Сегодня 24 ноября 2017
18+
Накопители

Надёжность SSD: результаты ресурсных испытаний [обновлено 15.11.17]

#Лог обновлений материала

15.11.2017. В ресурсные испытания добавлена новая (уже третья по счёту) версия Samsung 850 EVO, укомплектованная самой прогрессивной 64-слойной TLC 3D V-NAND. Такие накопители стали появляться на прилавках магазинов вместо старых вариантов с 48-слойной памятью, поэтому ещё одна проверка этой модели будет явно не лишней. Информация о состоянии остальных тестируемых накопителей обновлена.

2.11.2017. Закончилось тестирование Kingston SSDNow UV400, который в конечном итоге поставил рекорд по выносливости среди SSD на базе планарной флеш-памяти с трёхбитовыми ячейками. Сведения о состоянии остальных участников тестов приведены к актуальному состоянию.

16.10.2017. Очередное плановое обновление материала, в рамках которого вся статистика по участвующим в тестировании моделям SSD приведена к актуальному состоянию. Также, множество испытываемых накопителей пополнено за счёт весьма любопытной новинки – Intel SSD 545s. Данный SSD вызывает огромный интерес потому, что в нём используется новая 64-слойная 3D TLC NAND, с недавних пор производимая самой компанией Intel. Это – первый накопитель на прогрессивной 3D-памяти с 64 слоями, попавший в наше тестирование.

7.10.2017. В тестирование добавлена ещё одна модель накопителя, которая давно интересовала наших читателей. Это - старичок Kingston SSDNow V300, базирующийся на контроллере SF-2281 и MLC-памяти. По какой-то неведомой причине такой SSD до сих пор продаётся в магазинах, несмотря на то, что контроллеру SandForce исполнилось уже, страшно подумать, семь лет. Вместе с тем другой накопитель, Toshiba OCZ TL100 на базе контроллера Phison PS3111-S11, завершил своё участие в тестах. Для всех остальных участников испытаний, которые продолжают работать, данные обновлены.

18.09.2017. По многочисленным просьбам читателей в тестирование добавлен новый участник – Lite-On MU3 ROCK (ECE-240NAS). Он примечателен тем, что в нём используется eMLC-память с декларируемым ресурсом в 10 тысяч циклов перезаписи. Завершились испытания для двух других моделей, Plextor S3C и Transcend SSD230, выносливость которых оказалась невелика. Быстрая кончина Plextor S3C совсем не удивила – в этой модели используется низкосортная TLC-память, а вот плохой результат Transcend SSD230 с 3D TLC NAND компании Micron заставляет задуматься. То ли какие-то ошибки есть в контроллере SMI SM2258, то ли компания Micron намеренно поставляет на открытый рынок дефектные чипы флеш-памяти. В любом случае до появления дополнительной информации мы рекомендуем воздержаться от покупки накопителей, основанных на сочетании SMI SM2258 и Micron 3D TLC NAND: ADATA Ultimate SU800, HP S700 Pro, Smartbuy Climb, Transcend SSD230 и т.п.

3.09.2017. Ресурсным испытаниям SSD исполнился год. Это достаточно большой срок, но статистика посещений этой страницы говорит о том, что интерес к теме выносливости разных моделей твердотельных накопителей пока остаётся. И это значит, что тестирование продолжится, а материал будет обновляться и впредь дважды в месяц. Данные о пробеге испытуемых приведены к актуальному состоянию.

17.08.2017. Завершили своё участие в тестировании сразу две качественные и интересные модели – Crucial MX300 и Kingston HyperX Savage. Обе они показали очень хороший результат, подробный анализ которого добавлен в материал. Кроме того, в испытания вошли два SSD из разряда свежих новинок – Plextor S3C и Smartbuy Climb. Информация о прохождении тестов всеми остальными накопителями приведена к актуальному состоянию.

3.08.2017. Обновлены данные о состоянии тестируемых накопителей.

16.07.2017. Очередное обновление материала. Из тестов выбыл Transcend SSD370S, однако это не помешало ему установить рекорд выносливости. В число участников испытаний добавлено две новых модели на базе набирающей популярность 3D TLC NAND: Transcend SSD230 и Intel SSD 600p. Попутно приведены к актуальному состоянию все сведения о накопителях, продолжающих работу в составе тестовых систем.

6.07.2017. Сведения о прохождении тестирования приведены к актуальному состоянию. Пара SATA SSD – GOODRAM Iridium Pro и SanDisk Ultra II – достигла своего предела по объёму записи и завершила участие в тестировании. Подробные сведения о том, как это произошло, добавлены в соответствующий раздел материала. В ближайшее время мы постараемся дополнить состав испытуемых накопителей.

20.06.2017. Информация по текущему состоянию SSD обновлена. За прошедшее время из тестирования выбыл NVMe-накопитель Plextor M8Pe, раздел по итогам его испытаний добавлен на третьей странице.

4.06.2017. Обновлены данные о состоянии тестируемых накопителей.

16.05.2017. Отказов накопителей с момента прошлого обновления статьи не произошло, поэтому все изменения касаются текущей наработки тестируемых моделей. Однако помимо этого в испытания был добавлен новый участник - GOODRAM Iridium Pro – эталонный накопитель на очень популярной платформе Phison S10 с MLC-памятью.

30.04.2017. Обновлены данные о состоянии накопителей, которые уже проходят испытания на износ. В дополнение к ним мы добавили ещё несколько новых SSD, о включении которых просили читатели. Новых участников сразу пять: ADATA Ultimate SU900 (на базе Micron MLC 3D NAND), GOODRAM CX300 (безбуферный, на базе Micron TLC 3D NAND), Plextor M8Pe (NVMe, на базе Toshiba 15-нм MLC NAND), SanDisk Ultra II (на базе SanDisk 15-нм TLC NAND) и Toshiba OCZ TL100 (безбуферный, на базе Toshiba 15-нм TLC NAND).

