Компания G.Skill не просто так демонстрировала на Computex 2023 свои новинки в сегменте комплектов оперативной памяти, она организовала в столице Тайваня традиционное соревнование по экстремальному разгону для оверклокеров со всего мира с ценными и денежными призами. Победителем стал американский энтузиаст Seby9123 (на фото в центре), который смог разогнать одиночный модуль памяти до режима DDR5-11240.

Источник изображения: G.Skill

По условиям конкурса, организаторы выдавали участникам одинаковые компоненты. Если G.Skill предоставила американцу единственный необходимый для таких экспериментов модуль памяти объёмом 16 Гбайт серии Trident Z5 RGB, который он при помощи жидкого азота разогнал до режима DDR5-11240 при значениях таймингов 62-126-126-127-127-2. Центральный процессор Intel Core i9-13900KS по соседству тоже охлаждался жидким азотом и был установлен в материнскую плату ASUS ROG Maximus Z790 Apex.

Источник изображения: HWBot

В совокупности с другими достижениями, этот результат принёс американскому энтузиасту победу в состязаниях G.Skill по экстремальному разгону и денежный приз в размере $10 000, а также резервуар для жидкого азота, устанавливаемый на графические процессоры, который был предоставлен одним из спонсоров мероприятия. К слову, обычно в экстремальном разгоне памяти лучшие результаты достигаются азиатскими оверклокерами, и появление на вершине рейтинга представителя США вносит в картину новые краски.

Данные берутся из публикации DDR5-7600 делает лучшим процессором для игр Core i9-13900K, а не Ryzen 9 7950X3D — как и почему?

Последние месяцы характеризуются для Intel отказом от планов по строительству новых исследовательских центров, поскольку компания вынуждена экономить в условиях одновременного снижения выручки и роста затрат на строительство новых предприятий и освоение новых техпроцессов. Тем интереснее узнать, что до конца года в Южной Корее начнёт свою работу новая лаборатория по сертификации микросхем памяти.

Источник изображения: Intel

Об этом в начале месяца сообщило издание The Korea Herald, которое подчеркнуло, что на мероприятии Intel Vision 2023 на Тайване, которое прошло недавно, руководство Intel заявило партнёрам о готовности компании построить шесть исследовательских лабораторий в шести странах — не только в Южной Корее, но и в США, Индии, Китае, Мексике и на Тайване. Корейская лаборатория расположится в Сеуле и будет носить полное наименование Advanced Data Center Development Lab, намекая на ориентацию на серверный сегмент. Свою работу эта лаборатория уже начнёт в этом году.

Партнёрами Intel по этой площадке станут местные производители памяти в лице Samsung Electronics и SK hynix. Лаборатория сосредоточится на сертификации модулей и микросхем памяти на совместимость с центральными процессорами Intel. В Южной Корее сосредоточены крупнейшие производители оперативной памяти, поэтому выбор места для новой лаборатории абсолютно оправдан и логичен. Среди стандартов, изучаемых лабораторией на совместимость, будут DDR5 и CXL. Оба начинают находить всё более широкое применение в серверном сегменте, поэтому запуск профильной лаборатории запланирован компанией Intel весьма своевременно.

Компания G.Skill привезла на выставку Computex несколько новинок. Одной из них стал самый быстрый комплект оперативной памяти Trident Z5 DDR5 нестандартного объёма, состоящий из двух модулей ОЗУ объёмом по 24 Гбайт. Каждый из модулей работает на частоте 8800 МГц и обладает таймингами CL40-52-52-140. Новинки демонстрировались в составе системы с Intel Core i9-13900K и материнской платой ASUS ROG Z790 Apex.

Источник изображений: TechPowerUp

Компания также показала двухканальные комплекты DDR5-8000 общим объёмом 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт) с таймингами CL40-48-48-128 и новые восьмиканальные комплекты памяти R-DIMM DDR5-6000 общим объёмом 384 Гбайт с таймингами CL 30-39-39-96. Последние предназначены для новейших высокопроизводительных процессоров Intel Xeon четвёртого поколения.

Для компактных систем Intel NUC производитель представил двухканальные комплекты памяти DDR5-6400 общим объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт) и таймингами CL36-42-42-102.

Платформа AMD тоже не осталась в стороне. G.Skill представила для материнских плат на чипсете AMD X670 серию памяти Trident Z5 Neo с поддержкой профилей разгона AMD EXPO. Эти комплекты будут предлагаться в объёмах до 192 Гбайт.

