Рынок памяти DRAM ожидают перемены, поскольку падение цен на фоне слабого спроса заставляет крупнейших производителей, таких как Samsung Electronics, SK Hynix и Micron, корректировать свои стратегии. Эти компании увеличивают производство DDR5, а также памяти с высокой пропускной способностью (HBM) и к концу текущего года могут полностью отказаться от выпуска памяти DDR3 и DDR4.

Источник изображения: unsplash.com

Как пишет Digitimes, со ссылкой на издание Nikkei и индустриальные источники, три основных производителя памяти DRAM могут прекратить производство DDR3 и DDR4 к концу 2025 года. Это может привести к возможному дефициту поставок указанных типов памяти уже к осени. Оставшиеся предложения на рынке в значительной степени будут зависеть от тайваньских поставщиков, которые постараются заполнить освободившуюся нишу. По словам одного из ключевых дистрибьюторов компонентов, ожидаемая остановка производства памяти DDR3 и DDR4 может привести к значительным ограничениям поставок, усложнить динамику рынка и повлиять на стратегии ценообразования.

Согласно прогнозам тайваньского производителя памяти Nanya Technology, рынок DRAM достигнет нижней точки в первой половине 2025 года. Однако постепенное восстановление начнётся уже во втором квартале, чему будут способствовать рост спроса, более грамотное управление запасами, а также глобальные экономические стимулы. Спрос на облачные вычисления с использованием искусственного интеллекта останется высоким и будет стимулировать развитие сегмента периферийных вычислений. В то же время потребительский спрос вырастет незначительно, несмотря на региональные стимулы.

Эксперты рынка прогнозируют, что значительная часть новых производственных мощностей будет направлена на развитие технологий HBM и DDR5. Текущий спад цен и спроса на DDR3 и DDR4 сигнализирует о стратегическом сдвиге, поскольку ведущие производители памяти концентрируют свои ресурсы на масштабировании производственных возможностей HBM.

Столкнувшись со слабым спросом на устаревшие модели памяти DDR, компания Winbond Electronics модернизирует своё производство и собирается перейти на 16-нм техпроцесс во второй половине 2025 года. Сейчас компания использует 20-нм техпроцесс, в основном выпуская на его базе 4-гигабитную память DDR3 и DDR4. Переход на 16-нм техпроцесс позволит Winbond выпускать 8-гигабитную память DDR.

По данным inSpectrum, спотовые цены на DDR5 продолжают расти даже на фоне относительно вялого спроса, тогда как цены на DDR4 остаются стабильными. В свою очередь, спотовые цены на DDR3 в последние годы демонстрируют тенденцию к снижению.

Рынок памяти DDR3 переживает серьёзный дисбаланс спроса и предложения, поскольку ведущие мировые производители, такие как Samsung, SK hynix и Micron, постепенно сворачивают производство этого типа памяти. Согласно отчёту Economic Daily News, сокращение выпуска DDR3 крупнейшими игроками на фоне продолжающегося высокого спроса со стороны устройств искусственного интеллекта и периферийных вычислений привело к значительному дефициту и росту цен.

Источник изображения: trendforce.com

Samsung уже сообщила своим клиентам о планах полностью прекратить производство DDR3 к концу второго квартала. SK hynix ещё в конце прошлого года перевела свои мощности по выпуску DDR3 на заводе в Уси (Китай) на производство DDR4. Micron также существенно сократила поставки DDR3, чтобы расширить выпуск более современных типов памяти, таких как DDR5 и HBM.

Samsung уже сообщила своим клиентам о планах полностью прекратить производство DDR3 к концу второго квартала. SK hynix ещё в конце прошлого года перевела свои мощности по выпуску DDR3 на заводе в Уси (Китай) на производство DDR4. Micron также существенно сократила поставки DDR3, чтобы расширить выпуск более современных типов памяти, таких как DDR5 и HBM.

