Теги → флеш
Быстрый переход

SSD-накопители ADATA Falcon обеспечивают скорость чтения до 3100 Мбайт/с

Компания ADATA Technology представила быстрые твердотельные накопители семейства Falcon, которые можно применять в настольных и портативных компьютерах, в том числе в системах игрового класса.

Изделия выполнены в формате M.2 2280: габариты составляют 22 × 80 мм. Применены микросхемы флеш-памяти 3D NAND. Для подключения служит интерфейс PCIe 3.0 x4, благодаря чему обеспечивается высокая пропускная способность.

В семейство ADATA Falcon вошли четыре модели — вместимостью 256 и 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации достигает 3100 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 1500 Мбайт/с.

Накопители способны выполнять до 180 тыс. операций ввода/вывода в секунду (показатель IOPS) при произвольном чтении и записи данных блоками по 4 Кбайт.

Заявленный диапазон рабочих температур простирается от 0 до 70 градусов Цельсия. Средняя наработка на отказ (величина MTBF) — 1,8 млн часов. Изделия обеспечиваются пятилетней гарантией.

Накопители наделены охлаждающим радиатором из алюминиевого сплава. Поддерживается шифрование информации по алгоритму AES с ключом длиной 256 бит.

Сведений об ориентировочной цене пока нет. 

Новые SSD-накопители GIGABYTE UD Pro используют интерфейс SATA

Компания GIGABYTE анонсировала новые твердотельные (SSD) накопители семейства UD Pro, рассчитанные на применение в персональных компьютерах для массового рынка.

Дебютировали модели GP-UDPRO256G, GP-UDPRO512G и GP-UDPRO1T вместимостью соответственно 256 Гбайт, 512 Гбайт и 1 Тбайт. Решения выполнены с применением 96-слойных чипов флеш-памяти Kioxia 3D TLC NAND: данная технология предусматривает хранение трёх бит информации в одной ячейке.

Накопители имеют 2,5-дюймовый форм-фактор, а для подключения служит интерфейс SATA 3.0 с пропускной способностью до 6 Гбит/с. Скорость последовательного чтения информации у всех устройств достигает 550 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 530 Мбайт/с.

Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) составляет до 97–98 тыс. и 89 тыс. при произвольном чтении и записи соответственно.

Поддерживаются средства мониторинга S.M.A.R.T. и команды TRIM (служат для увеличения срока службы и оптимизации производительности). На накопители предоставляется пятилетняя гарантия.

Информации об ориентировочной цене новых SSD семейства GIGABYTE UD Pro на данный момент, к сожалению, нет. 

Team Group выпустила флеш-накопитель T-Force Spark RGB

Компания Team Group сообщила о начале продаж новых устройств хранения данных на основе флеш-памяти — изделий T-Force Spark RGB и Elite SDXC.

T-Force Spark RGB — это флеш-брелок, оборудованный выдвижным коннектором USB. Благодаря такой конструкции устройству не требуется защитный колпачок.

Накопитель наделён многоцветной подсветкой. В среде Windows синий, жёлтый, и красный сигналы отображают уровень оставшегося свободного места при чтении и записи данных.

Вместимость составляет 128 Гбайт. Накопитель выполнен в корпусе чёрного цвета. Цена — 25 долларов США.

Карты памяти Elite SDXC, в свою очередь, предлагаются в версиях ёмкостью 64, 128 и 256 Гбайт. Эти изделия стоят соответственно 15, 23 и 41 доллар США.

Карты памяти Elite SDXC способны работать в широком диапазоне температур и имеют защиту от влаги, сотрясений, статического электричества и рентгеновских лучей.

Поддержка спецификации UHS-I Class 30 (V30) обеспечивает скорость чтения/записи до 90/45 Мбайт/с. 

Карты памяти WD Purple QD101 стандарта microSDXC имеют ёмкость до 512 Гбайт

Компания Western Digital начала поставки флеш-карт семейства WD Purple QD101, о подготовке которых впервые сообщалось осенью прошлого года.

Особенность новинок — повышенная надёжность. Изделия предназначены для применения в системах видеонаблюдения, работающих в круглосуточном режиме (24/7).

Применена 96-слойная память 3D TLC NAND: данная технология предусматривает хранение трёх бит информации в одной ячейке.

