Компания Micron Technology объявила, что первой в отрасли начала поставки чипов памяти DDR5, изготовленных с использованием полупроводниковой EUV-литографии. Память поставляется избранным партнёрам для оценки эффективности самых передовых на сегодня решений. Новые чипы обладают повышенной пропускной способностью, пониженным энергопотреблением и более плотным размещением ячеек — всем, что нужно для развития ИИ, от гаджетов до серверов.

Источник изображений: Micron

Новая память Micron продолжает относиться к классу 10-нм продукции. Нет точной информации, насколько цифра техпроцесса близка к 10 нм. Но это уже третье приближение к ней и, что более важно, компания наконец-то перешла к использованию литографических сканеров в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне с длиной волны 13,5 нм (EUV). Дальше масштабирование пойдёт легче.

Если верить Micron, избранным партнёрам начали отгружаться 16-Гбит чипы DDR5. Кристаллы памяти выпущены с использованием техпроцесса 1γ (гамма). Предыдущие техпроцессы этого класса — 1α (альфа) и 1β (бета) — реализовывались с использованием сканеров с длиной волны 193 нм. Рассказывая о преимуществах чипов поколения 1γ, компания сравнивает их с чипами DDR5 предыдущего поколения — 1β. По сравнению с ними новинки на 15 % быстрее (до 9200 МТ/с), потребляют более чем на 20 % меньше энергии и обладают на 30 % большей плотностью расположения ячеек на кристалле.

Улучшенные характеристики памяти будут востребованы в периферийных устройствах с поддержкой искусственного интеллекта, в ПК с ИИ-функциями и в серверах, на которых работают большие языковые модели. Тем самым ассортимент памяти с технологическими нормами 1γ не ограничится лишь производством чипов DDR5, но также будет расширен за счёт выпуска других типов памяти, например LPDDR5X.

Компания G.Skill представила усовершенствованные модули памяти DDR5 R-DIMM для рабочих станций и серверных систем, соответствующие последней версии стандарта DDR5 R-DIMM от JEDEC. Новые модули производятся с использованием 16-слойных печатных плат для улучшенной целостности сигнала.

Источник изображения: G.Skill

Производитель заявляет, что новые модули DDR5 R-DIMM используют усовершенствованную 16-слойную печатную плату, что является значительным обновлением по сравнению с предыдущими 8- или 10-слойными конструкциями. Увеличение количества слоёв печатной платы повышает целостность сигнала, надёжность и стабильность передачи данных даже при высокопроизводительных рабочих нагрузках и в условиях разгона в составе рабочих станций и серверов.

Для защиты от перепадов напряжения новые модули DDR5 R-DIMM оснащены двумя двунаправленными TVS-диодами и предохранителем, что обеспечивает стабильный уровень напряжения и защищает память от скачков мощности.

Компания сообщает, что новые модули ОЗУ DDR5 R-DIMM поступят в продажу через партнёров-дистрибьюторов G.Skill по всему миру в середине 2025 года.

Компания G.Skill представила новые двухканальные комплекты оперативной памяти DDR5. Один из них предлагает объём 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт), скорость 6400 МТ/с и низкие тайминги CL28. Второй — объём 96 Гбайт (2 × 48 Гбайт), скорость 6800 МТ/с и тайминги CL32. Оба варианта будут выпускаться в фирменных сериях Trident Z5 Royal, Trident Z5 RGB и Ripjaws M5 RGB.

Источник изображений: G.Skill

Все представленные новинки получили поддержку профилей разгона Intel XMP 3.0. О поддержке профилей разгона AMD EXPO производитель не сообщил. Помимо комплекта DDR5-6800 CL32, компания в перспективе также выпустит двухканальные комплекты объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт), 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт) и 64 Гбайт (2 × 32 Гбайт). Однако сверхнизкие задержки предложат только комплекты на 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Новинки появятся в продаже в марте.

G.Skill провела тестирование комплектов DDR5-6800 CL32-42-42 объёмом до 96 Гбайт (2 × 48 Гбайт) на материнских платах Asus ROG Maximus Z790 Dark Hero в сочетании с процессором Intel Core i9-14900K, а также на Asus ROG Maximus Z890 Hero в паре с процессором Core Ultra 7 265K.

Комплект DDR5-6400 CL28-39-39 объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт) компания протестировала на материнской плате Asus ROG Maximus Z790 Dark Hero в сочетании с процессором Intel Core i9-14900K.

