Теги → флеш
Быстрый переход

Неочевидное и невероятное: Micron готовит NAND с записью 8 бит в ячейку

Один из авторов сайта WCCFtech распространил информацию, согласно которой компания Micron якобы планирует представить флеш-память с записью восьми бит в одну ячейку. По многочисленным доверенным источникам, продолжает автор, память OLC NAND (Octa-Level NAND) будет представлена в течение первой половины этого года. Иначе говоря, до середины лета ― не позже июля. Другой информации по данному сообщению нет.

Пример градации 8 уровней сигнала для записи трёх бит в одну ячейку NAND (Yeestor Microelectronics)

Пример градации 8 уровней сигнала для записи трёх бит в одну ячейку NAND. Выше однопроходная запись (Samsung, Toshiba), ниже двухпроходная (Intel, Micron) (Источник: Yeestor Microelectronics)

Что говорить, звучит заманчиво, но верится с трудом. Дело даже не в сложности реализации такого проекта. Чтобы записать два бита данных в ячейку MLC NAND, необходим сигнал с четырьмя разными уровнями напряжения. Для записи трёх бит в ячейку нужен 8-уровневый сигнал. Для четырёхбитовой ячейки ― 16-уровневый. Ячейка с возможностью хранения 8 бит (байта) должна содержать 256-уровневый сигнал (256 значений (порогов) напряжения). На иллюстрации выше, например, показан сигнал для записи трёх бит в ячейку. Уровень записи имеет 8 порогов в пределах от 0 до 639 мВ. На запись одного уровня (не бита!) требуется свыше 60 мВ. При этом необходимо избежать перекрытия, чтобы облегчить работу контроллеру по коррекции ошибок. Если с таким шагом записывать ячейку с 256-уровневым (8-битным) сигналом, диапазон напряжений для записи выходит за 15 В, что представляется немыслимым.

Нетрудно сообразить, что взять подобный барьер чрезвычайно сложно, если вообще возможно с оправданно-экономической точки зрения. Контроллер памяти OLC NAND должен выполнять сложнейшую работу, как и стократно возрастёт нагрузка на блок коррекции ошибок. Но даже если Micron сможет решить все технические и технологические трудности, выпускать новую и теоретически в два раза более плотную память в период перепроизводства видится сильно неразумным. Проще продолжить наращивать число слоёв памяти 3D NAND, добавив ещё 30 % ёмкости 96-слойным микросхемам за счёт дополнительного 48-слойного кристалла, чем городить огород с 256-уровневой записью в ячейку. По крайней мере, нам так представляется. Будем рады ошибиться.

Ёмкость карт памяти Samsung microSDXC EVO Plus достигает 512 Гбайт

Компания Samsung анонсировала новые карты памяти microSDXC EVO Plus, рассчитанные на использование в мощных мобильных устройствах.

Серия включает изделия вместимостью 32 Гбайт, 64 Гбайт, 128 Гбайт, 256 Гбайт и 512 Гбайт. Комплект поставки включает адаптер SD для использования карт, скажем, в ноутбуках.

Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 100 Мбайт/с, скорость записи — 90 Мбайт/с. Таким образом, новинки подходят для работы с видеоматериалами в формате 4К.

Новинки выполнены в соответствии с технологией 4-Proof Protection. Это означает, что картам памяти не страшны 72-часовые погружения в морскую воду, перепады температур, воздействие рентгеновского излучения и магнитных полей.

Заявленный диапазон рабочих температур простирается от минус 25 до плюс 85 градусов Цельсия. На изделия предоставляется гарантия сроком 10 лет.

Стоимость старшей версии Samsung microSDXC EVO Plus — объёмом 512 Гбайт — составляет 200 долларов США. 

Терабайт в смартфоне: в Samsung начат выпуск новейших модулей eUFS

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли встраиваемых модулей флеш-памяти Embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 вместимостью 1 Тбайт.

Изделие рассчитано на применение в мобильных устройствах следующего поколения. Речь идёт о смартфонах и фаблетах, владельцы которых, как отмечается, смогут получить накопитель, сравнимый по ёмкости с SSD в ноутбуках премиум-класса.

