Сегодня 03 сентября 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Теги → 3d v-nand

Samsung начала выпуск TLC 3D V-NAND 9-го поколения с рекордным по скорости интерфейсом

Компания Samsung сообщила, что начала массовое производство флеш-памяти 3D V-NAND TLC 9-го поколения ёмкостью 1 Тбит. Новые чипы предлагают повышенную плотность и энергоэффективность по сравнению микросхемами памяти 3D V-NAND TLC 8-го поколения.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

Производитель не уточнил количество слоёв, использующихся в составе памяти 3D V-NAND TLC 9-го поколения ёмкостью 1 Тбит, а также техпроцесс, который используется для их производства. Однако Samsung отметила, что благодаря самому компактному в отрасли размеру ячеек битовая плотность чипов 3D V-NAND TLC 9-го поколения была улучшена примерно на 50 % по сравнению с памятью 3D V-NAND TLC предыдущего поколения. Производитель также сообщил, что в новых микросхемах памяти применяется технология предотвращения помех, у ячеек увеличен срок службы, а отказ от фиктивных отверстий в токопроводящих каналах позволил значительно уменьшить планарную площадь ячеек памяти.

Флеш-память 3D V-NAND TLC 9-го поколения оснащена интерфейсом нового поколения Toggle 5.1, который увеличил скорость ввода/вывода данных на 33 % до 3,2 Гбит/с на контакт. Наряду с этим компания сократила энергопотребление на 10 % относительно прошлого поколения.

Во второй половине года Samsung планирует начать производство 3D V-NAND девятого поколения ёмкостью 1 Тбит с ячейками QLC.

Samsung начнёт выпускать 290-слойные чипы 3D NAND уже в этом месяце, а 430-слойные — в следующем году

Компания Samsung Electronics начнёт массовое производство 290-слойных чипов флеш-памяти 9-го поколения 3D V-NAND уже в этом месяце, пишет южнокорейское издание Hankyung, ссылающееся на индустриальные источники. В следующем году производитель планирует выпустить 430-слойные чипы флеш-памяти NAND.

 Источник изображений: Samsung

Источник изображений: Samsung

Чипы Samsung 3D V-NAND 9-го поколения с 290 слоями будут выпускаться с использованием технологии двойного штабелирования, которую Samsung впервые применила в 2020 году при производстве 176-слойных микросхем 3D NAND 7-го поколения. Метод подразумевает создание массива чипов 3D NAND на кремниевых пластин диаметром 300 мм, после чего две такие пластины накладываются друг на друга и спаиваются, а затем нарезаются на отдельные чипы, представляющие собой двойные стеки.

Ранее в полупроводниковой индустрии ходили разговоры, что производство чипов флеш-памяти NAND с количеством слоёв около 300 потребует укладки друг на друга трёх пластин из-за технологических ограничений метода двойного стека. Однако, как сообщается, Samsung усовершенствовала процесс двойного штабелирования и теперь будет использовать его для производства памяти NAND с 290–300 слоями.

Во второй половине следующего года компания собирается перейти к производству 10-го поколения флеш-памяти 3D V-NAND с 430 слоями. Именно здесь начнёт применяться укладка трёх пластин друг на друга, пишет южнокорейское издание, ссылающееся на данные исследовательской фирмы Tech Insights. Как отмечается, производитель собирается пропустить выпуск чипов памяти NAND с более чем 300 слоями и сразу перейти к производству 430-слойных микросхем.

Конкуренты Samsung тоже не сидят без дела. С начала следующего года SK hynix собирается начать массовый выпуск 321-слойных чипов флеш-памяти NAND, но будет для этого «спаивать» три пластины с чипами. Китайский производитель памяти YMTC, который в настоящий момент выпускает 232-слойную память NAND, планирует выйти на производство 300-слойных чипов памяти во второй половине текущего года.


window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Ложная тревога: CD Projekt Red объяснила, что скрывалось за новым тизером по Cyberpunk 2077 57 мин.
«Живи. Умри. И снова»: вдохновлённый фильмом «Грань будущего» шутер Metal Eden поступил в продажу 2 ч.
VMware с осторожностью подходит к масштабной поддержке архитектуры Arm 3 ч.
«Мечта, ставшая реальностью»: Activision и Paramount превратят Call of Duty в незабываемый фильм для старых и новых фанатов 4 ч.
Хакеры атаковали Jaguar Land Rover — производство автомобилей остановлено 5 ч.
Не Hollow Knight: Silksong единой — Microsoft рассказала о первых новинках Game Pass в сентябре 6 ч.
Квантовые компьютеры ещё не готовы, но в ПО для них уже инвестируют миллионы 6 ч.
Слухи: Ubisoft начала строить планы на Rayman 4, а Beyond Good and Evil 2 выйдет до конца 2027 года 7 ч.
Спустя почти год Capcom удалила Denuvo из Dead Rising Deluxe Remaster, но заменила её другой DRM 7 ч.
Не хочешь — заставим: правительство само определит категории объектов КИИ 9 ч.