Китайский производитель памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) недавно наладил массовое производство чипов DDR5. Теперь их архитектуру изучили эксперты TechInsights: по мнению аналитиков, продукция Samsung, SK hynix и Micron опережает китайскую на три года. Тем не менее, производители комплектующих уже готовятся к распространению этой памяти — MSI выпустила оптимизированное для памяти CXMT обновление BIOS для материнских плат, адресованных китайским потребителям.

Источник изображения: cxmt.com

Для изучения эксперты TechInsights выбрали комплект производства Gloway из двух планок по 16 Гбайт DDR5-6000 UDIMM (VGM5UC60C36AG-DVDYBN) на 16-гигабитных чипах CXMT. Чип имеет размеры 8,19 × 8,18 мм, что даёт площадь 66,99 мм² и плотность 0,239 Гбит/мм²; кристалл герметизирован. Кристалл изготавливается с использованием новой технологии CXMT G4, предусматривающей размер элемента 16 нм и ячейки площадью 0,002 мкм² — её размер снизился на 20 % по сравнению с решением на основе предыдущей технологии G3 (18 нм). Шаг ячейки составляет 29,8, 41,7 и 47,9 нм для активной линии, а также линий wordline и bitline — такие же показатели были у поколения D1z (15,8–16,2 нм) в исполнении Samsung, SK hynix и Micron. Выход годной продукции у CXMT составляет 80 %, что является очень высоким показателем.

Здесь и далее источник изображений: techinsights.com

Ранее CXMT выпускала DRAM с использованием собственных технологий G1 (D2y, 23,8 нм) и G2 (D1x, 18,0 нм). Лидеры рынка в лице Samsung, SK hynix и Micron сейчас перешли на технологии 12–14 нм с использованием сверхжёсткого ультрафиолета (EUV), недоступного китайским производителям из-за американских санкций. Вашингтон запретил CXMT пользоваться оборудованием с американскими технологиями и поставлять свою продукцию в США.

Ограничения не помешали китайскому производителю догнать мировых лидеров по плотности чипов — площадь 16-Гбит чипа CMXT DDR5 составляет 67 мм², что сопоставимо с размерами микросхем Samsung, Micron и SK hynix, которые сейчас наиболее распространены в модулях оперативной памяти. Это позволяет китайской компании ввязаться в ценовую конкуренцию. Добавим. что сейчас в ассортименте CXMT значатся чипы DDR3L (2 и 4 Гбит), DDR4 (4 и 8 Гбит), LPDDR4X (6 и 8 Гбит), LPDDR5 (12 Гбит), а теперь и DDR5 (16 Гбит).

На чипах CXMT DDR5 уже вышли модули памяти от Gloway и Kingbank — они дешевле аналогов на чипах SK hynix, хотя и предлагают более высокие тайминги CL36-36-36-80 и CL36-40-40-96. Китайская оперативная память полностью совместима с современными платформами. MSI, в частности, выпустила в Китае материнские платы MAG B860 Tomahawk Wi-Fi, MAG B860M Mortar Wi-Fi и Pro B860M-A Wi-Fi по цене соответственно 1699 юаней ($235), 1499 юаней ($205) и 1299 юаней ($180), а последнее обновление BIOS для них предусматривает оптимизацию для чипов CXMT DDR5, обратил внимание ресурс Tom’s Hardware.

Samsung, SK hynix и Micron выпускают чипы с использованием технологии 16 нм с 2021 года, а наиболее передовые микросхемы сейчас выпускаются по технологиям D1a/D1α и D1b/D1β с элементами 12–14 нм. Это свидетельствует о трёхлетнем технологическом разрыве между лидерами рынка и CXMT, но китайский производитель активно продвигается вперёд: он пропустил технологию 17 нм (D1y), с 18 нм сразу перешёл на 16 нм (D1z) и теперь активно работает над технологией следующего поколения — менее 15 нм и без EUV-литографии; осваивается и память типа HBM.

Разгон памяти является вполне самодостаточной дисциплиной в мире оверклокинга, энтузиасты для покорения рекордных частот обычно используют жидкий азот для охлаждения не только центрального процессора, но и непосредственно модулей памяти. Компания G.Skill утверждает, что её модули памяти семейства Trident Z5 впервые смогли покорить отметку DDR5-12000 с использованием только воздушного охлаждения.

