–16 %, в сегменте NAND рост незначительно превысит 20 %. Планы в отношении капитальных затрат до сентября текущего года не поменялись, Micron рассчитывает в текущем фискальном году потратить от $7,5 до $8,0 млрд. Компания ожидает решения властей США по выделению ей субсидий по «Закону о чипах», рассчитывая направить полученные средства на развитие производственных комплексов в Айдахо и штате Нью-Йорк. В текущем квартале Micron рассчитывает выручить $6,6 млрд, что тоже выше ожиданий аналитиков. Норму прибыли по итогам текущего квартала удастся поднять с 20 до 26,5 %, как считают в компании.

Прежде чем стать генеральным директором Intel на постоянной основе в январе 2019 года, Роберт Свон (Robert Swan) пару лет работал на посту финансового директора, и только отставка Брайана Кржанича (Brian Krzanich) вынудила его стать у руля корпорации. С февраля 2021 года её возглавляет Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger), а Роберт Свон получил возможность найти применение своим компетенциям в совете директоров Micron Technology.

Источник изображения: Intel

Напомним, что после ухода из Intel в 2021 году Роберт Свон работал в венчурной компании Andreessen Horowitz на должности операционного партнёра, а также был директором Radial. На этой неделе американский производитель памяти Micron Technology объявил о назначении Роберта Свона в состав своего совета директоров. Помимо руководства Intel, в компании Micron припомнили и опыт Свона в статусе финансового директора eBay. Руководство Micron выразило надежду, что многосторонний опыт Свона поможет компании развиваться в верном стратегическом направлении и добиться успехов в будущем.

Роберт Свон ранее был членом совета директоров не только Intel, но и eBay, Applied Materials и Skype. Он продолжает оставаться членом совета директоров Nike и Flexport. Представители совета директоров Micron ценят Свона за его способность управлять компанией в сложной рыночной обстановке и продвигать инновации, всё это должно пойти на пользу компании.

Идею использования нанопечати при изготовлении полупроводниковых компонентов готова поддержать не только компания Canon, поставляющая соответствующее оборудование. Среди непосредственно производителей чипов тоже нашлась сторонница внедрения данной технологии, и ею стала компания Micron Technology. Отдельные слои микросхем памяти DRAM, по её словам, дешевле изготавливать методом нанопечати.

Источник изображения: Canon

Речь в соответствующем материале, надо полагать, идёт о достаточно тонких техпроцессах, если проводить аналогию с традиционной оптической литографией. Как отмечается в исходной статье, технология нанопечати позволяет достигать разрешающей способности менее одного нанометра. При этом на дизайн чипа не накладываются геометрические ограничения, характерные для оптической технологии, а требования к взаимному позиционированию обрабатываемых материалов и оснастки куда проще.

Поскольку оборудование для нанопечати микросхем в пять раз дешевле современных EUV-сканеров для оптической литографии, производители могут добиваться сопоставимых успехов при меньших затратах. Важно понимать, что технология нанопечати не вытесняет классическую литографию на всех этапах производства микросхем памяти, но она хотя бы позволит снизить себестоимость отдельных технологических операций. По крайней мере, в этом убеждены представители Micron.

Китайскому производителю оперативной памяти Fujian Jinhua Integrated Circuit Co. удалось в судебном порядке доказать свою непричастность к краже коммерческих секретов американской Micron Technology, в которой его обвиняли в США. Об этом сообщил ресурс Bloomberg.

Источник изображения: Fujian Jinhua Integrated Circuit

Спустя пять лет после того, как Fujian Jinhua была внесена Министерством торговли США в чёрный список как угроза национальной безопасности, окружной судья США Максин М. Чесни (Maxine M. Chesney) в Сан-Франциско признала компанию невиновной и сняла с неё ранее предъявленные обвинения в экономическом шпионаже и других преступлениях.

В своём постановлении судья отметила, что прокуратуре не удалось доказать, что Fujian Jinhua незаконно присвоила разработки Micron Technology, которые предположительно поступили к ней через тайваньскую United Microelectronics Corp. (UMC) в рамках производственной сделки. В 2020 году UMC признала себя частично виновной в краже коммерческой тайны и выплатила штраф в размере $60 млн.

В связи с решением суда Micron Technology выступила с заявлением, в котором указала, что достигла глобального мирового соглашения с Fujian Jinhua, в рамках которого они отказались от всех претензий друг к другу. Сюда входит гражданский иск, поданный американской компанией за год до того, как Министерство юстиции США выдвинуло уголовные обвинения против китайской фирмы, поддерживаемой правительством Китая. Свой иск против Fujian Jinhua и её тайваньского партнёра UMC с обвинением в краже коммерческой тайны, касающейся производства чипов памяти, американская компания подала в 2017 году.

