Теги → 10-нм
Быстрый переход

Задержка 10-нм техпроцесса может разорить одного из крупных клиентов Intel

Ни для кого не секрет, что компания Intel испытывает огромные трудности с освоением 10-нм техпроцесса, из-за чего уже не раз откладывала сроки начала выпуска изделий по данной технологии. И как выяснили наши коллеги из SemiAccurate, это создаёт проблемы не только для самой Intel, но и для некоторых её клиентов.

Сообщается, что задержка 10-нм техпроцесса Intel ставит на грань разорения некоего крупного клиента Intel, имя которого не называется. Intel не раскрывает имена своих клиентов, поэтому источник отмечает лишь, что это некий технологический гигант с многолетней историей и рыночной капитализацией в более чем 20 млрд долларов.

Клиент, о котором идёт речь, сделал ставку именно на 10-нм техпроцесс Intel, и теперь не располагает альтернативным планом действий. Это ставит под угрозу само существование этой неназванной компании, потому как она попросту не сможет создать новую серию продуктов на 10-нм чипах Intel, чтобы успешно конкурировать с другими производителями.

Коллеги также считают, что главной причиной задержки 10-нм техпроцесса Intel являются управленческие ошибки руководства компании. А технические трудности в освоении новых производственных норм играют куда меньшую роль.

Microsemi готовится создавать решения с памятью ReRAM

Резистивная энергонезависимая память ReRAM понемногу прокладывает себе дорогу в мир. Пока использование ReRAM в продуктах носит опытный характер, но через год или два всё может измениться в сторону более широкого использования этого нового типа энергонезависимой памяти в электронике и компьютерной технике.

Так, изобретатель одной из перспективных версий ReRAM компания Crossbar сообщила, что между ней и крупным американским разработчиком электронных компонентов компанией Microsemi подписан лицензионный договор на передачу необходимой для выпуска продукции интеллектуальной собственности. Также партнёры будут совместно разрабатывать продукцию со встроенной памятью ReRAM класса 10 нм (в диапазоне от 19 до 10 нм), которая пополнит ассортимент Microsemi, а он также включает чипы военного назначения и решения для аэрокосмической отрасли.

Сфера интереса Microsemi (Microsemi)

Сфера интереса Microsemi (Microsemi)

К сожалению, Crossbar не прояснила, кто будет выпускать 10-нм электронику Microsemi со встроенной памятью ReRAM. Производство в Китае для этого явно не подходит, ведь Microsemi завязана на оборонный сектор США. Хотя в Китае у Crossbar есть официальный производственный партнёр в лице крупнейшего местного контрактного производителя полупроводников компании SMIC. В то же время SMIC освоила производство встраиваемой ReRAM с нормами 40 нм, а Crossbar и Microsemi надо идти дальше. Остаётся GlobalFoundries с бывшими заводами IBM? Будет интересно узнать.

Переход со встраиваемой памяти NAND на ReRAM обещает снижение задержек при чтении (до 10 нс) и записи (до 10 мкс). Устойчивость ячеек к износу увеличится с нескольких десятков тысяч до миллиона. При этом ячейка ReRAM не требует предварительной операции по очистке, а массив ячеек не нужно подвергать операциям выравнивания. Такая память работает быстрее и лучше всего подходит для концепции «памяти в процессоре», когда архитектура чипа строится по подобию мозга человека, где нет отдельно памяти и процессора.

ReRAM - это просто и изящно ()

ReRAM — это просто и изящно (Crossbar)

Кстати, 23 мая на конференции Embedded Vision Summit компания Crossbar покажет решение для ИИ со встроенной памятью ReRAM. Мы надеемся позже подробнее рассказать о разработке, а пока уточним, что некий специализированный процессор с памятью ReRAM, в которую загружается модель нейронной сети FaceNet, способен автономно и от батарейного питания вести распознавание лиц или объектов с возможностью обновления списка объектов распознавания. Память ReRAM в данном случае является той памятью в процессоре, которая позволяет реализовать компактную автономную платформу, в чём окажутся слабы NAND, 3D XPoint и обычная DRAM (HBM).

Intel приступила к согласованию плана по расширению производства в Израиле

Ещё в феврале стало известно, что компания Intel в очередной раз готовится расширить в Израиле производство процессоров. Речь идёт о заводе Fab 28 в Кирьят-Гате. В конце 2016 года Intel завершила очередной этап модернизации производства с намерением начать в Израиле массовый выпуск 10-нм процессоров. В модернизацию было вложено $6 млрд. К сожалению, 10-нм техпроцесс в массы пока не пошёл. Уровень брака при выпуске 10-нм продукции оказался настолько высоким, что компания отложила начало массового выпуска этой продукции до следующего года.