Изделия относятся к категории Speed Class 10 U1. Заявленный диапазон рабочих температур простирается от минус 25 до плюс 85 градусов Цельсия.

В серию WD Purple QD101 входят пять моделей — вместимостью 32, 64, 128, 256 и 512 Гбайт.

Новые карты памяти могут применяться внутри помещений и на открытых пространствах. Говорится о защите от повышенной влажности.

Более подробная информация о картах памяти доступна здесь. Сведений об ориентировочной цене на данный момент нет. 

Коронавирус откроет новые возможности перед китайским производителем флеш-памяти

В прошлом году средняя цена реализации твердотельной памяти сократилась на 46 %, что заставило многих производителей сократить капитальные расходы и заморозить планы по расширению мощностей. Вспышка коронавируса подогрела спрос, который теперь не так просто удовлетворить. Эти условия позволят китайским игрокам рынка 3D NAND проявить себя.

Источник изображения: YMTC

Источник изображения: YMTC

Соображениями на этот счёт делятся специалисты аналитического агентства TrendForce. Недавнюю новость о готовности китайской компании Yangtze Memory Technology Corporation (YMTC) начать поставки 128-слойной памяти типа 3D NAND эксперты считают значимой для этого производителя. Если взглянуть на производственные программы других участников рынка, то массовый выпуск 128-слойных микросхем 3D NAND сейчас освоили только Samsung и SK Hynix. Компании Kioxia, Intel и Micron сделают это только во втором полугодии. К концу года YMTC сможет выступать на равных с отраслевыми гигантами, хотя ранее она выступала в роли догоняющей.

Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Как отмечают эксперты TrendForce, у YMTC в этой ситуации есть важное преимущество: она не обременена «наследием прошлых лет», когда падение цен на память вынудило производителей сократить объёмы производства. Напротив, в течение двенадцати месяцев в строй будет введено предприятие YMTC в Чэнду, а к существующему предприятию в Ухане присоединятся два дополнительных. В то время как конкуренты будут застигнуты врасплох последствиями коронавируса, YMTC сможет нарастить объёмы выпуска твердотельной памяти, и уже в следующем году начнёт оказывать влияние на мировой уровень цен — ожидаемо, в сторону их снижения.

Samsung ускоряет разработку 160-слойной памяти 3D NAND

На этой неделе китайская компания YMTC сообщила о разработке 128-слойной флеш-памяти 3D NAND рекордного объёма. Китайцы пропустят этап производства 96-слойной памяти и в конце года сразу начнут выпускать 128-слойную память. Тем самым они выйдут на уровень лидеров отрасли, что равноценно размахиванию красной тряпкой перед глазами быка. И «быки» отреагировали как положено.

Южнокорейский сайт ETNews сегодня сообщил, что компания Samsung ускорила разработку 160-слойной 3D NAND (или V-NAND, как называют в компании многослойную флеш-память). У Samsung это называется стратегия «суперзазора» или игра на упреждение, что должно помочь южнокорейским технологическим лидерам оставаться впереди конкурентов. Поскольку успешность Samsung лежит в основе южнокорейской экономики, это вопрос процветания целой нации, поэтому в компании серьёзно относятся к своей работе.

Память со 100+ слоями Samsung представила в августе прошлого года. Можно считать, что компания уже третий квартал подряд выпускает условно 128-слойную память (точное число слоёв доподлинно остаётся неизвестным). Следующей на сцене должна появиться память Samsung с 160 или даже с большим числом слоёв. Она будет относиться к 7-му поколению памяти V-NAND. По слухам, компания добилась значительного прогресса в деле её разработки. Есть мнение, что Samsung первой покорит рубеж в 160 слоёв, как это произошло со всеми предыдущими поколениями памяти 3D NAND.

Важный этап для Китая: YMTC представила 128-слойный чип флеш-памяти

Китайская компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) официально представила свой первый 128-слойный чип флеш-памяти. Это знаменует преодоление важного этапа в усилиях страны по развитию отечественного полупроводникового сектора.

