Тестирование более 200 моделей карт памяти SD выявило критические расхождения между их заявленными и реальными характеристиками. В лидерах оказались Kingston и SanDisk, в аутсайдерах — подделки с AliExpress. Некоторые карты, вопреки маркировке, хранили в 4–8 раз меньше данных.

Источник изображения: Denise Jans / Unsplash

Исследование, продолжавшееся около двух лет, проводилось энтузиастом Мэттом Коулом (Matt Cole) на двух компьютерах под управлением Linux Ubuntu. Он использовал несколько кард-ридеров и собственную утилиту, которую разработал для тестирования скорости, надёжности и реального объёма около 200 моделей SD-карт различных брендов. Карты памяти Kingston, SanDisk и PNY объёмом 64 и 128 Гбайт показали лучшие результаты. Они стабильно опережали аналоги по скорости последовательного и случайного чтения и записи, а также показывали высокую устойчивость к износу — до 5000 циклов. Для сравнения: подделки часто выходили из строя уже после 2500 циклов и, как правило, были медленнее.

Одним из ключевых открытий Коула стали подделки, которые заявляли объём 128 Гбайт, но фактически могли сохранять не более 16–32 Гбайт данных. Такие SD-карты, как правило, «обманывают» операционную систему компьютера, сообщая ей завышенный объём памяти. Примечательно, что и среди подлинной продукции встречались случаи заниженной ёмкости. В число наихудших производителей по этому параметру попали SanDian, Xiaomi, Nenovo и Sony.

SD-карты, купленные на Amazon, в среднем показывали существенно более высокие скорости как при последовательной, так и при случайной записи. Даже подлинные карты, купленные через AliExpress, уступали по этим показателям. Коул также разделил устройства на три категории: откровенные подделки, безымянные бренды и подлинная продукция. Некоторые SD-карты безымянных брендов демонстрировали хорошую устойчивость к износу, но уступали по скорости и часто содержали ложные данные о ёмкости. Особенно это важно для профессиональных сценариев, где SD-карта используется как постоянный источник чтения и записи: видеонаблюдение, потоковое видео, дроны.

Источник изображения: bahjeez.com

Несмотря на раздельное тестирование по критериям надёжности и скорости, в итоговом рейтинге доминировали одни и те же модели карт. Это позволило составить сводную десятку лучших SD-карт. SanDisk заняла третье место — вопреки ожиданиям, а Lexar, ранее рекомендованная как надёжное решение для карт высокой ёмкости, выпала из топ-10. Этот результат стал для исследователя неожиданным.

Коул продолжает тестировать предел выносливости карт в долгосрочном цикле. Его цель — установить, сколько циклов требуется для появления первых признаков деградации SD-карты: от незначительных ошибок до полного выхода из строя. По текущим данным, лучшие модели выдерживают более 5000 полных циклов перезаписи без потери работоспособности, тогда как подделки зачастую ломаются в два раза быстрее. Для специалистов, работающих в критичных сферах, таких как промышленная автоматизация или автономные сенсорные системы, эта информация имеет практическую ценность.

Все собранные данные Коул публикует в виде таблицы, которая автоматически обновляется при добавлении новых результатов. Пользователи могут ознакомиться с актуальным рейтингом, а также скачать полные исходные данные на отдельной странице. База служит независимым инструментом оценки качества карт памяти и может существенно снизить риск покупки ненадёжной SD-карты. Коул подчёркивает, что проверка любой SD-карты перед её использованием очень важна.

Не прошло и двух недель с момента старта продаж игровой приставки Switch 2, как в Сети начали появляться первые сообщения от владельцев, которым Nintendo заблокировала доступ к онлайн-функциям за использование карты памяти MIG-Switch (теперь называемой MIG Flash). Эта карта позволяет делать копии игр с официального картриджа приставки и сохранять их на флеш-накопителе для последующего запуска.

Источник изображения: Nintendo

MIG Flash представляет собой специализированную карту памяти, имитирующую официальный картридж для Nintendo Switch, но позволяющую хранить копии игр на встроенной карте microSD. Иными словами, он позволяет запускать множество игр с одного носителя, а не с каждого картриджа по отдельности. Разработчики флеш-карты MIG Flash недавно обновили её программное обеспечение, и теперь устройство позволяет запускать копии игр для Nintendo Switch на приставке Switch 2.

У компании Nintendo есть целый набор методов для борьбы с нелегальными копиями игр. Одним из них является уникальный идентификатор картриджа. Например, если два пользователя пытаются одновременно запустить копию одной и той же игры в онлайне, Nintendo будет рассматривать это как пиратство.