Среди представленных модулей ОЗУ были варианты, оснащённые радиаторами золотого и серебряного цвета — все с RGB-подсветкой.

SK hynix объявила сегодня о завершении разработки самой передовой в отрасли технологии изготовления памяти 1b нм — пятого поколения 10-нм технологического процесса. Вместе с Intel компания уже начала проверку новых модулей DDR5, предназначенных для платформ Intel Xeon Scalable. Новый техпроцесс 1b нм будет использоваться для производства как серверной, так и потребительской памяти DDR5, а позднее для HBM3E и других видов памяти. Поступить в массовое производство чипы DDR5, произведённые по технологии 1b нм, должны во второй половине года.

Источник изображений: SK hynix

SK hynix ожидает, что с валидацией DDR5-памяти на базе 1b-нм технологического процесса проблем не возникнет. Согласно пресс-релизу, оперативная память DDR5 на новых чипах сразу обеспечит скорость передачи данных 6,4 Гбит/с, и это на 33 % лучше, чем у DDR5-продуктов прошлого поколения. Что ещё более важно, память DDR5, изготовленная по нормам 1b нм, будет потреблять на 20 % меньше энергии, чем более ранние продукты. Это связано с тем, что в техпроцессе используется материал с высокой диэлектрической проницаемостью, который снижает токи утечки и улучшает ёмкостные характеристики ячеек, отмечает компания.

SK hynix также подтвердила, что техпроцесс нового поколения будет использоваться и для производства HBM3E-памяти. Он позволит поднять скорость обработки данных до 8 Гбит/с на контакт, что на 25 % лучше, чем у HBM3, и в 8 раз лучше, чем у памяти HBM первого поколения. Чипы для HBM3E должны поступить в массовое производство в 2024 году.

Компания подчеркнула, что разработка новейшей технологии 1b нм позволит компании обеспечить своих клиентов продуктами DRAM, обладающими как высокой производительностью, так и эффективностью. Это позволит ей и дальше удерживать лидерство среди производителей модулей памяти. Напомним, недавно о переходе на новую технологию производства памяти объявила Samsung. Компания заявила о запуске массового производства 16-гигабитных чипов оперативной памяти DDR5 на базе технологического процесса 12-нм класса.

Отборные модули ОЗУ, опыт, терпение и жидкий азот позволили установить новый мировой рекорд разгона оперативной памяти DDR5. Достижением похвастался оверклокер Seby9123, добившийся от комплекта памяти G.Skill Trident Z5 скорости передачи данных в 11 202 МТ/с.

Источник изображений: Seby9123

Для эксперимента энтузиаст использовал материнскую плату ASUS ROG Maximus Z790 APEX, а также комплект модулей ОЗУ, сертифицированный на работу в режиме DDR5-7800 с помощью профилей разгона Intel XMP.

Оверклокеру удалось повысить фактическую частоту памяти до 5607 МГц, добившись от неё скорости передачи 11 202 МТ/с. В таком режиме комплект памяти заработал лишь при очень высоких задержках 62-126-126-127-127. Правда, в вопросе разгона ОЗУ до самой высокой возможной частоты работы это не имеет никакого значения.

История рекордов разгона ОЗУ DDR4 и DDR5. Источник изображения: Skatterbencher

Seby9123 побил предыдущий рекорд разгона ОЗУ до частоты 5567,5 МГц (11 135 МТ/с), установленный оверклокером Чи Хуа Ке (Chi-Hua Ke), известного под псевдонимом HiCookie.

Компания Samsung Electronics сегодня объявила о начале серийного производства 16-гигабитных чипов оперативной памяти DDR5 DRAM на базе новейшего технологического процесса 12-нм класса. Применение данной технологии позволяет снизить энергопотребление чипов, а также получать больше микросхем с одной пластины.

Источник изображений: Samsung Newsroom

«Используя дифференцированный технологический процесс, ведущая в отрасли память DDR5 DRAM класса 12 нм от Samsung обеспечивает выдающуюся производительность и энергоэффективность. Наша последняя версия DRAM отражает наше постоянное стремление лидировать на рынке DRAM не только с помощью высокопроизводительных и высокоёмких продуктов, которые удовлетворяют потребности вычислительного рынка в крупномасштабной обработке данных, но и путём коммерциализации решений следующего поколения, поддерживающих более высокую производительность» — сказал Джуён Ли (Jooyoung Lee) исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям DRAM в Samsung Electronics.

