Теги → ddr3
Быстрый переход

GIGABYTE H310M DS2V DDR3: плата для Coffee Lake с поддержкой DDR3

Компания GIGABYTE представила довольно интересную материнскую плату под названием H310M DS2V DDR3. Как нетрудно догадаться по названию, её ключевой особенностью является наличие слотов для модулей памяти DDR3 вместо более привычных для плат на чипсетах Intel 300-й серии слотов для DDR4.

Несмотря на распространение памяти DDR4, память прошлого поколения DDR3 всё ещё пользуется популярностью, поэтому GIGABYTE и решила выпустить новую материнскую плату с её поддержкой. Подобная плата может особенно приглянуться тем, кто планирует «переезд» со старой платформы, но хочет максимально сэкономить. А учитывая нынешние цены на оперативную память, экономия будет весьма ощутимая.

Ещё одной интересной особенностью H310M DS2V DDR3 является то, что с её помощью можно собрать систему с Core i7-8700K, например, и памятью DDR3. Заметим, что теоретически и новые процессоры Coffee Lake Refresh должны быть совместимы с оперативной памятью DDR3. Как минимум Core i5-9600K, который построен на том же кристалле, что и модели прошлого поколения. Однако в списке поддерживаемых процессоров новинки не значатся. Да и вряд ли кто-то будет создавать подобную систему.

В остальном же H310M DS2V DDR3 является вполне обычной материнской платой начального уровня на чипсете Intel H310 с процессорным разъёмом LGA 1151v2. Помимо двух слотов для модулей памяти DDR3-1800 здесь имеется слот PCI Express 3.0 x16 и пара PCI Express 3.0 x1. Для подключения устройств хранения данных имеется лишь четыре порта SATA III. Также плата может предложить гигабитный сетевой контроллер Realtek и звуковую подсистему на кодеке Realtek ALC887. На тыльной панели имеются порты USB 2.0 (x4) и 3.0 (x2), видеовыходы DVI-D и D-Sub (VGA), сетевой порт, разъём PS/2 и три 3,5-мм аудиоразъёма.

Стоимость и дата начала продаж материнской платы GIGABYTE H310M DS2V DDR3 пока что не уточняются.

В ноябре оптовые цены на 4-Гбайт модули DDR4 выросли до $18

Закончился ноябрь и можно подвести итоги месячных торгов на рынке микросхем и модулей компьютерной памяти. Согласно прогнозам и наблюдаемым тенденциям, в ноябре средняя оптовая цена на 4-Гбайт модули памяти для ПК выросла до $18 за один модуль. По сравнению с октябрьскими ценами на модули стоимость увеличилась на 2,86 %. Все данные, уточним, приводятся группой аналитиков DRAMeXchange, которая входит в компанию TrendForce — это одна из крупнейших электронных торговых площадок, обслуживающая продавцов и покупателей памяти.

Полгода назад 4-Гбайт модуль памяти DDR стоил ещё $12,5 (DRAMeXchange)

Полгода назад 4-Гбайт модуль памяти DDR стоил ещё $12,5 (DRAMeXchange)

На розничном (спотовом) рынке цена 4-Гбит микросхем DDR3 и DDR4 за месяц выросла соответственно на 6 % и 2 % и составила $2,6 и $2,53 за чип. Наблюдаемая в ноябре динамика намекает, что компьютерная память и дальше продолжит свой рост. К тому же ожидание долгих новогодних праздников в Китае заставляет производителей модулей памяти и сборщиков ПК заранее пополнять запасы продукции, что ведёт к превышению спроса над предложением и подстёгивает цены.

Наблюдая за ходом заключения контрактов на поставку памяти в первом квартале нового года, аналитики DRAMeXchange сделали вывод, что к концу марта оптовая цена на 4-Гбайт модуль может достичь $20. Такое редко бывает, чтобы цены на память в первом квартале сохранялись такими, как в четвёртом квартале или даже превышали их. Текущая ситуация — это как раз тот редкий случай, когда память лучше покупать в пиковый предпраздничный квартал, если вы планируете в обозримом будущем модернизировать подсистему памяти своего компьютера.

Попутно аналитики DRAMeXchange уверены, что в 2017 году массовым продуктом станут 8-Гбит микросхемы DRAM и 8-Гбайт модули памяти, которые придут на смену массовым 4-Гбайт модулям. Это произойдёт по той причине, что производители в основном переориентируются на выпуск 20-нм 8-Гбит микросхем, а доступность оных станет стимулом перейти на выпуск 8-Гбайт модулей. Иными словами, новые ПК (и ноутбуки) в 2017 году в массе получат по умолчанию по 8 Гбайт памяти. Это, кстати, также послужит фактором для увеличения оптовых и розничных цен на память.

До конца года компьютерная память подорожает минимум на 10%

В июне аналитики подразделения DRAMeXchange компании TrendForce сообщили, что вторая половина текущего года будет сопровождаться ростом цен на память для персональных компьютеров. Спустя неполных три месяца выводы DRAMeXchange полностью подтвердились. Контрактные цены на модули DDR3 и DDR4 выросли и продолжат свой рост едва ли не до конца 2017 года. Мы, как потребители, можем называть это разными и часто неуместными в приличном обществе словами, но с точки зрения экономики это называется возвращением к здоровому балансу производства.

Повышению контрактных и, в итоге, розничных цен на модули памяти для ПК способствует необычно высокий спрос на оперативную память для смартфонов со стороны китайских производителей, таких как Huawei, Vivo и OPPO, а также резко возросшее количество заказов на серверную продукцию для развёртывания в Китае массы новых ЦОД. Масло в огонёк подливает и начало поставок новых смартфонов Apple. Всё это ведёт к тому, что производители микросхем памяти сокращают выпуск чипов для персональных компьютеров и ноутбуков, вместо этого увеличивая объёмы производства микросхем памяти для смартфонов и планшетов. Также наращивается выпуск высокоплотных микросхем оперативной памяти для серверного применения.