Источник изображения: X / @SwitchTools

Для Switch 2 компания ещё сильнее ужесточила антипиратские меры. Nintendo пообещала карать за любые действия с приставкой, выходящие за пределы действующего пользовательского соглашения. Как результат, в Сети начали появляться сообщения от владельцев Switch 2 о том, что Nintendo заблокировала их в своих онлайн-сервисах за использование якобы законных копий собственных игр, запущенных через MIG-Switch. Хотя учётные записи Nintendo в этом случае остаются нетронутыми, их консоли больше не имеют доступа к онлайн-сервисам Nintendo. Это означает, что пользователи лишаются доступа к Mario Kart World, eShop, YouTube, облачным сохранениям и т. д. В то же время доступ к обновлению программного обеспечения приставки не блокируется. Однако точно утверждать это сложно, так как подобных случаев пока относительно немного.

Есть вероятность, что Nintendo может восстановить доступ этих консолей к своим онлайн-сервисам. Блокировка, скорее всего, была вызвана изменениями, внесёнными в последнюю прошивку MIG-Switch, а не загрузкой пользователями пиратских ROM. И всё же MIG-Switch не является авторизованным аксессуаром Nintendo, а это означает, что у компании, вероятно, нет юридических обязательств по отмене этих блокировок. Более того, новое пользовательское соглашение Nintendo оставляет за ней право удалённо отключать консоли Switch в случае обнаружения пиратской активности или модификации устройства. Если ранее компания просто запрещала пользователям изменять, декомпилировать или взаимодействовать с аккаунтом несанкционированными способами, то теперь антипиратские меры Nintendo стали гораздо жёстче.

Компания Silicon Power продемонстрировала на выставке Computex 2025 свои новейшие разработки, в том числе новое семейство твердотельных накопителей Endura на флеш-памяти 3D TLC NAND, включающее модели Endura E55, E60, ED90 и ES75. Кроме того, производитель показал скоростные модули оперативной памяти, новейшие карты памяти и даже промышленные решения.

Базовая модель серии — 2,5-дюймовый накопитель Endura E55 с интерфейсом SATA III — предназначена для массового пользователя. Устройство поддерживает скорость последовательного чтения до 500 Мбайт/с, записи — до 450 Мбайт/с. Доступны версии Endura E55 ёмкостью от 512 Гбайт до 2 Тбайт.

В свою очередь, накопитель Endura E60 с интерфейсом PCIe 3.0 x4, поддержкой скорости последовательного чтения до 2200 Мбайт/с и записи до 1600 Мбайт/с, создан для использования в производительных системах для работы и игр. Накопитель совместим со спецификациями NVMe 1.3 и поддерживает технологию коррекции ошибок LDPC ECC. Накопитель Endura E60 доступен в вариантах ёмкостью от 512 Гбайт до 2 Тбайт.

Высокопроизводительный накопитель SP Endura ED90 с интерфейсом PCIe 4.0, соответствующий стандарту NVMe 2.0, позиционируется компанией как решение для компьютерных систем с интенсивной передачей данных, которые могут использоваться создателями контента и пользователями других творческих профессий. SSD поддерживает скорость чтения до 5000 Мбайт/с и записи до 4800 Мбайт/с, выпускается в вариантах ёмкостью от 500 Гбайт до 4 Тбайт.

Флагманская модель линейки SP Endura ES75 с интерфейсом PCIe 4.0, а также поддержкой скорости последовательного чтения до 7000 Мбайт/с и записи до 6500 Мбайт/с, предназначена для использования профессионалами, создания контента и для мощных игровых компьютеров. SP Endura ES75 поставляется в версиях объёмом от 1 до 4 Тбайт.

Добавим, что накопители семейства Endura уже продаются в России, например, в DNS и «Ситилинк».

Базовая линейка DDR5 CKD компании включает модули CUDIMM и CSODIMM с частотой DDR5-6400, ёмкостью 16 Гбайт, задержкой CL52 и поддержкой напряжения 1,1 В.

Также на экспозиции демонстрировался высокопроизводительный NVMe-накопитель Silicon Power XPower XS90 M.2 Gen 5 для энтузиастов, обеспечивающий скорость последовательного чтения до 14 Гбайт/с, ёмкостью до 4 Тбайт и основанный на 6-нм контроллере (вероятно, Maxiotek DRAMless).

На стенде Silicon Power также была представлена модель US75 с интерфейсом PCIe 4.0 x4, которая выпускается ёмкостью от 500 Гбайт до 4 Тбайт, обеспечивает скорость последовательного чтения до 7000 Мбайт/с и последовательную запись со скоростью до 6000 Мбайт/с.

В свою очередь твердотельный накопитель US85 с интерфейсом PCIe 5.0 x4 и поддержкой спецификации NVMe 2.0, предназначенный для использования геймерами, создателями контента и профессионалами, обеспечивает скорость последовательного чтения до 10 300 Мбайт/с и последовательную запись со скоростью до 8600 Мбайт/с. US85 доступен в вариантах ёмкостью 1 и 2 Тбайт.