China Daily

China Daily

YMTC сообщила, что образцы её 128-слойной микросхемы флеш-памяти 3D NAND уже прошли проверку на платформах твердотельных накопителей благодаря сотрудничеству с несколькими партнёрами, выпускающими контроллеры. Компания утверждает, что её чип, получившей название X2-6070, достиг самой высокой плотности данных и максимальной ёмкости среди всех доступных сегодня на рынке чипов 3D NAND.

Старший вице-президент по маркетингу и продажам YMTC Грейс Гонг (Grace Gong) заявил, что компания смогла добиться этих результатов благодаря беспрепятственному сотрудничеству с мировыми партнёрами по отрасли, а также внушительному вкладу сотрудников. «YMTC с запуском Xtacking 2.0 теперь готова построить новую деловую экосистему, в которой наши партнёры могут использовать свои сильные стороны и достичь взаимовыгодных результатов», — добавил руководитель.

Архитектура Xtacking являлась собственной разработкой компании и позволяла создавать 64-слойные чипы NAND — их массовое производство началось в прошлом году. По словам компании, технология Xtacking была обновлена ​​до версии 2.0, что дало целый ряд преимуществ для семейства 128-слойных продуктов.

«Эти чипы вначале будет использоваться в твердотельных накопителях потребительского уровня, а в конечном итоге будут распространены на серверы и центры обработки данных корпоративного класса для удовлетворения разных потребностей в системах хранения данных в эпоху 5G и ИИ», — подчеркнул господин Гонг.

YMTC является подразделением китайского полупроводникового гиганта Tsinghua Unigroup и выступает ключевым звеном в стратегии китайского правительства по снижению сильной зависимости от зарубежной полупроводниковой индустрии.

На долю Samsung приходится половина выручки всего рынка чипов памяти для смартфонов

Компания Strategy Analytics подвела итоги исследования мирового рынка чипов памяти для смартфонов в 2019 году: объём отрасли составил приблизительно $39,3 млрд. Представленные данные учитывают отгрузки флеш-накопителей NAND, а также модулей оперативной памяти DRAM.

Бесспорным лидером отрасли является Samsung Memory с долей около 47 % в денежном выражении. Далее следуют SK Hynix и Micron. Сообща эти три производителя в 2019 году заняли примерно 84 % глобального рынка чипов памяти для смартфонов в плане выручки.

Если рассматривать сегмент NAND, то годовой доход здесь сократился на 29 % по сравнению с 2018-м. Компания Samsung Memory контролирует приблизительно 42 % данного сектора. На втором и третьем местах находятся Kioxia и SK Hynix с долями в 22 % и 16 % соответственно.

В секторе DRAM суммарная выручка за год уменьшилась на 27 %. Половину рынка — 51 % — контролирует Samsung Memory. Следом идут SK Hynix с долей в 29 % и Micron с долей в 19 %.

В текущем году на глобальный рынок чипов памяти для смартфонов серьёзное влияние окажет коронавирус. Распространение этого заболевания привело к значительному снижению спроса на «умные» сотовые аппараты. А следовательно, сократятся заказы на изделия NAND и DRAM для мобильных устройств. 

Новый игрок на рынке SSD и модулей памяти: BIWIN планирует выйти за пределы Китая

Компания BIWIN едва ли широко известна за пределами Китая, однако она производит твердотельные накопители и модули оперативной памяти для целого ряда крупных поставщиков оборудования вроде HP. В этом месяце китайская компания представила новое семейство продукции для розницы и заявила о планах войти на рынки Европы и Северной Америки под собственной торговой маркой.

BIWIN: Быстрый взгляд

BIWIN: Быстрый взгляд

BIWIN была основана в 1995 году в Шэньчжэне и в настоящее время является одним из крупных производителей решений на базе энергонезависимой флеш-памяти NAND, а также динамической памяти с произвольным доступом DRAM. Компания владеет собственными производственными мощностями, которые включают в себя линии по сортировке и тестированию микросхем памяти, упаковке их в обычные или system-in-package (SiP) корпуса, а также линии поверхностного монтажа. Кроме того, BIWIN располагает отделом, занимающимся научно-исследовательскими и опытно-конструкторскими работами в области аппаратного и программного обеспечения любой сложности.

