Опрос
|
реклама
Быстрый переход
JEDEC принял стандарт памяти GDDR7 для видеокарт следующего поколения — вдвое быстрее GDDR6
05.03.2024 [21:30],
Николай Хижняк
Комитет стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC) принял новый стандарт памяти JESD239 Graphics Double Data Rate (GDDR7) SGRAM. Микросхемы памяти GDDR7 обеспечат вдвое большую пропускную способность по сравнению с GDDR6 —до 192 Гбайт/с на чип, что должно удовлетворить спрос на скоростную память не только в игровом сегменте, но и на рынке высокопроизводительных вычислений и ИИ. 
Источник изображения: Samsung Стандарт JESD239 GDDR7 является первым стандартом JEDEC для памяти DRAM, в котором используется технология интерфейса импульсно-амплитудной модуляции (PAM) для высокочастотных операций. В GDDR7 используется версия PAM3, которая улучшает соотношение сигнал/шум (SNR) для работы на высоких частотах, одновременно повышая энергоэффективность модулей памяти. Благодаря использованию трёх уровней (+1, 0, -1) для передачи трёх битов за два цикла по сравнению с традиционным интерфейсом NRZ (без возврата к нулю), где реализована передача двух битов за два цикла, PAM3 обеспечивает более высокую скорость передачи данных за один цикл, что приводит к улучшению производительности. Другими особенностями памяти GDDR7 являются:
В пресс-релизе JEDEC отмечается, что ведущие производители памяти, включая Micron, Samsung и SK hynix, а также компании AMD и NVIDIA, выпускающие продукты на основе их решений, выразили интерес к новому стандарту памяти GDDR7. Глобальные продажи DRAM выросли почти на 30 % в последнем квартале 2023 года
05.03.2024 [17:45],
Павел Котов
Выручка индустрии, связанной с выпуском оперативной памяти DRAM, по итогам четвёртого квартала 2023 года выросла на 29,6 % по сравнению с предыдущим кварталом и достигла $17,46 млрд, подсчитали в TrendForce. Рост связан с активизацией усилий по накоплению запасов потребителями и строгим контролем объёма производства со стороны ведущих производителей. В текущем квартале прогнозируется рост контрактных цен на 20 % при небольшом снижении объёмов поставок. 
Источник изображения: samsung.com Звание лидера сохранила за собой Samsung, которой удалось увеличить выручку на 50 % квартал к кварталу до $7,95 млрд в основном за счёт поставок DDR5, отгрузки серверной DRAM выросли более чем на 60 %. SK hynix нарастила поставки на 1–3 %, но за счёт сегментов HBM и DDR5 и серверной DRAM смогла увеличить среднюю цену продажи (ASP) на 17–19 %, а выручка выросла на 20,2 % до $5,56 млрд. Micron отметилась ростом объёмов и цен на 4–6 % по каждому показателю, что помогло ей увеличить выручку на 8,9 % до $3,35 млрд за квартал из-за относительно невысоких долей DDR5 и HBM. 
Источник изображения: trendforce.com Samsung в I квартале начала восстанавливать производство, достигнув уровня загрузки до 80 % после значительного сокращения в IV квартале 2023 года. Во второй половине года ожидается заметный рост спроса, что приведёт к постоянному увеличению производственных мощностей в течение IV квартала 2024 года. SK hynix активно расширяет мощности HBM, особенно с развёртыванием массового производства HBM3e. Micron также активизирует выпуск полупроводниковых пластин, стремясь увеличить долю передового техпроцесса 1-beta для продуктов HBM, DDR5 и LPDDR5(X). Тайваньская Nanya демонстрирует рост объёмов и цен, но из-за медленного восстановления продаж в потребительском секторе выручка компании в IV квартале увеличилась на 12,1 % до $274 млн. Winbond, запустившая новые мощности на заводе KH, нацелилась на сокращение запасов и расширение клиентской базы без повышения контрактных цен — её доходы выросли на 19,5 % до $133 млн. PSMC сыграла на росте спотовых и контрактных цен и активизировала поставки клиентам, а из-за низкого начального показателя её выручка в сегменте DRAM выросла на 110 % до $39 млн. С учётом полупроводникового подряда общий доход PSMC увеличился на 11,6 %. Samsung запустила в США разработку оперативной памяти 3D DRAM
30.01.2024 [00:35],
Николай Хижняк
Компания Samsung открыла в США новую исследовательскую лабораторию, сообщает издание The Korea Times со ссылкой на свои источники. Предприятие, расположенное в Кремниевой долине, занимается разработкой технологий оперативной памяти 3D DRAM в рамках программы Device Solutions America. По данным издания, задача новой лаборатории Samsung — вывести компанию в лидеры на мировом рынке памяти 3D DRAM. 
