Компания TeamGroup представила два новых цветовых решения для своих модулей оперативной памяти T-Force Xtreem DDR5 и T-Force Xtreem ARGB DDR5. Первые теперь доступны, в том числе, в розовом варианте исполнения, а вторые — в белом. Ранее производитель предлагал эти модули в чёрном исполнении.

Источник изображений: TeamGroup

Модули памяти T-Force Xtreem DDR5 предлагаются в виде двухканальных комплектов ОЗУ общим объёмом 32 (2×16) Гбайт и 48 (2×24) Гбайт с частотой от 6000 до 7600 МГц и таймингами CL30 (DDR5-6000) и CL36 (DDR5-7600). Они оснащены алюминиевыми радиаторами охлаждения без RGB-подсветки. Для них заявлено рабочее напряжение от 1,25 до 1,4 В в зависимости от комплекта.

В свою очередь модули T-Force Xtreem ARGB DDR5 имеют RGB-подсветку и предлагаются в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2×16) Гбайт со скоростью от 6000 до 8000 МТ/с, 48 (2×24) Гбайт со скоростью от 6800 до 8200 МТ/c, 64 (2×32) Гбайт со скоростью 6000 и 6800 МТ/с, а также 96 (2×48) Гбайт со скоростью 6800 МТ/с. Указанные комплекты памяти работают с таймингами CL30, CL32, CL34, CL36 и CL38, обладая рабочим напряжением от 1,35 до 1,4 В.

Все модули памяти серии T-Force Xtreem поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Компания Adata сообщила, что ведёт разработку модулей оперативной памяти нового типа CUDIMM на основе технологии DDR5. Новые модули ОЗУ будут предназначены для работы с новейшими процессорами Intel Core Ultra 200S. Производитель ничего не сказал о возможности работы такой памяти на актуальных платформах компании AMD.

Источник изображения: Adata

Память DDR5 CUDIMM отличается от обычной DDR5 DIMM наличием встроенного тактового генератора. Он эффективно стабилизирует передачу сигналов между центральным процессором и памятью, позволяя последней стабильно работать на более высоких частотах.

Согласно пресс-релизу производителя, модули памяти Adata DDR5 CUDIMM смогут работать на материнских платах с чипсетом Intel Z890 со скоростью выше 9000 МТ/с. Однако первые решения предложат более скромную скорость работы. Первые комплекты памяти DDR5 CUDIMM от Adata будут работать со скоростью 6400 МТ/с. Однако производитель подтвердил, что в перспективе выпустит модули ОЗУ с более высокими скоростями — 8400, 8600, 8800, 9066 и 9200 МТ/с. Adata предложит модули объёмом 16 и 24 Гбайт.

Производитель также подтвердил, что модули памяти DDR5 CUDIMM будут выпускаться в его фирменной серии XPG Lancer RGB DDR5 и оснащаться радиаторами серебряного цвета с RGB-подсветкой. Версии без радиатора также запланированы к выпуску.

Adata сообщила, что её первые модули памяти DDR5 CUDIMM должны появиться в продаже в четвёртом квартале этого года. Однако точную дату старта продаж, а также стоимость модулей памяти компания не уточнила.

Оптимизация режимов работы оперативной памяти традиционно сводится к выбору между объёмом и скоростью, поскольку чем больше микросхем задействовано в системе, тем хуже они переносят повышение тактовых частот. Компания G.Skill своим новым экспериментом решила пойти против правил, заставив комплект из двух модулей памяти объёмом по 24 Гбайт работать в режиме DDR5-9000.

Источник изображений: G.Skill

Немалую заслугу в успехе эксперимента, надо полагать, нужно причислить материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Hero, которая поддерживает функцию NitroPath DRAM Technology. По сути, инженеры Asustek Computer не только усовершенствовали разводку материнской платы в части улучшения стабильности работы оперативной памяти, но и доработали стандартные слоты DIMM для установки DDR5. Они буквально стали прочнее, выдерживая многочисленные переустановки модулей памяти, которые характерны для материнских плат, эксплуатируемых активными энтузиастами.

