Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Десять экс-сотрудников Samsung арестованы за кражу технологий DRAM 10-нм класса для Китая
23.12.2025 [22:44],
Николай Хижняк
Правоохранительные органы Южной Кореи арестовали 10 бывших сотрудников компании Samsung, которые, как утверждается, передали технологии производства памяти DRAM на основе некоего техпроцесса 10-нм класса китайской компании ChangXin Memory Technologies (CXMT). Бывшие сотрудники Samsung обвиняются в нарушении «Закона о предотвращении разглашения и защите промышленных технологий», более известного как «Закон о защите промышленных технологий». 
Источник изображения: Samsung Из десяти арестованных пятеро являлись ключевыми сотрудниками подразделения разработок Samsung Electronics, включая бывшего руководителя. Остальные — бывшие руководители подразделений, отвечавших за новые разработки и исследования. По данным Asia Business Daily, после основания CXMT в 2016 году китайская компания переманила руководителей и ключевых сотрудников из Samsung Electronics, которая на тот момент была единственным предприятием, занимавшимся массовым производством DRAM 10-нм класса. Утверждается, что утечка позволила CXMT произвести первую в Китае DRAM 10-нм уровня в 2023 году, и, по мнению прокуратуры Южной Кореи, похищенные технологии также заложили основу для прогресса китайской компании в области памяти HBM. Компания CXMT начала массовое производство памяти HBM2 в 2024 году. Ожидается, что она займёт до 15 % глобального рынка данного вида памяти, что приведёт к триллионным убыткам в корейских вонах как для Samsung, так и для национальной экономики Южной Кореи. Сообщается, что некий «г-н А», бывший руководитель Samsung, отвечал за разработку технологии выпуска DRAM 10-нм класса для CXMT, в то время как «г-н Б», ключевой сотрудник, участвовавший в исследованиях этой технологии, предположительно скопировал информацию о производстве DRAM на одном из предприятий Samsung. Издание Chosun Daily сообщает, что «г-н Б» вручную переписал 12 страниц информации о технологии 10-нм уровня, чтобы избежать обнаружения, поскольку компании-производители полупроводников очень внимательно относятся к своей информации, поэтому копирование файлов с компьютера или их фотографирование с помощью смартфона могло бы привести к его немедленному задержанию. Это не первый случай ареста сотрудников южнокорейских технологических компаний за кражу информации в интересах китайских компаний. В начале этого года бывший сотрудник SK hynix был задержан перед посадкой на рейс в Китай, а другой инженер был приговорён к 18 месяцам тюремного заключения за попытку продажи информации компании Huawei. В прошлом году также были арестованы два бывших руководителя Samsung по обвинению в краже конфиденциальной информации и использовании её для создания собственного завода по производству микросхем в Китае. Однако в последнем деле фигурирует больше людей, чем в предыдущих случаях. Сообщается, что группа использовала подставные компании для передачи информации и постоянно меняла местоположение своих офисов, чтобы избежать обнаружения. Южнокорейская прокуратура также заявила, что группа старалась действовать крайне скрытно, «предполагая, что за ними может следить Национальная разведывательная служба», и даже использовала криптографию для экстренной связи. Память HBM4 от Samsung получила высшие оценки в тестах Nvidia
21.12.2025 [21:57],
Николай Хижняк
В ходе испытаний высокоскоростной памяти HBM4, которая будет использоваться в следующем поколении ускорителей искусственного интеллекта Nvidia серии Vera Rubin, запуск которых запланирован на следующий год, компания Samsung Electronics получила наивысшие оценки. Об этом пишет корейская пресса. 
Источник изображений: Samsung Сообщается, что на прошлой неделе представители Nvidia посетили Samsung Electronics для оценки хода тестирования памяти HBM4 в корпусе System in a Package (SiP). В ходе встречи было отмечено, что Samsung Electronics достигла лучших в отрасли результатов по скорости работы и энергоэффективности. В результате Samsung Electronics получила убедительный сигнал о прохождении квалификации Nvidia для HBM4 и о поставках в первой половине следующего года. Объём поставок HBM4, запрошенный Nvidia на следующий год, как отмечается, значительно превышает внутренние оценки Samsung, что, как ожидается, существенно повысит загрузку производственных линий компании. Учитывая темпы расширения и производственные мощности линии Samsung P4 в Пхёнтеке, ожидается, что компания официально подпишет контракты на поставку памяти HBM4 в первом квартале следующего года. А полномасштабные поставки, как ожидается, начнутся во втором квартале. Samsung Electronics заявила, что не может официально подтвердить информацию, касающуюся оценок Nvidia. Один из инсайдеров отрасли в комментарии Maeil Business Newspaper отметил: «В отличие от HBM3E, Samsung Electronics лидирует в разработке HBM4, и это общее мнение в команде разработчиков компании».  Другой южнокорейский гигант по производству памяти, SK hynix, завершил подготовку к массовому производству чипов памяти HBM4 в конце сентября, опередив Samsung Electronics примерно на три месяца. Примечательно, что SK hynix уже начала поставлять платные образцы Nvidia, тем самым фактически подтвердив начало производство этой памяти. Отмечается, что Samsung тем не менее может быстро сократить это отставание. Поскольку полномасштабное серийное производство памяти HBM4 ожидается во втором квартале следующего года, Samsung Electronics, получившая высокие оценки в области SiP, может увеличить объёмы поставок. Технология «система в корпусе» (SiP) подразумевает интеграцию нескольких полупроводниковых чипов в один корпус. Для HBM4 это означает, что такие компоненты, как графический процессор (GPU), память, межсоединительная плата и микросхема питания, находятся в составе одного корпуса чипа. Тестирование SiP считается заключительным этапом проверки того, находятся ли скорость, тепловыделение и показатели питания в пределах контролируемых уровней. Проверка также представляет собой последний шаг для подтверждения готовности к серийному производству. Samsung обогнала Micron и вернула себе второе место на рынке памяти HBM
21.12.2025 [21:55],
Николай Хижняк
В третьем квартале этого года Samsung Electronics обошла Micron Technology и вернула себе второе место на рынке высокоскоростной памяти (HBM). После падения на третье место в первом и втором кварталах компания продемонстрировала тенденцию к восстановлению, расширив поставки продуктов HBM3E (5-го поколения). 