По сравнению с предыдущим поколением, новая память DDR5 DRAM класса 12 нм от Samsung снижает энергопотребление на 23 % и повышает выход микросхем с пластины на 20 %. в Samsung отмечают, что высокая энергоэффективность делает техпроцесс идеальным решением для глобальных ИТ-компаний, которые хотят снизить энергопотребление и выбросы углекислого газа в своих серверах и центрах обработки данных.

Разработка компанией Samsung техпроцесса класса 12 нм для выпуска чипов оперативной памяти стала возможной благодаря использованию нового материала (диэлектрика) со статической диэлектрической проницаемостью большей, чем у диоксида кремния (High-k), который помогает увеличить электрическую ёмкость ячейки. Большая ёмкость увеличивает разность электрических потенциалов в сигналах данных, что облегчает их точное различение.

Семейства 12-нанометровой памяти DDR5 DRAM предложит скорость до 7,2 Гбит/с (DDR5-7200). Samsung отметила, что данная оперативная память способна обработать два 30-гигабайтных UHD-фильма примерно за секунду.

Samsung завершила оценку совместимости 16-гигабитной DDR5 DRAM с платформами AMD в декабре прошлого года. Планируется, что новая линейка памяти будет использоваться в центрах обработки данных, для вычислений в области искусственного интеллекта и ещё широкого ряда задач.

В прошлом году бренд Crucial компании Micron прекратил выпуск модулей оперативной памяти Ballistix. Сегодня Crucial представил новую серию оперативной памяти Pro. В ней производитель будет выпускать модули ОЗУ стандартов DDR5-5600 и DDR4-3200. На фоне обычных модулей памяти Crucial UDIMM Classic новинки выделяются наличием радиатора охлаждения.

Источник изображений: Crucial

Модули ОЗУ Crucial DDR4-3200 Pro используют зелёные печатные платы. В свою очередь планки памяти Crucial DDR5-5600 Pro будут выпускаться с чёрным текстолитом, как и прочие модули памяти Crucial стандарта DDR5.

Память Crucial DDR5 серии Pro поддерживает профили разгона AMD EXPO и Intel XMP 3.0. Модули DDR4 той же серии работают с профилями разгона Intel XMP 2.0. Для планок Crucial DDR5-5600 Pro заявляется работа при таймингах CL46-46-45-45 и напряжении 1,1 В. Они будут выпускаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 Гбайт (2×16 Гбайт).

Модули Crucial DDR4-3200 Pro в свою очередь работают с таймингами CL22-22-22, при напряжении 1,2 В, и также будут выпускаться в виде двухканальных комплектов объёмом 32 Гбайт.

Стоимость двухканального комплекта памяти Crucial DDR5-5600 Pro общим объёмом 32 Гбайт составляет $115, что на $11 дороже комплекта памяти того же стандарта, но без радиатора охлаждения. В свою очередь комплект памяти Crucial DDR4-3200 Pro объёмом 32 Гбайт производитель оценил в $70, что на $12 дороже версии без радиатора.

Компания Colorful представила комплект двухканальной оперативной памяти CVN ICICLE DDR5-6600 общим объёмом 32 Гбайт (2×16 Гбайт). Продукт рассчитан на энтузиастов разгона, но при этом обладает привлекательной ценой.

Источник изображений: Colorful

По словам производителя, в составе новых модулей памяти используются чипы DRAM Hynix A-die, обладающие высоким потенциалом разгона. Модули памяти Colorful CVN ICICLE DDR5 поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0, однако их потенциал оверклокинга не ограничен лишь одними заранее подготовленными производителем настройками.

При стандартном профиле DDR5-6600 комплект ОЗУ Colorful CVN ICICLE работает с таймингами CL34 и напряжением 1,4 В. Однако в рамках внутренних экспериментов специалистам компании Colorful удалось дополнительно разогнать один из модулей памяти CVN ICICLE DDR5-6600 до эффективной частоты 10 708 МГц (10 708 МТ/с) при таймингах 56-126-126-127-127-2, что оказалось весьма близко к мировому рекорду, который составляет 11 136 МТ/с.

