Корпорация Intel намерена продемонстрировать на предстоящем форуме для разработчиков IDF 2014 процессоры нового поколения, изготовленные по 14-нанометровой технологии.

Intel

Речь идёт о чипах Broadwell, выход которых неоднократно откладывался в связи с определёнными производственными сложностями. В конце текущего года Intel начнёт поставки изделий Broadwell серии Core M, которые предназначены для портативных компьютеров, в том числе безвентиляторных устройств «2-в-1». Однако массовой платформа Broadwell станет не ранее 2015 года.

Сообщается также, что на IDF 2014 будут демонстрироваться кремниевые пластины с 10-нанометровыми чипами Intel. Внедрение данной технологии производства намечено на 2016 год. По 10-нанометровым нормам, в частности, планируется изготавливать процессоры с кодовым именем Cannonlake, которые должны стать преемниками 14-нанометровых решений поколения Skylake (придут на смену Broadwell).

Intel

Добавим, что внедрение 10-нанометровой технологии также планирует контрактный производитель TSMC. Для этого тайваньская компания намерена сформировать специальное подразделение со штатом в 300–400 человек. Пробный выпуск 10-нанометровых изделий TSMC рассчитывает освоить в следующем году.

Форум IDF 2014 пройдёт в Сан-Франциско (Калифорния, США) с 9 по 11 сентября.

Компания TSMC, по сообщению DigiTimes, вынуждена ускорить развитие новых технологий производства микрочипов из-за усиливающейся конкуренции с Samsung.

Bohemian Nomad Picturemakers/Corbis

В настоящее время и TSMC, и Samsung всецело заняты внедрением методики FinFET, которая предусматривает применение транзисторов с трёхмерной структурой. При этом TSMC будет производить продукцию по нормам 16 нанометров, а Samsung — 14 нанометров. Причём последняя уже получила крупного заказчика в лице компании Qualcomm, которая отказалась от услуг TSMC (поговаривают, что причиной стало выделение существенной части производственных мощностей TSMC под нужды Apple).

В конце текущего года на предприятиях TSMC стартует пробное производство чипов по 16-нанометровой методике FinFET. К концу 2014-го TSMC также планирует представить 16-нанометровый техпроцесс FinFET+, который обеспечит улучшенные показатели энергопотребления чипов.

Charles O'Rear/Corbis

Так или иначе, массовый выпуск продукции по технологии FinFET компании TSMC и Samsung освоят не ранее начала 2015-го. В то же время участники отрасли говорят, что TSMC не ожидала столь активного внедрения новой методики со стороны южнокорейской компании. Это и вынудило TSMC ускорить развитие технологии следующего поколения с нормами в 10 нанометров.

Ранее сообщалось, что TSMC намерена сформировать специальное подразделение со штатом в 300–400 человек для разработки и внедрения 10-нанометровой методики. Пробный выпуск чипов по такой технологии планируется начать в 2015 году.

Корпорация Intel объявила о заключении соглашения с Panasonic, предусматривающего контрактное производство микрочипов по заказу японской компании.

Intel

При изготовлении продукции для Panasonic будет задействована передовая 14-нанометровая технология и методика трёхмерных транзисторов Tri-Gate. Такой же техпроцесс, напомним, Intel намерена применять при выпуске собственных процессоров Broadwell для персональных компьютеров.

Отмечается, что комбинация 14-нанометровой технологии и транзисторов Tri-Gate позволит новым чипам Panasonic достичь более высоких показателей производительности и энергетической эффективности при расширении функциональности, нежели это возможно при использовании планарных транзисторов.

Intel

Произведённые на мощностях Intel «системы на чипе» будут применяться в аудиотехнике и видеооборудовании Panasonic высокого класса. О сроках появления таких продуктов на рынке не сообщается.

Добавим также, что соглашения об использовании производственных мощностей Intel ранее заключили ещё пять компаний: Altera, Achronix Semiconductor, Tabula, Netronome и Microsemi.

Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC), по сообщениям сетевых источников, вот-вот начнёт массовый выпуск продукции по передовой 20-нанометровой технологии по заказам участников IT-рынка.

TSMC изготавливает 20-нанометровые чипы с февраля этого года. Однако соответствующие производственные мощности практически эксклюзивно выделены под процессоры Apple A8, которые будут устанавливаться в смартфоны iPhone следующего поколения.