По прогнозам DRAMeXchange, в четвёртом квартале этого года доля мобильной памяти в поставках достигнет 45 %, доля памяти для серверов поднимется до 25 %, а доля компьютерной памяти опустится ниже 20 %. Что интересно, в третьем квартале отмечен рост спроса на ноутбуки, что особенно отличило американский рынок. Нетрудно понять, что снижающиеся объёмы поставок памяти для компьютерных систем заставят OEM-производителей ПК сражаться рублём за возможность пополнить запасы памяти.

Поскольку DRAMeXchange ведёт наблюдение за собственной торговой площадкой по сделкам с памятью, замечено, что контрактные цены на поставку модулей DRAM в четвёртом квартале в среднем уже на 10 % выше, чем цены на поставку памяти в третьем квартале. Например, цена на модули DDR3 и DDR4 в августе стабилизировалась в среднем на отметке $13,5. В период с октября по декабрь контрактная стоимость модулей обещает подняться минимум до $15.

Кстати, с флеш-памятью та же ситуация. Цены на микросхемы 2D NAND стабилизировались и готовы прыгнуть вверх. В спросе на флеш-микросхемы виновны три фактора. Во-первых, рост поставок китайских смартфонов и ожидание новых смартфонов Apple. Во-вторых, рост спроса на серверные SSD-накопители. В-третьих, отсутствие заметного прогресса в наращивании производства памяти 3D NAND. Увы, кроме компании Samsung по-настоящему массовым выпуском микросхем 3D NAND никто больше не может похвастаться: ни Micron, ни Intel, ни SK Hynix

Рыночная доля DDR4 превысила DDR3

Переход серверов и персональных компьютеров на память DDR4 проходит довольно высокими темпами во многом благодаря быстрому снижению цен на новый тип ОЗУ. По оценками Intel и IHS, рыночная доля DDR4 (в ПК и серверах, в пересчёте на гигабиты) во втором квартале уже превысила рыночную долю памяти DDR3. Экспансия DDR4 на всех рынках будет продолжаться, и уже к концу 2017 года DDR3 будет использоваться лишь в специализированных устройствах.

Объём производимой памяти DDR4 превысил объём производимой памяти DDR3 в первой половине этого года, по оценкам Intel, озвученным на Intel Developers Forum ранее в этом месяце. По данным IHS, доля DDR4 в ПК и серверах во втором квартале этого года составила 56 %, поднявшись с 44 % в первом. Если верить оценкам IHS, практически все серверы (которые используют огромные объёмы оперативной памяти), а также около 25 % ноутбуков и настольных ПК использовали DDR4 во втором квартале 2016 года. Поскольку серверы уже фактически завершили переход на новый тип памяти, дальнейшая экспансия DDR4 связана в первую очередь с переходом на него клиентских компьютеров. IHS ожидает, что уже в четвёртом квартале доля DDR4 вырастет почти до трёх четвертей рынка (в пересчёте на Гбит).

Переход на память DDR4 персональных компьютеров и серверов. Оценки IHS и Intel.

Переход на память DDR4 персональных компьютеров и серверов. Оценки IHS и Intel.

Ускоренный переход индустрии ПК и серверов с DDR3 на DDR4 был обусловлен его поддержкой корпорацией Intel, чьи современные платформы — Haswell-EP, Broadwell-EP, Skylake-S/H/U — не поддерживают DDR3 (Skylake официально поддерживает DDR3L и LPDDR3, которые оказываются дорогими для клиентских ПК среднего класса). Судя по всему, по мере роста доли актуальных платформ Intel растёт и доля DDR4.

Переход на память DDR4 различных типов ПК и серверов. Оценки IHS и Intel.

Переход на память DDR4 различных типов ПК и серверов. Оценки IHS и Intel.

Примечательно, что доля DDR3 падает не только в сегменте клиентских ПК и серверов, но и в случае мобильных и специализированных устройств. По оценкам IHS, обнародованным Intel, доля DDR4 (во всех устройствах, использующих DRAM, в пересчёте на Гбит) во втором квартале составляла около 31 %, тогда как доля DDR3 сократилась до 25 %. В ближайшие кварталы тенденция продолжится, а к концу следующего года DDR3 будет производиться в основном для весьма специализированных устройств с длительным жизненным циклом (например, Microsoft Xbox One).

Использование различных типов памяти различными типами вычислительных устройств. Оценки IHS и Intel.

Использование различных типов памяти различными типами вычислительных устройств. Оценки IHS и Intel.

Как уже сообщалось, переход на DDR4 неразрывно связан с переходом на микросхемы памяти ёмкостью 8 Гбит. Переход на чипы более высокой плотности также проходит довольно быстро как в сегменте ПК и серверов, так и в сегменте планшетов и смартфонов (где микросхемы ёмкостью 12 Гбит не редкость). Так, в первом квартале этого года доля DRAM-устройств ёмкостью 8 Гбит составила около 26 %, согласно данным IHS, обнародованным Intel. Cудя по всему, к концу года доля 8-Гбит микросхем DRAM для клиентских компьютеров и серверов будет примерно соответствовать доли чипов ёмкостью 4-Гбит.

Переход на микросхемы памяти ёмкостью свыше 4 Гбит. Оценки IHS и Intel.

Переход на микросхемы памяти ёмкостью свыше 4 Гбит. Оценки IHS и Intel.

Что касается цены на микросхемы DDR4, то короткое время в мае и июне этого года она была ниже таковой у DDR3 (согласно данным AnandTech и DRAMeXchange), но поскольку спрос на DDR4 растёт, то в настоящее время микросхемы нового типа обходится дороже микросхем DDR3. Так, на момент написания заметки, одна 4-Гбит микросхема DDR4-2133 стоила $1,875 на спотовом рынке Тайваня, тогда как 4-Гбит микросхема DDR3-1866 обходилась в $1,676 (разница около 11 %). Впрочем, контрактные цены модулей памяти разного типа очень близки: $13 за 4-Гбайт модуль DDR4 и $12,5 за DDR3 аналогичного объёма (разница около 4 %).

Тенденции на рынке памяти для ПК и серверов. Данные DRAMeXchange.

