Теги → флеш
Быстрый переход

Индустрия готовится к обвалу цен на SSD к концу года — память 3D NAND подешевеет на 15-20 %

По прогнозам аналитиков из TrendForce, в четвёртом квартале твердотельные накопители сильно подешевеют. Эксперты считают, что цены как на клиентские, так и на корпоративные модели SSD могут рухнуть на 15–20 процентов.

 Источник изображений: ComputerBase.de

Источник изображений: ComputerBase.de

Специалисты отмечают, что на рынке наблюдается значительный избыток запасов флеш-памяти 3D NAND, использующихся в SSD. Глобальный экономический кризис и связанная с ним высокая инфляция сокращают покупательских интерес к новой электронике, компьютерам и смартфонам. Многим производителям приходится прибегать к практике распродаж своих товаров. Ценовая конкуренция между поставщиками чипов памяти, такими как Samsung, SK hynix, Micron и Kioxia (вместе с Western Digital) продолжит расти, что приведёт к снижению стоимости чипов памяти, а в итоге и конечных продуктов, использующих память NAND.

Что касается рынка флеш-памяти eMMC и UFS, которая в основном применяется в мобильных устройствах, то здесь прогнозируется снижение цен на 13–18 процентов. К этому ведёт вялый спрос на хромбуки, телевизоры и смартфоны, отмечают аналитики.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

По оценкам экспертов, низкий спрос на кремниевые пластины с чипами флеш-памяти 3D NAND в сочетании с наращиванием объёмов их производства и запасов приведёт к снижению их стоимости на 20–25 % по итогам четвёртого квартала.

По данным немецкого издания ComputerBase, на местном рынке уже наблюдается снижение цен на некоторые модели твердотельных накопителей, в частности, на модели начального ценового сегмента. В некоторых случаях стоимость SSD объёмом 1 Тбайт опустилась ниже 60 евро или меньше 6 евроцентов за 1 Гбайт. Если прогнозы TrendForce верны, стоимость гигабайта должна к концу года упасть ниже 5 евроцентов.

Цены на флеш-память 3D NAND в текущем квартале упадут на величину до 18 %

Растущее давление инфляции на мировой рынок в сочетании с рухнувшим ещё во втором квартале спросом на память со стороны производителей смартфонов, телевизоров и ноутбуков не ослабнет как минимум до конца текущего года. Исходя из этого аналитики из TrendForce пересмотрели свой прогноз относительно снижения стоимости флеш-памяти 3D NAND. Если раньше предрекалось падение на 8–13 %, то теперь аналитики говорят об обвале до 13–18 % к концу III квартала 2022 года.

 Источник изображения: YMTC

Источник изображения: YMTC

В сегменте клиентских SSD цены на флеш-память 3D NAND снизятся на 10–15 %, считают аналитики. Этому поспособствуют слабый спрос на рынке хромбуков и ноутбуков для образовательных целей, а также растущие объёмы поставок более доступных продуктов (SSD) на основе 176-слойных чипов памяти китайской компании YMTC, которая благодаря оптимизации затрат на их производство продолжает увеличивать объёмы выпуска.

Такое же снижение цен в размере 10–15 % на флеш-память 3D NAND ожидается на рынке корпоративных твердотельных накопителей. Аналитики отмечают, что закупки корпоративных SSD в третьем квартале снижаются, а заказы от держателей китайских облачных платформ не растут. Поскольку покупатели флеш-памяти 3D NAND для корпоративных SSD ожидают, что снижение контрактных цен на этот тип памяти будет наблюдаться как минимум до второго квартала 2023 года, поставщики памяти оказались не в состоянии стимулировать рост продаж своей продукции и были вынуждены пойти на ценовые уступки.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Снижению цен на память eMMC на 13–18 % ко концу третьего квартала будут способствовать снижение поставок хромбуков и телевизоров, спрос на которые будет падать до конца текущего года, считают эксперты. И хотя спрос на сетевое оборудование, где также используется этот тип памяти, сейчас достаточно высок, он не способен компенсировать недостаток спроса на eMMC память в других сегментах.

Рынок смартфонов, где используются память типа UFS, тоже переживает не самые лучшие времена. Южнокорейская компания Samsung, а также китайские производители мобильных устройств сосредоточились на сокращении запасов своих продуктов и снизили прогнозы относительно объёмов поставок новых смартфонов. Закупки памяти UFS идут медленно и по мнению TrendForce, для стимуляции продаж её производители по итогам текущего квартала снизят на неё цены на 13–18 % вместо ранее прогнозируемых 8–13 %.

