MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
По мере роста вычислительной нагрузки, связанной с задачами искусственного интеллекта, эксперты прогнозируют коммерциализацию технологии энергонезависимой памяти High-Bandwidth Flash (HBF) раньше, чем ожидалось. Об этом сообщает компания TrendForce, специализирующаяся на аналитике и консалтинге в сфере полупроводников, IT и телекоммуникационных технологий.
Источник изображения: SanDisk
Профессор из корейского передового института науки и технологий (KAIST) Чонхо Ким (Joungho Kim), которого называют «отцом HBM», заявил, что Samsung Electronics и SanDisk планируют внедрить HBF в продукты для Nvidia, AMD и Google уже к концу 2027 или началу 2028 года. Он также отметил, что разработка HBF идёт быстрее, поскольку производители уже используют накопленный опыт проектирования и технологических процессов для разработки новой памяти.
Ким также прогнозирует, что широкое распространение HBF начнётся одновременно с выходом стандарта HBM6, а к 2038 году рынок этой памяти может даже превзойти сегмент HBM. Он объясняет, что необходимость в новой технологии обусловлена физическими ограничениями ёмкости DRAM, и поскольку HBM6 будет представлять собой сложную структуру из взаимосвязанных стеков, многокристальная флеш-память HBF (NAND) станет необходимым решением для восполнения дефицита объёма памяти в будущих вычислительных системах.
Профессор также поясняет, что в задачах ИИ-инференса HBF в будущем возьмёт на себя роль поставщика данных для видеокарт, обеспечив примерно в 10 раз большую ёмкость, чем HBM, хотя и с меньшей скоростью. Так как HBF имеет неограниченное количество циклов чтения, но всего около 100 000 циклов записи, это потребует от разработчиков программного обеспечения, включая OpenAI и Google, адаптации своих решений под преимущественное чтение данных. Кроме того, Ким предвидит смену архитектуры вычислительных систем к моменту выхода стандарта HBM7: концепция «фабрики памяти» позволит обрабатывать данные непосредственно в модулях памяти, устранив существующие длинные пути передачи информации через сети хранения и процессорные конвейеры.
По оценкам отраслевых источников, HBF сможет обеспечить пропускную способность свыше 1638 Гбайт/с, что существенно превышает показатели стандартных SSD, которые через интерфейс NVMe PCIe 4.0 выдают около 7000 Мбайт/с, а также достичь ёмкости до 512 Гбайт, превосходя 64 Гбайт, предлагаемых HBM4.
Samsung и SK hynix также продвигают разработку HBF и уже заключили соглашение с SanDisk о создании консорциума для стандартизации памяти HBF, намереваясь вывести коммерческие продукты на рынок к 2027 году. При этом SK hynix планирует продемонстрировать пробную версию технологии уже в текущем месяце.
Источник:
