Однажды появится память, которая сможет работать в ядерных реакторах, в реактивных двигателях, на раскалённой поверхности планет и в других экстремально жарких условиях. Новая работа исследователей из Университета Мичигана вносит свой вклад в приближении этого момента. Предложенная ими память работает при температуре свыше 600 °C и будет функционировать даже в расплавленном свинце.

Источник изображения: University of Michigan

Обычная память на чипах из кремния не может работать при температурах выше 100–150 °C. Она основана на движении электронов (электрическом токе), а электроны при перегреве начинают идти вразнос — возникает электрический пробой и выход чипа из строя. Учёные из Университета Мичигана предложили заменить электроны атомами, точнее — ионами, которые выдерживают гораздо более высокие температуры без утраты контроля. Поскольку оперирование атомами — это уже химия, новая ячейка памяти получила название электрохимической.

Также новую ячейку можно назвать своего рода аккумулятором. Она представляет собой два рабочих слоя, разделённых твёрдым электролитом, а запоминание и стирание данных происходит точно так же, как заряд и разряд аккумулятора. Под воздействием напряжения на платиновых электродах насыщенный кислородом слой оксида тантала отдаёт ионы кислорода в слой металлического тантала. Электролит, передающий ионы между слоями, служит также сепаратором (барьером), который не допускает свободное хождение атомов и электронов между слоями.

Источник изображения: Cell 2024

В процессе миграции ионов кислорода в нижнем слое возникает тонкая прослойка из металлического тантала, а на верхнем слое — из оксида тантала. Эти слои и прослойки не смешиваются. Значение ячейки 0 или 1 будет определяться, стал ли нижний слой из оксида тантала проводником или ещё остаётся изолятором для тока. Значение будет сохраняться до тех пор, пока не изменится полярность электродов. Расчёты показывают, что ячейка может сохранять информацию при температуре свыше 600 °C в течение 24 часов. Иначе говоря — это энергонезависимая память.

Более тонкое регулирование внутреннего сопротивления ячейки позволяет удерживать до 100 уровней, что переводит разработку в плоскость вычислений на чипе. Разрядность расчётов резко увеличится, как и увеличится запоминающая способность такой памяти. В принципе, это старая добрая резистивная память ReRAM, только в чуть более оригинальном исполнении. И есть один нюанс. Предложенная память начинает работать только при нагреве до 150 °C. Но это не должно быть большой проблемой для тех сфер, для которых она предлагается.

Изначально стандарт CAMM продвигался компанией Dell, чтобы заменить модули SO-DIMM для ноутбуков, но в своём втором поколении такая память готовится прописаться и в настольных системах, что и доказала MSI в своей недавней трансляции. Представители тайваньской марки показали прототипы модулей памяти типа CAMM2 для настольных систем.

Источник изображений: MSI, ExtremeTech

Использование модулей CAMM2 в настольной системе (на фото слева) вынуждает производителя серьёзно переработать компоновку материнской платы. Особенность CAMM2 заключается в том, что такой модуль памяти устанавливается «плашмя» на материнскую плату, и ему нужно чуть больше пространства на её поверхности, чем паре модулей DIMM. Зато единственный модуль CAMM2 обеспечивает работу памяти в двухканальном режиме, и с этой точки зрения наблюдается некоторая экономия. Для установки CAMM2 на материнскую плату необходимо воспользоваться отвёрткой, поскольку он прикручивается к ней винтами через резьбовые стойки.

При желании модули памяти CAMM2 можно оснастить теплораспределителем, и даже снабдить его регулируемой подсветкой, но для этого придётся тянуть к памяти отдельный кабель. Такой вариант расположения модуля памяти в какой-то мере улучшает условия циркуляции воздуха в районе процессорного разъёма, но вот крупный 24-контактный разъём питания материнской платы из-за него приходится переносить в другое место. MSI расположила его над процессорным разъёмом, в «северной» части материнской платы. Представители MSI также подчеркнули, что модули CAMM2 устраняют недостаток модулей DIMM, который с ростом ёмкости теряли в номинальной производительности. Модули CAMM2 дешевле в производстве и обеспечивают более высокое быстродействие. Правда, это справедливо лишь для условий массового выпуска, а пока настольные CAMM2 будут оставаться дефицитным товаром, на низкие цены рассчитывать не придётся. Такая память может прописаться в настольных системах к концу года, когда производители предложат материнские платы очередного поколения.

Стоимость чипов оперативной памяти типа DDR4 заметно выросла в последнее время, несмотря на высокий уровень запасов и распространение памяти DDR5. Покупатели по-прежнему предпочитают DDR4 более новой DDR5 из-за того, что последняя продаётся по значительно более высокой цене, сообщает TrendForce в последнем отчёте о тенденциях цен на компьютерную память.

