Издание DigiTimes со ссылкой на Seoul Economic Daily сообщает, что компания Samsung Electronics будет готова со следующего года начать массовое производство трёхмерной флеш-памяти 9-го поколения с архитектурой двойного стека. Для сравнения, в 321-слойных микросхемах 3D NAND компании SK hynix, старт массового производства которых запланирован на первую половину 2025 года, используется архитектура тройного стека.

Источник изображения: Samsung

Чипы Samsung 3D V-NAND 9-го поколения с более чем 300 слоями будeт выпускаться с использованием метода двойного стекирования, который Samsung впервые применила в 2020 году при производстве 176-слойных микросхем 3D NAND 7-го поколения. Метод подразумевает создание одного стека 3D NAND на кремниевой пластине диаметром 300 мм, а затем последующее наслоение второго стека поверх первого. На основе чипов флеш-памяти высокой плотности с более чем 300-ми слоями производители смогут создавать недорогие твердотельные накопители или удешевлять SSD, уже представленные на рынке.

Что касается той же SK hynix, то компания ранее озвучила планы начать производство 321-слойной 3D NAND-памяти в 2025 году, используя архитектуру с тремя стеками. Производство этих микросхем отличается от метода Samsung и подразумевает соединение трёх отдельных наборов слоёв. С одной стороны, производство такой памяти будет требовать больше шагов и потребует больше материалов по сравнению с конкурентом, однако такой подход призван повысить уровень выхода годных чипов, поскольку производить стеки флеш-памяти с меньшим количеством слоёв проще.

Утечки дорожных карт Samsung предполагают, что компания после завершения цикла производства 3D NAND 9-го поколения может воспользоваться методом тройного стека для выпуска 430-слойных микросхем 3D NAND 10-го поколения. Некоторые эксперты в разговоре с изданием Seoul Economic Daily предположили, что производство чипов флеш-памяти 3D NAND с более чем 400 слоями потребует архитектуры тройного стека из-за возможных проблем с процентом выхода годных микросхем. Разумеется, это увеличит объёмы использующегося сырья и другие затраты в расчёте на одну пластину.

В 2022 году Samsung заявила, что рассчитывает выйти на производство 1000-слойных чипов флеш-памяти к 2030 году.

На саммите Flash Memory Summit (FMS) 2023 компания SK hynix первой в индустрии показала образец флеш-памяти с более чем 300 слоями. Так будет выглядеть будущее, когда интеллектуальные помощники станут вездесущими. Компания ещё не до конца завершила разработку новой и намного более плотной памяти, но обещает сделать это в течение следующего года, чтобы начать выпуск новинки в первой половине 2025 года.

Источник изображения: SK Hynix

Чипы 321-слойной флеш-памяти опираются на трёхбитовые ячейки памяти (TLC). Ёмкость одной микросхемы будет составлять 1 Тбит. Современная 238-слойная 3D NAND компании обладает вдвое меньшей ёмкостью — 512 Гбит. Переход от производства 238-слойной памяти к выпуску 321-слойной в пересчете на биты увеличит выход ёмкости с каждой кремниевой пластины на 59 %.

Первый доклад специалистов SK hynix о разработке 300-слойной памяти состоялся в марте этого года на конференции ISSCC 2023. Из представленных тогда документов следует, что 300-слойные микросхемы SK Hynix получат также улучшенную архитектуру, что неизбежно идёт за наращиванием числа слоёв и увеличением числа соединений, а также несколько видоизменённые сигналы управления и программирования. В своей совокупности это позволит увеличить пропускную способность памяти 3D NAND с 164 Мбайт/с до 194 Мбайт/с. Также возрастёт энергоэффективность решений за счёт более высокой плотности записи.

Наконец, компания призналась, что параллельно с разработкой 300-слойной памяти начала проработку интерфейсов следующего поколения, а именно PCIe 6.0 и UFS 5.0. Последний, как нетрудно догадаться, будет также использоваться для накопителей на 300-слойных микросхемах и не только. Чуть больше подробностей по 300-слойным флеш-чипам SK Hynix можно прочесть в архиве наших новостей за март.