Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Micron похвасталась разработкой GDDR7 со скоростью выше 40 Гбит/с для видеокарт будущего и ИИ-систем
25.09.2025 [22:01],
Николай Хижняк
Компания Micron разработала память GDDR7, обеспечивающую скорость свыше 40 Гбит/с на контакт. Об этом компания сообщила в рамках своей последней конференции, посвящённой финансовым результатам. Новая память более чем на 25 % быстрее, чем GDDR7, которая в настоящий момент поставляется в составе видеокарт. 
Источник изображений: Micron Более скоростные модули памяти обеспечивают новый скачок в производительности графических процессоров и систем искусственного интеллекта. Хотя игровых видеокарт, в составе которых применяются чипы памяти GDDR7 со скоростью 40 Гбит/с, в ближайшее время ожидать не стоит, никто не исключает, что они появятся в будущем. Возможно, мы увидим более быстрые чипы GDDR7 в графических ускорителях Nvidia RTX 60-й серии или в видеокартах AMD Radeon на архитектуре RDNA 5. «В тесном сотрудничестве с Nvidia компания Micron стала пионером в использовании LPDRAM для серверов. С момента запуска Nvidia LPDRAM в линейке гигабайтных продуктов Micron является единственным поставщиком LPDRAM для центров обработки данных. Помимо лидерства в сегментах памяти HBM и LP5, Micron также занимает выгодные позиции благодаря своим продуктам GDDR7, которые обеспечивают сверхвысокую производительность со скоростью передачи данных более 40 Гбит/с, а также лучшую в своём классе энергоэффективность для удовлетворения потребностей некоторых будущих систем искусственного интеллекта», — говорится в заявлении Micron.  Если верить последним утечкам, видеокарты Nvidia RTX 50 Super предложат увеличенный объём видеопамяти по сравнению с оригинальными моделями ускорителей RTX 50-й серии. Также, согласно слухам, Nvidia может использовать в модели RTX 5080 Super память GDDR7 со скоростью передачи данных 36 Гбит/с. Производители графических процессоров часто избегают использования более быстрой памяти из-за ценовых соображений, а также из-за ограниченной доступности. Это ещё одна причина, по которой не стоит ожидать появления 40-гигабитной GDDR7 в составе игровых видеокарт в ближайшем будущем. Грядёт подорожание SSD: цены на память NAND вырастут на 5–10 % в четвёртом квартале
25.09.2025 [15:04],
Алексей Разин
По данным TrendForce, на рынке флеш-памяти основная покупательская активность сконцентрировалась в первом полугодии, поэтому от второго аналитики ожидали некоторого спада, но резко возросший спрос на QLC для SSD корпоративного класса нарушил наметившийся тренд. В результате в следующем квартале цены на NAND могут вырасти на 5–10 %. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как отмечают авторы исследования, к всплеску интереса облачных провайдеров к памяти типа QLC привёл возникший дефицит жёстких дисков, и теперь в качестве альтернативы HDD они готовы временно рассматривать твердотельные накопители большой ёмкости на основе QLC NAND. Компания SanDisk сразу же подняла цены на 10 %, а Micron прекратила принимать заказы для пересмотра условий поставок. Контрактные цены на NAND в четвёртом квартале могут в результате увеличиться на 5–10 %, причём не только на QLC. По итогам третьего квартала они выросли только на 3–8 %. Расширение производственных мощностей большинством участников рынка на этом направлении не предусматривается, поскольку они сосредоточены на миграции в сторону более совершенных технологий производства с целью снижения издержек. Это значит, что предложение будет отставать от спроса на NAND, и цены вернутся к росту после наметившейся было ранее стабилизации. Если расширение производства в сегменте и будет наблюдаться, то главным образом в сфере QLC. За пределами облачного рынка спрос на твердотельную память продолжит оставаться вялым. Тем более, что облачные провайдеры и OEM-производители основную часть своих товарных запасов успели сформировать в первом полугодии. По мере экспансии ускорителей семейства Blackwell спрос на твердотельные накопители серверного класса продолжит расти в этом полугодии, поскольку предпосылок для снижения дефицита жёстких дисков не наблюдается. В клиентском секторе спрос и предложение на SSD приблизились к равновесию по итогам первого полугодия, поэтому во втором покупательский интерес будет проявляться только к моделям большой ёмкости на основе QLC. В корпоративном сегменте спрос сконцентрирован на моделях SSD объёмом более 120 Тбайт. Здесь возможно сохранение дефицита на протяжении следующего года, цены начнут расти уже в четвёртом квартале текущего. В сегменте eMMC и UFS давление на цены оказывает не только слабый спрос в клиентском секторе, но и высокая конкуренция со стороны китайских поставщиков. В таких условиях если цены на память такого типа и будут повышены в четвёртом квартале, то главным образом с целью покрытия убытков на стороне производителей. Цены на кремниевые пластины для изготовления NAND в четвёртом квартале тоже наверняка вырастут, поскольку в сфере производства серверных накопителей будет сохраняться высокий спрос на них. Представлены наборы памяти DDR5 объёмом до 256 Гбайт со штатным кулером на три вентилятора
23.09.2025 [16:20],
Николай Хижняк
Компания Origin Code анонсировала высокоскоростные комплекты оперативной памяти Vortex DDR5, которые оборудованы системами охлаждения с тремя небольшими вентиляторами. 