Вынужденный простой или неполную загрузку мощностей на Fab 28 компания решила использовать для проведения массовых работ по расширению производства. На днях, как сообщают информированные источники, Intel отправила в соответствующие регулирующие органы окончательный вариант плана по расширению завода Fab 28. Согласно плану, будут построены корпуса для новых линий и чистой комнаты. На эти цели в период с 2018 по 2020 годы компания потратит $5 млрд. Ещё $500 млн она получит в виде субсидий от израильского правительства и до 2027 года будет платить сниженный на 5 % налог.

Завод Fab 28 в Кирьят-Гате (Intel)

Завод Fab 28 в Кирьят-Гате (Intel)

Из планов Intel следует, что 10-нм техпроцесс приходит всерьёз и надолго. С учётом того, что он и так задержится минимум на 2 года, компания рассчитывает эксплуатировать данные технологические нормы производства до 2022 года и даже позже. Нетрудно представить, что переход на 7-нм техпроцесс компания Intel освоит одной из последних среди лидеров полупроводникового производства. Это даёт компании AMD шанс через год–другой вывести на рынок решения, технологически превосходящие предложения Intel. Но это уже другая история.

Intel представила первый 10-нм процессор Cannon Lake

Корпорация Intel без громких объявлений представила первый процессор семейства Cannon Lake, изготавливающийся с применением 10-нанометровой технологии.

Речь идёт о чипе Core i3-8121U, который ранее «засветился» в составе портативного компьютера Lenovo Ideapad 330. На этот раз обнародованы официальные характеристики изделия.

Процессор содержит два вычислительных ядра с возможностью одновременной обработки до четырёх потоков инструкций. Номинальная тактовая частота составляет 2,2 ГГц, максимальная частота в режиме «турбо» — 3,2 ГГц.

Объём кеш-памяти третьего уровня составляет 4 Мбайт. Максимальное значение рассеиваемой тепловой энергии (показатель TDP) равно 15 Вт.

Процессор может работать с оперативной памятью DDR4-2400 и LPDDR4/x-2400 максимальным объёмом до 32 Гбайт. Заявлена совместимость с передовыми накопителями Intel Optane.

Важно отметить, что у решения Core i3-8121U нет встроенного графического контроллера. Так что компьютерам на основе этого чипа потребуется отдельный видеоадаптер.

Цена новинки пока не указывается. С полным перечнем технических характеристик процессора можно ознакомиться на сайте Intel. О сроках анонса других моделей семейства Cannon Lake, к сожалению, ничего не сообщается. 

В конце апреля появилась информация, что Intel пока не удаётся наладить по-настоящему массовое производство 10-нанометровых изделий из-за высокого уровня брака. Поэтому такие процессоры начнут завоёвывать рынок, скорее всего, только в 2019 году.

Добавим также, что в первом квартале нынешнего года Intel получила рекордную выручку в размере $16,1 млрд. Чистая квартальная прибыль подскочила в полтора раза: если в первой четверти 2017 финансового года корпорация заработала $3,0 млрд, то теперь — $4,5 млрд.

Intel переносит массовое производство с нормами 10 нм на «когда-нибудь» в 2019 году

История с переходом на техпроцесс с нормами 10 нм пошла по тому же сценарию, что и история с переходом на 14-нм техпроцесс. Если коротко — уровень брака настолько большой, что массовое производство с нормами 10 нм продолжает оставаться невыгодным. Во второй половине прошлого года компания начала поставки первых 10-нм процессоров для рынка сверхтонких ноутбуков и трансформируемых систем (поколение процессоров Cannon Lake). Полгода спустя после этого высокий уровень брака делает невозможным увеличить производство даже этих решений, не говоря уже о начале выпуска 10-нм процессоров второго поколения (Ice Lake). Эту печальную информацию директор Intel Брайан Кржанич объявил и объяснил на квартальной конференции, посвящённой отчёту о работе в первом квартале 2018 года.

Два года назад на бумаге всё было просто замечательно

Два года назад на бумаге всё было просто замечательно

В первом квартале текущего года, о чём мы рассказали в отдельной заметке, Intel добилась рекордных показателей по выручке и чистой прибыли. Замедление вывода на рынок 10-нм продуктов вряд ли сильно скажется на финансовых показателях компании в следующие несколько кварталов. Проблемы с началом массового производства 10-нм продуктов сильнее ударят по репутации компании, которая долгие годы была технологическим лидером. В принципе, по характеристикам производимых полупроводниковых приборов компании GlobalFoundries и TSMC догонят Intel только к концу следующего года или даже в 2020 году, когда начнут массово выпускать чипы с использованием второго поколения 7-нм техпроцесса (с использованием EUV-литографии). Компания Samsung, тем не менее, уже нынешней осенью начнёт выпускать 7-нм продукцию, отчасти превосходящую по характеристикам 10-нм продукцию Intel.

