Micron сообщила, что в июне стартовало массовое производство и поставки оперативной памяти по самому передовому в мире техпроцессу 1α (альфа; 10-нм класс). По нормам 1α выпускаются микросхемы LPDDR4x и DDR4. Память LPDDR4x вскоре найдёт место в смартфонах и поможет им работать дольше, а чипы DDR4 пропишутся в компьютерах и серверах, но сильнее всего выиграют ноутбуки, которым новая память тоже продлит время автономной работы.

Источник изображения: Micron

По сообщению Micron, переход от техпроцесса производства 1z к техпроцессу 1α позволил на 40 % повысить плотность микросхем памяти и на 15–20 % улучшить энергосбережение. Это особенно актуально для смартфонов, потому как позволит продлить время автономной работы в режимах с интенсивным использованием памяти, например, во время фото- и видеосъёмок.

Источник изображения: Micron

Как и прежде, Micron не уточняет, какие именно нормы техпроцесса скрыты за обозначением 1α. По неофициальной информации, это может быть техпроцесс с нормами 12 нм, отчего уже всполошилась компания Samsung и даже подтвердила своё отставание от Micron в плане перехода на более тонкие техпроцессы.

Источник изображения: Micron

Оба варианта памяти — LPDDR4x и DDR4 — компания Micron выпускает на заводе A3 в Тайчжуне. Надеемся, пожары, засуха, землетрясение и внезапные отключения электроэнергии в ближайшее время там не случатся.

Отдельно Micron сообщает, что память DDR4 по техпроцессу 1α прошла проверку работы на платформах AMD EPYC 3-го поколения и хорошо зарекомендовала себя в них. Производители ноутбуков также ждут массовых поставок новинки — пандемия коронавируса COVID-19 никуда не делась, и удалённая работа и учёба всё ещё требуют много мобильных ПК.

Источник изображения: Micron

Параллельно компания Micron среди разработчиков и производителей памяти ведёт гигантскую работу по продвижению стандарта DDR5. Для этого она запустила в 2020 году программу Technology Enablement Program (TEP), в рамках которой обеспечивает технологическую поддержку и проводит всесторонние консультации. Сегодня программой TEP охвачены 100 компаний и свыше 250 разработчиков. Это та почва, которая в следующем году даст всходы в виде первых массовых продуктов с памятью DDR5.

Бренд XPG, принадлежащий компании ADATA, сообщил о готовящемся анонсе модулей оперативной памяти стандарта DDR5, предназначенных для использования в настольных компьютерах игрового класса и высокопроизводительных станциях для киберспорта.

Здесь и ниже изображения XPG

Новые изделия войдут в семейство Caster. Их официальная презентация состоится в следующем квартале.

В серию войдут решения с рабочей частотой от 6000 до 7400 МГц. При этом покупателям будут предлагаться модули в трёх вариантах ёмкости — 8, 16 и 32 Гбайт. Напряжение питания — 1,1 В.

Отмечается, что специалисты XPG тесно взаимодействовали с Gigabyte, MSI, ASUS и ASRock с целью обеспечения максимальной совместимости с материнскими платами и поддержки возможностей разгона.

Оригинальный геометрический дизайн предусматривает наличие секций с глянцевой и матовой поверхностями. Будут предлагаться варианты Caster с многоцветной подсветкой RGB и без.

Информации об ориентировочной цене новых модулей памяти DDR5 пока, к сожалению, нет. 

Тайваньская компания GeIL анонсировала новую серию оперативной памяти Polaris RGB стандарта DDR5 с существенным заводским разгоном. Новинки будут представлены в продаже как поштучно, в виде одного модуля объёмом от 16 Гбайт, так и в составе комплектов до четырёх модулей общим объёмом до 128 Гбайт.

В компании отмечают, что серия ОЗУ GeIL Polaris RGB разработана совместно с производителями материнских плат, что гарантирует их совместимость с новейшими материнскими платами, которые будут предназначаться для процессоров Intel и AMD следующего поколения. Новая память включает в себя новейшую архитектуру DDR5 PMIC для интеллектуального управления питанием, позволяющую использовать широкий диапазон рабочих напряжений.