Компания является одним из ведущих поставщиков SSD для центров обработки данных (ЦОД) в Китае. К примеру, в прошлом году BIWIN представила один из первых в мире SSD c интерфейсом PCIe 4.0 x4, поддержкой протокола NVMe 1.4 (отличающимся важными нововведениями для ЦОД) и ёмкостью до 32 Тбайт.

Твердотельный накопитель BIWIN PH001

Твердотельный накопитель BIWIN PH001

За пределами КНР компания BIWIN известна главным образом модулями памяти и твердотельными накопителями, продающимися под торговой маркой HP. Последняя лишь лицензирует китайским партнёрам свой бренд на определённых условиях, но разработка, производство и тестирование устройств осуществляется исключительно BIWIN. По мере расширения семейства продукции для розничного рынка, использование чужой торговой марки не всегда оптимально, потому компания планирует выход на рынки Европы и Северной Америки с собственным брендом. Насколько успешным будет такой старт в условиях замедления экономики, сказать трудно, но учитывая возможности BIWIN, компания вполне может составить конкуренцию производителям вроде ADATA, G.Skill, Kingston, Patriot Memory, Team Group и другим.

Продукция BIWIN

Продукция BIWIN

Надо сказать, что BIWIN пытается войти на рынки за пределы Китая не в первый раз. В декабре 2011 года компания создало дочернее предприятие Biwin America c целью продажи SSD для пользователей и встраиваемых решений для предприятий на территории США. Представив несколько продуктов и натолкнувшись на конкуренцию со стороны уже состоявшихся игроков, компания ушла с рынка в начале 2013 года. Мы не знаем, насколько успешным будет новая попытка, но увеличивающаяся конкуренция почти всегда идёт на пользу конечным потребителям, а потому начинание BIWIN можно лишь приветствовать.

BIWIN на FMS2019

BIWIN на FMS2019

Что касается новых продуктов, представленных на пресс-конференции в Китае, то семейство включает твердотельный накопитель Bang (M.2, PCIe, 3400 Мбайт/с), недорогой SSD Wookong (M.2, PCIe, 1900 Мбайт/с), портативный SSD Swift (1000 Mбайт/с), портативный SSD в металлическом корпусе Puffin (ёмкостью до 1 Тбайт), а также 2,5-дюймовый твердотельный накопитель Kunlun. Судя по названиям, некоторые из этих устройств предназначены исключительно для Китая, тогда как другие могут продаваться по всему миру.

Гарантия на microSD-карты SanDisk Max Endurance достигает 15 лет

Компания SanDisk, являющаяся дочерней структурой Western Digital, анонсировала флеш-карты Max Endurance формата microSD, особенностью которых является повышенная надёжность.

В серию вошли изделия UHS-I вместимостью 32 Гбайт, 64 Гбайт, 128 Гбайт и 256 Гбайт. Они выполнены с применением флеш-памяти 3D NAND.

Карты могут использоваться в широком температурном диапазоне — от минус 25 до плюс 85 градусов Цельсия. Изделиям не страшны влага, удары и рентгеновское излучение.

Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 100 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 40 Мбайт/с.

Новинки подходят для применения в камерах видеонаблюдения, автомобильных видеорегистраторах, экшен-камерах, различных мобильных гаджетах и других устройствах, которые могут эксплуатироваться на открытых пространствах и в неблагоприятных условиях.

Цена изделий ёмкостью 32 Гбайт, 64 Гбайт, 128 Гбайт и 256 Гбайт составляет $13, $22, $43 и $85. На карты предоставляется гарантия сроком соответственно три года, пять лет, десять лет и пятнадцать лет. 

Samsung приступила к производству наибыстрейших eUFS-накопителей для смартфонов

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства самых быстрых в отрасли микросхем флеш-памяти с интерфейсом eUFS 3.1. Эта память нацелена как на флагманские смартфоны, так и на тонкие ноутбуки. Новинка обеспечит в три раза большую скорость записи, что станет находкой для любителей фотографий с большим разрешением и ценителей видео с разрешением 8K.

Скорость записи на чипы Samsung с шиной eUFS 3.1 ёмкостью 512 Гбайт пробивает психологический барьер в 1 Гбайт/с и достигает 1,2 Гбайт/с в режиме устоявшейся записи. Аналогичная продукция компаний WDC и Toshiba способна показать скорость записи до 800 Мбайт/с. Микросхемы памяти с интерфейсом eUFS 3.0 показывали ещё меньшую скорость записи ― до 400 Мбайт/с. Тем самым Samsung утроила этот параметр, что выглядит весьма впечатляюще.