По оценкам аналитиков, низкий спрос на не нарезанные кремниевые пластины с чипами флеш-памяти 3D NAND в сочетании с наращиванием объёмов их производства и запасов приведёт к снижению их стоимости на 15–20 % по итогам текущего квартала.

Apricorn выпустила флешку с аппаратным шифрованием Aegis Secure Key 3 ёмкостью 2 Тбайт за $1000

Компания Apricorn анонсировала флеш-брелок Aegis Secure Key 3, предназначенный для хранения конфиденциальной информации. В устройстве применяется аппаратное шифрование данных в соответствии со стандартом FIPS 140-2 Level 3.

 Источник изображений: Apricorn

Источник изображений: Apricorn

Представленная новинка имеет вместимость 2 Тбайт. Утверждается, что это первое на коммерческом рынке изделие столь высокой ёмкости с аппаратным шифрованием. Для защиты файлов используется кодирование AES-XTS с 256-битным ключом. Шифрование выполняется «на лету», а для работы с устройством не требуется дополнительное программное обеспечение.

Флеш-брелок оснащён встроенной клавиатурой для аутентификации. Реализованы независимые режимы для администратора и пользователей. Есть возможность настройки минимальной длины PIN-кода. Накопитель заключён в прочный алюминиевый корпус, который защищён от влаги и пыли по стандарту IP68.

Цена Aegis Secure Key 3 вместимостью 2 Тбайт составляет около 1000 долларов США. Доступны также версии ёмкостью от 16 Гбайт, которые стоят от 130 долларов.

В этом году флеш-памяти NAND исполняется 35 лет — замешанная в этом Kioxia отметит юбилей на FMS 2022

На этой неделе состоится конференция Flash Memory Summit 2022, в рамках которой компания Kioxia, которая образовалась из подразделения Toshiba Memory, вместе со всей отраслью отметит важное событие. Дело в том, что в этом году исполняется 35 лет с момента изобретения флеш-памяти NAND, которая и была разработана инженером Toshiba Memory.

 Источник изображения: techpowerup.com

Источник изображения: techpowerup.com

Изобретателем флеш-памяти является японский профессор Фудзио Масуока (Fujio Masuoka), который начал работать в Toshiba в 1971 году. Оглядываясь на революционную технологию флеш-памяти, которая появилась в 1987 году, Kioxia продолжает смотреть в будущее, представляя инновационные продукты, форм-факторы и решения. В рамках выставки FMS 2022 компания расскажет о своём видении будущего флеш-памяти и её использовании для продвижения и усовершенствовании широкого спектра приложений, включая мобильные продукты, облачные вычисления, центры обработки данных, автомобильную промышленность и др.

Основную презентацию компании под названием «Kioxia: 35 лет флеш-памяти и не только» проведут Скотт Нельсон (Scott Nelson), исполнительный вице-президент и главный директор по маркетингу Kioxia, и Шигео Осима (Shigeo Ohshima), глава подразделения SSD Application Engineering. Презентация будет посвящена 35-й годовщине изобретения флеш-памяти и расскажет о том, каким компания видит будущее этой революционной технологии.

«С изобретением флеш-памяти мы вступили в совершенно новую эру — эру, которая включает в себя мобильность контента, тонкие и лёгкие форм-факторы, высокоплотное, масштабируемое хранение и многое другое. Начиная с самых первых случаев применения в 1990-х годах и заканчивая сегодняшними инновациями, влияние флеш-памяти ощущается повсюду. Проще говоря, флеш-память обогатила жизнь людей и расширила горизонты общества — и многое ещё впереди», — считает Скотт Нельсон.

Micron начала поставки первых в мире 232-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND — 1 Тбит на кристалл

Компания Micron объявила о начале поставок 232-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND TLC, обладающих самой высокой плотностью на рынке — объём одного кристалла может достигать 1 Тбит. Помимо значительно выросшей плотности новые 232-слойные чипы флеш-памяти 3D NAND TLC предлагают до двух раз более высокую скорость записи и до 75 % более высокую скорость чтения по сравнению с микросхемами предыдущего поколения.

 Источник изображений: Micron

Источник изображений: Micron

Как показано на изображении ниже, возросшая плотность позволила Micron сократить объём упаковки 232-слойного чипа флеш-памяти 3D NAND TLC на 28 % по сравнению с микросхемами предыдущего поколения. Это может оказаться полезным при производстве, например, тех же смартфонов и карт памяти microSD.

В одной упаковке размером 11,5 × 13,5 мм можно объединить до шестнадцати 232-слойных кристаллов флеш-памяти 3D NAND TLC, получив таким образом чип объёмом 2 Тбайт, который будет в три раза меньше американской почтовой марки. При наиболее плотной компоновке на 1 мм2 можно записать до 14,6 Гбит информации, что на 30–100 % больше, чем у поставляющихся на рынок конкурирующих продуктов. По словам Micron, в одном таком чипе можно сохранить 340 часов видео в формате 4K.

