Сейчас американская компания Micron Technology является главным поставщиком микросхем памяти типа GDDR6 для видеокарт, поскольку именно её продукцию использует доминирующая в этом сегменте NVIDIA. В случае с переходом на GDDR7 фаворитами могут стать южнокорейские производители памяти, поскольку они обещают начать поставки таких микросхем раньше, чем Micron.

Источник изображения: Samsung Electronics

В прошлом месяце Samsung Electronics сообщила о завершении разработки памяти типа GDDR7 и начале поставок её образцов компании NVIDIA. Конкурирующая SK hynix намеревается последовать примеру Samsung до конца этого года. При этом Micron Technology свою память типа GDDR7 представит не ранее следующего полугодия. Учитывая расторопность Samsung в этой сфере, именно эта корейская компания может стать основным поставщиком микросхем памяти типа GDDR7 для нужд NVIDIA.

По прогнозам IGI, ёмкость рынка микросхем памяти семейства GDDR, используемой видеокартами, с 2018 по 2030 годы вырастет в полтора раза до $4,8 млрд, при этом среднегодовые темпы роста в сегменте самой производительной памяти такого типа будут измеряться двузначными величинами в процентах против средних по рынку 7,6 %. Всё это привлекает к выпуску памяти типа GDDR7 профильных производителей, и корейские компании в данном случае могут опередить своего американского производителя, занимающего сейчас доминирующее положение на рынке.

С мая этого года американский производитель микросхем памяти Micron Technology лишился возможности поставлять свою продукцию для использования в объектах критически важной национальной инфраструктуры Китая, поскольку местные регуляторы сочли её небезопасной. Американскому гиганту это грозит потерей более 10 % совокупной выручки, поэтому для более плотного взаимодействия с властями КНР был назначен директор по связям с правительственными структурами — Ли Синьмин (Li Xinming), в англоязычных источниках также известный как Джефф Ли (Jeff Li).

Источник изображения: Micron Technology

Отмечается, что Ли проработал в государственном секторе и промышленности более 30 лет в совокупности, сочетая опыт взаимодействия с китайскими государственными органами и глубокое понимание специфики полупроводниковой отрасли. Он получил образование уровня MBA в Австралии и обладает дипломом Пекинского университета иностранных языков.

Для Micron китайский рынок является третьим по величине, компания до введения санкций Пекином в мае этого года получала здесь до четверти всей выручки. Как ожидается, исключение доступа Micron к закупкам со стороны операторов критически важной национальной инфраструктуры лишит компанию примерно половины выручки в регионе. Это не помешало Micron в июне текущего года объявить о намерениях вложить $600 млн в модернизацию предприятия в Сиане по тестированию и упаковке микросхем памяти, а также выкупить местное предприятие тайваньского партнёра Powertech Technology. Появление в штате китайского подразделения Micron Technology специалиста по связям с правительственными структурами призвано нормализовать отношения компании с властями страны.

Заявки от желающих претендовать на получение субсидий компаний в рамках так называемого «Закона о чипах» в США уже начали приниматься, и недавно чиновники сообщили, что интерес к программе проявили около 460 компаний. Среди них, как можно судить по официальной документации, оказалась и Micron Technology, которая заблаговременно расписала масштабный бизнес-план, который только для одной площадки в Айдахо сулит капитальные вложения в $15 млрд за ближайшие десять лет.

Источник изображения: Micron Technology

Второй проект Micron Technology, реализуемый в штате Нью-Йорк, подразумевает на первом этапе инвестиции в сумме $20 млрд с перспективной преодоления планки в $100 млрд на протяжении последующих двадцати лет. Власти штата Нью-Йорк согласились выделить около $5,5 млрд субсидий, но если говорить о федеральном субсидировании, то его масштабы только предстоит определить по итогам рассмотрения заявки на участие Micron Technology в соответствующей программе. В конечном итоге Micron хотела бы до 40 % всей памяти типа DRAM выпускать на территории США, и предприятие в штате Нью-Йорк должно сыграть ключевую роль в этой трансформации.

Важно понимать, что непосредственно на строительство предприятий в США власти страны готовы выделить на всех соискателей не более $39 млрд сроком на ближайшие пять лет. По некоторым оценкам, самые важные для экономики США проекты в данной сфере смогут претендовать на покрытие за счёт субсидий от 5 до 15 % капитальных затрат, причём и эти деньги получат далеко не все. Достаточно вспомнить, что только строительство двух предприятий TSMC в Аризоне потребует до $40 млрд затрат, а компания Intel собирается к середине десятилетия потратить на строительство своих предприятий в Аризоне и Огайо не менее $50 млрд. Samsung Electronics тоже наверняка будет претендовать на получение субсидий при строительстве своего предприятия по контрактному производству чипов в штате Техас, затраты на возведение которого оцениваются в $25 млрд.