Эксперты отрасли, в свою очередь, отмечают, что сокращение производства DDR3 ведущими производителями уже привело к росту цен на этот тип памяти, начиная со второй половины этого года, причём ожидается дальнейшее повышение. По прогнозам аналитической компании TrendForce, к концу 2024 года разрыв между спросом и предложением на рынке DDR3 может превысить 20-30 %, что приведёт к скачку цен на 50-100 % относительно текущего уровня, который и так уже находится ниже себестоимости.

Однако сложившаяся ситуация открывает определённые возможности для тайваньских производителей, специализирующихся на выпуске DDR3, таких как Winbond, Elite Semiconductor Microelectronics Technology (ESMT) и Etron. Эти компании смогут воспользоваться дефицитом и ростом цен, чтобы укрепить свои позиции на рынке и улучшить финансовые показатели. Ожидается, что преимущества от повышения цен на DDR3 станут очевидными для тайваньских производителей уже в ближайшие кварталы.

Несмотря на постепенный переход отрасли к новым стандартам памяти, спрос на DDR3 остаётся высоким благодаря широкому применению в различных устройствах. Например, большинство точек доступа WiFi 6 и даже готовящиеся к выпуску устройства следующего поколения WiFi 7 по-прежнему используют преимущественно DDR3 и DDR4. Кроме того, DDR3 продолжает активно применяться в периферийных вычислительных системах.

Таким образом, сочетание сокращения предложения и стабильно высокого спроса создаёт предпосылки для дальнейшего повышения цен на DDR3 в обозримом будущем. Хотя в долгосрочной перспективе рынок неизбежно будет смещаться в сторону более современных типов памяти, текущая ситуация благоприятна для производителей DDR3 и позволяет им укрепить своё финансовое положение.

С начала текущего года цены на микросхемы оперативной памяти и без того росли с переменным успехом после прошлогоднего затоваривания, а землетрясение на Тайване в начале апреля придало им дополнительный стимул. В результате, контрактные цены на DRAM вырастут во втором квартале на 20 или 25 %, как считают эксперты TrendForce.

Источник изображения: Samsung Electronics

Растущий спрос на оперативную память уже заставил южнокорейских производителей поднять цены, только в мае микросхемы DDR5 подорожают на 13 %, а DDR4 — где-то на 10 %. Для тайваньских поставщиков, которые в основном зарабатывают на выпуске микросхем DDR3, открывается возможность поднять цены на свою продукцию на 10–15 %. В целом, по мнению источника, контрактные цены на DRAM во втором квартале вырастут на 20–25 %.

Землетрясение, которое максимально проявило себя 3 апреля текущего года у восточного побережья Тайваня, причинило ограниченный ущерб местным предприятиям по производству оперативной памяти. По сути, к 8 апреля основные предприятия Micron, Nanya и Winbond уже полностью восстановили выпуск микросхем памяти на Тайване, а в случае с Micron и PSMC на отдельных площадках производительность к тому времени достигала 80–90 % от максимальной. По оценкам TrendForce, апрельское землетрясение от силы сократило объёмы выпуска DRAM на Тайване на 1 % в масштабах всего второго квартала.

Впрочем, это не помешало Micron поднять цены на DRAM и SSD на 25 % по итогам оценки ущерба и рыночной ситуации в целом. Samsung выпуск DDR3 свернула досрочно, из-за чего многие покупатели этого типа памяти вынуждены были обратиться к Nanya и Winbond за дополнительными заказами, а те в итоге подняли цены на второй квартал на 10–15 %. Переход на выпуск более современных типов памяти усугубляет дефицит старых и способствует росту цен. Ко втором полугодию спрос будет опережать предложение на 20–30 %, по мнению представителей TrendForce. Сейчас производители DDR3 вынуждены продавать память по цене ниже себестоимости, и во втором полугодии цены могут вырасти на 50 или даже 100 %. Тайваньским производителям памяти такая ситуация будет выгодна.