Как заявляется, добиться такого результата позволила качественная компоновка модулей памяти CVN ICICLE. В их основе используются печатные платы из 10-слойного текстолита, обеспечивающего высокую стабильность и надёжность передачи сигналов. Кроме того, у использовавшегося в составе тестовой системы процессора Intel Core i7-13700K были активны только три ядра, тактовую частоту которых снизили до 764,84 МГц. Это было сделано для того, чтобы гарантировать, что контроллер памяти получит всю необходимую ему мощность, а также для того, чтобы снизить общее энергопотребление процессора для обеспечения более чёткой и чистой передачи сигнала между CPU и ОЗУ.

Следует также отметить, что модули памяти Colorful CVN ICICLE DDR5 оснащены радиаторами охлаждения с RGB-подсветкой. Она поддерживает управление через любые популярные программы управления подсветкой от ASUS, MSI, ASRock и Gigabyte.

Рекомендованная стоимость двухканального комплекта оперативной памяти Colorful CVN ICICLE DDR5-6600 общим объёмом 32 Гбайт составляет всего $105. На него предоставляется трёхлетняя гарантия производителя.

Последнее исследование аналитиков TrendForce показывает, что, поскольку сокращение производства оперативной памяти DRAM и флеш-памяти NAND не поспевает за снижением спроса, ожидается дальнейшее снижение средней цены продажи (ASP) некоторых продуктов во 2 квартале 2023 года. Ожидается, что цены на DRAM упадут на 13–18 %, а NAND — на 8–13 %.

Источник изображения: freepik

В отчёте TrendForce говорится, что значительное падение цен на DRAM в основном связано с высоким уровнем складских запасов DDR4 и LPDDR5, поскольку память для ПК, для серверов и для мобильных устройств в совокупности составляют более 85 % потребления оперативной памяти DRAM. Между тем доля рынка DDR5 остаётся относительно низкой.

Цены на DDR4 для ПК остаются низкими из-за достаточных запасов памяти на складах. В отличие от этого, цены на DDR5 демонстрируют более умеренное снижение по сравнению с DDR4 из-за ограниченного предложения. В целом ожидается, что ASP на DRAM для ПК снизится на 15–20 % во втором квартале 2023 года. Более слабый спрос на серверы привёл к увеличению спроса на DDR4 у поставщиков, при этом снижение цен увеличилось до 18–23 %.

Распространение DDR5 было ограничено из-за проблем с совместимостью PMIC, что сократило прогноз по снижению цен на серверную DRAM во 2 квартале 2023 года до 13–18 %. Однако, учитывая, что доля DDR5 на рынке остаётся низкой, её влияние на изменение цен ограничено, а это означает, что общее снижение цен на серверную память DRAM во 2 квартале 2023 года останется в пределах 15–20 %.

Источник изображения: TrendForce

На цены флеш-памяти NAND в первую очередь повлияло падение цен на корпоративные SSD и UFS, так как ситуация с избыточным предложением на рынке ещё не решена. На эти два направления приходится более 50 % общего потребления флэш-памяти NAND.

Спрос на серверы продолжает снижаться, что усугубляет давление на производителей SSD. Объём заказов в Китае несущественно увеличился после снятия ограничений, связанных с COVID-19. Заказы на серверы от ODM-производителей также с трудом выросли из-за высокого уровня запасов, что приведёт к снижению ASP корпоративных SSD во 2 квартале 2023 г. до 10–15 %. Ожидается, что спрос на корпоративные твердотельные накопители значительно вырастет во второй половине года по мере выпуска новых платформ и продолжающегося снижения уровня запасов.

Производители смартфонов наконец-то истратили свои запасы памяти, что означает более высокий потенциал для закупок по сравнению с прошлым годом. Давление на поставщиков по-прежнему остаётся высоким, и они более охотно предлагают скидки. В результате чего прогноз по снижению ASP мобильной памяти DRAM увеличился до 13–18 %, а по средней цене флеш-памяти UFS — увеличился до 10–15 % во 2 квартале 2023 года.

Ожидалось, что в этом году цены на модули оперативной памяти DDR5 сравняются или как минимум опустятся до отметки чуть выше цен на модули DDR4. Однако, как пишет DigiTimes, производители модулей памяти в разговоре с изданием заявили, что падение цен на модули DDR5 замедляется, а в ближайшее время вообще может остановиться. В качестве причины называются проблемы в цепочках поставок компонентов для сборки модулей.

Источник изображения: Micron

С выходом процессоров AMD и Intel, поддерживающих работу с памятью DDR5, производители модулей памяти приступили к массовому выпуску ОЗУ нового стандарта. Стоимость новой памяти начала снижаться, однако она по-прежнему стоит заметно дороже DDR4.

