Идею использования нанопечати при изготовлении полупроводниковых компонентов готова поддержать не только компания Canon, поставляющая соответствующее оборудование. Среди непосредственно производителей чипов тоже нашлась сторонница внедрения данной технологии, и ею стала компания Micron Technology. Отдельные слои микросхем памяти DRAM, по её словам, дешевле изготавливать методом нанопечати.

Источник изображения: Canon

Речь в соответствующем материале, надо полагать, идёт о достаточно тонких техпроцессах, если проводить аналогию с традиционной оптической литографией. Как отмечается в исходной статье, технология нанопечати позволяет достигать разрешающей способности менее одного нанометра. При этом на дизайн чипа не накладываются геометрические ограничения, характерные для оптической технологии, а требования к взаимному позиционированию обрабатываемых материалов и оснастки куда проще.

Поскольку оборудование для нанопечати микросхем в пять раз дешевле современных EUV-сканеров для оптической литографии, производители могут добиваться сопоставимых успехов при меньших затратах. Важно понимать, что технология нанопечати не вытесняет классическую литографию на всех этапах производства микросхем памяти, но она хотя бы позволит снизить себестоимость отдельных технологических операций. По крайней мере, в этом убеждены представители Micron.

Китайскому производителю оперативной памяти Fujian Jinhua Integrated Circuit Co. удалось в судебном порядке доказать свою непричастность к краже коммерческих секретов американской Micron Technology, в которой его обвиняли в США. Об этом сообщил ресурс Bloomberg.

Источник изображения: Fujian Jinhua Integrated Circuit

Спустя пять лет после того, как Fujian Jinhua была внесена Министерством торговли США в чёрный список как угроза национальной безопасности, окружной судья США Максин М. Чесни (Maxine M. Chesney) в Сан-Франциско признала компанию невиновной и сняла с неё ранее предъявленные обвинения в экономическом шпионаже и других преступлениях.

В своём постановлении судья отметила, что прокуратуре не удалось доказать, что Fujian Jinhua незаконно присвоила разработки Micron Technology, которые предположительно поступили к ней через тайваньскую United Microelectronics Corp. (UMC) в рамках производственной сделки. В 2020 году UMC признала себя частично виновной в краже коммерческой тайны и выплатила штраф в размере $60 млн.

В связи с решением суда Micron Technology выступила с заявлением, в котором указала, что достигла глобального мирового соглашения с Fujian Jinhua, в рамках которого они отказались от всех претензий друг к другу. Сюда входит гражданский иск, поданный американской компанией за год до того, как Министерство юстиции США выдвинуло уголовные обвинения против китайской фирмы, поддерживаемой правительством Китая. Свой иск против Fujian Jinhua и её тайваньского партнёра UMC с обвинением в краже коммерческой тайны, касающейся производства чипов памяти, американская компания подала в 2017 году.

Декабрьское соглашение об урегулировании было подписано Micron Technology после того, как китайское правительство запретило использование её чипов в критической инфраструктуре из-за серьёзных рисков для национальной безопасности. По данным американской компании, на предприятия, базирующиеся в материковом Китае и Гонконге, приходится около четверти всего её дохода.

Компания Micron представила на выставке MWC 2024 самые компактные микросхемы флеш-памяти стандарта UFS 4.0, предназначенные для смартфонов, планшетов и других мобильных устройств. Размеры упаковки чипа составляет всего 9 × 13 мм. Они будут выпускаться в объёмах до 1 Тбайт и предложат скорости последовательного чтения и записи до 4300 и 4000 Мбайт/с соответственно.

Источник изображений: Micron

Новые микросхемы памяти Micron UFS 4.0 построены на базе 232-слойных чипов 3D TLC NAND. Сокращение размеров микросхем компания объясняет потребностью производителей смартфонов и других мобильных устройств в оснащении своих продуктов более крупными батареями. Новые микросхемы памяти стандарта UFS 4.0 от компании Micron являются результатом совместных усилий специалистов компании из лабораторий в США, Китае и Южной Корее.

Площадь новых микросхем сократилась на 20 % по сравнению с чипами UFS производителя, выпущенных в июне прошлого года. Компания заявляет, что сокращение размера микросхем также привело к снижению их энергопотребления, но без потери в общей производительности. В новых чипах памяти Micron используется новая проприетарная технология HPM (High-Performance Mode), которая оптимизирует производительность памяти при интенсивном использовании смартфона и повышает её скорость работы на 25 %.