Источник изображений: Origin Code Производитель анонсировал комплекты памяти DDR5-6200 CL26 объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт), DDR5-6000 CL26 объёмом 192 Гбайт (4 × 48 Гбайт), DDR5-6000 CL30 объёмом 256 Гбайт (4 × 64 Гбайт), а также комплект DDR5 объёмом 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт) с поддержкой профилей разгона AMD EXPO до 6000 и 8000 МТ/с.  Модули ОЗУ оснащены RGB-подсветкой. Также подсветку имеет комплектная система охлаждения. Размеры последней составляют 40 × 40 × 20 мм. В её состав входят три вентилятора, создающие воздушный поток до 22,5 CFM. По словам производителя, данная система охлаждения улучшает рассеивания тепла до 39,8 %. Производитель заверяет, что она обладает низким уровнем шума.  Дополнительной информацией об анонсированных новинках компания обещает поделиться к середине октября. Стоимость представленных комплектов памяти неизвестна. Также Origin Code не сообщила, когда они поступят в продажу. Российский специалист по ремонту ПК-оборудования VIK-on выпустил DDR5-тестер для ноутбуков
17.09.2025 [23:00],
Николай Хижняк
Российский специалист по ремонту компьютерного оборудования, моддер и видеоблогер VIK-on разработал тестер оперативной памяти DDR5 для ноутбуков. Почему для ноутбуков? Потому что многие настольные материнские платы имеют встроенный индикатор POST-кодов. 
Источник изображений: YouTube / VIK-on Тестер, разработанный VIK-on, выполнен в виде платы размером с модуль ОЗУ SO-DIMM, оснащённой дисплеем для отображения ключевых параметров слота ОЗУ. Устройство способно отслеживать напряжение памяти и активность шины SPD, что позволяет понять — видит ли система установленные модули ОЗУ. Данная функция присутствовала в тестерах, ранее выпущенных для проверки модулей памяти DDR3 и DDR4, и стала одной из главных причин, по которой VIK-on решил вывести на рынок версию тестера для DDR5.  Также устройство оснащено специальной кнопкой, которая позволяет вывести на экран 5 последних POST-кодов, однако в настоящий момент эта функция доступна только на ноутбуках Asus на базе плат Quanta.  Из-за более сложного стандарта DDR5 место для микросхем памяти на тестовом модуле отсутствует. Вместо этого пространство используется для дополнительных функций тестера. VIK-on отмечает, что ноутбуки на базе платформы AMD могут не отображать сигналы сброса. Платформы Intel предоставляют общий сигнал сброса и работают корректно с тестером. Данный тестер оперативной памяти DDR5 предназначен для энтузиастов и специалистов по ремонту. Сервис VIK-on уже начал продавать их по цене 3800 рублей за штуку. Вместе с этим было объявлено об окончании продаж аналогичных тестеров для памяти DDR3 и DDR4 в связи со снижением спроса на эти продукты. SanDisk нагнетает: дефицит флеш-памяти продлится как минимум до 2026 года, и SSD будут дорожать
17.09.2025 [13:50],
Анжелла Марина
Генеральный директор SanDisk Дэвид Геккелер (David Goeckeler) заявил, что мировой рынок чипов NAND-памяти столкнётся с дефицитом вплоть до 2026 года. Такой прогноз был озвучен на недавно прошедшей конференции Goldman Sachs Communacopia + Technology Conference. 