Тенденции на рынке памяти для ПК и серверов. Данные DRAMeXchange.

Стоит помнить, что в настоящее время цены DRAM находятся на подъёме вследствие спроса со стороны сегментов ПК и серверов на фоне сокращения производства вследствие сезонного перепрофилирования мощностей под изготовление LPDDR3/LPDDR4 для новых Apple iPhone и других выходящих вскоре мобильных устройств. Как следствие, нет ничего удивительного в том, что цены на память несколько выше, чем были весной и в начале лета. Тем не менее, если сравнивать с началом года, то цена одной микросхемы памяти типа DDR4-2133 ёмкостью 4 Гбит на спотовом рынке упала на 14 %.

Gigabyte выпустила материнскую плату FM2+ с поддержкой DASH

Ассортимент материнских плат Gigabyte Technology для процессоров AMD FM2+ насчитывает свыше 50 моделей и их ревизий. Новым пополнением семейства Gigabyte FM2+ стала системная плата GA-F2A78M-DASHV форм-фактора microATX (244 × 244 мм), базирующаяся на связке процессорного гнезда FM2+ и чипсета A78. От похожих решений новинка отличается поддержкой сервисов DMTF DASH для настольных и мобильных систем, который реализует удалённое управление ресурсами компьютера. Наличие DASH, поддержка графических связок AMD CrossFire по формуле «x16 + x4» и контроллер Infineon TPM 2.0 — те немногие преимущества F2A78M-DASHV, которыми обладает данная плата.

Материнская плата Gigabyte GA-F2A78M-DASHV

Новая модель допускает установку процессоров AMD A-Series и Athlon в конструктиве FM2/FM2+ с тепловым пакетом до 100 Вт. Элементы (3+2)-канальной системы питания обходятся без радиатора, а дополнительная мощность подаётся через 4-контактный разъём ATX12V. Максимальный объём оперативной памяти DDR3-1333/.../2400 составляет 64 Гбайт (четыре модуля по 16 Гбайт). Для карт расширения предусмотрены слоты PCI Express 3.0 x16, PCI Express 2.0 x1, PCI и PCI Express 2.0 x16@x4. Разнообразия разъёмов для накопителей не наблюдается: всего доступны шесть 6-гигабитных портов SATA с поддержкой RAID-массивов уровней 0, 1, 10 и JBOD.

Материнская плата Gigabyte GA-F2A78M-DASHV

Среди прочего, на плате распаяны штырьковые разъёмы USB 3.0, USB 2.0, COM (все — по 2 шт.), три разъёма для подключения вентиляторов и два флеш-чипа UEFI с основной и резервной прошивками. За работу гигабитного сетевого интерфейса отвечает контроллер Realtek, а функцию аудиокодека выполняет микросхема ALC887 того же производителя.

Материнская плата Gigabyte GA-F2A78M-DASHV

На панели ввода-вывода находятся порты PS/2 (комбинированный), USB 2.0 (2 шт.), D-Sub, DVI-D, DisplayPort, HDMI, четыре USB 3.0 (контроллер VIA VL805), единичный RJ-45 и три разъёма Mini-Jack. Изображение может выводиться на три монитора одновременно.

Материнская плата Gigabyte GA-F2A78M-DASHV

Пока трудно сказать, во сколько Gigabyte оценит новую плату. Похожая бюджетная модель GA-F2A78M-HD2 стоит на Западе от €45, однако она не обладает функциями DASH и контроллером TPM 2.0. Отметим, что Gigabyte Technology — не единственная компания, которая продолжает выпуск материнских плат FM2+. Для стареющего разъёма недавно вышли устройства A88XM-A/USB 3.1 и A88X-PLUS/USB 3.1 от ASUSTeK Computer.

Ранее аналитики отмечали значительное (20–30%) снижение спроса на брендовые матплаты.

Аппаратный RAM-диск Apacer AvataRAM обеспечивает до 250 тысяч IOPS

Диски на основе оперативной памяти известны, пожалуй, с тех времён, когда сама память стала полупроводниковой, а то и раньше. Из всех средств хранения данных это одно из самых дорогих, если речь вести о сколько-нибудь серьёзных объёмах. Если иметь в виду только аппаратные решения, отставив в сторону так называемые RAM-диски, создаваемые в оперативной памяти с помощью программного обеспечения, то все попытки создать популярный накопитель на базе DRAM можно назвать неудачными — очень дорогими, но при этом недостаточно ёмкими и быстрыми. Достаточно вспомнить GIGABYTE i-RAM, который погубило использование DDR первого поколения и интерфейс SATA 1.0 (1,5 Гбит/с).

Но новейший Apacer AvataRAM, похоже, лишён основных недостатков таких решений. Компания анонсировала серию накопителей AvataRAM совсем недавно, пока в ней имеются всего две модели, ёмкостью 32 и 64 Гбайт. Если первая по нынешним меркам явно мала, то вторую уже можно использовать для установки операционной системы, а также под диск временных файлов программ Adobe Photoshop и Audition или прочих средств, работающих с огромными объёмами мультимедийной информации. Пригодится новый накопитель и в кеширующих системах серверов, где сейчас используются SSD сравнительно небольшой ёмкости. Основой AvataRAM служит память DDR3 ECC производства Micron, используются модули формата SODIMM, заключённые в стандартный корпус формата 3,5″. Внешний интерфейс — SATA 3.0 (6 Гбит/с).

Конечно, скоростные характеристики DRAM будут сдерживаться даже новейшим интерфейсом SATA, но при его использовании реализуется одно из достоинств — совместимость —, поскольку AvataRAM можно установить в обычный отсек для жёстких дисков и подключить стандартные кабели SATA. Разумеется, внутри имеется не только плата с контроллером и модулями памяти, но и литий-ионная батарея ёмкостью 2300 мА/ч, необходимая для поддержания целостности данных в памяти на то время, пока питание отсутствует. Производительность AvataRAM на случайных операциях составляет до 250 тысяч IOPS при чтении и 200 тысяч при записи. Судя по всему, греется новинка достаточно сильно, поскольку оснащена активной системой охлаждения. Разумеется, новые накопители не подвержены деградации памяти как решения на базе NAND.