Посетители стенда также могли увидеть серию премиальной памяти XPower Storm DDR5 RGB с поддержкой XMP и EXPO для игровых ПК, которая поставляется в виде модулей ёмкостью 16 и 32 Гбайт, а также наборов ёмкостью 32 Гбайт (2× 16 Гбайт) и 64 Гбайт (2× 32 Гбайт). Заявленный диапазон скорости передачи данных — от 6000 до 8000 МТ/с, задержка — от CL28 до CL38 при напряжении до 1,45 В.

Кроме того, на стенде демонстрировалась серия флеш-памяти среднего уровня XPower Zenith DDR5 с поддержкой скорости от 5200 до 6000 МТ/с при напряжении 1,25–1,35 В. Память выпускается в виде модулей емкостью 16 и 32 Гбайт, а также наборов ёмкостью 32 Гбайт (2× 16 Гбайт) и 64 Гбайт (2× 32 Гбайт).

XPower Cyclone — память DDR5 OC для энтузиастов. Вариант без CKD (UDIMM) имеет частоту до DDR5-8000, а варианты CKD (CUDIMM) — вплоть до DDR5-9200 с задержкой CL44-56-56-134 и напряжением 1,35 В. Обе версии поддерживают динамическую RGB-подсветку. Усовершенствованный алюминиевый радиатор толщиной 2 мм позволяет снизить нагрев до 10 °С. XPower Cyclone найдёт применение при запуске требовательных игр, работе в режиме многозадачности и при создании различного видеоконтента.

Также экспозиция компании включала память XPOWER Pulse DDR5 для игровых ПК со скоростью до 6400 MT/с с таймингами CL40, CL38, CL36, CL32 или CL30, выпускаемая в версиях 16 и 32 Гбайт.

В числе новинок Silicon Power в категории памяти на стенде демонстрировались карты Inspire microSDXC на базе флеш-памяти 3D TLC NAND, соответствующие классу скорости UHS-I U3 и V30 для записи видео с высоким разрешением 4K. Карты Inspire с поддержкой скорости последовательного чтения до 170 Мбайт/с и скорости записи до 160 Мбайт/с позиционируются производителем как решение, которое идеально подходит для приложений, требующих высокоскоростной обработки данных — от захвата видео сверхвысокой чёткости с разрешением 4K на дронах и экшн-камерах до поддержки мобильных игр и создания профессионального контента на портативных игровых консолях. Карты памяти Silicon Power Inspire microSDXC доступны в вариантах объёмом 128, 256, 512 Гбайт и 1 Тбайт

Наконец, Silicon Power продемонстрировал на Computex 2025 свои продвинутые решения SP Industrial, предназначенные для хранения и обработки данных для периферийных вычислений и автоматизации промышленности, обеспечивающие эффективность, надежность и быстродействие в реальном времени для индустрии 4.0.

По данным южнокорейского ресурса The Elec, компания Samsung Electronics со следующего месяца прекратит поставки твердотельной памяти типа MLC, сосредоточившись на более современных TLC и QLC. Впрочем, некоторые источники предполагают, что для нужд рынка автомобильной электроники Samsung продолжит поставлять MLC из накопленных запасов.

Источник изображения: Samsung Electronics

В любом случае, отпускные цены на память этого типа вырастут, о чём клиентов Samsung тоже уведомили. Для некоторых из них данные шаги станут серьёзной проблемой. Например, LG Display в поставках MLC для нужд выпуска крупноформатных OLED-панелей на две трети зависит от Samsung. Если последняя свернёт отгрузку микросхем памяти этого типа, единственным поставщиком MLC для LG Display останется компания Kioxia. Пусть и не самая современная, память типа MLC обладает приличным ресурсом долговечности, и в некоторых сферах применения она до сих пор востребована.

Впрочем, по данным исследования Mordor Intelligence, в прошлом году на рынке твердотельной памяти доминировала TLC с долей более 62 %, а MLC от силы могла довольствоваться несколькими процентами рынка. Доля Samsung в сегменте MLC вообще была минимальной, поэтому её отказ от выпуска данной продукции является предсказуемым шагом, особенно с учётом усилий руководства по оптимизации операционной деятельности.

Компания Silicon Power представила семейство твердотельных накопителей под названием Endura. Линейка включает четыре устройства с различными характеристиками, предназначенные для разных сценариев использования — от бытового до профессионального.

Все накопители новой серии базируются на флеш-памяти TLC 3D NAND, обеспечивающей высокую скорость работы и надежность благодаря многослойному расположению ячеек памяти. Производитель позиционирует новинки в качестве универсальных накопителей с оптимальным сочетанием производительности и надёжности при повседневном использовании. Все новинки покрывает пятилетняя гарантия производителя, что указывает на их высокую надёжность.