Источник изображений: SanDisk Причиной нехватки поставок, как пишет TrendForce, стал взрывной рост спроса со стороны центров обработки данных, которые переходят от обучения искусственного интеллекта (ИИ) к инференсу — процессу применения уже обученной модели к новым, ранее не встречавшимся данным для получения выводов и результатов, что требует огромных объёмов памяти. Эта тенденция уже спровоцировала волну повышения цен всеми крупными игроками рынка, включая SanDisk, Micron и Western Digital. Геккелер подчеркнул, что компания видит в дата-центрах основной драйвер роста и придерживается стратегии сбалансированного подхода к расширению мощностей, чтобы контролировать соответствие спроса и предложения. Он отметил, что не ожидает стабилизации рынка до 2026 года, и условия дефицита, вероятно, сохранятся на протяжении всего этого периода. Согласно информации от TechPowerUp, SanDisk уже повысил цены на 10 % для всех каналов сбыта и потребительских продуктов (изменения касаются заказов, сделанных после 5 сентября). Компания объяснила это ростом спроса со стороны ИИ-приложений, дата-центров и мобильных устройств. Главный финансовый директор SanDisk Луис Висосо (Luis Visoso) сообщил, что компания видит дальнейшие возможности для повышения цен в сегменте клиентских устройств, дата-центров и облачных решений, поскольку условия по ценам и объёмам согласовываются ежеквартально с каждым клиентом индивидуально. Параллельно SanDisk активно ускоряет переход на новые производственные технологии. Ожидается, что в этом году доля памяти BICS 8 в портфеле компании увеличится с текущих значений до 40–50% к концу финансового года. При этом компания ускорила дорожную карту: после перехода с BICS 5 на BICS 6 для QLC-памяти теперь планируется полное развёртывание BICS 8 в течение ближайших нескольких лет. Ранее в этом году SanDisk раскрыла информацию о разработке технологии High Bandwidth Flash (HBF) и подписании меморандума о взаимопонимании с южнокорейской SK hynix для совместного определения спецификаций. Как поясняет Sisa Journal, если HBM увеличивает пропускную способность за счёт стекирования чипов DRAM, то HBF достигает резкого роста параллельных операций ввода-вывода путём стекирования массивов 3D NAND. На той же конференции в Goldman Sachs компания сообщила, что HBF будет готова к внедрению к концу 2026 года, а полноценные системы, включая контроллеры и ASIC, поступят в продажу в начале 2027 года. Первое поколение HBF будет использовать 16-слойную структуру памяти, обеспечивая до 512 Гбайт на один стек при пропускной способности, сопоставимой с HBM, и ёмкости, превышающей её в 8–16 раз. Производители флеш-памяти готовятся резко задрать цены — грядёт подорожание SSD
15.09.2025 [13:54],
Алексей Разин
Наибольшую выгоду от бума ИИ до сих пор получали преимущественно производители ускорителей вычислений и компонентов для них, включая поставщиков памяти типа HBM, а вот прочая отрасль по выпуску памяти оставалась в стороне от этих тенденций. В следующем году всё может измениться, как считают участники рынка, — многие из них уже начали готовиться к резкому росту цен. 
