Китайская компания ChangXin Memory Technologies (CXMT) была вынуждена отложить запуск массового производства своих модулей памяти DDR5 до конца 2025 года, чтобы повысить их качество, сообщает Digitimes. Оно уже не уступает продукции тайваньской Nanya, отмечает тот же источник, но если китайский бренд повысит выход годной продукции и расширит производственные мощности, он может оказать влияние не только на небольших тайваньских производителей, но и поколебать лидерство мировых брендов.

Источник изображений: cxmt.com

Выпускать DDR5 компания CXMT начала ещё в прошлом году — и тогда это породило опасения, что китайский производитель чипов памяти может наводнить рынок недорогой DDR5. Впоследствии выяснилось, что CXMT использует устаревший техпроцесс — предположительно DRAM 4-го поколения — при выпуске 16-Гбит чипов, из-за чего их размеры на 40 % больше, чем аналогов от Samsung. Это значит, что память CXMT DDR5 значительно дороже в производстве по сравнению с продукцией Samsung, и в обозримом будущем китайский производитель оказать влияние на мировой рынок едва ли сможет.

Помимо стоимости, у памяти CXMT обнаружились проблемы со стабильностью работы при температуре 60 °C, которая является нормой для модулей DDR5 в системах с плотной компоновкой, а также с работой при отрицательных температурах. Эти проблемы китайская компания решила радикальными методами — дошло до изменения фотошаблонов, хотя и обошлось это недёшево. В результате производителю пришлось отложить старт массового выпуска DDR5: первоначально предполагалось, что это случится в мае или июне 2025 года, но и к июлю сведения о начале массовых поставок не поступили. Как оказалось, CXMT столкнулась с ещё одной проблемой — выход готовой продукции лишь немногим превышал 50 %, что неприемлемо для массового выпуска DRAM. На конкурентоспособные показатели компания сможет выйти позже, проведя очередные доработки и набрав опыт в эксплуатации. Пока крупномасштабное производство планируется запустить в конце 2025 года.

Недавние тесты модулей CXMT DDR5 показали, что компания добилась значительного улучшения качества и производительности — её продукция практически сравнялась с чипами тайваньской Nanya. Если эти компоненты одобрят ведущие производители ПК и комплектующих, это будет означать, что CXMT сокращает разрыв с признанными поставщиками DRAM. Пока же, в условиях нерешённой проблемы с выходом годной продукции, CXMT нельзя считать конкурентоспособной на рынке DDR5.

И этого, возможно, будет недостаточно: китайская компания для производства чипов DDR5 на 16 Гбит использует 16-нм техпроцесс CXMT G4, который соответствует технологии Samsung третьего поколения 10-нм класса, представленной ещё в 2021 году. Из-за американских санкций ответственные за производственное оборудование компании лишились возможности обслуживать аппараты для выпуска электроники по нормам менее 18 нм. Если американские, европейские и японские игроки не будут поддерживать оборудование, поставлять запчасти и сырьё, CXMT будет крайне сложно повысить выход годной продукции или наладить массовый выпуск DDR5.

Американские, японские и тайваньские компании могут рассчитывать только на себя в стремлении повысить рентабельность, инвестировать в новые мощности и оборудование, в то время как CXMT финансируется китайскими властями, что даёт ей преимущества перед конкурентами и позволяет наращивать производственные мощности даже в условиях проблем с качеством и выходом годной продукции. Если в 2024 году производственная мощность CXMT была около 170 тысяч 300-мм пластин в месяц, то в этом году данный показатель может увеличиться до 240 000, гласят оценки Morgan Stanley. Digitimes приводит более оптимистичный показатель — 280 000 с возможностью роста до 300 000. Китайская компания наступает по всем фронтам сразу, наращивая качество, выход годной продукции и объёмы производства, поэтому угроза для мировых производителей DRAM остаётся актуальной.