Анонсированный модуль eUFS 2.1 имеет размеры 11,5 × 13,0 мм. Он выполнен с применением флеш-памяти V-NAND и новейшего проприетарного контроллера, обеспечивающего высокие показатели быстродействия.

В частности, заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 1000 Мбайт/с. Последовательная запись данных может осуществляться со скоростью до 260 Мбайт/с.

Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) составляет до 58 тыс. при произвольном чтении данных и до 50 тыс. при произвольной записи.

Таким образом, терабайтный модуль eUFS 2.1 сможет полностью удовлетворить потребности будущих смартфонов в высокоскоростном хранилище информации. Утверждается, что решение обеспечивает примерно в два раза более высокую скорость чтения данных по сравнению с обычными SSD-накопителями в формате 2,5 дюйма с интерфейсом SATA.

По всей видимости, изделие будет предлагаться в качестве опции для некоторых модификаций флагманских аппаратов Galaxy S10, анонс которых состоится в ближайшие недели. 

Для смартфонов и VR Toshiba представила первую в мире флеш-память с шиной UFS 3.0

Компания Toshiba Memory представила первую в мире флеш-память с интерфейсом UFS 3.0. Чистовая версия спецификаций UFS 3.0 была представлена комитетом JEDEC почти ровно год назад ― в конце января 2018 года. Тем самым до появления первых образцов коммерческих чипов памяти с новым интерфейсом пришлось ждать целый год. Увы, это реалии хорошей и удобной для мобильного применения последовательной шины Universal Flash Storage (UFS), которая в устройства пробивается с изрядными трудностями. Предпочтением для производителей по-прежнему остаются память и интерфейс eMMC, хотя UFS не уступает по скорости передачи данных и имеет массу других положительных характеристик: сниженное энергопотребление, улучшенную систему команд и другое.

С шиной UFS 3.0 компания Toshiba выпустила или готовится выпускать три однокорпусных продукта ёмкостью 128, 256 и 512 Гбайт. Образцы 128-Гбайт чипов доступны для рассылки немедленно, а остальные два будут доступны после марта. Все чипы набраны из кристаллов новейшей 96-слойной памяти 3D NAND (BiCS FLASH). В Toshiba ожидают, что новинки с шиной UFS 3.0 найдут применение в массе мобильных устройств, включая смартфоны, планшеты и гарнитуры виртуальной и дополненной реальности. Высокая плотность и возросшая скорость передачи данных будут востребованы для работы с медийными файлами, тогда как размеры чипов памяти остаются достаточно маленькими, чтобы без проблем разместиться в компактных и тонких устройствах.

Размеры корпуса памяти Toshiba с шиной UFS 3.0 составляют 11,5 × 13 мм. Контроллер встроен в чип памяти и поддерживает все необходимые для работы NAND-флеш протоколы, включая коррекцию ошибок, выравнивание массивов данных, перевод логической адресации в физическую (к ячейкам), сокрытие битых ячеек и другое, что значительно упрощает жизнь разработчикам устройств (фактически чип с шиной UFS ― это готовый к немедленному использованию однокорпусной SSD).

Теоретическая пропускная способность по одной линии для шины UFS 3.0 составляет 11,6 Гбит/с, что для двух стандартных линий интерфейса достигает общей пропускной способности 23,2 Гбит/с. Тем самым, если сравнивать с шиной UFS 2.0, устоявшиеся скорости чтения и записи выросли соответственно на 70 % и 80 %. Это хорошее предложение для проектировщиков смартфонов. Воспользуются ли?

CES 2019: Флеш-брелок SanDisk рекордной вместимости

Компания Western Digital привезла на выставку электроники Consumer Electronics Show (CES) 2019 прототип самого ёмкого в мире флеш-брелока.

Новинка представлена под брендом SanDisk. Небольшая флешка способна хранить 4 Тбайт информации! Скоростные показатели, к сожалению, не приводятся.

В текущем виде накопитель оснащён небольшим соединительным кабелем с симметричным коннектором USB Type-C. Причём этот кабель прячется в специальный жёлоб в корпусе брелока.

Наблюдатели полагают, что новинка выполнена с применением 96-слойных чипов флеш-памяти BiCS4 ёмкостью 1,33 Тбит. Такие изделия изготавливаются с применением технологии QLC, или Quad-Level Cell, которая предусматривает хранение четырёх бит информации в одной ячейке.