HyperX представила обновлённые модули памяти Predator DDR3 и DDR4

Компания HyperX, подразделение Kingston Technology, анонсировала обновлённую серию модулей оперативной памяти Predator DDR3 и DDR4.

Представленные решения выполнены в «агрессивном дизайне» с чёрным алюминиевым теплоотводом и чёрной печатной платой. По словам компании, они предлагают более эффективное рассеивание тепла и увеличивают надёжность системы, а также хорошо подходят к компьютерным компонентам последнего поколения.

Модули памяти HyperX Predator DDR4 полностью совместимы с процессорами Intel Core i7, а также с чипсетами 100 Series и материнскими платами на наборе логики X99. Пользователи могут легко разгонять систему, настраивая профили вручную, чтобы добиться большей производительности и меньших таймингов. Основные характеристики решений Predator DDR4 таковы:

  • Емкость: модули по 4–16 Гбайт в комплектах общим объёмом от 8 до 64 Гбайт;
  • Частота: 3000 МГц, 3200 МГц, 3333 МГц;
  • Латентность CAS: CL15–CL16;
  • Напряжение: 1,35 В;
  • Рабочая температура: 0–85°C;
  • Габариты: 133,35 × 42,2 мм.

Изделия HyperX Predator DDR3, в свою очередь, оптимизированы под чипсеты Intel 9 Series и материнские платы X79. Решения полностью совместимы с процессорами Intel Core i5 и Core i7. Характеристики модулей выглядят следующим образом:

  • Емкость: модули по 4–8 Гбайт в комплектах общим объёмом 8–32 Гбайт;
  • Частота: 1866 МГц, 2133 МГц, 2400 МГц, 2666 МГц;
  • Латентность CAS: CL9–CL11;
  • Напряжение: 1,5–1,65 В;
  • Рабочая температура: 0–85°C;
  • Габариты: 133,35 × 41 мм.  

Цены на память DDR3 и DDR4 почти сравнялись

Всего год назад производители динамической оперативной памяти с произвольным доступом (dynamic random access memory, DRAM) возлагали определённые надежды на память типа DDR4 как на возможность увеличения валовой прибыли. Тогда DDR4 использовалась исключительно в серверах и высокопроизводительных настольных ПК и продавалась значительно дороже DDR3. Сегодня цена микросхем памяти двух типов фактически сравнялась, и в ближайшем будущем разница исчезнет полностью. Что ещё более важно, так это то, что цена оперативной памяти снижается, что хорошо для пользователей, но негативно для производителей.

Стоимость микросхемы DDR4 упала ниже $2

Средняя цена одной микросхемы памяти DDR4-2133 ёмкостью 4 Гбит на наличном (спотовом) рынке на Тайване составляла $1,809 в момент написания заметки по данным DRAMeXchange, ведущего мирового наблюдателя за рынками памяти DRAM и NAND. Во второй половине февраля спотовая цена 4-Гбит чипа DDR4 с скоростью передачи данных в 2133 МТрансфер/с (мегатрансферов в секунду) упала ниже $2 впервые с начала наблюдений в прошлом году. Для сравнения, аналогичная микросхема стоила $2,221 в конце декабря и $3,618 в июне 2015 г. Таким образом, стоимость микросхемы DDR4 ёмкостью 4 Гбит упала на 18,5% за два месяца и на 50% с середины прошлого года. Контрактная цена одного 4-Гбит чипа ОЗУ типа DDR4 во второй половине января составляла $1,63.

Микросхема памяти DDR4 производства Micron

Микросхема памяти DDR4 производства Micron

Спотовая цена памяти DDR3 также снижается. Одна микросхема DDR3 ёмкостью 4 Гбит и с эффективной тактовой частотой 1600 МГц на момент написания заметки стоила $1,804. Аналогичный чип стоил $1,878 в декабре и $2,658 в конце июня 2015 г. Очевидно, что цены микросхем памяти DDR3 снижаются медленнее, чем цены DDR4, однако общая тенденция очевидна — оперативная память становится дешевле. Контрактная цена одной микросхемы памяти DDR3 ёмкостью 4 Гбит во второй половине января составляла $1,59.

Разрыв между ценами на 4 Гб микросхем памяти DDR4 и DDR3 на спот-рынке сейчас составляет около 5 американских центов, то есть память DDR4 лишь немногим дороже, чем её предшественник. Более того, если мы посмотрим на контрактную цену двух разных чипов ёмкостью 4 Гбит, мы увидим, что одна 4-Гбит микросхема DDR4 лишь на 4 американских цента дороже аналогичной микросхемы DDR3.

Цены на модули памяти DDR3 и DDR4 идентичны

Низкие цены на чипы DRAM естественным образом влияют на ценообразование модулей памяти. Контрактная цена одного 4-Гбайт DDR4-2133 SO-DIMM упала во второй половине января до $15,50 (по сравнению с $18 в декабре 2015 г.), в то время как стоимость одного 4-Гбайт DDR3-1600 SO-DIMM снизилась до $15,25 (по сравнению с $16,75 в декабре 2015). Фактически, контрактные цены на модули памяти DDR4 и DDR3, которые используются многими производителями ПК, сравнялись. Сегодня стандартный модуль DDR4 для ноутбука лишь на 1,63% дороже, чем такой же модуль DDR3, что не является существенной разницей.