Так или иначе, в указанной материнской плате в паре с процессором AMD Ryzen 7 8700G комплект из двух модулей памяти Trident Z5 Royal Neo объёмом по 24 Гбайт, поддерживающий профили AMD Expo, смог работать в режиме DDR5-9000 при значениях таймингов CL44-56-56. Попутно данный результат доказывает потенциал процессоров AMD Ryzen по работе с модулями памяти в предельных режимах, ведь контроллер памяти уже давно встраивается в центральные процессоры, а потому от них зависит и разгонный потенциал всей системы.

Следом за V-Color и Asgard оперативную память CUDIMM DDR5 представила китайская компания Biwin. Особенность памяти CUDIMM заключается в оснащение таких модулей тактовым генератором, который позволяет модулям стабильно работать на более высокой частоте.

Источник изображений: Biwin

Biwin представила двухканальный комплект памяти DW100 CUDIMM DDR5 общим объёмом 48 (2×24) Гбайт. Новинки обладают низкими задержками CL42 и высокой скоростью работы 9200 МТ/с.

Модули памяти построены на 10-слойном текстолите и оснащены асимметричным радиатором охлаждения из алюминиевого сплава с электрофоретическим покрытием (краска на радиаторы нанесена с использованием тока).

К сожалению, в пресс-релизе производителя не сообщается ни цена новых модулей памяти, ни дата их поступления в продажу. Производитель заявляет, что новинки станут доступны в четвёртом квартале этого года, а их цена будет соответствовать «средней по рынку на то время».

Компания Asgard представила комплект модулей памяти Thor DDR5 CUDIMM с беспрецедентно высокой скоростью работы. Новый набор памяти способен работать на скорости до 9600 МТ/с и значительно превосходит возможности предыдущих высокоскоростных модулей DDR5.

Источник изображения: mp.weixin.qq.com

Секрет высокой производительности Thor DDR5 кроется в том, что это модули CUDIMM (Clocked Unbuffered Dual In-Line Memory Module). В отличие от обычных планок DIMM, новейшие CUDIMM оснащены собственным тактовым генератором, который регенерирует тактовый сигнал, повышая стабильность работы на высокой частоте, что и позволяет модулям памяти достигать более высокой скорости. «Тактовый генератор на модулях памяти Thor DDR5 устраняет узкие места, улучшая передачу сигнала между процессором и DRAM», — говорится в сообщении компании. Именно это и делает Thor DDR5 самым быстрым комплектом оперативной памяти DDR5 на данный момент.

Демонстрация показала, что комплект памяти Asgard Thor работает на скорости 4800 МТ/с, что с учётом работы процессоров Intel в режиме 2:1, соответствует эффективной скорости 9600 МТ/с. В окне утилиты CPU-z можно увидеть всю необходимую информацию о памяти Asgard Thor, включая производителя DRAM (SK hynix) и значение CAS Latency — CL44.

Источник изображения: mp.weixin.qq.com

Важно отметить, что производительность DDR5 9600 МТ/с при таймингах CL44 примерно эквивалентно производительности DDR5-6400 с задержками CL30. Это впечатляющий результат, который обеспечивает как высокую скорость, так и большую пропускную способность. Asgard заявляет, что новая память совместима с новейшими платформами AMD и Intel, способными поддерживать гораздо более высокие частоты, чем их предшественники. Интересно, что во время демонстрации комплект памяти работал в режиме Gear 2, однако не уточняется, какая именно материнская плата и процессор использовались.

Благодаря поддержке Intel XMP, память Asgard Thor сможет автоматически применять оптимизированные настройки и работать при напряжении всего 1,5 В. В компании также подчёркивают, что используют чипы третьего поколения, соответствующие стандартам JEDEC, гарантируя лучшую совместимость и надёжность на новых платформах. Thor DDR5 будет доступна в двух цветовых вариантах: «Полярная ночь» (чёрный) и «Серебряная молния».

Компания Adata представила модули ОЗУ XPG Lancer Neon RGB DDR5 со скоростью работы 6000, 6400, 7200 и 8000 МТ/с. Компания заявляет, что в новинках используется радиатор охлаждения увеличенной площади, который эффективнее справляется с рассеиванием тепла при разгоне памяти.