Ассортимент оперативной памяти GeIL Polaris RGB DDR5 будет включать модули с частотой работы 4800, 6000, 6400, 6800 и 7200 МГц. Память стандарта DDR5-4800 предложит тайминги CL40-40-40 при напряжении 1,1 В. Для модулей DDR5 с частотой 6000 и 6400 МГц производитель заявил тайминги CL32-36-36. Задержки у самых высокочастотных модулей — DDR5-6800 и DDR5-7200— составят CL36-44-44.

Производитель также собирается выпустить модули памяти, не оснащённые RGB-подсветкой. В продаже представленные новинки появятся в четвёртом квартале 2021 года.

Компания Samsung представила три микросхемы управления питанием для оперативной памяти стандарта DDR5. Чипы будет выпускаться по 90-нм технологическому процессу. Размещать их предполагается непосредственно на модулях ОЗУ, а не на материнских платах.

Микросхемы S2FPD01, S2FPD02 и S2FPC01 обладают высокоэффективным драйвером затвора, а также асинхронной двухфазной схемой управления питанием. По словам Samsung, новый гибридный драйвер затвора позволяет увеличить энергоэффективность памяти более чем на 90 %, а схема управления питанием постоянно регулирует выходное напряжение, а также ширину и частоту импульсов тока для предотвращения сбоев памяти и достижения стабильной работы модуля DRAM.

Микросхемы S2FPD01 и S2FPD02 предназначены для памяти DDR5, которая применяется в сегменте центров обработки данных и серверов. S2FPC01, в свою очередь, будет использоваться в модулях памяти DDR5 для настольных ПК и ноутбуков.

Samsung также добавила, что все три микросхемы сейчас проходят фазу тестирования у клиентов компании.

Компания Corsair напомнила о скором запуске модулей памяти DDR5, рассказав о преимуществах технологии. Согласно имеющимся данным, память пятого поколения обеспечит значительно более высокие пропускную способность и ёмкость и станет энергоэффективнее по сравнению с памятью DDR4.

Изображение: Corsair

На данный момент стандарт DDR5 не поддерживается ни одной платформой. Однако в конце года ожидается запуск семейства процессоров Intel Alder Lake-S (12-е поколение), которые будут поддерживать новую память. Ожидается, что темпы внедрения DDR5 будут во многом зависеть от объёмов поставок, наличия поддерживаемого оборудования и, что более важно, стоимости новых модулей памяти. Intel ожидает, что на начальном этапе память DDR5 может быть недоступна, поэтому процессоры семейства Alder Lake-S будут поддерживать и DDR4.

Изображение: Corsair

Изображение: Corsair

В сообщении Corsair говорится, что модули DDR5 обеспечат пропускную способность до 51 Гбайт/с, что вдвое больше аналогичного показателя памяти DDR4. При этом напряжение снизится до 1,1 В, что важно при использовании в портативной электронике, например, ноутбуках. Максимальный объём одного модуля увеличится до 128 Гбайт, что в четыре раза больше по сравнению с памятью DDR4. Ожидается появление модулей со скоростью от 4800 до 6400 МГц.

Изображение: Corsair

Corsair не уточнила сроки поступления модулей памяти DDR5 в продажу, но можно предположить, что это произойдёт не ранее третьего квартала этого года.

Компания Samsung Electronics сообщила о начале производства первых в мире модулей оперативной памяти с шиной CXL (Compute Express Link). Подобные модули полностью меняют представление об ОЗУ. Блок памяти может подключаться с использованием протоколов PCIe 5.0 и иметь ёмкость до одного терабайта и больше, а также сможет одновременно быть базовой памятью процессора, видеокарты и ускорителей. Это многое изменит в ИИ и производительных вычислениях.

Источник изображения: Samsung Electronics

По словам Samsung, новые модули прошли испытания в системах под управлением процессоров Intel. Компания AMD также высоко оценила возможности модулей оперативной памяти с подключением по шине CXL. К консорциуму CXL компания AMD присоединилась в 2019 году и начала принимать активное участие в его деятельности. Хотя инициатором стандарта CXL выступила компания Intel, в AMD по достоинству оценили способность нового интерфейса поднять производительность и расширить масштабирование подсистемы памяти и вычислительной системы в целом.