Источник изображения: Counterpoint Research По данным исследовательской компании Counterpoint Research от 19 декабря, глобальная доля Samsung Electronics на рынке HBM (по выручке) в третьем квартале составила 22 %. По сравнению с предыдущим кварталом рост составил 7 процентных пунктов (с 15 %). За тот же период Micron заняла 21 % рынка, тем самым уступив второе место Samsung Electronics. SK hynix сохранила первую позицию с долей в 57 %. Хотя она по-прежнему является лидером рынка, её доминирование несколько ослабло по сравнению с предыдущим кварталом, когда её доля составляла 64 %. Согласно оценкам аналитиков, Samsung Electronics заложила основу для восстановления, преодолев негативный фактор сокращения экспорта в Китай и начав полномасштабные поставки продукции HBM3E с третьего квартала. Samsung также демонстрирует серьёзную конкуренцию на общем рынке DRAM. По доле рынка DRAM в третьем квартале, рассчитанной на основе выручки, SK hynix сохранила первое место с 34 %, в то время как доля Samsung Electronics достигла 33 % (рост на 1 п.п). Разрыв между Samsung и SK hynix составляет всего 1 процентный пункт. В отчёте говорится, что SK hynix сотворила настоящую сенсацию, впервые в истории обогнав Samsung Electronics и заняв первое место по выручке от DRAM в первом квартале этого года. Падение Samsung Electronics на второе место после 33-летнего удержания позиции «полупроводникового императора» с 1992 года стало беспрецедентным событием в истории полупроводниковой промышленности. Micron же заняла третье место с долей рынка в 26 % за тот же отчётный период. Рынок DRAM в этом квартале в целом вырос на 26 % по сравнению с предыдущим кварталом благодаря рекордному росту цен и увеличению объёмов поставок. Поскольку три ведущих производителя памяти сократили производство устаревшей DRAM, возник дефицит предложения, что привело к росту цен. Аналитики отрасли ожидают дальнейшего усиления конкуренции за лидерство на рынке HBM4 в следующем году. Samsung Electronics расширяет производственные мощности HBM3E во второй половине года и ускоряет разработку продуктов следующего поколения (HBM4). Ожидается, что SK hynix тоже сосредоточит все усилия на сохранении своего лидерства в сегменте HBM. Samsung представила SOCAMM2 LPDDR5X для ИИ-дата-центров — быстрее и энергоэффективнее DDR5 RDIMM
20.12.2025 [01:53],
Николай Хижняк
Компания Samsung анонсировала модуль памяти SOCAMM2 на базе чипов LPDDR5X, разработанный специально для платформ центров обработки данных с поддержкой ИИ. Новый формат памяти призван обеспечить преимущества LPDDR5X в плане энергоэффективности и пропускной способности для серверов без необходимости постоянной пайки чипов памяти на несущую материнскую плату. 