Источник изображения: G.Skill

Если учесть, что мировой разгон памяти, установленный почти месяц назад, соответствует режиму DDR5-12698, то выход на режим DDR5-12054 с использованием жидкостного охлаждения на процессоре и воздушного на модуле памяти является весьма серьёзным достижением. Единственный модуль памяти G.Skill Trident Z5 из комплекта DDR5-8000 CL38 объёмом 24 Гбайт в данном случае работал при значениях таймингов 68-127-127-127-2. Как можно судить по иллюстрации ниже, на инженерном образце процессора Intel Core Ultra 9 285K семейства Arrow Lake был установлен водоблок, основой для тестового стенда выступала материнская плата Asus ROG Maximus Z890 Apex. Автором рекорда является индонезийский оверклокер speed.fastest, в абсолютном зачёте он находится на 15 месте.

Источник изображения: HWBot, speed.fastest

Его канадский коллега saltycroissant аналогичный модуль памяти разогнал до режима DDR5-12052 при значениях таймингов 68-127-127-127-2 в материнской плате ASRock Z890 Taichi OCF, а центральный процессор Intel Core Ultra 7 265K в данном случае тоже оказался инженерным образцом. Другими словами, можно утверждать, что современные платформы позволяют разгонять память до режима DDR5-12000 без использования экстремальных методов охлаждения. Правда, практически достижимые частоты в условиях долгосрочной стабильной работы окажутся ниже, да и ограничиваться единственным модулем памяти вряд ли кто-то захочет на постоянной основе.

Компания G.Skill представила высокопроизводительные двухканальные комплекты оперативной памяти DDR5-6400 объёмом 96 Гбайт (2 × 48 Гбайт). Новинки будут выпускаться в рамках серий Trident Z5 RGB и Trident Z5 Royal, предлагая поддержку профилей разгона Intel XMP 3.0.

Источник изображений: G.Skill

Производитель сообщил о проведении успешных тестов комплектов памяти объёмом 96 Гбайт в версии DDR5-6400 CL30-39-39-102 на материнской плате Asus ROG Maximus Z890 Hero в паре с процессором Intel Core Ultra 7 265K.

Для тестирования работы памяти на платформе AMD использовалась материнская плата Asus ROG Crosshair X870E Hero в сочетании с процессором Ryzen 7 9800X3D.

G.Skill сообщает, что в рамках серий Trident Z5 RGB и Trident Z5 Royal также будут доступны двухканальные комплекты памяти объёмом 64 и 48 Гбайт соответственно из пар модулей на 32 и 24 Гбайт. Эти решения появятся в продаже в первом квартале текущего года.

В честь своего 40-летия компания Patriot Memory представила на CES 2025 ряд новинок, включая оперативную память Viper Xtreme 5 DDR5-9600 со встроенным тактовым генератором (CKD), юбилейную серию модулей оперативной памяти, а также флеш-накопитель для устройств Apple.

Источник изображения: Patriot

В числе новинок, представленных Patriot на CES, особое внимание привлекает расширение линейки оперативной памяти Viper Xtreme 5. Компания анонсировала юбилейную версию, посвящённую 40-летию, и вариант с интегрированным CKD (Client Clock Driver). Юбилейная версия, выполненная в синем цвете с надписью «40 Years», имеет скорость передачи информации до 8000 MT/s и оснащена RGB-подсветкой. Точные характеристики, как отмечает Tom's Hardware, включая тайминги и объём, пока не раскрываются, но, вероятно, они будут схожи со стандартной версией, предлагающей тайминги CL38.

Версия Viper Xtreme 5 с CKD способна достигать скорости DDR5-9600. Этот комплект выполнен в серебристых тонах, отличается профессиональным дизайном, но лишён RGB-подсветки. CKD-чип выступает в роли буфера, усиливая тактовый сигнал, обеспечивая повышенную стабильность и позволяя достигать более высоких частот.

Помимо памяти для ПК, компания представила накопитель iLuxe Stick C для устройств Apple, решая проблему недостатка памяти на мобильных устройствах. Этот компактный накопитель, напоминающий флешку, предназначен для резервного копирования данных с iPhone и iPad и предлагает ёмкость до 2 Тбайт. iLuxe Stick C, как и iLuxe Cube, будет иметь удобную систему управления, позволяющую назначать отдельные папки для каждого Apple ID в домохозяйстве.

