|
Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Китай наладил массовое производство собственных машин для выпуска 7-нм чипов — первые DUV-литографы выйдут уже в этом году
28.07.2026 [00:26],
Николай Хижняк
Неназванная государственная компания в Шанхае начала массовое производство установок для литографии в глубоком ультрафиолете (DUV) с иммерсионной технологией — первые поставки запланированы уже на этот год. Среди первых клиентов на такие установки называются китайские SMIC, Hua Hong Semiconductor и производитель памяти ChangXin Memory Technologies. Об этом сообщает The Information со ссылкой на два анонимных источника, близких к вопросу.
Источник изображения: SMIC Сообщается, что в 2026 году планируется поставить пять DUV-установок, а в 2027 году — около 20. Все три обозначенные в качестве первых получателей таких установок компании входят в список китайских фирм, которым, согласно законопроекту, рассматриваемому в Конгрессе США, будет запрещено сотрудничество с нидерландской ASML в вопросе поставок передового оборудования для производства микросхем. Издание The Information не назвало китайского производителя DUV-установок, но источники сообщили, что эта компания переманивает разработчиков технологий DUV из нескольких китайских компаний, одной из которых является государственный стартап Shanghai Yuliangsheng Technology. SMIC тестирует установку для иммерсионной литографии Yuliangsheng с сентября 2025 года. Большинство компонентов в новых системах — отечественного производства, хотя некоторые критически важные детали по-прежнему поставляются из Японии, а задержки у местных поставщиков сдерживают объёмы производства в этом году. ASML планирует отгрузить около 130 иммерсионных систем в 2026 году, что соответствует показателям 2025 года, сообщил финансовый директор Роджер Дассен (Roger Dassen) аналитикам во время телефонной конференции по итогам июля. Он добавил, что ASML намерена «увеличить объёмы производства на 30 % в 2027 году» для иммерсионной технологии и изучает возможность увеличения объёмов ещё на 30 % в 2028 году. На Китай приходится около 20 % чистой выручки ASML в этом году, в основном за счёт спроса на логические микросхемы массового сегмента. Этот показатель ниже, чем был в 2025 году (33 % выручки). Иммерсионная технология DUV позволяет создавать элементы полупроводников по 28-нм техпроцессу за один цикл экспозиции и достигать 7 нм за счёт многократного нанесения рисунка, но с увеличением количества ошибок совмещения слоёв и снижением выхода годных изделий. Генеральный директор ASML Кристоф Фуке (Christophe Fouquet) сообщил в рамках той же отчётной конференции, что растущая интенсивность литографии при производстве DRAM частично отражает решение клиентов отказаться от многократного нанесения рисунка в пользу более дешёвой технологии EUV с однократной экспозицией. Как сообщает Tom's Hardware, независимый анализ, проведённый проектом AI Futures Project в июне, показал, что коммерческое внедрение иммерсионной DUV-литографии в Китае ожидается в середине 2030-х годов. При этом 98,7 % рынка иммерсионной литографии будут приходиться на ASML. Квалификация новых китайских машин для серийного производства может занять много месяцев, а по производительности и качеству сборки они уступают оборудованию ASML. Китайская разработка в области экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV), о рабочем прототипе которой издание Reuters впервые сообщило в декабре, пока ещё далека от практической реализации. SMIC приступила к тестированию созданной в Китае DUV-системы для выпуска 7-нм чипов
17.09.2025 [10:38],
Алексей Разин
Успехи китайской компании SMIC в сфере литографии в условиях усиливающихся санкций США в определённый момент упёрлись в возможности получения доступа к определённому классу оборудования, которое до этого импортировалось. Литографические системы класса DUV (Deep Ultraviolet), которые были разработаны китайским стартапом, удалось внедрить в производственный процесс лишь недавно.
Источник изображения: SMIC Как сообщает Financial Times, недавно SMIC приступила к тестированию литографического сканера с глубоким ультрафиолетовым излучением (DUV), который был создан китайской компанией Yuliangsheng, основанной не так давно в Шанхае. С некоторых пор импорт подобного оборудования в Китай заблокирован американскими санкциями, хотя его наличие является критичным для способности SMIC наладить выпуск более продвинутых чипов. Прежде китайские производители полупроводниковых компонентов в данной сфере существенно зависели от нидерландской компании ASML, которая вынуждена подчиняться требованиям не только европейских властей, но и американских, поскольку полагается в своей деятельности на технологии, имеющие происхождение из США. Ещё одна китайская компания — SMEE, тоже поставляет DUV-системы собственной разработки, но по своим характеристикам они уступают тем, что были предложены Yuliangsheng. Самые передовые чипы западные компании производят, используя оборудование со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV), но его поставки в Китай также давно запрещены, а разработать альтернативу китайским поставщикам до сих пор не удавалось. Даже в случае с DUV-сканерами Yuliangsheng, не все компоненты для их производства изготавливаются на территории Китая, а потому на пути полного импортозамещения ещё предстоит проделать определённую работу. Результатами первых экспериментов с таким оборудованием SMIC вполне довольна, но пока сложно судить, как скоро его удастся применить для массового производства чипов. Более того, внедрить DUV-сканеры нового поколения в существующую экосистему китайский производитель чипов успеет в лучшем случае через год после их получения в достаточном количестве. Конкретное оборудование ориентируется на иммерсивную литографию, которую также предлагает своим клиентам за пределами Китая нидерландская ASML. Формально тестируемое оборудование китайского происхождения предназначено для изготовления 28-нм чипов, но SMIC надеется применить его для выпуска 7-нм чипов за счёт использования множественных фотомасок и проходов. При благоприятном стечении обстоятельств данное оборудование удастся использоваться и при выпуске 5-нм чипов, на что SMIC уже давно рассчитывает. Китайская компания SiCarrier, которая является акционером упомянутой Yuliangsheng, экспериментирует с разработкой EUV-оборудования, но пока об успехах на этом направлении говорить рано. Основанная в 2021 году, она считает своей миссией создание литографического оборудования, которое позволит китайским клиентам отказаться от западных аналогов и при этом достичь сопоставимого уровня технологического развития. SMIC на своих предприятиях к активному использованию китайского оборудования не ранее 2027 года. Китайские учёные создали передовой твердотельный лазер для полупроводниковой DUV-литографии
22.03.2025 [18:54],
Павел Котов
Китайские учёные построили компактную твердотельную лазерную систему, которая генерирует когерентный свет с длиной волны 193 нм. Это изобретение обещает прорыв в полупроводниковой литографии и других технологических областях.