16.04.2017. За прошедшие с момента прошлого обновления две недели из тестирования выбыло сразу четыре накопителя. И если WD Blue SSD и WD Green SSD при этом показали очень достойную практическую надёжность для моделей, построенных на TLC-памяти, то два других отказавших SSD, ADATA Ultimate SU800 и Smartbuy Revival 2, уверенно прописались среди аутсайдеров. Подробный рассказ об этой четвёрке перенесён в финальную часть статьи. Информация по текущему состоянию остальных участников обновлена.

31.03.2017. Испытания завершились для ещё одного накопителя. Умер от исчерпания ресурса Plextor S2C, и сведения о нём были перенесены в раздел некрологов. Добавились же в тестирование два новых участника: популярный Kingston SSDNow UV400, проверить надёжность которого давно просили наши читатели, и многообещающий NVMe-накопитель Samsung 960 EVO, который наконец-то стал поставляться в Россию. Информация о наработке всех остальных живых участников теста была обновлена.

15.03.2017. Обновлений много. Во-первых, ещё два накопителя завершили тестирование: Toshiba OCZ VX500 и Samsung 850 EVO. Они установили сразу два рекорда – по максимальной и по минимальной выносливости. Во-вторых, в испытания включился новый оригинальный SSD – ADATA Ultimate SU800 на базе TLC 3D NAND производства Micron. В-третьих, все сведения о тех накопителях, которые уже завершили свой жизненный цикл, мы перенесли на отдельную страницу. И в-четвёртых, информация по всем тем SSD, которые продолжают работать под нагрузкой, была обновлена.

3.03.2017. Обновлены данные о состоянии тестируемых накопителей.

15.02.2017. Обновлены данные о состоянии тестируемых накопителей. По просьбам читателей в тестирование добавлено две новые модели SSD: Kingston HyperX Savage и Plextor S2C.

31.01.2017. Выработал свой ресурс ещё один тестовый накопитель – OCZ Trion 150. Раздел, посвящённый ему, перенесён в главу «Накопители, тестирование которых завершено». Вместо него в тестирование добавлен новый продукт компании Toshiba – накопитель Toshiba OCZ VX500. Данные о состоянии остальных тестируемых накопителей обновлены.

15.01.2017. Обновлены данные о состоянии тестируемых накопителей. Кроме того, в связи с возросшим интересом к нашему тесту, произошло масштабное обновление состава участников тестирования. В их число добавлено сразу шесть новых SSD: Smartbuy Ignition PLUS, Smartbuy Revival 2, Smartbuy Splash 2, Transcend SSD370S, WD Blue SSD и WD Green SSD. Мы продолжаем прислушиваться к мнению читателей, и в ближайшее время набор проходящих испытания SSD будет дополнен ещё раз.

6.01.2017. Два накопителя из участвующих в тестировании (Plextor M7V и KingDian S280), выработали свой ресурс. Подробный разбор их жизненного цикла помещён в раздел «Накопители, тестирование которых завершено». В заключительной части статьи добавлена обновляемая итоговая диаграмма с практическим ресурсом, который показали участники тестирования, прошедшие тест. Данные о состоянии остальных тестируемых накопителей обновлены. Кроме того, в ближайшее время ожидается пополнение набора проходящих испытания SSD.

15.12.2016. Накопители успешно пережили двухнедельный простой. Тестирование ресурса возобновлено. В статью добавлен новый раздел «Надёжность хранения данных на отключенных SSD».

1.12.2016. Обновлены данные о состоянии тестируемых накопителей. Кроме того, в рамках проводимого исследования мы решили провести ещё один эксперимент, связанный с изучением выносливости SSD. Следующие две недели они проведут в выключенном состоянии. Таким образом мы проверим, способна ли изношенная флеш-память сохранять данные при полном покое, когда она находится в обесточенном состоянии и не мониторится контроллером.

15.11.2016. Обновлены данные о состоянии тестируемых накопителей.

30.10.2016. Обновлены данные о состоянии тестируемых накопителей.

15.10.2016. Обновлены данные о состоянии тестируемых накопителей. В тестирование добавлен новый накопитель – Crucial MX300 на 32-слойной TLC 3D NAND производства Micron.

30.09.2016. Обновлены данные о состоянии тестируемых накопителей.

15.09.2016. Обновлены данные о текущем состоянии тестируемых накопителей.

1.09.2016. Первая версия.

#Накопители в процессе тестирования

#ADATA Ultimate SU900

После того, как ADATA Ultimate SU800 бесславно умер, не отработав даже заявленного производителем ресурса, мы решили проверить, на что способна модель более высокого класса. Накопитель Ultimate SU900 основывается на таком же контроллере SMI SM2258, но использует не трёхбитовую, а двухбитовую MLC 3D NAND производства Micron. Такая флеш-память должна быть надёжнее заведомо: сама Micron говорит о том, что её ресурс по сравнению с TLC 3D NAND выше как минимум вдвое. Однако памятуя о том, как повел себя Ultimate SU800, делать какие-то предположения о выносливости ADATA Ultimate SU900 невозможно. Поэтому мы включили этот SSD в практическое тестирование.

ADATA Ultimate SU900 256 Гбайт
Память Micron 32-слойная MLC 3D NAND
Контроллер Silicon Motion SM2258
Алгоритм коррекции ошибок LDPC
Заявленный ресурс 200 Тбайт

Тестирование выносливости ADATA Ultimate SU900 256 Гбайт продолжается. Текущее состояние накопителя отображено скриншотом.

Спустя несколько месяцев с начала продаж ADATA всё же решилась указать, какой максимальный ресурс перезаписи она гарантирует для своего накопителя SU900. По какой-то причине он выглядит не слишком обнадёживающе, даже несмотря на использование в основе этой модели 3D MLC NAND. И это не единственная странность. Удивляет также отсутствие в S.M.A.R.T. Ultimate SU900 каких-либо показателей, отражающих наработку SSD. В связи с этим отслеживание количества записанной информации мы проводим по данным программного обеспечения, генерирующего нагрузку.