Источник изображений: Adata

Другой особенностью модулей памяти XPG Lancer Neon RGB DDR5 является то, что 60 % площади их радиатора охлаждения оснащено RGB-подсветкой. Производитель также отмечает высокую экологичность новых модулей памяти (углеродный след при их производстве снижен на 72 %). Входящие в состав радиатора пластиковые элементы на 50 % состоят из переработанного материала. Пластиковые элементы упаковки также на 30 % состоят из переработанного пластика.

По словам производителя, новый радиатор охлаждения ОЗУ XPG Lancer Neon RGB DDR5 до 10 % эффективнее рассеивает тепло. На практике снижение температуры памяти в среднем составляет 8,5 °C по сравнению с другими модулями ОЗУ с поддержкой разгона.

Модули памяти XPG Lancer Neon RGB DDR5 поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Объём модулей составляет 16 или 24 Гбайт. Они будут доступны как в виде одиночных модулей, так и в составе двухканальных комплектов.

Рабочее напряжение новинок варьируется от 1,35 до 1,45 В, а тайминги, в зависимости от скорости самого модуля, от CL30 до CL40.

С более подробными характеристиками модулей ОЗУ XPG Lancer Neon RGB DDR5 можно ознакомиться в таблице выше.

Компания SK hynix объявила о разработке первого в отрасли чипа DDR5 ёмкостью 16 Гбит, который будет выпускаться по технологическому процессу 1c — это самое передовое, шестое поколение технологии производства 10-нм класса.

Источник изображения: news.skhynix.com

Со сменой поколений технологий 10-нм класса конструкция компонентов DRAM усложняется, а плотность памяти растёт — теперь SK hynix сообщила, что ей первой на рынке удалось преодолеть технологические ограничения и обозначить переход на производственные нормы нового поколения. Новая технология 1c обещает повышение производительности и ценовой конкурентоспособности. Будучи реализованной для DDR5, она в перспективе будет адаптирована и для других продуктов, в том числе HBM, LPDDR6 и GDDR7. «Мы продолжим работать над закреплением лидерства в области DRAM и позиции самого надёжного поставщика решений памяти для ИИ», — заявил глава отдела разработки DRAM Ким Чжонхван (Kim Jonghwan).

Массовое производство чипов DDR5 с использованием технологии 1c будет готово к запуску в течение года, а уже в 2025-м SK hynix намеревается начать массовые поставки этой продукции. Компания внедрила новые материалы при работе оборудования со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) и добилась повышения производительности на 30 %, изменив конструкционное исполнение компонентов.

Чипы DDR5 нового поколения 1c будут работать на скорости до 8 Гбит/с — на 11 % быстрее компонентов предыдущего, а их энергоэффективность удалось повысить более чем на 9 %. Развёртывание памяти нового образца в центрах обработки данных поможет предприятиям снизить расходы на электроэнергию на 30 %, подсчитали в SK hynix — это важно, потому что в эпоху активного использования оборудования для систем искусственного интеллекта потребление энергии преимущественно растёт.

В рамках стратегии по переходу на экологически чистые материалы компания TeamGroup представила оперативную память T-Force Delta RGB ECO DDR5 для настольных ПК, а также внешний твердотельный накопитель Team Group PD20 ECO Mini, большая часть компонентов которых изготовлена из переработанных материалов.

Источник изображений: TeamGroup

У модулей оперативной памяти радиатор на 80 % состоит из переработанного алюминия, а для изготовления световодов RGB-подсветки модулей используется 100 % переработанного PCR-пластика. По словам производителя, благодаря этому углеродный след от производства каждого модуля сокращён до 73 %.

В свою очередь, пластиковый корпус накопителей Team Group PD20 ECO Mini на 75 % выполнен из пластика, подлежащего переработке по стандарту FSC. Компания поясняет, что при производстве каждых 100 тыс. корпусов этих внешних SSD используется пластик около 42,2 тыс. переработанных пластиковых бутылок.