Другими словами, при удачном стечении обстоятельств Micron Technology от силы сможет претендовать на $5 млрд федеральных субсидий на реализацию двух своих проектов в Айдахо и штате Нью-Йорк. Возможно, что в отсутствие существенных государственных вливаний и на фоне циклического характера изменения спроса на память Micron на каком-то этапе будет вынуждена либо пересмотреть свои планы, либо изменить график их реализации.

Компания Phison продемонстрировала на мероприятии Flash Memory Summit 2023 самый быстрый, по её собственному утверждению, потребительский твердотельный накопитель в мире PS5026-E26 Max14um Gen5, демонстрирующий скорость последовательного чтения более 14 Гбайт/с. Устройство также получило передовой ультразвуковой блок охлаждения от Frore.

Источник изображений: Phison

Накопитель основан на чипах памяти Micron B58R 3D TLC NAND и контроллере Phison PC5026-E26 — их сочетание позволило добиться скоростей последовательного чтения в 14 175 Мбайт/с и последовательной записи в 12 471 Мбайт/с, а также 1,79 млн операций ввода-вывода в секунду при произвольном чтении и 1,74 млн при произвольной записи.

Твердотельный накопитель PS5026-E26 Max14um Gen5 оказался даже немного быстрее представленного месяц назад диска Sabrent с контроллером E26, которые предназначен для корпоративного сегмента. Чтобы добиться таких скоростей, Phison пришлось оптимизировать прошивку и установить модуль охлаждения — им стал ультразвуковой блок AirJet Mini от Frore Systems.

В Phison не уточнили, собирается ли компания поставлять своим партнёрам эталонные экземпляры PS5026-E26 Max14um Gen5, или им придётся разрабатывать решения такого уровня собственными силами.

В мае этого года китайские регуляторы запретили использовать микросхемы памяти Micron Technology в объектах критически важной информационной инфраструктуры. Считалось, что данные ограничения пойдут на пользу как корейским поставщикам памяти, так и китайским, но по итогам нескольких месяцев работы китайской промышленности в условиях этих ограничений можно утверждать, что в плюсе оказались именно корейские производители.

Источник изображения: AFP

Дело в том, как поясняет South China Morning Post, что к объектам критически важной инфраструктуры преимущественно относятся серверные системы, которые требуют передовых чипов памяти, не выпускаемых в настоящее время местными производителями. По этой причине спрос в этой сфере сместился в сторону продукции южнокорейских поставщиков. В частности, китайская CXMT хоть и занимает 21 % рынка в сегменте микросхем DRAM, способна предлагать только чипы поколения DDR4. Соответственно, выбывшие поставки Micron, которая до введения санкций властями КНР занимала около 15 % местного рынка, замещаются преимущественно продукцией южнокорейских конкурентов в лице Samsung Electronics и SK hynix.

Китайская компания YMTC способна выпускать 232-слойную память типа 3D NAND, но на местном рынке она занимает не более 3 %, и санкции США против этого производителя неизбежно ограничат её возможности по выпуску самой продвинутой памяти. Правила экспортного контроля США в их действующей редакции допускают поставку в Китай только оборудования для производства микросхем памяти типа 3D NAND с количеством слоёв не более 128 штук.

Samsung завершила разработку микросхем памяти типа GDDR7, а в следующем году собирается удвоить объёмы производства памяти типа HBM. Компания SK hynix лидирует в последнем сегменте, контролируя примерно половину мирового рынка таких чипов памяти. Китайские производители память типа HBM вообще не предлагают, а именно она сейчас востребована системами искусственного интеллекта, построенными на специализированных ускорителях вычислений. Нет ничего удивительного в том, что в серверном сегменте китайские клиенты делают ставку на продукцию корейских поставщиков памяти.

По мнению аналитиков Counterpoint, если китайские власти продолжат настаивать на использовании отечественной памяти в объектах серверной инфраструктуры, то качественный состав серверов от этого неизбежно пострадает. Компаниям YMTC и CXMT будет трудно полагаться на китайских поставщиков оборудования для выпуска памяти в силу существенного отставания последних от западных конкурентов по уровню технологического развития.