Micron сообщила, что уже начала поставки образцов памяти UFS 4.0 OEM-производителям устройств. Компания предлагает микросхемы ёмкостью 256 и 512 Гбайт, а также объёмом 1 Тбайт.

Компания Micron Technology представила два новых продукта из серии Crucial Pro — семейство модулей оперативной памяти Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition и твердотельный накопитель Crucial T705 стандарта PCIe 5.0. Первые обзоры говорят, что это самый быстрый потребительский SSD в мире.

Источник изображений: Micron

Твердотельные накопители Crucial T705 стандарта PCIe 5.0 будут выпускаться в виде моделей объёмом 1, 2 и 4 Тбайт. Производитель заявляет для новинок скорость последовательного чтения до 14 500 Мбайт/с и последовательной записи до 12 700 Мбайт/с. В операциях случайного чтения и записи производительность новинок достигает 1,55 млн и 1,8 млн IOPS соответственно. Причём самыми быстрыми являются версии на 2 Тбайт.

Производитель отмечает, что в составе накопителей Crucial T705 используются 232-слойные чипы флеш-памяти TLC NAND от самой Micron со скоростью 2400 МТ/с. Новый SSD построен на контроллере Phison E26. Имеется и кеш из памяти LPDDR4. На все модели SSD компания предоставляет пятилетнюю гарантию.

Твердотельные накопители Crucial T705 будут выпускаться как с комплектным алюминиевым радиатором охлаждения чёрного цвета, так и без него. Кроме того, компания предложит специальную версию Crucial T705 объёмом 2 Тбайт с белым радиатором.

Предварительные продажи новинок начнутся 12 апреля. Стоимость начинается от $239,99 за версию на 1 Тбайт без радиатора и доходит до $729,99 за 4-Тбайт накопитель в модификации с радиатором.

Оперативная память Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition выделяется задержками CL36-38-38-80, которые на 25 % ниже, чем у ранее выпущенных модулей ОЗУ Crucial DDR5 Pro Memory Plug and Play Edition. Рабочее напряжение новых модулей памяти составляет 1,35 В. Эффективная частота модулей памяти Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition составляет 6000 МГц. Они совместимы с профилями разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Оперативная память Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition будет выпускаться в виде двухканальных комплектов, состоящих из двух модулей DDR5-6000 объёмом по 16 Гбайт (общий объём 32 Гбайт), а также двухканальных комплектов из двух модулей по 24 Гбайт (общий объём 48 Гбайт). Первые появятся в продаже с 27 февраля, вторые компания выпустит позже в этом году.

Crucial одной из первых начала массовый выпуск потребительских твердотельных накопителей стандарта PCIe 5.0 в прошлом году. Её дебютный SSD T700 обеспечивает скорость до 12 Гбайт/с при последовательном чтении и записи. Этот показатель значительно превосходит возможности накопителей стандарта PCIe 4.0, но далёк от предела возможностей самого стандарта PCIe 5.0. Приблизиться к последнему Crucial собирается с помощью новой серии SSD T705.

Источник изображений: Overclock3d

Стало известно, что Crucial ведёт разработку SSD T705, который предложит скорости последовательного чтения до 14 500 Мбайт/с, что сделает его одним из самых быстрых твердотельных накопителей стандарта PCIe 5.0 на рынке. Согласно утечке, новинка будет предлагаться в версиях как с радиатором, так и без него. Кроме того, SSD будет выпущен в специальной версии, оснащённой белым радиатором.

На данный момент неизвестно, какой контроллер памяти используется в новой модели SSD Crucial T705. Например, в тех же накопителях Crucial T700 применяется флагманский контроллер Phison E26 первого поколения. Можно предположить, что в составе новинки используется тот же контроллер, но более скоростные микросхемы памяти, аналогично эталонному SSD Phison E26 Max14um.

Если верить данным утечки, в составе Crucial T705 будут использоваться 232-слойные чипы флеш-памяти TLC 3D NAND от Micron, родительской компании Crucial. Самой быстрой моделью Crucial T705 будет версия объёмом 2 Тбайт, которая предложит скорость последовательного чтения 14 500 Мбайт/с и последовательной записи до 12 700 Мбайт/с. В состав серии также войдёт модель объёмом 4 Тбайт, которая будет чуть медленнее 2-Тбайт версии, и вариант на 1 Тбайт, который будет медленнее остальных. Тем не менее, все три новинки будут значительно быстрее первых накопителей стандарта PCIe 5.0, предлагавших скорости до 10–12 Гбайт/с

Стоимость накопителей Crucial T705 неизвестна. Информации о том, когда новинка поступит в продажу, пока тоже нет.