 Предложения Micron и конкурентов. Источник изображения: Tom's Hardware

Предложения Micron и конкурентов. Источник изображения: Tom's Hardware

Как и прежде, Micron использует в новых чипах флеш-памяти свою технологию CMOS under array (CuA), но теперь уже шестого поколения, для повышения плотности за счёт размещения CMOS под массивом ячеек. Компания также применяет конструкцию флэш-памяти с двойным стеком. Это означает, что каждый готовый кристалл состоит из двух 116-слойных кристаллов, соединённых между собой с помощью процесса, который называется последовательной укладкой. Производитель также ссылается на использование новых материалов и процессов для создания отверстий в кристалле с высокой плотностью расположения, что также сказалось на общей плотности микросхем.

Впечатляющая производительность новых флеш-чипов памяти Micron обеспечена новой шестиплоскостной архитектурой, которая впервые применяется для памяти 3D NAND TLC. Плоскость — это область кристалла флеш-памяти, которая независимо отвечает на запросы ввода-вывода, подобно тому, как каждое ядро CPU может выполнять операции параллельно. Чем больше количество плоскостей, тем больше производительность.

В предыдущем поколении флеш-памяти Micron использовалась четырёхплоскостная архитектура. Переход на шестиплоскостную позволил на 50 % (до 2,4 Гбайт/с) увеличить скорость передачи данных по интерфейсу ONFI 5.0, тем самым в целом увеличив пропускную способность кристалла памяти. По словам Micron, на уровне упаковки чипа флеш-памяти это привело к двухкратному повышению производительности в операциях записи и на 75 % увеличило скорость чтения по сравнению с предыдущим поколением, в котором были представлены 176-слойные микросхемы. Правда, это только в теории. На практике всё гораздо сложнее. Ведь это не значит, что в скором времени на рынке появятся твердотельные накопители, вдвое быстрее ныне существующих. Проблема в том, что на производительность SSD также влияют и другие факторы, такие как контроллер памяти и интерфейс. Однако прогресс компании Micron может стимулировать других производителей поднапрячься и разработать компоненты, которые смогут угнаться за новой флеш-памятью американской компании.

По словам Micron, добавление дополнительных плоскостей также положительно сказывается на качестве передачи данных и задержках при операциях записи и чтения, однако производитель пока не публикует более детальные данные на этот счёт. Логика новых 232-слойных чипов флеш-памяти Micron 3D NAND TLC поддерживает новый интерфейс NV-LPPDR4 с пониженным энергопотреблением — затраты энергии на бит уменьшены до 30 % по сравнению с интерфейсом предыдущего поколения. Другими словами, новые чипы обладают более высокой энергоэффективностью. Однако компания опять же не делится какими-то конкретными деталями и примерами.

О надёжности новых флеш-чипов памяти Micron тоже ничего не сообщает. Однако можно ожидать, что новые 232-слойные микросхемы по этому показателю будут соответствовать чипам флеш-памяти предыдущего поколения. Напомним, что показатель надёжности рассчитывается в циклах Program/Erase (P/E) (программирование/стирание). Например, предыдущее поколение памяти TLC от Micron в потребительских накопителях обычно рассчитано на 1–3 тыс. циклов P/E и на 5–10 тыс. циклов для SSD корпоративного класса. На конечный показатель также влияет тип применяемых алгоритмов коррекции ошибок (ECC). Однако от 232-слойных микросхем памяти TLC можно ожидать примерно такого же уровня надёжности.

Компания отмечает, что уже начала поставки новых 232-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND TLC OEM-производителям, а также новых твердотельных накопителей Crucial на их основе (модели не уточняются). Micron лишь недавно запустила производство новых микросхем и в течение всего оставшегося 2022 года будет увеличивать объёмы их выпуска.

Рынок флеш-памяти 3D NAND перенасытился — в третьем квартале цены упадут на 8–13 %

Во втором квартале 2022 года произошло перенасыщение рынка флеш-памяти 3D NAND, которое совпало с крайне низкими продажами электроники и соответственно низким спросом на память со стороны производителей смартфонов, телевизоров и ноутбуков. Поэтому в третьем квартале ожидается снижение стоимости флеш-памяти 3D NAND на 8–13 %. В четвёртом квартале может наблюдаться аналогичная картина.

 Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

Просевший пользовательский спрос на ноутбуки и ПК привёл к тому, что OEM-производители этих устройств значительно сократили объёмы закупок твердотельных накопителей на третий квартал этого года и пытаются реализовать свои запасы, оставшиеся ещё с первой половины года. С другой стороны, компания YMTC начала выпуск и поставки 176-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND QLC, усилив тем самым конкуренцию на рынке. По мнению TrendForce, стоимость твердотельных накопителей для OEM-производителей снизится в третьем квартале на 8–13 %.

Спрос на SSD корпоративного уровня во второй половине 2022 года будет ниже, чем в первой, считают аналитики. Основными причинами этому являются нестабильная экономическая ситуация в мире, а также слабая динамика закупок устройств на третий квартал в Китае, обусловленный не оправдавшим ожиданий спросом на компоненты для серверных платформ нового поколения. Стимулировать продажи поставщики SSD корпоративного уровня рассчитывают за счёт более выгодных предложений. Однако в настоящий момент покупатели не проявляют особого интереса к новым закупкам. Эксперты TrendForce считают, что в третьем квартале цены на эту продукцию снизятся на 5–10 %.

Слабый спрос на хромбуки и телевизоры сократил объём закупок памяти eMMC. Производители устройств стали внимательнее следить за объёмом своих складских запасов компонентов. Производители памяти eMMC в долгосрочной перспективе планируют снижать объёмы поставок этой продукции для поддержания стабильных цен. В ближайшей же перспективе TrendForce прогнозируют снижение цен на память eMMC в третьем квартале на 8–13 %.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Крупная китайская распродажа «618», прошедшая в июле, не оправдала ожиданий и не обеспечила рост спроса на китайские смартфоны. Поэтому спрос на флеш-память UFS не вырос. При этом такая ситуация наблюдается не только среди китайских производителей. Та же южнокорейская компания Samsung считает, что спрос на память UFS в ближайшее время вряд ли увеличится, поэтому компания прогнозирует ослабление этого рынка во второй половине 2022 года. Изначально производители этой памяти не считали, что снижением цен смогут стимулировать рост поставок и поэтому неохотно шли на подобные переговоры. Сейчас же, когда запасы UFS на складах становятся слишком большими, снижение цен выглядит неизбежным. По прогнозам, память UFS подешевеет примерно на 8–13 % в третьем квартале.

Изначально предполагалось, что пиковый сезон продаж, а также снятие ограничительных мер в Китае освежит рынок и приведёт к росту спроса на кремниевые пластины для производства чипов флеш-памяти 3D NAND. Однако спрос на эту продукцию продолжает падать, а запасы производителей — увеличиваться. В конечном итоге и они будут вынуждены снизить цены на свои услуги. По мнению аналитиков, стоимость кремниевых пластин для производства чипов флеш-памяти 3D NAND упадёт в третьем квартале на 15–20 %.

Samsung, SK hynix и Micron заняли 85 % рынка памяти для смартфонов

Компания Strategy Analytics оценила расстановку сил на глобальном рынке чипов памяти для мобильных устройств по итогам первого квартала текущего года. Лидером является южнокорейский гигант Samsung, контролирующий практически половину отрасли.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

По оценкам, суммарный объём поставок оперативной памяти DRAM и флеш-памяти NAND для смартфонов в период с января по март включительно составил в денежном выражении $11,5 млрд.

Приблизительно 46 % от указанной цифры составила выручка Samsung. На втором месте в рейтинге ведущих поставщиков находится SK Hynix с долей в 24 %, а замыкает тройку Micron с 15 %. Таким образом, сообща эти три компании удерживают 85 % мирового рынка.

 Источник изображения: Strategy Analytics

Источник изображения: Strategy Analytics

Продажи памяти NAND за год поднялись на 7 %. В тройку крупнейших поставщиков входят Samsung, SK Hynix и Kioxia с результатом соответственно 39 %, 23 % и 20 %. Доля флеш-чипом ёмкостью 128 Гбайт в общем объёме поставок достигла 45 %.

В то же время в сегменте DRAM по итогам первой четверти 2022-го зафиксирован 7-процентный спад продаж. Здесь лидируют Samsung (52 % в общем объёме выручки), SK Hynix (25 %) и Micron (22 %).

Китайская Yangtze Memory скоро запустит второй мощный завод по выпуску чипов 3D NAND

По данным японских источников, китайская компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) готовится в конце текущего года к запуску второго завода по производству чипов флеш-памяти. На этом предприятии начался этап установки промышленного оборудования. При выходе на полную мощность завод каждый месяц сможет обрабатывать 200 тыс. 300-мм пластин с чипами 3D NAND. Это позволит Китаю меньше зависеть от иностранных поставщиков и выйти на международный рынок.