Micron стала первым производителем модулей памяти DDR5 объёмом 24 Гбайт и первым же их поставщиком. Компания хочет сохранить за собой лидерство «первопроходца» и готовит к массовому производству первые на рынке 32-гигабитные чипы памяти DDR5, а также модули ОЗУ большой ёмкости. Старт производства этих продуктов запланирован на первую половину следующего года.

Источник изображений: Micron

Монолитные 32-гигабитные чипы памяти DDR5 будут производиться с использованием технологического процесса 1β (1-бета), являющегося самым продвинутым у производителя, а также последним техпроцессом Micron, в котором не применяется литография в экстремальном ультрафиолете. Компания пока не готова делиться информацией о пропускной способности будущих чипов памяти.

Одним из преимуществ современных технологий производства чипов DRAM является то, что с их помощью можно создавать монолитные микросхемы очень большой ёмкости. Те же 32-гигабитные чипы DDR5 окажутся очень полезными для производства серверных модулей ОЗУ большой ёмкости. Теоретически на базе 32-гигабитных модулей DDR5 можно будет создавать модули памяти объёмом до 1 Тбайт (на основе 32 8-стектовых 32-гигабитных чипов). Правда, сама Micron такие продукты анонсировать пока не спешит. Вместо них производитель планирует выпускать модули ОЗУ DDR5 объёмом 128, 192 и 256 Гбайт.

Отсутствие в дорожной карте будущих продуктов Micron модулей памяти DDR5 объёмом 512 Гбайт и 1 Тбайт может означать, что производитель пока рассматривает такие продукты очень нишевыми. Впрочем, это не исключает возможности, что компания в какой-то степени всё же рассматривает возможность выпуска таких модулей, но доступными они будут только для избранных клиентов.

В дорожной карте Micron также указано, что компания планирует с середины 2024 года начать массовое производство 16-гигабитных и 24-гигабитных чипов памяти GDDR7 со скоростью передачи данных 32 ГТ/с (гигатрансферов в секунду). Кроме того, она работает над памятью HBMNext. Это новое поколение высокопроизводительной памяти должно обеспечить полосу пропускания от 1,5 Тбайт/с до более чем 2 Тбайт/с на стек при ёмкости от 36 до 64 Гбайт. Ранее производитель представил память HBM3 Gen2 с пропускной способностью 1,2 Тбайт/с, которая на 44 % быстрее обычной HBM3.

Сегодня Micron представила свои первые чипы памяти с высокой пропускной способностью HBM3, ориентированные на высокопроизводительные системы. Micron стала последним из крупных производителей памяти, освоивших производство HBM3. Стремясь наверстать упущенное, Micron сразу начнёт выпуск ускоренной версии памяти HBM3 Gen2. Массовое производство новых стеков памяти, предназначенных в первую очередь для центров обработки данных, стартует в начале 2024 года.

Источник изображений: Micron

Стеки Micron HBM3 Gen2 ёмкостью 24 Гбайт созданы путём штабелирования восьми кристаллов памяти (8-Hi) ёмкостью 24 Гбит, изготовленных с использованием техпроцесса 1β. Для сравнения, SK hynix набирает свои 24-гигабайтные стеки из 16-гигабитных кристаллов в конфигурации 12-Hi. Таким образом, Micron может стать первым поставщиком, предлагающим чипы HBM3 ёмкостью 24 Гбайт в более типичной конфигурации 8-Hi. А в следующем году компания планирует представить 36-гигабайтные стеки HBM3 Gen2 с ещё большей ёмкостью.

Теоретическая скорость передачи данных HBM3 Gen2 может достигать 9,2 ГТ/с (гигатрансфер в секунду), что на 44 % превышает базовую спецификацию HBM3, и на 15 % превосходит 8 ГТ/с — скорость конкурирующей памяти SK hynix HBM3E. Пиковая пропускная способность каждого стека HBM3 Gen2 составляет 1,2 Тбайт/с.

Micron заявляет, что использование её 24-гигабайтных стеков HBM3 Gen2 обеспечит пропускную способность 4,8 Тбайт/с в 4096-битных подсистемах памяти (четыре стека) и 7,2 Тбайт/с в 6096-битных (шесть стеков). Для сравнения: пиковая пропускная способность памяти у ускорителя NVIDIA H100 SXM составляет 3,35 Тбайт/с.