Расшифровать приведённые данные можно следующим образом:

  • Объём перенесённой накопителем записи на данный момент составляет 1 937 Тбайт. Наработка достигла уровня, при котором бы накопитель на базе планарной TLC SSD уже умер, однако ADATA Ultimate SU900 продолжает трудиться. Впрочем, удивления это не вызывает, ведь в данном случае основой накопителя служит трёхмерная память с двухбитовыми ячейками.
  • Состояние S.M.A.R.T. не вызывает никаких опасений. Ни один из параметров, в котором фиксируются какие-либо ошибки в массиве флеш-памяти, не содержит отличных от нуля значений. Правда, обращают на себя внимание переменные A1 (Valid Spare Blocks) и A3 (Initial Invalid Blocks), где зафиксирован тот факт, что изначально массив флеш-памяти обладал 15 проблемными блоками, а доступный резерв составляет всего 21 блок.
  • Согласно имеющимся данным, среднее число циклов перезаписи накопителя составляет 23 793. Это уже почти на порядок больше, чем компания Micron гарантирует для своей MLC 3D NAND. Однако настораживает другое: алгоритмы работы микропрограммы накопителя таковы, что он накладывает на флеш-память слишком высокую нагрузку. Если в случае других моделей мы имеем коэффициент усиления записи на уровне единицы, то тут он близок 3, что приближает выход Ultimate SU900 из строя.

#GOODRAM CX300

GOODRAM CX300 – представитель целого класса бюджетных накопителей, которые в последние месяцы наводнили прилавки магазинов. Отличительной особенностью таких SSD выступает безбуферный дизайн и использование платформы Phison S11. Вариант же GOODRAM дополнительно интересен ещё и тем, что он основывается на новой 32-слойной TLC 3D NAND компании Micron, что роднит его с такими накопителями как Corsair LE200, GALAX Gamer L, PNY CS3111b, Silicon Power S55 и проч. Безбуферные платформы обычно показывают не слишком впечатляющую выносливость, но как обстоит дело в данном конкретном случае?

GOODRAM CX300 240 Гбайт
Память Micron 32-слойная TLC 3D NAND
Контроллер Phison PS3111-S11
Алгоритм коррекции ошибок LDPC
Заявленный ресурс н/д

Тестирование выносливости GOODRAM CX300 240 Гбайт продолжается. Текущее состояние накопителя отображено скриншотом.

Расшифровать приведённые данные можно следующим образом:

  • Объём перенесённой на данной момент записи – 866 Тбайт. Судя по тому, что никаких проблем с накопителем не возникает, процесс тестирования пока ещё далёк от своего завершения. И, хотя производитель не задекларировал ресурс своего продукта, очевидно, что GOODRAM CX300, несмотря на свою дешевизну, способен на большее. Обычно SSD, построенные на трёхмерной TLC-памяти Micron отличаются хорошей выносливостью, и здесь мы видим ещё одно подтверждение этому.
  • Как показывает практика, основной атрибут S.M.A.R.T., по которому следует наблюдать за состоянием массива флеш-памяти накопителей, основанных на контроллерах Phison, это – AA (Bad Block Count). Сейчас эта переменная имеет значение 157, но все эти блоки были помечены как дефектные ещё на заводе, поэтому состояние массива флеш-памяти никакого опасения не вызывает.
  • Среднее число перезаписей ячеек флеш-памяти – 3 561 (оно закодировано в параметре AD). Это значение оценивается в S.M.A.R.T. как полный износ накопителя (см. параметр E7, в котором указан оставшийся ресурс в процентах). GOODRAM считает, что TLC 3D NAND, производимая Micron, была рассчитана на 1000 циклов перезаписи. Однако сама компания Micron говорит при этом о ресурсе в 1500 циклов программирования-стирания. Но как видно из результатов теста, значение ресурса и у GOODRAM, и у Micron учтено с большим допуском. Например, при тестировании Crucial MX300 подобная память смогла перенести примерно 10 тысяч циклов перезаписи.

#Intel SSD 545s

Флеш-память с трёхмерной структурой потихоньку отвоёвывает позиции на рынке. Мы уже протестировали немало накопителей, которые базировались на 3D-памяти, и все они (за исключением пары моделей на контроллере SMI SM2258) демонстрируют заметно лучшую выносливость по сравнению с моделями на привычной планарной памяти. Тем временем прогресс не стоит на месте, и постепенно в массовые модели SSD начинает приходить память с всё возрастающим количеством слоёв. Intel SSD 545s – это один из первых накопителей с 64-слойной памятью с трёхбитовыми ячейками. Именно поэтому он и интересен – это своего рода продукт нового уровня, ведь до недавних пор 3D-флеш-память, применяемая в накопителях, имела 32 или 48 слоёв.

Intel SSD 545s 256 Гбайт
Память Intel 64-слойная 3D TLC NAND
Контроллер Silicon Motion SM2259
Алгоритм коррекции ошибок LDPC
Заявленный ресурс 144 Тбайт

Тестирование Intel SSD 545s продолжается. Текущее состояние накопителя отображено скриншотом.

Трактовать приведённые данные можно следующим образом:

  • Объём записи, который к настоящему моменту перенёс накопитель, составляет 481 Тбайт. Это – сравнительно небольшой объём информации для качественных SSD, поэтому никаких проблем с работоспособностью Intel SSD 545s нет. Однако за границу обещанного производителем ресурса в 144 Тбайт перезаписей мы уже вышли.
  • Компания Intel продолжает использовать в своих потребительских SSD контроллеры Silicon Motion. Однако микропрограмма накопителей Intel претерпевает существенные изменения, которые затрагивают и логику работы S.M.A.R.T. Тем не менее, все основные атрибуты остаются доступны для мониторинга, и по параметрам 05 (Reallocated Sectors Count), AB (Program Fail Count) и AC (Erase Fail Count) можно судить об отсутствии сбоящих областей в массиве флеш-памяти. Параметры же B8 (End to End Error Detection Count) и BB (Uncorrectable Error Count) указывают на отсутствие каких-либо проблем с чтением данных из флеш-памяти. Иными словами, интеловская 64-слойная 3D TLC память, используемая в накопителе, находится в безупречной форме.
  • Если исходить из значения параметра F9 (Total NAND Writes), ячейки флеш-памяти испытуемого Intel SSD 545s были перезаписаны к данному моменту в среднем 1 997 раз. Согласно переменной E9 (Media Wearout Indicator), контроллер накопителя считает, что массив флеш-памяти уже изношен на 100 процентов. И это закономерно, что для интеловской 64-слойной трёхбитовой памяти формально гарантируется 1500 циклов перезаписи. Но не стоит забывать, что обычно трёхмерная флеш-память оказывается надёжнее расчётных величин где-то на порядок.

