Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Samsung, SK hynix и Micron начали разрабатывать DDR6 — первые модули ожидаются в продаже в 2028–2029 годах
05.05.2026 [00:39],
Николай Хижняк
Ведущие производители памяти начали «предварительную разработку» памяти нового поколения DDR6, сообщает южнокорейское издание The Elec. Утверждается, что Samsung, SK hynix и Micron уже обратились к поставщикам подложек с просьбой подготовить проекты, хотя стандарт JEDEC для памяти DDR6 ещё не утверждён. 
Источник изображения: VideoCardz В отчёте говорится, что поставщики работают с неполными проектными данными, в том числе с предварительной информацией о толщине памяти, структуре подложки и разводке. Цель состоит в том, чтобы подготовить тестовые образцы до того, как DDR6 будет запущена в массовое производство. «Компании, производящие память, и производители подложек обычно приступают к совместной разработке более чем за два года до выхода продукта на рынок. Предварительная разработка DDR6 началась недавно», — сообщил The Elec представитель одной из компаний, производящих подложки. Ожидается, что DDR6 обеспечит значительное увеличение скорости по сравнению с DDR5. Согласно ранее опубликованной дорожной карте JEDEC, скорость DDR6 может достигать 17,6 Гбит/с, что примерно в два раза превышает верхний предел для DDR5. Такой прирост обусловлен новой архитектурой DDR6 с четырьмя 24-битными подканалами, которая требует совершенно новых подходов к обеспечению целостности сигнала. Для сравнения, в DDR5 используются два 32-битных подканала. В прошлом году сообщалось, что крупнейшие производители памяти, о которых говорилось выше, уже вышли из стадии разработки прототипов и приступили к циклам тестирования. Тогда же прогнозировалось, что выпуск памяти DDR6 состоится в 2027 году. Однако это может относиться только к этапу тестирования для прямых заказчиков, поскольку коммерческое внедрение памяти DDR6 на массовый рынок, согласно The Elec, ожидается в 2028–2029 годах. В прошлом году доля памяти DDR5 в новых серверах составила около 80 %, а в этом году ожидается рост до 90 %, при этом от более старой памяти DDR4 производители решили отказаться. Это освободит место для новых стандартов и позволит использовать производственные мощности для выпуска модулей DDR6. Поддержка DDR6 начнёт внедряться в следующем году, но поставки новой памяти наладятся только в 2027-м
23.07.2025 [11:56],
Алексей Разин
Комитет JEDEC опубликовал стандарт LPDDR6 в начале этого месяца, а крупнейшие производители микросхем памяти уже завершили разработку прототипов DDR6. Поэтому дальнейшая планомерная работа должна привести к тому, что системы с поддержкой этих типов памяти начнут появляться в следующем году, но о массовых поставках DDR6 можно будет говорить не ранее 2027 года. 
Источник изображения: Samsung Electronics Такого мнения придерживается ресурс China Times, опросивший традиционных участников рынка на Тайване. Лидирующие производители памяти в лице Samsung, SK hynix и Micron уже завершили разработку прототипов микросхем DDR6, и теперь сосредоточились на создании контроллеров памяти, а также совершенствованию методов упаковки и интеграции этих микросхем на модули. Ведётся взаимодействие с Intel и AMD в сфере тестирования интерфейсов памяти. В следующем году начнут появляться на рынке процессоры с поддержкой DDR6, первоначально они получат распространение в сегменте серверов для систем искусственного интеллекта и наиболее производительных ноутбуков. Поставки модулей памяти DDR6 и LPDDR6 в значимых количествах начнутся позднее, уже в 2027 году. В черновом варианте стандарт DDR6 был утверждён JEDEC ещё в конце 2024 года, в случае с LPDDR6 он появился во втором квартале текущего года. Валидация на уровне платформ и сопутствующее тестирование начнутся в 2026 году, как поясняют тайваньские источники. В серверном сегменте DDR6 сможет обеспечить существенный прирост быстродействия, поскольку её пропускная способность будет варьироваться от 8800 до 17600 Мт/с (миллионов транзакций в секунду). Это в два или даже три раза выше, чем у DDR5. Структурно DDR6 также перейдёт на использование многоканальной передачи информации с четырьмя субканалами по 24 бита против двух с 32 битами у DDR5. Это хотя и будет предъявлять более высокие требования к интерфейсу модулей памяти и целостности сигнала, позволит параллельно передавать больше информации в единицу времени. Кроме того, с появлением DDR6 получит распространение формфактор модулей памяти CAMM2, который сделает их не только более компактными и «плотными», но и быстрыми. По некоторым оценкам, LPDDR6 начнёт внедряться даже раньше DDR6. По крайней мере, Qualcomm и MediaTek уже активно формируют необходимую экосистему, а Synopsys им помогает в части взаимодействия с другими разработчиками чипов. В идеале первые продукты с поддержкой LPDDR6 могут появиться уже к концу текущего года, а производством соответствующей памяти готовы заняться Samsung и SK hynix. JEDEC: память DDR6 предложит скорость до 17,6 Гбит/с, а LPDDR6 — до 14,4 Гбит/с
21.05.2024 [22:13],
Николай Хижняк
Комитет стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC) подготовил презентацию, в которой обрисовал будущие стандарты оперативной памяти LPDDR6, LPDDR6 CAMM2 и DDR6. 
Источник изображения: VideoCardz Стандарту энергоэффективной оперативной памяти LPDDR5 уже пять лет. В JEDEC считают, что пришло время для обновления. Представленные компаниями Samsung и SK hynix переходные решения в виде памяти LPDDR5X и LPDDR5T недостаточно хороши и в течение 1–2 года индустрии потребуется более скоростная память с более высокой пропускной способностью. Скорость передачи данных энергоэффективной памяти LPDDR разных стандартов:
Согласно свежей презентации JEDEC, LPDDR6 предложит скорость передачи данных от 10,667 Гбит/с, однако в перспективе от неё можно будет добиться скорости до 14,4 Гбит/с. В презентации также отмечается, что первое поколение памяти LPDDR6 сможет обеспечить пропускную способность от 28,5 до 32 Гбайт/с, а более продвинутые варианты смогут выдать до 38,4 Гбайт/с. Для модулей памяти LPDDR6 CAMM2 прогнозируется скорость передачи данных от 9,2 до 14,4 Гбит/с. 
Краткие тезисы по стандарту LPDDR6. Источник изображения: JEDEC / Synopsys  Актуальный стандарт оперативной памяти DDR5 обеспечивает скорости передачи данных от 4,0 до 8,8 Гбит/с. Для будущего стандарта DDR6 прогнозируются гораздо более высокие скорости. Спецификации нового стандарта ещё недоработаны, JEDEC пока не определилась с тем, какой тип кодирования будет использоваться в DDR6 (PAM и NRZ). Тем не менее, сейчас для DDR6 прогнозируются скорости от 8,8 до 17,6 Гбит/с с потенциалом увеличения до 21 Гбит/с. 
Краткие тезисы по стандарту DDR6. Источник изображения: JEDEC / Synopsys Окончательный вариант спецификаций стандарта DDR6 планируется принять ко второму кварталу будущего года. Черновой вариант спецификаций ОЗУ нового стандарта будет подготовлен в этом году. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