В состав линейки вошли следующие модели:

SP Endura E55 —2,5-дюймовый накопитель с интерфейсом SATA III. Это доступное устройство для массового пользователя обеспечивает скорость последовательного чтения до 500 Мбайт/с и записи до 450 Мбайт/с, что в 15 раз быстрее стандартных жестких дисков. Доступны варианты емкостью от 512 Гбайт до 2 Тбайт.

SP Endura E60 — накопитель с интерфейсом PCIe 3.0 x4, обеспечивающий скорость чтения до 2200 Мбайт/с и записи до 1600 Мбайт/с. Устройство совместимо с NVMe 1.3 и поддерживает технологии LDPC и ECC для защиты данных. Производитель позиционирует этот SSD в качестве решения для производительных систем для работы и игр. Этот SSD также доступен в версиях объёмом от 512 Гбайт до 2 Тбайт.

SP Endura ED90 — высокопроизводительный SSD с интерфейсом PCIe 4.0, соответствующий стандарту NVMe 2.0. Он подойдёт для компьютеров для людей творческих профессий, создателей контента, а также систем, которые подразумевают интенсивную передачу данных. SSD обеспечивает скорость чтения до 5000 Мбайт/с и записи до 4800 Мбайт/с. Доступны варианты емкостью от 500 Гбайт до 4 Тбайт.

SP Endura ES75 — самая производительная модель новой линейки с интерфейсом PCIe 4.0, демонстрирующая скорость чтения до 7000 Мбайт/с и записи до 6500 Мбайт/с. Устройство позиционируется как решение для профессионального использования, создания контента и мощных игровых компьютеров. Эти SSD доступны в версиях объёмом от 1 до 4 Тбайт.

Накопители серии ED90 уже поступили в продажу в магазины торговой сети DNS. Информация о поступлении других моделей будет публиковаться в официальном Telegram-канале «Сила кремния».

В журнале Nature вышла статья, в которой учёные из Университета Фудань сообщили о разработке самой быстрой в истории флеш-памяти. Прототип работает на скорости 400 пикосекунд как при записи, так и при чтении. Новая память получила поэтическое название «Рассвет» (Poxiao). Опытный экземпляр отличается скромной ёмкостью. Покорение объёмов начнётся на следующем этапе разработки.

Источник изображения: Nature

Разработкой нового типа памяти учёные из Китая занимаются с 2015 года. В 2021 году они предложили базовую теоретическую модель, а в 2024 году разработали сверхбыстрое устройство флеш-памяти с длиной канала 8 нм, что превысило физический предел размера флеш-памяти на основе кремния, составлявший около 15 нм. Но размеры — не главное. Главное — это невообразимая скорость работы новой энергонезависимой ячейки, которая оказалась в 100 000 раз выше скорости ячейки SRAM.

Учёные отметили, что классическая память на основе управления транзисторным каналом электромагнитным полем имеет фундаментальные ограничения для наращивания скорости записи и чтения. Электроны нужно «разогнать», чтобы заставить их перейти в ячейку памяти или покинуть её. Традиционные полупроводниковые материалы и воздействие на электроны полем делают всё это медленным по современным меркам. По большому счёту, мало что изменилось после изобретения полевого транзистора около 60 лет назад. Для ускорения буквально нужна другая физика.

Китайские учёные предложили использовать в качестве канала графен или условно двумерный полупроводник — диселенид вольфрама (WSe₂). Оба материала ведут себя схожим образом, хотя и имеют отличия. Распределение управляющего электромагнитного поля вдоль каналов таково, что электроны поступают в ячейку «сильно перегретыми» — с крайне высокой для них энергией.

В общем случае графен считается так называемым дираковским материалом, в котором электроны подчиняются квантовым уравнениям Дирака. Использование графена позволяет ускорить перемещение «горячих» электронов и дырок в ячейку памяти, минимизируя потери энергии. Фактически, в созданных условиях электрон как бы становится безмассовой частицей, что позволяет резко увеличить скорости записи и чтения. Работу о субнаносекундной флеш-памяти с 2D-улучшенной инжекцией горячих носителей (Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection) можно найти по этой ссылке. Она свободно доступна для прочтения.

В составе новой памяти тонкий 2D-канал оптимизирует распределение горизонтального электрического поля, повышая эффективность инжекции. Ток инжекции достигает 60,4 пА/мкм при напряжении 3,7 В. Новая память выдерживает более 5,5 млн циклов записи и стирания. Скорости записи и чтения одинаковы — по 0,4 нс для каждого режима. Объём прототипа составляет около 1 килобайта. В течение пяти лет команда обещает увеличить ёмкость до десятков мегабайт, получить лицензию и начать выпуск коммерческих экземпляров.