Источник изображения: Samsung 3D DRAM представляет собой оперативную память DRAM, которую предполагается производить с использованием технологии трёхмерного размещения транзисторов вместо применяемого сейчас планарного размещения. Цель трёхмерного производственного процесса заключается в более эффективном использовании физических ограничений микросхем путём вертикального наложения дополнительных слоёв ячеек памяти или целых кристаллов друг на друга. Примером технологии оперативной 3D-памяти может служить технология кеш-памяти 3D V-Cache, которая используется в потребительских процессорах AMD Ryzen X3D, а также в её некоторых серверных чипах. В данном случае 3D V-Cache представляет собой дополнительный слой кеш-памяти 3-го уровня, который наслаивается поверх основного слоя кеш-памяти L3 процессора. The Korea Times напоминает, что именно Samsung является первой компанией, которая более десятилетия назад представила технологию трёхмерной флеш-памяти NAND, которую компания называет V-NAND. Она и по сей день используется в твердотельных накопителях. Кроме того, другие производители тоже освоили выпуск флеш-памяти 3D NAND, и с каждым годом наращивают число слоёв — в современных чипах их число перевалило за 230. Технология трёхмерного производства кеш-памяти доказала свою эффективность в процессорном сегменте. Samsung ещё в октябре 2023 года заявила, что трёхмерная структура кристаллов оперативной памяти, производимых с использованием техпроцессов тоньше 10 нм, в перспективе позволит создавать более ёмкие чипы памяти DRAM с плотностью, превышающей 100 Гбит на микросхему. Цены на DRAM и NAND будут расти весь год, но поставщикам нужно жёстко контролировать объёмы производства
20.01.2024 [11:50],
Павел Котов
Падение контрактных цен на DRAM, начавшееся ещё в четвёртом квартале 2021 года, удалось окончательно остановить лишь в четвёртой четверти 2023 года. Также в третьем квартале 2023 года удалось начать восстановление сегмента NAND, который демонстрировал спад четыре квартала подряд. И если производители сумеют удержать эффективный контроль над уровнем загрузки своих мощностей, восходящий тренд удастся сохранить, уверены аналитики TrendForce. 
Источник изображения: samsung.com Сезон роста откроется уже в текущем, первом квартале 2024 года, говорят аналитики TrendForce, подтверждая свои первоначальные прогнозы: рост цен на DRAM на 13–18 % и подорожание NAND на 18–23 % квартал к кварталу. Несмотря на в целом консервативный прогноз спроса во II квартале 2024 года, поставщики чипов памяти начали повышать коэффициенты загрузки мощностей уже в III квартале 2023 года. Ожидается, что покупатели NAND досрочно завершат пополнение запасов в I квартале 2024 года. Всё это уже привело к более умеренному росту цен в квартальном исчислении — на 3–8 % для DRAM и NAND в прогнозе на II квартал 2024 года. 