Источник изображения: spie.org Лазеры, работающие в глубоком ультрафиолете (DUV) с высокой энергией фотонов и короткими длинами волн, применяются в полупроводниковой литографии, спектроскопии высокого разрешения, прецизионной (высокоточной) обработке материалов и в квантовых технологиях. Их отличают высокая когерентность и низкое потребление энергии в сравнении с эксимерными или газоразрядными лазерами, то есть возможность создавать компактные установки. Китайским учёным удалось добиться значительного прогресса и построить компактную твердотельную лазерную систему, способную генерировать когерентный луч с длиной волны 193 нм, сообщается в рецензируемом научном журнале Advanced Photonics Nexus. Эта длина волны имеет решающее значение в полупроводниковой литографии — процессе травления сложных узоров на кремниевых пластинах, составляющих основу современной электроники. Лазерная система работает с импульсной частотой повторения 6 кГц, в ней используется усилитель на кристалле Yb:YAG (иттербий-допированный иттрий-алюминиевый гранат) и производится лазер с длиной волны 1030 нм. Луч разделяется на две части: одна проходит через нелинейный кристалл, где подвергается генерации четвёртой гармоники для производства луча 258 нм с выходной мощностью 1,2 Вт; вторая воздействует на оптический параметрический усилитель, генерируя лазер 1553 нм мощностью 700 мВт. Далее они объединяются в каскадных кристаллах LBO (триборат лития — LiB₃O₅), и производится лазер на 193 нм, достигающий средней мощности 70 мВт с шириной линии менее 880 МГц. Перед смешиванием частот исследователи ввели в луч 1553 нм спиральную фазовую пластину, благодаря которой стал генерироваться вихревой луч с орбитальным угловым моментом — спиральный лазерный луч. Таким образом, учёным удалось впервые произвести на твердотельной установке вихревой лазерный луч с длиной волны 193 нм. Он сможет применяться для затравки гибридных эксимерных лазеров на фториде аргона (ArF), использоваться в литографии кремниевых пластин, выявлении дефектов, в квантовой связи и оптическом микроманипулировании. Система предлагает более высокую эффективность и точность для полупроводниковой литографии и открывает новые возможности для производственных технологий. Генерация вихревого луча с длиной волны 193 нм обещает дальнейшие прорывы в этой области вплоть до революции в производстве электроники. Китай близок к началу производства 8-нм чипов без зарубежного оборудования
16.09.2024 [10:11],
Алексей Разин
Самые передовые 7-нм чипы, выпускаемые китайской SMIC по заказу Huawei, как принято считать, изготавливаются с использованием DUV-оборудования нидерландской ASML. Судя по обновлению каталога доступного для китайских производителей отечественного оборудования, у них скоро появится возможность выпускать 8-нм продукцию независимо от наличия доступа к зарубежным литографическим системам.
Источник изображения: AMEC К такому выводу приходит ресурс TrendForce, ссылающийся на публикацию Министерством промышленности и информационных технологий КНР обновлённого каталога, который составлен для продвижения технического оборудования китайского происхождения. В какой стадии готовности к выходу на рынок находится соответствующая система, не уточняется, но в документе подчёркивается, что она позволит выпускать чипы с точностью межслойного совмещения не более 8 нм. Разрешающая способность такого оборудования не превышает 65 нм, оно использует лазер с длиной волны 248 нм и кремниевые пластины типоразмера 300 мм. Другими словами, соответствующее оборудование позволяет создавать 8-нм чипы без перехода на лазеры со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV). Предполагается, что в разработке такой литографической системы приняли участие китайские компании AMEC и SMEE, а также представители научного сообщества КНР. В этом месяце Нидерланды ввели дополнительные ограничения на поставки в Китай литографических сканеров производства ASML, работающих с DUV-излучением. Если китайским производителям удастся наладить выпуск DUV-сканеров для выпуска 8-нм продукции, то местная полупроводниковая промышленность перестанет в некоторой части покрываемого ассортимента продукции зависеть от США, Нидерландов и Японии. |