Единственный весомый сдерживающий фактор — производственное оборудование. Сейчас его локализация на заводах CXMT составляет 20 %, и если американские, европейские и японские партнёры прекратят сотрудничество с китайской компанией, она не сможет добиться успехов ни по одному из трёх направлений. У неё останется возможность полностью перевести мощности на китайское оборудование, но на то, чтобы внедрить его, адаптировать под свои техпроцессы и наладить массовое производство, уйдут годы. Хотя при наличии неограниченной поддержки со стороны Пекина, CXMT остаётся серьёзным потенциальным конкурентом для мировых производителей DRAM.

Компания G.Skill сообщила о доступности комплектов разогнанной оперативной памяти большой ёмкости: DDR5-6000 объёмом 256 Гбайт (4 × 64 Гбайт) и DDR5-6400 объёмом 128 Гбайт (2 × 64 Гбайт). Новые комплекты разработаны для высокопроизводительных вычислений, создания контента, приложений искусственного интеллекта и профессиональных рабочих станций. Однако ничто не мешает использовать их и в составе мощных игровых ПК.

Источник изображений: G.Skill

Комплекты памяти G.Skill DDR5-6000 объёмом 128 и 256 Гбайт доступны с таймингами CL32-44-44, CL34-44-44 и CL36-44-44. В свою очередь комплект памяти DDR5-6400 объёмом 128 Гбайт предлагает тайминги CL36-44-44. Комплекты G.Skill DDR5-6000 поддерживают профили разгона AMD EXPO и будут предлагаться в виде модулей памяти серий Trident Z5 Neo RGB и Flare X5.

В свою очередь комплект DDR5-6400 объёмом 128 Гбайт прошёл проверку совместимости с платформами Intel и поддерживает профили разгона XMP 3.0.

Поддержка подобных комплектов оперативной памяти большой ёмкости потребует обновления BIOS материнских плат до последних версий, в которых реализована поддержка модулей ОЗУ объёмом 64 Гбайт.

Новые комплекты в ближайшее время поступят в продажу. Их стоимость компания G.Skill не раскрывает.

Компания G.Skill продолжает изучать разгонный потенциал нового формата оперативной памяти CAMM2 DDR5 и сообщила об успешном проведении тестов модуля CAMM2 объёмом 64 Гбайт в режиме DDR5-10000. Тестирование проводилось на модифицированной материнской плате Asus ROG Maximus Z890 Hero в сочетании с процессором Intel Core Ultra 7 265K.

Источник изображений: G.Skill

Производитель отмечает, что разогнанный модуль памяти CAMM2 DDR5-10000 успешно прошёл тест в программе Memtest. Память работала с задержками CL52-70-70-160 при напряжении 1,45 В.

Модули памяти формата CAMM2 обладают рядом преимуществ перед обычными модулями DIMM. Они занимают меньше места на материнской плате, поддерживают широкую шину памяти на одном модуле (один модуль может работать в двухканальном режиме, обеспечивая высокую пропускную способность), отличаются улучшенной целостностью сигналов, более высоким разгонным потенциалом и упрощённым охлаждением.

К сожалению, производители материнских плат пока не спешат переходить на новый формат ОЗУ. Платы с поддержкой модулей CAMM2 демонстрируются на различных выставках электроники, но в продаже практически не встречаются. Тем не менее, некоторые производители уже выпускают ноутбуки с поддержкой нового формата памяти.

Динамика развития китайской отрасли по производству чипов памяти беспокоила власти США ещё при президенте Байдене, поскольку он ввёл ограничения на поставку в КНР оборудования для выпуска именно микросхем памяти. Тем не менее, лидирующая на китайском рынке CXMT вскоре может занять от 7 до 9 % мирового рынка DDR5.

Источник изображения: CXMT

К подобному выводу приходят в своих рассуждениях специалисты Counterpoint Research. По их словам, в текущем году CXMT на 50 % увеличит объёмы выпуска микросхем оперативной памяти (DRAM). Это позволит китайскому производителю увеличить свою долю на рынке памяти с 6 до 8 % к концу текущего года.