#Intel SSD 600p

Intel SSD 600p – это самый дешёвый NVMe SSD из присутствующих на рынке вариантов. У такой дешевизны есть веская причина – показатели производительности, по которым Intel SSD 600p приближается к более привычным накопителям с SATA-интерфейсом. Но как у этого накопителя обстоит дело с надёжностью, тоже весьма неоднозначный вопрос, ведь в его основу положена 32-слойная 3D TLC NAND первого поколения производства Intel.

Intel SSD 600p 256 Гбайт
Память Intel 32-слойная 3D TLC NAND
Контроллер Silicon Motion SM2260
Алгоритм коррекции ошибок LDPC
Заявленный ресурс 144 Тбайт

Тестирование выносливости Intel SSD 600p 256 Гбайт продолжается. Текущее состояние накопителя отображено скриншотом.

Расшифровать приведённые данные можно следующим образом:

  • Объём перенесённой записи составляет 917 Тбайт. Обещанный производителем ресурс уже переработан более чем вшестеро, но, по всей видимости, до окончания жизненного цикла этого SSD ещё далеко. По крайней мере накопители, использующие аналогичную трёхмерную память Micron в большинстве своём оказываются значительно более выносливыми.
  • NVMe-накопители сообщают о проблемах в состоянии массива флеш-памяти в атрибуте S.M.A.R.T. 0E (Media and Data Integrity Errors), но он пока сохраняет нулевое значение. Нетронутой выглядит и переменная 03 (Available Spare), которая отображает степень использования подменного фонда в массиве флеш-памяти. Таким образом можно заключить, что массив 3D TLC NAND у Intel SSD 600p находится в отличной форме.
  • На данный момент контроллер Intel SSD 600p считает, что ресурс накопителя выработан на 255 процентов (это максимальное значение для соответсвующей переменной S.M.A.R.T.). И в этом нет ничего удивительного, ведь контроллер считает, что интеловская 3D TLC NAND первого поколения выдерживает 1 500 перезаписей. На данный же момент среднее число произошедших циклов стирания-программирования составляет 3 976.

#Kingston SSDNow V300

Протестировать Kingston SSDNow V300 нас давно просили читатели. Однако его добавление в тесты долго казалось не слишком рациональным, ведь этот SSD основывается на старинной платформе SandForce SF-2281, и потому актуальным предложением считаться давно уже не может. Но у Kingston другое мнение относительно этого продукта. Продажи SSDNow V300 никак не заканчиваются, и даже более того, компания сохраняет в своём ассортименте и второй аналогичный накопитель, HyperX Fury. А раз так, то игнорировать существование таких SSD не будем и мы. Тем более, что результаты теста выносливости могут быть очень интересны. Во-первых, никаких других SSD на базе контроллера SF-2281 мы не проверяли. Во-вторых, SSDNow V300 – это один из самых дешёвых накопителей с MLC-памятью внутри (подумать только, контроллер SF-2281 настолько стар, что про существование TLC NAND он вообще ничего не знает). И в-третьих, для родственной модели HyperX Fury компания Kingston заявляет относительно высокий ресурс, который, честно говоря, выглядит подозрительно хорошо.

Kingston SSDNow V300 240 Гбайт
Память Toshiba 15-нм MLC NAND
Контроллер SandForce SF-2281
Алгоритм коррекции ошибок BCH
Заявленный ресурс 128 Тбайт

Необходимо отметить, что за время выпуска модели V300 компания Kingston несколько раз меняла используемую в них флеш-память. Сейчас в таких SSD ставится планарная 15-нм MLC NAND компании Toshiba, и именно такая версия была приобретена нами для испытаний.

Тестирование выносливости Kingston V300 240 Гбайт продолжается. Текущее состояние накопителя отображено скриншотом.

Расшифровать приведённые данные можно следующим образом:

  • На данный момент на накопитель записано 648 Тбайт информации. Тестирование началось сравнительно недавно, но заявленный ресурс для V300 уже превышен в несколько раз. Попутно отметим, что тестовые файлы, генерируемые в процессе испытаний, содержат несжимаемую информацию, и контроллер SF-2281 в данном случае не может применить свои фирменные алгоритмы снижения износа флеш-памяти за счёт уплотнения данных.
  • О состоянии массива флеш-памяти накопителей на базе контроллера SF-2281 судить можно по параметрам S.M.A.R.T. 05 и С4 (Retired Block Count) – числу блоков, выведенных из использования, AB и B5 (Program Fail Count) – числу ошибок записи, AC и B6 (Erase Fail Count) – числу ошибок стирания, а также BB (Reported Uncorrectable Errors) – числу ошибок чтения. Все эти переменные находятся на нулевых значениях, что означает отсутствие в флеш-памяти каких-либо критичных проблем. Кроме того, есть смысл следить за нормализованным значением параметра 01 (Raw Read Error Rate), по которому можно определять долю битовых ошибок чтения, которые исправляются контроллером «на лету». Допустимые значения для этого параметра – выше 38, блестящие – от 100 до 120.
  • Что касается степени износа массива флеш-памяти по мнению контроллера, то она возвращается в атрибуте S.M.A.R.T. E7 (SSD Life Left) и на данный момент составляет 90 процентов. За это время массив флеш-памяти был перезаписан 2 806 раз, из чего следует, что ресурс установленной в накопителе памяти оценивается производителем в 3 000 циклов перезаписи.