Принадлежащий Micron потребительский бренд Crucial Memory продемонстрировал на выставке CES 2024 пару внешних твердотельных накопителей с интерфейсом USB4, пишет AnandTech. Это устройства, которые ещё находятся на стадии разработки, и едва ли в таком виде они выйдут на рынок.

Источник изображений: anandtech.com

Отличительной особенностью обоих устройств стал контроллер ASMedia ASM2464PD, обеспечивающий связь USB4 со скоростью 40 Гбит/с и интерфейса PCIe 4.0 x4 — в нём также реализован компонент USB Type-C PD. Портативный вариант твердотельного накопителя выполнен в формфакторе gumstick: в прозрачном корпусе разместился M.2 2280 — в данном случае 2-Тбайт Micron 3400 OEM.

Предполагается, что относительно крупного корпуса ему хватит, чтобы обойтись пассивным охлаждением. К примеру, SanDisk Extreme Pro V2 при всех своих недостатках демонстрирует высокую производительность, и с переходом на USB4 традицию можно было бы продолжить. Хотя в ADATA решили перестраховаться и остановились на активном охлаждении.

Более крупный настольный накопитель Micron с USB4 получился по-своему уникальным. В корпус с небольшим вентилятором установили SSD формфактора U.3. Ранее OWC разместила в крупном корпусе массив M.2 в программном RAID, но в Micron остановились на одном диске большой ёмкости — 8 Тбайт в демонстрируемом образце. Такому накопителю требуется внешний источник питания, но он и сам способен подавать питание на ноутбук по USB4, что можно считать компромиссом. Устройство было бы привлекательнее, получи оно несколько портов USB Type-A/Type-C, но здесь в приоритете производительность и стабильность, учитывая активное охлаждение и PCIe 4.0.

Micron в этой демонстрации сделала ставку на производительность, пожертвовав энергоэффективностью, но эти задачи будут решены с USB4-контроллером Phison U21 и находящимся в разработке аналогом от Silicon Motion. Но едва ли внешние накопители нового поколения выйдут на рынок в первой половине 2024 года.

Компания Micron сообщила, что первой на рынке выпустила модули оперативной памяти нового стандарта LPCAMM2 (Low-Power Compression Attached Memory Module), доступные в вариантах от 16 до 64 Гбайт. Они предлагают более высокую производительность и энергоэффективность, обеспечивают экономию места и сохраняют модульность, то есть возможность апгрейда ПК.

Источник изображений: micron.com

Массовое производство модулей LPCAMM2 компания Micron запустит в первой половине 2024 года — это новый революционный формфактор с момента выхода стандарта SODIMM в 1997 году. LPCAMM2 базируется на чипах LPDDR5X, но по сравнению с традиционным форматом предлагает снижение энергопотребления на 61 % и рост производительности на 71 % при выполнении основных рабочих нагрузок в тесте PCMark 10, таких как просмотр веб-страниц и видеоконференции. Экономия пространства относительно SO-DIMM составляет 64 %.

Модули памяти LPCAMM2 на чипах LPDDR5X достигают скорости 9600 Мбит/с, тогда как существующие планки SO-DIMM DDR5 демонстрируют 5600 Мбит/с. В режиме ожидания экономия энергии достигает 80 %, что способствует увеличению автономной работы мобильных компьютеров; в задачах, связанных с производством цифрового контента, прирост производительности составляет 7 %.

Micron будет реализовывать память LPCAMM2 под брендом Crucial не только производителям компьютеров, но и конечным пользователям — геймеры и профессионалы смогут самостоятельно заменять модули памяти. Продукция нового формата выйдет на рынок в первой половине 2024 года.

Как стало известно источнику, на прошедшей в декабре конференции IEDM 2023 компания Micron за закрытыми дверями сообщила о разработке и применении кристалла памяти FeRAM огромной ёмкости. Память FeRAM производится около 20 лет, но это традиционно чипы малой ёмкости от 8 до 128 Мбит. Разработка Micron на этом фоне поражает воображение ёмкостью кристалла 32 Гбит, что можно сравнить с восходом новой энергонезависимой памяти.