Модули памяти Corsair Dominator на базе DDR4

Модули памяти Corsair Dominator Platinum на базе DDR4

Примечательно, что розничные цены на модули памяти типов DDR3 и DDR4 в США также фактически сравнялись. К примеру, комплект модулей памяти Kingston HyperX Fury Black DDR4-2133/CL14 (HX421C14FBK2/16) объёмом 16 Гбайт (2 × 8 Гбайт) сегодня можно приобрести за $69,69 на Amazon (лишь пару месяцев назад он стоил там $108,99). Подобный комплект совместим с платформами Intel Skylake-S и может быть использован как энтузиастами, так и сборщиками ПК. Желающим использовать память предыдущего поколения для системы на базе процессоров Skylake-S придётся приобрести комплект памяти на базе DDR3L (Skylake официально не поддерживает DDR3, поскольку напряжение питания 1,5 В может повредить контроллер памяти процессора). Например, Kingston HyperX Fury Low Voltage (HX318LC11FBK2/16) объёмом 16 Гбайт (2 × 8 Гбайт), который может работать на тактовой частоте 1866 МГц и саб-таймингами CL11, за $83 (что почти на 20 % дороже комплекта DDR4). Если же забыть про официальные ограничения для процессоров Skylake и посмотреть на цену комплектов памяти на базе «обычной» DDR3, то можно заметить, что набор Kingston HyperX Fury Black DDR3-1866/CL10 (HX318C10FBK2/16) объёмом 16 Гбайт (2 × 8 Гбайт) обойдётся в $68,47 (ещё в декабре он стоил около $80). Следует понимать, что производительность подсистемы памяти DDR3 со скоростью передачи данных 1866 МТрансфер/с может быть аналогичной или выше, чем у подсистемы памяти DDR4 со скоростью 1866 МТрансфер/с за счёт меньших задержек. Тем не менее, если требуется высокая пиковая пропускная способность и DDR3, то придётся заплатить: комплект памяти Kingston HyperX Savage Red (HX321C11SRK2/16) объёмом 16 Гбайт (2 × 8 Гбайт) с частотой 2133 МГц и таймингами CL11 12-12 обойдётся в $94,29.

Модули памяти DDR4 производства Adata

Модули памяти DDR4 производства Adata

Ситуация в московской рознице по данным Яндекс.Маркет не в полной мере соответствует раскладам в США. Так, комплект памяти Kingston HyperX Fury Black DDR4-2133/CL14 (HX421C14FBK2/16) обойдётся в среднем в 7849 рублей (минимальная цена — 7040 рублей), тогда как за Kingston HyperX Fury Black DDR3-1866/CL10 (HX318C10FBK2/16) придётся заплатить в среднем 6826 рублей (минимальная цена — 5900 рублей). Впрочем, средняя цена комплекта Kingston HyperX Fury Low Voltage (HX318LC11FBK2/16) на базе DDR3L составляет 9397 рублей (минимальная цена — 8342 рубля), что явно выше стоимости набора DRAM аналогичного объёма на базе DDR4. Поскольку комплект памяти Kingston HyperX Savage Red DDR3-2133/CL11 (HX321C11SRK2/16) относится к категории оверклокерских, то он стоит в среднем 8600 рублей (минимальная цена — 7680 рублей).

Таким образом, недорогие комплекты памяти объёмом 16 Гбайт на базе DDR4 примерно на 1000 рублей дороже доступных наборов на основе DDR3. Впрочем, более экзотические DDR3L и DDR3-2133 явно дороже решений на базе DDR4.

Принимая во внимание, что цены на оперативную память в России меняются в связи с колебаниями курса рубля, говорить об удешевлении памяти не всегда правомерно. Тем не менее, тенденции рынка очевидны: разница в стоимости памяти типов DDR3 и DDR4 — что в рублях, что в «твёрдой» валюте, используемой в IT-индустрии — с каждым днём становится всё меньше.

DDR4 на пути к доминированию

Мизерная разница между ценами на модули и микросхемы DDR3 и DDR4 указывает на то, что производство (и предложение) последних растёт и становится на одном уровне с первыми. В то же время, из-за слабого спроса на компьютеры в целом и продолжающиеся поставки ПК с памятью DDR3, спрос на DDR4 может быть существенно ниже, чем предложение. Тем не менее, поскольку цены на DDR4 весьма доступны, производители ПК будут постепенно переходить на новый тип DRAM. В результате, как и ожидалось компаниями вроде IHS и Intel, DDR4 должен стать доминирующим стандартом оперативной памяти для персональных компьютеров примерно через год.

Переход на DDR4 по версии Intel и IHS

Переход на DDR4 по версии Intel и IHS

Впрочем, DDR3 останется значимым типом ОЗУ ещё очень долго. Платформы на базе процессоров Intel поколения Skylake для настольных компьютеров и ноутбуков поддерживают память DDR4, DDR3L и LPDDR3 (за исключением Core M, которые поддерживают только DDR3L и LPDDR3), что даёт производителям ПК возможность выбирать, какой тип DRAM устанавливать в системы (с учётом цен и требований к производительности). Подавляющее большинство современных настольных компьютеров и ноутбуков на базе высокопроизводительных процессоров Skylake уже используют память DDR4. Тем не менее, множество моделей ПК среднего класса рассчитаны на использование DDR3, поскольку они были разработаны тогда, когда такая память стоила значительно дешевле. Даже если цена микросхем DDR4 упадёт ниже цены на чипы DDR3 в ближайшие пару недель, для производителей ПК вряд ли будет иметь экономический смысл разрабатывать новые материнские платы под DDR4 для уже продающихся систем. Кроме того, многие партнёры Intel по-прежнему продают компьютеры, основанные на процессорах с микроархитектурой Haswell и Broadwell, которые поддерживают только DDR3.

По мнению аналитиков DRAMeXchange, пока производители ПК не избавятся от материально-производственных запасов компонентов предыдущих поколений, они будут продолжать использовать большое количество памяти DDR3.

«DDR3 будет по-прежнему занимать значительную долю рынка оперативной памяти для ПК в течение первой половины 2016 года», — сказал Аврил Ву, директор по исследованиям DRAMeXchange. «Доля рынка DDR4 не вырастет существенно до конца второго квартала, когда OEM-производители закончат распродажу материально-производственных запасов».