 Источник изображения: Nikkei Asia

Источник изображения: Nikkei Asia

Второй завод YMTC, как и первый, будет работать в родном городе компании — Ухане. Первое предприятие с возможностью обрабатывать в месяц 100 тыс. 300-мм пластин вышло на полную мощность в конце 2021 года. От момента начала строительства до выхода на полную мощность прошло 4,5 года. Но тут надо учесть негативное влияние пандемии, которая и стартовала в Ухани.

Отметим, о начале строительства второго завода в Ухане ничего не было известно. Ранее были сообщения, что компания строит второй завод в Нанкине и третий в Чэнду. Более того, строительство завода по выпуску 3D NAND в Чэнду якобы было отменено по причине долгового кризиса компании Tsinghua Unigroup, а это главный учредитель Yangtze Memory. На сайте YMTC никакой официальной информации о втором заводе нет. Также компания не стала комментировать заметку Nikkei.

После выхода второго завода YMTC на полную мощность компания сможет каждый месяц обрабатывать до 300 тыс. 300-мм пластин с флеш-чипами, но до этого пройдёт ещё пару лет. Тем не менее, запуск второго завода позволяет китайцам увеличить долю на мировом рынке флеш-памяти с сегодняшних 5 % до более чем 10 % в будущем.

Сегодня основной продукцией YMTC являются 128- и 64-слойные чипы 3D NAND. В этом компания несколько отстаёт от некоторых конкурентов из США, Японии и Южной Кореи, которые научились массово выпускать 176-слойную память 3D NAND. Но китайцы готовятся догонять. Сообщается, что в YMTC созданы две группы из сотен инженеров для параллельной разработки техпроцессов производства 196- и 232-слойной флеш-памяти. К выпуску этой продукции в YMTC рассчитывают приступить в 2023-2024-х годах. Впрочем, образцы 196-слойной памяти компания уже выпускает и даже рассылает их клиентам, среди которых может оказаться даже компания Apple.

Рынок флеш-памяти NAND в III квартале перенасытится — потребительские SSD слегка подешевеют

Компания TrendForce представила прогноз по глобальному рынку флеш-памяти NAND на третий квартал текущего года. Аналитики полагают, что цены на соответствующую продукцию по сравнению со второй четвертью 2022-го либо не изменятся, либо несколько снизятся.

 Источник изображения: Micron

Источник изображения: Micron

По оценкам TrendForce, в период с июля по сентябрь NAND-отрасль столкнётся с перенасыщением. Связано это с продолжающейся пандемией, высокой инфляцией и сложившейся геополитической ситуацией. На этом фоне, в частности, сократились продажи смартфонов. Кроме того, упал спрос на потребительские ноутбуки и хромбуки, оборудованные твердотельными накопителями.

В этой связи цены на флеш-модули eMMC и UFS, применяемые в сотовых аппаратах, а также на клиентские SSD в следующем квартале снизятся на 3–8 % по сравнению со второй четвертью текущего года. Впрочем, затем производство твердотельных накопителей постепенно вернётся к прежним объёмам. Так, Kioxia и WDC месяц за месяцем наращивают выпуск NAND-памяти.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Что касается корпоративных твердотельных накопителей, то заказы со стороны крупных центров обработки данных остаются стабильными, а объёмы складских запасов не слишком высоки. Эти факторы способствуют устойчивому росту, а поэтому цены в третьем квартале не изменятся.

В целом, подчёркивает TrendForce, стоимость флеш-памяти NAND на мировом рынке в следующей четверти года понизится на 0–5 %.

Micron создала первую в мире карту памяти microSD вместимостью 1,5 Тбайт

Компания Micron Technology объявила о разработке первой в мире карты памяти стандарта microSD, способной хранить полтора терабайта информации. Изделие получило обозначение i400 — уже начаты его пробные поставки.

 Источник изображений: Micron Technology

Источник изображений: Micron Technology

В основу новинки положены 176-слойные чипы флеш-памяти 3D NAND. Карта соответствует стандартам SD3.0 и UHS-1, а также U3, A2 и Class 10. Она обладает повышенной устойчивостью к негативным факторам окружающей среды и может функционировать в широком температурном диапазоне — от минус 25 до плюс 85 градусов Цельсия.

Решение предназначено для использования прежде всего в камерах видеонаблюдения. Утверждается, что 1,5 Тбайт ёмкости хватит для хранения видеоматериалов за 120 дней или четыре месяца.

Карта может эксплуатироваться в круглосуточном режиме 24 × 7 в течение пяти лет. Благодаря высокой производительности допускается одновременная 4К-видеозапись и обработка до восьми ИИ-событий в секунду, таких как обнаружение и классификация объектов, распознавание лиц и пр.

