Теги → нанометр
Быстрый переход

TSMC планирует начать рисковое 5-нм производство чипов в первом квартале 2019 года

Марк Лю (Mark Liu), один из исполнительных директоров Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), рассказал о планах компании по развитию производства микрочипов.

По словам господина Лю, на вторую половину текущего года намечено массовое производство изделий по 10-нанометровой технологии. Для ускорения внедрения соответствующей методики привлечена команда из 3000 специалистов.

На 2018-й запланировано начало выпуска микрочипов по 7-нанометровой технологии FinFET. Кроме того, разрабатывается улучшенный вариант этого техпроцесса — 7nm Plus.

Отдельная группа занимается научно-исследовательскими и опытно-конструкторскими работами по проекту внедрения 5-нанометровой технологии. Рисковое производство таких чипов намечено на первую четверть 2019 года.

Наконец, руководитель TSMC сообщил, что «несколько сотен» инженеров привлечены к проекту по разработке 3-нанометровой технологии изготовления микрочипов.

Господин Лю отметил, что в ближайшие годы мобильные решения будут оставаться одним из главных двигателей роста рынка полупроводниковой продукции. Речь идёт не только о смартфонах и планшетах, но и о шлемах виртуальной и дополненной реальности, системах искусственного интеллекта и пр. Кроме того, прогнозируется увеличение спроса на микрочипы для автомобильной электроники и устройств Интернета вещей. 

Intel начнёт опытный выпуск 7-нм чипов в текущем году

Исполнительный директор Intel Брайан Кржанич (Brian Krzanich; на фото) в ходе оглашения квартальных финансовых результатов поделился планами компании по внедрению новых технологий производства микрочипов.

Наиболее современные процессоры Intel — изделия Kaby Lake — производятся по 14-нанометровой методике, как и решения предыдущего поколения Skylake. Изначально предполагалось, что вслед за Skylake выйдут 10-нанометровые чипы, но из-за трудностей внедрения новой технологии корпорации пришлось поменять планы.

По словам господина Кржанича, поставки 10-нанометровых процессоров с кодовым именем Cannonlake в ограниченных количествах планируется начать в конце текущего года. В 2018-м объём выпуска таких решений увеличится.

Но уже в текущем году Intel планирует запустить опытную линию по изготовлению 7-нанометровых микропроцессоров. Важно подчеркнуть, что на данном этапе речь идёт лишь об отработке новой технологии и тестировании произведённых на её основе решений.

О сроках начала массового выпуска 7-нанометровых процессоров Intel ничего не говорит. Но в любом случае произойдёт это не ранее, чем через два–три года. 

Samsung внедряет передовые техпроцессы с нормами 14 и 10 нанометров

Южнокорейский гигант Samsung Electronics на мероприятии Samsung Foundry Forum представил передовые технологические процессы производства микрочипов — 14-нанометровую методику четвёртого поколения (14LPU) и 10-нанометровую методику третьего поколения (10LPU).

Отмечается, что по сравнению с применяющимися техпроцессами новые технологии обеспечат ряд преимуществ. В частности, благодаря внедрению 14LPU станет возможным увеличение производительности микрочипов при прежнем потреблении энергии. Данная методика оптимальна для производства изделий, рассчитанных на применение в устройствах с высокой вычислительной нагрузкой.

10-нанометровая технология 10LPU, в свою очередь, по сравнению с технологиями предыдущих поколений (10LPE и 10LPP) позволит уменьшить площадь кристалла. Новая методика станет одним из самых рентабельных техпроцессов последнего поколения в отрасли.

Ожидается, что новые технологии будут применяться при производстве самого широко спектра микрочипов — от изделий для мобильных устройств и потребительской электроники до решений для автомобилей и центров обработки данных.

Отмечается также, что компания Samsung Electronics продолжает разработку технологии производства микрочипов с нормами 7 нанометров. 

TSMC начнёт пробный выпуск 7-нм изделий через год

Около недели назад мы сообщали, что Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) намерена ускорить внедрение 7-нанометровой технологии производства. И вот теперь стало известно, что пробный выпуск такой продукции будет освоен в первой половине 2017 года.