Интересно отметить, что 7-нм производство Samsung, как и 10-нм производство Intel, использует исключительно иммерсионную литографию на основе 193-нм сканеров. По уровню брака на 7-нм линиях Samsung мы сможем оценить, смогла ли южнокорейская компания создать производство более развитое, чем у Intel.

Основные характеристики первых моделей Cannon Lake, которые уже выпускаются

Основные характеристики первых моделей Cannon Lake, которые уже выпускаются

В то же время руководство Intel заявило, что компания поплатилась за желание «откусить больше, чем смогла проглотить». Обычно с переходом на новый техпроцесс размеры элементов ужимаются в 1,5–2 раза. В Intel всегда стремились оказаться лучше других и, например, при переходе к 14-нм техпроцессу увеличили плотность размещения элементов на кристалле в 2,4 раза. При переходе к 10-нм производству было решено увеличить плотность в 2,7 раза. Как результат, компания не смогла справиться с возросшим уровнем брака. Впрочем, в компании успокаивают, что проблема определена и разработана методика по её устранению. Производство с нормами 10 нм будет отлажено и заработает на полную мощность в течение 2019 года. Когда конкретно, правда, Кржанич не уточнил.

Планы по расширению завода Intel в Израиле обретают очертания

С 1974 года компания Intel вложила в экономику Израиля свыше $17 млрд. На предприятии Fab 28 в Кирьят-Гате (Kiryat Gat) выпускаются микропроцессоры Intel. Поставка решений компании на мировой рынок принесла Intel от деятельности в 2017 году в Израиле $3,6 млрд. По сравнению с 2016 годом экспорт вырос на $300 млн, за что не в последнюю очередь надо благодарить недавнюю модернизацию производственных линий Fab 28.

Завод Fab 28 в Кирьят-Гате (Intel)

Завод Fab 28 в Кирьят-Гате (Intel)

В конце 2016 года, напомним, завершился очередной этап модернизации завода Fab 28. На эти цели компания потратила $6 млрд. В качестве премии и для поддержания заинтересованности Intel в инвестициях в страну правительство Израиля выделило компании денежную сумму в размере 5 % от вложений и снизила на 5 % налог сроком на 10 лет. Полученные средства Intel пустила на переоборудование линий с выпуска 22-нм процессоров на 10-нм. В настоящий момент завод Fab 28 проходит этап наладки массового производства 10-нм процессоров компании (с этим не всё гладко, но это не вина израильтян).

Премьер-министр Израиля открывает обновлённые линии на заводе Fab 28 (Photo: Kobi Gideon / Government Press Office, 2016)

Премьер-министр Израиля открывает обновлённые линии на заводе Fab 28 (Photo: Kobi Gideon / Government Press Office, 2016)

На следующем этапе, как признался на днях информагентству Reuters Министр экономики Израиля Эли Коэн (Eli Cohen), Intel собирается расширить объёмы производства на предприятии в Кирьят-Гате. Работы должны быть завершены к 2020 году и потребуют инвестиций в объёме $5 млрд. В этот раз Intel рассчитывает на денежную помощь со стороны правительства Израиля в размере 10 % от запланированной суммы. Переговоры об инвестициях должны состояться в следующем месяце, но официальные лица Intel отказались прокомментировать слова министра.

Intel признала, что её передовые 10-нм нормы уступают техпроцессам конкурентов

Корпорация Intel в прошлом году потратила значительные усилия, пытаясь доказать инвесторам, что занимает лидирующую позицию в технологии производства чипов. Компания заявляла в частности, что её будущий 10-нанометровый техпроцесс может обеспечить вдвое большую плотность транзисторов по сравнению с конкурирующими 10-нм нормами.

И хотя это утверждение Intel, вероятно, соответствует действительности, реальность такова, что конкуренты начали производство 10-нм кристаллов ещё в конце 2016 или в начале 2017 года, а собственный 10-нм техпроцесс Intel всё ещё не используется для выпуска массовой продукции. Огромная задержка Intel в освоении 10-нм норм означает, что сравнения Intel были бессмысленны, ведь её 10-нм технологии придётся соперничать уже с 7-нм нормами конкурентов.

На недавней международной конференции по полупроводниковым схемам (International Solid-State Circuits Conference, ISSCC) инженер Intel, по-видимому, признал проблемы, которые отдел маркетинга его корпорации не замечает: 10-нм технология Intel уступает 7-нм нормам конкурентов в одном из критических показателей.