Источник изображений: Samsung Память SOCAMM2 ориентирована на определённый и растущий класс систем, где процессоры или суперчипы CPU–GPU работают в паре с большими пулами системной памяти, которые должны обеспечивать высокую пропускную способность при меньшем энергопотреблении, чем могут предложить обычные серверные модули DIMM, — и всё это в более компактном форм-факторе. По мере расширения рабочих нагрузок в области вывода данных и перехода ИИ-серверов к непрерывной работе в режиме постоянной доступности энергоэффективность памяти больше не может рассматриваться как второстепенная оптимизация, поскольку она вносит существенный вклад в эксплуатационные расходы на уровне стойки. SOCAMM2 является ответом на эти вызовы.  Samsung отмечает, что, хотя серверные модули на базе чипов DRAM, такие как RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module), по-прежнему служат основой для высокопроизводительных серверов общего назначения, SOCAMM2 предлагает дополнительную альтернативу, оптимизированную для серверов следующего поколения с ускорением ИИ, которым требуются как высокая скорость отклика, так и энергоэффективность. Память SOCAMM2 обеспечивает более чем в два раза большую пропускную способность по сравнению с традиционными модулями RDIMM, при этом потребляя более чем на 55 % меньше энергии и поддерживая стабильную высокую производительность при интенсивных ИИ-нагрузках, что делает это решение идеальным для энергоэффективных серверов ИИ, ориентированных на производительность. Кроме того, повышенная энергоэффективность SOCAMM2 упрощает задачу организации и управления охлаждением ИИ-систем, что является критически важным фактором для сред с высокой плотностью размещения вычислительных ИИ-мощностей.  Samsung заявляет, что уже сотрудничает с компанией Nvidia по развитию инфраструктурных решений с использованием подобных модулей памяти, и позиционирует формат SOCAMM2 как естественный ответ на растущие затраты на электроэнергию, ограничения по плотности размещения и проблемы с ремонтопригодностью в крупномасштабных инстансах. Samsung также отмечает, что по мере роста масштабов и сложности рабочих нагрузок ИИ компания будет и дальше развивать свой портфель серверной памяти на основе LPDDR. «В течение 2026 года и дальше» — Micron напугала, насколько затянется дефицит памяти
18.12.2025 [21:57],
Николай Хижняк
Компания Micron, один из трёх крупнейших поставщиков памяти в мире, прогнозирует сложные месяцы для мирового рынка оперативной памяти. В рамках квартального финансового отчёта генеральный директор Micron Санджай Мехротра (Sanjay Mehrotra) заявил, что «жёсткие отраслевые условия» на рынке DRAM и NAND, как ожидается, сохранятся «в течение 2026 года и дальше», поскольку искусственный интеллект стимулирует рост спроса. 
Источник изображения: Micron Technology В разгар бума ИИ Micron зарабатывает больше, чем когда-либо, поскольку такие компании, как OpenAI, Meta✴✴, Microsoft и Google, оснащают свои центры обработки данных мощными ИИ-чипами, поставляемыми в комплекте с высокоскоростной памятью HBM. Компания в очередной раз отчиталась о рекордной выручке в размере $13,64 млрд за прошедший квартал, что является значительным скачком по сравнению с $8,71 млрд, полученными за тот же период прошлого года. Micron недавно сообщила о закрытии своего бизнеса по производству потребительской продукции Crucial и смещении фокуса на гораздо более прибыльное производство памяти HBM, для выпуска которой используется в три раза больше кремниевых пластин по сравнению со стандартной DRAM. Это приводит к сокращению ресурсов, доступных для производства чипов памяти DRAM, применяемых в потребительских ПК, смартфонах, смарт-телевизорах и даже автомобилях. Дисбаланс в доступности памяти DRAM уже начал приводить к росту цен на комплекты оперативной памяти DDR5, и ожидается, что вскоре это повлияет и на другие устройства. «За последние несколько месяцев планы наших клиентов по созданию центров обработки данных для ИИ привели к резкому увеличению прогнозируемого спроса на память и хранилища», — сказал Мехротра во время конференции по итогам квартала, добавив, что «объём предложения будет существенно отставать от спроса в обозримом будущем». Micron также заявила в своём отчёте, что эти «ограничения предложения в сегменте чипов памяти» могут повлиять на поставки ПК в следующем году. Компания стремится нарастить производство и ожидает увеличения поставок DRAM и NAND-памяти на 20 % в следующем году, однако этого всё ещё недостаточно, чтобы полностью удовлетворить спрос. G.Skill объяснила, почему оперативная память резко подорожала — без сюрпризов
18.12.2025 [18:50],
Николай Хижняк
Компания G.Skill опубликовала короткий комментарий относительно резкого повышения цен на память DRAM в четвёртом квартале этого года. По словам производителя ОЗУ, в настоящее время на рынке DRAM наблюдается дефицит предложения по всей отрасли, а спрос со стороны производителей ИИ подталкивает цены вверх. 
Источник изображения: G.Skill Компания также отмечает рост собственных затрат на закупку, поэтому её цены следуют за ростом стоимости микросхем DRAM у поставщиков и могут продолжать меняться в зависимости от рыночной конъюнктуры. Комплекты ОЗУ от G.Skill часто приводят в качестве наглядного примера того, насколько сильно изменились розничные цены на DDR5 в последнее время, поэтому реакция компании не является неожиданностью. В то же время заявление G.Skill не раскрывает ничего нового для тех, кто следит за рынком памяти. «Цены на DRAM демонстрируют значительную волатильность в масштабах всей отрасли из-за серьезных глобальных ограничений и дефицита поставок, вызванных беспрецедентно высоким спросом со стороны индустрии искусственного интеллекта. В результате этого затраты G.Skill на закупку и снабжение существенно возросли. Цены на модули памяти G.Skill отражают общеотраслевое увеличение стоимости компонентов от поставщиков микросхем и могут изменяться без предварительного уведомления в зависимости от рыночных условий. Покупателям следует учитывать цены перед покупкой. Спасибо», — заявил производитель ОЗУ. В своём сообщении компания не отвечает на самый важный для покупателей вопрос: неизвестно, когда цены могут стабилизироваться или снизиться. Впрочем, G.Skill вряд ли сама знает ответ на этот вопрос, как и другие производители модулей памяти. Его следует адресовать в первую очередь производителям чипов DRAM. К сожалению, G.Skill также не разъясняет свою текущую ситуацию с закупками DRAM. В частности, неясно, обеспечивает ли компания достаточные поставки на ближайшие месяцы и в какой степени ценообразование находится под её контролем по сравнению с поведением розничных продавцов в условиях дефицита. Xiaomi и Honor подняли цены на планшеты из-за подорожавшей памяти
18.12.2025 [16:09],
Алексей Разин
Возможно, рынок планшетов существует в тени смартфонов, но это не значит, что его не касаются общие тенденции ценообразования. Китайские компании Xiaomi и Honor были вынуждены поднять цены на свои планшеты из-за роста стоимости памяти, которая используется при их производстве. Рекомендованные розничные цены на эти планшеты в Китае уже выросли на величину от 5 до 20 %. 
