Сегодня 02 апреля 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Китайские учёные создали основу для идеальной энергонезависимой памяти без износа

Сегодня даже самая передовая энергонезависимая память имеет ограничения на количество циклов перезаписи. Для домашнего использования это не критично, тогда как во множестве отраслей скорость износа памяти имеет решающее влияние на безопасность и бюджет. Группа учёных из Китая начала поиск материалов для энергонезависимой памяти с нулевым износом. Это многое изменило бы в отрасли и в мире. На днях появилась информация о прорыве.

 Источник изображения: ИИ-генерация Кандинский 3.0/3DNews

Источник изображения: ИИ-генерация Кандинский 3.0/3DNews

Как сообщили в своей статье в журнале Science исследователи из Нинбоского института материаловедения и инженерии Китайской академии наук (CAS), Университета электронных наук и технологий Китая в Чэнду и Университета Фудань в Шанхае, созданный ими материал для энергонезависимой памяти после миллиона циклов перезаписи в лабораторных условиях показал нулевой износ. Это прорыв, заявили исследователи. Потенциально память на основе нового материала может работать едва ли не вечно.

Следует сказать, что учёные использовали популярный среди исследователей сегнетоэлектриков материал — дисульфид молибдена. Точнее, его модификацию под названием 3R-MoS2. Сегнетоэлектрики действительно меньше подвержены износу в процессе записи и хранения данных. Эффект гистерезиса (памяти) в таких материалах проявляется в изменении поляризации кристаллической ячейки, чем можно управлять с помощью внешнего электромагнитного поля. Физическое воздействие на материал минимальное, но, всё же, оно есть. Сегнетоэлектрическая память также со временем ухудшает свои свойства и с этим нужно работать.

Как выяснили китайские учёные, в ухудшении характеристик сегнетоэлектрической памяти — в проявлениях так называемой сегнетоэлектрической усталости — виноваты дефекты, вернее, процесс накопления дефектов. Они, как мелкая галька в морской волне, собираются в кучки, которые увеличиваются в размерах. Поэтому все силы учёных в новом исследовании были направлены на поиск решения замедлить или предотвратить накопление этих дефектов.

В результате поиска с привлечением машинных алгоритмов (ИИ), исследователи создали с использованием 3R-MoS2 слоистый «скользящий» материал, который не накапливал дефектов в процессе перезаписи. По крайней мере, после миллиона циклов материал не проявил ухудшения характеристик. Более того, материал оказался очень тонким — порядка одного нанометра. Это означает, что ячейки памяти могут быть очень и очень маленькими. Современная сегнетоэлектрическая память не может похвастаться маленькими ячейками и поэтому страдает от низкой плотности.

Нетрудно представить, как преобразится отрасль, например, искусственного интеллекта и супервычислений, если память в компьютерах не будет иметь износа. В свете начавшейся технологической войны США и Китая — это такой фактор, который невозможно переоценить.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Дональд Трамп намерен обсудить сделку с TikTok сегодня 42 мин.
Картинки в стиле Ghibli перегрузили серверы OpenAI — выпуск новых функций замедлен 8 ч.
У Ubisoft пока нет чёткого плана работы новой компании с Tencent — инвесторы и сотрудники нервничают 10 ч.
«Загрузки быстрее, чем в Doom (2016)»: эксперт Digital Foundry остался в восторге от Doom: The Dark Ages 11 ч.
Консоли задержат релиз постапокалиптического стелс-экшена Steel Seed от создателей Close to the Sun — объявлена новая дата выхода 13 ч.
ИИ-модель Llama запустили на ПК из прошлого тысячелетия на базе Windows 98 13 ч.
Telegram продал виртуальных первоапрельских кирпичей почти на 100 млн рублей 14 ч.
Nintendo подтвердила рекордную продолжительность презентации Switch 2 и устроит две демонстрации игр для консоли 14 ч.
ChatGPT остаётся самым популярным чат-ботом с ИИ, но у конкурентов аудитория тоже растёт 15 ч.
Google сделает сквозное шифрование в Gmail доступным для всех 15 ч.