Большинство компьютерных процессоров включают в себя тип чрезвычайно быстрой памяти, известный как SRAM. Поскольку SRAM представляет собой общую почти для всех процессоров структуру, на ней удобно сравнивать относительную плотность тех или иных технологий производства чипов. Особенно если ячейки, хранящие один бит, требуют одинакового количества транзисторов.

Итак, согласно данным Intel, однобитовая шеститранзисторная ячейка SRAM, произведённая с соблюдением её 10-нм норм, занимает 0,0312 квадратных микрометра площади кристалла. Конкурирующая одноразрядная шеститранзисторная ячейка SRAM, производимая по 7-нм техпроцессу Samsung, TSMC и GlobalFoundries, занимает соответственно 0,026, 0,0272 и 0,0296 квадратных микрометра.

Как можно видеть, 7-нанометровые технологии трёх упомянутых компаний весьма различаются между собой, но 10-нм нормы Intel существенно уступают им всем. Так вот, на прошедшей конференции и представитель Intel согласился, что произведённые по их техпроцессу 10-нм ячейки SRAM, «лишь» на 15 % уступают самым мелким из известных 7-нм ячеек.

Учитывая, что Intel всегда заявляла о значительном превосходстве над конкурентами с точки зрения плотности транзисторов на кристалле, это знаковое признание. В конечном счёте, потеря лидерства Intel в этой области является ещё одним признаком неудовлетворительной работы производственного подразделения компании. Небольшое отставание в плотности транзисторов при печати SRAM не подорвёт соотношение сил, но если тенденция продолжится, то в перспективе Intel вполне может уступить лидерство в области технологий производства полупроводниковых кристаллов.

Задержки Intel уже привели к переносу запусков (и, в некоторых случаях, к отмене) важных продуктов, что ухудшило позиции компании. Вдобавок с подобными задержками в освоении более тонких производственных норм столкнулась исключительно Intel — TSMC и Samsung последовательно соблюдали заявленные графики перехода на новые технологические процессы в течение целого ряда лет. И даже GlobalFoundries, которая исторически была не особенно надёжной производственной компанией, похоже, начинает исправляться.

И если сейчас компания Intel потеряла лидерство в плотности размещения транзисторов на кристалле (очень важный показатель), то в перспективе она вполне может утратить и прочие преимущества, например, в области производительности и энергоэффективности. Сегодня Intel стоит перед выбором: либо удвоить усилия по развитию и преобразованию своего производственного подразделения, пытаясь снова выйти в лидеры, либо постепенно свернуть собственную печать чипов, передав её сторонним компаниям. Но в первом случае есть вероятность неудачи и, соответственно, дальнейшей сдачи позиций в течение многих грядущих лет.

Samsung обошла Intel по технологичности производства массивов SRAM

На конференции Solid-State Circuits Conference 2018 (ISSCC) представители компании Intel подтвердили продолжение действия закона Мура, показав рост плотности транзисторов по мере снижения масштаба техпроцесса. При переходе с 14-нм техпроцесса на 10-нм размеры ячейки памяти SRAM уменьшились: до 0,0312 мкм2 для высокоплотной версии техпроцесс и 0,0367 мкм2 для низковольтной версии (подробнее см. в сводной таблице ниже).

Для производства 10-нм решений компания Intel использует иммерсионную литографию и 193-нм сканеры. Компания Samsung, как уже известно, первой начнёт коммерческую эксплуатацию EUV-сканеров с длиной волны 13,5 нм, что произойдёт во второй половине текущего года. После доклада Intel на ISSCC 2018 представитель Samsung рассказал об опытном производстве полностью рабочих 7-нм 256-Мбит  массивов SRAM с использованием EUV-сканеров. Размеры 6-транзисторрной ячейки SRAM в версии Samsung оказались равны 0,026 мкм2.

EUV-сканер компании ASML

EUV-сканер компании ASML

По словам представителя Intel, компания Samsung по технологичности производства полупроводников опередила её «в пределах каких-то 15 %». Однако аналитики заметили, что Intel впервые публично призналась в том, что по совершенству производства она идёт за кем-то следом. Это сам по себе знаковый факт.

Также в Samsung сообщили, что смогли на 75 % снизить сопротивление разрядной шины, что обычно является вызовом для проектировщиков. Ещё одним положительным моментом стало снижение на 20 % нестабильности при установке минимальных рабочих напряжений. Наконец, использование EUV-проекции дало больше простора проектировщикам для маневрирования количеством сквозных металлизированных соединений (скорее всего, речь об увеличении числа сквозных соединений, что упрощает горизонтальную разводку). Всего для производства 256-Мбит массива SRAM компания использовала EUV-проекцию для 3–4 рабочих слоёв.