При этом важно, что CXMT приложит усилия к расширению производства современных микросхем типа DDR5 и LPDDR5. В первом случае доля компании на мировом рынке к концу года вырастет до 7 %, во втором — с 0,5 до 9 %. Не только Counterpoint Research считает, что китайские производители памяти будут увеличивать своё влияние на мировом рынке памяти. По мнению TrendForce, на рынке DRAM и NAND в совокупности китайские производители по итогам третьего квартала текущего года смогут занять 10,1 %, впервые превысив условную планку в десять процентов. Кстати, пятипроцентный барьер они преодолели всего лишь во втором квартале прошлого года, поэтому темпы экспансии их производства очень высоки.

При этом нельзя сказать, чтобы у той же CXMT всё шло гладко. Компания испытывает трудности с освоением новых технологий, к числу которых относится использование металлизированных затворов и материалов с высокой диэлектрической константой (high-k). В ближайшее время CXMT также предстоит освоить массовый выпуск микросхем DRAM с трёхмерной компоновкой, примером которой может служить память класса HBM.

Micron официально уведомила своих клиентов о скором прекращении выпуска памяти DDR4. Объёмы поставок этих микросхем будут постепенно сокращаться в течение ближайших шести–девяти месяцев. Ранее Samsung объявила о планах полностью свернуть производство DDR4 в этом году, сосредоточившись на более прибыльных DDR5, LPDDR5 и HBM. Китайский производитель CXMT, несмотря на недавний пик выпуска DDR4, также начал переход на память DDR5 и HBM.

Источник изображения: Future, tomshardware.com

Основной причиной отказа от DDR4, по данным Tom's Hardware, является растущая конкуренция со стороны китайских компаний, которые наводнили рынок более дешёвыми аналогами, а также переход отрасли на новые стандарты. При этом, несмотря на уход ключевых игроков с рынка, спрос на DDR4 остаётся высоким. В мае цены на эти модули подскочили на 50 % и, по словам представителей Micron, дефицит может привести к тому, что DDR4 станет дороже, чем более современные типы памяти.

Micron рекомендует клиентам переходить на память нового поколения, которая становится всё доступнее. При этом компания сохранит ограниченные поставки DDR4/LPDDR4 для долгосрочных партнёров в автомобильной, промышленной и сетевой отраслях, где важнее стабильность, а не высокая скорость.

В то же время рост спроса на оперативную память наблюдается в сегменте ПК и мобильных устройств, где всё шире внедряются ИИ-функции. Такие приложения требуют как большего объёма памяти, так и более высокой пропускной способности, чем может обеспечить DDR4. В связи с этим производители начинают активнее использовать DDR5 и LPDDR5, которые позволяют эффективнее обрабатывать ресурсоёмкие задачи. Например, Apple увеличила минимальный объём ОЗУ в MacBook Air, отказавшись от 8 Гбайт, а многие смартфоны теперь оснащаются 12 или 16 Гбайт памяти.

Эксперты прогнозируют, что массовое производство DDR4 в ближайшее время прекратится, поскольку производители переключаются на более выгодную оперативную память пятого поколения DDR5. Однако высокий спрос на DDR4 сохранится, что приведёт к росту цен и возможному дефициту. Более мелкие игроки скорее всего попытаются занять освободившуюся нишу, но их продукция, вероятно, будет уступать в качестве и надёжности чипам памяти от крупных компаний. Пока из крупнейших производителей памяти лишь SK hynix не объявляла о прекращении выпуска DDR4, но вряд ли она долго будет избегать этого тренда.

Бренд Mastero представил оперативную память DDR5 объёмом до 32 Гбайт, работающую на частотах до 6400 МГц. В числе особенностей — брендовые чипы, штатные радиаторы, ARGB-подсветка и гарантия 10 лет.

Новинки — одиночные планки и комплекты ОЗУ DDR5 для игровых ПК и рабочих станций:

Память DDR5 DIMM 16Gb, 5600MHz, CL46 Mastero — 3500 руб.*

Комплект памяти DDR5 DIMM 32Gb (2x16Gb), 5600MHz, CL46 Mastero — 7050 руб.*

Комплект памяти DDR5 DIMM 32Gb (2x16Gb), 6200MHz, CL36 Mastero — 7350 руб.*

Комплект памяти DDR5 DIMM 32Gb (2x16Gb), 6400MHz, CL40 Mastero — 8300 руб.*

Комплект памяти DDR5 DIMM 32Gb (2x16Gb), 6000MHz, CL38 Mastero ARGB — 7800 руб.*

Комплект памяти DDR5 DIMM 32Gb (2x16Gb), 6400MHz, CL38 Mastero ARGB — 8400 руб.*

* Указаны базовые оптовые цены. Зарегистрированным участникам программы дисти предусмотрены скидки. Физические лица могут приобрести товар на маркетплейсах.