#Lite-On MU3 ROCK

Протестировать Lite-On MU3 ROCK нас попросили читатели. Высокий интерес к этой модели вполне понятен. Данный накопитель является носителем очень интересной аппаратной платформы. Мало того, что он основывается на старом контроллере Marvell 88SS9187, который в своё время завоевал репутацию одного из лучших вариантов для потребительских SSD, так ещё и в массиве памяти Lite-On MU3 ROCK применены 19-нм чипы eMLC-памяти компании Toshiba «серверного класса», которые благодаря отбору на этапе производства могут похвастать увеличенной надёжностью. А если к этому добавить достаточно демократичную цену Lite-On MU3 ROCK, то начинает казаться, что перед нами чуть ли не конкурент Samsung 850 PRO. Потенциал в такой накопитель заложен немалый, но давайте проверим, как эта модель справится с ресурсными испытаниями на практике.

Lite-On MU3 ROCK 240 Гбайт
Память Toshiba 19-нм eMLC NAND
Контроллер Marvell 88SS9187
Алгоритм коррекции ошибок BCH
Заявленный ресурс н/д

Тестирование выносливости Lite-On MU3 ROCK 240 Гбайт продолжается. Текущее состояние накопителя отображено скриншотом.

Расшифровать приведённые данные можно следующим образом:

  • За время тестирования Lite-On MU3 ROCK уже принял 1 015 Тбайт данных. К сожалению, Lite-On не разглашает расчётную выносливость своего решения, поэтому дать какую-то оценку пробегу MU3 ROCK пока затруднительно. Но так как память, устанавливаемая в такие SSD, квалифицируется как eMLC, можно ожидать, что MU3 ROCK проработает ещё долго.
  • К состоянию массива флеш-памяти нет никаких претензий. Все переменные, которые могут содержать какую-либо информацию о проблемах с ячейками, содержат нулевые значения. Информативность S.M.A.R.T. не слишком велика, но базовая переменная 05 (Reallocation Sectors Count), в которой должна отражаться информация об использовании резервных ячеек флеш-памяти, в нём присутствует. Кроме того, обратить внимание можно на параметр B4 (Unused Reserved Blocks Count), который сообщает об изначальном наличии в массиве флеш-памяти накопителя 3 488 резервных блоков.
  • Среднее число перезаписей ячеек флеш-памяти – 4 581. Оно хранится в переменной S.M.A.R.T. B1 (Wear Leveling Count). Нормализованное значение этой переменной показывает уровень «здоровья» массива флеш-памяти, и на данный момент он составляет 55 процентов. Lite-On рассчитывает, что eMLC-память компании Toshiba способна на 10 тысяч циклов перезаписи, поэтому износа такой памяти ждать ещё очень долго.

#Samsung 850 EVO v3

Компания Samsung обновила начинку своего самого популярного SSD, 850 EVO, и это вновь заставляет нас вернуться к ресурсным испытаниям данной модели. Теперь в тестах принимает участие третья версия данного SSD, которая основывается на 64-слойной TLC 3D V-NAND. Сравнить, насколько изменился ресурс Samsung 850 EVO после внедрения новой памяти, очень любопытно. Напомним, вторая версия 850 EVO, использовавшая 48-слойную TLC 3D V-NAND, смогла перенести запись 2,6 Пбайт данных.

Samsung 850 EVO v3 250 Гбайт
Память Samsung 64-слойная TLC 3D V-NAND
Контроллер Samsung MGX
Алгоритм коррекции ошибок LDPC
Заявленный ресурс 75 Тбайт

Тестирование выносливости Samsung 850 EVO 250 Гбайт продолжается. Текущее состояние накопителя отображено скриншотом.

Расшифровать приведённые данные можно следующим образом:

  • Объём перенесённой накопителем записи составляет 54 Тбайт. Это сравнительно небольшой объём, но не стоит забывать, что третья версия 850 EVO тестируется пока менее двух недель. И очевидно, что в перспективе нас ждут куда более впечатляющие результаты.
  • Число переназначенных секторов – 0, то есть состояние массива флеш-памяти можно расценить как отличное. Когда мы тестировали Samsung 850 EVO второй версии, первые сбойные сектора стали появляться на отметке в 1980 Тбайт. Посмотрим, как сложится на этот раз.
  • Среднее число перезаписей ячеек флеш-памяти – 284. Данная характеристика оценивается в S.M.A.R.T. как израсходованный на 14 процентов ресурс. Отсюда следует вывод, что производитель для своей 64-слойной TLC 3D V-NAND гарантирует работоспособность как минимум на протяжении 2000 циклов перезаписи. Такой же расчётный минимальный ресурс был и у 48-слойной памяти, так что в этом отношении в Samsung 850 EVO третьей версии ничего не поменялось.

#Samsung 850 PRO

Samsung 850 PRO 256 Гбайт попал в наше тестирование во многом благодаря просьбам читателей. Однако его участие здесь вполне оправданно, ведь он среди массовых SATA SSD – «царь зверей»: не только самый быстрый, но и, по всеобщему мнению, самый надёжный.

Samsung 850 PRO 256 Гбайт
Память Samsung 32-слойная MLC 3D V-NAND
Контроллер Samsung MEX
Алгоритм коррекции ошибок BCH
Заявленный ресурс 150 Тбайт

Тестирование выносливости Samsung 850 PRO 256 Гбайт продолжается. Текущее состояние накопителя отображено скриншотом.

Расшифровать приведённые данные можно следующим образом:

  • Объём перенесённой накопителем записи превысил 4 Пбайт и на сегодняшний день составляет  4 566 Тбайт. Это уже более чем на порядок превышает заявленный ресурс, однако, принимая во внимание результаты 960 EVO, совершенно понятно, что Samsung 850 PRO способен принять ещё больше данных. Ведь в основе этой модели лежит надёжная 3D MLC V-NAND, произведённая по техпроцессу второго поколения, разрешение которого оценивается в 40 нм.
  • Число переназначенных секторов – 0, то есть состояние массива флеш-памяти можно расценить как отличное. И в этом нет ничего удивительного, ведь даже более простой Samsung 850 EVO на базе TLC 3D V-NAND в тесте ресурса почти дотянул до отметки в 3 Пбайт.
  • Среднее число перезаписей ячеек флеш-памяти – 32 559. Данная характеристика оценивается в S.M.A.R.T. как полностью израсходованный ресурс, так как MLC 3D V-NAND квалифицируется производителем как рассчитанная на 6 тысяч циклов перезаписи. Однако совершенно очевидно, что до выхода 850 PRO из строя ещё очень далеко.