Особо подчёркивается, что пока 4-терабайтная флешка существует в виде прототипа и выводить её на коммерческий рынок не планируется. Причина — высокая стоимость. Так, к примеру, флеш-брелоки вместимостью 2 Тбайт предлагаются по цене около 1200 долларов США. 

Память дешевеет, производители напуганы и сокращают инвестиции

Ведущие производители памяти, Samsung и SK Hynix, которые в сумме занимают две трети рынка чипов DRAM и чуть менее половины рынка NAND, вынуждены пересмотреть свои планы по наращиванию производственных мощностей. Как сообщают аналитики, корейские производители столкнулись с уменьшением спроса на свою продукцию, и им не остаётся ничего иного, кроме как пересмотреть стратегию развития. Согласно расчётам IC Insights, компания Samsung инвестирует в 2019 году в развитие производства $18 млрд, что на 20 % меньше, чем в завершающемся году, а SK Hynix сократит капитальные вложения в 2019 году на 22 % до суммы в $10 млрд.

Аналитик корейского института развития (KDI), Квон Кью-хо (Kwon Kyu-ho) предупреждает, что «у компаний нет иного выхода и им придётся корректировать темпы расширения производства, потому что невозможно рассчитывать на то, что бум на рынке памяти, наблюдавшийся в 2017 и 2018 годах, продолжится и в следующем году». Собственно, падение спроса на полупроводниковую продукцию корейских гигантов прослеживается уже сейчас. В ноябре суммарные поставки чипов Samsung и SK Hynix снизились на 16,3 % относительно показателей октября. А объёмы производства за тот же срок уменьшились на 5,2 %.

До недавних пор производители памяти получали сверхдоходы на фоне бурного развития всей IT-индустрии и роста «экономики данных», в рамках которой глобальные компании вроде Google и Amazon стали основными покупателями чипов памяти для ввода в эксплуатацию разнообразных облачных сервисов и сервисов обработки «больших данных». Однако в настоящее время интенсивный рост этой отрасли заканчивается, а торговые конфликты между США и Китаем вносят дополнительную неопределённость в будущее. Стагнирует и рынок смартфонов, который раньше тоже выступал крупным потребителем микросхем памяти.

В результате, глобальные рынки чипов DRAM и NAND, где Samsung и SK Hynix занимают доминирующее положение, входят в период нисходящих трендов. В частности, стоимость чипов DRAM в период с августа по октябрь снизилась на 11 %, а в период с октября по настоящее время упала ещё на 1 %. Похожая тенденция наблюдается и с чипами флеш-памяти. С августа по октябрь они подешевели на 10 %, а с октября по декабрь – ещё на 2 %.

Как поясняют отраслевые эксперты, такого резкого падения цен не ожидал никто. Но ещё хуже, что нет ни одной причины, по которой ситуация может поменяться. Впереди — затяжной период превышения предложения над спросом со всеми вытекающими последствиями. И здесь ведущих производителей памяти поджидает ещё один удар: в 2019 году массовый выпуск DRAM и NAND-продукции должны начать китайские компании.

Colorful выпустила свой самый ёмкий SSD-накопитель

Компания Colorful анонсировала новый твердотельный (SSD) накопитель, вошедший в семейство устройств SL500: новинка рассчитана на хранение 2 Тбайт информации.

Утверждается, что представленное решение — это самый вместительный SSD-накопитель Colorful. До сих пор в серии SL500 были доступны устройства ёмкостью от 240 Гбайт до 1 Тбайт.

Новинка выполнена в 2,5-дюймовом форм-факторе, благодаря чему подходит для применения в настольных компьютерах и ноутбуках. Для подключения используется стандартный интерфейс Serial ATA 3.0, обеспечивающий пропускную способность до 6 Гбит/с.

Основой служат микрочипы флеш-памяти 3D NAND. Скоростные показатели, к сожалению, не раскрываются. Но сетевые источники полагают, что скорость чтения составляет около 550 Мбайт/с, а скорость записи — примерно 520 Мбайт/с.

Когда и по какой цене накопитель поступит в продажу, не уточняется.

