Сегодня 22 июня 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Samsung возобновила инвестиции в производство памяти DRAM 6-го поколения

На фоне растущего рыночного спроса на высокопроизводительную память для ИИ компания Samsung решила возобновить инвестиции в создание производственной линии чипов памяти DRAM 6-го поколения на своём заводе P4 в Пхёнтхэке с целью начать массовый выпуск таких микросхем в июне 2025 года, пишет южнокорейское издание ETNews.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Источник сообщает, что память DRAM 6-го поколения, также известная как «1c», будет производиться с использованием техпроцесса класса 10 нм. Помимо Samsung такую память также планирует массово производить её южнокорейский конкурент SK hynix.

По информации ETNews, Samsung хотела начать строительство нового цеха P4 на своём заводе в Пхёнтхэке в 2022 году и изначально собиралась запустить его в 2024 году. Однако, завершив строительство производственного объекта и его обеспечение необходимой инфраструктурой, компания не стала оснащать новую линию производственным оборудованием. Из-за снизившегося спроса на рынке полупроводников Samsung сократила расходы путём снижения количества доступных мощностей.

Во второй половине прошлого года рынок полупроводников начал восстанавливаться, поэтому к середине года Samsung вновь перешла к инвестициям в новые проекты. Компания начала установку оборудования для выпуска флеш-памяти NAND на ранее неиспользуемом объекте P4 и теперь подтвердила планы по инвестициям в производство памяти DRAM 6-го поколения, пишет ETNews.

Пробные партии 1c DRAM компания Samsung собирается выпустить уже к концу текущего года, утверждает источник. Также сообщается, что производитель рассматривает возможность запуска производственной линии по выпуску микросхем памяти HBM4 с использованием технологии 1c DRAM во второй половине 2025 года.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Аналитики TrendForce прогнозируют, что доходы отрасли производства памяти DRAM и NAND по итогам текущего года вырастут на 75 и 77 % соответственно, что объясняется стремительным ростом спроса на биты на фоне всеобщего бума ИИ. Эксперты также считают, что завод Samsung P4L станет ключевым источником выпуска микросхем памяти большой ёмкости. Согласно их оценкам, оборудование новой производственной линии для выпуска DRAM будет установлено к середине 2025 года, а массовое производство новых чипов начнётся в 2026-м.

Источники:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Китай ужесточит контроль над интернетом с помощью новой цифровой идентификации 8 ч.
Новая статья: Deltarune — сила в добре. Рецензия 14 ч.
20 минут геймплея The Blood of Dawnwalker — амбициозной вампирской RPG от ведущих разработчиков The Witcher 3 и Cyberpunk 2077 15 ч.
Новая статья: Gamesblender № 731: процессор AMD в следующей Xbox, анонс ремейка Silent Hill и худшая игра года 15 ч.
Би-би-си угрожает Perplexity судом из-за нарушения авторских прав при обучении нейросетей 16 ч.
Китайская MiniMax представила ИИ-модель M1 — её обучение обошлось в 200 раз дешевле GPT-4 18 ч.
Акционеры обвинили Apple в обмане относительно сроков выхода обновлённого Siri на базе ИИ 24 ч.
«Крупнейшая утечка в истории» оказалась устаревшим сборником архивов паролей 21-06 11:24
Sega случайно раскрыла актуальные продажи последних Persona, Yakuza, Sonic и Total War, а Persona 4 Revival придётся подождать 21-06 10:54
Для достижения своих целей продвинутые модели ИИ будут хитрить, обманывать и воровать 21-06 08:54