Не так давно стало известно, что компания Micron также решила делать ставку на интерфейс CXL в дальнейшем выпуске продуктов на основе оперативной памяти. Для производителей чипов DRAM это будет продукт с очень и очень высокой добавленной стоимостью. Очевидно, что на модули памяти с интерфейсом CXL будет уходить громадное количество микросхем DRAM и стоить они будут немало, когда это станет востребованным. Производители памяти нащупали для себя новый рынок сбыта. Надеемся, это не приведёт к значительному скачку на рынке обычной компьютерной памяти.

Источник изображения: Samsung Electronics

Добавим, Samsung не уточнила рабочие характеристики новинки, но утверждает, что латентность обращения к банку памяти в виде модуля с шиной CXL значительно снижается по сравнению с традиционными модулями ОЗУ.

Компания Kingston Technology сообщила о том, что ещё на один шаг приблизилась к выводу на коммерческий рынок модулей оперативной памяти стандарта DDR5 (Double-Data-Rate Five), обеспечивающих возможность разгона.

DigiTimes

Отмечается, что Kingston предоставила образцы новых изделий партнёрам в среде разработчиков материнских плат для всестороннего тестирования. Название этих компаний не приводятся, но подчёркивается, что речь идёт о ведущих игроках рынка. Можно предположить, что образцы модулей DDR5 получили ASUS, ASRock, MSI и GIGABYTE.

Говорится, что в изделиях реализована поддержка оверклокерских профилей XMP. При этом разработчики материнских плат смогут самостоятельно изменять напряжение, устанавливая значения, отличающиеся от стандартных 1,1 В. Это обеспечит максимальную гибкость в плане разгона и оценки потенциала модулей.

Организовать поставки решений DDR5 с разгоном на коммерческий рынок компания Kingston Technology рассчитывает уже в следующем квартале. Память будет обеспечиваться пожизненной гарантией.

Отметим, что изделия DDR5, обладающие возможностью разгона, создают и другие компании. В их число, к примеру, входит Team Group. 

До официального выхода материнских плат на базе системной логики Intel Z690 ещё есть время, но кое-какие подробности о новинках уже гуляют в сети, и постепенно их становится больше. Новая версия утилиты HWiNFO уже получила поддержку новой платформы.

В недавнем обновлении утилиты для мониторинга системы HWiNFO появилась поддержка нового чипсета Intel Z690, а также упоминание о том, что флагманское семейство материнских плат ASUS получит продолжение в виде моделей ROG Maximus XIV. Всё это может намекать, что презентация новой платформы Intel уже не за горами, хотя, согласно прежним слухам она выдет только к концу года.

Насколько известно, системную логику 600-й серии анонсируют вместе с гибридными чипами Intel 12-го поколения. Это процессоры Alder Lake с необычной гибридной структурой, с большими производительными ядрами, и малыми энергоэффективными.

Новые чипы будут совместимы с разъёмом LGA 1700, а также получат поддержку PCIe 5.0 и двухканальной оперативной памяти DDR5 с частотой работы 4800 МГц. Среди прочих новшеств обновлённой платформы можно отметить встроенную на уровне чипсета поддержку беспроводных сетей Wi-Fi 6E, а также стандарта USB 4.0 с интерфейсом Thunderbolt 4.

Стоит сказать, что не все материнские платы с поддержкой Alder Lake позволят реализовать потенциал новых процессоров. Ожидается, что память стандарта DDR5-4800 будет доступна лишь в связке с флагманским чипсетом Z690, тогда как младшие версии H670, B650 и H610 будут ограничены актуальным на сегодняшний день стандартом DDR4-3200. То же самое касается поддержки PCIe 5.0 и USB 4.0.

Пока ещё рано говорить о сроках анонса новой платформы, однако, появление технических подробностей в общедоступных библиотеках утилиты для мониторинга намекает на то, что Intel и ОЕМ-производители уже полным ходом готовятся к предстоящему событию.