Заявленный показатель MTBF (средняя наработка на отказ) достигает 2 млн часов. В серию i400 также входят карты вместимостью 64, 128, 256, 512 Гбайт и 1 Тбайт.

Kioxia выпустила карты памяти microSD высокой ёмкости для непрерывной записи 4K-видео

Компания Kioxia анонсировала новые карты памяти Exceria High Endurance формата microSD, предназначенные для использования прежде всего в камерах наблюдения и автомобильных видеорегистраторах.

 Источник изображений: Kioxia

Источник изображений: Kioxia

Представленные изделия соответствуют стандартам UHS-I, UHS Speed Class 3 (U3) и Video Speed Class 30 (V30). Они обеспечивают возможность непрерывной записи материалов 4К с разрешением 3840 × 2160 пикселей.

Ёмкость новинки составляет 512 Гбайт. Заявленная скорость чтения информации достигает 100 Мбайт/с, скорость записи — 85 Мбайт/с. На карту можно сохранить приблизительно 10,5 часа 4K-видео.

Диапазон рабочих температур простирается от минус 25 до плюс 85 градусов Цельсия. Изделию не страшны рентгеновское излучение, статическое электричество, а также влага. Размеры составляют 15,0 × 11,0 × 1,0 мм.

Нужно отметить, что в семейство карт Kioxia Exceria High Endurance входят и другие модели — вместимостью 32, 64, 128 и 256 Гбайт. Все они способны считывать данные со скоростью до 100 Мбайт/с. Скорость записи составляет соответственно до 30, 65, 65 и 85 Мбайт/с.

Samsung представила флеш-память UFS 4.0 для смартфонов — объём до 1 Тбайт и скорость до 4200 Мбайт/с

Компания Samsung Electronics сообщила о разработке модулей флеш-памяти стандарта Universal Flash Storage (UFS) 4.0, которые предназначены для использования в мощных смартфонах с поддержкой мобильной связи пятого поколения (5G). Новинки обладают очень высокой пропускной способностью и соответственно скоростью передачи данных.

 Источник изображений: Samsung

Источник изображений: Samsung

Изделия Samsung UFS 4.0 обеспечивают пропускную способность до 23,2 Гбит/с на линию. Это в два раза больше по сравнению с чипами стандарта UFS 3.1.

Новые флеш-модули построены на основе памяти Samsung V-NAND седьмого поколения и проприетарного контроллера. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 4200 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 2800 Мбайт/с. Достигается двукратный рост по сравнению с решениями UFS 3.1 при чтении и 1,6-кратный рост при записи.

Кроме того, улучшены показатели энергетической эффективности. В частности, по сравнению с UFS 3.1 энергозатраты при чтении данных сократились на 46 %. За счёт этого увеличится время автономной работы смартфонов от аккумулятора.

Samsung приступит к массовому производству модулей UFS 4.0 в третьем квартале нынешнего года. Изделия будут выпускаться в разных вариантах ёмкости — вплоть до 1 Тбайт.

Samsung представила карты памяти PRO Endurance microSD с повышенной надёжностью для длительной записи видео

Компания Samsung анонсировала флеш-карты PRO Endurance стандартов microSDHC и microSDXC, которые отличаются повышенной надёжностью. Изделия предназначены для применения в камерах наблюдения, видеорегистраторах, носимых видеокамерах и пр.

 Источник изображений: Samsung

Источник изображений: Samsung

В основу новинок положены чипы NAND корпоративного класса с продолжительным сроком службы. Диапазон рабочих температур простирается от минус 25 до плюс 85 градусов Цельсия. Картам не страшны погружения под воду на глубину один метр на 72 часа.

Серия microSDHC соответствует стандартам Class 10, U1, V10. Заявленная скорость чтения информации достигает 100 Мбайт/с, скорость записи — 30 Мбайт/с. Доступны варианты вместимостью 32 и 64 Гбайт.

Семейство microSDXC включает модификации вместимостью 128 и 256 Гбайт. Говорится о соответствии стандартам Class 10, U3, V30. Скорость чтения составляет до 100 Мбайт/с, скорость записи — до 40 Мбайт/с.

Старшая версия обеспечивает возможность записи видеоматериалов непрерывно в течение 16 лет. Стоимость новинок варьируется от 11 до 55 долларов США.

Lexar представила самые быстрые в мире карты памяти CFexpress Type B — до 1900 Мбайт/с

Компания Lexar анонсировала флагманские карты памяти формата CFexpress для профессиональных фотографов, операторов и создателей контента. Дебютировали изделия Professional CFexpress Type B Card Diamond Series и Lexar Professional CFexpress Type A Card Gold Series.