Сами модули памяти T-Force Delta RGB ECO DDR5 будут предлагаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2x16) или 64 (2x32) Гбайт, со скоростью 5600 и 6000 МГц и таймингами CL32, CL38 и CL40. Они поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Внешний накопитель Team Group PD20 ECO Mini обеспечивает скорость передачи данных до 1000 Мбайт/с, оснащён интерфейсом USB 3.2 Gen2 Type-C и будет предлагаться в объёмах до 4 Тбайт. Размеры SSD составляют 75 × 34 × 15,2 мм, а вес равен всего 22 г.

О стоимости новинок производитель ничего не сообщил.

Ведущим производителем передовых версий памяти HBM остаётся компания SK hynix, которая в то же время уступает Samsung Electronics по общим масштабам производства. Необходимость переориентировать под выпуск HBM3 и HBM3E часть линий по производству DDR5 вынуждает участников рынка повышать цены на последний тип продукции. В результате SK hynix повысила цены на DDR5 на 15–20 %.

Источник изображения: SK hynix

Если бы рост цен осуществлялся за счёт более естественных факторов цикличного возвращения спроса на DRAM, то он не был бы таким заметным. Развитие систем искусственного интеллекта провоцирует рост спроса не только на микросхемы HBM, но и классическую DDR, поскольку требуются всё новые серверные мощности, которые за счёт одних только ускорителей вычислений с памятью HBM не масштабируются.

В этом году SK hynix рассчитывает переориентировать на выпуск HBM более 20 % своих мощностей по выпуску DRAM, тогда как Samsung Electronics готова пожертвовать 30 % существующих линий по выпуску DRAM. Правда, чтобы реализовать эти намерения с наибольшей отдачей, Samsung сначала должна заручиться крупными заказами от той же Nvidia, а пока из комментариев представителей южнокорейской компании понятно лишь то, что процесс сертификации данной продукции под требования этого заказчика всё ещё продолжается.

Компания G.Skill анонсировала выпуск модулей оперативной памяти серий Trident Z5 RGB и Trident Z5 Royal со скоростью 6400 МТ/с и низкими таймингами CL30-39-39-102. Новинки будут предлагаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2x16) Гбайт.

Источник изображений: G.Skill

Для представленных модулей ОЗУ производитель заявляет поддержку профилей разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Планки памяти Trident Z5 RGB оснащаются белыми и чёрно-белыми радиаторами охлаждения с RGB-подсветкой.

Более премиальные модули памяти Trident Z5 Royal оснащены зеркальными радиаторами серебристого и золотого цветов, также имеющими RGB-подсветку.

Для всех представленных модулей ОЗУ Trident Z5 RGB и Trident Z5 Royal DDR5-6400 CL30-39-39-102 заявляется рабочее напряжение в 1,40 В.

Производитель не сообщил стоимость новинок, но отметил, что в продаже они появятся в этом месяце.

Компания Klevv представила модули оперативной памяти CRAS V RGB ROG Certified DDR5, сертифицированные Asus ROG и поддерживающие профиль разгона DDR5-7400. Новинки будут предлагаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2 × 16) и 48 (2 × 24) Гбайт.

Источник изображений: Klevv

Базовая скорость модулей ОЗУ Klevv CRAS V RGB ROG Certified DDR5 составляет 7200 МТ/с. Они работают с таймингами CL34-44-44-84. При установке в материнские платы Asus ROG указанные модули ОЗУ смогут работать на скорости 7400 МТ/с с таймингами CL36-46-46-86. Рабочее напряжение новинок составляет 1.4 В. Они поддерживают профили разгона Intel XPM 3.0 и AMD EXPO.

Модули оперативной памяти Klevv CRAS V RGB ROG Certified DDR5 имеют размеры 133.3 × 44 × 8 мм. Они оснащены радиаторами охлаждения с толщиной 2 мм, которые быстро рассеивают тепло от нагревающихся элементов планок ОЗУ. Также новинки имеют ARGB-подсветку с поддержкой самых популярных приложений для управления RGB-подсветкой, включая Asus Aura Sync, Gigabyte RGB Fusion 2.0, MSI Mystic Light и ASRock Polychrome Sync.