Фрагмент документа Micron с презентации двухслойной памяти FeRAM. Источник изображения: https://blocksandfiles.com

Память FeRAM работает быстрее памяти NAND. По этому показателю она приближается к оперативной памяти DRAM. При этом чипы FeRAM сохраняют заряд в ячейках даже без подачи питания на них, как и прочая энергонезависимая память. Также память FeRAM более устойчива к износу, что снова делает её предпочтительнее для использования в устройствах для хранения данных. Наконец, FeRAM не боится радиации, магнитных полей и скачков температуры, что предопределило её судьбу оказаться в станках, приборах и в бортовом оборудовании аэрокосмической отрасли.

Несмотря на большой набор преимуществ, память FeRAM не стала массовым явлением. Плотность размещения ячеек у неё очень и очень низкая, и массовая память NAND с её кристаллами колоссальной ёмкости не дала FeRAM никакого шанса проникнуть в область хранения данных. Впрочем, это не удалось даже памяти 3D XPoint (торговая марка Intel Optane), которую Micron разработала вместе с Intel. Доступность и дешевизна NAND сыграла свою негативную роль в печальной судьбе и этой, казалось бы, перспективной энергонезависимой памяти.

Нетрудно представить, что неформальный анонс 32-Гбит кристалла FeRAM компанией Micron может считаться знаменательным событием. Сайт Blocks & Files приводит фрагмент изображения документа с презентации чипа памяти, который недоступен для публичного просмотра.

По словам Micron, чипы FeRAM большой ёмкости подтолкнут развитие генеративных моделей искусственного интеллекта. Они работают быстрее NAND и обладают колоссальной износостойкостью. Опытный чип Micron выдерживает до 10¹⁵ циклов перезаписи. Это на несколько порядков больше, чем у конкурирующих чипов FeRAM компаний Fujitsu, Infineon, SK Hynix и Toshiba, не говоря о жалких тысячах циклов, если мы говорим об устойчивости к износу чипов NAND. Кстати, новую память компания называет NVDRAM (non-volatile dynamic random access memory). Назвать её NVRAM, очевидно, она не решилась, чтобы её FeRAM не путали с другими типами энергонезависимой памяти.

Заявленная компанией скорость записи чипов FeRAM составляет 70–120 нс, тогда как цикл записи NAND приближается к 300 мкс. Время удержания данных в памяти FeRAM (заряда в ячейке) достигает 10 лет.

Можно предположить, что компания Micron получила доступ к патентам и технологиям FeRAM после приобретения активов японской компании Elpida в 2013 году. Сама Elpida этот тип памяти не развивала, но принадлежащие ей на тот момент заводы тайваньских Inotera Memories и Nanya Technology были раньше в собственности компании Infineon и выпускали чипы памяти FeRAM.

Переключающий элемент FeRAM обычно выполнен из пьезокерамики в виде цирконат-титаната свинца (PZT). Этот материал сохраняет поляризацию даже после снятия внешнего управляющего сигнала — электромагнитного поля. Грубо можно сказать, что каждая ячейка FeRAM состоит из управляющего транзистора и пьезокерамического конденсатора. Именно вкрапление пьезокерамического элемента делает ячейку очень большой. Как эту проблему решила Micron, не сообщается.

Китайские производители чипов или оборудования для их производства периодически становятся подозреваемыми в делах о промышленном шпионаже, но существуют и противоположные по схеме взаимодействия прецеденты. Недавно китайская компания YMTC обвинила американского производителя памяти Micron Technology в нарушении восьми своих патентов.

Источник изображения: Micron Technology

Как сообщает Reuters, девятого ноября YMTC подала иск в Федеральный окружной суд Северного округа Калифорнии, обвинив в нарушении прав на использование интеллектуальной собственности Micron Technology и её подразделение по работе с потребительскими продуктами Micron Consumer Product Group. Какие именно технологии Micron, по мнению YMTC, незаконно у неё позаимствовала, не уточняется, но американская компания обвиняется истцом в использовании интеллектуальной собственности YMTC для конкуренции с этой компанией и укрепления своих позиций на рынке.

Представители YMTC в комментариях Reuters подтвердили существование такого иска, заодно пояснив, что он имеет отношение к патентам компании, описывающим технологии разработки, изготовления и функционирования памяти типа 3D NAND. Напомним, что китайская YMTC с лета начала снабжать своих клиентов 232-слойной памятью типа 3D NAND, вплотную приблизившись к технологическим возможностям зарубежных конкурентов, а в показателях плотности хранения информации даже превзойдя их. Представители YMTC выразили надежду, что иск будет рассмотрен органами правосудия США в сжатые сроки.