Отметим, что спрос на SSD-устройства устойчиво растёт. Это способствует снижение  удельной стоимости накопителей на единицу ёмкости, а также увеличение вместимости. 

Toshiba не страшится перепроизводства NAND и не будет продавать Toshiba Memory

Перепроизводство на рынке флеш-памяти NAND уже снизило контрактные цены на эту продукцию на 10 % за прошедший квартал и грозится дальше обрушивать цены на флеш и SSD в течение всего следующего года. В связи с этим и по другим вопросам журналисты Reuters обратились за разъяснением к генеральному директору корпорации Toshiba.

Директор Toshiba Corp Нобуаки Куруматами (Nobuaki Kurumatani, REUTERS/Issei Kato)

Директор Toshiba Corp Нобуаки Куруматами (Nobuaki Kurumatani, REUTERS/Issei Kato)

Как известно, Toshiba не стала целиком избавляться от подразделения Toshiba Memory по производству памяти NAND-флеш (3D NAND). Более того, Toshiba реинвестировала в подразделение, когда получила средства за большую часть активов Toshiba Memory. Сумма сделки с консорциумом Bain Capital, куда вошли компании SK Hynix, Apple, Dell и Seagate составила около $18 млрд. В этой сумме вклад самой Toshiba составил $3,1 млрд, что дало ей возможность получить 40,2 % акций Toshiba Memory. Пока память росла в цене, эта доля приносила хорошие деньги, но не пришло ли время сбрасывать балласт?

По словам директора Toshiba, компания провела удачную сделку и выдержала баланс между сохранённым производством памяти NAND и необходимостью значительно инвестировать в его поддержку. Она избавила себя от заботы самостоятельно тратить огромные средства на расширение производства и заводы и, при этом, продолжает получать дивиденды. В этом много лукавства, но в итоге компания добилась баланса и это хорошо. Она продолжает быть заинтересованной в выпуске качественной продукции в необходимых объёмах и в соответствии с рыночным спросом.

Руководство Toshiba подтвердило, что не намерено продавать часть или всю свою долю в Toshiba Memory. Более того, компания приступила к ранней стадии подготовки к выводу Toshiba Memory на фондовый рынок (IPO). Это, уверены в Toshiba, произойдёт в течение двух или трёх лет. Компания Toshiba Memory станет публичной в тот момент, когда потребует рыночная ситуация и, что интересно, Toshiba призналась, что на это также повлияет ситуация с китайскими чипмейкерами. Пожалуй, это первое публичное заявление Toshiba о растущих опасениях по отношению к зарождающемуся в Китае национальному производству NAND-флеш. На наш взгляд, это самое ценное в данном интервью.

В 2019 году оперативная и флеш-память ощутимо подешевеют

Цены на оперативную память DRAM и флеш-память NAND в наступающем 2019 году будут стремительно снижаться, сообщает авторитетный тайваньский ресурс DigiTimes со ссылкой на отраслевые прогнозы.

Сообщается, что цены на микросхемы как оперативной, так и флеш-памяти будут изменяться таким образом, что уже в первом квартале можно будет зафиксировать их снижение более чем на 10 %. Причём твердотельная память подешевеет сильнее, чем оперативная.

По оценкам экспертов, цены на твердотельную память NAND постепенно снизятся более чем на 15 % уже в течение одного только первого квартала 2019 года. В дальнейшем, то есть во втором квартале, цены продолжат последовательно уменьшаться, правда, пока неизвестно, насколько стремительно.

Что касается микросхем оперативной памяти DRAM, то за весь 2019 год цены на неё, вероятно, упадут на 30–35 %. Обусловлено это будет в первую очередь увеличением предложения. По данным источников, производственные мощности, на которых выпускаются микросхемы оперативной памяти, будут прирастать примерно на 10–15 % в год в течение следующих двух лет.

Кроме того в первом квартале 2019 года поставки продукции с памятью DRAM для серверного сегмента рынка могут оказаться самыми слабыми за почти три года.

Kingmax KE31: карманные SSD-накопители ёмкостью до 960 Гбайт

Компания Kingmax Technology представила семейство портативных твердотельных накопителей KE31, продажи которых начнутся в ближайшее время.