Bloomberg

Bloomberg

Отмечается, что уже более 20 клиентов TSMC изъявили намерение оформить заказы на производство изделий по 7-нанометровой технологии. Этот техпроцесс будет применяться при изготовлении чипов как для мобильных устройств, так и для систем высокопроизводительных вычислений (HPC — High-Performance Computing). В то же время 10-нанометровая технология ориентирована в первую очередь на мобильный сегмент.

Руководство TSMC подчёркивает, что работы по внедрению 7-нанометровой методики продвигаются хорошо. Дело в том, что этот техпроцесс будет на 95 % полагаться на то же оборудование, которое необходимо при производстве чипов по 10-нанометровой технологии.

TSMC

TSMC

Внедрение более «тонкого» техпроцесса позволит существенно понизить энергопотребление микрочипов. А это обеспечит более продолжительное время автономной работы гаджетов при использовании аккумуляторов прежней ёмкости. С другой стороны, станет возможным дальнейшее уменьшение толщины мобильных устройств за счёт установки менее ёмких батарей (при сохранении прежних показателей автономности).

Массовое производство изделий по 7-нанометровой технологии TSMC наметила на первую половину 2018 года. 

Официально: Intel выпустит 10-нм чипы не ранее второй половины 2017 года

Исполнительный директор Intel Брайан Кржанич (Brian Krzanich; на фото) подтвердил, что корпорация вынуждена отложить выпуск первых 10-нанометровых процессоров.

В ближайшие месяцы Intel представит 14-нанометровые чипы Skylake. Предполагалось, что в 2016-м на смену им придут 10-нанометровые процессоры Cannonlake. Однако недавно стало известно, что вместо них в следующем году дебютируют 14-нанометровые решения с кодовым именем Kaby Lake.

По словам господина Кржанича, первые изделия с нормами 10 нанометров появятся только во второй половине 2017 года. Очевидно, что задержка связана с особенностями освоения столь «тонкого» техпроцесса. «Я бы назвал это трудностями, схожими с теми, которые наблюдались при внедрении 14-нанометровой методики. Каждая из этих технологий имеет свой рецепт сложностей и преград», — отметил глава Intel.

Между тем, изменения в графике выпуска чипов впервые в истории Intel приведут к сбою в модели проектирования процессоров под названием «Тик-Так» (Tick-Tock Model). Она, напомним, предусматривает разделение цикла разработки на две стадии — «Тик» и «Так». Первая предполагает внедрение технологии производства следующего поколения (переход на более «тонкий» техпроцесс) и незначительные усовершенствования микроархитектуры. На этапе «Так» происходит внедрение новой микроархитектуры с сохранением прежнего техпроцесса. Каждая часть цикла в идеале должна занимать год.

Нынешние 14-нанометровые чипы Broadwell — это фаза «Тик». Чипы Skylake станут результатом реализации этапа «Так». В соответствии с новым графиком, далее последует ещё одна фаза «Так» — 14-нанометровые процессоры Kaby Lake. И только после этого, будет осуществлён переход на этап «Тик».

Таким образом, Intel вынуждена ввести цикл «Тик-Так-Так», который займёт не менее трёх лет. 

У IBM готовы рабочие прототипы 7-нанометровых чипов

IBM отрапортовала об очередном достижении в разработке новейших технологий производства процессоров: корпорации удалось создать функционирующие образцы микрочипов по нормам 7 нанометров.

В настоящее время наиболее передовые компьютерные процессоры изготавливаются по 14-нанометровой технологии: такие изделия предлагает Intel. Кроме того, уже ведутся активные работы по внедрению 10-нанометровой методики: её планируют применять Intel, TSMC и Samsung. Новое достижение IBM открывает путь к дальнейшему уменьшению технологических норм.

Созданные в лабораториях IBM изделия характеризуются рекордной плотностью размещения транзисторов, которая примерно в четыре раза превосходит значения для самых современных коммерческих чипов. Такого результата удалось добиться за счёт использования кремний-германиевого материала вместо только лишь кремния.