С подобной скоростью фильм объёмом 100 Гбайт можно переписать за 1,5 минуты, тогда как в случае накопителя eUFS 3.0 запись длилась бы 4 минуты. Пакет больших фотографий на смартфоне или видео с разрешением 8K на ноутбуке ― всем этим станет легче оперировать, когда новая память Samsung проникнет в устройства.

Устоявшаяся скорость чтения с новых микросхем Samsung осталась на уровне микросхем предыдущего поколения и достигает 2,1 Гбайт/с. Теоретический предел скорости обмена по интерфейсу UFS 3.1 достигает 2,9 Гбайт/с, так что производителям ещё есть над чем работать.

Следует сказать, что спецификации eUFS 3.1 по сравнению со спецификациями eUFS 3.0 не предполагают рост скорости обмена до нового значения, хотя оставляют лазейку для увеличения скорости записи. Вероятно, этим и воспользовалась компания Samsung. В частности, спецификации eUFS 3.1 предусматривают наличие буфера для записи. Очевидно, это ускорит запись до какого-то определённого объёма информации, а после переполнения буфера скорость может снизиться, но нам это ещё предстоит узнать. Пока же чипы Samsung eUFS 3.1 объёмом 512 Гбайт, 256 Гбайт и 128 Гбайт остаются самыми быстрыми в индустрии.

Добавим, скорость записи случайных блоков в терминах IOPS выросла незначительно ― всего на 3 % с 68 000 до 70 000. Скорость чтения случайных блоков в IOPS увеличилась внушительно ― на 60 % с 63 000 до 100 000. В новых смартфонах эта память появится не раньше, чем во второй половине этого года.

Kingston Canvas Plus: новые флеш-карты форматов SD и microSD

Компания Kingston расширила ассортимент продукции на основе флеш-памяти, анонсировав новые SD-карты семейства Canvas Plus. Кроме того, представлены сопутствующие ридеры.

В частности, выпущены флеш-карты Canvas Select Plus, соответствующие стандарту Class 10 UHS-I. Заявленная скорость передачи данных достигает 100 Мбайт/с в режиме чтения. В серию вошли изделия форматов SD и microSD вместимостью до 512 Гбайт. Карты могут применяться в камерах с поддержкой 4К-видеозаписи, а также в мобильных устройствах.

Изделия семейства Canvas Go! Plus, в свою очередь, подходят для зеркальных фотоаппаратов, экшен-камер, дронов и пр. Эти решения стандарта Class 10 UHS-I U3 обеспечивают скорость чтения до 170 Мбайт/с и скорость записи до 90 Мбайт/с. Доступны карты SD и microSD ёмкостью до 512 Гбайт.

Наконец, флеш-карты Canvas React Plus ориентированы на применение в профессиональных камерах с поддержкой видеозаписи 8К. Эти изделия стандарта Class 10 UHS-II U3 существуют в версиях SD и microSD: в первом случае скорости чтения и записи достигают соответственно 300 Мбайт/с и 260 Мбайт/с, во втором — 285 Мбайт/с и 165 Мбайт/с. Вместимость — до 256 Гбайт.

Что касается ридеров, то представлены решения MobileLite Plus для карт SD и microSD. Для подключения к компьютеру служит коннектор USB Type-A; поддерживается интерфейс USB 3.2 Gen 1. 

Kioxia готовит флеш-накопители с интерфейсом UFS 3.1 объёмом до 1 Тбайт

Большой объём энергонезависимой памяти и быстрый интерфейс ― что ещё надо смартфонам или умной электронике автомобиля? Японская компания Kioxia Corporation свела вместе одно и другое и представила новое поколение ёмких и быстрых однокорпусных флеш-накопителей с интерфейсом UFS 3.1 и объёмом до 1 Тбайт.