Компания SanDisk увеличит стоимость флеш-памяти NAND более чем на 10 % с 1 апреля. Об этом производитель сообщил в письме своим ключевым клиентам. Американская компания объясняет предстоящий рост цен изменяющейся динамикой на рынке, ожидаемым восстановлением спроса на флеш-память NAND, а также повышением экспортных тарифов.

Источник изображений: SanDisk

По данным аналитического агентства TrendForce, с начала года крупнейшие поставщики флеш-памяти NAND, южнокорейские компании Samsung и SK hynix, начали снижать объёмы выпуска данного вида продукции. Отчёты аналитиков показывают, что объёмы производства флеш-памяти NAND у обоих производителей окажутся в первом квартале этого года более чем на 10 % ниже по сравнению со второй половиной прошлого года.

Производители пошли на снижение объёмов выпуска памяти NAND, чтобы стимулировать восстановление баланса спроса и предложения на рынке и заложить основу для восстановления цен. Согласно оценкам TrendForce, восстановление этого баланса ожидается во второй половине 2025 года.

Компания SanDisk в свою очередь в письме своим клиентам отметила, что её возможности для ответа на незапланированный рост спроса ограничены.

В четвёртом квартале прошлого года, по данным TrendForce, рынок памяти типа NAND находился под давлением из-за продолжающихся попыток производителей ПК и смартфонов оптимизировать свои складские остатки. Средние цены на флеш-память в прошлом квартале последовательно снизились на 4 %, а объёмы поставок упали на 2 %. Это привело к снижению выручки участников рынка на 6,2 % до $16,52 млрд.

Источник изображения: Micron Technology

Первый квартал традиционно является низким сезоном для рынка твердотельной памяти, и текущий год не является исключением даже с учётом усиленных попыток производителей сократить объёмы поставок своей продукции. Пополнение складских запасов замедлилось на большинстве ключевых рынков, включая серверный сегмент. По итогам первого квартала выручка поставщиков флеш-памяти может последовательно упасть на 20 %. О восстановлении рынка памяти типа NAND можно будет говорить только по итогам второй половины текущего года, если всё пойдёт по плану.

Лидером рынка NAND остаётся компания Samsung Electronics, которая последовательно сократила выручку по итогам прошлого квартала на 9,7 % до $5,6 млрд, в основном из-за сегмента бытовой электроники. В дальнейшем компания планирует сосредоточиться на продвижении твердотельных накопителей в корпоративном секторе. В любом случае, Samsung до сих пор контролирует 33,9 % мирового рынка NAND.

На втором месте расположилась SK Group, которая объединяет классический бизнес SK hynix и доставшиеся от Intel активы, которые теперь присутствуют на рынке под маркой Solidigm. Надежды на рост поставок в прошлом квартале у этого производителя не оправдались, в результате чего выручка последовательно упала на 6,6 % до $3,39 млрд. Для этого южнокорейского поставщика приоритетом является обслуживание потребностей сегмента ИИ-инфраструктуры.

Бизнес занимающей третье место компании Kioxia продемонстрировал относительную стабильность по итогам четвёртого квартала, поскольку неудачи в сегменте ПК и смартфонов были компенсированы высоким спросом на корпоративные SSD. Выручка компании по итогам периода сократилась последовательно всего на 0,2 % до $2,66 млрд. Доля рынка Kioxia при этом вообще выросла с 15,1 до 16,1 %.

В случае с Micron Technology высокий спрос на корпоративные SSD не позволил уравновесить спад на потребительском направлении, выручка этой компании последовательно сократилась на 9,3 % до $2,28 млрд. При этом по доле рынка Micron отстаёт от Kioxia не столь значительно: 13,8 против 16,1 %. В текущем году Micron намеревается сократить капитальные затраты в сегменте NAND и сосредоточиться на выпуске твердотельных накопителей объёмом более 60 Тбайт для корпоративных клиентов.

Western Digital со своей маркой SanDisk удалось сохранить выручку примерно на уровне третьего квартала прошлого года, поскольку твердотельная память для потребительских SSD продавалась лучше ожиданий в четвёртом квартале. Даже в условиях падения цен выручку удалось сократить всего на 0,4 % до $1,9 млрд. В этом году SanDisk может укрепить свои позиции на рынке SSD для ПК, пока сообща с Western Digital данный поставщик занимает 11,4 % рынка NAND. На долю прочих производителей твердотельной памяти за пределами первой пятёрки приходится не более 4,4 % мирового рынка в показателях выручки.

Kioxia в партнёрстве с SanDisk представила 3D NAND 10-го поколения (BiSC 10) — первую в мире флеш-память с 332 слоями. Она обеспечит более высокую скорость и плотность упаковки, а также лучшую энергоэффективность по сравнению со своими предшественниками предыдущими поколениями.