Micron в своих новых стеках памяти увеличила количество сквозных соединений Through Silicon Via (TSV) в два раза по сравнению с продуктами HBM3 других поставщиков и сократила расстояние между кристаллами DRAM. Эти два изменения в упаковке уменьшили тепловое сопротивление чипов памяти и облегчили их охлаждение.

Кроме того, увеличение количества TSV сулит и другие преимущества — рост пропускной способности, снижение задержек, повышение энергоэффективности и масштабируемости благодаря распараллеливанию передачи. Это также повышает надёжность, смягчая последствия сбоев за счёт перенаправления данных. Однако эти преимущества сопряжены с повышенной сложностью производства и потенциально более высоким уровнем брака.

Как и другая память HBM3, стеки HBM3 Gen2 от Micron поддерживают коррекцию ошибок ECC Reed-Solomon, мягкое восстановление ячеек памяти, жёсткое восстановление ячеек памяти, а также автоматическую проверку ошибок и поддержку очистки. Помимо высоких частот, стеки Micron HBM3 Gen2 полностью совместимы с современным оборудованием, использующим HBM3.

Micron планирует начать массовое производство своих 24-гигабайтных стеков HBM3 в первом квартале 2024 года, а серийный выпуск 36-гигабайтных стеков HBM3 должен стартовать во второй половине 2024 года.

На сегодняшний день JEDEC ещё не утвердил спецификации для HBM3 со скоростью выше 6,4 ГТ/с, поэтому память Micron HBM3 Gen2, как и конкурирующая память SK hynix HBM3E на данный момент превышают требования стандарта. Но эксперты не сомневаются, что он будет скорректирован, расходясь в предположениях о новом наименовании.

Micron также сообщила, что уже работает над памятью HBMNext. Это новое поколение памяти должно обеспечить полосу пропускания от 1,5 Тбайт/с до более чем 2 Тбайт/с на стек при ёмкости от 36 до 64 Гбайт.

Американской компании Micron Technology удалось стать первым производителем полупроводниковой продукции, чьё предприятие появится на территории Индии. По словам местных чиновников, строительство начнётся уже в следующем месяце, а до конца 2024 года предприятие Micron в штате Гуджарат уже сможет выдать первую продукцию. При этом среди соискателей на получение субсидий власти страны выделяют двух претендентов.

Источник изображения: UMC

Из контекста заявлений министра электроники и информационных технологий Индии Ашвини Ваишнава (Ashwini Vaishnaw), которые приводит Financial Times, сложно судить о том, входит ли Micron Technology в число фаворитов с точки зрения субсидирования на общую сумму $10 млрд, но данный проект по организации в Индии производства микросхем памяти и твердотельных накопителей будет пользоваться поддержкой государства. По словам министра, правительство Индии также ведёт активную работу по предоставлению помощи поставщикам компонентов и материалов, без деятельности которых невозможно будет организовать производство чипов.

Реализация проекта Micron, которая потребует затрат в размере $2,75 млрд, может стать самой быстрой в мировой истории с точки зрения запуска такого производства без наличия соответствующего опыта на конкретной территории. В Индии, по крайней мере, производство микросхем до сих пор не создавалось, и отведённые на реализацию проекта Micron восемнадцать месяцев являются очень сжатым сроком.

Как известно, не так давно индийские власти пересмотрели требования к соискателям субсидий на строительство в стране предприятий по производству микросхем. Теперь вместо прежних 28-нм допускается использование 40-нм технологии или более грубой. По словам индийского министра, власти сейчас ведут переговоры примерно с 14 претендентами, среди них выделяются два фаворита, которые имеют все шансы получить субсидии. Не уточняется, если среди них индийский конгломерат Vedanta и тайваньская Foxconn, но первый уточнил, что пытается вместе с партнёром подогнать параметры своего вероятного совместного предприятия под новые требования индийских властей.

По словам индийского министра, страна располагает штатом из более чем 50 000 разработчиков чипов, и «практически каждый сложный процессор в мире» к настоящему времени прошёл стадию разработки силами местных специалистов. «Экосистема уже имеется, и строительство предприятия является следующим шагом, на котором мы сосредоточились, и договорённость с Micron является большой победой», — резюмировал чиновник.

Компания Micron представит первые чипы памяти GDDR7 в первой половине 2024 года. Новый тип памяти обещает более высокую производительность по сравнению с GDDR6 и GDDR6X, однако потребует использования новых контроллеров памяти и, следовательно, разработки новых графических процессоров.

