Компании SK hynix и SanDisk сообщили о запуске в рамках программы Open Compute Project проекта по глобальной стандартизации высокоскоростной флеш-памяти High Bandwidth Flash (HBF).

Ryzen и 16 Гбайт DDR5: как сэкономить на памяти так, чтобы не лишиться 15 % производительности

Обзор Samsung Galaxy Z TriFold: тройной складной смартфон по цене квартиры в Воркуте

Компьютер месяца, спецвыпуск: эпоха отката, или Как дефицит чипов памяти влияет на выбор железа для игрового ПК

Обзор Ryzen 7 9850X3D: три процента за двадцать баксов

Обзор ноутбука HONOR MagicBook X16 2026: как раньше, только лучше

Источник изображений: SanDisk

Компании описывают HBF как новый уровень памяти, располагающийся между сверхбыстрой памятью HBM и SSD. Технология HBF может заполнить пробел между высокой скоростью HBM и большой ёмкостью SSD, обеспечивая как расширение ёмкости, так и энергоэффективность, необходимые для выполнения задач искусственного интеллекта. В то время как HBM обеспечивает высокую пропускную способность, HBF выступает вспомогательным уровнем в архитектуре.

SanDisk опубликовала информацию о том, как, по её мнению, будет выглядеть этот уровень HBF в составе аппаратного стека. Компания позиционирует HBF как память на основе NAND и утверждает, что она может обеспечить в 8–16 раз большую ёмкость, чем HBM, при аналогичной пропускной способности и сопоставимой стоимости в предполагаемой системной конфигурации.

Для аппаратных решений первого поколения HBF SanDisk заявляет пропускную способность чтения до 1,6 Тбайт/с, 256 Гбит/с на кристалл и до 512 Гбайт общей ёмкости в рамках 16-кристального стека. Компания также утверждает, что стек разработан таким образом, чтобы максимально соответствовать HBM4 по физическим размерам, энергопотреблению и высоте, что подразумевает модель интеграции, аналогичную современным стекам HBM на ускорителях ИИ.

SanDisk заявляет, что HBF обеспечивает производительность, отличающуюся всего на 2,2 % от «HBM с неограниченной ёмкостью» в ходе внутренних тестов и моделирования с использованием модели рабочей нагрузки для вывода данных, основанной на предварительно обученной 8-битной конфигурации параметров Llama 3.1 405B. В сноске к презентации отмечается, что сравнение предполагает неограниченную ёмкость HBM в целях моделирования, поэтому оно не измеряет преимущество в ёмкости напрямую.

На фундаментальном технологическом уровне SanDisk связывает HBF со своей дорожной картой чипов BiCS NAND и технологией CBA (CMOS Direct Bonded to Array), а также с запатентованной технологией 3D-стекирования, предназначенной для 16-кристальных стеков с уменьшенной деформацией и лучшей теплопроводностью. В информационном листке также подчёркивается энергонезависимый характер HBF — она не требует питания для обновления данных, в отличие от памяти на основе DRAM.

В дорожной карте SanDisk также указаны предварительные целевые показатели пропускной способности чтения HBF второго (Gen2) и третьего (Gen3) поколений — свыше 2 Тбайт/с и 3,2 Тбайт/с соответственно — с ёмкостью стека до 1 Тбайт и 1,5 Тбайт, а также более низкие целевые показатели энергопотребления по сравнению с Gen1 — 0,8× и 0,64×. SK hynix и SanDisk не сообщили о графике внедрения HBF, но уже обозначили стандартизацию как следующий шаг в рамках программы Open Compute Project.

По мере роста вычислительной нагрузки, связанной с задачами искусственного интеллекта, эксперты прогнозируют коммерциализацию технологии энергонезависимой памяти High-Bandwidth Flash (HBF) раньше, чем ожидалось. Об этом сообщает компания TrendForce, специализирующаяся на аналитике и консалтинге в сфере полупроводников, IT и телекоммуникационных технологий.

Обзор Samsung Galaxy Z TriFold: тройной складной смартфон по цене квартиры в Воркуте

Компьютер месяца, спецвыпуск: эпоха отката, или Как дефицит чипов памяти влияет на выбор железа для игрового ПК

Ryzen и 16 Гбайт DDR5: как сэкономить на памяти так, чтобы не лишиться 15 % производительности

Обзор Ryzen 7 9850X3D: три процента за двадцать баксов

Обзор ноутбука HONOR MagicBook X16 2026: как раньше, только лучше

Источник изображения: SanDisk

Профессор из корейского передового института науки и технологий (KAIST) Чонхо Ким (Joungho Kim), которого называют «отцом HBM», заявил, что Samsung Electronics и SanDisk планируют внедрить HBF в продукты для Nvidia, AMD и Google уже к концу 2027 или началу 2028 года. Он также отметил, что разработка HBF идёт быстрее, поскольку производители уже используют накопленный опыт проектирования и технологических процессов для разработки новой памяти.