Источник изображений: Lexar

Разработчик называет изделия семейства Professional CFexpress Type B Card Diamond самыми быстрыми в мире картами соответствующего типа. Заявленная скорость чтения информации достигает 1900 Мбайт/с. Скорость записи составляет до 1700 Мбайт/с, что позволяет вести съёмку материалов в форматах 8K, 6K и 4K, в том числе и без обработки (в формате RAW).

Решения серии Lexar Professional CFexpress Type A Card Gold, в свою очередь, способны считывать информацию со скоростью до 900 Мбайт/с и записывать со скоростью до 800 Мбайт/с. Эти карты подходят для фотосъёмки в высоком разрешении и для записи видео в форматах 8K, 6K и 4K.

В ближайшие месяцы Lexar также выпустит ридер CFexpress Type A, который обеспечивает скорость передачи данных до 10 Гбит/с через порт USB Type-C.

Новые карты памяти поступят в продажу в текущем квартале. Сведений об ориентировочной цене пока, к сожалению, нет, но она явно будет весьма высокой. Также не уточняется, карты с какой ёмкостью будут предложены в обозначенных сериях. Точно можно сказать лишь о выходе модели Professional CFexpress Type B Card Diamond на 256 Гбайт и Professional CFexpress Type A Card Gold на 160 Гбайт.

Три способа восстановления удалённых файлов с флеш-накопителя

Вы когда-нибудь отключали USB-флешку во время передачи данных, а потом с досадой понимали, что потеряли не только те файлы, что передавались, но и те, что уже были на ней? Если да — не вы первый, не вы последний. Специально для таких случаев мы покажем вам три способа восстановления удалённых файлов на USB-накопителях на компьютерах с Windows.

Причины потери данных на USB-накопителе

Помимо отключения устройства от ПК во время его использования, существуют другие причины, по которым данные с флеш-накопителей иногда исчезают без предупреждения. К ним относятся:

  • случайное удаление файлов;
  • заражение вредоносным ПО;
  • фрагментация данных;
  • неподходящие условия эксплуатации (слишком высокая влажность, температура и т. д.);
  • аппаратный сбой;
  • ошибка программного обеспечения;
  • проблемы с подачей питания на USB-порты.

Но независимо от причины потери данных на флеш-накопителе, их можно восстановить. Вот, что вам необходимо сделать:

  • Прекратите использование флеш-накопителя сразу после обнаружения потери данных.
  • Отключите флэш-накопитель от компьютера и храните его отдельно, пока у вас не появится время начать процесс восстановления данных.
  • Не пытайтесь скопировать данные с флэш-накопителя в другое место — так вы только ухудшите ситуацию.

Как восстановить удалённые файлы с USB-накопителя

1. Восстановление с помощью командной строки Windows

Мы решили начать с этого способа не потому, что он самый простой или самый эффективный, а потому, что вам не нужно загружать сторонние инструменты или активировать какую-либо функцию защиты данных. Командная строка (CMD) является неотъемлемой частью всех ПК с Windows, и она поддерживает все команды, необходимые для поиска и восстановления утраченных файлов.

1. Подключите флэш-накопитель к компьютеру.

2. Откройте меню «Пуск», введите cmd и нажмите Enter на клавиатуре.

3. Введите chkdsk X: /f в окне «Командная строка» и нажмите Enter. Не забудьте заменить «X» буквой, присвоенной вашему USB-накопителю.

4. Наконец, введите ATTRIB -H -R -S /S /D X:*.* и нажмите клавишу Enter (снова замените «X» буквой диска USB-накопителя).

5. Дождитесь завершения процесса.

Если процедура прошла успешно, вы должны увидеть все удалённые файлы во вновь созданной папке на вашем USB-накопителе.

2. Используйте функцию восстановления предыдущих версий

Функция «Восстановление предыдущих версий», присутствующая во всех последних версиях операционной системы Windows (включая Windows 7, 8, 10 и 11), позволяет восстановить удалённые файлы без применения сторонних инструментов. Но она сработает только в том случае, если вы включили её до потери данных.

Чтобы восстановить удалённые данные с флеш-накопителя, сделайте следующее:

1. Подключите флэш-накопитель к компьютеру.

2. Откройте меню «Пуск», введите Computer и нажмите Enter на клавиатуре.

3. Щёлкните правой кнопкой мыши на флеш-накопителе и выберите «Свойства».

4. Перейдите на вкладку «Предыдущие версии» и просмотрите список доступных вариантов восстановления.

5. Выберите предыдущую версию и нажмите «Восстановить».