Источник изображения: Micron Technology О настроениях поставщиков памяти и их ближайших партнёров поведало тайваньское издание DigiTimes. Компания SanDisk в этой сфере, как отмечается, выступила в роли инициатора неприятных для покупателей изменений, объявив о повышении цен на NAND на 10 %. Компания Micron Technology, как отмечают источники, на этой неделе перестала раскрывать цены на DRAM и NAND своим клиентам, желающим заключить контракты на поставку такой продукции. По некоторым оценкам, Micron готовится повысить цены на твердотельную память сразу на 30 % уже по итогам четвёртого квартала текущего года. Некоторые производители твердотельных накопителей ожидают, что цены вырастут на 10 или 15 %. Micron в этой сфере, как предполагается, пока «прощупывает почву». В следующем году, по мнению экспертов, облачные гиганты начнут остро нуждаться в твердотельных накопителях большой ёмкости — в силу сохранения так называемого бума систем искусственного интеллекта. Потребительский рынок сам по себе дополнительной потребности в твердотельных накопителях испытывать не должен, но концентрация производителей на удовлетворении спроса в серверном сегменте неизбежно приведёт к повышению цен на всём рынке. В этом году до 30 % всех проданных SSD могут оказаться в серверных системах. Больше всего вырастет спрос на QLC NAND, поскольку этот тип памяти позволяет создавать наиболее доступные твердотельные накопители большой ёмкости, востребованные в инфраструктуре ИИ. Во второй половине следующего года на рынке может образоваться дефицит флеш-памяти NAND. Разработчик контроллеров для SSD — тайваньская компания Phison Electronics, по данным DigiTimes, пока также перестала информировать клиентов о ценах на свою продукцию, ожидая соответствующих сигналов от поставщиков твердотельной памяти. В четвёртом квартале начнут формироваться новые долгосрочные контракты на поставку микросхем NAND и DRAM, поэтому цены скоро вырастут достаточно серьёзно, если производители будут уверены, что столкнутся с дефицитом в следующем году. Оперативная память DRAM также может подорожать по сопоставимым причинам. По крайней мере, всё та же Micron Technology перестала предоставлять клиентам информацию и о текущих ценах на DDR4, DDR5, LPDDR4 и LPDDR5. Не исключено, что в ближайшие месяцы цены вырастут на 10 %, а по некоторым позициям типа памяти для автомобильной электроники будет наблюдаться рост на все 70 %. Собственно говоря, дефицит DDR4 из-за снятия этой памяти с производства крупными поставщиками уже подогревает цены, и дорожать начала даже DDR5. Corsair выплатит пользователям компенсацию в $5,5 млн за «неправильные» скорости DDR4 и DDR5
14.09.2025 [05:36],
Анжелла Марина
Компания Corsair, известный производитель высокопроизводительного оборудования для геймеров и энтузиастов, достигла соглашения по коллективному иску, связанному с некорректной рекламой скоростей оперативной памяти в профилях XMP (Extreme Memory Profile). По сообщению Tom's Hardware, пользователи, которые приобрели модули памяти с 2018 по 2025 год, смогут претендовать на денежную компенсацию в рамках урегулирования спора. 
Источник изображения: Corsair В 2022 году против Corsair был подан иск «МакКинни и другие против Corsair Gaming», в котором утверждалось, что модули памяти Vengeance и Dominator DDR4/DDR5 рекламировались с указанием высоких скоростей, таких как DDR4-3600 или DDR5-6400, без явного указания, что эти показатели достигаются только при ручной настройке в BIOS через профили разгона XMP. По умолчанию модули работают на стандартных скоростях JEDEC (DDR4-2133 для DDR4 и DDR5-4800 для DDR5), а достижение заявленных скоростей зависит от процессора, материнской платы и качества чипов. Corsair не признала вину, но согласилась на урегулирование спора на сумму $5,5 млн. Компания также обязалась добавить на упаковку и сайты уточнения, включая формулировку «up to» для скоростей передачи данных и информацию о необходимости разгона. Соглашение распространяется на американских покупателей наборов памяти DDR4 и DDR5. Можно подать до пяти заявок на компенсацию без предоставления чеков для небольших сумм. Размер выплат зависит от числа поданных заявок. Заявки принимаются на сайте производителя до 28 октября 2025 года, а окончательное слушание по урегулированию назначено на 4 декабря 2025 года. Примечательно, что проблема рекламы скоростей XMP не уникальна для Corsair — большинство производителей памяти указывают в рекламе скоростные профили разгона, а не базовые стандарты JEDEC. V-Color представила модули памяти XFinity+ DDR5 с встроенным OLED-экраном
12.09.2025 [22:27],
Николай Хижняк
Компания V-Color представила модули оперативной памяти XFinity+ DDR5. Новинки выделяются тем, что оснащены встроенным OLED-экраном. Указанные модели ОЗУ производитель впервые показывал на выставке Computex летом этого года. Модули ОЗУ разработаны в коллаборации с компанией Gigabyte. Решение направлено на энтузиастов и оверклокеров. 
Источник изображений: V-Color Дисплей, установленный в радиатор модулей памяти XFinity+ DDR5, работает непосредственно от слота DIMM материнской платы и не требует дополнительного питания. Он может отображать в реальном времени информацию о выбранном профиле разгона (Intel XMP или AMD EXPO), ёмкости модуля, его скорости, таймингах, напряжении и температуре. 