Как теперь сообщается, в ближайшее время массовое производство 20-нанометровых изделий будет развёрнуто на заводах TSMC Fab 12 и Fab 14. После этого тайваньский контрактный производитель сможет удовлетворить запросы других участников рынка, в частности AMD и NVIDIA.

Однако, как отмечается, появления 20-нанометровых графических процессоров стоит ждать лишь в конце третьего или в четвёртом квартале нынешнего года. Более того, AMD и вовсе ранее заявляла, что в 2014-м все продукты компании будут производиться с применением 28-нанометровой методики: это касается как графических решений, так и гибридных процессоров.

К концу года на рынок начнут поступать процессоры Intel нового поколения с кодовым именем Broadwell, производящиеся по передовой 14-нанометровой технологии. Во второй половине 2015-го компанию этим чипам составят 14-нанометровые изделия Skylake, отличающиеся улучшенной графической подсистемой, поддержкой памяти DDR3 и DDR4, а также отсутствием встроенного регулятора напряжения.

Теперь в распоряжении сетевых источников оказалась информация о процессорах с кодовым именем Cannonlake, которые должны стать преемниками Skylake.

Сообщается, что при изготовлении Cannonlake корпорация Intel задействует новую производственную технологию с нормами в 10 нанометров. Переход на этот техпроцесс позволит снизить энергопотребление и повысить производительность по сравнению с изделиями поколения Skylake.

Для работы с Cannonlake потребуется материнская плата на наборе системной логики Union Point 200-Series. Новая платформа обеспечит поддержку оперативной памяти DDR4.

Отмечается, что если у Intel не возникнет серьёзных сложностей с внедрением 10-нанометровой производственной технологии, вывод настольных и мобильных процессоров Cannonlake на рынок начнётся в 2016 году.

Исследователи из Техасского университета в Остине (США) спроектировали, как утверждается, самый маленький, быстрый и долго работающий наномотор в мире. В перспективе подобные моторы могут использоваться в микроскопических роботах, предназначенных для доставки медикаментов к индивидуальным клеткам в организме человека.

Наномотор состоит из трёх ключевых компонентов: нанопроволоки, наномагнита и микроскопических электродов. Размеры по всем трём осям не превышают одного микрометра. При этом изделие способно вращаться со скоростью до 18 000 оборотов в минуту, а время непрерывной работы достигает 15 часов.

Учёные говорят, что функционирование наномотора можно без проблем контролировать. Его можно включать/выключать, изменять направление вращения и даже синхронизировать с другими аналогичными наномоторами.

На поверхность нанопроволоки могут наноситься какие-либо биохимические компоненты для доставки в нужную точку организма. Эти вещества будут высвобождаться с интенсивностью, пропорциональной частоте вращения наномотора.

В конечном счёте, как полагают исследователи, наномоторы позволят управлять микроскопическими роботами, способными удалять индивидуальные клетки, представляющие опасность для организма человека. Это откроет новые перспективы лечения злокачественных опухолей и других недугов.

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), крупнейший контрактный производитель полупроводниковых микросхем, рассматривает возможность внедрения нескольких 16-нанометровых технологий выпуска продукции. Об этом сообщает DigiTimes, ссылаясь на информацию, полученную от отраслевых источников.

Сообщается, что в конце текущего года стартует пробное производство чипов по 16-нанометровой методике FinFET, которая предусматривает применение транзисторов с трёхмерной структурой. По сравнению с 28-нанометровой технологией плотность размещения транзисторов увеличена в два раза. При этом быстродействие может быть поднято на 35% при сохранении той же потребляемой мощности.

По данным DigiTimes, к концу 2014-го TSMC также планирует представить 16-нанометровый техпроцесс FinFET+. Массовое производство изделий по этой методике должно быть освоено в начале 2015-го, что поможет тайваньской компании более эффективно конкурировать с Intel, которая вскоре начнёт выпуск процессоров по 14-нанометровой технологии.

С целью дальнейшего улучшения характеристик микрочипов в 2015–2016 гг. TSMC намерена задействовать технологию FinFET Turbo, также предусматривающую нормы в 16 нанометров.