Источник изображения: Xiaomi Компания Xiaomi увеличила стоимость своих популярных планшетов на сумму от $14 до $42, как сообщает South China Morning Post. Подорожали как модели начального уровня, входящие в семейство Redmi Pad 2, так и более дорогие Xiaomi Pad 8. Чем дешевле был изначальный планшет, тем более заметным оказалось повышение цены. Например, с июня Redmi Pad 2 вырос в цене на 20 %, если говорить о начальной конфигурации планшета. Премиальный Xiaomi Pad 8 теперь стартует с отметки $582 в пересчёте по курсу, что на 5 % выше прежней цены, установленной на старте продаж в сентябре. Представителям Honor также пришлось заявить на страницах китайской социальной сети Weibo, что компания вынуждена повысить рекомендованные розничные цены на свои планшеты. Они пояснили, что все зависящие от памяти DRAM и NAND отрасли чувствуют ценовое давление. Резко возросший спрос на память в сегменте инфраструктуры ИИ способствовал возникновению дефицита и кратному росту цен на неё в целом по рынку. Смартфоны и планшеты не могли остаться в стороне от этой тенденции. Руководство Micron сегодня заявило, что 2026 годом дефицит памяти не ограничится. JEDEC почти завершила разработку SPHBM4 — «бюджетной» альтернативы HBM4
14.12.2025 [17:43],
Николай Хижняк
Организация JEDEC, отвечающая за определение спецификаций стандартных типов памяти, завершает разработку SPHBM4 (Standard Package High Bandwidth Memory) — нового стандарта памяти, предназначенного для обеспечения полной пропускной способности уровня HBM4 с «узким» 512-битным интерфейсом, большей ёмкостью и более низкими затратами на интеграцию за счёт совместимости с традиционными текстолитовыми подложками. Если эта технология получит широкое распространение, она заполнит многие пробелы на рынках, которые могла бы обслуживать HBM. 
Источник изображения: Micron Хотя чипы HBM с 1024-битным или 2048-битным интерфейсом обеспечивают непревзойдённую производительность и энергоэффективность, для интеграции они требуют много ценного кремниевого пространства внутри высокопроизводительных процессоров, что ограничивает количество стеков HBM на чипе и, следовательно, ёмкость памяти, поддерживаемую ИИ-ускорителями, влияя как на производительность отдельных ускорителей, так и на возможности больших кластеров, использующих их. В стандартном корпусе SPHBM4 эта проблема решается за счёт уменьшения ширины интерфейса с 2048 бит до 512 бит с сериализацией 4:1 для сохранения той же пропускной способности. JEDEC не уточняет, означает ли «сериализация 4:1» учетверение скорости передачи данных с 8 ГТ/с в HBM4 или введение новой схемы кодирования с более высокими тактовыми частотами. Тем не менее, цель очевидна: сохранить суммарную пропускную способность HBM4, но в условиях 512-битного интерфейса. Внутри корпусов SPHBM4 будет использоваться стандартный базовый кристалл HBM4, что упростит разработку контроллера (по крайней мере, на логическом уровне) и гарантирует, что ёмкость на стек останется на уровне HBM4 и HBM4E (64 Гбайт на стек HBM4E), интерфейс которого будет конвертирован в более узкую шину. На бумаге это означает возможность четырёхкратного увеличения ёмкости памяти SPHBM4 по сравнению с HBM4, но на практике разработчики чипов для ИИ, вероятно, будут балансировать между ёмкостью памяти с более высокими вычислительными возможностями и универсальностью, поскольку площадь кремниевых кристаллов становится дороже с каждой новым процессом технологической обработки.  Почему не использовать память SPHBM4 в составе игровых видеокарт, обеспечив тем самым для последних более высокую пропускную способность при умеренном увеличении стоимости по сравнению с GDDR7 или потенциальной GDDR7X с кодированием PAM4? Разработанная для обеспечения пропускной способности уровня HBM4, память SPHBM4 принципиально спроектирована таким образом, чтобы отдавать приоритет производительности и ёмкости перед другими соображениями, такими как энергопотребление и стоимость. Хотя SPHBM4 дешевле, чем HBM4 или HBM4E, она всё ещё требует многослойной компоновки кристаллов, которые физически больше