 V-Color запатентовала данное решение. Модули памяти XFinity+ могут отображать информацию на дисплее даже во время загрузки ПК, до входа в операционную систему. Помимо OLED-экрана память XFinity+ оснащена ARGB-подсветкой с настраиваемыми эффектами. Настройки доступны через фирменную утилиту Gigabyte для управления подсветкой материнских плат.  Для платформы Intel будут предлагаться комплекты DDR5-8000, DDR5-8200 и DDR5-9066 объёмом 32, 48 и 64 Гбайт и таймингами CL38, CL40 и CL42. Для платформы AMD будут доступны комплекты DDR5-6000, DDR5-8000 и DDR5-9000 на 32, 48 и 64 Гбайт с таймингами CL26, CL28, CL30, CL40 и CL42.  В первых комплектах один модуль ОЗУ с OLED-дисплеем будет сочетаться с соответствующим стандартным модулем без OLED-экрана. Планки будут доступны в белом и чёрном исполнении. Позже планируется выпуск комплекта 2+2 SCC (с двумя модулями памяти и двумя пустышками с RGB-подсветкой), что позволит расширить возможности кастомизации.  V-Color отмечает, что модули памяти XFinity+ DDR5 поступят в продажу в третьем квартале этого года. Первые парти будут доступны в американском онлайн-магазине компьютерных комплектующих Newegg. Затем последует выпуск на торговой площадке Amazon, а после — по всему миру. SK hynix начала массовое производство флеш-памяти ZUFS 4.1 для смартфонов с ИИ
11.09.2025 [21:27],
Анжелла Марина
Компания SK hynix объявила о начале поставок мобильной NAND-памяти ZUFS 4.1, которая значительно повышает производительность по сравнению со стандартными накопителями UFS, сокращая время запуска приложений на 45 %. Технология оптимизирована для устройств с искусственным интеллектом (ИИ) и обработки больших объёмов данных. 
Источник изображения: SK hynix ZUFS 4.1, или Zoned UFS, представляет собой расширенную спецификацию стандарта UFS, в которой применяется технология зонированного хранения, когда данные распределяются по разным зонам в зависимости от их типа и частоты использования. По сообщению компании, в июне завершён процесс сертификации продукта в тесном сотрудничестве с клиентами, а уже в июле запущено массовое производство и поставки клиентам. При интеграции в смартфон технология ZUFS 4.1 перекладывает часть работы по управлению данными на ОС, которая стремится перезаписывать данные в пределах выделенных для них зон последовательно, минимизируя необходимость в «сборке мусора» и снижая «коэффициент усиления записи». Благодаря этому смартфон сохраняет высокую скорость даже после длительного использования. По словам SK hynix, это позволяет сократить время запуска обычных приложений на 45 %, а приложений на основе ИИ — на 47 %. Эти характеристики делают ZUFS 4.1 оптимальным решением для современной мобильной среды, где критически важна обработка данных на устройстве и работа встроенных ИИ-моделей. Кроме того, по сравнению с версией 4.0, представленной в мае 2024 года, в ZUFS 4.1 значительно улучшены механизмы обработки ошибок: система теперь точнее выявляет их и чётко сообщает центральному процессору, какие действия требуются для исправления. По словам Джастин Кима (Justin Kim), президента и руководителя направления ИИ-инфраструктуры SK hynix, ZUFS 4.1 является первым продуктом, разработанным и запущенным в массовое производство для оптимизации операционной системы Android и устройств хранения данных. В перспективе область его применения будет расширяться. При этом компания намерена и впредь своевременно поставлять NAND-продукты, отвечающие запросам клиентов, одновременно укрепляя партнёрство с глобальными компаниями для усиления своих позиций в секторе памяти для искусственного интеллекта. Kioxia вместе с Nvidia разрабатывают PCIe 7.0 SSD в 100 раз быстрее нынешних — его представят в 2027 году
11.09.2025 [17:43],
Сергей Сурабекянц
Японская Kioxia в партнёрстве с Nvidia планирует к 2027 году вывести на рынок твердотельные накопители с почти 100-кратным увеличением производительности по сравнению с текущими моделями. Эти SSD будут в первую очередь предназначены для серверов с ИИ и призваны частично компенсировать недостаток HBM на борту графических процессоров. По прогнозам Kioxia, к 2029 году почти половина спроса на флеш-память будет связана с ИИ. 