Устройства заключены в корпус белого цвета с габаритами всего 49,5 × 80,0 × 9,4 мм, а вес составляет приблизительно 35 граммов. В серию вошли три модели — вместимостью 240 Гбайт, 480 Гбайт и 960 Гбайт.

Для подключения к компьютеру служит интерфейс USB 3.0 с пропускной способностью до 5 Гбит/с. Этот же порт служит для подачи питания. Гарантирована совместимость с компьютерами под управлением операционных систем Microsoft Windows, Apple macOS и Linux. Установка драйверов не требуется.

Заявленная скорость передачи информации в режиме последовательного чтения составляет до 400 Мбайт/с, в режиме последовательной записи — до 390 Мбайт/с.

Средняя наработка на отказ, согласно техническим характеристикам, достигает 1,2 млн часов. На накопители предоставляется трёхлетняя гарантия. О цене устройств серии Kingmax KE31, к сожалению, ничего не сообщается. 

SK Hynix предложит недорогую встраиваемую флеш-память

Как мы не раз сообщали, в июле 2017 года компания SK Hynix создала подразделение SK Hynix System IC для работ по выпуску полупроводников по сторонним контрактам. В распоряжение SK Hynix System IC была отдана 200-мм фабрика M8 в городе Чхонджу (Cheongju). Ассортимент контрактного подразделения SK Hynix относительно скуден и представлен драйверами для мониторов, датчиками изображений КМОП, а также силовыми дискретными элементами. Всё это доступно в техпроцессах от 500 нм до 57 нм. Но даже несмотря на ограниченное предложение, подразделение SHSI смогло в 2017 году принести SK Hynix $260 млн выручки. В будущем, как представляют себе в компании, контрактная деятельность снизит зависимость SK Hynix от переменчивого рынка памяти.

В то же время в компании понимают, что для достижения желанной цели производителю необходимо расширять ассортимент. Чем? А давайте посмотрим в сторону вещей подключения к Интернету, — решили в SK Hynix. Модная тема, и наверняка потребует решений с памятью, на чём специализируется компания. Но для контроллеров IoT необходима память с потреблением ниже обычного и желательно как можно дешевле. К тому же она должна быть встраиваемой, а не в виде отдельных микросхем. Такая технология, например, много лет используется тайваньской компанией Silicon Storage Technology (SST) в виде памяти SuperFlash.

Как сообщает тайваньский интернет-ресурс DigiTimes, компания Microchip Technology через дочернюю компанию Silicon Storage Technology заключила многолетний договор с SK Hynix System IC на адаптацию технологии производства встраиваемой памяти SuperFlash к техпроцессам южнокорейского производителя. Разработка адаптированного техпроцесса стартовала в этом году и будет завершена в начале 2019 года. Технология SuperFlash будет реализована на 110-нм КМОП техпроцессе SK Hynix System IC и будет доступна для сторонних разработчиков в виде IP-блоков.

Память SuperFlash, уверены в SK Hynix, станет идеальным решением для устройств Интернета вещей, смарт-карт и широкого спектра микроконтроллеров. Технология SuperFlash отличается высокой энергоэффективностью и, например, хорошо зарекомендовала себя в картах и устройствах для бесконтактной оплаты.

Цены на SSD упали за год вдвое, но больше пока не хотят

В последнее время цены на флеш-память NAND перестали снижаться, и даже показали некоторый рост в преддверие нового года, сообщает авторитетный тайваньский ресурс DigiTimes со ссылкой на отраслевые источники.

Однако поводов для беспокойства нет, и уже в начале следующего года цены вернутся к снижению. Способствовать этому по-прежнему будет избыточное предложение, наметившееся на рынке ещё раньше в этом году. Заметим, что благодаря этой ситуации, цены на твердотельные накопители за 2018 год уменьшились примерно в два раза.

Источник указывает на то, что поставщики микросхем твердотельной памяти в последнее время несколько повысили цены. Сами же производители как чипов NAND, так и готовых устройств на их основе, по-прежнему не спешат наращивать поставки продукции. Отмечается, что за последнее время лишь немного выросли цены на флеш-карты, тогда как твердотельные накопители продолжают дешеветь. Цены на память eMMC и eMCP, которая используется в готовых устройствах, например, смартфонах, остаются стабильными.