Сейчас производители ОЗУ отмечают, что скорость падения цен на память нового стандарта замедляется. Объясняется это двумя причинами. Во-первых, производители чипов памяти DRAM задерживают новые поставки микросхем. Во-вторых, при производстве памяти серверного уровня наблюдается нехватка силовых элементов (контроллеров питания PMIC), входящих в состав модулей DDR5.

Эксперты рынка не знают, почему производители чипов Micron, Samsung и SK hynix решили задержать поставки чипов памяти DDR5 производителям модулей памяти. Однако при нехватке микросхем производители модулей просто не могут увеличивать объёмы их выпуска, что в свою очередь и приводит к замедлению снижения цен. Правда, следует уточнить, что в своём отчёте DigiTimes не называет конкретных вендоров DRAM, задерживающих поставки.

В одном из своих последних отчётов аналитики из TrendForce отмечали, что производители ОЗУ столкнулись с проблемой совместимости силовых элементов PMIC с RDIMM-памятью DDR5 серверного класса. В настоящий момент поставщики чипов DRAM и PMIC коллективно занимаются решением этого вопроса. В отчёте также говорилось, что проблем совместимости избежали микросхемы PMIC от компании Monolithic Power Systems (MPS). По мнению аналитиков, это вызовет высокий спрос на чипы MPS, что создаст сложности в поставках модулей ОЗУ серверного уровня и их адаптации в этом сегменте. Однако сотрудничество между поставщиками DRAM и микросхемами PMIC подтверждает стремление обоих решить эту проблему как можно скорее.

Компания Lexar представила двухканальные комплекты модулей оперативной памяти ARES RGB DDR5 общим объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Память работает на частоте 5600 и 6000 МГц.

Источник изображения: Lexar

Производитель заявляет для модулей ОЗУ ARES RGB DDR5 поддержку профилей разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Для комплекта памяти DDR5-5600 указываются тайминги CL32-36-36-68, для DDR5-6000 — CL34-38-38-76. Рабочее напряжение новинок составляет 1,2 и 1,3 В соответственно.

Модули памяти Lexar ARES RGB DDR5 оснащены высокими алюминиевыми радиаторами охлаждения с RGB-подсветкой, которую можно синхронизировать с работой подсветки других компонентов системы с помощью фирменного приложения Lexar RGB Sync.

Производитель оценил комплект двухканальной памяти ARES RGB DDR5-5600 в $139,99, а DDR5-6000 — в $149,99. Оба набора уже появились в продаже.

Приближается старт массового производства серверов на новых платформах Intel Sapphire Rapids и AMD Genoa. Однако проблема совместимости контроллеров питания (PMIC) для серверных модулей DDR5 RDIMM существует до сих пор, производители DRAM и поставщики PMIC работают над её решением. Ожидается, что производители DRAM временно закупят больше PMIC у Monolithic Power Systems (MPS), которая поставляет PMIC без каких-либо проблем.

Закупки контроллеров питания по трём основным производителям / Источник изображения: Trend Force

При производстве серверной DRAM DDR5 по-прежнему используются техпроцессы 10-нм класса. Используемый техпроцесс оказывает заметное влияние на поставку серверной DRAM DDR5. SK hynix постепенно наращивала производство и продажи продукции по техпроцессу 1α, который, в отличие от 1y, ещё не полностью проверен потребителями. В текущих производственных процессах по-прежнему доминируют 1y от Samsung и SK hynix и 1z от Micron. Производство по техпроцессам 1α и 1β, по прогнозам, увеличится во 2 квартале 2023 года.

Ожидается, что цены на серверную DRAM DDR5 ёмкостью 32 Гбайт снизятся до $80–$90 в апреле и мае из-за более низких темпов реализации. Эта оценка выше, чем предыдущий прогноз цены этих модулей на второй квартал в размере $75. Прогнозируется, что цены на DDR4 упадут во 2 квартале на 18–23 %, тогда как цены на DDR5 снизятся на 13–18 %. Это указывает на увеличение ценового разрыва между ними. При этом в целом во 2 квартале 2023 года ожидается падение цен на серверную оперативную память на 13–18 %, хотя прежний прогноз составлял до 20 %.

Взрывная популярность ChatGPT вызвала рост потребности в серверах для ИИ, что привело к повышению интереса к HBM и повышению значимости модулей DDR5 RDIMM ёмкостью 128 Гбайт. Рост спроса на модули RDIMM большой ёмкости в начале 2 квартала 2023 года наблюдался в основном со стороны поставщиков услуг связи в США.