В рамках выставки CES компания Patriot представила множество других продуктов, включая модули CAMM2, LPCAMM2, карты CFExpress 2.0 и несколько новых твердотельных накопителей, включая первый SSD PCIe 5.0 без DRAM. Информация о розничных ценах и доступности многих продуктов пока ограничена, но Patriot обещает в скором времени предоставить более подробную информацию.

Micron обновила линейку потребительских продуктов Crucial, выпустив новые скоростные SSD, а также увеличив объём памяти для модулей DDR5 до 64 Гбайт. Твердотельный накопитель P510, представленный на глобальной выставке технологий CES 2025 в качестве главной новинки, обещает высокую скорость PCIe 5.0 и низкое энергопотребление.

Источник изображений: Micron

Твердотельный накопитель Crucial P510 с интерфейсом PCIe 5.0 разработан как для ноутбуков, так и для настольных компьютеров. Этот SSD, доступный в вариантах на 1 и 2 Тбайт, показал скорость последовательного чтения до 11 000 Мбайт/с и записи до 9 550 Мбайт/с. Несмотря на то, что P510 не превосходит по производительности флагманские модели T705 и T700, его ключевым преимуществом является сниженное энергопотребление, сообщает издание Tom's Hardware.

Основной акцент при разработке P510 был сделан на повышении энергоэффективности. По словам представителей компании, новый SSD потребляет на 25 % меньше энергии по сравнению с предыдущими PCIe 5.0 накопителями этого класса. Хотя конкретная модель, использованная для сравнения, не была названа, известно, что T705 и T700 потребляют максимум 12,3 Вт и 11,5 Вт соответственно. Таким образом, P510 может достигать максимального энергопотребления в диапазоне от 8,6 Вт до 9,2 Вт, что особенно важно для увеличения времени автономной работы в ноутбуках. В Micron подтвердили использование «новой, более энергоэффективной архитектуры» для контроллера SSD, предположительно E31T.

Компания также расширила линейку модулей оперативной памяти DDR5, представив новые варианты с повышенной плотностью. Модули Crucial DDR5 Pro Overclocking теперь доступны в версии 32 Гбайт (ранее было 16 Гбайт). Также анонсировано начало продаж модулей CUDIMM на 32 Гбайт и 64 Гбайт и модулей CSODIMM на 24 Гбайт и 32 Гбайт, ограниченных частотой DDR5-6400. Для традиционных UDIMM и SODIMM компания предложит варианты объёмом 64 Гбайт и частотой DDR5-5600. Таким образом, Micron расширяет возможности для пользователей, предлагая более широкий выбор оперативной памяти повышенного объёма.

Помимо P510, компания обновила модель SSD P310, выпустив вариант с радиатором. Новый радиатор был разработан с целью уменьшения размеров для использования SSD в ограниченных пространствах, таких как PlayStation 5. Ожидается, что SSD P510 поступит в продажу весной этого года, а P310 с радиатором будет доступен уже в текущем месяце. Модули оперативной памяти с более высокой плотностью поступят на рынок в феврале.

Закон Мура, долгое время определявший принципы развития полупроводниковой отрасли, указывал на получение производителями чипов преимущества в себестоимости за счёт уменьшения площади кристаллов. Первый анализ характеристик изготовленных китайской CXMT микросхем DDR5 указывает на использование более старых технологий производства по сравнению с доступными Samsung.

Источник изображения: CXMT

Как сообщает Tom’s Hardware со ссылкой на одного из китайских исследователей, площадь кристалла 16-гигабитной микросхемы DDR5 производства CXMT на 40 % выше, чем у сопоставимой микросхемы DDR5 производства южнокорейской Samsung Electronics. Последняя является крупнейшим производителем памяти в мире и использует передовые литографические технологии.