Источник изображения: Micron

«Мы планирует представить наше следующее поколение продуктов G7 на базе передового техпроцесса 1ß в первой половине календарного 2024 года», — заявил генеральный директор Micron Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra).

Память GDDR7 SGRAM будет применяться в составе видеокарт нового поколения, а также в других продуктах, где требуется обеспечение высокой пропускной способности в передаче данных, но при этом нет необходимости использования дорогой высокопроизводительной памяти HBM3. По словам компании Samsung, память стандарта GDDR7 обеспечит скорость передачи данных на уровне 36 Гбит/с. Правда, производитель пока не готов говорить о том, когда он собирается представить и выпустить это решение на рынок.

По словам компании Cadence, в чипах памяти GDDR7 будет применяться технология модуляции PAM3, которая позволит значительно повысить пропускную способность по сравнению с GDDR6, где применяются схемы кодирования PAM2 и NRZ. Использование PAM3 не усложняет производство чипов памяти и не повышает уровень их энергопотребления в сравнении с теми же чипами GDDR6X, где в свою очередь используется модуляция PAM4.

Следует отметить, что анонс нового типа памяти необязательно означает его немедленное коммерческое внедрение. Поскольку в GDDR7 будет использоваться совершенно другой тип модуляции по сравнению с GDDR6 или GDDR6X, для памяти нового поколения также потребуется разработка совершенно новых контроллеров памяти в составе GPU. Таким образом, коммерческое внедрение нового типа видеопамяти ожидается не ранее анонса графических процессоров нового поколения. Та же NVIDIA планирует представить новое поколение игровой графической архитектуры, известной пока что под кодовым именем Ada Lovelace Next, не ранее 2025 года. О планах AMD и Intel пока ничего неизвестно.

Компания Cadence уже разработала специальные инструменты верификации чипов памяти GDDR7, поэтому производители могут проводить тесты контроллеров памяти и физических интерфейсов GPU на соответствие спецификациям GDDR7.

Квартального отчёта Micron Technology ждали многие участники фондового рынка, поскольку он в известной степени даёт представление о положении дел не только на рынке памяти, но и в полупроводниковом секторе в целом. Третий фискальный квартал для Micron характеризовался последовательным ростом выручки на 1,6 % и её снижением в два с лишним раза в годовом сравнении. В текущем квартале Micron рассчитывает на последовательный рост выручки, что даже важнее для инвесторов, чем итоги прошедшего периода.

Источник изображения: Micron Technology

Принятое в конце мая китайскими властями решение исключить продукцию Micron из состава критически важной национальной инфраструктуры, по актуальным прогнозам руководства компании, лишит её примерно половины выручки, поступающей от компаний со штаб-квартирами в Китае и Гонконге. Если учесть, что такие клиенты формируют до четверти всей выручки Micron, то потери от китайских санкций в итоге могут измеряться примерно 12 % совокупной выручки компании, как отмечается в презентации Micron Technology для инвесторов. Данные обстоятельства не помешают Micron вложить в развитие своей площадки в китайском Сиане до $600 млн в ближайшие несколько лет. Предприятие по тестированию и упаковке микросхем памяти будет построено в Индии, но при этом Micron будет расширять свои мощности на Тайване, а в Японии первой среди производителей чипов начнёт использовать оборудование для EUV-литографии.

Календарный 2023 год, по прогнозам руководства Micron, будет в целом по рынку характеризоваться ростом спроса на память типа DRAM на 2–5 %, по памяти типа NAND прогноз укладывается в диапазон от 8 до 9 %, что ниже долгосрочных прогнозов по темпам роста для отрасли в целом. Спрос должен активизироваться во втором полугодии, как считают в Micron. При этом объёмы поставок на обоих направлениях будут сокращаться по итогам всего 2023 года по отрасли в целом, конкретно для Micron существенное снижение будет наблюдаться именно в сегменте DRAM.

Компания сократила капитальные расходы на 40 % до $7 млрд по сравнению с прошлым годом, в их составе затраты на покупку оборудования для обработки кремниевых пластин сократились более чем на 50 %. В следующем фискальном году расходы последнего типа будут ниже, чем в текущем, как считают представители руководства компании. Недавно Micron также сократила количество запускаемых в обработку кремниевых пластин при производстве DRAM и NAND в среднем на 30 %, причём до начала 2024 года их количество не будет увеличиваться.