Флагман линейки — комплект памяти Mastero DDR5 на 32 Гбайт с частотой 6400 МГц. Его пропускная способность обеспечивает прирост FPS от 10 до 20 % в Cyberpunk 2077, Spider-Man и Horizon Zero Dawn по сравнению с ОЗУ на частоте 4800 МГц. Отличный выбор для геймеров, которые хотят прокачать свой ПК.

В скоростных модулях памяти Mastero используются чипы Samsung, известные высокой производительностью и стабильностью. В ОЗУ используются встроенные профили XMP 3.0 для установки рабочих параметров памяти в BIOS.

Модули памяти оснащены чёрными матовыми радиаторами с серебристыми вставками. Низкое рабочее напряжение в размере 1,25 В дополнительно помогает снизить нагрев чипов памяти.

Оперативная память DDR5 Mastero с ARGB-подсветкой представлена комплектами по 32 Гбайт (2×16 Гбайт), работающими на частоте 6000 и 6400 МГц с задержкой CL38.

В памяти с подсветкой используются чипы Micron, стабильно работающие на современных платформах AMD Ryzen и Intel. ARGB-подсветка синхронизируется через RGB-экосистемы: ASRock Polychrome RGB, ASUS Aura Sync, MSI Mystic Light и другие. Если материнская плата не поддерживает ARGB, цвета подсветки меняются автоматически.

Mastero — торговая марка компании Comepart, российского дистрибьютора компьютерной техники, который занимается оптовыми поставками компьютерных комплектующих. Comepart работает с проверенными поставщиками из топ-20 крупных производственных площадок Китая, предлагая высокое качество при конкурентной цене.

TeamGroup на выставке Computex 2025 продемонстрировала линейку передовых твердотельных накопителей данных и модулей оперативной памяти, ориентированных на работу с искусственным интеллектом, создание контента, игры и корпоративные задачи.

Производитель представил богатый ассортимент решений для профессионального использования. T-CREATE MASTER AI I5U U.2 PCIe 5.0 SSD — первый SSD TeamGroup с интерфейсом U.2 PCIe 5.0 и ёмкостью до 64 Тбайт. Он предназначен для облачных инфраструктур, баз данных, систем ИИ и других высокопроизводительных систем. Новинка выделяется высокой скоростью передачи данных и надежностью. Также производитель предложит внешние накопители на базе пары таких SSD в массиве RAID.

T-CREATE MASTER AI DDR5 — это оперативная память для рабочих станций и систем, ориентированных на работу с ИИ. В этой серии предлагаются модули объёмом до 64 Гбайт и комплекты объёмом до 512 Гбайт со скоростью до 7600 МГц. Модули выполнены из отборных чипов и оснащены эффективным охлаждением.

Также TeamGroup представила модули памяти со встроенными тактовыми генераторами, которые позволяют добиться стабильной работы при более высоких частотах. Для ИИ ПК и систем для творчества представлены модули памяти T-CREATE EXPERT AI CKD DDR5 объёмом до 64 Гбайт, что позволяет получить до 256 Гбайт на систему. Предлагаются версии с частотой до 7200 МГц. Кроме того, в этой серии представлены модули SO-DIMM для ноутбуков и мини-ПК объёмом до 64 Гбайт и со скоростью до 8000 МГц.

Нельзя не отметить и необычные модули памяти формата CAMM2 — T-CREATE EXPERT AI CAMM2 DDR5. Модули CAMM2 отличаются компактными габаритами и более высокой частотой, а также повышенной пропускной способностью благодаря 128-битной шине. TeamGroup продемонстрировала модуль объёмом 32 Гбайт со скоростью 8000 МГц.