Площадь кристалла выпущенного CXMT чипа DDR5 автором исследования определяется путём нехитрых вычислений. При ширине и длине 8,25 мм соответственно она составляет 68,06 мм². Компания Samsung свою микросхему вписывает в более скромные габариты 6,46 × 7,57 мм, что в итоге даёт площадь кристалла 48,9 мм². Это и позволяет говорить о почти 40-процентном преимуществе микросхемы Samsung с точки зрения уменьшения площади. По данным TechInsights, когда в 2021 году Micron, Samsung и SK hynix начали выпускать 16-гигабитные чипы DDR5, площадь их кристаллов варьировалась от 66,26 до 72,21 мм², но с тех пор им удалось её уменьшить. Соответственно, продукция CXMT на данном этапе развития сопоставима по характеристикам с чипами DDR5 зарубежных производителей первого поколения, отставая от современных решений на четыре или пять лет. Выше должны быть и затраты китайской компании, не говоря уже о возможных проблемах с высоким уровнем брака. Так или иначе, партнёрам CXMT удаётся выпускать модули памяти типа DDR5-6000 на базе её чипов, поэтому с точки зрения быстродействия они кажутся достаточно современными. Китайским клиентам компании, так или иначе, приятнее иметь доступ к такой памяти, чем не иметь его вовсе.

Несколько китайских производителей модулей памяти начали выпускать адресованную энтузиастам продукцию стандарта DDR5 на чипах ChangXin Memory Technologies (CXMT). Компания не делала публичных заявлений о работе с DDR5, но если она действительно наладила массовый выпуск таких чипов, то при достаточно высоких объёмах производства CXMT способна оказать некоторое влияние на рынок.

Источник изображения: cxmt.com

Память DDR5 от CXMT производится с использованием собственного техпроцесса G3 с шириной линии 17,5 нм, утверждает ZDNet Korea со ссылкой на собственные источники. Выход годной продукции, по оценкам опрошенных ресурсом экспертов, составляет около 80 %, хотя они не уточнили, какие чипы изучили. Первые сообщения о чипах SDRAM DDR5 от CXMT появились в 2022 году — тогда сообщалось о техпроцессе 17 нм. По версии аналитиков TechInsights, китайский производитель для производства SDRAM DDR5 применяет технологию G4.

Компании KingBank и Gloway выпустили в продажу модули DDR5 ёмкостью 32 Гбайт на чипах, имеющих маркировку как «отечественные». Производитель чипов в явном виде не упоминается, но известно, что CXMT является самым передовым производителем DRAM в Китае. В середине ноября CXMT и Fujian Jinhua начали продавать память DDR4 со скидкой 50 % — дешевле, чем бывшие в употреблении чипы. Если теперь CXMT наладила выпуск DDR5, важно понять, какие у компании планы: наводнить рынок дешёвыми чипами, чтобы завоевать свою долю, или работать на максимальную прибыль.

Сейчас непросто установить, способна ли компания наводнить рынок дешёвыми чипами. Она располагает внушительными производственными мощностями, но нет ясности, какая их часть будет работать на открытый рынок; основной целью китайских производителей является удовлетворение местного спроса, в том числе со стороны госзаказчиков. Если CXMT действительно отнимет доли рынка у Micron, Samsung и SK hynix в Китае, эти компании будут вынуждены наладить выпуск DDR5 в других регионах, что усилит конкуренцию и снизит цены. Это было бы хорошей новостью для потребителя и не очень — для трёх крупнейших компаний, которые установили своего рода перемирие и отказались от ценовых войн.

Lexar представила оперативную память ARES DDR5-6000 CL26, которая оптимизирована для платформы AMD AM5 и процессоров Ryzen, включая флагманский Ryzen 7 9800X3D. Как отражено в названии, новые модули отличаются крайне низкими задержками, обеспечивая до 10 % прироста производительности в играх по сравнению с модулями CL30.

Источник изображений: Lexar, VideoCardz

Геймеры, выбирающие системы на платформе AMD AM5, сталкиваются с необходимостью искать баланс между оптимальной скоростью оперативной памяти и её стабильностью. Частоты в диапазоне 6000–6400 MT/с считаются наиболее подходящими для синхронной работы с шиной Infinity Fabric, что обеспечивает надёжную производительность. Однако выбор частот выше этого диапазона может нарушить синхронизацию, что ведёт к падению производительности всей системы.

Память с задержкой CL30 уже зарекомендовала себя как достаточно практичный вариант, однако Lexar ARES DDR5-6000 CL26 отличается ещё более низкой задержкой CAS Latency 26, что делает её особенно привлекательной для геймеров. Производитель утверждает, что эта характеристика улучшает частоту кадров на 1 % в самых динамичных игровых сценах, а общий прирост производительности достигает 10 % в сравнении с популярными модулями CL30. Таким образом, новый комплект памяти становится оптимальным выбором для пользователей, стремящихся получить максимальную производительность без значительного увеличения расходов.