Ким также прогнозирует, что широкое распространение HBF начнётся одновременно с выходом стандарта HBM6, а к 2038 году рынок этой памяти может даже превзойти сегмент HBM. Он объясняет, что необходимость в новой технологии обусловлена физическими ограничениями ёмкости DRAM, и поскольку HBM6 будет представлять собой сложную структуру из взаимосвязанных стеков, многокристальная флеш-память HBF (NAND) станет необходимым решением для восполнения дефицита объёма памяти в будущих вычислительных системах.

Профессор также поясняет, что в задачах ИИ-инференса HBF в будущем возьмёт на себя роль поставщика данных для видеокарт, обеспечив примерно в 10 раз большую ёмкость, чем HBM, хотя и с меньшей скоростью. Так как HBF имеет неограниченное количество циклов чтения, но всего около 100 000 циклов записи, это потребует от разработчиков программного обеспечения, включая OpenAI и Google, адаптации своих решений под преимущественное чтение данных. Кроме того, Ким предвидит смену архитектуры вычислительных систем к моменту выхода стандарта HBM7: концепция «фабрики памяти» позволит обрабатывать данные непосредственно в модулях памяти, устранив существующие длинные пути передачи информации через сети хранения и процессорные конвейеры.

По оценкам отраслевых источников, HBF сможет обеспечить пропускную способность свыше 1638 Гбайт/с, что существенно превышает показатели стандартных SSD, которые через интерфейс NVMe PCIe 4.0 выдают около 7000 Мбайт/с, а также достичь ёмкости до 512 Гбайт, превосходя 64 Гбайт, предлагаемых HBM4.

Samsung и SK hynix также продвигают разработку HBF и уже заключили соглашение с SanDisk о создании консорциума для стандартизации памяти HBF, намереваясь вывести коммерческие продукты на рынок к 2027 году. При этом SK hynix планирует продемонстрировать пробную версию технологии уже в текущем месяце.

Раджа Кодури (Raja Koduri), занимавший посты архитектора графических процессоров в компаниях S3, Apple, AMD и Intel, вошёл в технический консультативный совет проекта высокоскоростной флеш-памяти HBF (High-Bandwidth Flash).

Обзор Ryzen 7 9850X3D: три процента за двадцать баксов

Обзор Samsung Galaxy Z TriFold: тройной складной смартфон по цене квартиры в Воркуте

Обзор ноутбука HONOR MagicBook X16 2026: как раньше, только лучше

Компьютер месяца, спецвыпуск: эпоха отката, или Как дефицит чипов памяти влияет на выбор железа для игрового ПК

Ryzen и 16 Гбайт DDR5: как сэкономить на памяти так, чтобы не лишиться 15 % производительности

Раджа Кодури. Источник изображения: x.com/RajaXg

Sandisk объявила о создании технического консультативного совета для руководства разработкой и стратегией внедрения своей новаторской технологии памяти High Bandwidth Flash с высокой пропускной способностью (HBF). Правление совета включает в себя отраслевых экспертов и старших технических лидеров как внутри, так и за пределами компании. Руководить работой этого органа будут Раджа Кодури и профессор Дэвид Паттерсон.

В феврале этого года Sandisk представила новую разработку в области флеш-памяти — HBF позволит увеличить объёмы видеопамяти на графических процессорах и ускорителях искусственного интеллекта до 4 Тбайт, а в будущих версиях планируется поднять и этот показатель. Идея HBF предполагает вертикальную установку нескольких высокопроизводительных кристаллов флеш-памяти с подключением через сквозные вертикальные межсоединения (Through-Silicon Via — TSV) поверх логического кристалла, который сможет параллельно обращаться к каждому кристаллу памяти в массиве. Это позволит увеличить объём видеопамяти на значение от 8 до 16 раз при сохранении текущей стоимости.

Технология предполагает сборку BiCS 3D NAND в конструкции CMOS Direct Bonded To Array (CBA) — массив памяти 3D NAND устанавливается поверх кристалла ввода-вывода, изготовленного по техпроцессу для логических чипов. Господин Кодури сравнил приоритеты главенствующей сейчас HBM с новой HBF. Для первой важная удельная пропускная способность на ватт и на квадратный миллиметр; во втором случае «основное внимание уделяется значительному увеличению объёма памяти (на доллар, на ватт и на квадратный миллиметр) при обеспечении конкурентоспособной пропускной способности». Технология HBF, уверен эксперт, способна обеспечить прорыв в области как обучения, так и инференса (запуска) моделей ИИ, а также «произвести революцию в области локального ИИ». Сроки вывода HBF на рынок не уточняются.