Ведущие производители памяти начали «предварительную разработку» памяти нового поколения DDR6, сообщает южнокорейское издание The Elec. Утверждается, что Samsung, SK hynix и Micron уже обратились к поставщикам подложек с просьбой подготовить проекты, хотя стандарт JEDEC для памяти DDR6 ещё не утверждён.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Источник изображения: VideoCardz

В отчёте говорится, что поставщики работают с неполными проектными данными, в том числе с предварительной информацией о толщине памяти, структуре подложки и разводке. Цель состоит в том, чтобы подготовить тестовые образцы до того, как DDR6 будет запущена в массовое производство.

«Компании, производящие память, и производители подложек обычно приступают к совместной разработке более чем за два года до выхода продукта на рынок. Предварительная разработка DDR6 началась недавно», — сообщил The Elec представитель одной из компаний, производящих подложки.

Ожидается, что DDR6 обеспечит значительное увеличение скорости по сравнению с DDR5. Согласно ранее опубликованной дорожной карте JEDEC, скорость DDR6 может достигать 17,6 Гбит/с, что примерно в два раза превышает верхний предел для DDR5. Такой прирост обусловлен новой архитектурой DDR6 с четырьмя 24-битными подканалами, которая требует совершенно новых подходов к обеспечению целостности сигнала. Для сравнения, в DDR5 используются два 32-битных подканала.

В прошлом году сообщалось, что крупнейшие производители памяти, о которых говорилось выше, уже вышли из стадии разработки прототипов и приступили к циклам тестирования. Тогда же прогнозировалось, что выпуск памяти DDR6 состоится в 2027 году. Однако это может относиться только к этапу тестирования для прямых заказчиков, поскольку коммерческое внедрение памяти DDR6 на массовый рынок, согласно The Elec, ожидается в 2028–2029 годах.

В прошлом году доля памяти DDR5 в новых серверах составила около 80 %, а в этом году ожидается рост до 90 %, при этом от более старой памяти DDR4 производители решили отказаться. Это освободит место для новых стандартов и позволит использовать производственные мощности для выпуска модулей DDR6.

Комитет JEDEC опубликовал стандарт LPDDR6 в начале этого месяца, а крупнейшие производители микросхем памяти уже завершили разработку прототипов DDR6. Поэтому дальнейшая планомерная работа должна привести к тому, что системы с поддержкой этих типов памяти начнут появляться в следующем году, но о массовых поставках DDR6 можно будет говорить не ранее 2027 года.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: Samsung Electronics

Такого мнения придерживается ресурс China Times, опросивший традиционных участников рынка на Тайване. Лидирующие производители памяти в лице Samsung, SK hynix и Micron уже завершили разработку прототипов микросхем DDR6, и теперь сосредоточились на создании контроллеров памяти, а также совершенствованию методов упаковки и интеграции этих микросхем на модули. Ведётся взаимодействие с Intel и AMD в сфере тестирования интерфейсов памяти.

В следующем году начнут появляться на рынке процессоры с поддержкой DDR6, первоначально они получат распространение в сегменте серверов для систем искусственного интеллекта и наиболее производительных ноутбуков. Поставки модулей памяти DDR6 и LPDDR6 в значимых количествах начнутся позднее, уже в 2027 году. В черновом варианте стандарт DDR6 был утверждён JEDEC ещё в конце 2024 года, в случае с LPDDR6 он появился во втором квартале текущего года. Валидация на уровне платформ и сопутствующее тестирование начнутся в 2026 году, как поясняют тайваньские источники.

В серверном сегменте DDR6 сможет обеспечить существенный прирост быстродействия, поскольку её пропускная способность будет варьироваться от 8800 до 17600 Мт/с (миллионов транзакций в секунду). Это в два или даже три раза выше, чем у DDR5. Структурно DDR6 также перейдёт на использование многоканальной передачи информации с четырьмя субканалами по 24 бита против двух с 32 битами у DDR5. Это хотя и будет предъявлять более высокие требования к интерфейсу модулей памяти и целостности сигнала, позволит параллельно передавать больше информации в единицу времени. Кроме того, с появлением DDR6 получит распространение формфактор модулей памяти CAMM2, который сделает их не только более компактными и «плотными», но и быстрыми.

По некоторым оценкам, LPDDR6 начнёт внедряться даже раньше DDR6. По крайней мере, Qualcomm и MediaTek уже активно формируют необходимую экосистему, а Synopsys им помогает в части взаимодействия с другими разработчиками чипов. В идеале первые продукты с поддержкой LPDDR6 могут появиться уже к концу текущего года, а производством соответствующей памяти готовы заняться Samsung и SK hynix.