Опытный массив SRAM Samsung ёмкостью 256 Мбит, техпроцесс 7 нмс использованием EUV-литографии

Опытный массив SRAM Samsung ёмкостью 256 Мбит, техпроцесс 7 нм с использованием EUV-литографии

В связи с успехами Samsung по внедрению EUV-литографии нелишне вспомнить о компании TSMC. Тайваньский контрактник на конференции рассказал о 7-нм трансляторе для кеш-памяти L1, рабочая частота которого составляла 4,4 ГГц. Для сравнения, частоты трансляторов кеш-памяти L1, выполненные с использованием 16-нм техпроцесса, доходят до 3 ГГц. Подобный рост производительности при переходе на 7-нм техпроцесс несомненно понравится как разработчикам SoC для смартфонов, так и проектировщикам CPU и ускорителей вычислений.

Samsung задумалась о выпуске DRAM с использованием сканеров EUV

Как уже широко объявлено, во второй половине следующего года компания Samsung первой в мире начнёт коммерческую эксплуатацию литографического оборудования с проекцией в диапазоне EUV (жёсткое ультрафиолетовое излучение). С помощью EUV-сканеров с длиной волны 13,5 нм Samsung намерена производить чипы с технологическими нормами 7 нм. Безусловно, речь идёт о процессорах, контроллерах и другой сложной логике. Преимуществом данного шага станет то, что сканеры EUV сократят производственный цикл обработки кремниевых пластин. Пока они ещё недостаточно быстрые по сравнению с классическими 193-нм сканерами, но зато они смогут «нарисовать» на пластине один слой чипа за один проход, тогда как 193-нм сканерам на это потребуется не менее четырёх проходов (фотошаблонов).

Воспользоваться преимуществами EUV-проекции компания Samsung также может при производстве памяти типа DRAM. Об этом на днях сообщили анонимные источники, знакомые с планами Samsung. Утверждается, что Samsung задумалась о переводе производства DRAM на EUV-сканеры. С прошлого года Samsung массово выпускает микросхемы оперативной памяти с использованием 193-нм сканеров с нормами 18 нм. Дальнейшее уменьшение масштабов техпроцесса сопряжено с рядом трудностей, среди которых также невозможность простого уменьшения линейных размеров элементов на кристалле. Как и в случае производства логики, для выпуска памяти компании Samsung приходится использовать от двух до четырёх фотошаблонов на каждый рабочий слой чипа DRAM. Переход на EUV-сканеры позволит компании увеличить технологический и производственный отрыв от конкурентов.

Завод 17 Line Samsung (http://english.etnews.com)

Завод 17 Line Samsung (http://english.etnews.com)

Первыми выпускать 7-нм продукцию (и использовать EUV-сканеры) будут действующие заводы Samsung. В частности, завод Line 17 в Хвасоне. На предприятии уже работает одна EUV-установка и готовится поступить ещё одна. Всего Samsung заказала у компании ASML 8 или 9 EUV сканеров. Особенность предприятия Line 17 в том, что оно будет выпускать как память, так и логические схемы, включая и контрактные заказы. Можно предположить, что за слухами о переводе DRAM на линии с EUV-сканерами стоит именно факт универсальности этого предприятия. Как бы там ни было, Samsung окажется потенциально способной начать выпуск памяти с использованием EUV-проекции уже в 2019 году.

В заключение надо сказать, что основная проблема с уменьшением масштаба техпроцесса для выпуска памяти заключается вовсе не в количестве фотошаблонов и длительности циклов обработки. Память DRAM по строению очень простая: каждая её ячейка — это транзистор и конденсатор. Сложность в том, что физический объём конденсатора становится настолько мал, что там уже невозможно хранить достаточно заряда (электронов) для надёжной записи данных. Поэтому использование EUV-сканеров вряд ли поможет компании начать выпуск микросхем памяти по 7-, 5-нм и более тонким техпроцессам. Но наверняка может упростить производство DRAM в диапазоне 15–10 нм.

До конца 2017 года производство 10-нм процессоров Intel будет ограниченным

В предыдущие месяцы компания Intel не раз утверждала, что первые партии 10-нм процессоров начнут выходить в конце 2017 года. Известно, что это будут процессоры под кодовым именем Cannon Lake для тонких ноутбуков. Настольные процессоры компании пока будут довольствоваться 14-нм техпроцессом в третьем поколении 14++. Но даже выпуск мобильных процессоров Cannon Lake долго не станет обильным.