Источник изображения: Kioxia Главный инженер Kioxia по применению SSD Коити Фукуда (Koichi Fukuda) сообщил, что в настоящее время компания занята разработкой SSD, отвечающего требованиям и запросам Nvidia. Главным их отличием станет возможность прямого обмена данными между графическим процессором и твердотельным накопителем, минуя центральный процессор. Поставки тестовых образцов должны начаться во второй половине 2026 года. Предполагается, что новые SSD повысят производительность случайного чтения почти в 100 раз — примерно до 100 миллионов операций ввода-вывода в секунду (IOPS), что значительно ускорит обработку данных на графических процессорах. Тем не менее, в идеале Nvidia хотела бы получить накопители с производительностью 200 млн IOPS. Инженеры Kioxia планируют достичь такой скорости с помощью массива из двух SSD-накопителей. Ожидается, что накопители будут поддерживать PCIe 7.0 — стандарт интерфейса SSD следующего поколения. Другие перспективные продукты на базе памяти NAND, включая Nearline SSD, также могут получить признание по мере сокращения поставок жёстких дисков в конце 2026 – начале 2027 года, в то время как флеш-память с высокой пропускной способностью (HBF) может помочь устранить узкие места в памяти кластеров ИИ. Аналитики отмечают тенденцию к увеличению инвестиций в память NAND после почти двухлетнего перерыва. Этому способствует растущий спрос на технологии вывода данных для ИИ и потребность в высокоскоростных хранилищах большой ёмкости с произвольным доступом ввода-вывода. Эксперты полагают, что к 2029 году на долю памяти NAND, предназначенной для ИИ, будет приходиться 34 % (около $29 млрд) мирового рынка флеш-памяти. Растущий спрос на NAND может в 2026 году привести к её дефициту в размере 2 %. Если сбудутся прогнозы о перехвате твердотельными накопителями 5-процентной доли рынка у жёстких дисков, общий дефицит NAND может возрасти до 8 %. Lexar выпустила комплекты памяти Thor RGB DDR5 2nd Gen — до 128 Гбайт и до 6400 МТ/с
03.09.2025 [21:02],
Николай Хижняк
Компания Lexar сообщила о выпуске новых комплектов оперативной памяти Thor RGB DDR5 второго поколения со скоростью до 6400 МТ/с. Первое поколение этих комплектов ОЗУ производитель выпустил в 2023 году. 
Источник изображений: Lexar Размеры новых модулей Thor RGB DDR5 2nd Gen составляют 135,4 × 45 × 7,4 мм. Они отличаются тонким лаконичным дизайном и обновлённым цельным алюминиевым радиатором с пескоструйной обработкой. RGB-подсветка модулей памяти дополнена восемью светодиодами с тринадцатью различными режимами.  Модули ОЗУ предлагают скорость 6000 и 6400 МТ/с. В серию Thor RGB DDR5 2nd Gen вошли три комплекта памяти: на 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт), 64 Гбайт (2 × 32 Гбайт) и 128 Гбайт (2 × 64 Гбайт). Все поддерживают профили Intel XMP 3.0 и AMD EXPO для упрощённого разгона. Тайминги зависят от скорости и объёма комплекта.
Lexar предоставляет на комплекты памяти Thor RGB DDR5 2nd Gen пожизненную гарантию. Но только в тех странах, где признаются такие гарантийные условия. Например, в Германии срок гарантии составляет 10 лет.  Представленные комплекты памяти Lexar будут предлагаться под двумя названиями: Thor RGB DDR5 2nd Gen для европейских розничных каналов и Thor Z RGB через Amazon. Стоимость модулей ОЗУ пока не сообщается. Первую в мире 321-слойную флеш-память 3D QLC NAND начала массово выпускать SK hynix
25.08.2025 [09:55],
Алексей Разин
В сфере производства памяти типа 3D NAND индикатором прогресса остаётся увеличение количества слоёв, и южнокорейская компания SK hynix недавно заявила о завершении разработки и начале серийного выпуска 321-слойных чипов QLC в 2-терабитном исполнении. Это первый в мире случай использования более чем 300 слоёв при выпуске микросхем памяти типа QLC. На рынок новые чипы выйдут в следующем полугодии. 