Отмечается, что предложенная технология позволит создавать процессоры, содержащие до 20 млрд транзисторов. Для сравнения: на сегодняшний день самым большим числом транзисторов из коммерчески доступных чипов обладает 18-ядерный Intel Xeon поколения Haswell-EP — приблизительно 5,56 млрд.

Использование германия, помимо перехода на более «тонкие» техпроцессы, обеспечит и ещё две немаловажные выгоды: снижение энергопотребления и увеличение скорости переключения транзисторов и, как следствие, повышение быстродействия.

Достижение IBM является очередным подтверждением актуальности закона Мура, согласно которому «количество транзисторов в процессорах удваивается приблизительно каждые полтора года».

Впрочем, 7-нанометровые чипы IBM пока не готовы для вывода на коммерческий рынок. Тем не менее, корпорация уже ведёт переговоры о лицензировании технологии с рядом производителей полупроводниковой продукции, в частности, с компанией GlobalFoundries. Вполне вероятно, что 7-нанометровые процессоры появятся в 2017 году. 

TSMC приступит к созданию опытной 10-нанометровой линии в июне

Компания TSMC вот-вот начнёт создание пилотной линии по выпуску микросхем с применением 10-нанометровой технологии. Об этом сообщает DigiTimes, ссылаясь на информацию, полученную от китайских СМИ.

Известно, что опытное производство будет развёрнуто на предприятии Fab 12 в северной части Тайваня. Этот завод работает с 300-миллиметровыми пластинами.

Монтаж оборудования для опытного выпуска 10-нанометровых изделий начнётся в июне. Процесс предусматривает применение энергоэффективных транзисторов с объёмной структурой FinFET.

Массовое изготовление 10-нанометровых чипов TSMC рассчитывает организовать в середине или в конце 2016-го. Для этого в строй будет введено новое предприятие Fab 15. Ожидается, что одним из крупнейших заказчиков 10-нанометровых изделий станет компания Apple с её будущими микропроцессорами A10 для мобильных устройств.

Отметим, что  TSMC уже изучает возможность производства микросхем по технологиям с нормами менее 10 нм. «Мы работаем над технологическими платформами следующего поколения. У нас есть отдельная команда, которая сфокусирована на методиках с нормами менее 10 нанометров. Такие технологии станут доступны в 2017–2019 годах», — заявляют в тайваньской компании. 

Intel, похоже, откладывает внедрение 10-нм технологии

В настоящее время наиболее передовые процессоры Intel поколения Broadwell производятся по 14-нанометровой технологии. Однако с внедрением этой методики у корпорации возникли проблемы, в связи с чем появление Broadwell на рынке задержалось. Похоже, та же участь постигнет и будущие чипы, выполненные по нормам 10 нанометров.

Сама Intel неоднократного говорила о разработке 10-нанометрового техпроцесса, однако о сроках его внедрения умалчивала. В конце января нынешнего года один из руководителей Intel на Ближнем Востоке обмолвился, что первые чипы, выполненные по новой методике, следует ждать в начале 2017-го. Иными словами, их выпуск планировалось организовать не позднее второй половины 2016 года. Но теперь сетевые источники сообщают, что сроки, скорее всего, будут перенесены.

Дело в том, что Intel, по слухам, планировала начать закупку необходимого оборудования для внедрения 10-нм техпроцесса в прошлом месяце. Теперь же называется декабрь нынешнего года. Таким образом, массовое производство изделий нового поколения, вероятно, начнётся только в первой половине 2017-го, а на рынке они появятся в лучшем случае в конце того же года.

Нужно заметить, что для изготовления 10-нм чипов Intel переоборудует израильский завод Fab 28, находящийся в Кирьят-Гате. Однако пробный выпуск таких чипов стартует на предприятии D1X в Хиллсборо (Орегон, США). По такой технологии, в частности, будут изготавливаться процессоры с кодовым именем Cannonlake, которые должны стать преемниками Skylake (выйдут в 2015-м). В дальнейшие планы Intel входит внедрение технологий с нормами 7 и 5 нанометров. 