Источник изображения: trendforce.com III квартал 2024 года ознаменуется традиционным пиковым сезоном, когда североамериканские клиенты начнут энергичнее пополнять запасы ключевых компонентов. Контрактные цены на DRAM и NAND продолжат рост, который составит 8–13 %, но лишь при условии, что загрузка мощностей будет поддерживаться ниже 100 %. На рынке DRAM дальнейшему увеличению средней цены продажи (ASP) будут способствовать растущие темпы проникновения DDR5 и HBM. Продолжение общего роста цен ожидается и в IV квартале 2024 года, опять же, если сохранится эффективная стратегия контроля производства. Рост цен квартал к кварталу составит 8–13 % — снова за счёт DDR5 и HBM, хотя по DDR5 к этому моменту не исключается и снижение показателей. Другими словами, рост контрактных цен в сегменте DRAM в 2024 году отражает изменения в ассортименте продукции, а не общий рост по всем чипам DRAM. Контрактные цены на NAND в IV квартале 2024 года вырастут на 0–5 % по сравнению с предыдущим кварталом. 16 Гбайт оперативной памяти в ПК станут новой нормой благодаря ИИ
19.01.2024 [04:54],
Алексей Разин
Корпорация Microsoft установила минимально рекомендуемый объём оперативной памяти для ПК, работающих с ИИ-ассистентом Copilot, на уровне 16 Гбайт, сообщает TrendForce. По сути, это подтолкнёт активных пользователей ПК к модернизации своих систем. По меньшей мере, оперативной памяти придётся добавить, поскольку многие до сих пор обходились вдвое меньшим объёмом. 
Источник изображения: Samsung Electronics К таким рассуждениям приходит ресурс PC Gamer, который утверждает, что 8 Гбайт памяти уже давно считаются разумным минимумом объёма оперативной памяти для ПК. По крайней мере, это было справедливо для решения офисных задач, тогда как любители игр уже опираются на 16 Гбайт в качестве минимальной разумной отметки. Правда заключается в том, что и при работе с базовыми приложениями типа браузера с несколькими вкладками упереться в предел производительности по критерию оперативной памяти можно довольно быстро уже сейчас, если использовать лишь 8 Гбайт ОЗУ. Цены на оперативную память DDR4 и DDR5 сейчас не так высоки, поэтому перейти с 8 на 16 Гбайт ОЗУ можно с умеренными затратами, если это возможно технически. Во всяком случае, не все ноутбуки позволяют провести такую операцию, и тогда придётся задуматься уже о замене всего устройства. Распространение процессоров с функциями ускорения работы систем искусственного интеллекта начнётся уже в этом году, и рассчитывать на увеличение минимального объёма оперативной памяти лучше заблаговременно, пока цены на микросхемы DRAM не так высоки. В дальнейшем, как отмечают эксперты TrendForce, интеграция памяти типа LPDDR5x непосредственно на процессор или материнскую плату будет получать всё большее распространение, и тогда самостоятельное увеличение объёма ОЗУ станет невозможным. Samsung разработает быструю оперативную память LLW DRAM с низким энергопотреблением
10.01.2024 [20:41],
Сергей Сурабекянц
Samsung разрабатывает новый тип памяти под названием Low Latency Wide I/O (LLW) DRAM, которая обладает очень высокой пропускной способностью, малой задержкой и низким энергопотреблением. Компания предлагает в первую очередь использовать новую память в системах искусственного интеллекта на базе больших языковых моделей (LLM), хотя также подобная память подойдёт и для других рабочих нагрузок, включая клиентские. 