Напомним, что с мая текущего года продукция Micron Technology, в соответствии с решением китайских властей, не может использоваться на объектах критически важной информационной инфраструктуры КНР. При этом сама компания Micron не отказывается от намерений вложить $603 млн в расширение китайских мощностей по тестированию и упаковке памяти. От выпуска чипов типа DRAM на территории КНР она отказалась в прошлом году, хотя до этого китайский рынок обеспечивал до половины всей выручки Micron. В прошлом году эта доля не превысила 16 %. В 2018 году Micron обвинила в хищении своей интеллектуальной собственности китайскую компанию Fujian Jinhua, так что взаимоотношения с местными производителями у неё уже давно не самые благоприятные.

Компания Micron Technology сообщила о начале массового производства и поставок 16-гигабитных чипов памяти DDR5, выполненных по самому передовому технологическому процессу производителя — 1β (1-beta). На основе этой памяти могут создаваться модули ОЗУ для серверов и персональных компьютеров со скоростью до 7200 МТ/с.

Источник изображений: Micron

Компания заявляет, что переход на техпроцесс 1β с передовой технологией High-K CMOS, четырёхфазной регулировкой тактовой частоты и синхронизацией тактов позволил увеличить производительность на 50 %, а энергоэффективность на ватт увеличена на 33 % по сравнению с прошлым поколением памяти.

С ростом количества ядер CPU для удовлетворения растущих потребностей рабочих нагрузок центров обработки данных значительно возрастает и потребность в более ёмкой памяти с высокой пропускной способностью. Память DRAM DDR5 со скоростью передачи данных до 7200 МТ/с на основе техпроцесса 1β от Micron позволяет масштабировать вычислительные возможности с более высокой производительностью для таких сфер, как обучение и интеграция искусственного интеллекта (ИИ), генеративного ИИ, анализ данных и базы данных в памяти (IMDB) в центрах обработки данных и на клиентских платформах.

Новые микросхемы памяти Micron получили объём 16, 24 и 32 Гбит (2, 3 и 4 Гбайт) и предлагают скорость работы от 4800 до 7200 MT/с. Новая память будет доступна как в серверном, так и в потребительском сегменте. Micron планирует распространить использование передового техпроцесса 1β на производство кристаллов памяти LPDDR5x, GDDR7 и даже HBM3e, отмечает производитель.

Год назад компания Micron Technology, бравируя своим американским происхождением, объявила о грандиозных планах по развитию производства памяти на территории США, рассчитывая получить государственную поддержку в рамках «Закона о чипах». Торжественная церемония начала строительства предприятия в штате Айдахо состоялась на этой неделе.

Источник изображения: Micron Technologies

Как подчёркивается в пресс-релизе, это первый за последние двадцать лет такого рода проект на территории США, реализуемый исконно американской компанией. Церемония закладки фундамента приурочена к 45-летнему юбилею компании Micron Technology, и компанию передовому предприятию в штате Айдахо составит научно-исследовательский центр, расположенный по соседству со штаб-квартирой. В экономику штата на протяжении жизненного цикла предприятия руководство Micron планирует вложить $15,3 млрд, а непосредственно местным компаниям достанется около $13 млрд. Помимо 2000 рабочих мест на предприятии, Micron будет способствовать появлению ещё около 15 000 вакансий на стройке и в смежных отраслях. За последующие десять лет Micron собирается вложить в экономику родного штата не менее $75 млн, которые будут направлены на пользу обществу и обучение кадров. Во всяком случае, на новом предприятии будет использоваться только электроэнергия из возобновляемых источников, а водные ресурсы будут полностью использоваться повторно после очистки.

В штате Айдахо, как подчёркивает Micron, располагается единственное на территории страны предприятие по выпуску опытных образцов памяти DRAM. Местными специалистами зарегистрировано две трети патентных заявок, принадлежащих компании. В среднем они регистрируют до трёх патентных заявок ежедневно, если распределить всё количество на период существования научно-исследовательского центра. Появление по соседству передового предприятия, позволяющего выпускать в массовых количествах микросхемы памяти, обеспечит мощный синергетический эффект, как убеждены в Micron.

Так называемые «чистые помещения», в которых будет налажен выпуск микросхем памяти типа DRAM, будут введены в строй на новом предприятии с 2025 года, объёмы производства памяти будут наращиваться пропорционально спросу. В идеале, площадь «чистых помещений» на предприятии сможет приблизиться к 56 000 м². Здесь же расположится и крупнейший «чистый цех» на территории США. Ещё в августе этого года Micron подала заявку на получение субсидий на реализацию проектов в Айдахо и штате Нью-Йорк, но выделение средств со стороны американских властей пока не гарантируется.