Источник изображения: Kioxia

Новая 3D флеш-память использует технологию CBA (CMOS directly Bonded to Array) и протокол SCA (Separate Command Address), а также технологию Power Isolated Low-Tapped Termination (PI-LTT), которая дополнительно снижает энергопотребление на 10 % при записи и на 34 % при чтении. Но наиболее важным достижением является использование нового интерфейса Toggle DDR6.0, который обеспечивает скорость до 4,8 Гбайт/с.

Kioxia отмечает, что возросшая по сравнению с актуальной 3D NAND 8-го поколения (BiSC 8) на 33 % скорость отчасти связана с увеличением количества слоёв памяти с 218 до 322, то есть на 38 %. Хотя 332 слоя и близко не достигают цели компании по созданию 1000-слойной 3D NAND к 2027 году, это всё равно является впечатляющим результатом. Kioxia утверждает, что применение 332-слойной флеш-памяти также повышает плотность записи данных на 59 % по сравнению с 218-слойной.

Источник изображения: Tom's Hardware

Также Kioxia акцентирует внимание на энергоэффективности, поскольку это является важным аспектом для современной флеш-памяти на фоне растущих требований систем ИИ к энергопотреблению. «С распространением технологий ИИ, объем генерируемых данных, как ожидается, значительно увеличится, а также потребность в повышении энергоэффективности в современных центрах обработки данных», — заявил главный технический директор Kioxia Хидеши Миядзима (Hideshi Miyajima). По его мнению, спрос на продукты с низким энергопотреблением заложит основу для разработки ИИ.

Нужно отметить, что Kioxia и SanDisk также напомнили о разработке флеш-памяти 3D NAND 9-го поколения, но не раскрыли информации о её характеристиках и возможностях. На данный момент нет данных о начале массового производства флеш-памяти нового стандарта. Учитывая тот факт, что поставки продуктов 9-го поколения даже не начинались, можно с уверенностью предположить, что выпуск флеш-памяти 10-го поколения — дело довольно отдалённого будущего. Пока компания даже не показала новую флеш-память.

Компания Silicon Power предлагает широкий ассортимент карт памяти для самых разнообразных задач. Например, карты High Endurance microSDXC UHS-I отличаются повышенной надёжностью и долговечностью, благодаря чему получили признание пользователей и стали бестселлером.

Источник изображений: Silicon Power

При разработке карт памяти High Endurance инженеры Silicon Power поставили перед собой задачу создать максимально надёжное решение, способное выдерживать продолжительную непрерывную запись видео, а также стабильно работать на улице в любую погоду. Кроме того, продукт должен функционировать без сбоев, что особенно важно для систем видеонаблюдения.

В результате карты High Endurance способны выдерживать перезапись десятков тысяч часов видео. Например, версия на 256 Гбайт обеспечит до 49 000 часов перезаписи видео в Full HD (1920 × 1080 точек) и 26 400 часов в 4K Ultra HD (3840 × 2160 точек). Также отмечается устойчивость к высокой влажности и способность работать при температурах от –25 °C до +85 °C. Карты защищены от ударов, падений, вибраций, рентгеновского излучения и воды. Всё это делает карты High Endurance подходящими для систем видеонаблюдения, видеорегистраторов, дронов, фотоаппаратов и различного профессионального оборудования и потребительских устройств.

Помимо высокой надёжности, карты памяти Silicon Power High Endurance полюбились пользователям за высокую производительность. Они соответствуют требованиям стандартов Class 10, UHS-I U3, A1 и V30, что обеспечивает стабильную непрерывную запись качественного видео в 4K. В основе Silicon Power High Endurance лежат отборные чипы памяти 3D TLC NAND.

Скорость последовательного чтения достигает 100 Мбайт/с, что позволяет быстро передавать данные с карты на компьютер, а скорость последовательной записи — 80 Мбайт/с. Также отмечается высокая скорость случайного чтения (более 1500 IOPS) и случайной записи (более 500 IOPS), что позволяет использовать эти карты памяти в мобильных устройствах и запускать с них различные приложения.

В российских магазинах карты памяти Silicon Power High Endurance предлагаются в версиях объёмом 64, 128 и 256 Гбайт по цене 990, 1490 и 2690 рублей соответственно. На карты предоставляется гарантия производителя сроком на 2 года.

Реклама | ИП Павлова А.Н. ИНН 770901175835 erid: F7NfYUJCUneRGyXHGFja

В настоящий момент рынок флеш-памяти (NAND) страдает от избыточного предложения, что приводит к снижению цен и финансовым затруднениям поставщиков. Тем не менее аналитическая компания TrendForce ожидает значительного улучшения баланса спроса и предложения во второй половине года. Ключевыми факторами, по мнению TrendForce, являются сокращение производства микросхем NAND, снижение складских запасов в секторе смартфонов и растущий спрос, вызванный развитием ИИ.