Однокорпусные флеш-накопители Kioxia с интерфейсом UFS 3.1

Однокорпусные флеш-накопители Kioxia с интерфейсом UFS 3.1

Всего новая линейка однокорпусных флеш-накопителей компании Kioxia содержит чипы памяти ёмкостью 128, 256, 512 Гбайт и 1-Тбайт версию. Но пока компания распространяет среди клиентов только образцы 256-Гбайт чипов. Образцы остальной продукции компания начнёт распространять после марта. Важной особенностью новинок стала адаптация спецификаций UFS 3.1, чистовая редакция которых была утверждена всего месяц назад.

Интересно отметить, что хотя спецификации UFS 3.1 не повысили скорость обмена по шине данных по сравнению с предыдущей версией спецификаций UFS 3.0, чипы Kioxia в новом исполнении обеспечивают 30-процентный прирост в режиме последовательного чтения данных. В пресс-релизе нет точных цифр, но, исходя из доступных на сайте спецификаций, от флеш-памяти с шиной UFS 3.1 можно ожидать максимальную скорость чтения до теоретически допустимой стандартом или до 2,9 Гбайт/с для двух линий передачи данных.

Скорость записи, очевидно, будет меньше. Исходя из данных, обнародованных производственным партнёром Kioxia компанией Western Digital, для 256-Гбайт сборки скорость устоявшейся записи будет достигать 800 Мбайт/с.

Версия однокорпусных флеш-накопителей Western Digital с интерфейсом UFS 3.1

Версия однокорпусных флеш-накопителей Western Digital с интерфейсом UFS 3.1

В целом же Kioxia предлагает рассматривать новые однокорпусные накопители в свете поддержки спецификаций UFS 3.1, что даёт рост скорости записи до трёх раз благодаря новому режиму WriteBooster (за счёт введения буфера из памяти NAND SLC), а также обещает лучшую энергоэффективность благодаря новому и более глубокому режиму сна UFS-DeepSleep Power Mode вместо ранее используемого режима UFS-Sleep Power Mode.

Наконец, флеш-память с поддержкой новых спецификаций UFS 3.1 обеспечивает опциональный режим кеширования карты логических и физических адресов накопителя в системной памяти DRAM (Host Performance Booster или HPB). Это позволит ускорить работу с накопителем при чтении случайных блоков из памяти. Также новые спецификации позволяют контроллеру памяти сообщать хосту о снижении производительности при перегреве.

Накопители становятся умнее, быстрее и более ёмкими. В смартфонах, судя по всему, эти новинки окажутся во второй половине текущего года.

KIOXIA — новое имя легендарной Toshiba Memory, давшей миру флеш-память

Нынешний мир трудно представить без технологий энергонезависимой памяти. Флеш-память окружает нас со всех сторон, мы пользуемся ей каждый день, даже не замечая этого. А подарила миру эту технологию компания KIOXIA, известная ранее под именем Toshiba Memory. Ещё в июле прошлого года Toshiba Memory Europe заявила о смене названия на  KIOXIA Europe. Новое имя получили все подразделения, ранее действовавшие под брендом Toshiba Memory. Осенью того же года, 1 октября, был объявлен запуск нового бренда и начало деятельности компании под новым именем. А совсем недавно название KIOXIA получило официальный статус. Подробнее о KIOXIA →

Team Group превратила флеш-брелок в чертёжный инструмент

Компания Team Group анонсировала весьма необычную новинку — флеш-брелок T193 Stationery, который, помимо хранения данных, может выполнять ряд дополнительных функций.

По сути, T193 Stationery — это карманный чертёжный инструмент. Устройство имеет раскладную конструкцию: в раскрытом состоянии корпус накопителя превращается в линейку длиной 12 см.

Применять новинку можно в качестве транспортира для измерения углов и в качестве циркуля. В области крепления двух половинок корпуса располагается увеличительное стекло.

Наконец, устройство может выполнять функции магнита для притягивания, скажем, канцелярских скрепок. Размеры брелока в сложенном состоянии составляют 72 × 24 × 4,6 мм; весит изделие всего 19 г.

Что касается характеристик собственно накопителя, то он имеет вместимость 32, 64 и 128 Гбайт. Для подключения к компьютеру служит интерфейс USB 3.0. Скорость чтения информации достигает 90 Мбайт/с, скорость записи — 35 Мбайт/с.

Накопитель не боится влаги и пыли. Производитель предоставляет на T193 Stationery пожизненную гарантию. Цена не уточняется. 

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