#Samsung 960 EVO

Скоростные твердотельные накопители с интерфейсом NVMe постепенно набирают популярность, поэтому мы начали включать их и в тестирование надёжности наряду с SATA-моделями. Samsung 960 EVO – одна из наиболее интересных новинок такого рода. Данный SSD базируется на трёхмерной трёхбитовой памяти третьего поколения самой компании Samsung, которая уже блестяще проявила себя в SATA-накопителе Samsung 850 EVO. Благодаря этому Samsung 960 EVO может оказаться не только высокопроизводительным, но и очень выносливым продуктом. Чтобы проверить данное предположение, как только такие накопители появились на прилавках отечественных магазинов, мы сразу же добавили экземпляр в наши испытания.

Samsung 960 EVO 256 Гбайт
Память Samsung 48-слойная TLC 3D V-NAND
Контроллер Samsung Polaris
Алгоритм коррекции ошибок LDPC
Заявленный ресурс 100 Тбайт

Тестирование выносливости Samsung 960 EVO 250 Гбайт продолжается. Текущее состояние накопителя отображено скриншотом.

Расшифровать приведённые данные можно следующим образом:

  • Объём перенесённой накопителем записи выглядит весьма внушительно: он достиг отметки 4 873 Тбайт. Это не только более чем на порядок выше обещанного производителем ресурса, но и значительно превышает практическую максимальную наработку основанного на такой же памяти Samsung 850 EVO. Похоже что в своём NVMe-контроллере Polaris инженеры Samsung смогли реализовать какие-то новые способы обращения с флеш-памятью, которые позволяют заметно продлевать её ресурс.
  • В процессе работы никаких нарушений целостности данных не выявлялось, об этом говорит состояние атрибута S.M.A.R.T. 0E (Media and Data Integrity Errors). Однако пул резервных блоков уже распечатан, о чём можно судить по неполному 87-процентному остатку резерва, о котором сообщается в переменной 03 (Available Spare).
  • Прошедший через накопитель объём информации оценивается контроллером как полная выработка ресурса массива флеш-памяти. Если учесть, что в общей сложности в флеш-память за это время было реально записано 5,4 Пбайт (это число определено по переменной S.M.A.R.T. 09), то получается, что память в 960 EVO перезаписана уже 21 с лишним тысячу раз. Естественно, это выше сделанной производителем оценки ресурса TLC 3D NAND. И даже более того, в протестированном ранее 850 EVO такая же память до выхода из строя смогла вытерпеть только 15 тысяч перезаписей.

#Smartbuy Climb

Одним из самых интересных вариантов недорогих накопителей сегодня представляются те модели, которые сочетают контроллер Silicon Motion и 3D TLC NAND компании Micron. В теории такая начинка позволяет делать недорогие, но при этом достаточно надёжные и быстродействующие SSD. Однако при этом необходимо, чтобы производители не экономили на памяти и приобретали у Micron чипы, которые проходят полноценный контроль качества. Практика показывает, что так поступают далеко не все, поэтому мы решили проверить несколько подобных решений от разных поставщиков. Именно так в тесты попал и Smartbuy Climb – родственник не очень удачного Transcend SSD230 и откровенно позорного ADATA Ultimate SU800.

Smartbuy Climb 256 Гбайт
Память Micron 32-слойная TLC 3D NAND
Контроллер Silicon Motion SM2258
Алгоритм коррекции ошибок LDPC
Заявленный ресурс 120 Тбайт

Тестирование выносливости Smartbuy Climb 256 Гбайт продолжается. Текущее состояние накопителя отображено скриншотом.

Расшифровать приведённые данные можно следующим образом:

  • Объём перенесённой накопителем записи составляет 511 Тбайт. Заявленный производителем ресурс уже переработан. Накопители на базе контроллера SMI SM2258 и 3D TLC NAND обычно показывают не слишком высокую выносливость, но Smartbuy Climb, кажется, не похож на подобные решение ADATA и Transcend и готовится переломить эту тенденцию.
  • Согласно показаниям S.M.A.R.T., массив флеш-памяти накопителя находится в отличной форме. У накопителей на контроллере SMI SM2258 следить имеет смысл за атрибутами B6 (Erase Fail Count) и 05 (Reallocated Sectors Count), в которых накапливаются данные об ошибках и о задействовании секторов из резерва, но они на данный момент содержат нулевые значения.
  • Среднее число циклов программирования-стирания для ячеек 3D TLC NAND составляет на данный момент 2 072. Это чуть выше ресурса в 1500 перезаписей, который обозначает для своей памяти компания Micron, а в других накопителях с контроллером SM2258 такая память смогла перенести лишь около тысячи циклов перезаписи. Впрочем Smartbuy эту величину никак не интерпретирует вообще – в S.M.A.R.T. у Climb нет никаких параметров, которые бы сообщали о степени выработки общего ресурса накопителя.

#Smartbuy Ignition PLUS

Большинство накопителей под маркой Smartbuy представляют собой воплощения различных базовых дизайнов независимого разработчика контроллеров Phison. Поэтому после очередного обновления линейки Smartbuy мы решили добавить в тестирование наиболее актуальные и интересные SSD из их числа. Ignition PLUS, например, – это один из немногих оставшихся на рынке недорогих накопителей, построенных на MLC-памяти. Но его высокую надёжность должно обуславливать не только это, но и то, что в нём используется бюджетный контроллер Phison нового поколения с поддержкой сильной коррекции ошибок LDPC ECC. Подобных SSD до этого момента мы пока не встречали.

Smartbuy Ignition PLUS 240 Гбайт
Память Toshiba 15-нм MLC NAND
Контроллер Phison PS3111-S11
Алгоритм коррекции ошибок LDPC
Заявленный ресурс 262 Тбайт

Тестирование выносливости Smartbuy Ignition PLUS 240 Гбайт продолжается. Текущее состояние накопителя отображено скриншотом.