Компания Micron приступила к тестированию модулей DDR5 объёмом 128 Гбайт, использующих 32-Гбит чипы памяти. Чипы собраны в монолитном корпусе без технологии стекирования. Выпуск монолитных 32-Гбит микросхем DDR5 открывает путь к перспективным 1-Тбайт модулям памяти для серверов. Об этом сообщает портал AnandTech, ссылающийся на заявление производителя, прозвучавшее на пресс-конференции Micron на этой неделе.

Источник изображения: Micron

«Мы расширили нашу линейку модулей памяти DDR5 высокой ёмкости за счёт модуля объёмом 128 Гбайт на базе монолитных однокристальных чипов. Мы также начали поставлять нашим клиентам образцы указанных модулей. Они призваны удовлетворить потребности в задачах и приложениях, связанных с искусственным интеллектом. Мы ожидаем первую прибыль от этого продукта во втором квартале 2024 года», — заявил генеральный директор Micron Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra).

Micron производит 32-Гбит чипы DDR5 DRAM с использованием техпроцесса 1β (1-beta) — новейшего решения компании, в котором используется технология множественной экспозиции с применением литографии в глубоком ультрафиолете (DUV), а не более передовая литография в сверхжёстком ультрафиолете (EUV). Это всё, что известно об этих монолитных 32-Гбит чипах памяти. Компания не сообщает потенциальную скорость указанных чипов памяти. Однако можно предположить, что уровень их энергопотребления при том же уровне рабочего напряжения и скорости передачи должен быть ниже, чем у тех же 32-Гбит чипов памяти, где применяется монтаж двух 16-Гбит кристаллов друг на друга.

Новые 32-Гбит чипы памяти отрывают возможность производства 32-Гбайт модулей памяти, состоящих всего из восьми отдельных микросхем. На основе 32 таких чипов можно выпускать модули ОЗУ объёмом 128 Гбайт. При более плотном расположении чипов также теоретически возможно создание модулей памяти объём 1 Тбайт. На данный момент такие решения могут показаться чрезмерными, однако они безусловно найдут своё применение в таких сферах, как искусственный интеллект, Big Data и серверах баз данных. Такие модули памяти обеспечат наличие до 12 Тбайт ОЗУ DDR5 в составе однопроцессорного сервера с учётом поддержки CPU 12-канальной памяти.

Если говорить о памяти DDR5 в целом, то Micron ожидает, что в её структуре поставок объёмы производства новой памяти превысят объёмы выпуска DDR4 в начале 2024 года.

Южнокорейской компании SK hynix придётся отстаивать титул производителя самой быстрой в мире памяти типа HBM3E, поскольку этим летом компания Micron Technology объявила о разработке аналогичных микросхем со скоростью передачи информации более 1,2 Тбайт/с. Как поясняют представители американского производителя, образцы HBM3E этой марки сейчас проходят тестирование силами клиентов, а выручку от поставок серийных микросхем компания начнёт получать в следующем году.

Источник изображения: Micron Technology

По имеющимся данным, память типа HBM3E в исполнении Micron обладает восьмиярусной компоновкой и объёмом 24 Гбайт на стек, при этом она выпускается по технологии 1β и обладает выдающимися показателями энергоэффективности. Во всяком случае, при том уровне быстродействия, что предлагает эта память в исполнении Micron, по словам представителей компании, она настолько экономичнее предложений конкурентов, что некоторые из получивших образцы клиентов просто не верят полученным ими результатам тестирования. Коммерческие поставки этих микросхем Micron начнёт в следующем году, а сейчас проводит процедуру сертификации этой продукции на соответствие требованиям NVIDIA.

Если учесть, что память типа HBM (обобщённо) марки Samsung должна получить доступ к производственной инфраструктуре NVIDIA в этом году, то в следующем её поставщиками станут все три крупнейших производителя, включая Micron и SK hynix. Последняя в этом смысле является «старожилом» сегмента, но высокий спрос на ускорители NVIDIA явно обеспечит рынком сбыта продукцию конкурентов SK hynix. Едва выйдя на рынок памяти типа HBM3E, компания Micron уже в следующем году ожидает выручить от её реализации несколько сотен миллионов долларов США. Динамичное развитие этого сегмента рынка позволит Micron компенсировать слабый спрос на других направлениях. В следующем году компания вложит серьёзные средства в создание производственных линий по выпуску и упаковке микросхем HBM3E. Объёмы выпуска начнут наращиваться в начале следующего календарного года, и к концу августа выручка от реализации HBM3E уже достигнет значимых величин — тех самых сотен миллионов долларов США, по всей видимости.