Комплект памяти ARES DDR5-6000 CL26 разработан с учётом специфики работы процессоров AMD Ryzen 7 9800X3D. В данной конфигурации достигается минимальная задержка, составляющая менее 55 нс, что положительно сказывается на быстродействии системы. Модули памяти, построенные на базе чипов SK hynix A-die, поддерживают стабильную работу при напряжении 1,45 В на частоте 6000 MT/с. Однако ёмкость комплекта ограничена всего двумя модулями по 16 Гбайт каждый, что может оказаться недостаточным для профессиональных пользователей, работающих с ресурсоёмкими задачами.

На данный момент оперативную память Lexar ARES DDR5-6000 CL26 можно приобрести исключительно на китайском рынке. Её стоимость составляет 899 юаней ($126). Комплект выпускается в двух цветовых вариантах — чёрном и серебристом, что позволяет подобрать модули под стиль игровой системы. В то же время производитель не объявил о планах продажи новинки за пределами Китая или увеличения объёма каждого модуля до 24 или 32 Гбайт, что существенно ограничивает её потенциальную аудиторию.

Среди производителей оперативной памяти, материнских плат, а также оверклокеров продолжается гонка лидерство в разгоне ОЗУ. Каждая команда пытается разогнать модули нового формата DDR5 CUDIMM до рекордных скоростей. Недавними успехами похвасталась ASRock, сообщившая о разгоне планки памяти G.Skill Trident Z5 CK объёмом 24 Гбайт до новой рекордной скорости— 12 666 МТ/с (6333 МГц).

Источник изображений: Splave / ASRock

Сама ASRock не производит оперативную память. Однако компания выпускает материнские платы. Последний рекорд разгона частоты памяти был установлен именно на её плате Z890 Tachi OCF, предназначенной специально для оверклокинга. Очевидно, что при работе на таких скоростях памяти не обойтись обычным воздушным охлаждением. Поэтому для установки рекорда использовался жидкий азот.

Разгон проводился оверклокером Алленом Мэтью (Allen Matthew), более известным под псевдонимом Splave. Его результат побил предыдущий рекорд разгона ОЗУ до режима DDR5-12634 или 6317 МГц, о котором было заявлено 27 ноября. Для нового эксперимента также использовался флагманский процессор Intel Core Ultra 9 285K. У чипа были отключены энергоэффективные E-ядра, а производительные P-ядра работали с частотой 2088,8 МГц.

Напомним, что память DDR5 CUDIMM отличается от обычной DDR5 DIMM наличием встроенного тактового генератора, обеспечивающего более стабильную работу на высоких скоростях. Именно по этой причине последние недели различные команды заявляют о новых рекордах разгона памяти. Вполне возможно, в перспективе нас ожидают ещё более высокие результаты оверклокинга DDR5 CUDIMM. Практической пользы для обычных потребителей такие скорости не имеют, но показывают запас прочности новых модулей ОЗУ.

Компания Corsair объявила о старте продаж модулей памяти Vengeance RGB DDR5 CUDIMM со скоростью до 9200 МТ/с. Новинки доступны в виде двухканальных комплектов общим объёмом 48 и 96 Гбайт соответственно из пар 24- и 48-Гбайт модулей.

Источник изображений: Corsair

На момент публикации данной заметки через официальный сайт компании был доступен комплект из двух модулей по 24 Гбайт в версии со скоростью до 8800 МТ/с стоимостью $358,99, а также в версии без RGB-подсветки и со скоростью 9200 МТ/с по цене $377,99. Для первого заявлены тайминги CL42-54-54-141, а для второго — CL44-56-56-148. Оба имеют рабочее напряжение 1,1 В. Компания также сообщила, что протестировала память с таймингами CL40-52-52-135 при напряжении 1,4 В.

Модули Corsair Vengeance RGB DDR5 CUDIMM оснащены алюминиевыми радиаторами серебристого цвета с 10 зонами RGB-подсветки. Напомним, что память DDR5 CUDIMM отличается от обычной DDR5 DIMM наличием встроенного тактового генератора, обеспечивающего более стабильную работу ОЗУ на высоких скоростях.

На данный момент память DDR5 CUDIMM официально поддерживается только платформой LGA 1851 на материнских платах с чипсетами Intel 800-й серии.