По мере того, как Intel наращивает поставки своих процессоров поколения Skylake, всё больше и больше компьютеров будет использовать DDR4. Поскольку следующее поколение процессоров Intel — Kaby Lake — появится лишь в конце этого, или даже начале следующего года, многие недорогие ноутбуки на базе Skylake вполне могут перейти на память типа DDR4 к середине 2016 г (либо  к осени). Таким образом, с точки зрения конечных пользователей, DDR4 будет использоваться в ПК самых различных классов, кроме самых дешёвых.

Производство памяти в пересчёте на бит данных

Производство памяти в пересчёте на бит данных

С точки зрения производителей ОЗУ, память типа DDR4 станет доминирующим типом DRAM для ПК и серверов по объёмам поставок (в пересчёте на бит) уже в этом году. Индустрия серверов начала свой переход к DDR4 в четвёртом квартале 2014 года вместе с запуском платформы Intel Xeon Haswell-EP. Абсолютное большинство новых моделей x86 серверов в настоящее время уже применяют DDR4. Серверы используют значительно большее количество памяти, чем ноутбуки или настольные компьютеры (в пересчёте на бит). Как следствие, производители ОЗУ должны изготовлять больше памяти DDR4, чтобы удовлетворять растущие требования новых центров обработки данных. IHS и Intel ожидают, что уже в этом году производство памяти DDR4 (в пересчёте на бит) превзойдёт производство памяти DDR3. Как только это случится, стоимость DDR3 станет выше стоимости DDR4.

Новая статья: Обзор модулей памяти Kingston HyperX Fury DDR3L-1866 (HX318LC11FBK2/8)

Данные берутся из публикации Обзор модулей памяти Kingston HyperX Fury DDR3L-1866 (HX318LC11FBK2/8)

Новая статья: Обзор Gigabyte GA-Z170M-D3H DDR3: хороший вариант, чтобы «пересидеть»

Данные берутся из публикации Обзор Gigabyte GA-Z170M-D3H DDR3: хороший вариант, чтобы «пересидеть»

Свыше 30 % ноутбуков будут использовать SSD в следующем году

Несмотря на оптимистичные прогнозы ранее в этом году, согласно данным аналитиков, лишь около четверти ноутбуков использовали твердотельные накопители (solid-state drives, SSDs) в третьем квартале этого года. Тем не менее, благодаря быстрому падению цен на SSD, в следующем году более трети ноутбуков будут использовать накопители на базе NAND флеш-памяти.

Продажи SSD

По причине слабого спроса на персональные компьютеры производители ПК старались как можно сильнее удешевить свои модели для массового рынка, из-за чего устанавливали во многие машины традиционные жёсткие диски. По оценкам DRAMeXchange, ведущего мирового наблюдателя за рынками памяти DRAM и NAND, лишь около 24–25 % мобильных ПК использовали SSD в третьем квартале этого года, что было существенно ниже прогнозируемого ранее. Как следствие, DRAMeXchange изменила свой прогноз и теперь ожидает, что лишь 25–28 % ноутбуков будут использовать твердотельные накопители в этом году.

Твердотельные накопители Samsung 950 Pro

Твердотельные накопители Samsung 950 Pro

По оценкам DRAMeXchange, стоимость SSD для производителей ПК падает примерно на 10 % каждый квартал в результате снижения цен на NAND флеш-память. Средняя контрактная цена 128-Гбайт твердотельного накопителя в форм-факторах M.2 или mSATA в четвёртом квартале составляет $43,7. SSD ёмкостью 256 Гбайт обходится производителям ПК примерно в $75,6.

По данным TrendForce, владельца DRAMeXchange, в мире было продано около 43,3 млн ноутбуков в третьем квартале. При этом продажи SSD для клиентских ПК составили 21,6 млн, что включает в себя как накопители, поставленные производителям ПК, так и устройства, продаваемые в рознице.

Продажи ПК

Четвёртый квартал традиционно является пиком продаж «клиентских» ПК в США и Европе, а потому можно ожидать существенных продаж ноутбуков в этот период. Тем не менее, аналитики из TrendForce настроены консервативно и указывают на то, что производители ПК и их партнёры в канале всё еще продолжают сбывать морально устаревшие компьютеры. По этой причине рост продаж ноутбуков будет ограничен.

Твердотельные накопители Crucial M550

Твердотельные накопители Crucial M550

Поскольку снижение цен на NAND флеш-память и агрессивная ценовая политика от поставщиков SSD не проявляют никаких признаков остановки, розничной рынок SSD будет отклоняться от типичных тенденций в четвёртом квартале, а глобальные поставки твердотельных накопителей для клиентских ПК вырастут на 4–6 % по сравнению с предыдущим.

Будущее

Дальнейшие снижения цен на энергонезависимую память и SSD в следующем году приведут к последующему росту использования твердотельных накопителей в мобильных компьютерах. DRAMeXchange предсказывает, что SSD будут установлены более чем в 30 % ноутбуков, а популярность 256-Гбайт устройств резко возрастёт.

«[Стоимость] 256-Гбайт SSD будет двигаться в сторону ценового паритета с недорогими жёсткими дисками в 2016 году, так что использование твердотельных накопителей в сегменте бизнес-ноутбуков будет расти», — сказал Алан Чен, старший менеджер в DRAMeXchange.

Производство NAND флеш-памяти в производвенном комлексе IM Flash около города Лехай (штат Юта)

Производство NAND флеш-памяти в производвенном комлексе IM Flash около города Лехай (штат Юта)

Samsung Electronics продолжит быть лидером отрасли благодаря своей многослойной 3D V-NAND памяти с трёхуровневыми ячейками (triple-level cell, TLC), которая очень дешева в производстве. SSD на основе подобной памяти очень дёшевы, весьма быстры, но достаточно надёжны. Тем не менее, по мере того, как другие производители будут увеличивать выпуск TLC NAND для твердотельных накопителей, используя тонкие технологические процессы, они смогут и далее снижать цены на память, делая SSD ещё более доступными.

Micron увеличит рентабельность DRAM-бизнеса в следующем году

Хотя Micron Technology начала поставки компьютерной памяти, сделанной с использованием технологического процесса 20 нм только в середине этого года, объёмы производства оказались малы, что отразилось на рентабельности компании и её доле на рынке. Однако, компания и финансовые аналитики верят, что Micron сумеет увеличить прибыльность данного бизнеса и отвоевать утраченные позиции в следующем году благодаря 20-и 16-нм техпроцессам.