Источник изображения: SK hynix Как отмечает SK hynix, ёмкость новых чипов в два раза превышает имеющиеся аналоги. Увеличив количество рабочих плоскостей в составе ячеек с 4 до 6, компания надеется не только обеспечить рост быстродействия на операциях чтения, но и обеспечить длительное сохранение заявленных на старте показателей скорости в процессе эксплуатации. Скорости передачи информации по сравнению с изделиями предыдущего поколения удвоились, скорость записи выросла на величину до 56 %, скорость чтения на величину до 18 %. Энергоэффективность на операциях записи увеличилась более чем на 23 %, что позволяет рекомендовать новую 321-слойную память для использования в системах с искусственным интеллектом, где энергопотребление является серьёзным сдерживающим развитие инфраструктуры фактором. При этом SK hynix в первую очередь начнёт поставлять 321-слойные чипы QLC для производства накопителей для ПК, и только потом они пропишутся в серверном сегменте и смартфонах. В одной упаковке могут объединяться 32 кристалла NAND, поэтому данная память с лучшей стороны проявит себя на рынке серверных накопителей. На рынке соответствующая память появится в первой половине следующего года. Kioxia разогнала флеш-память до 64 Гбайт/с в прототипе SSD будущего
21.08.2025 [15:47],
Павел Котов
Марка Kioxia, возможно, не относится к разряду самых известных в мире ПК, но в сегменте серверов и центров обработки данных это признанный лидер по части быстрых накопителей. Она в очередной раз подтвердила свой статус, изготовив прототип накопителя на базе флеш-памяти (своего рода SSD), сочетающего высокие скорость и ёмкость. 
Источник изображений: kioxia.com Разработанное устройство с объёмом хранилища 5 Тбайт теоретически может передавать данные со скоростью до 64 Гбайт/с — и это показатель только для одного модуля, а их можно объединить в массив. Прототип работает с интерфейсом PCIe 6.0 и потребляет до 40 Вт, что важно для ЦОД, где ценится высокая эффективность.  Для поддержания высоких скоростей инженеры Kioxia подключили по контроллеру к каждому модулю памяти и объединили эти пары (память + контроллер) в каскадную конфигурацию — это позволяет масштабировать хранилище, подключая к нему новые накопители без ущерба для пропускной способности системы. Отказ от параллельной передачи сигналов между контроллерами позволил снизить потребление энергии и защитил целостность сигнала, используя модуляцию PAM4, предполагающую четыре уровня напряжения на два бита данных за такт — в результате удалось добиться пропускной способности между контроллерами в 128 Гбит/с.  На каждом контроллере также удалось уменьшить задержку при чтении данных за счёт кеширования. Усовершенствованные механизмы обработки сигналов помогли выйти на скорость передачи данных в 4 Гбит/с между контроллером и его флеш-памятью внутри модуля. Kioxia заявила о готовности развернуть такие накопители в системах любого назначения, но первыми клиентами, видимо, станут крупные ЦОД для систем искусственного интеллекта. Во втором квартале после обретения независимости SanDisk показала рост выручки и прибыли
15.08.2025 [11:13],
Алексей Разин
Отделение от Western Digital, как можно помнить, принесло SanDisk вместе с независимостью и убыток в размере $103 млн, который был вызван переоценкой так называемой деловой репутации (goodwill). Во втором квартале на финансовые результаты деятельности SanDisk этот фактор уже не влиял, и она выступила более удачно с точки зрения динамики выручки и прибыли.  В частности, совокупная выручка компании во втором квартале выросла на 8 % в годовом сравнении до $1,9 млрд, а последовательно она увеличилась на 12 %. Операционные расходы хоть и выросли на несколько процентов до $402 млн, сильно навредить норме прибыли не смогли, и так последовательно выросла на 3,7 процентных пункта до 26,4 %. Впрочем, за год до этого данный показатель достигал более приличных 36,4 %, так что простор для улучшения есть. Операционная прибыль компании в прошлом квартале, который стал заключительным в 2025 фискальном году, сократилась год к году на 61 % до $100 млн, но выросла в пятьдесят раз последовательно.  