и, следовательно, дороже, чем стандартные микросхемы DRAM, базового кристалла интерфейса, обработки TSV, проверенных технологических процессов изготовления кристаллов и усовершенствованной сборки в корпусе. Эти этапы доминируют в стоимости и плохо масштабируются с увеличением объёма производства по сравнению со стандартной GDDR7, которая выигрывает от огромных объёмов потребительского и игрового рынка, простых корпусов и отработанной сборки печатных плат. Замена множества чипов GDDR7 на один усовершенствованный SPHBM4 может не снизить затраты, а, наоборот, увеличить их. Хотя 512-битная шина памяти остаётся сложным интерфейсом, JEDEC утверждает, что SPHBM4 обеспечивает 2.5D интеграцию на обычных текстолитовых подложках и не требует дорогостоящих межсоединений, что значительно снижает затраты на интеграцию и потенциально расширяет гибкость проектирования. Между тем, благодаря стандартному 512-битному интерфейсу, SPHBM4 может предложить более низкую стоимость (благодаря объёму производства, обеспечиваемому стандартизацией) по сравнению с решениями C-HBM4E, которые используют интерфейсы UCIe или собственные разработки. По сравнению с решениями на основе кремния, трассировка на тектолитовой подложке позволяет использовать более длинные электрические каналы между SoC и стеками памяти, что потенциально снижает ограничения по компоновке в больших корпусах и позволяет разместить большую ёмкость памяти вблизи корпуса, чем это возможно в настоящее время. SK hynix планирует, что дефицит потребительской памяти продлится до 2028 года
14.12.2025 [16:29],
Николай Хижняк
Внутренний прогноз компании SK hynix, главные выдержки из которого опубликовал пользователь BullsLab Jay, предполагает, что рост поставок чипов памяти DRAM останется ограниченным до 2028 года. Это не касается памяти HBM и SOCAMM. Также сообщается, что запасы поставщиков сокращаются до минимального уровня, в то время как рост производственных мощностей остаётся ограниченным. 
Источник изображения: VideoCardz Что касается потребительского сегмента ПК, SK hynix ожидает, что рост производства DRAM для ПК будет отставать от спроса до 2028 года. Это связано с длительными сроками строительства новых заводов и замедлением расширения мощностей во время технологических переходов. Также предполагается, что поставки ПК в 2026 году могут остаться близкими к уровню 2025 года, но объём памяти на систему может увеличиться по мере роста доли ПК с ИИ. По оценкам компании, доля ПК с ИИ может составить 55 % от общего объёма поставок ПК в 2026 году. 
Источник изображения: BullsLab Jay / SK hynix В сегменте оборудования для хранения данных компания не ожидает значительного роста для потребительского рынка, но указывает на увеличение количества продуктов на базе чипов флеш-памяти QLC. Также прогнозируется усиливающееся давление на цены, если объёмы предложений для данного сегмента останутся ограниченными, а запасы уже произведённой продукции продолжат сокращаться. 
Источник изображения: Amazon Прогноз SK hynix перекликается с необычным примером на торговой площадке Amazon, где модуль оперативной памяти Lexar 8GB DDR5-5600 UDIMM предлагается для предзаказа с прогнозируемой датой отгрузки 31 августа 2027 года. Стоимость модуля составляет €43,98. В качестве продавца и поставщика указана сама площадка Amazon. Обозначенная дата отгрузки может быть просто ожидаемой самой площадкой (временной или предполагаемой), она всё равно показывает, насколько откладываются некоторые заказы, пока сохраняется дефицит памяти. В США разработали световой кеш для процессора — SRAM станет в 20 раз быстрее
12.12.2025 [20:55],
Геннадий Детинич
Учёные из Университета Южной Калифорнии (USC) и Университета Висконсина в Мадисоне (UW-Madison) сообщили о разработке фотонного аналога ячейки SRAM. Это фотонный триггер, который впервые может работать без частой регенерации ячейки, не теряя при этом данные. Фотонный триггер решает две глобальные проблемы полупроводниковой отрасли: высокое энергопотребление и растущие задержки во внутричиповых проводниках по мере уменьшения масштаба техпроцесса. А ещё он быстрый. 