Источник изображения: unsplash.com

Производители флеш-памяти за последние два года осознали серьёзное влияние избыточного предложения на отрасль, особенно с учётом того, что годовые темпы роста спроса на флеш-память были пересмотрены с 30 % до 10–15 %. В результате они были вынуждены скорректировать свои производственные стратегии, чтобы смягчить столь длительное снижение цен.

На рубеже 2025 года производители NAND приняли более решительные меры по сокращению производства, которые призваны оперативно снизить рыночный дисбаланс и заложить основу для восстановления цен. Кроме того, продолжающаяся политика субсидирования замены смартфонов в Китае эффективно стимулирует их продажи и ускоряет истощение запасов памяти NAND.

Источник изображения: TrendForce

Nvidia намерена нарастить поставки своей продукции серии Blackwell во второй половине года, что значительно увеличит спрос на корпоративные SSD. Кроме того, достижения DeepSeek в снижении затрат на развёртывание серверов ИИ позволят предприятиям малого и среднего бизнеса активнее интегрировать ИИ, повышая свою конкурентоспособность. Ожидается, что SSD-накопители ёмкостью более 30 Тбайт станут предпочтительным решением для хранения данных благодаря их высокой производительности и низкой совокупной стоимости владения.

Дополнительно появление ПК и рабочих станций с поддержкой ИИ будет способствовать более широкой интеграции искусственного интеллекта в повседневные приложения, что потенциально приведёт к долгосрочному росту ёмкости клиентских SSD для ПК. Снижение требований к вычислительной мощности, вероятно, ускорит проникновение на рынок бюджетных смартфонов с поддержкой ИИ, что дополнительно оживит спрос на флеш-память.

Аналитики TrendForce ко второй половине января оказались готовы делать прогнозы относительно динамики рынка флеш-памяти в текущем году. По их мнению, сегмент продолжит испытывать давление из-за низкого спроса и перепроизводства. Крупнейшие игроки рынка на этом фоне начнут сокращать объёмы выпуска продукции и создадут благоприятные для дальнейшей консолидации условия.

Источник изображения: Samsung Electronics

Технически, данные меры будут выражаться в снижении уровня загрузки имеющихся производственных линий и отсрочке перехода на более современные техпроцессы. Спрос на новые смартфоны и ноутбуки не так высок, а в корпоративном сегменте также наблюдается охлаждение спроса на твердотельные накопители. Во-вторых, цены на микросхемы NAND снижаются с третьего квартала прошлого года, и поставщики придерживаются пессимистичных взглядов на их динамику в первой половине 2025 года. Низкие цены, сохраняющиеся на рынке, сокращают прибыль производителей, вынуждая их уменьшать объёмы выпуска продукции.

Добавляют проблем глобальному рынку и активность китайских производителей памяти, которые стремительно наращивают объёмы выпуска продукции на фоне национальной политики импортозамещения. Продукция китайских производителей NAND оказывается дешевле зарубежной, это также сбивает цены на глобальном рынке.

Многие производители флеш-памяти мирового масштаба готовятся снижать объёмы выпуска продукции. Micron соответствующее решение уже приняла, Kioxia и Western Digital (SanDisk) вот-вот последуют её примеру. Долго сопротивлявшаяся снижению объёмов выпуска Samsung под нажимом китайских конкурентов также будет вынуждена пойти на соответствующий шаг в текущем году. SK hynix и родственная компания Solidigm неплохо противостояли кризисным явлениям в прошлом году за счёт корпоративного сегмента, но в этом им тоже придётся пересмотреть производственные планы.

Эксперты TrendForce считают, что подобные явления будут увеличивать риски ухода с рынка определённых поставщиков. Ради выживания производителям NAND придётся осваивать более выгодные технологии выпуска памяти и дифференцировать продуктовую линейку, пытаясь найти специфические ниши с меньшим уровнем конкуренции.

Рынок памяти подвержен цикличным колебаниям цен, которые определяют политику производителей. Крупнейшим из них остаётся южнокорейская Samsung Electronics, а её крупнейшей базой по производству микросхем памяти NAND является предприятие в китайском Сиане. Из-за неблагоприятной конъюнктуры рынка оно в этом году вынуждено будет сократить объёмы выпуска флеш-памяти примерно на 15 %.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом сообщают южнокорейские СМИ, знакомые с планами компании. На рынке NAND, как уточняют они, в этом году назревает очередной кризис перепроизводства, поэтому цены на соответствующие микросхемы будут падать. Чтобы не увеличивать убытки, Samsung предпочитает сократить объёмы выпуска NAND. Если в прошлом году компания выпускала в месяц на предприятии в Сиане около 200 000 кремниевых пластин с чипами NAND, то в этом объёмы выпуска могут быть снижены до 170 000 штук в месяц. Более того, предприятия Samsung в корейском Хвасоне также сократят объёмы выпуска NAND.