Структура выручки SanDisk такова, что компания более чем на половину зависит от клиентского сегмента, где она в минувшем квартале выручила $1,1 млрд, однако на этом направлении выручка выросла последовательно сразу на 19 %. Этому во многом способствовала подготовка рынка ПК к завершению поддержки Windows 10 и сопутствующий рост спроса. Впрочем, рынок смартфонов и рост популярности ПК с поддержкой локального ускорения ИИ тоже сделали свой вклад в положительную динамику выручки. В сегменте потребительской электроники выручка последовательно увеличилась на 2 % до $585 млн. Наконец, в облачном сегменте выручка компании последовательно выросла на 8 % до $213 млн, но доля этого направления в натуральном выражении достигла 12 %, поэтому значение серверного сегмента для бизнеса компании продолжит расти в ближайшее время. Тем более, что серверные системы с ускорителями Nvidia GB300 в своём составе, например, оснащаются твердотельными накопителями SanDisk. В целом по компании средняя цена реализации продукции увеличилась по итогам прошлого квартала примерно на 5 %, таким же оказался и прирост объёмов поставок в ёмкостном выражении. Сверхскоростная флеш-память вместо HBM: SanDisk и SK hynix объединились для революции в ИИ-ускорителях
07.08.2025 [10:19],
Геннадий Детинич
Один из вариантов будущей революции в мире ускорителей вычислений и искусственного интеллекта сегодня обрёл ясные очертания. Переворот начнётся осенью 2026 года, а взрывное расширение возможностей ИИ последует за ним в 2027 году. Двигателем революции названа компания SanDisk, которая теперь начнёт работать над планами будущей экспансии в тесной кооперации с компанией SK hynix. 
Источник изображений: SanDisk Ломать устоявшиеся правила на рынке ИИ-ускорителей SanDisk намерена с помощью нового типа флеш-памяти — HBF (High Bandwidth Flash). Анонс технологии состоялся в феврале 2025 года. Основная идея заключается в многократном увеличении объёма памяти ускорителей по сравнительно доступной цене. Не секрет, что плотность записи чипов NAND-флеш растёт кратно быстрее ёмкости чипов DRAM и HBM, как одной из её разновидностей. Этому способствует запись нескольких бит в каждую ячейку и многослойная (стековая) структура NAND. Память HBM пока не производится с подобной архитектурой. Вся её многослойность — это простое нагромождение довольно крупных кристаллов. Поэтому замена в ускорителях памяти HBM на память HBF позволит настолько сильно увеличить бортовую память ИИ-модулей, что в каждый из них можно будет загружать полноценную большую языковую модель, не используя для этого оперативную память, SSD, HDD и шины данных ускорителя. Также можно ожидать, что переход с оперативной памяти на флеш-память в ИИ-ускорителях позволит снизить энергопотребление соответствующих дата-центров: флеш-памяти не требуется питание для удержания данных и энергия для регенерации ячеек.  В компании SanDisk уже решили, как будут преодолевать главное ограничение флеш-памяти в качестве замены оперативных блоков DRAM — высокие задержки (с пропускной способностью, как раз, всё хорошо). Для этого массив HBF будет разбит на множество небольших областей, что, по сути, будет означать ввод в обиход очень широкой шины данных. Например, шириной 32 768 бит, как предлагает другая компания с такими же революционными амбициями — NEO Semiconductor. Ранее в качестве примера SanDisk приводила сравнение современного объёма HBM в GPU в случае замены на HBF: это приведёт к 8–16-кратному увеличению объёма бортовой памяти ускорителей при тех же затратах на производство. Например, в случае HBF произойдёт замена каждого стека HBM объёмом 24 Гбайт на стек HBF ёмкостью 512 Гбайт. Таким образом, при полной замене HBM ускоритель сможет нести на борту 4 Тбайт памяти, что позволит полностью загрузить большую языковую модель Frontier с 1,8 трлн параметров размером 3,6 Тбайт. Партнёрство с SK hynix, о котором компании сообщили вчера, ускорит вывод новой разработки на рынок и позволит распространить её среди разработчиков ИИ-ускорителей. Также в этом помогут авторитетные лидеры в мире IT, в частности, Раджа Кодури (Raja Koduri), который около двух недель назад согласился войти в технический совет по продвижению памяти HBF в отрасли.  По словам SanDisk, первые образцы памяти HBF будут доступны для получения осенью 2026 года, а первые продукты с ней выйдут в начале 2027 года. Это перевернёт мир ИИ-ускорителей, уверены в SanDisk. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