Цикличность рынка памяти наглядно характеризуется итогами фискального года, который в календаре Micron Technology завершился 31 августа. За прошедший период компания выручила только $15,54 млрд, что примерно в два раза меньше итога предыдущего фискального года. Квартал был завершён с $4,01 млрд, продемонстрировав последовательный рост выручки на 6,9 %, но в годовом сравнении она упала на 40 %.

Источник изображения: Micron Technology

В минувшем квартале Micron 69 % всей выручки получила от реализации оперативной памяти типа DRAM, на этом направлении она последовательно выросла на 3 % до $2,8 млрд. В натуральном выражении поставки последовательно увеличились на 14–15 %, но средняя цена реализации упала на 8–9 %. По итогам всего года выручка от реализации DRAM составила 71 % совокупной выручки Micron, по сравнению с предыдущим фискальным годом она сократилась на 51 % до $11 млрд.

Источник изображения: Seeking Alpha

Выпуск памяти типа NAND принёс Micron в четвёртом квартале $1,2 млрд, что на 19 % больше результата третьего фискального квартала. В структуре совокупной выучки данный вид деятельности формировал 30 %, в натуральном выражении поставки последовательно выросли более чем на 40 %, но средняя цена реализации снизилась на 14–15 %. По итогам фискального года выручка от реализации твердотельной памяти составила 27 % от совокупной, она снизилась на 46 % до $4,2 млрд по сравнению с предыдущим фискальным годом.

Источник изображения: Seeking Alpha

В мобильном сегменте Micron в минувшем квартале выручила $1,2 млрд, что на 48 % больше итогов предыдущего квартала, но на 20 % меньше по сравнению с аналогичным периодом предыдущего года. В целом по итогам фискального года выручка Micron в мобильном сегменте сократилась на 50 % до $3,6 млрд. В сегменте сетевых решений и вычислений выручка прошлого квартала последовательно выросла на 14 % до $1,2 млрд, но в годовом сравнении опустилась на 59 %. В целом за год она сократилась на 58 % до $5,7 млрд.

Источник изображения: Seeking Alpha

Сегмент встраиваемых решений в минувшем квартале принёс Micron только $860 млн выручки, что на 6 % меньше итогов предыдущего, а также на 34 % меньше итогов аналогичного периода прошлого года. По итогам всего фискального года профильная выручка сократилась на 31 % до $3,6 млрд. Наконец, в сегменте систем хранения данных выручка Micron по итогам квартала выросла последовательно на 18 % до $739 млн, но в годовом сравнении опустилась на 17 %. По итогам всего фискального года профильная выручка сократилась на 44 % до $2,6 млрд.

И квартал ($1,2 млрд), и весь фискальный год ($4,8 млрд) компания завершила с операционными убытками, а чистые убытки составили соответственно $1,2 млрд и $4,9 млрд. Отрицательной оказалась и норма прибыли: минус 9 % по итогам квартала и минус 8 % по итогам фискального года. Выручка компании падает уже пять кварталов подряд, но в текущем Micron рассчитывает переломить тенденцию.

В ушедшем году капитальные затраты Micron достигли $7 млрд, а в следующем слегка превысят эту сумму. Компания существенно пересмотрела долю средств, которые будут направлены на масштабирование производства памяти типа HBM, но соответствующим планам необходимо посвятить отдельную публикацию. По родственным причинам в два раза увеличатся расходы на создание линий по тестированию и упаковке чипов памяти. Компания рассчитывает получить от властей США субсидии на строительство предприятий в штатах Айдахо и Нью-Йорк.

Хотя руководство Micron рассчитывает на восстановление спроса на память в 2024 фискальном году, который уже начался, на производственных линиях с использованием зрелых техпроцессов степень загрузки конвейера будет ниже оптимальной даже на протяжении какой-то части 2024 календарного года. На передовых технологических направлениях спрос начнёт опережать производственные возможности Micron во второй половине следующего года. Часть оборудования, которое было задействовано при выпуске памяти по зрелым техпроцессам, удастся переоснастить для наращивания объёмов выпуска по более современным технологиям.