Если вы не видите предыдущих версий, вы не можете использовать этот метод для восстановления удалённых файлов с флеш-накопителя. В этом случае мы рекомендуем перейти к третьему методу, который гарантированно сработает несмотря ни на что.

3. Используйте iBeesoft Free Data Recovery для восстановления удалённых файлов с USB-накопителя

Лучший метод восстановления удалённых с USB-накопителей файлов мы оставили напоследок. iBeesoft Free Data Recovery Software — это полноценное решение для восстановления данных профессионального уровня. Программа настолько проста в использовании, что даже новички, боящиеся компьютеров, как вампиры — крестов, могут легко ей пользоваться.

Чтобы восстановить удалённые файлы с USB-накопителя, сделайте следующее:

Шаг 1. Загрузите и установите iBeesoft Data Recovery для ПК с Windows.

Шаг 2. Подключите USB-накопитель и запустите iBeesoft Free Data Recovery.

Шаг 3. Нажмите кнопку «Сканировать» рядом с диском, на котором находятся удалённые файлы.

Шаг 4. Дождитесь окончания сканирования. После этого просмотрите файлы, которые необходимо восстановить.

Шаг 5. Выберите файлы, которые вы хотите вернуть с помощью iBeesoft Free Data Recovery, и нажмите кнопку «Восстановить».

iBeesoft Free Data Recovery сканирует ваш USB-накопитель — или любое другое устройство хранения данных — с помощью современных алгоритмов распознавания. Они распознают даже повреждённые файлы и возвращают их к жизни. iBeesoft Free Data Recovery можно попробовать бесплатно, его можно применять для восстановления до 2 Гбайт данных.

Как видите, восстановление файлов с помощью iBeesoft Free Data Recovery является чрезвычайно простым делом. Но, несмотря на простоту, вам будет трудно найти более надёжное решение для восстановления данных, чем эта программа.

Если вы потеряли важные файлы, это не значит, что их невозможно вернуть. В этой статье мы описали три способа восстановления удалённых файлов с флеш-накопителей, включая профессиональное решение для восстановления данных iBeesoft Free Data Recovery. Перейдите на iBeesoft.com, чтобы загрузить бесплатное программное обеспечение для восстановления данных. Теперь вам будет проще спасти положение — просто следуйте нашим инструкциям.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Instagram начнёт показывать рекламу на вкладке «Обзор» и в профилях пользователей 3 ч.
«Ростелеком» и Axenix разработают решения для управления корпоративными данными 3 ч.
Инсайдер рассказал, продолжением какой Call of Duty станет следующая игра авторов Vanguard, WWII и Advanced Warfare 4 ч.
Илон Маск и Twitter пока не договорились о прекращении судебного разбирательства 6 ч.
Подготовка к анонсу следующего проекта Кодзимы больше похожа на игру в «Кто? Где? Когда?» 6 ч.
Сиквел Cyberpunk 2077 разработают авторы оригинала — для этого они переедут из Польши в США 7 ч.
«Хоть бы EA не испортила игру»: дебютный геймплей экшена Wild Hearts дал геймерам надежду на качественный аналог Monster Hunter 7 ч.
Mastercard снизит риски при покупке криптовалюты 8 ч.
Представлена российская платформа управления контейнерами «Штурвал» 8 ч.
Обнаружена модифицированная версия Tor Browser, которая шпионит за китайцами 8 ч.
Луна могла образоваться за несколько часов после столкновения Земли с другой планетой 10 мин.
Новая статья: Обзор системы жидкостного охлаждения ID-Cooling DashFlow 240 Basic Black 27 мин.
«Билайн» ускорил доступ к сервисам VK 36 мин.
«AzerTelecom» и «Казахтелеком» договорились о прокладке оптоволоконного интернет-кабеля по дну Каспийского моря 40 мин.
Intel поделилась планами по выпуску новых FPGA — новое поколение Agilex выйдет в 2023-2024 годах 5 ч.
SanDisk выпустила Professional Pro-G40 — защищённый внешний SSD с Thunderbolt 3, IP68 и скоростью до 2700 Мбайт/с 5 ч.
Учёные сделали новые открытия, дополнив наблюдения телескопа «Джеймс Уэбб» данными с «Чандры» 6 ч.
Контроллер Stadia можно подключить к другим платформам беспроводным способом, но существующие методы не слишком удобны 6 ч.
SpaceX запустила к МКС корабль Crew Dragon с тремя астронавтами и российским космонавтом Анной Кикиной 6 ч.
Intel обновила системные требования видеокарт Arc — теперь они официально совместимы с Ryzen 3000 и Ryzen 5000 6 ч.