Хотя Китай и Тайвань продемонстрировали первенство в области освоения технологии оперативной памяти DDR5 и уже появились фотографии первых серийных модулей, США не сильно отстают в этой гонке. Американская компания Crucial тоже продемонстрировала свои первые модули памяти, причём как в формате UDIMM для ПК, так и SO-DIMM для ноутбуков.

И те, и другие модули работают на частоте 4800 МГц при напряжении 1,1 В. На представленных фотографиях модуль SO-DIMM имеет больше микросхем памяти и обладает ёмкостью 32 Гбайт, тогда как планка для настольного ПК отличается объёмом 8 Гбайт. Задержки CAS выражены значением 40 циклов тактовой частоты шины памяти (CL40), что, в общем-то, характерно для модулей DDR5 первой волны.

Технология DDR5 сулит не только рост эффективной частоты до 10 ГГц и выше, и вместе с тем более широкую полосу пропускания, но и обеспечит повышение энергоэффективности, предлагая по умолчанию более низкое напряжение. В модули встроены контроллеры питания для снижения потерь тока и помех, что должно повысить потенциал разгона. Кроме того, даже одна планка способна работать в двухканальном режиме.

AMD и Intel готовят свои платформы с поддержкой DDR5. Судя по более ранним утечкам, серия Intel Core 12-го поколения под кодовым названием Alder Lake будет поддерживать память DDR5-4800 в чипсете Z690. AMD разрабатывает архитектуру Zen4, которая сможет задействовать потенциал DDR5.

По данным издания IT Home, китайская компания Asgard приступила к разработке комплектов оперативной памяти DRR5 с частотой 5600 МГц и общим объёмом 64 и 128 Гбайт.

Asgard является игровым брендом китайской компании Jiahe Jinwei, которая в свою очередь принадлежит  Longsys. Производитель ранее получил первые поставки чипов памяти DDR5 от Micron для пробного выпуска модулей ОЗУ нового стандарта. Компания подтвердила, что испытания прошли успешно, и поэтому она приступает к массовому производству комплектов DDR5 для платформ Intel Alder Lake и AMD Raphael, запуск которых ожидается в конце года.

Однако в прошлый раз речь шла о комплектах памяти общим объёмом 16 и 32 Гбайт, работающих на частоте 4800 МГц. Для нового стандарта DDR5 подобная скорость является базовой. Спецификации DDR5 позволяют в теории создавать модули оперативной памяти с частотой до 8400 МГц. Некоторые производители ОЗУ уже заявили о желании разработать сверхпроизводительные комплекты ОЗУ с частотой до 10 ГГц, однако подобные решения мы увидим явно не в самом ближайшем будущем. Кроме того, их появление полностью зависит от таких компаний, как Micron, Samsung, SK hynix и прочих производителей самих чипов памяти DDR5.

Согласно дорожной карте Asgard, в настоящий момент компания сосредоточилась на разработке комплектов памяти с частотой 5600 МГц и таймингами CL 46. Их выпуск планируется к 2022 году. Производитель пока официально не объявил о планах по выпуску наборов памяти DDR5 с частотой 6400 МГц, но ожидаются они не раньше 2022–2023 годов, как пишет IT Home. Любопытно, что несмотря на значительный прирост частоты, ОЗУ по-прежнему сможет работать при низком напряжении 1,1 В.

Производство DDR5 набирает обороты: несколько производителей уже завершили свой дизайн для массового выпуска оперативной памяти следующего поколения. Этот стандарт поддерживается грядущими платформами Intel Alder Lake и AMD Raphael, запуск которых ожидается в конце года.

Китайская компания Jiahe Jinwei, суббренд Longsys, объявила о сходе со своей сборочной линии на заводе в Шэньчжэне первой партии модулей памяти DDR5. Модули уже производятся серийно и поступят в продажу вместе с платформами следующего поколения от Intel и AMD. Как ожидается, Intel будет играть главную скрипку в продвижении DDR5 с помощью своих материнских плат на базе чипсета Z690 для Intel Core 12-го поколения.