Третий фискальный квартал Micron Technology завершила снижением выручки на 57 % до $3,8 млрд в годовом сравнении, но последовательно она подросла почти на 2 %. Квартальная выручка на 71 % определялась реализацией памяти типа DRAM, на долю NAND пришлось 27 %. На первом из направлений выручка последовательно снизилась на 2 %, объёмы поставок в натуральном выражении выросли примерно на 10 %, а средняя цена снизилась на 10 %. В сегменте NAND выручка последовательно выросла на 14 %, поставки увеличились на 30 %, а средняя цена реализации снизилась примерно на 15 %. Складских излишков за квартал пришлось списать на сумму $400 млн. Операционные расходы достигли $866 млн, операционные убытки достигли $1,5 млрд, а чистые — $1,6 млрд.

В текущем фискальном квартале Micron рассчитывает получить от $3,7 до $4,1 млрд, по середине диапазона это будет соответствовать последовательному росту выручки. Операционные расходы планируется удержать в пределах $860 млн, а норма прибыли будет колебаться в отрицательных значениях от 8 до 13 % против текущих минус 16 %. Прогноз Micron по выручке на текущий квартал оказался выше ожиданий аналитиков, которые ориентировались на среднее значение $3,87 млрд. После закрытия торгов акции компании выросли в цене на 3 %. Отрасль по производству микросхем памяти, по мнению руководства Micron, в целом миновала дно с точки зрения динамики выручки, норма прибыли должна начать восстанавливаться в результате восстановления баланса спроса и предложения. Непосредственно для Micron дополнительную проблему создаёт ситуация с китайскими санкциями в отношении её продукции, но она лишь замедлит восстановление финансовых показателей компании, а не перечеркнёт его.

По итогам текущего года, как считает руководство Micron, объёмы поставок компонентов в сегменте ПК снизятся на двузначное количество процентов, а в сегменте смартфонов снижение ограничится 4–6 %. В свете китайских санкций компания подчёркивает свою ориентированность на сохранение своих позиций на мировом рынке памяти.

Компания Micron Technology, являющаяся одним из ведущих мировых производителей чипов памяти DRAM и NAND, анонсировала строительство завода по упаковке и тестированию чипов в индийском штате Гуджарат. Продукция, выпускаемая новой фабрикой, будет поставляться местным индийским клиентам, а также на международные рынки.

Источник изображения: Micron

Компания решила провести строительство предприятия в Индии в два этапа. В рамках первой фазы строительства, которая должна начаться уже в этом году, к концу 2024 года планируется ввести в эксплуатацию стерильный цех площадью более 46 тыс. м². Увеличивать производственные мощности данного предприятия компания будет в соответствии со спросом на полупроводниковую продукцию. Micron ожидает, что вторая фаза проекта, которая будет включать строительство объекта, аналогичного по масштабам фабрике первой фазы, начнётся во второй половине текущего десятилетия.

Инвестиции компании Micron в рамках двух фаз строительства нового предприятия составят до $825 млн. Предполагается, что завод в общей сложности обеспечит до 20 тыс. новых рабочих мест. В рамках правительственной программы поддержки полупроводниковых компаний власти Индии покроют 50 % общей стоимости проекта. Ещё 20 % будут покрыты инвестициями штата Гуджарат. Согласно оценкам, совокупная стоимость проекта, включающая две фазы строительства, составит до $2,75 млрд.

В Micron отмечают, что индийский штат Гуджарат был выбран в качестве места строительства нового завода по тестированию и упаковке чипов из-за его производственной инфраструктуры, благоприятной деловой среды и хорошо зарекомендовавшего себя кадрового резерва в промышленном парке SANAND (Корпорация промышленного развития Гуджарата, GIDC).

«После более чем года переговоров с официальными лицами правительства Индии, а также властями штата Гуджарат, компания Micron рада сообщить, что готова стать частью преобразования полупроводниковой промышленности Индии и предложить ведущие возможности в упаковке и тестировании полупроводниковой продукции», — старший вице-президент Micron по глобальной сборке и испытательным операциям Гуршаран Сингх (Gursharan Singh).

Новое предприятие Micron будет заниматься обработкой микросхем для производства чипов с BGA-упаковкой, модулей памяти, а также твердотельных накопителей.

Micron представила свои первые устройства хранения данных UFS 4.0. Самые быстрые представители серии обеспечат скорости последовательного чтения до 4300 Мбайт/с и записи до 4000 Мбайт/с, что, по данным Micron, делает их самыми производительными модулями памяти UFS на сегодняшний день. Micron ожидает, что её накопители UFS 4.0 со сверхнизким энергопотреблением появятся во флагманских смартфонах, планшетах и ноутбуках уже в этом году.