На модули памяти Klevv CRAS V RGB ROG Certified DDR5 предоставляется пожизненная гарантия производителя. Стоимость новинок не сообщается. В продаже они появятся в этом месяце.

Данные берутся из публикации Ускоряем Ryzen 7 7800X3D двухранговыми модулями Acer Predator Hermes RGB DDR5-6400 2×32 Гбайт

Компания Colorful представила серию модулей оперативной памяти iGame Jiachen Zhilong DDR5, созданную в едином стиле с ранее выпущенными материнскими платами ограниченной серии Dragon Year («Год Дракона»). Эта высокопроизводительная память адресована пользователям, которые ценят не только производительность, но и эстетику.

Источник изображения: Colorful

Первый комплект памяти в новой линейке имеет объём 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт) и работает на частоте 6800 МГц с таймингами CL34. Ключевой особенностью модулей является эффектный теплоотвод с дизайном Dragon Scale (драконья чешуя) и RGB-подсветкой в виде дракона.

Дизайн серии Jiachen Zhilong вдохновлён традиционной китайской цветовой гаммой, включая красный Zheng Li и золотой Jin Xiang. На лицевой стороне модулей можно увидеть узоры в виде облаков Xiang Yun и летящих фениксов Yu Feng, а на обратной стороне расположена эмблема Jiachen Zhilong. Общий вид дополняется золотой окантовкой и многослойными волоконно-оптическими световодами, символизирующими «восхождение шаг за шагом» (rising step by step).

Источник изображения: Colorful

С технической точки зрения известно, что новая память использует высококачественные чипы от SK hynix и обеспечивает скорость передачи данных до 6800 МТ/с. Поддерживается технология XMP 3.0 для простого разгона в один клик, интеллектуальный контроль температуры PMIC для оптимального теплового режима и ON-Die ECC для автоматического исправления ошибок, гарантирующего целостность данных и стабильность работы.

Хотя в настоящий момент на JD.com доступна только 48-гигабайтная версия, на странице продукта есть намёк на будущий выпуск варианта объёмом 32 Гбайт. Ожидается, что эта версия с меньшей ёмкостью сохранит тайминги CL34, но справляться со своими задачами на 100 % сможет при более высоком рабочем напряжении в 1,4 Вт.

На данный момент комплект доступен на китайской площадке JD.com по цене 1399 юаней (около 16 600 рублей).

Согласно последнему отчёту аналитической компании TrendForce, глобальная выручка от продаж компьютерной памяти DRAM и NAND в 2024 году вырастут на 75 % и 77 % соответственно. Этот рост будет обусловлен несколькими факторами, включая увеличение спроса и популярности высокопроизводительной памяти HBM.

Источник изображения: Micron

Кроме того, ожидается, что продажи в этих сферах будут продолжать расти и в 2025 году. При этом DRAM вырастет на 51 %, а NAND — на 29 %, достигнув рекордных показателей. Рост будут стимулировать увеличение капитальных расходов и повышенный спрос на первичные сырьевые материалы для Upstream-производства, такие как кремниевые пластины и химические вещества, одновременно увеличив ценовое давление на покупателей памяти.

По оценкам TrendForce, благодаря увеличению средних цен на DRAM на 53 % в 2024 году выручка от продаж DRAM достигнет 90,7 млрд долларов США в 2024 году, что на 75 % больше по сравнению с предыдущим годом. В следующем году средняя цена вырастет ещё на 35 %, а выручка достинет 136,5 млрд долларов США, что на 51 % больше по сравнению с 2024 годом. Ожидается также, что в 2024 году на долю HBM придётся 5 % от общего объёма поставок DRAM и 20 % от выручки.

Источник изображения: TrendForce

Кроме того, популярность таких типов памяти, как DDR5 и LPDDR5/5X, также будет способствовать увеличению средней цены на рынке. Ожидается, что к 2025 году доля DDR5 на рынке серверной памяти достигнет 60-65 %, а LPDDR5/5X займёт 60 % рынка мобильных устройств.