До этого в подобных условиях Samsung приходилось снижать объёмы выпуска памяти в 2023 году, причём почти двукратно. После нормализации ситуации с ценами на микросхемы NAND, компания увеличила объёмы её выпуска до 450 000 кремниевых пластин в месяц, если учитывать все имеющиеся у неё площадки. В четвёртом квартале прошлого года наметилась было тенденция роста цен на твердотельные накопители серверного класса на волне бума ИИ на величину до 5 %, но в текущем квартале они должны пропорционально снизиться, как считают аналитики TrendForce.

Интересно, что SK hynix в таких условиях готовится нарастить объёмы выпуска NAND. Если учесть, что Samsung предпочтёт сокращать объёмы поставок памяти, то у более мелкого конкурента появится возможность укрепить свои рыночные позиции, пусть и в ущерб прибыльности. Высокие доходы в сфере поставок HBM позволяют SK hynix пойти на риск в сегменте NAND.

Стало известно о готовящемся докладе инженеров компании Samsung на конференции IEEE International Solid-State Circuits Conference 2025. Это произойдёт 19 февраля. Специалисты расскажут о будущей 400-слойной памяти 3D NAND, которой пока нет ни у одного производителя в мире.

Источник изображения: blocksandfiles.com

Согласно данным о документе, у будущей памяти Samsung число рабочих слоёв будет более 400. Кристаллы с отдельными наборами слоёв будут стыковаться друг с другом в процессе производства (технология WF-Bonding или подложка к подложке), что позволяет упростить выпуск многослойных микросхем памяти.

Сегодня память с наибольшим количеством слоёв производят массово или в виде образцов компании SK Hynix (321 слой), Samsung (286), Micron (276), Western Digital и Kioxia (218) и SK Hynix Solidigm (192). При этом Western Digital, Kioxia и YMTC разрабатывают 300-слойную память, которую представят в наступающем году. Основная борьба за первенство разгорелась между SK Hynix и Samsung, которые готовы штурмовать рубежи памяти с 400 слоями и более.

Ожидаемый к представлению 400-слойный чип Samsung будет объёмом 1 Тбит с плотностью 28 Гбит/мм². В каждую ячейку будут записываться по три бита данных. Заявленная скорость обмена по каждому контакту будет достигать 5,6 Гбит/с, что на 75 % больше, если сравнивать с актуальными чипами памяти Samsung 9-го поколения (400-слойная память будет относиться к 10-му поколению V-NAND Samsung). Очевидно, что такая память подойдёт как для изготовления SSD с шиной PCIe 5.0, так и PCIe 6.0.

Более плотная память Samsung может подтолкнуть производителей к выпуску SSD объёмом 256 Тбайт и даже 512 Тбайт. Возможно это будет через год или через два. Подождём февральского доклада и более чётких позиций руководства Samsung в отношении производства новой памяти.

По мере роста цен на флеш-память её производители воспряли духом и начали рассказывать о дальнейших планах по совершенствованию технологий её выпуска. SK hynix на этой неделе сообщила, что приступает к массовому производству первой в мире 321-слойной памяти 3D NAND (сама компания называет её 4D NAND), которую начнёт поставлять клиентам в следующем полугодии.

Источник изображения: SK hynix

Являясь лидером в сегменте HBM, востребованной ускорителями вычислений для ИИ, компания SK hynix теперь претендует на статус «поставщика полного цикла» памяти для систем искусственного интеллекта. Она напоминает, что в июне прошлого года стала первым в мире поставщиком 238-слойной памяти NAND, а теперь за счёт применения передовых технологий монтажа стеков внутри микросхемы первой преодолела рубеж в 300 слоёв. Терабитные микросхемы 321-слойной памяти 3D NAND её клиенты начнут получать в первой половине 2025 года.

Прогресс в увеличении количества слоёв памяти был достигнут за счёт совершенствования технологии создания вертикальных каналов и применения материала с большей механической стабильностью. При этом 321-слойная память была разработана на той же платформе, что и 238-слойная. Переход на выпуск нового поколения при этом повысит производительность производства на 59 % с минимальными рисками.

Кроме того, новое поколение памяти повышает скорость передачи информации на 12 % и повышает скорость чтения на 13 %, при этом энергетическая эффективность данных операций увеличивается более чем на 10 %. Такие микросхемы станут хорошей основой для современных скоростных твердотельных накопителей, применяемых в системах искусственного интеллекта.