Также похожие модули, но с более агрессивным дизайном TeamGroup выпустит для игровых систем под брендом T-FORCE.

Для игровых систем производитель предлагает модули памяти T-FORCE XTREEM CKD DDR5 и XTREEM ARGB CKD DDR5, также оснащённые тактовыми генераторами. В серии XTREEM CKD представлены модули объёмом 24 Гбайт, тогда как XTREEM ARGB предлагает планки до 64 Гбайт, что обеспечивает до 256 Гбайт на систему. Модули серии XTREEM CKD предлагают впечатляющую скорость в 10 200 МГц для наилучшей производительности. А для эффективного охлаждения используется радиатор толщиной 2 мм.

Модули XTREEM ARGB CKD оснащены RGB-подсветкой, тогда как у XTREEM CKD такая подсветка отсутствует, но зато они предлагают высочайшую частоту. Это делает модули XTREEM CKD интересными для пользователей, стремящихся к максимально возможной производительности.

Среди твердотельных накопителей выделяется T-FORCE ME PRO PCIe 5.0 M.2 SSD на восьмиканальном контроллере SM2508, который предлагает скорость чтения до 14 000 Мбайт/с. Этот SSD ориентирован на геймеров и профессионалов, подходит для ноутбуков, ПК и рабочих станций. Производитель отмечает эффективное охлаждение для стабильности под нагрузкой.

Показаны были и другие скоростные твердотельные накопители для ПК.

T-CREATE EXPERT P34F Find My External SSD

Довольно много на стенде TeamGroup оказалось портативных SSD. Например, первый в мире внешний SSD с поддержкой Apple Find My — T-CREATE EXPERT P34F Find My External SSD. Его легко отслеживать через iOS-устройства, он оснащён звуковым сигналом для поиска.

T-CREATE EXPERT P35S Destroyed Portable SSD

А T-CREATE EXPERT P35S Destroyed Portable SSD выделяется тем, что является «первым в индустрии портативным SSD с функцией уничтожения всех данных одним нажатием». Такой накопитель пригодится для пользователей, работающих с особо конфиденциальной информацией.

T-CREATE CinemaPr P36D Docking External SSD

Для тех, кто работает с видео, предлагается накопитель T-CREATE CinemaPr P36D Docking External SSD. Он предлагает быструю запись, четыре крепёжных отверстия, HDMI и четыре порта USB-C, а также модульную конструкцию, которая позволяет крепить к нему различные устройств, вроде держателей для смартфона или камер. Эта новинка позволяет записывать и резервировать крупные видеофайлы «на лету».

TEAMGROUP PD20 ECO OCEAN

Также был показан внешний SSD TEAMGROUP PD20 ECO OCEAN, корпус которого создан из переработанных океанических отходов (рыболовные сети, пластиковые бутылки, пенопласт).

Не забыла TeamGroup и о самых компактных решениях для хранения данных, представив APEX SD7.1. Это карта памяти нового поколения microSD Express со скоростью чтения до 800 Мбайт/с, что в восемь раз быстрее обычных UHS-I. Этот накопитель подойдёт для грядущей консоли Nintendo Switch 2, с которой не совместимы обычные карты microSD, а также для различных портативных устройств.

Отдельно стоит отметить инновационные системы охлаждения для твердотельных накопителей, показанные TeamGroup. Это ультратонкий термоэлектрический кулер T-Force AI-Flow X, система жидкостного охлаждения GD120T на три накопителя и комбинированный жидкостный кулер DUO360V2, способный охлаждать как процессор, так и пару SSD.

Компания V-Color привезла на Computex 2025 ряд интересных новинок. Одними из них являются модули памяти XFinity Manta DDR5 со встроенными ЖК-дисплеями размером около 1 дюйма. На эти экраны выводится информация о модуле: рабочее напряжение, температура, частота, тайминги, информация о ёмкости модуля и т.д.

Источник изображений: TechPowerUp

Насколько это всё практично — вопрос. Обычно пользователь видит лишь верхний торец модуля памяти, установленного в ПК, а не его боковую сторону, на которой, собственно, и расположен экран.