Декабрьское соглашение об урегулировании было подписано Micron Technology после того, как китайское правительство запретило использование её чипов в критической инфраструктуре из-за серьёзных рисков для национальной безопасности. По данным американской компании, на предприятия, базирующиеся в материковом Китае и Гонконге, приходится около четверти всего её дохода.

Компания Micron представила на выставке MWC 2024 самые компактные микросхемы флеш-памяти стандарта UFS 4.0, предназначенные для смартфонов, планшетов и других мобильных устройств. Размеры упаковки чипа составляет всего 9 × 13 мм. Они будут выпускаться в объёмах до 1 Тбайт и предложат скорости последовательного чтения и записи до 4300 и 4000 Мбайт/с соответственно.

Источник изображений: Micron

Новые микросхемы памяти Micron UFS 4.0 построены на базе 232-слойных чипов 3D TLC NAND. Сокращение размеров микросхем компания объясняет потребностью производителей смартфонов и других мобильных устройств в оснащении своих продуктов более крупными батареями. Новые микросхемы памяти стандарта UFS 4.0 от компании Micron являются результатом совместных усилий специалистов компании из лабораторий в США, Китае и Южной Корее.

Площадь новых микросхем сократилась на 20 % по сравнению с чипами UFS производителя, выпущенных в июне прошлого года. Компания заявляет, что сокращение размера микросхем также привело к снижению их энергопотребления, но без потери в общей производительности. В новых чипах памяти Micron используется новая проприетарная технология HPM (High-Performance Mode), которая оптимизирует производительность памяти при интенсивном использовании смартфона и повышает её скорость работы на 25 %.

Micron сообщила, что уже начала поставки образцов памяти UFS 4.0 OEM-производителям устройств. Компания предлагает микросхемы ёмкостью 256 и 512 Гбайт, а также объёмом 1 Тбайт.

Компания Micron Technology представила два новых продукта из серии Crucial Pro — семейство модулей оперативной памяти Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition и твердотельный накопитель Crucial T705 стандарта PCIe 5.0. Первые обзоры говорят, что это самый быстрый потребительский SSD в мире.

Источник изображений: Micron

Твердотельные накопители Crucial T705 стандарта PCIe 5.0 будут выпускаться в виде моделей объёмом 1, 2 и 4 Тбайт. Производитель заявляет для новинок скорость последовательного чтения до 14 500 Мбайт/с и последовательной записи до 12 700 Мбайт/с. В операциях случайного чтения и записи производительность новинок достигает 1,55 млн и 1,8 млн IOPS соответственно. Причём самыми быстрыми являются версии на 2 Тбайт.

Производитель отмечает, что в составе накопителей Crucial T705 используются 232-слойные чипы флеш-памяти TLC NAND от самой Micron со скоростью 2400 МТ/с. Новый SSD построен на контроллере Phison E26. Имеется и кеш из памяти LPDDR4. На все модели SSD компания предоставляет пятилетнюю гарантию.

Твердотельные накопители Crucial T705 будут выпускаться как с комплектным алюминиевым радиатором охлаждения чёрного цвета, так и без него. Кроме того, компания предложит специальную версию Crucial T705 объёмом 2 Тбайт с белым радиатором.

Предварительные продажи новинок начнутся 12 апреля. Стоимость начинается от $239,99 за версию на 1 Тбайт без радиатора и доходит до $729,99 за 4-Тбайт накопитель в модификации с радиатором.

Оперативная память Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition выделяется задержками CL36-38-38-80, которые на 25 % ниже, чем у ранее выпущенных модулей ОЗУ Crucial DDR5 Pro Memory Plug and Play Edition. Рабочее напряжение новых модулей памяти составляет 1,35 В. Эффективная частота модулей памяти Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition составляет 6000 МГц. Они совместимы с профилями разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Оперативная память Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition будет выпускаться в виде двухканальных комплектов, состоящих из двух модулей DDR5-6000 объёмом по 16 Гбайт (общий объём 32 Гбайт), а также двухканальных комплектов из двух модулей по 24 Гбайт (общий объём 48 Гбайт). Первые появятся в продаже с 27 февраля, вторые компания выпустит позже в этом году.

Crucial одной из первых начала массовый выпуск потребительских твердотельных накопителей стандарта PCIe 5.0 в прошлом году. Её дебютный SSD T700 обеспечивает скорость до 12 Гбайт/с при последовательном чтении и записи. Этот показатель значительно превосходит возможности накопителей стандарта PCIe 4.0, но далёк от предела возможностей самого стандарта PCIe 5.0. Приблизиться к последнему Crucial собирается с помощью новой серии SSD T705.