Ожидается, что в следующем году получится уменьшить переизбыток на рынке флеш-памяти в том числе за счёт смартфонов с большим объёмом встроенной памяти. Ожидается, что в наступающем году производители будут активно оснащаться свои флагманские смартфоны 512 Гбайт встроенной флеш-памяти.

Что касается стоимости твердотельных накопителей, то как и упоминалось выше, она значительно уменьшилась за этот год. На данный момент, цена твердотельного накопителя на 240 Гбайт примерно равно цене жёсткого диска объёмом 1 Тбайт. А уже к концу следующего года по цене терабайтного винчестера можно будет купить SSD объёмом 480/512 Гбайт.

ADATA представила microSD-карты XPG объёмом до 512 Гбайт для игровых устройств

Компания ADATA представила новую серию карт памяти XPG, предназначенную специально для игровых устройств. В новой серии предлагаются microSD-карты объёмом до 512 Гбайт и все они соответствуют спецификации App Performance Class 1 (A1), что должно гарантировать их высокую производительность.

Серия ADATA XPG включает карты памяти microSDXC объёмом 128, 256 и 512 Гбайт, для которых заявлена скорость случайного чтения до 100 Мбайт/с и скорость случайной записи до 85 Мбайт/с. Новинки соответствуют спецификациям Video Speed Class V30 и UHS-I Class 3, что гарантирует минимальную скорость записи в 30 Мбайт/с. В свою очередь соответствие классу A1 означает, что количество операций ввода/вывода в секунду при чтении и записи должно составлять не меньше 1500 и 500 IOPS соответственно.

Новые microSD-карты ADATA XPG ориентированы на использование в игровых смартфонах, портативных консолях Nintendo Switch, различных автономных гарнитурах виртуальной реальности и других устройствах. Новинки способны работать при температурах от -25 до 85°C, что позволяет использовать их в фотоаппаратах и дронах.

Стоимость новых карт памяти ADATA XPG пока что не уточняется, но скорее всего она будет находиться примерно на том же уровне, что и стоимость карт от других производителей с подобными характеристиками.

Новая статья: Лучшие карты microSD объёмом 128 Гбайт: сравнительный тест 20 моделей

Данные берутся из публикации Лучшие карты microSD объёмом 128 Гбайт: сравнительный тест 20 моделей

SK Hynix успешно создала свою флеш-память «4D NAND»

В августе этого года компания SK Hynix анонсировала выпуск якобы нового типа флеш-памяти под названием «4D NAND». Теперь же сообщается, что производитель успешно создал данный тип памяти и готовится начать его массовое производство.

Сообщается, что компания создала 96-слойные микросхемы памяти «4D NAND» ёмкостью 512 Гбит, то есть 64 Гбайт. При этом площадь микросхемы оказалась на 30 % меньше по сравнению с 72-слойной микросхемой той же ёмкости. Также отмечается возросшая на 25 и 30 % производительность при чтении и записи соответственно.

До конца года компания SK Hynix планирует начать массовое производство данных 92-слойных микросхем ёмкостью 512 Гбит. В следующем же году компания собирается начать производство подобных микросхем объёмом 1 Тбит. Также сообщается о планах по выпуску клиентских твердотельных накопителей объёмом до 1 Тбайт на базе собственных контроллеров SK Hynix.

Технология «4D NAND» по своей сути является скорее немного улучшенной версией уже давно используемой 3D NAND, нежели принципиально новым подходом к созданию твердотельной памяти. Новая память компании SK Hynix будет сочетать две важные особенности. Во-первых, она будет опираться на ячейку с ловушкой заряда (Charge Trap Flash, CTF). Во-вторых, периферийные цепи, управляющие массивом ячеек, будут перенесены под сами ячейки (Periphery Under Cell, PUC).

Однако стоит отметить, что SK Hynix всегда выпускала память 3D NAND с ячейкой с ловушкой заряда, как и большинство других производителей. Что касается переноса управляющей периферии под ячейки, то подобная технология, но под названием (CMOS under the array, CuA), давно используется Intel и Micron. А в скором времени и Samsung начнёт применять технологию CuA при производстве памяти 3D NAND. Так что чего-то действительно инновационного в памяти «4D NAND» от SK Hynix на самом деле нет.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