Производитель представил несколько модулей памяти с ЖК-экраном: DDR5-7800 CL38 с рабочим напряжением 1,4 В, DDR5-8000 CL38 с напряжением 1,35 В (оба ёмкостью 24 Гбайт), а также DDR5-6400 CL32 объёмом 32 Гбайт, DDR5-6000 CL28 объёмом 48 Гбайт и DDR5-7200 CL36 на 48 Гбайт— все с рабочим напряжением 1,4 В. Планки на 32 и 48 Гбайт, скорее всего, двухранговые.

Также на выставке показали двухканальный комплект DDR5-8000 CL44 объёмом 64 Гбайт (2 × 32 Гбайт, 1,4 В). Учитывая высокую скорость указанного комплекта, в нём, вероятно, используются одноранговые модули памяти или же они оснащены собственным тактовым генератором CKD.

Ещё примерами модулей высокой плотности являются XPrism DDR5-9600 CL48 с напряжением 1,45 В и объёмом 32 Гбайт, а также XSky ROG DDR5-8800 CL42 с напряжением 1,45 В и объёмом 24 Гбайт.

Производитель также показал разгоняемые модули памяти R-DIMM с RGB-подсветкой. Они оснащены хромированными радиаторами и пластиковыми ARGB-рассеивателями. V-Color позиционирует эти модули для рабочих станций и высокопроизводительных ПК на платформах Ryzen Threadripper или Xeon W.

Компания показала в качестве примера рабочую станцию, оснащённую памятью DDR5-6000 OC R-DIMM общим объёмом 128 Гбайт (8 × 16 Гбайт), процессором Threadripper PRO 7965WX, СЖО V-color XFution с поддержкой процессорного разъёма AMD Socket TR5, а также материнской платой Gigabyte TRX50 AI TOP в корпусе Cooler Master MasterFrame 600.

Компания G.Skill анонсировала на выставке Computex 2025 высокоскоростные модули оперативной памяти DDR5 и CAMM2. В числе первых — двухканальный комплект памяти Trident Z5 NeoX RGB общим объёмом 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт) с заявленной скоростью 10 600 МТ/с и таймингами CL58-63-63.

Источник изображений: TechPowerUp

Модули памяти серии G.Skill Neo поддерживают профили разгона AMD EXPO. В качестве демонстрации производитель показал систему на базе Ryzen 5 8500G (Phoenix 2), оснащённую ОЗУ с эффективной скоростью 5300 МГц (DDR5-10600) и таймингами 62-63-63-126, работающей при напряжении 1,4 В. Это весьма впечатляющий показатель для платформы AMD.

Производитель также представил новый модуль памяти CAMM2 объёмом 64 Гбайт, работающий на скорости DDR5-10000, что делает его, возможно, самым быстрым модулем ОЗУ в таком форм-факторе. Память функционирует с таймингами CL56-70-70.

Следует напомнить, что память CAMM2 — двухканальная. Благодаря этому в систему можно установить всего один такой модуль, и он будет сразу работать в двухканальном режиме. Для этого материнская плата должна поддерживать формат CAMM2, но это позволяет существенно сэкономить пространство на самой плате. Работа модуля CAMM2 DDR5-10000 была протестирована на системе с Intel Core Ultra 9 285K.

Также G.Skill продемонстрировала память Trident Z5 NeoX RGB, работающую в режиме DDR5-10747 с таймингами CL68-128-128. Модули были протестированы на ПК с Core Ultra 9 285K. Готовящиеся к выпуску планки памяти Trident Z5 NeoX RGB будут доступны в белом, оранжевом и флуоресцентно-зелёном вариантах исполнения.

Компания Silicon Power (SP) представила свои первые комплекты оперативной памяти DDR5 CUDIMM, а также новые комплекты памяти UDIMM DDR5 под новой серией Xpower. Объём комплектов составляет 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт).

Источник изображений: Silicon Power

Память CUDIMM отличается от обычной наличием собственного встроенного генератора частоты, который позволяет модулям ОЗУ работать на более высокой скорости по сравнению с обычными модулями DDR5. Благодаря этому комплекты памяти Xpower Cyclone DDR5 RGB CUDIMM работают на скоростях от 8200 до 9200 МТ/с.