Источник изображений: Overclock3d

Стало известно, что Crucial ведёт разработку SSD T705, который предложит скорости последовательного чтения до 14 500 Мбайт/с, что сделает его одним из самых быстрых твердотельных накопителей стандарта PCIe 5.0 на рынке. Согласно утечке, новинка будет предлагаться в версиях как с радиатором, так и без него. Кроме того, SSD будет выпущен в специальной версии, оснащённой белым радиатором.

На данный момент неизвестно, какой контроллер памяти используется в новой модели SSD Crucial T705. Например, в тех же накопителях Crucial T700 применяется флагманский контроллер Phison E26 первого поколения. Можно предположить, что в составе новинки используется тот же контроллер, но более скоростные микросхемы памяти, аналогично эталонному SSD Phison E26 Max14um.

Если верить данным утечки, в составе Crucial T705 будут использоваться 232-слойные чипы флеш-памяти TLC 3D NAND от Micron, родительской компании Crucial. Самой быстрой моделью Crucial T705 будет версия объёмом 2 Тбайт, которая предложит скорость последовательного чтения 14 500 Мбайт/с и последовательной записи до 12 700 Мбайт/с. В состав серии также войдёт модель объёмом 4 Тбайт, которая будет чуть медленнее 2-Тбайт версии, и вариант на 1 Тбайт, который будет медленнее остальных. Тем не менее, все три новинки будут значительно быстрее первых накопителей стандарта PCIe 5.0, предлагавших скорости до 10–12 Гбайт/с

Стоимость накопителей Crucial T705 неизвестна. Информации о том, когда новинка поступит в продажу, пока тоже нет.

Принадлежащий Micron потребительский бренд Crucial Memory продемонстрировал на выставке CES 2024 пару внешних твердотельных накопителей с интерфейсом USB4, пишет AnandTech. Это устройства, которые ещё находятся на стадии разработки, и едва ли в таком виде они выйдут на рынок.

Источник изображений: anandtech.com

Отличительной особенностью обоих устройств стал контроллер ASMedia ASM2464PD, обеспечивающий связь USB4 со скоростью 40 Гбит/с и интерфейса PCIe 4.0 x4 — в нём также реализован компонент USB Type-C PD. Портативный вариант твердотельного накопителя выполнен в формфакторе gumstick: в прозрачном корпусе разместился M.2 2280 — в данном случае 2-Тбайт Micron 3400 OEM.

Предполагается, что относительно крупного корпуса ему хватит, чтобы обойтись пассивным охлаждением. К примеру, SanDisk Extreme Pro V2 при всех своих недостатках демонстрирует высокую производительность, и с переходом на USB4 традицию можно было бы продолжить. Хотя в ADATA решили перестраховаться и остановились на активном охлаждении.

Более крупный настольный накопитель Micron с USB4 получился по-своему уникальным. В корпус с небольшим вентилятором установили SSD формфактора U.3. Ранее OWC разместила в крупном корпусе массив M.2 в программном RAID, но в Micron остановились на одном диске большой ёмкости — 8 Тбайт в демонстрируемом образце. Такому накопителю требуется внешний источник питания, но он и сам способен подавать питание на ноутбук по USB4, что можно считать компромиссом. Устройство было бы привлекательнее, получи оно несколько портов USB Type-A/Type-C, но здесь в приоритете производительность и стабильность, учитывая активное охлаждение и PCIe 4.0.

Micron в этой демонстрации сделала ставку на производительность, пожертвовав энергоэффективностью, но эти задачи будут решены с USB4-контроллером Phison U21 и находящимся в разработке аналогом от Silicon Motion. Но едва ли внешние накопители нового поколения выйдут на рынок в первой половине 2024 года.

Компания Micron сообщила, что первой на рынке выпустила модули оперативной памяти нового стандарта LPCAMM2 (Low-Power Compression Attached Memory Module), доступные в вариантах от 16 до 64 Гбайт. Они предлагают более высокую производительность и энергоэффективность, обеспечивают экономию места и сохраняют модульность, то есть возможность апгрейда ПК.

Источник изображений: micron.com

Массовое производство модулей LPCAMM2 компания Micron запустит в первой половине 2024 года — это новый революционный формфактор с момента выхода стандарта SODIMM в 1997 году. LPCAMM2 базируется на чипах LPDDR5X, но по сравнению с традиционным форматом предлагает снижение энергопотребления на 61 % и рост производительности на 71 % при выполнении основных рабочих нагрузок в тесте PCMark 10, таких как просмотр веб-страниц и видеоконференции. Экономия пространства относительно SO-DIMM составляет 64 %.