Источник изображения: Samsung LLW DRAM от Samsung — это память с низким энергопотреблением, обладающая широкими возможностями ввода-вывода, низкой задержкой и пропускной способностью в 128 Гбайт/с на модуль (или стэк), что сопоставимо с сочетанием памяти DDR5-8000 и 128-битной шины. Одной из ключевых особенностей LLW DRAM от Samsung заявлено её низкое энергопотребление — 1,2 пДж/бит, хотя компания не сообщила, при какой скорости передачи данных измерена эта величина. Хотя Samsung пока не раскрыла технических подробностей о LLW DRAM, стоит вспомнить, что компания уже некоторое время разрабатывает память с широкими интерфейсами, например, GDDR6W. Возможно, что Samsung объединяет ёмкость нескольких таких модулей DRAM, интегрированных в один корпус, с использованием технологии Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) для расширения пропускной способности интерфейса и снижения энергопотребления. Samsung стандартизировала свою память GDDR6W во втором квартале 2022 года и планировала использовать её в системах искусственного интеллекта, высокопроизводительных вычислительных ускорителях и клиентских ПК. Вполне вероятно, что LLW DRAM будет использована в периферийных вычислительных устройствах для систем искусственного интеллекта, таких как смартфоны, ноутбуки и, возможно, автомобильные системы. Samsung редко раскрывает информацию о том, когда её многообещающие технологии появятся на рынке, поэтому сроки выхода LLW DRAM в реальных устройствах пока неясны. Но, поскольку Samsung уже обнародовала подробности об ожидаемой производительности технологии, разработка LLW DRAM, вероятно, практически завершена. Падение прибыли Samsung в прошлом квартале должно было стать минимальным за полтора года
08.01.2024 [10:55],
Алексей Разин
На этой неделе южнокорейский гигант Samsung Electronics отчитается о предварительных итогах прошлого квартала, но даже такие значения для инвесторов станут важным индикатором состояния всего рынка полупроводниковых компонентов, поскольку эта компания является его крупнейшим участником. Прибыль Samsung должна сократиться на 14 %, что соответствует минимальному снижению за шесть предыдущих кварталов. 
Источник изображения: Samsung Electronics Даже отрицательная динамика прибыли, по словам South China Morning Post, в этом случае станет хорошим сигналом для участников рынка и инвесторов, поскольку прибыль крупнейшего производителя памяти по крайней мере замедлит темпы снижения до минимального за полтора года значения. Консенсус 30 аналитиков гласит, что в прошлом квартале операционная прибыль Samsung наверняка сократилась на 35 % до $2,82 млрд в годовом сравнении. Последний раз компания отчитывалась о росте квартальной прибыли в годовом сравнении во втором квартале 2022 года. Полупроводниковый бизнес Samsung, как ожидается, в прошлом квартале ограничил свои операционные убытки суммой около $912 млн, что в три с лишним раза меньше, чем наблюдалось во втором и третьем кварталах прошлого года. Цены на память типов DRAM и NAND в четвёртом квартале начали расти, и это во многом способствовало улучшению динамики финансовых показателей деятельности Samsung. По оценкам TrendForce, в мобильном сегменте цены на DRAM в прошлом квартале выросли на 18–23 %, а цены на память типа NAND в мобильном сегменте могли увеличиться на 10–15 %. С первого полугодия Samsung неоднократно сокращала объёмы производства памяти, чтобы стимулировать рост цен. В прошлом квартале она также более активно распродавала запасы продукции по сравнению с конкурентами. Как ожидают эксперты, в сегменте DRAM компания Samsung уже должна была выйти на безубыточность в прошлом квартале. В мобильном сегменте операционная прибыль Samsung могла в прошлом квартале достичь $1,9 млрд, отрицательное влияние на неё могли оказать снижающиеся объёмы продаж флагманских моделей смартфонов с гибким дисплеем. Каждая из двух моделей сократила объёмы реализации на 1 млн штук по сравнению с третьим кварталом, как считают аналитики. SK Hynix стала второй по величине компанией в Южной Корее — первое место у Samsung
06.01.2024 [16:06],
Владимир Мироненко
Южнокорейский полупроводниковый гигант SK Hynix занял второе место в рейтинге рыночной капитализации Корейской биржи на конец 2023 года благодаря росту акций на фоне ожиданий восстановления рынка памяти, сообщил ресурс Nikkei Asia. 