Samsung планирует внедрение 10-нанометрового техпроцесса FinFET

Южнокорейский гигант Samsung намерен освоить выпуск мобильных процессоров по технологии с нормами 10 нанометров. Об этом сообщают сетевые источники, ссылаясь на заявления президента подразделения полупроводниковой продукции Samsung Кима Ки-нама (Kim Ki-nam).

James Leynse/Corbis

James Leynse/Corbis

Напомним, что недавно компания Samsung организовала серийное производство первых в отрасли мобильных чипов с технологией 14nm FinFET. Речь идёт об изделии Exynos 7 Octa с восемью вычислительными ядрами, которое, по слухам, ляжет в основу флагманских смартфонов Galaxy S6 и Galaxy S6 Edge. Samsung подчёркивает, что по сравнению с 20-нанометровым технологическим процессом методика 14nm FinFET позволяет добиться 20-процентного увеличения быстродействия и 35-процентного снижения потребления энергии.

Технология 10nm FinFET, как ожидается, будет внедрена в 2016 или 2017 году. Переход на данную методику позволит ещё больше повысить энергетическую эффективность, а следовательно, продлить время автономной работы гаджетов.

10-нанометровый техпроцесс планируется применять в том числе при изготовлении чипов для устройств, подпадающих под концепцию «Интернет вещей».

Frank Siteman - Rainbow/Science Faction/Corbis

Frank Siteman - Rainbow/Science Faction/Corbis

Нужно отметить, что внедрение 10-нанометровой технологии также планирует корпорация Intel. Выпуск таких изделий будет организован ориентировочно в начале 2017 года. По 10-нанометровой технологии, в частности, будут изготавливаться процессоры с кодовым именем Cannonlake, которые должны стать преемниками Skylake (выйдут в 2015-м). Ну а в 2018 году Intel рассчитывает приступить к выпуску продукции по 7-нанометровой методике. 

7-нанометровые чипы Intel могут появиться в 2018 году

Как известно, Intel придерживается особой стратегии разработки процессоров под названием «Тик-Так» (Tick-Tock Model). Она предусматривает разделение цикла разработки на две стадии — «Тик» и «Так». Первая предполагает внедрение технологии производства следующего поколения (переход на более «тонкий» техпроцесс) и незначительные усовершенствования микроархитектуры. На этапе «Так» происходит внедрение новой микроархитектуры с сохранением прежнего техпроцесса. Каждая часть цикла в идеале должна занимать год.

В настоящее время Intel находится на этапе «Тик»: корпорация начала производство процессоров Broadwell (усовершенствованная платформа Haswell) по 14-нанометровой методике, с внедрением которой наблюдаются определённые сложности. Стадия «Так» наступит в 2015 году с появлением 14-нанометровых изделий Skylake.

Далее Intel снова перейдёт в фазу разработки «Тик»: то есть уже в 2016 году должно начаться внедрение 10-нанометровой технологии производства. По этой методике будут изготавливаться процессоры с кодовым именем Cannonlake, которые должны стать преемниками Skylake.

Если с внедрением 10-нанометровой технологии не возникнет серьёзных трудностей, то фаза «Так» продлится до конца 2017-го, после чего настанет время перехода на 7-нанометровый техпроцесс. Как сообщают сетевые источники, такие чипы могут увидеть свет в 2018 году.

Отметим также, что в отдалённые планы Intel входит переход на технологию с нормами в 5 нанометров. 

Массовое производство 10-нм ARM-процессоров начнётся в 2016 году

В распоряжении сетевых источников оказался ориентировочный график внедрения новых технологических норм производства чипов с архитектурой ARM для различных категорий устройств.

Всего выделяется пять основных групп ARM-процессоров: это изделия для мобильных устройств премиум-класса, мобильных устройств для массового рынка, носимых устройств, серверов и сетевого оборудования, а также встраиваемых устройств и продуктов для «Интернета вещей».

Итак, отмечается, что применение 20-нанометрового техпроцесса планируется только в премиум-сегменте. Причём в данной категории уже в 2015 году планируется внедрение норм 16/14 нанометров, а с конца 2016-го будет освоен массовый выпуск 10-нанометровых решений.