Расшифровать приведённые данные можно следующим образом:

  • Объём перенесённой накопителем записи – 2 707 Тбайт (количество записанных данных в гигабайтах сохраняется в переменной S.M.A.R.T. F1). Таким образом, этот SSD уже не только смог отработать ресурс, свойственный многим добротным моделям SSD, но и перевалил за психологически важную отметку в пару петабайт перезаписей.
  • В переменной AA мониторинг S.M.A.R.T. содержит сведения о том, что на этапе производства как неисправные были помечены 229 блоков флеш-памяти, но с тех пор это количество никак не изменялось. Также о состоянии массива флеш-памяти можно судить по числу ошибок чтения или записи. Оно накапливается в параметрах S.M.A.R.T. 01 или DA, которые на данный момент имеют нулевые значения. Получается, что стабильность работы флеш-памяти не вызывает никаких опасений. Очевидно, компании Smartbuy удалось получить от Toshiba весьма качественные микросхемы MLC NAND, а кроме того использование контроллера Phison S11 с LDPC-кодированием позволяет продлить её ресурс.
  • Среднее число перезаписей ячеек флеш-памяти – 12 635. Это значение оценивается в S.M.A.R.T. как полный износ накопителя (см. параметр E7, в котором указан оставшийся ресурс в процентах). И это закономерно, ведь производитель считает, что установленная в Smartbuy Ignition PLUS планарная MLC флеш-память компании Toshiba способна перенести только 3000 циклов перезаписи.

#Smartbuy Splash 2

Накопитель Smartbuy Splash 2 – очень интересный продукт для любого тестирования и для тестирования выносливости в том числе. Дело в том, что он основывается на передовой 3D TLC NAND компании Micron. К тому же управляет массивом флеш-памяти в этом SSD редкий контроллер Marvell 88NV1120, который не требует применения внешнего DRAM-буфера. Ну и самое главное: Smartbuy Splash 2 подозрительно дёшев, из-за чего возникают серьёзные сомнения в том, что это – действительно качественный и надёжный продукт. Проверим.

Smartbuy Splash 2 240 Гбайт
Память Micron 32-слойная TLC 3D NAND
Контроллер Marvell 88NV1120
Алгоритм коррекции ошибок LDPC
Заявленный ресурс 120 Тбайт

Тестирование выносливости Smartbuy Splash 2 240 Гбайт продолжается. Текущее состояние накопителя отображено скриншотом.

Расшифровать приведённые данные можно следующим образом:

  • Объём перенесённой накопителем записи – 1 441 Тбайт (количество записанных данных в гигабайтах сохраняется в переменной S.M.A.R.T. F1). Наработка Smartbuy Splash 2 уверенно перешла через петабайтную границу, что позволяет охарактеризовать его как достаточно выносливый накопитель на 3D TLC-памяти. Стоит заметить, что 32-слойная 3D TLC NAND компании Micron в плане ресурса вообще проявляет себя весьма неплохо, и результат бюджетного Splash 2 – ещё одно тому подтверждение.
  • Никаких сведений о появлении в флеш-памяти ошибок или сбойных страниц в S.M.A.R.T. пока нет. Это значит, что массив трёхмерной TLC-памяти находится в отличной форме и способен без проблем работать и впредь.
  • Среднее число перезаписей ячеек флеш-памяти на данный момент – 6 136. К сожалению, S.M.A.R.T.-мониторинг никаким образом не интерпретирует эту величину и не показывает, каков износ накопителя в процентах. Поэтому оценить, на какой пробег рассчитана микроновская 3D TLC NAND по понятиям Smartbuy, мы не можем. Однако точно такая же память в составе Crucial MX300 смогла перенести до 10 тысяч циклов перезаписи. Если исходить из этой величины, то Spalsh 2 ещё долго будет присутствовать в наших испытаниях.

#Надёжность хранения данных на отключенных SSD

Попутно с тестированием ресурса перезаписи мы провели и проверку того, способны ли накопители, выработавшие заявленный производителем ресурс, уверенно хранить данные в выключенном состоянии. На этот счёт существует большое количество кривотолков, поэтому в один из моментов мы решили остановить циклическое тестирование выносливости на две недели, и посмотреть, смогут ли состаренные в нашем тесте потребительские SSD сохранить записанные на них данные в течение продолжительного времени при отключенном питании. Таким образом, в этом тесте поучаствовало шесть моделей накопителей, наработка которых в разы превышает заявленные производителями показатели выносливости.

  • Crucial MX300 275 Гбайт после записи 487 Тбайт информации;
  • KingDian S280 240 Гбайт после записи 578 Тбайт информации;
  • OCZ Trion 150 240 Гбайт после записи 640 Тбайт информации;
  • Plextor M7V 256 Гбайт после записи 1026 Тбайт информации;
  • Samsung 850 PRO 256 Гбайт после записи 1049 Тбайт информации;
  • Samsung 850 EVO 250 Гбайт второго поколения после записи 1969 Тбайт информации.

Две недели пребывания в обесточенном состоянии не оказали на сохранность записанной на SSD информации совершенно никакого влияния. Все шесть накопителей смогли прочитать как записанную непосредственно перед отключением информацию, так и те файлы, которые хранятся на них с самого начала нашего теста выносливости. При этом никаких сбоев или расхождений в контрольных суммах зафиксировано не было.

Однако сказать, что двухнедельное пребывание без подключения к питанию на накопителях совершенно не сказалось, мы всё-таки не можем. У двух моделей из шести длительный простой вызвал некоторые изменения в массиве флеш-памяти, что нашло отражение в S.M.A.R.T.-телеметрии.

  1. У Samsung 850 EVO появилось 12 проблемных секторов, чтение данных из которых вызвало у контроллера затруднения. Потерь или искажений хранящейся информации при этом не произошло, но эти сектора при включении тут же были выведены из эксплуатации и заменены свежими, взятыми из резерва.
  2. Какие-то проблемы возникли и у OCZ Trion 150: этот накопитель сбросил на ноль нормированное значение атрибута A9, косвенно указывающего на количество проблемных блоков. Однако на работоспособности это никак не сказалось.