Источник изображения: SK Hynix Корейский композитный индекс цен на акции (КОСПИ) вырос в 2023 году на 18,7 % под влиянием роста рыночной капитализации шести из 10 крупнейших компаний страны. В 2022 году из-за спада рынка чипов и роста процентных ставок упали акции всех 10 крупнейших компаний, за исключением LG Energy Solution, которая была включена в листинг в том же году. Бесспорным лидером стала Samsung Electronics, чья рыночная капитализация выросла на 42 % до 468 трлн вон (около $356 млрд) на фоне ожиданий завершения спада рынка чипов. SK Hynix, нарастившая продажи чипов DRAM, увеличила свою рыночную капитализацию на 89 % до 103 трлн вон (около $78 млрд), в то время как занимающая в рейтинге третье место LG Energy Solution, производитель аккумуляторов, сократила капитализацию на 2 % до 100 трлн вон (около $76 млрд). Вместе с SK Hynix лидером по росту акций стала сталелитейная компания POSCO Holdings (81 %) на фоне ожиданий увеличения доходов от производства материалов для аккумуляторов, поскольку её главный завод полностью восстановили после разрушений, нанесённых тайфуном. Также поднялись в рейтинге Hyundai Motor и её дочерняя компания Kia благодаря продажам автомобилей класса high-end в Европе и США. Рыночная капитализация Hyundai выросла на 33 % до 43 трлн вон (около $33 млрд), а Kia — на 67 % до 40 трлн вон (около $30 млрд). У компаний, связанных с производством аккумуляторов, показатели оказались не столь хорошими, LG Chem, материнская компания LG Energy Solution, и крупный производитель аккумуляторов Samsung SDI упали в рейтинге. Продажи электромобилей выросли не так сильно, как ожидалось, в связи с чем вырос риск переизбытка предложения из-за значительных капвложений. Также влияет на изменения в рейтинге неопределённость в цепочке поставок аккумуляторов, вызванная напряжённостью между США и Китаем. У технологических компаний, ориентированных на онлайн-технологии, год также был далеко не лучшим. На фоне насыщения южнокорейского рынка и ужесточения регуляторных правил в Южной Корее, Kakao продемонстрировала рост лишь на 2 %, опустившись с 10-го места в конце 2022 года на 14-е. В 2021 году она заняла пятое место. Naver осталась на восьмом месте. Её опередил Coupang, крупный интернет-магазин, котирующийся на Нью-Йоркской фондовой бирже, с рыночной капитализацией в $28,9 млрд. Бывшего сотрудника Samsung обвинили в краже технологий производства памяти в пользу китайской CXMT
04.01.2024 [16:37],
Владимир Мироненко
В минувшую среду в Южной Корее обвинили бывшего сотрудника Samsung Electronics в краже конфиденциальной информации, касающейся ключевых полупроводниковых технологий, с целью передачи их китайской компании за денежное вознаграждение, пишет ресурс Yonhap News Agency. 
Источник изображения: Yonhap News Agency Как стало известно, прокуратура Центрального округа Сеула предъявила обвинение гражданину Киму (Kim), который ранее занимал должность руководителя отдела в Samsung, в нарушении закона о защите промышленных технологий. Ким обвиняется в краже принадлежащей Samsung конфиденциальной информации, касающейся производства микросхем DRAM, и её передаче китайскому производителю чипов памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) для использования в разработке собственных продуктов. Прокуратура подозревает Кима в передаче CXMT данных о семи ключевых технологиях для производства полупроводников и других технологиях Samsung в обмен на десятки миллионов долларов после его перехода в китайскую фирму в 2016 году. Также Ким подозревается в переманивании 20 технических специалистов из Samsung и других фирм в китайскую компанию, которым предлагалось высокое финансовое вознаграждение. Китайская CXMT, которая была новичком на рынке в 2016 году, быстро вышла в лидеры китайской отрасли по производству микросхем оперативной памяти DRAM. По данному делу проходит ещё один экс-сотрудник Samsung, обвиняемый в сговоре с Кимом с целью кражи и передачи информации о ключевых технологиях его бывшей компании китайскому производителю CXMT. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