Источник изображений: Micron

В линейке новых накопителей UFS 4.0 от Micron представлены продукты трёх ёмкостей — 256 и 512 Гбайт, а также 1 Тбайт. Все они оборудованы контроллерами собственного производства Micron. В более дорогих продуктах ёмкостью 512 Гбайт и 1 Тбайт используются 1-Тбит 232-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND с архитектурой с шестью массивами, которые обеспечивают скорость последовательного чтения и записи до 4300 и 4000 Мбайт/с соответственно. Устройство на 256 Гбайт немного медленнее, так как основано на памяти NAND с архитектурой с четырьмя массивами. Количество массивов отражает число отдельно работающих полей данных — чем их больше, чем быстрее память.

Новые модули хранения данных от Micron полностью соответствуют спецификации UFS 4.0 и используют две линии низкоуровневого протокола M-PHY Gear 5 для передачи данных. Кроме того, они поддерживают такие проприетарные возможности контроллера, как Data Stream Separation (разделяет часто используемые данные от редко используемых для оптимизации фоновой сборки мусора), Auto Read Burst (повышает производительность чтения за счёт использования дефрагментации устройства после длительного использования) и Eye Monitoring (контроль целостности сигнала).

Micron сообщает, что в дополнение к более высокой производительности, модули Micron UFS 4.0, обладают на 25 % более высокой энергоэффективностью. Использование 232-слойных чипов 3D TLC NAND большой ёмкости также позволяет Micron делать свои модули UFS 4.0 довольно тонкими. В компании заявляют, что их толщина не превышает 0,8–0,9 мм, что позволит производителям мобильных устройств либо сделать свои продукты тоньше, либо установить аккумулятор большей ёмкости.

«Последнее мобильное решение Micron тесно переплетает воедино нашу лучшую в своём классе технологию UFS 4.0, запатентованный контроллер с низким энергопотреблением, 232-слойную память NAND и гибко настраиваемую архитектуру встроенного ПО для обеспечения непревзойдённой производительности», — заявил Марк Монтиерт (Mark Montierth), генеральный менеджер мобильного бизнес-подразделения Micron.

В настоящее время Micron тестирует свои накопители UFS 4.0 совместно с ведущими производителями смартфонов и планирует начать их массовое производство во второй половине года.

Индийский кабинет министров одобрил план строительства в стране американской Micron Technology нового завода по упаковке и тестированию чипов стоимостью $2,7 млрд. На этот шаг власти пошли незадолго до визита в США премьер-министра Индии Нарендры Моди (Narendra Modi).

Источник изображения: Pexels/unsplash.com

Информация о том, что Micron планирует строительство завода в Индии, появилась буквально на днях, а теперь получила подтверждение. Завод планируется строить в родном для Моди штате Гуджарат. По данным источников Reuters, правительство согласилось обеспечить связанные с производством льготы общей стоимостью $1,34 млрд. Официально о сотрудничестве, вероятно, будет объявлено в ходе продолжающегося визита премьер-министра в Соединённые Штаты.

По данным источников, одобрение кабинета министра потребовалось из-за беспрецедентно большого пакета льгот. В самой Micron новость пока не комментируют, хранят молчание и представители индийских властей. Известно, что в ходе визита Моди встретится с главами ведущих американских компаний, включая FedEx и MasterCard, а также посетит официальный ужин в Белом доме 22 июня.

Как сообщили Reuters представители американских властей, США буквально подталкивают американские полупроводниковые компании инвестировать в Индию, продолжаются переговоры о дальнейших вложениях в страну. Дело в том, что президент США Джо Байден (Joe Biden) хочет, чтобы американские компании уменьшали интенсивность взаимодействия с Китаем, в то же время укрепляя экономические связи с «крупнейшей в мире демократией». В мае Китай объявил, что Micron не прошла проверку безопасности и власти запретили операторам местной инфраструктуры приобретать продукцию этого крупнейшего в США производителя чипов, что ожидаемо вызвало гнев администрации Байдена.

Как известно, новый завод не будет заниматься собственно производством чипов — здесь будет осуществляться только упаковка и тестирование. Например, клиенты могут не заказывать упаковку, а присылать готовые решения для проверки. По мнению источников, настоящий успех ожидает Индию тогда, когда будет организовано реальное производство именно полупроводниковых кристаллов.