Отмечается, что внедрение техпроцессов FinFET+ и FinFET Turbo позволит TSMC получить крупные заказы на выпуск чипов для мобильных устройств. В частности, мощностями тайваньской компании может воспользоваться Apple для выпуска будущих процессоров А9.

Корпорация Intel сообщила о разработке универсальной 14-нанометровой схемы параллельно-последовательного/последовательно-параллельного преобразования со скоростью передачи данных от 1 до 16 Гбит/с. Это первая разработка в рамках семейства продукции, которое будет включать высокопроизводительные схемы со скоростью от 10 до 32 Гбит/с и схемы с пониженной мощностью со скоростью от 1 до 10 Гбит/с.

Отмечается, что изделия предыдущего поколения изготавливались по 22-нанометровой методике с применением транзисторов Tri-Gate с объёмной структурой. Новая разработка благодаря более «тонкому» техпроцессу расширяет рабочий диапазон и уменьшает объём потребления энергии на 20%. Кроме того, представленные схемы более чем на 40% компактнее 22-нанометровых продуктов.

14-нанометровые схемы преобразования со скоростью передачи информации до 16 Гбит/с поддерживают различные протоколы, включая USB, PCIe, Ethernet и 10G-KR, и «обеспечивают минимальные флуктуации при сохранении энергоэффективности и компактных размеров». Высокоскоростные схемы со скоростью передачи данных от 10 до 32 Гбит/с позволят реализовать эти преимущества в новых интерфейсах, включая OIF, 100G Ethernet и 32 Fibre Channel, используемых в высокопроизводительных сетях. Версия с пониженным уровнем энергопотребления сможет предоставить те же самые преимущества и обеспечить минимальное энергопотребление в режиме ожидания для протоколов MIPI M-PHY и USB SSIC, используемых в беспроводных устройствах.

Intel подчёркивает, что архитектура схем постоянно оптимизировалась по мере выхода новых поколений продукции, что «позволяет корпорации обеспечивать ведущие показатели энергопотребления, скорости работы и занимаемой площади».

Схемы параллельно-последовательного/последовательно-параллельного преобразования представляют собой готовые решения. Они включают развитую интеграцию, тестовую конфигурацию и способы моделирования системы. Помимо оптимизации таких показателей, как энергопотребление, скорость работы и размеры, были также улучшены другие характеристики, что обеспечило простоту интеграции, гибкость ориентации и настройки конфигурации протоколов.

Российская компания «НИИМЭ и Микрон», один из крупнейших производителей интегральных схем в Восточной Европе, переходит на 65-нанометровую технологию изготовления микрочипов.

Фотографии «Микрона»

Предыдущая технологическая модернизация на зеленоградском предприятии состоялась в начале 2012 года. Тогда в партнёрстве с государственной корпорацией РОСНАНО был реализован проект по созданию на базе ОАО «НИИМЭ и Микрон» производственной линейки интегральных схем «на основе наноэлектронной технологии с проектными нормами 90 нм на пластинах диаметром 200 мм». Технологическим партнёром проекта выступила компания STMicroelectronics.

Выпуск продуктов по 65-наноемтровой технологии начнётся в апреле. Первым таким изделием станет «универсальная встраиваемая память для различных вычислительных устройств».

Отмечается, что процесс производства по технологии 65 нм совместим с основной инфраструктурой и оборудованием существующей линии по выпуску интегральных схем на пластинах диаметром 200 мм. Тем не менее, для организации серийного производства 65-нанометровых микросхем потребовалось строительство новой «чистой комнаты» и закупка дополнительного фотолитографического оборудования у нидерландской компании ASML. Суммарные инвестиции в проект составили около 3 млрд рублей.

К третьему кварталу 2014 года «Микрон» планирует выпускать 500 пластин в месяц или больше — в зависимости от объёмов заказов. Основными потребителями новых микросхем, как ожидается, станут производители встраиваемой памяти, специализированных микропроцессоров, требующих ускоренной обработки данных, а также процессоров повышенной стойкости (используются в энергетике и т. п.). Кроме того, новые микросхемы будут использоваться в собственных научно-исследовательских и опытно-конструкторских работах предприятия.

Отметим, что крупнейший мировой производитель компьютерных процессоров — корпорация Intel — сейчас выпускает продукцию по 22-нанометровой технологии. В ближайшее время планируется переход на нормы 14 нм.