Модули памяти LPCAMM2 на чипах LPDDR5X достигают скорости 9600 Мбит/с, тогда как существующие планки SO-DIMM DDR5 демонстрируют 5600 Мбит/с. В режиме ожидания экономия энергии достигает 80 %, что способствует увеличению автономной работы мобильных компьютеров; в задачах, связанных с производством цифрового контента, прирост производительности составляет 7 %.

Micron будет реализовывать память LPCAMM2 под брендом Crucial не только производителям компьютеров, но и конечным пользователям — геймеры и профессионалы смогут самостоятельно заменять модули памяти. Продукция нового формата выйдет на рынок в первой половине 2024 года.

Как стало известно источнику, на прошедшей в декабре конференции IEDM 2023 компания Micron за закрытыми дверями сообщила о разработке и применении кристалла памяти FeRAM огромной ёмкости. Память FeRAM производится около 20 лет, но это традиционно чипы малой ёмкости от 8 до 128 Мбит. Разработка Micron на этом фоне поражает воображение ёмкостью кристалла 32 Гбит, что можно сравнить с восходом новой энергонезависимой памяти.

Фрагмент документа Micron с презентации двухслойной памяти FeRAM. Источник изображения: https://blocksandfiles.com

Память FeRAM работает быстрее памяти NAND. По этому показателю она приближается к оперативной памяти DRAM. При этом чипы FeRAM сохраняют заряд в ячейках даже без подачи питания на них, как и прочая энергонезависимая память. Также память FeRAM более устойчива к износу, что снова делает её предпочтительнее для использования в устройствах для хранения данных. Наконец, FeRAM не боится радиации, магнитных полей и скачков температуры, что предопределило её судьбу оказаться в станках, приборах и в бортовом оборудовании аэрокосмической отрасли.

Несмотря на большой набор преимуществ, память FeRAM не стала массовым явлением. Плотность размещения ячеек у неё очень и очень низкая, и массовая память NAND с её кристаллами колоссальной ёмкости не дала FeRAM никакого шанса проникнуть в область хранения данных. Впрочем, это не удалось даже памяти 3D XPoint (торговая марка Intel Optane), которую Micron разработала вместе с Intel. Доступность и дешевизна NAND сыграла свою негативную роль в печальной судьбе и этой, казалось бы, перспективной энергонезависимой памяти.

Нетрудно представить, что неформальный анонс 32-Гбит кристалла FeRAM компанией Micron может считаться знаменательным событием. Сайт Blocks & Files приводит фрагмент изображения документа с презентации чипа памяти, который недоступен для публичного просмотра.

По словам Micron, чипы FeRAM большой ёмкости подтолкнут развитие генеративных моделей искусственного интеллекта. Они работают быстрее NAND и обладают колоссальной износостойкостью. Опытный чип Micron выдерживает до 10¹⁵ циклов перезаписи. Это на несколько порядков больше, чем у конкурирующих чипов FeRAM компаний Fujitsu, Infineon, SK Hynix и Toshiba, не говоря о жалких тысячах циклов, если мы говорим об устойчивости к износу чипов NAND. Кстати, новую память компания называет NVDRAM (non-volatile dynamic random access memory). Назвать её NVRAM, очевидно, она не решилась, чтобы её FeRAM не путали с другими типами энергонезависимой памяти.

Заявленная компанией скорость записи чипов FeRAM составляет 70–120 нс, тогда как цикл записи NAND приближается к 300 мкс. Время удержания данных в памяти FeRAM (заряда в ячейке) достигает 10 лет.

Можно предположить, что компания Micron получила доступ к патентам и технологиям FeRAM после приобретения активов японской компании Elpida в 2013 году. Сама Elpida этот тип памяти не развивала, но принадлежащие ей на тот момент заводы тайваньских Inotera Memories и Nanya Technology были раньше в собственности компании Infineon и выпускали чипы памяти FeRAM.

Переключающий элемент FeRAM обычно выполнен из пьезокерамики в виде цирконат-титаната свинца (PZT). Этот материал сохраняет поляризацию даже после снятия внешнего управляющего сигнала — электромагнитного поля. Грубо можно сказать, что каждая ячейка FeRAM состоит из управляющего транзистора и пьезокерамического конденсатора. Именно вкрапление пьезокерамического элемента делает ячейку очень большой. Как эту проблему решила Micron, не сообщается.