Генеральный директор Intel Брайан Кржанич

Генеральный директор Intel Брайан Кржанич

На отчётной конференции генеральный директор Intel Брайан Кржанич (Brian Kzarnich) отметил, что в 2017 году компания выпустит достаточно ограниченную партию 10-нм процессоров. Расширение 10-нм производства намечено на первую половину 2018 года, а массовое появление 10-нм решений и устройств на их основе следует ждать только во второй половине 2018 года. При этом предпочтение буде отдаваться не процессорам, а, например, 10-нм FPGA-матрицам или другой продукции для ЦОД.

К сожалению, компания умалчивает о планах относительно выпуска 10-нм настольных процессоров. Можно надеяться, что они всё же появятся во второй половине следующего года. Производственные линии Intel для этого будут готовы. При этом компания уверяет, что будет совершенствовать 10-нм техпроцесс каждый год: и в 2019 году, когда будет внедрён техпроцесс 10+, и в 2020 году после внедрения техпроцесса 10++. Об этом, кстати, на днях представители Intel поведали на конференции для клиентов на контрактное производство полупроводников. Данные планы могут отличаться от планов по выпуску процессоров компании, но они показывают готовность производственных линий Intel выпускать то или иное поколение чипов.

Планы Intel по предоставлению услуг по конрактному производству полупроводников с техпроцессами коасса 10 нм

Планы Intel по предоставлению услуг по контрактному производству полупроводников с техпроцессами класса 10 нм

Цифровые проекты для выпуска решений с использованием техпроцесса 10 нм компания начала получать в третьем квартале 2017 года. Опытный кремний на основе этих проектов начнёт появляться во втором квартале 2018 года. Это SoC для смартфонов и планшетов, сетевые контроллеры и процессоры, другие решения. В конце второго квартала 2018 года Intel рассчитывает начать получать цифровые проекты для производства чипов с использованием техпроцесса 10+. Рисковое производство с нормами 10+ компания обещает начать в первом квартале 2019 года. Цифровые проекты для техпроцесса 10++ компания ждёт в конце второго квартала 2019 года, а пилотное производство по этим проектам намерена начать в первом квартале 2020 года.

Чипы с использованием 10-нм техпроцесса уже проектируются, техпроцесс 10+ в целом готов, а техпроцесс 10++ в разработке

Чипы с использованием 10-нм техпроцесса уже проектируются, техпроцесс 10+ в целом готов, а техпроцесс 10++ в разработке

Для техпроцесса 10 нм у Intel готовы IP-блоки мобильного и сетевого назначения, библиотеки элементов, в том числе компаний ARM и Synopsys, интерфейсы SerDes 56G и 112G. Техпроцесс 10+ обеспечит дополнительный прирост производительности на 10 %, а также снижение потребления и площади чипа на 10 % по каждому пункту. Инструменты проектирования позволят перепроектировать решения 10-нм поколения для выпуска с техпроцессом 10+. Техпроцесс 10++ пока в разработке, но в Intel не сомневаются, что площадь чипов можно будет уменьшить ещё раз и улучшить скоростные и энергоэффективные характеристики решений. Для чего необходимо будет достаточно перепроектировать уровень металлических контактных слоёв.

Qualcomm разрабатывает SoC Snapdragon 635/635 Plus и Snapdragon 670

Компания Qualcomm намерена осуществить плановое обновление своих SoC и выпустить три свежих мобильных процессора среднего уровня. Речь идёт о чипе Snapdragon 635 и его «разогнанной» версии Snapdragon 635 Plus, а также модели Snapdragon 670. Появление указанных SoC от Qualcomm стоит ожидать в I–II квартале 2018 года. 

Чип Snapdragon 635 призван устранить существующий разрыв в показателях быстродействия между SoC Snapdragon 660 и Snapdragon 630, став золотой серединой между ними. Snapdragon 635, если верить инсайдерским сводкам, выполнят по 14-нм технологическому процессу FinFET LPP.

droidholic.com

Qualcomm Snapdragon 635 будет содержать 4 высокопроизводительных ядра Cortex A73 и 4 энергоэффективных Cortex A55. Новый графический процессор обеспечит прирост мощности в сравнении с видеоускорителем Adreno 506 своего предшественника на 20 %. Не слишком впечатляющие результаты с учётом 30-процентного «GPU-буста» при переходе со Snapdragon 625 на 630. 

Что до версии Snapdragon 635 Plus, то она будет отличаться от базовой модели без плюса в названии лишь повышенными тактовыми частотами.

Близкие к делам американского производителя источники утверждают, что Qualcomm намерена презентовать в начале 2018 года и SoC Snapdragon 670 — первый 10-нм чип среди процессоров шестой серии. Базироваться он предположительно будет на ядрах Kryo 360. 