В этом месяце уже сообщалось, что три крупные компании, включая совместное предприятие Foxconn, претендующих на льготы, буквально страдают от отсутствия в Индии значимых технологических партнёров.

Micron предупредила, что около половины её продаж, связанных с клиентами из Китая, могут быть затронуты расследованием управления кибербезопасности Китая. По информации от представителей Micron, выручка компании от предприятий из материкового Китая и Гонконга, включая прямые продажи и продажи через дистрибьюторов, составляет около четверти глобальной выручки Micron и остаётся основным источником риска.

Источник изображения: Micron

«Micron работает над смягчением этого воздействия с течением времени и ожидает увеличения изменчивости доходов от квартала к кварталу», — говорится в заявлении компании. Акции Micron, крупнейшего производителя микросхем памяти в США, упали на 1,5 % на торгах в Нью-Йорке в пятницу утром.

Технологический сектор стал ключевым полем битвы за национальную безопасность между двумя крупнейшими экономиками мира. Американские законодатели осудили действия Пекина против Micron как плохо завуалированную атаку на американскую компанию, в то время как сам Вашингтон вводит санкции против Китая. США внесли в чёрный список китайские технологические фирмы, перекрыли поставки продвинутых процессоров и запретили гражданам Китая оказывать помощь отечественной индустрии микросхем.

В мае регулятор кибербезопасности Китая заявил, что продукты Micron не прошли проверку, и запретил использовать чипы компании в «критической инфраструктуре». Пекин предостерёг операторов ключевой инфраструктуры от покупки товаров компании, заявив, что обнаружил «относительно серьёзные» риски кибербезопасности в продуктах Micron, продаваемых в стране.

Запрет на чипы Micron усугубил неопределённость, преследующую американских производителей микросхем, которые продают свою продукцию в Китай, крупнейший в мире рынок полупроводников. Такие компании, как Qualcomm, Broadcom и Intel, поставляют чипы на миллиарды долларов в страну, которая импортирует больше полупроводников, чем нефти. А компания Boise из Айдахо планирует вложить ещё $600 млн в существующее предприятие по упаковке чипов в центральном Китае. В ближайшие годы компания смонтирует дополнительные сборочные линии на своём существующем предприятии в городе Сиань.

США стремятся создать передовое производство чипов внутри страны и в дружественных странах, пытаясь сдержать геополитические амбиции Пекина. Intel объявила в пятницу о новом заводе по производству чипов стоимостью $4,6 млрд в Польше, а Micron близка к соглашению о выделении не менее миллиарда долларов на создание завода по упаковке чипов в Индии.

Попытки индийских властей привлечь в страну производителей полупроводниковых компонентов с точки зрения локализации выпуска такой продукции до сих пор не могли увенчаться успехом, но очередные слухи на эту тему дают надежду, что в этой южноазиатской стране может появиться предприятие Micron Technology по тестированию и упаковке чипов памяти. Проект предусматривает инвестиции в размере от $1 до $2 млрд.

Источник изображения: Micron Technology

По информации агентства Bloomberg, переговоры на эту тему ведутся руководством Micron с индийским правительством, и они близки к успешному завершению. Соответствующее заявление премьер-министр Индии Нарендра Моди (Narendra Modi) может сделать во время своего визита в США на следующей неделе, либо позднее. Micron Technology готова вложить в строительство профильного предприятия в Индии как минимум $1 млрд, а в случае успеха в реализации проекта сумма может вырасти до $2 млрд.

С одной стороны, данный проект выгоден индийским властям, которые давно пытаются разместить на своей территории достаточно современные высокотехнологичные предприятия. С другой стороны, для Micron инициатива может быть интересна в свете возникающих ограничений на реализацию своей продукции в соседнем Китае, но компания сегодня уже доказала, что не собирается ограничивать инвестиции в экономику КНР. Местные регуляторы не так давно признали продукцию Micron непригодной для использования на объектах критически важной информационной инфраструктуры, но это не лишило Micron решимости потратить $603 млн на модернизацию и расширения своего предприятия по тестированию и упаковке чипов памяти в китайском Сиане.

Власти Индии выделили $10 млрд на субсидирование строительства предприятий по производству чипов на территории страны, они готовы покрывать до половины затрат инвесторов. Сложно сказать, будет ли предприятие Micron соответствовать необходимым критериям для получения субсидий. Власти страны традиционно делают упор на организацию более сложных производств, чем тестирование и упаковка чипов, но в качестве первого шага сгодится и проект Micron.