Иными словами, процессы «старения» продолжаются у SSD и тогда, когда они обесточены. Однако никаких катастрофических изменений при этом не происходит. Проверка показала: сравнительно продолжительный простой SSD, давно выработавших весь заявленный ресурс, не приводит к тому, что они выходят из строя или же теряют сохранённые данные.

Но на самом деле, ничего иного никто и не ожидал. Тест же был проведён лишь потому, что некоторое время тому назад стало распространяться странное убеждение о том, что в выключенном состоянии твердотельные накопители очень быстро утрачивают способность надёжно хранить данные. Причём, в распространении этого заблуждения серьёзно посодействовали и многие околотехнические сайты, которые распространяли, а порой и упорно продолжают смаковать информацию о том, что SSD, не подключенные к питанию, могут терять записанные данные чуть ли не в течение нескольких дней.

В действительности же эта проблема раздута чуть ли не на пустом месте. Безусловно, процесс перетекания заряда из ячеек флеш-памяти, когда накопитель отключен от питания, имеет место, но происходит он значительно медленнее, и ни о какой возможности потери данных в течение дней речь идти не может.

В качестве подтверждения можно сослаться на спецификации JEDEC – комитета, в который входят все ведущие производители полупроводников и который вырабатывает единые стандарты для продуктов микроэлектронной отрасли. Эти стандарты с одной стороны обязательны для производителей, а с другой – являются ориентиром для клиентов, поскольку они описывают основные потребительские качества выпускаемых промышленностью устройств.

Собственно, источником возникшей паники по поводу сохранности информации на выключенных SSD стала «вырванная из контекста» таблица, взятая из одной из презентаций этого комитета, в которой указывались «сроки хранения» данных на выключенных накопителях в зависимости от температуры окружающей среды.

Минимальные сроки хранения данных на SSD в выключенном состоянии (в неделях)

Минимальные сроки хранения данных на SSD в выключенном состоянии (в неделях)

NAND-память, принцип действия которой заключается в удержании электронов в плавающем затворе, в состоянии покоя (без периодического обновления) действительно постепенно теряет сохранённый заряд. И рано или поздно это способно обернуться неправильной трактовкой содержимого ячейки и утратой данных. Представления о том, как и насколько быстро происходит процесс перетекания заряда, очень хорошо определены и подкреплены многочисленными экспериментами. Накопленные данные показывают, что один из главных факторов, который влияет на стабильность ячеек NAND, – степень их износа. Поэтому способность твердотельных накопителей сохранять информацию в выключенном состоянии сильно зависит от той стадии своего жизненного цикла, на которой они находятся. Числа, которые приведены в таблице выше, описывают ситуацию с выработавшими свой ресурс, а не с новыми, накопителями – и это меняет практически всё.

Иными словами, если речь идёт о новом SSD, то данные на нём в выключенном состоянии могут храниться годами (при обычном диапазоне температур). И лишь когда речь заходит о накопителе, который уже выработал установленный производителем ресурс, указанные в спецификации «сроки хранения» начинают приобретать какой-то смысл. То есть, 52 недели (год) – это тот минимальной период времени, в течение которого обычный потребительский накопитель обязан по спецификации сохранять данные в выключенном состоянии после того, как он уже выработал весь определённый в спецификациях ресурс. Но на самом деле информация, скорее всего, сможет продержаться на выключенном SSD гораздо дольше: как мы увидели, ресурс перезаписи производители указывают с кратным запасом. И со сроками хранения ситуация, скорее всего, примерно такая же.

Если же углубиться в спецификации JEDEC дальше, то можно найти и ещё одно подтверждение, что и после значительного превышения заявленного лимита перезаписей накопители не подвержены быстротечной утрате записанной на них информации. В то время как для потребительских SSD минимальный срок хранения установлен в год (при температуре 30 градусов), для серверных моделей, которые обычно основываются на ровно такой же флеш-памяти, этот временной интервал сужен до 3 месяцев (при температуре в 40 градусов).

Различие обуславливается тем, что для потребительских и серверных SSD предполагаются отличающиеся по своей интенсивности нагрузки. Декларируемая выносливость потребительских накопителей обычно составляет несколько десятков или сотен терабайт перезаписи. SSD же, относящиеся к серверному классу, имеют на порядок более высокую задекларированную надёжность, которая достигает единиц или даже десятков петабайт перезаписи. Из этого следует вывод, что даже после записи на обычный SSD количества данных, значительно превышающего его ресурс, он не потеряет способности сохранять её в выключенном состоянии по меньшей мере в течение нескольких месяцев – по аналогии с серверной моделью.

Именно поэтому наша двухнедельная проверка сохранности информации в выключенном состоянии и не выявила никаких проблем. После перезаписи сотен терабайт современные SSD просто обязаны сохранять данные гораздо дольше, чем пару недель. И совершенно очевидно, что спецификации JEDEC в этом отношении производителями соблюдаются.

На этом вопрос сохранности информации на выключенном SSD мы считаем закрытым. Понятно, что тестирование ресурса перезаписи – куда более важный с практической точки зрения и более осмысленный эксперимент, который может сказать о выносливости современных твердотельных накопителей гораздо больше. К тому же наша методология тестирования проверяет и правильность считывания сохранённых на SSD в самом начале эксперимента файлов.

Тем не менее, считаем своим долгом напомнить, что накопители на NAND-памяти всё-таки не предназначены для архивного хранения информации. Магнитные носители информации – жесткие диски и ленточные накопители – выглядят более подходящим выбором для этой цели. SSD же – быстрый носитель информации, нацеленный в первую очередь для работы с «горячими» данными.

Следующая страница → ← Предыдущая страница
⇣ Содержание
Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
⇣ Комментарии
Прежде чем оставить комментарий, пожалуйста, ознакомьтесь с правилами комментирования. Оставляя комментарий, вы подтверждаете ваше согласие с данными правилами и осознаете возможную ответственность за их нарушение.
Все комментарии премодерируются.
комментарии загружаются...