Анонс смартфонов среднего уровня с чипами Snapdragon 635/Snapdragon 635 Plus и Snapdragon 670 не задержится: мобильные устройства с перечисленным SoC дебютируют в первой половине 2018 года. 

SoC Kirin 970 изготовят по 10-нм техпроцессу и дополнят передовой графикой ARM Heimdallr MP

Очередная информационная утечка, ставшая достоянием СМИ, поведала мировой общественности о вероятных характеристиках SoC Kirin 970. Следующее поколение мобильных процессоров разработки Huawei, если опираться на полученные сведения, сможет на равных конкурировать с передовой продукцией Qualcomm и не оставит шанса на равную борьбу чипам MediaTek.

gr.gizchina.com

gr.gizchina.com

Процессор Kirin 970 — «сердце» будущего флагманского смартфона Huawei — будет изготавливаться в соответствии с нормами 10-нм технологического процесса FinFET на производственных мощностях TSMC. В основу новинки ляжет восемь ядер, которые смогут обеспечить недостижимый прежде уровень быстродействия. Разные источники свидетельствуют о различных вариантах компоновки Kirin 970, зато сходятся в едином мнении об использовании конфигурации big.LITTLE. 

Так, по одной из версий, датированной концом прошлого года, Kirin 970 будет насчитывать четыре ядра ARM Cortex-A73 и четыре ARM Cortex-A53. Другой же авторитетный источник посредством социальной сети Weibo опубликовал вчера информацию, согласно которой всеми восемью ядрами окажутся Cortex-A73. 

Чипсет HiSilicon Kirin выглядит примечательным и тем, что ему приписывают передовое графическое ядро ARM Heimdallr MP, которым он сможет похвастаться в числе первых. Вдобавок мобильный процессор обеспечит доступ в Сеть на максимальных скоростях благодаря LTE-модулю Cat.12.

Всё озвученное выше пока не подтверждено официально и может на деле оказаться как основанными на внутренней документации Huawei сведениями, так и простыми догадками. О сроках релиза первого смартфона на базе Kirin 970, роль которого эксперты отводят модели Huawei Mate 10, также не упоминалось представителями китайской компании.

Новый техпроцесс Samsung 10LPP второго поколения готов к массовому производству

Корпорация Samsung сообщает, что успешно преодолела все препятствия на пути к внедрению 10-нм техпроцесса FinFET второго поколения и теперь его можно использовать в массовом производстве микроэлектроники. Речь идёт о техпроцессе класса LPP (Low Power Plus), который отлично подходит для производства различных процессоров и прочих чипов для планшетов, смартфонов и прочих экономичных устройств, но не очень годится для создания мощных процессоров для ПК и серверов. Такое деление технологических процессов одной размерности на две группы, одна из которых ориентирована на экономичность и дешевизну, а вторая на сложность и производительность, возникло уже достаточно давно.

Samsung 10LPP: всё идёт по плану

Samsung 10LPP: всё идёт по плану

Новый техпроцесс Samsung 10LPP представляет собой доработку более раннего процесса 10LPE (Low Power Early), который был использован в производстве таких решений, как мобильная платформа Qualcomm Snapdragon 835 и 48-ядерный сетевой процессор Centriq 2400. Ну и, разумеется, Samsung не была бы собой, если бы не использовала свой техпроцесс в первую очередь для производства новейшего мобильного процессора собственной разработки — Exynos 8895. Процесс 10LPP обеспечивает 10 % прироста производительности в сравнении с 10LPE, либо, при равной производительности, до 15 % снижения энергопотребления.

Даже с учётом старого техпроцесса 10LPE, возможности Exynos 8895 выглядят впечатляюще

Даже с учётом старого техпроцесса 10LPE возможности Exynos 8895 выглядят впечатляюще

Улучшения не слишком заметные, но с учётом сферы применения таких техпроцессов, а это, в основном, мобильные устройства, питающиеся от аккумуляторов (а заметной революции в создании сверхъёмких батарей так и не произошло, несмотря на многочисленные победные реляции), здесь каждый милливатт на счету. Да и с учётом замедления действия закона Мура даже 10 % годового прироста производительности выглядят неплохо. Следующим в планах Samsung значится техпроцесс 10LPU, который станет уменьшенной версией процесса 14LPU. Компания надеется с его помощью снизить стоимость производства, но станет ли он основой для мощных процессоров, неизвестно. Возможно, будет выпущена ещё одна версия 10-нм техпроцесса специально для этой цели. Samsung Electronics не отступается и от планов освоения 7-нм технологических норм, для чего по-прежнему планирует использовать экстремальный ультрафиолет (EUV, длина волны 121‒10 нм).