В сегменте флеш-памяти NAND рост будет стимулироваться внедрением 3D QLC — технологии, которая позволяет хранить больше данных на одном чипе. По прогнозам, в 2024 году на долю QLC будет приходиться 20 % от общего объёма поставок NAND, а в 2025 году этот показатель должен увеличится. При этом внедрение QLC на смартфонах и серверах станет ключевым фактором роста этого сегмента.

Источник изображения: TrendForce

Ситуация повлияет и на рынок, и на потребителей. Рекордная выручка позволит производителям памяти увеличить инвестиции в исследования и разработки, а также расширить производство. Прогнозируется рост капитальных затрат в индустрии DRAM и NAND на 25 % и 10 % соответственно в 2025 году.

Однако рост цен на память неизбежно приведёт к удорожанию электроники для конечных потребителей. При этом производителям электроники будет сложно переложить все расходы на покупателей, что может привести к снижению прибыли и, не исключено, что к снижению спроса.

Комитет стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC) сегодня раскрыл ключевые подробности о будущих стандартах модулей памяти DDR5 MRDIMM (Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module) и LPDDR6 CAMM (Compression-Attached Memory Module). Ожидается, что новые модули произведут революцию в отрасли благодаря беспрецедентной пропускной способности и объёму памяти.

Источник изображения: Micron

Стандарт JEDEC MRDIMM обеспечивает вдвое большую пиковую пропускную способность по сравнению со стандартной DRAM, позволяя приложениям достигать новых уровней производительности. Он поддерживает те же функции ёмкости, надёжности, доступности и удобства обслуживания, что и JEDEC RDIMM. Пропускная способность памяти возрастёт до 12,8 Гбит/с. Предполагается, что MRDIMM будет поддерживать более двух рангов с использованием стандартных компонентов DIMM DDR5, обеспечивающих совместимость с обычными системами RDIMM.

Модули DDR5 MRDIMM представляют собой инновационную и эффективную конструкцию, позволяющую повысить скорость передачи данных и общую производительность системы. Мультиплексирование позволяет объединять и передавать несколько сигналов данных по одному каналу, эффективно увеличивая полосу пропускания без необходимости дополнительных физических соединений. Другие запланированные функции включают в себя:

• Совместимость платформы с RDIMM для гибкой настройки пропускной способности конечного пользователя.
• Использование стандартных компонентов DIMM DDR5, включая DRAM, форм-фактор и распиновку DIMM, SPD, PMIC и TS для простоты внедрения.
• Эффективное масштабирование ввода-вывода с использованием возможностей логического процесса RCD/DB.
• Использование существующей экосистемы LRDIMM для проектирования и тестирования инфраструктуры.
• Поддержка масштабирования нескольких поколений модулей.

Сообщается о планах по созданию модулей памяти формфактора Tall MRDIMM, который обеспечит более высокую пропускную способность и ёмкость без изменений в упаковке DRAM. Этот более высокий формфактор позволит установить в два раза больше однокристальных корпусов DRAM без необходимости использования корпуса формата 3DS.

В качестве развития стандарта JESD318 CAMM2 разрабатывается стандарт модуля следующего поколения LPDDR6 CAMM, рассчитанный на максимальную скорость более 14,4 ГТ/с. Модуль будет использовать 48-битный канал, состоящий из двух 24-битных подканалов и оснащаться разъёмом, что исключит необходимость распайки на материнской плате. Память LPDDR характеризуется сниженным энергопотреблением по сравнению с обычными модулями ОЗУ и, как правило, применяется в компактных и тонких ноутбуках, а также в смартфонах и планшетах.

Источник изображения: JEDEC

Эти проекты в настоящее время находятся в разработке в Комитете JC-45 JEDEC по модулям DRAM. JEDEC призывает компании присоединиться и помочь сформировать будущее стандартов JEDEC. Членство предоставляет доступ к предварительным публикациям предложений и даёт раннюю информацию об активных проектах. Всего в JEDEC зарегистрировано 332 компании, которые в том или ином виде используют принятые организацией спецификации различных видов оперативной памяти.