Штаб-квартира Micron Technology

Штаб-квартира Micron Technology

Сегодня компания производит 20-нм DRAM на фабрике Elpida в Хиросиме (Япония) и на фабрике Inotera Memories в Таоюань (Тайвань). К концу года 80 % DRAM на фабрике Inotera будет выпускаться по 20 нм технологическому процессу. Тем не менее, в настоящее время большая часть памяти Micron изготовлена с использованием 25- и 30-нм процессов, что означает довольно высокие затраты. Для сравнения, 60 % памяти Samsung в этом году будет выпущено по 20-нм технологии.

«Несмотря на слабый спрос и ценовое давление в этом году, прибыльность DRAM-индустрии осталась на уровне $17 млрд, а валовая прибыль выросла с 37 до 39 %», — написал Марк Ньюман (Mark Newman), аналитик из Bernstein Research, в записке для клиентов. «Как такое возможно? Благодаря сильному росту доли прибыли индустрии, контролируемой Samsung, которая сегодня составляет 60 % против 46 % в четвёртом квартале 2014 года. Samsung увеличила прибыльность благодаря технологическому превосходству. Компания первой начала массовые поставки DDR4 и LPDDR4, что дало возможность увеличить ценовую премию, а 20-нм технология производства дала преимущества по себестоимости».

Микросхемы памяти Micron

Микросхемы памяти Micron

В сентябре Micron обозначила довольно агрессивные планы по переводу производственных мощностей на 20-нм техпроцесс в финансовом 2016 году (стартовал в начале сентября). Согласно планам компании, 50 % её памяти (в пересчёте на бит) в текущем финансовом году будет произведено именно используя эти технологические нормы. Уже весной более половины изготавливаемой DRAM компании будет производиться по 20-нм техпроцессу.

«Мы ожидаем, что 20-нм память составит более половины нашего производства DRAM в финансовом 2016 году», — сказал Марк Адамс, президент Micron, в ходе недавней телеконференции с инвесторами и финансовыми аналитиками.

Модули памяти Micron/Crucial

Модули памяти Micron/Crucial

По данным аналитиков из DRAMeXchange, именно тонкий — 20-нм — технологический процесс позволил Samsung продавать память с валовой прибылью в 47 % в третьем квартале 2015 года на фоне падения цен на DRAM. В то же время, маржа на компьютерную память Micron снизилась до 15 % (с 21 % во втором квартале). Тем не менее, сколь бы агрессивным ни был бы Samsung с внедрением еще более тонких технологических процессов в 2016, Micron удастся отвоевать место на рынке и вернуться к традиционной норме прибыльности, говорят аналитики из Bernstein Research.

«В отличие от Samsung, Micron постигли неудачи в 2015 году, и компания потеряла долю прибыли, которую контролировала», — написал господин Ньюман. «Micron не был готов к внедрению 20-нм техпроцесса, когда Samsng уже массово производил [высоко-маржинальную] LPDDR4, используя эту технологию. […] Тем не менее, то, что было попутным ветром для Samsung в 2015 году, должно стать встречным в 2016 году. Пострадавшие из-за высокой себестоимости и низкой маржи Micron и SK Hynix наверстают упущенное в 2016, когда существенно увеличат производство DDR4 и LPDDR4, используя 20-нм техпроцесс».

Производство оперативной памяти на фабрике Micron

Производство оперативной памяти на фабрике Micron

Вне всяких сомнений, Samsung останется лидером рынка оперативной памяти для компьютеров и мобильных устройств в 2016 году как по части объёмов выпуска, так и по части прибыльности. Тем не менее, маловероятно, что у компании будет настолько же серьёзное преимущество перед конкурентами, как в этом. Таким образом, если только Samsung не станет жертвовать прибылью в угоду увеличению или сохранению доли рынка, агрессивное использование 20-нм технологического процесса должно помочь Micron вернуть утраченные позиции.

Team Group выпустила модули SO-DIMM DDR3-2133

Как правило, память в формате SO-DIMM, то есть, имеющая укороченные по ширине габариты, с разгоном никак не ассоциируется: она используется либо в промышленных устройствах, либо в ноутбуках. Но с ростом популярности компактных игровых ПК (в том числе, мощных ноутбуков) и появлением системных плат, в которых для экономии места используются именно разъёмы SO-DIMM было ясно, что когда-нибудь оверклокерские модули появятся и в этом форм-факторе.

Так, недавно компания Team Group представила новые модули Neptune SO-DIMM DDR3 2133, рассчитанные на напряжение питания 1,35 вольт, а значит, отлично подходящие владельцам новых систем на базе Skylake, по какой-либо причине избравшим платы с поддержкой DDR3L, да ещё и в варианте SO-DIMM. Подойдут они и для модернизации мощных игровых ноутбуков с функциями разгона, рассчитанных на стандарт DDR3. Новая линейка включает в себя варианты ёмкостью 4 и 8 Гбайт, а также двухмодульные комплекты ёмкостью 8 и 16 Гбайт. Все варианты полностью поддерживает спецификации Intel XMP 2.0.

Модули Neptune снабжены алюминиевыми теплорассеивателями. Задержки CL-tRCD-tRP-tRAS на заявленной частоте составляют C11-11-11-28. По габаритам новинки полностью соответствуют стандарту SO-DIMM полной высоты. В ассортименте компании имеется также менее скоростная версия Neptune, рассчитанная на частоту 1600 МГц. Выглядит она аналогично и также поставляется в ёмкостях 4 и 8 Гбайт, либо в виде комплектов из двух модулей. Компания-производитель предоставляет на модули серии Neptune пожизненную гарантию.