Процесс перехода на DDR5 и HBM3 набрал обороты, но память прежних поколений по-прежнему пользуется большой популярностью. На этом фоне китайские производители DRAM Changxin Memory (CXMT) и Fujian Jinhua предлагают огромные скидки на чипы DDR4 — до 50 % по сравнению с аналогичными микросхемами от южнокорейских производителей. В некоторых случаях цена на новые чипы DDR4 оказывается ниже, чем на восстановленные при помощи реболлинга.

Источник изображения: unsplash.com

Производственная мощность CXMT выросла с 70 000 пластин в месяц в 2022 году до 200 000 в 2024 году. Компания намерена увеличить объёмы производства до 300 000 пластин в месяц и занять 11 % мирового рынка DRAM в ближайшие годы. Fujian Jinhua, несмотря на санкции правительства США, также удалось нарастить производство DDR4.

Избыточное предложение чипов DDR4 привело к острой ценовой конкуренции: китайские производители предлагают цены на 50 % ниже, чем Micron, Samsung и SK hynix, и на 5 % ниже даже подержанных чипов памяти после реболлинга. Такое агрессивное ценообразование снижает цены на рынке DDR4, заметно влияя на потребительский сегмент. Тем не менее, промышленные клиенты по-прежнему осторожны в отношении памяти DRAM от китайских производителей.

Реагируя на ценовое давление, корейские производители DRAM сокращают производство DDR4 и переходят на DDR5 и HBM3 — микросхемы, которые китайские поставщики в настоящее время не в состоянии производить массово. Этот шаг направлен на сохранение прибыльности и противодействие конкурентному преимуществу китайских производителей в сегменте DDR4. Ожидается, что переход на DDR5 и HBM3 стабилизирует рынок DRAM, решив проблему избыточного предложения и перенаправив ресурсы на более продвинутые, пользующиеся высоким спросом технологии памяти.

Правительство Китая активно поддерживало расширение производства микросхем DRAM с помощью субсидий и национальной политики, способствуя росту внутреннего производства. Эта поддержка позволяет китайским производителям предлагать высококонкурентные цены, не беспокоясь о немедленной прибыльности, поскольку их целью является доминирование как на местных, так и на международных рынках.

Китайские производители DRAM также изучают косвенные стратегии выхода в такие регионы, как Индия, где они рассчитывают на партнёрские отношения с тайваньскими брендами. Этот подход призван смягчить политические и экономические риски, связанные с санкционной политикой США, и расширить присутствие на рынках, опасающихся прямых китайских продуктов.

CXMT недавно столкнулась с масштабной производственной задержкой, вызванной человеческим фактором. В брак отправились 65 000 пластин — почти треть месячного производства. Тем не менее, это не остановило расширение компании: мощности растут, а на заводах в Хэфэе и Пекине продолжается модернизация.

Компания Colorful представила две серии модулей оперативной памяти — iGame Shadow DDR5 и iGame Shadow DDR5 CKD. Вторая предназначена специально для платформы Intel LGA 1851 (Arrow Lake-S) и отличаются наличием встроенного тактового генератора, который позволяет памяти стабильно работать на более высоких частотах.

Источник изображений: Colorful

Серия памяти Colorful iGame Shadow DDR5 предлагается в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2 × 16) и 48 (2 × 24) Гбайт, работающих в режимах DDR5-6000, DDR5-6800, DDR5-8000 и DDR5-8400 с таймингами от CL28 до CL42. Для модулей памяти DDR5-6000 и DDR5-6800 заявляется поддержка профилей разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Для модулей DDR5-8000 и DDR5-8400 указана только поддержка профилей XMP 3.0. Производитель заявляет для новинок рабочее напряжение от 1,35 до 1,4 В.

Модули памяти iGame Shadow DDR5 CKD нового типа CUDIMM предлагают режимы работы DDR5-8800 и DDR5-9600. Новинки будут выпускаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 48 (2 × 24) Гбайт и поддерживают профили разгона XMP 3.0. Рабочее напряжение для этих модулей ОЗУ производитель не сообщает.

Colorful отмечает, что во всех новинках используются чипы памяти SK hynix M-Die. Все представленные модули памяти оснащены радиаторами с RGB-подсветкой.

По данным VideoCardz, в продаже с сегодняшнего дня доступен комплект памяти Colorful iGame Shadow DDR5-8000 объёмом 48 Гбайт. Его можно приобрести за 1349 юаней (около $186).