По данным аналитиков, средняя спотовая цена на популярные чипы DDR4 1Gx8 2666MT/s выросла на 2,92 % — с $1,918 на прошлой неделе до $1,974 на этой неделе. Поставщики чипов оперативной памяти намерены стабилизировать спотовые цены на продукцию DDR4. Тем не менее, эксперты отмечают, что для определения наметившегося роста необходим дальнейший мониторинг уровня запасов.

Источник изображениq: Trendforce

В то же время, спотовый рынок флеш-памяти NAND остаётся вялым, а цены на различные продукты начали снижаться после того, как цена на 512-гигабитные TLC-чипы в пластинах упала ниже порога в 3 доллара за штуку на прошлой неделе. При этом покупатели осторожно относятся к ценовым запросам, несмотря на замедление снижения спотовых цен, что не оставляет поводов для оптимизма в отношении сделок.

Аналитики TrendForce считают, что в третьем квартале цены на флеш-память NAND будут расти медленнее, чем ожидалось ранее. Это связано с тем, что производители активно наращивают производство, а спрос на рынке потребительской электроники остаётся слабым.

Источник изображения: Copilot

Согласно последнему отчёту аналитической компании TrendForce, корпоративный сектор продолжает инвестировать в серверную инфраструктуру, особенно на фоне растущего внедрения искусственного интеллекта (ИИ), что стимулирует спрос на корпоративные SSD. Однако рынок потребительской электроники остаётся вялым. Это, в сочетании с агрессивным наращиванием производства флеш-память поставщиками во второй половине года, с одной стороны может привести к увеличению коэффициента достаточности (CAR) на продукты NAND — до 2,3 % в третьем квартале, с другой стороны ограничит рост цен на 5-10 %.

Несмотря на то, что в этом году цены на флеш-память NAND показали заметное восстановление, поскольку производители усилено работали над тем, чтобы вернуть прибыльность, резкий рост производства и низкий спрос на розничном рынке привели к снижению цен.

В отношении клиентских SSD, даже несмотря на то, что продажи ноутбуков входят в традиционный сезон пикового спроса, настроение клиентов по закупкам остаётся умеренным. Цены на конечные продукты для ПК ещё не полностью отразили подорожание прошлого года, а объёмы закупок во второй половине года не показал значительного роста.

Источник изображения: Trendforce.com

В корпоративном сегменте, расширение внедрения серверов для ИИ стимулирует значительные инвестиции в ИТ-инфраструктуру и, как ожидается, приведёт к увеличению заказов серверных OEM (оригинальных производителей оборудования) в третьем квартале.

Для встраиваемых энергонезависимых систем памяти (eMMC) третий квартал не показал значительного спроса, однако производители настроены добиться повышения цен. Но это решимость может привести лишь к минимальному росту цен и оставить контрактные цены практически такими же.

В сегменте UFS (универсальный флеш-накопитель), высокие уровни запасов и медленная их реализация со стороны производителей, создают более широкий ценовой выбор для покупателей. Хотя производители и стремятся к значительному повышению цен в третьем квартале, но по мнению аналитиков, можно ожидать сопротивления со стороны покупателей. А в связи с избыточными запасами и слабым спросом на рынке, цены на UFS в третьем квартале могут увеличиться всего на 3-8 %.

Компания Lenovo выпустила ноутбук ThinkPad P1 с инновационной технологией памяти LPCAMM2, которая энергоэффективна как распаиваемая память LPDDR, но при этом модуль можно легко заменить, открутив всего 3 винта. До сих пор производителям приходилось выбирать между съёмной и энергоэффективной оперативной памятью. LPCAMM2 пытается устранить различия.

Источник изображений: iFixit

До появления LPCAMM2 производителям приходилось делать непростой выбор между классическими модулями оперативной памяти типа SO-DIMM, и энергоэффективной, но несъёмной памятью LPDDR, припаянной к материнской плате. Теперь же LPCAMM2 совмещает преимущества обеих технологий.

Модули LPCAMM2 крепятся к материнской плате при помощи винтов, а не припаиваются, как обычная память LPDDR в современных ноутбуках. Это делает LPCAMM2 легко заменяемой и модернизируемой. Пользователь может самостоятельно увеличить объём ОЗУ или заменить вышедший из строя модуль.

Как продемонстрировали специалисты iFixit на примере ноутбука ThinkPad P1, заменить модуль LPCAMM2 можно всего за пару минут. Для этого достаточно снять крышку корпуса, извлечь аккумулятор и открутить три винта крепления памяти отверткой. Процедура аналогична замене жёсткого диска или оперативной памяти в настольных ПК.

Помимо Micron, разработавшей стандарт LPCAMM2, к производству такой памяти уже подключились компании Samsung и ADATA, что указывает на то, что новый формат может быстро получить широкое распространение и станет де-факто отраслевым стандартом, а пользователи избавятся от проблем с недостатком объёма или выходом из строя памяти в ноутбуках.