Источник изображения: Joel Hallberg / University of Wisconsin-Madison Созданные до недавнего времени фотонные триггеры требовали значительно более частой регенерации данных, что сводило на нет весь эффект от перехода на оптику. Между тем экономия энергопотребления лежит во главе угла всех дальнейших разработок в сфере вычислительных платформ. Создание триггера без дрейфа состояния оказалось сложной задачей. Но оно того стоило. Хранение состояния без преобразования в электрический сигнал исключает из бюджета энергопотребления чипов весьма существенную составляющую. Кроме того, электрический сигнал проделывает в чипе значительный путь, что также приводит к росту энергозатрат. Путешествие фотонов по тому же маршруту, при отказе от медных проводников, будет гораздо более экономичным. Технические характеристики прототипа впечатляют (хотя часть данных получена на цифровой модели): скорость записи достигает 20 ГГц, а моделируемая скорость чтения — 50–60 ГГц, что примерно в 20 раз превосходит 2–3 ГГц, характерные для типичной ячейки SRAM в кэше современных процессоров. Физически триггер использует два связанных микрокольцевых резонатора с положительной обратной связью, обеспечивая бистабильность состояний (0 или 1) без дрейфа. Состояние сохраняется более секунды при комнатной температуре в диапазоне от −10 до +90 °C без необходимости обновления.  Самое важное заключается в том, что прототип был изготовлен на заводе компании GlobalFoundries на 300-мм пластине с использованием штатной фотонной платформы Fotonix производителя. Это демонстрирует, что фотонный элемент уже сегодня может быть изготовлен и интегрирован в фотонный процессор — если таковой появится. Остаётся проблема масштабирования. Фотонный триггер — фотонная ячейка SRAM — обладает большой площадью и не может использоваться в качестве элемента кэша процессора. Всё это — вопрос будущего. Впрочем, уже сегодня такие оптические триггеры можно применять в составе магистральных оптических линий связи, где выигрыш может быть получен максимально быстро, несмотря на значительные габариты устройства. Производитель модульных ноутбуков Framework объявил о повышении цен на расширение памяти DDR5 на 50 %
12.12.2025 [16:58],
Николай Хижняк
Производитель модульных ноутбуков Framework повысил на 50 % цены на модули памяти DDR5 для ноутбуков Framework Laptop DIY Edition, сославшись на более высокие затраты у поставщиков и дистрибьюторов. Изменение вступило в силу 12 декабря 2025 года. Framework заявляет, что её обновлённые цены по-прежнему ниже текущих рыночных. 
Источник изображений: Framework Существующие предварительные заказы корректировка цен не коснулась. Цены на готовые ноутбуки и десктопы Framework пока тоже не изменились. В своём блоге компания заявляет, что рынок памяти остаётся нестабильным, и за этим повышением цен могут последовать дополнительные корректировки, в том числе для систем, поставляемых с памятью DDR5, LPDDR5X или GDDR. В Framework повторили три правила, которым компания следовала во время предыдущих ценовых колебаний в 2025 году: объяснять изменения потребителям, корректировать цены только до уровня, покрывающего дополнительные расходы, и снова снижать цены, когда ситуация на рынке нормализуется. Компания также сообщила, что ужесточила политику возврата, требуя возврата оперативной памяти вместе с ноутбуком. По словам Framework, были зафиксированы попытки приобрести её продукты ради оперативной памяти с последующим возвратом остального товара. Цены на дополнительную память DDR5-5600 в конфигураторе для ноутбука Laptop 16 выглядят следующим образом:
Framework объясняет, что резкий дисбаланс спроса и предложения на рынке памяти связан с стремительным развитием инфраструктуры искусственного интеллекта. В качестве примера компания приводит серверную стойку с ИИ-ускорителями Nvidia GB300, в которой используется 20 Тбайт памяти HBM3E и 17 Тбайт памяти LPDDR5X, что многократно превышает объёмы, применяемые в любом персональном компьютере или ноутбуке. По словам Framework, такого объёма памяти LPDDR5X достаточно для оснащения тысячи ноутбуков, тогда как ИИ-дата-центры в свою очередь комплектуются тысячами подобных серверных стоек. Крупные производители DRAM отдают приоритет более рентабельным серверным продуктам, что приводит к дефициту предложений для сегмента ПК. Framework добавляет, что рассчитывает поддерживать достаточные запасы памяти для своих ноутбуков и десктопов за счёт сотрудничества с производителем чипов памяти Micron, а также с партнёрами среди поставщиков модулей памяти, такими как Adata.  Другие крупные производители ПК уже предупреждают клиентов о повышении стоимости систем. Аналитические компании ожидают, что крупные OEM-производители, такие как Dell, повысят цены на 15–20 % начиная с середины декабря 2025 года, в то время как Lenovo предупредила клиентов, что её текущие предложения действуют до 1 января 2026 года. В сегменте готовых систем такие производители, как CyberPowerPC, также объявили о корректировке цен, связанной с ростом стоимости оперативной памяти и SSD. Цены на память продолжат взлёт в 2026 году — смартфоны и ноутбуки подорожают, а их характеристики ухудшатся
11.12.2025 [20:41],
Сергей Сурабекянц
Последние отчёты аналитической компании TrendForce показывают, что цены на память продолжат быстрый рост в первом квартале 2026 года. Это окажет значительное давление на затраты мировых производителей потребительских устройств. Они будут вынуждены повышать цены на свою продукцию и ухудшать технические характеристики. Дальнейшее снижение поставок кажется неизбежным, поскольку рыночные ресурсы все больше концентрируются в руках нескольких ведущих брендов. 
