По мере роста вычислительной нагрузки, связанной с задачами искусственного интеллекта, эксперты прогнозируют коммерциализацию технологии энергонезависимой памяти High-Bandwidth Flash (HBF) раньше, чем ожидалось. Об этом сообщает компания TrendForce, специализирующаяся на аналитике и консалтинге в сфере полупроводников, IT и телекоммуникационных технологий.

Итоги 2025-го: ИИ-лихорадка, рыночные войны, конец эпохи Windows 10 и ещё 12 главных событий года

Итоги 2025 года: почему память стала роскошью и что будет дальше

Обзор игрового QD-OLED WQHD-монитора Gigabyte AORUS FO27Q5P: на пределе возможностей

Обзор телевизора Sber SDX-43U4169

Обзор игрового 4K IPS-монитора Gigabyte M27UP: разнообразия ради

Обзор ноутбука TECNO MEGABOOK S14 (S14MM): OLED с HDR как новая норма

Источник изображения: SanDisk

Профессор из корейского передового института науки и технологий (KAIST) Чонхо Ким (Joungho Kim), которого называют «отцом HBM», заявил, что Samsung Electronics и SanDisk планируют внедрить HBF в продукты для Nvidia, AMD и Google уже к концу 2027 или началу 2028 года. Он также отметил, что разработка HBF идёт быстрее, поскольку производители уже используют накопленный опыт проектирования и технологических процессов для разработки новой памяти.

Ким также прогнозирует, что широкое распространение HBF начнётся одновременно с выходом стандарта HBM6, а к 2038 году рынок этой памяти может даже превзойти сегмент HBM. Он объясняет, что необходимость в новой технологии обусловлена физическими ограничениями ёмкости DRAM, и поскольку HBM6 будет представлять собой сложную структуру из взаимосвязанных стеков, многокристальная флеш-память HBF (NAND) станет необходимым решением для восполнения дефицита объёма памяти в будущих вычислительных системах.

Профессор также поясняет, что в задачах ИИ-инференса HBF в будущем возьмёт на себя роль поставщика данных для видеокарт, обеспечив примерно в 10 раз большую ёмкость, чем HBM, хотя и с меньшей скоростью. Так как HBF имеет неограниченное количество циклов чтения, но всего около 100 000 циклов записи, это потребует от разработчиков программного обеспечения, включая OpenAI и Google, адаптации своих решений под преимущественное чтение данных. Кроме того, Ким предвидит смену архитектуры вычислительных систем к моменту выхода стандарта HBM7: концепция «фабрики памяти» позволит обрабатывать данные непосредственно в модулях памяти, устранив существующие длинные пути передачи информации через сети хранения и процессорные конвейеры.

По оценкам отраслевых источников, HBF сможет обеспечить пропускную способность свыше 1638 Гбайт/с, что существенно превышает показатели стандартных SSD, которые через интерфейс NVMe PCIe 4.0 выдают около 7000 Мбайт/с, а также достичь ёмкости до 512 Гбайт, превосходя 64 Гбайт, предлагаемых HBM4.

Samsung и SK hynix также продвигают разработку HBF и уже заключили соглашение с SanDisk о создании консорциума для стандартизации памяти HBF, намереваясь вывести коммерческие продукты на рынок к 2027 году. При этом SK hynix планирует продемонстрировать пробную версию технологии уже в текущем месяце.

Раджа Кодури (Raja Koduri), занимавший посты архитектора графических процессоров в компаниях S3, Apple, AMD и Intel, вошёл в технический консультативный совет проекта высокоскоростной флеш-памяти HBF (High-Bandwidth Flash).

Обзор игрового 4K IPS-монитора Gigabyte M27UP: разнообразия ради

Обзор игрового QD-OLED WQHD-монитора Gigabyte AORUS FO27Q5P: на пределе возможностей

Обзор телевизора Sber SDX-43U4169

Итоги 2025 года: почему память стала роскошью и что будет дальше

Итоги 2025-го: ИИ-лихорадка, рыночные войны, конец эпохи Windows 10 и ещё 12 главных событий года

Обзор ноутбука TECNO MEGABOOK S14 (S14MM): OLED с HDR как новая норма

Раджа Кодури. Источник изображения: x.com/RajaXg

Sandisk объявила о создании технического консультативного совета для руководства разработкой и стратегией внедрения своей новаторской технологии памяти High Bandwidth Flash с высокой пропускной способностью (HBF). Правление совета включает в себя отраслевых экспертов и старших технических лидеров как внутри, так и за пределами компании. Руководить работой этого органа будут Раджа Кодури и профессор Дэвид Паттерсон.

В феврале этого года Sandisk представила новую разработку в области флеш-памяти — HBF позволит увеличить объёмы видеопамяти на графических процессорах и ускорителях искусственного интеллекта до 4 Тбайт, а в будущих версиях планируется поднять и этот показатель. Идея HBF предполагает вертикальную установку нескольких высокопроизводительных кристаллов флеш-памяти с подключением через сквозные вертикальные межсоединения (Through-Silicon Via — TSV) поверх логического кристалла, который сможет параллельно обращаться к каждому кристаллу памяти в массиве. Это позволит увеличить объём видеопамяти на значение от 8 до 16 раз при сохранении текущей стоимости.

Технология предполагает сборку BiCS 3D NAND в конструкции CMOS Direct Bonded To Array (CBA) — массив памяти 3D NAND устанавливается поверх кристалла ввода-вывода, изготовленного по техпроцессу для логических чипов. Господин Кодури сравнил приоритеты главенствующей сейчас HBM с новой HBF. Для первой важная удельная пропускная способность на ватт и на квадратный миллиметр; во втором случае «основное внимание уделяется значительному увеличению объёма памяти (на доллар, на ватт и на квадратный миллиметр) при обеспечении конкурентоспособной пропускной способности». Технология HBF, уверен эксперт, способна обеспечить прорыв в области как обучения, так и инференса (запуска) моделей ИИ, а также «произвести революцию в области локального ИИ». Сроки вывода HBF на рынок не уточняются.