Запечатлённая на фотографиях пара модулей с зелёной печатной платой выпущена Jiahe Jinwei, тогда как на другом снимке, опубликованном каналом Uniko's Hardware, приведены планки памяти от другого производителя, использующие чёрную PCB.

Наиболее непривычная и заметная особенность обоих модулей U-DIMM, помимо компоновки чипов DRAM, — встроенная схема управления питанием, которая призвана получать напряжение 5 В от материнской платы и более эффективно передавать его на чипы DRAM, чем в случае DDR4. Благодаря размещению компонентов преобразования напряжения на самом модуле, будут снижены потери тока и помехи, что даст больше возможностей для разгона.

Партия модулей памяти DDR5 от Jiahe Jinwei отличается частотой 4800 МГц при напряжении 1,1 В, но и более высокими задержками: тайминги установлены на CL40-40-40. Каждая планка отличается ёмкостью 16 Гбайт, но проектируются уже DDR5 DIMM объёмом 32 Гбайт. Память имеет встроенный код коррекции ошибок (ECC) и отличается от DDR4 более низким энергопотреблением и повышенной стабильностью. Также один модуль сможет работать в двухканальном режиме для повышения производительности.

В будущем появятся и более быстрые модули — производители сообщают о теоретической возможности достижения частоты более 10 ГГц в экстремальном разгоне. Учитывая, что DDR4 с разгоном достигает скорости более 7 ГГц, новая вершина не кажется непреодолимым препятствием для чипов памяти следующего поколения, выпускаемых на фабриках SK Hynix и Micron.

Бренд GALAX через социальную сеть Facebook распространил сообщение о разработке модулей оперативной памяти DDR5 (Double-Data-Rate Five), рассчитанных на применение в системах с возможностью разгона.

Интернет-источники сообщают, что новые изделия войдут в семейство HOF (Hall of Fame). Информации о характеристиках модулей на данный момент, к сожалению, нет. Вместе с тем GALAX приводит изображения чипов памяти: они изготовлены компанией Micron Technology.

Память DDR5 обеспечит меньшее энергопотребление и увеличенную пропускную способность по сравнению с DDR4. Изделия GALAX должны обеспечить значительный разгонный потенциал, что должно заинтересовать оверклокеров.

Ожидается, что оперативная память стандарта DDR5 будет поддерживаться аппаратной платформой Intel Alder Lake-S, в которую войдут процессоры Core двенадцатого поколения. Выход этих чипов ожидается в конце текущего года.

Нужно также отметить, что не так давно о создании модулей DDR5 с возможностью разгона заявила компания Team Group. Образцы таких изделий уже предоставлены для тестирования ведущим производителям материнских плат — компаниям ASUS, ASRock, MSI и GIGABYTE. 

Несколько ведущих производителей оперативной памяти уже представили первые модули ОЗУ DDR5, однако ни один из них пока не заявлял о начале массового производства нового стандарта памяти. По данным ресурса MyDrivers, воспользоваться этой ситуацией решили китайские производители модулей оперативной памяти.

Компания Shenzhen Jiahe Jinwei Electronic Technology Co., Ltd, являющаяся четвёртым крупнейшим китайским поставщиком модулей ОЗУ, сообщила, что на её заводы прибыли первые партии чипов памяти Micron для производства модулей памяти DDR5. Таким образом можно констатировать, что массовое производство оперативной памяти нового стандарта наконец-то началось.

Shenzhen Jiahe Jinwei Electronic Technology Co., Ltd является владельцем таких брендов ОЗУ, как Guangwei и Asgard. Последняя недавно представила первые модули памяти DDR5, которые будут предлагаться в объёмах до 128 Гбайт и с частотой 4800 МГц.

По сравнению с DDR4 новый стандарт ОЗУ будет потреблять меньше энергии, предложит более высокую ёмкость, более высокую стандартную частоту, а также получит встроенные контроллеры питания, обеспечивающие более высокий уровень разгона.