Источник изображения: unsplash.com По данным TrendForce, память занимает все большую долю в стоимости комплектующих потребительских устройств, таких как смартфоны и ПК. Даже Apple с её высокой нормой прибыли пересмотрит свои ценовые стратегии для новых моделей и рассмотрит возможность сокращения или отмены снижения цен на старые версии. Для производителей Android-устройств, ориентированных на средний и низкий ценовой сегмент, память является важнейшим маркетинговым фактором и значительной частью затрат на комплектующие. Рост стоимости памяти вынудит их повысить стартовые цены новых моделей в 2026 году. Им также потребуется изменить ценообразование или жизненный цикл существующих моделей, чтобы минимизировать потери. TrendForce отмечает, что рост стоимости памяти заставит производителей ноутбуков скорректировать свои продуктовые портфели, стратегии закупок и региональные стратегии продаж. Например, в высокопроизводительных ультратонких ноутбуках часто используется DRAM, распаянная непосредственно на материнской плате, что затрудняет снижение затрат за счёт замены модулей памяти. Кроме того, эти модели сталкиваются с более строгими конструктивными ограничениями, что делает их сегментом, наиболее подверженным раннему и значительному ценовому давлению. На рынке потребительских ноутбуков спрос остаётся достаточно чувствительным к изменениям характеристик и цен. Текущие запасы готовой продукции, изготовленной до взлёта цен на ОЗУ, могут защитить краткосрочную прибыль, но среднесрочные и долгосрочные корректировки, такие как снижение характеристик или повышение цен, неизбежны. Компания TrendForce прогнозирует более значительные колебания цен на рынке ПК ко второму кварталу 2026 года. 
Источник изображения: TrendForce Пояснения к столбцу «комментарии» в таблице:
В моделях высокого и среднего ценового сегмента ожидается, что объём памяти будет оставаться близким к минимальным стандартам, что замедлит циклы обновления. Больше всего пострадает рынок бюджетных смартфонов, где базовые модели, вероятно, вернутся к 4 Гбайт. И наоборот, в бюджетных ноутбуках объем ОЗУ нельзя уменьшить из-за минимальных требований операционной системы. Перекупщики взвинтили цены на DDR5 — некоторые комплекты продаются в пять–семь раз дороже, чем пару месяцев назад
11.12.2025 [20:18],
Владимир Мироненко
В связи с бумом ИИ и ажиотажным спросом на серверы и серверную память ведущие производители сместили акцент на её производство, уменьшив выпуск оперативной памяти, что привело её дефициту и скачку цен. Ожидаемо, на этом фоне активизировались перекупщики и спекулянты, пытающиеся нажиться на ситуации, пишет Tom's Hardware.  Три крупнейших игрока рынка памяти — Samsung, SK Hynix и Micron — перенаправили свои производственные мощности на выпуск серверной памяти, снизив приоритет потребительской памяти. А Micron даже объявила о планах прекратить производство потребительской оперативной памяти Crucial, чтобы сосредоточиться исключительно на поставках для корпоративных клиентов. Этот тренд негативно отражается на всех продуктах, связанных с оперативной памятью, включая отдельные комплекты памяти, готовые системы и портативные игровые консоли. Комплект памяти Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 C30 32GB (2×16GB), ранее стоивший $117,99, сейчас в магазинах США предлагается в цене до $429,99, то есть более чем в 3,5 раза. При этом перекупщики продают тот же комплект памяти и вовсе за $836,54, что более чем в 7 раз выше первоначальной цены. Оперативная память Trident Z5 RGB DDR5-6400 C32 96GB (2×48GB), которая ранее предлагалась по цене $339,99, теперь стоит в розничных магазинах $1169 — тоже примерно в 3,5 раза дороже. А цена этого комплекта памяти у сторонних продавцов и вовсе выросла до $1802,19, что представляет собой дополнительную наценку на 50 % по сравнению с розничной ценой. Комплект оперативной памяти Vengeance DDR5-5200 C38 192GB (4×48GB), предлагавшийся ранее по рекомендованной розничной цене $649,99, сейчас практически недоступен для большинства потребителей с розничной ценой в $2201,99, что представляет собой почти 3,4-кратное удорожание. Из-за высокой первоначальной стоимости перекупщики не столь активно закупали этот комплект, поэтому на eBay опубликовано лишь несколько объявлений, причем самая высокая цена составляет около $1949,95. Тем не менее пользователи покупают память даже по этим заоблачным ценам. Например, недавно 128 Гбайт оперативной памяти DDR5 5600 МГц для ноутбука были проданы за $900, одна планка ADATA DDR5 на 16 Гбайт была продана за $190. 8 декабря один энтузиаст заплатил $2335 за 256 Гбайт памяти G.Skill DDR5, а несколькими днями ранее кто-то купил 96 Гбайт G.Skill DDR5 за $1347. Резкий рост цен на память отразился как на крупных, так и на малых предприятиях. Сборщики ПК на заказ, включая CyberPowerPC и Maingear, уже повысили из-за этого цены на свои готовые системы. Аналогичная тенденция наблюдается и среди OEM-производителей, таких как Dell, хотя Lenovo, похоже, пока сохраняет свои цены на прежнем уровне, поскольку, накопила достаточные запасы до 2026 года. Даже бюджетные одноплатные компьютеры Raspberry Pi выросли в цене из-за рыночной ситуации. В следующем году Kioxia начнёт производство 332-слойной памяти NAND — первым делом её пустят на нужды ИИ
11.12.2025 [10:12],
Алексей Разин
Префектура Иватэ упоминается в новостях второй раз за день, но на этот раз не в контексте возможных последствий недавнего землетрясения, а в связи с намерениями Kioxia наладить на местном предприятии с 2026 года выпуск передовой 332-слойной памяти типа 3D NAND, которая будет востребована в серверном сегменте. 