Для памяти Xpower Cyclone DDR5 RGB CUDIMM производитель заявляет тайминги, CL40 (DDR5-8200 и DDR5-8400), а также CL42 (DDR5-8800 и DDR5-9200). Модули работают при напряжении 1,4 и 1,45 В. Следует добавить, что на текущий момент поддержка модулей памяти CUDIMM обеспечивается только на материнских платах Intel Z890 для процессоров Arrow Lake-S.

Модули памяти Xpower Cyclone DDR5 RGB UDIMM более универсальны и могут работать в том числе с платформой AMD Socket AM5. Для этих модулей производитель заявляет тайминги CL36 (DDR5-7200) и CL36 (DDR5-8000). Рабочее напряжение — 1,35 В.

Производитель заявляет, что все новинки оснащены эффективными радиаторами охлаждения толщиной 2 мм, которые снижают рабочую температуру памяти более чем на 10 градусов. Все представленные модули ОЗУ также поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и оснащены RGB-подсветкой.

Ожидание ввода в действие новых таможенных тарифов США заставило производителей устройств увеличивать свои складские запасы полупроводниковых компонентов. Повышенный спрос вызвал ответную реакцию со стороны Samsung. Компания увеличила цены на память DRAM. Это изменение в недалёком будущем выразится в росте цен на конечные продукты, причём не только на модули оперативной памяти, но также на различную электронику.

Источник изображения: Samsung

Согласно отчёту аналитической компании ETNews, Samsung значительно повысила цены на DDR5 и DDR4 DRAM. Эти изменения нашли отражения в тексте новых контрактов с клиентами. DDR4 DRAM подорожала на 20 %, а DDR5 DRAM — на 5 %. Поскольку компоненты производства Samsung используются многими другими производителями устройств, логично ожидать роста цен на них в ближайшем будущем.

Samsung — один из ведущих производителей и поставщиков полупроводниковой отрасли, поэтому повышение цен компанией обязательно повлияет на уровень отпускных цен других участников рынка. В конечном итоге, любое подобное повышение цен оплатит конечный потребитель.

Источник, знакомый с ситуацией, отметил: «Samsung заключила контракты по новым, более высоким ценам, что говорит о том, что рост цен на DRAM становится отраслевым трендом». Вице-президент подразделения по производству памяти Ким Джэ Чжун (Kim Jae-joon) отметил, что «из-за глобальных тарифных рисков клиенты активнее закупают комплектующие, и их запасы исчерпываются быстрее, чем предполагалось».

Ситуация на рынке оперативной памяти начала меняться в апреле, когда американская компания Micron — третий по величине производитель DRAM — объявила о планах повысить цены, сославшись на повышение пошлин в США. Данные аналитической компании DRAMeXchange подтверждают: в апреле средняя цена на наиболее распространённый чип DDR4 — 8 Гбит с частотой 2133 МГц — выросла на 22,22 % по сравнению с мартом. Это первый рост с апреля прошлого года.

Канадский оверклокер saltycroissant первым в мире преодолел барьер 12 800 МТ/с для оперативной памяти DDR5, установив новый рекорд скорости передачи информации в 12 806 МТ/с. Рекорд был достигнут на материнской плате ASRock Z890 Taichi OCF с использованием модулей Corsair Vengeance и экстремальным охлаждением жидким азотом.

Источник изображения: wccftech.com

Ещё несколько часов назад мировой рекорд принадлежал другому оверклокеру с никнеймом bl4ckdot, который разогнал DDR5 до 12 774 МТ/с. Однако, как пишет издание Wccftech, saltycroissant не только побил это достижение, но и стал первым, кто перешагнул отметку в 12 800 МТ/с. При этом он сохранил прежние тайминги (CL68-127-127-127-2), что делает результат ещё более впечатляющим.

Источник изображения: wccftech.com

Сообщается, что для достижения этих цифр использовался процессор Intel Core Ultra 7 265K и материнская плата ASRock Z890 Taichi OCF, которая уже не раз помогала другим энтузиастам устанавливать рекорды. Результат был проверен в CPU-Z и загружен на платформу HWBot для официального подтверждения. Компания ASRock также опубликовала новость о достижении в своём официальном канале в X, подчеркнув, что их продукт остаётся флагманским выбором среди профессиональных оверклокеров.