Чипы для мобильных устройств, рассчитанных на массовый рынок, пока будут изготавливаться по 28-нанометровой методике, а в конце 2015-го произойдёт переход на 16/14 нанометров. Внедрение 10-нанометровой технологии в данном сегменте состоится не ранее конца 2017-го.

Чипы для носимой электроники вплоть до 2017 года будут выпускаться по 28-нанометровой методике. Затем состоится переход на 16/14 нанометров.

В сегменте серверного и сетевого оборудования пока планируется применение 28-нанометровой технологии. Ориентировочно с конца 2015-го — начала 2016-го начнётся выпуск 16/14-нанометровых изделий. Переход на 10 нанометров намечен на конец 2017 года.

Наконец, в сегменте встраиваемых устройств и продуктов для «Интернета вещей» планируется использование техпроцессов с нормами 65/55 нанометров с начала 2015 года. Ближе к 2016-му будет налажен выпуск 40-нанометровых изделий, а в конце 2017-го — начале 2018-го начнётся изготовление 28-нанометровых чипов. 

AMD планирует отказаться от применения 20-нм технологии при выпуске мощных чипов

Компания AMD, похоже, не планирует переводить всю свою продуктовую линейку на 20-нанометровую технологию производства. По крайней мере, именно такую информацию приводит ресурс Expreview.com.

Ожидается, что первые изделия AMD, выполненные по нормам 20 нанометров, появятся в 2015 году. Причём ранее говорилось, что поначалу этот техпроцесс будет задействован исключительно при изготовлении гибридных процессоров (APU) начального уровня для планшетов и только после этого появятся видеокарты на основе 20-нанометровых чипов.

Теперь Expreview.com сообщает, что 20-нанометровая технология, по всей видимости, станет уделом лишь APU-решений с небольшим энергопотреблением. Более мощные процессоры, рассчитанные в том числе на настольные компьютеры и системы для энтузиастов, по этой методике изготавливаться не будут.

Причин у такого решения несколько. Во-первых, сейчас наблюдается нехватка мощностей TSMC по выпуску продукции с нормами 20 нанометров. Соответствующие производственные линии практически эксклюзивно выделены под процессоры Apple A8, которые устанавливаются в смартфон iPhone 6 и фаблет iPhone 6 Plus. В такой ситуации AMD не может позволить себе идти на риск, полагаясь на контрактного производителя, который может попросту не справиться с поставками нужного количества чипов.

Во-вторых, при одновременном переводе всей процессорной линейки на 20-нанометровую технологию существенно возрастут затраты на производство, а следовательно, и стоимость конечных продуктов. В свете жёсткой конкурентной борьбы с Intel такое положение дел определённо не сыграет на руку AMD.

Наконец, в-третьих, жизненный цикл 20-нанометровой технологии ожидается не слишком продолжительным. Дело в том, что TSMC уже начала пробный выпуск изделий по технологии 16FinFET (16 нанометров, транзисторы с трёхмерной структурой). Крупносерийное производство 16-нанометровых чипов на предприятиях TSMC стартует уже в первой четверти 2015 года. Компания GlobalFoundries, оперирующая бывшими производственными мощностями AMD, готовится к началу массового производства продукции по технологии FinFET с нормами 14 нанометров.

Таким образом, для AMD выгоднее несколько повременить с переводом мощных процессоров на технологию производства следующего поколения и сразу же перейти от 28-нанометровых норм на 16 или 14 нанометров. В последнем случае AMD догонит Intel, которая уже начала выпуск 14-нанометровых процессоров Core M, а в следующем году намерена задействовать соответствующий техпроцесс при выпуске широкого спектра чипов для различных устройств.

AMD перейдёт на 16-нм технологию не ранее 2016 года

Вице-президент AMD Лиза Су (Lisa Su; на фото) сообщила, что в нынешнем году все процессоры компании будут изготавливаться с применением 28-нанометровой технологии.

«Мы начнём поставлять продукты, произведённые по нормам 20 нанометров, в следующем году; в дальнейшем большое значение сыграет технология FinFET», — заявила госпожа Су.