NVIDIA Volta: первые 12-нм GPU выйдут уже в этом году

Противостояние NVIDIA и AMD на рубеже 14/16 нм пока складывается в пользу «зелёных». Возможно, с выходом видеокарт на чипах Vega 10 и GP102 (GeForce GTX 1080 Ti) соперничество в high-end сегменте обострится, но это не отменит того факта, что уже более полугода модели GeForce GTX 1080, GTX 1070 и GTX 1060 остаются выбором «хардкорных» геймеров, что, в частности, подтверждается статистикой Steam.

NVIDIA Volta

Как утверждает ресурс Fox Business, NVIDIA не собирается почивать на лаврах и —помимо выпуска адаптера GeForce GTX 1080 Ti — намерена представить в этом году первые карты с микроархитектурой Volta. С ними связано более активное использование типов памяти HBM2 и GDDR5X, а также переход на новую технологическую норму. Ключевые релизы эры Pascal (упомянуты выше) ассоциированы с 16-нанометровым техпроцессом TSMC, и только последние на сегодняшний день модели — GeForce GTX 1050 Ti и GTX 1050 (GP107) — базируются на 14-нм норме Samsung. По предварительным данным, вывод на рынок Volta будет проходить по той же схеме: топовые карты будут основываться на 12-нанометровых GPU, после чего в Санта-Кларе примут решение относительно выпуска оставшихся кристаллов по 10-нм техпроцессу.

NVIDIA Volta

12-нм норма TSMC представляет собой развитие нынешней 16-нм технологии. Благодаря стараниям инженеров тайваньского полупроводникового гиганта, размеры транзисторов и энергопотребление чипов должны значительно уменьшиться. Упомянутый 10-нм техпроцесс также станет результатом усилий специалистов TSMC. В NVIDIA его могут использовать для самых скромных GPU и SoC.

TSMC

Дебютным видеоадаптером Volta, скорее всего, станет новый NVIDIA Titan или серверная модель Tesla. Старшие продукты, похоже, будут единственными в текущем году. До игровых карт GeForce на чипах Volta в 2017-м дело может не дойти, хотя в Санта-Кларе постараются изменить график анонсов, если почувствуют угрозу со стороны AMD.

NVIDIA Titan X

Что касается возможности выпуска NVIDIA Volta по 7-нм техпроцессу, то, учитывая малое время, оставшееся до первого релиза, такой сценарий маловероятен. Переход на 7 нм в кратчайшие сроки будет иметь смысл только в случае, если он будет экономически обоснован. И это не только процент выхода годных рабочих чипов, но и их тактовая частота, энергопотребление, тепловыделение и т. д. Время 7-нм технологии, вероятно, придёт в середине или в конце 2018 года. Как следует из более ранних сообщений, во второй половине следующего года дебютирует первый 7-нм продукт AMD — Vega 20.

MediaTek Helio P35: десять ядер и 10-нм техпроцесс

На сегодняшний день самой мощной однокристальной системой в серии MediaTek Helio P считается анонсированная в октябре модель P25 — она представляет собой версию P20, работающую на повышенных тактовых частотах. Однако уже через считанные месяцы тайваньский чипмейкер представит более продвинутую «систему на чипе» для аппаратов среднего ценового диапазона — Helio P35. Ожидается, что её премьера пройдёт в рамках выставки MWC 2017, а первые аппараты на её базе увидят свет в третьем квартале 2017 года.

Согласно информации китайских источников, MediaTek Helio P35 будет производиться с использованием 10-нм техпроцесса на мощностях компании TSMC и получит такую же десятиядерную архитектуру CPU, как у старшего по рангу Helio X30, но с заниженными частотными характеристиками. Наиболее производительный кластер, состоящий из двух ядер Cortex-A73, сможет работать на частотах до 2,2 ГГц, средний будет включать четыре ядра Cortex-A53 и «разгоняться» до 2 ГГц, а энергоэффективный блок (4 × Cortex-A35) будет функционировать на 1,8 ГГц максимум.

Тип поддерживаемой Helio P35 оперативной памяти — LPDDR4, как у Helio X30, но с той лишь разницей, что контроллер здесь применят не четырёх-, а двухканальный. Ещё одно отличие будет заключаться в используемом GPU: если в Helio X30 обещан PowerVR 7400XT MP4, то в Helio P35 за обработку графики предстоит отвечать Mali-G71 MP3. Также заявлена поддержка 4G-сетей Cat. 10, технологии быстрой зарядки Pump Express 3.0 и накопителей UFS 2.1. Максимальное разрешение дисплея, которое сможет иметь устройство на базе Helio P35, составляет 1920 × 1080 точек, что выглядит несколько неправдоподобно.