Для модулей RDIMM ёмкостью 128 Гбайт требуется упаковка сквозного кремния (TSV, Through-silicon via), поскольку монокристалл DDR5 в основном имеет ёмкость 16 Гбайт. Однако основные поставщики не могут увеличить свои производственные мощности TSV в краткосрочной перспективе, что приведёт к дальнейшему повышению цен на модули DDR5 большой ёмкости в этом месяце. Это контрастирует с текущей тенденцией к снижению цен на DDR4 и другие продукты DDR5. Но по мере того, как производство новых продуктов станет нарастать, разница в ценах будет сокращаться.

Компания TeamGroup анонсировала комплекты модулей оперативной памяти DDR5 серий T-Force и T-Create, состоящие из планок нестандартного объёма в 24 и 48 Гбайт. Все новинки поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0.

Источник изображений: TeamGroup

Серия оперативной памяти T-Force предназначена для геймеров. Теперь она предлагает комплекты T-Force Delta RGB DDR5, состоящие из двух модулей памяти по 24 Гбайт (общий объём 48 Гбайт), работающих на частоте 6000, 6400, 6800, 7200, 7600 и 8000 МГц.

Серия T-Create Expert предназначена для профессиональных пользователей. В ней уже представлены двухканальные комплекты ОЗУ общим объёмом 64 Гбайт (2 × 32 Гбайт), работающие с частотой 6000 и 6400 МГц. Теперь же она пополнилась комплектами памяти общим объёмом 96 Гбайт (2 × 48 Гбайт), которые работают на скоростях 6000 и 6400 МГц. Указанная серия ОЗУ характеризуется высокой стабильностью и предназначена для использования в задачах, связанных с работой в профессиональных редакторах изображения, приложениях для обработки 3D-графики, а также для комплексных операций и вычислений.

В продаже представленные комплекты ОЗУ серий T-Force и T-Create появятся в мае. О стоимости новинок производитель не сообщил.

Компания AMD и ассоциация JEDEC ведут разработку нового стандарта оперативной памяти DDR5 в виде MRDIMM-модулей. Это модули DIMM с многоранговой буферизацией, которые должны удвоить пропускную способность по сравнению со стандартными модулями DDR5 DRAM. Такая память в перспективе будет применяться в серверных решениях.

Источник изображения: Tom's Hardware

Необходимость во всё большем объёме оперативной памяти особенно актуальна для серверного направления. Однако простое добавление дополнительных слотов памяти на материнскую плату приведёт к увеличению размеров систем. Использование технологий вроде распаянной высокопроизводительной памяти HBM — дорого и масштабируется только до определённого объёма памяти. Для решения проблемы инженеры JEDEC при поддержке AMD ведут разработку нового стандарта памяти MRDIMM.

Концепция MRDIMM заключается в объединении двух модулей DDR5 и одновременном использовании обоих рангов. Например, при объединении таким образом двух модулей DDR5 со скоростью 4400 МТ/с, на выходе получится 8800 МТ/с. По словам разработчиков, для этого используется специальный буфер данных или мультиплексор — он объединяет все ранги и преобразовывает два DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных) в один QDR (Quad Data Rate — четырёхкратная скорость передачи данных).

По сути, представленная технология может заменить собой Compute Express Link (CXL) или High Bandwidth Memory (HBM). При этом она является более универсальным решением для увеличения эффективности подсистемы памяти, нежели указанные выше методы. Сначала планируют представить версию Gen 1 с возможностью работы на скорости 8800 МТ/с, затем будут представлены версии Gen 2 на 12 800 МТ/с. В более отдалённой перспективе, возможно, после 2030 года, будет представлена версия памяти MRDIMM Gen 3 со скоростью передачи данных 17 600 МТ/с.

Источник изображения: SK hynix

Следует отметить, что у компании SK hynix есть аналогичное решение в виде памяти MCRDIMM (на изображении выше), которое она разработала при поддержке Intel и Renesas. С помощью специального чипа, разработанного Renesas и выступающего в роли буфера данных, SK hynix обеспечила возможность одновременно задействовать два ранга памяти (чипы с обеих сторон модуля) для увеличения ширины канала данных до 128 бит вместо привычных 64 бит. Однако такие решения станут доступны на рынке не ранее 2024–2025 годов, когда появятся новые поколения серверных платформ.