Источник изображения: Kioxia Соответствующую память Kioxia относит к десятому поколению продукции. По сравнению с восьмым, она позволяет увеличить количество слоёв с 218 до 332 штук, поднять плотность хранения данных на 59 % и увеличить скорость передачи информации на 33 %. Кроме того, в новом поколении памяти снижается уровень энергопотребления. Вопреки ранним прогнозам, выпуск такой памяти Kioxia наладит на предприятии не в Ёккаити, а в Китаками. Для соответствующих нужд на этой площадке ещё в сентябре был введён в строй новый производственный корпус Fab 2. Компания придерживается двойственной производственной политики, стараясь выпускать как скоростную память с минимальными инвестициями на её совершенствование, так и твердотельную память большой ёмкости, которая обзаводится возросшим количеством слоёв. Предприятие в Ёккаити при этом сосредоточится на скоростной памяти, а в Китаками будет выпускаться память большой ёмкости, чьё производство обычно требует существенных капитальных вложений. В Ёккаити компания к апрелю следующего года наладит выпуск твердотельной памяти 3D NAND девятого поколения, которое сохранит то же количество слоёв, что и память восьмого поколения (218 штук), но будет отличаться от него возросшим быстродействием и сниженным энергопотреблением. Такую память целесообразнее использовать в смартфонах. Память десятого поколения с 332 слоями будет применяться в серверных твердотельных накопителях большой ёмкости. Спрос на них сейчас очень высок на фоне бума ИИ, поэтому в скорейшей реализации проекта Kioxia сильно заинтересована. Память девятого поколения подразумевает сращивание двух раздельных кремниевых пластин, на одной из которых располагаются ячейки памяти, а на другой — управляющая логика. До седьмого поколения включительно подобная память выпускалась в монолитной компоновке из одной пластины. Вокруг предприятия Kioxia в Китаками постепенно формируется крупный технологический хаб, привлекающий поставщиков как оборудования для выпуска чипов, так и материалов. Оперативка по цене самой мощной видеокарты: Asgard выпустила набор DDR5 дороже RTX 5090
08.12.2025 [20:13],
Николай Хижняк
Китайская компания Asgard выпустила комплект оперативной памяти DDR5 Valkyrie стоимостью дороже GeForce RTX 5090. Комплект памяти ёмкостью 256 Гбайт (4 × 64 Гбайт) оценён производителем в 14 599 юаней (около $2064). Но на момент публикации данной заметки компания уже повысила на него стоимость до 16 999 юаней ($2404). Это на $400 дороже рекомендованной цены RTX 5090 Founders Edition. 
Источник изображений: Asgard Производитель также предлагает комплект DDR5 Thor ёмкостью 192 Гбайт (4 × 48 Гбайт) стоимостью 8599 юаней (около $1216). В составе обоих комплектов памяти используются чипы памяти Sk hynix M-die со скоростью 6000 МТ/с. Для комплекта памяти Thor заявлены тайминги CL28-36-36-72, для Valkyrie — CL32-45-45-90. Оба комплекта уже поступили в продажу на китайской торговой площадке JD.com.  Для сравнения, ещё несколько месяцев назад комплекты памяти DDR5 объёмом 192 и 256 Гбайт можно было легко найти дешевле $1000. Но из-за неудержимого спроса на чипы памяти из-за ИИ-бума стоимость микросхем значительно выросла за последние месяцы. На рынке наблюдается настоящий хаос — цены меняются в сторону повышения практически в режиме реального времени.  Согласно прогнозам аналитиков, такая ситуация может продлиться как минимум до четвёртого квартала 2027 года, пока не будут введены в эксплуатацию новые заводы и производственные линии по выпуску микросхем памяти. А с уходом с рынка потребительской памяти такой компании как Micron в пользу ИИ-сегмента, являвшейся одним из ведущих поставщиков, бремя поддержки достаточных поставок DRAM теперь ложится на оставшихся производителей. |
|
✴ Входит в перечень общественных объединений и религиозных организаций, в отношении которых судом принято вступившее в законную силу решение о ликвидации или запрете деятельности по основаниям, предусмотренным Федеральным законом от 25.07.2002 № 114-ФЗ «О противодействии экстремистской деятельности»; |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
![Российские итоги HUAWEI XMAGE 2025 и выставка «Фото[графическое] путешествие»](https://cdn.3dnews.ru/assets/external/illustrations/2025/11/21/1132762/02.jpg?resize=w400)