В целом, Micron связывает большие надежды даже не с 2024 годом, а с 2025-м, поскольку к тому времени компания рассчитывает получать рекордную выручку по мере роста спроса на компоненты для систем искусственного интеллекта, и память типа HBM3E в этом прогрессе будет играть важнейшую роль. Сейчас компания способна выпускать 232-слойную память типа 3D NAND, по графику идёт освоение более сложной компоновки. В календарном 2025 году будет освоен и выпуск памяти типа DRAM поколения 1-гамма с использованием EUV-литографии.

В прошлом квартале клиенты Micron существенно сократили складские излишки памяти, и сейчас объёмы поставок продукции со стороны производителя начинают более или менее точно соответствовать реальному уровню спроса на рынке. По крайней мере, в сегменте смартфонов и ПК ситуация со складскими запасами нормализовалась. Автомобильный рынок победил дефицит, а вот серверный пока страдает от излишков, но и здесь ситуация должна нормализоваться в начале 2024 календарного года. Тогда же серверный сегмент вернётся к росту спроса на микросхемы памяти.

В начале следующего года в структуре поставок продукции Micron микросхемы DDR5 начнут доминировать над DDR4, и в этом отношении компания опередит остальную отрасль. Образцы модулей типа DDR5 объёмом 128 Гбайт на основе чипов памяти с монолитным кристаллом уже поставляются клиентам компании.

По прогнозам Micron, в текущем календарном году объёмы поставок ПК сократятся на 11–12 %, а в следующем году увеличатся на 2–5 %. Компания верит, что в последующие пару лет стимулировать спрос в сегменте ПК будут новые платформы с поддержкой ускорения работы систем искусственного интеллекта. Как известно, AMD и Intel соответствующие наборы команд в свои процессоры уже внедряют.

Сегмент смартфонов по итогам этого года сократит поставки продукции на 4–5 %, но в следующем пропорционально их увеличит, как считают в Micron. Удельное содержание памяти в смартфонах увеличивается, поскольку спрос смещается в сторону более дорогих моделей, которые при этом эксплуатируются дольше. Примерно треть реализуемых сейчас смартфонов, по данным компании, оснащается 8 Гбайт ОЗУ и 256 Гбайт твердотельной памяти, что на 7 процентных пунктов больше, чем год назад.

В целом, как ожидает руководство Micron, степень загрузки линий по выпуску памяти типов DRAM и NAND будет оставаться ниже уровней 2022 года ещё достаточно долго. Соответственно, на простое расширение производственных мощностей компания в следующем году будет тратить меньше средств, чем в минувшем. В следующем году рынок NAND и DRAM будет восстанавливаться, а объёмы производства памяти будут отставать от темпов роста спроса, причём в сегменте DRAM это будет выражено сильнее. Уже сейчас цены на продукцию Micron вернулись к росту, и тенденция сохранится как минимум до конца текущего календарного года.

В текущем квартале Micron рассчитывает выручить от $4,2 до $4,6 млрд, при этом норма прибыли останется отрицательной, но по модулю сократится с нынешних 9 до 2 или 6 %. Публикация отчётности вызвала снижение курса акций компании на 3,61 % после закрытия основной торговой сессии.

Индийский промышленный конгломерат Tata проявляет живой интерес к организации производства электроники на территории страны, а потому сотрудничает не только с NVIDIA и Apple, но и собирается принять участие в строительстве предприятия Micron Technology по тестированию и упаковке чипов памяти в индийском штате Гуджарат. Оно должно быть запущено к концу следующего года.

Источник изображения: Micron Technology

Как сообщает издание The Hindu Business Line, подразделению Tata Projects удалось выиграть конкурс на строительство предприятия Micron в городе Сананд. Первая фаза проекта подразумевает создание «чистых комнат» общей площадью более 46 тыс. м². Совокупные затраты на строительство предприятия будут достигать $2,75 млрд, но сама Micron вложит в проект лишь около $825 млн, а остальную часть суммы покроют власти Индии и самого штата Гуджарат.

Строительство предприятия будет осуществляться в соответствии со строгими экологическими стандартами, на производстве изначально будут внедрены принципы сбережения водных ресурсов, а сброс отходов в жидком виде вообще будет исключён. По словам представителей Micron, выбор Tata Projects в качестве подрядчика был обусловлен хорошей репутацией компании с точки зрения соблюдения сроков строительства и бюджета проектов. Напомним, что Tata Group также задействована в развитии вычислительной инфраструктуры в Индии при поддержке NVIDIA, а индийское предприятие Wistron по выпуску Apple iPhone тоже должно было перейти под контроль Tata Group в этом квартале.