Компания Intel собирается начать переход на новый стандарт ОЗУ с выпуском 12-го поколения процессоров Core с кодовым обозначением Alder Lake-S. Данные процессоры должны появиться уже в конце этого года. Для их использования потребуется новый процессорный разъём LGA1700. Переход на стандарт DDR5 потребует времени, поэтому новые чипсеты Intel 600-й серии для материнских плат будут иметь поддержку как текущего стандарта DDR4, так и нового DDR5.

Компания AMD тоже планирует переход на новый стандарт ОЗУ. Весьма вероятно, что произойдёт это с анонсом новой платформы с процессорным разъёмом AM5, которая будет представлена с процессорами на архитектуре Zen 4. Однако производитель пока не говорил о том, когда планирует представить новое поколение процессоров Ryzen.

Компания Team Group объявила о создании модулей оперативной памяти стандарта DDR5 (Double-Data-Rate Five), обеспечивающих возможность разгона. Это одни из первых подобных решений в отрасли.

Изделия планируется предлагать под брендом T-Force. Образцы модулей уже предоставлены ведущим производителям материнских плат — компаниям ASUS, ASRock, MSI и GIGABYTE. Они смогут протестировать память на совместимость со своими продуктами и оценить разгонный потенциал.

Отмечается, что по сравнению с предыдущими поколениями память DDR5 предлагает больше возможностей для оверклокинга. В частности, напряжение питания может достигать 2,6 В и более.

Team Group подчёркивает, что потребители смогут быть уверены в совместимости новых модулей T-Force DDR5 с материнскими платами четырёх названных производителей. Впрочем, о сроках поступления памяти в продажу ничего не сообщается.

Добавим, что ранее Team Group сообщила о разработке модулей DDR5 U-DIMM для настольных компьютеров и DDR5 SO-DIMM для ноутбуков. Эти изделия функционируют на частоте 4800 МГц при напряжении питания 1,1 В. Ёмкость модулей составляет 16 Гбайт. 

Компания Samsung сообщила, что разработала первые в индустрии модули оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 Гбайт, использующие технологию HKMG (High-K Metal Gate), которая предусматривает использование диэлектриков с высоким значением диэлектрической константы и металлизированных затворов. Новый вид памяти рассчитан на серверные системы, которые будут поддерживать ОЗУ стандарта DDR5. Такая поддержка ожидается, например, у новых процессоров AMD EPYC (Genoa, Zen 4) и Intel Xeon (Sapphire Rapids).

Каждый регистровый (RDIMM) модуль оперативной памяти Samsung DDR5 объёмом 512 Гбайт оснащён тридцатью двумя 16-гигабитными восьмислойными чипами памяти (8-Hi) объёмом 16 Гбайт каждый. Производитель пока не сообщает максимальную скорость передачи данных, которую поддерживают её новые модули памяти. Однако это объясняется просто — компания пока не в праве делиться особенностями и спецификациями серверных платформ нового поколения.

Интересной особенностью 512-Гбайт модулей памяти DDR5 компании Samsung является то, что в ней используются новейшие 16-Гбит модули DDR5, где вместо привычных диэлектриков применяются диэлектрики из материала с высоким значением диэлектрической постоянной, которые как правило встречаются при производстве логических чипов для снижения утечек тока. Это не первый раз, когда Samsung использует технологию HKMG для памяти — ещё в 2018 году она начала применять её при производстве высокоскоростных модулей GDDR6.

По словам производителя, более низкий уровень энергопотребления самих модулей памяти DDR5, диэлектрический слой HKMG и другие усовершенствования позволяют снизить общий уровень энергопотребления DDR5 на 13 % по сравнению с предыдущим стандартом памяти. Использование новых модулей памяти компании Samsung объёмом 512 Гбайт в составе серверных систем с поддержкой восьмиканального режима работы ОЗУ позволит увеличить общий объём оперативной памяти до 8 Тбайт вместо текущих 4 Тбайт.

В Samsung отмечают, что компания уже приступила к тестированию различных модулей памяти стандарта DDR5 с серверными платформами своих партнёров. Производитель надеется, что новый стандарт памяти пройдёт все необходимые испытания и получит все необходимые сертификаты к моменту, когда на рынке будут представлены первые серверные системы с поддержкой памяти DDR5.