Плата ASRock H110M-ITX/D3 оснащена слотом mini-PCI Express

Производители системных плат продолжают осваивать нижний ценовой сегмент платформы Intel Skylake. Так, компания ASRock анонсировала новую компактную плату H110M-ITX/D3 в форм-факторе Mini-ITX, имеющую несколько интересных особенностей. На первый взгляд это типичное дешёвое решение на базе младшего чипсета Intel «сотой» серии, H110, рассчитанное на использование памяти DDR3L с частотой до 1866 МГц.

Но в конструкции платы использованы такие инновации, как «двухэтажные» силовые МОП-транзисторы, дроссели SuperAlloy с повышенным током насыщения, а сама печатная плата использует более плотное стеклотекстолитовое плетение, нежели обычно, что наделяет её дополнительной защитой от повышенной влажности. Имеются средства защиты от перенапряжения, грозы и статического электричества.

Сетевая часть построена на популярном и надёжном контроллере Intel i219V, звуковая подсистема хоть и выглядит просто, использует качественные конденсаторы ELNA в аналоговом тракте. Разъёма M.2 на плате, к сожалению, нет — его трудно разместить в столь компактном конструктиве, особенно если речь идёт о накопителях в формате 2280. Но имеется слот mini-PCI Express x1, в который можно установить, например, контроллер беспроводной связи или другой необходимый пользователю модуль расширения.

Цены на память DDR3 и DDR4 продолжают падать, впереди — тяжёлые времена

Вследствие низкого спроса на ПК, конкуренции между тремя оставшимися производителями динамической памяти с произвольным доступом (dynamic random access memory, DRAM) и применению новых технологических процессов, на рынке наблюдается переизбыток оперативной памяти для ПК. Аналитики из DRAMeXchange считают, что ситуация на рынке DRAM ухудшится в ближайшие кварталы ещё сильнее.

Контрактные цены на модули оперативной памяти для персональных компьютеров упали в августе и сентябре, несмотря на пиковый сезонный спрос и ожидаемый рост спроса в Китае, вызванный временным ужесточением правил работы таможни, согласно данным DRAMeXchange. Аналитики считают, что выпуск Microsoft Windows 10 летом этого года никак не стимулировал рост продаж компьютеров, а программа бесплатной модернизации до Windows 10 на самом деле замедлила продажи новых ПК, тем самым снизив цену памяти. Обозреватели рынка полагают, что в ближайшие кварталы цены на DDR3 и DDR4 упадут ещё сильнее.

Средняя контрактная цена одного 4-Гбайт DDR3-модуля SO-DIMM во второй половине сентября снизилась до $18,5 (снижение на 2,63 % по сравнению с первой половиной месяца), в то время как средняя контрактная цена одного 4-Гбайт DDR4 SO-DIMM снизилась до $20 (снижение на 4,76 % по сравнению с предыдущим периодом). В начале июля 4-Гбайт модуль памяти DDR3 обходился производителям ПК в $24,5, тогда как в мае он продавался за $27.

Модули памяти Kingston HyperX Fury DDR3

Модули памяти Kingston HyperX Fury DDR3

Цены на динамическую оперативную память падают вот уже несколько кварталов подряд и даже в августе и сентябре они не прекратили своё снижение, поскольку продажи ПК, смартфонов и серверов, по мнению участников рынка, были слабыми.

«Поставки ноутбуков в третьем квартале были ниже, чем типично во время пикового сезона, в основном вследствие того, что план бесплатной модернизации до Windows 10 негативно сказался на продажах новых ноутбуков вместо того, чтобы стимулировать спрос на эти продукты», — сказал Аврил Ву (Avril Wu), ассистирующий вице-президент DRAMeXchange. «Более того, прогнозируемые продажи смартфонов и серверов были снижены, и это серьезно бьёт по валовой прибыли производителей DRAM».

Модули памяти Corsair Vengeance DDR3

Модули памяти Corsair Vengeance DDR3

В настоящее время на планете осталось лишь три крупных производителя оперативной памяти: Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology. Несмотря на это, конкуренция между этими компаниями весьма серьёзна, что означает падение цен. По мере того, как индустрия переходит на технологические процессы класса 20 нм для производства DRAM, производство памяти увеличивается, что создаёт перепроизводство и негативно влияет на цены.

Компании Samsung и Micron Electronics готовятся начать производство DRAM с использованием технологий класса 10 нм в следующем году. Micron анонсировала, что её техпроцесс будет иметь разрешение литографического оборудования 16 нм, тогда как Samsung планирует использовать технологические нормы 18 нм. Считается, что одновременно с переходом на техпроцессы класса 10 нам производители памяти начнут переход и на новую структуру ячеек памяти (известную как 4F²), что даст возможность создавать более ёмкие микросхемы при сохранении небольших размеров и себестоимости. Последнее важно, поскольку одновременно с DDR4 индустрия переходит на использование 8-Гбит интегральных схем DRAM, а потому эволюция неизбежна.

Использование ещё более тонких процессов производства, а в дальнейшем переход на ячейки 4F² в очередной раз увеличат количество произведённых чипов DRAM, что в очередной раз повлияет на цены памяти.

SO-DIMM производства Samsung на базе DDR3 чипов, произведённых по нормам 20 нм

SO-DIMM производства Samsung на базе DDR3-чипов, произведённых по нормам 20 нм

Низкая потребность в персональных компьютерах, серверах и других устройствах в сочетании с увеличением производства DRAM будет продолжать оказывать негативное воздействие на цены памяти, если мировая экономика не начнет восстанавливаться, создавая спрос на высокотехнологическую продукцию в целом и микросхемы памяти в частности.

«Если мировая экономика продолжит стагнировать, рынок не будет генерировать спрос, необходимый для использования новых DRAM-чипов, произведённых по самым современным техпроцессам», — сказал господин Ву. «Глядя в первую половину 2016 года, DRAMeXchange ожидает более жёсткое снижение цен на рынке DRAM по сравнению с текущей ситуации».

Хотя низкие цены на память — хорошая новость для тех, кто собирается покупать новый ПК, следует понимать, что проблемы производителей DRAM, вызванные низкими ценами и малой прибылью, в перспективе неизбежно окажут своё негативное влияние на отрасль в будущем.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