Технология FinFET предусматривает применение транзисторов с объёмной структурой. Увы, такие чипы AMD появятся только в 2016 году.

Таким образом, AMD в плане внедрения новых производственных технологий серьёзно отстаёт от своего главного конкурента в лице Intel. Эта корпорация уже в конце текущего года планирует начать поставки изделий Broadwell семейства Core M, которые будут изготавливаться по 14-нанометровой технологии.

На днях AMD отчиталась о работе во втором квартале текущего финансового года. Потери компании составили $36 млн, или 5 центов в пересчёте на одну ценную бумагу. В то же время за отчётный период AMD получила $1,44 млрд дохода, что почти на четверть больше прошлогоднего результата, составившего $1,16 млрд. Для сравнения: Intel во втором квартале 2014 года получила прибыль в размере $2,8 млрд при выручке в $13,8 млрд. 

Intel покажет пластины с 10-нанометровыми чипами в сентябре

Корпорация Intel намерена продемонстрировать на предстоящем форуме для разработчиков IDF 2014 процессоры нового поколения, изготовленные по 14-нанометровой технологии.

Intel

Intel

Речь идёт о чипах Broadwell, выход которых неоднократно откладывался в связи с определёнными производственными сложностями. В конце текущего года Intel начнёт поставки изделий Broadwell серии Core M, которые предназначены для портативных компьютеров, в том числе безвентиляторных устройств «2-в-1». Однако массовой платформа Broadwell станет не ранее 2015 года.

Сообщается также, что на IDF 2014 будут демонстрироваться кремниевые пластины с 10-нанометровыми чипами Intel. Внедрение данной технологии производства намечено на 2016 год. По 10-нанометровым нормам, в частности, планируется изготавливать процессоры с кодовым именем Cannonlake, которые должны стать преемниками 14-нанометровых решений поколения Skylake (придут на смену Broadwell).

Intel

Intel

Добавим, что внедрение 10-нанометровой технологии также планирует контрактный производитель TSMC. Для этого тайваньская компания намерена сформировать специальное подразделение со штатом в 300–400 человек. Пробный выпуск 10-нанометровых изделий TSMC рассчитывает освоить в следующем году.

Форум IDF 2014 пройдёт в Сан-Франциско (Калифорния, США) с 9 по 11 сентября. 

TSMC ускорит развитие 10-нанометровой технологии

Компания TSMC, по сообщению DigiTimes, вынуждена ускорить развитие новых технологий производства микрочипов из-за усиливающейся конкуренции с Samsung.

Bohemian Nomad Picturemakers/Corbis

Bohemian Nomad Picturemakers/Corbis

В настоящее время и TSMC, и Samsung всецело заняты внедрением методики FinFET, которая предусматривает применение транзисторов с трёхмерной структурой. При этом TSMC будет производить продукцию по нормам 16 нанометров, а Samsung — 14 нанометров. Причём последняя уже получила крупного заказчика в лице компании Qualcomm, которая отказалась от услуг TSMC (поговаривают, что причиной стало выделение существенной части производственных мощностей TSMC под нужды Apple).

В конце текущего года на предприятиях TSMC стартует пробное производство чипов по 16-нанометровой методике FinFET. К концу 2014-го TSMC также планирует представить 16-нанометровый техпроцесс FinFET+, который обеспечит улучшенные показатели энергопотребления чипов.

Charles O'Rear/Corbis

Charles O'Rear/Corbis

Так или иначе, массовый выпуск продукции по технологии FinFET компании TSMC и Samsung освоят не ранее начала 2015-го. В то же время участники отрасли говорят, что TSMC не ожидала столь активного внедрения новой методики со стороны южнокорейской компании. Это и вынудило TSMC ускорить развитие технологии следующего поколения с нормами в 10 нанометров.

Ранее сообщалось, что TSMC намерена сформировать специальное подразделение со штатом в 300–400 человек для разработки и внедрения 10-нанометровой методики. Пробный выпуск чипов по такой технологии планируется начать в 2015 году. 

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