Источник изображения: wccftech.com

Эксперты ожидают, что новые рекорды будут появляться один за другим, и вскоре может быть достигнут рубеж в 13 000 MT/s. На данный момент лидерами в производстве высокочастотной DDR5-памяти остаются такие бренды, как Corsair, G.Skill и V-Color. Их модули чаще всего становятся основой для новых рекордов, поскольку они отличаются высоким заводским потенциалом для разгона. Тем не менее, переход от 12 800 к 13 000 MT/s может занять некоторое время, так как разница в 200 MT/s требует не только технических инноваций, но и определённых условий тестирования.

Компания G.Skill показала новое достижение в мире оперативной памяти — комплект DDR5-8400 CL44 объёмом 128 Гбайт (2×64 Гбайт). Работа этого набора была продемонстрирована на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E APEX в паре с процессором AMD Ryzen 9 9950X3D, доказав, что можно получить одновременно высокую скорость и большой объём памяти.

Источник изображения: G.Skill

Раньше память с такой частотой обычно ограничивалась меньшими объёмами, но теперь, похоже, эта проблема решена. Как подчёркивают в компании, комплект идеально подходит для задач искусственного интеллекта, машинного обучения, рендеринга и других ресурсоёмких процессов, где важны и быстрый доступ к данным, и большой объём памяти.

Тестирование на платформе AMD подтвердило стабильность работы памяти даже на предельных для текущего поколения DDR5 частотах. На скриншоте видно, как комплект прошёл проверку утилитой MemtestPro без ошибок. Это показывает, что инженерам G.Skill удалось не только разогнать память до 8400 МГц, но и обеспечить надёжность при высокой нагрузке. «Наш новый модуль DDR5 объёмом 64 Гбайт позволяет собирать конфигурации 128 Гбайт без потери скорости, — говорят в G.Skill. — И это открывает новые возможности для профессионалов, которым нужна максимальная производительность».

Источник изображения: G.Skill

Компания G.Skill, основанная в 1989 году, продолжает удерживать лидерство в сегменте высокоскоростной памяти. Благодаря собственной лаборатории тестирования и сильной команде разработчиков, компания регулярно выпускает инновационные решения для геймеров, оверклокеров и IT-специалистов. Новый рекорд DDR5-8400 128 Гбайт — очередное подтверждение её успеха.

Ожидается, что такие модули появятся в продаже в ближайшие месяцы. Пока неизвестно, какова будет их итоговая цена, но очевидно, что это решение ориентировано на верхний сегмент.

Компания G.Skill представила комплект оперативной памяти DDR5-6000 большого объёма — 256 Гбайт, состоящий из четырёх модулей ОЗУ по 64 Гбайт каждый. Производитель отмечает, что в основе продукта используются чипы памяти DDR5 компании SK hynix.

Источник изображений: G.Skill

Работу комплекта памяти DDR5-6000 объёмом 256 Гбайт компания проверила на материнских платах Asus ROG Crosshair X870E Hero и MSI MPG X870E Carbon WIFI в сочетании с процессорами AMD Ryzen 7 9800X3D и Ryzen 9 9900X соответственно. Память показала стабильную работу с таймингами CL32-44-44-96, а также CL32-45-45-126.

Кроме того, указанный комплект памяти показал способность к эффективному разгону до DDR5-7000 при таймингах CL38-50-50-126 в сочетании с процессором Ryzen 7 9800X3D и материнской платой MSI MEG X870E Godlike.

В дополнение к этому G.Skill показала работу комплекта памяти DDR5-6400 объёмом 256 Гбайт с низкими задержками CL32-44-44-102. Тестирование проводилось на плате Asus ROG Crosshair X870E Hero с процессором Ryzen 9 9900X3D, а также на плате MSI MAG B850M Mortar WIFI с процессором Ryzen 7 9800X3D.

Данные берутся из публикации Почему DDR5 CUDIMM — это шаг вперёд: подробности и тесты