С анонсом EXPO Ultra Low Latency (EXPO ULL) на выставке Computex 2026 компания AMD предоставила очень мало деталей о том, как работает эта технология. Согласно заявлению, новые профили разгона ОЗУ DDR5 обеспечивают в среднем прирост производительности на 13 % по сравнению со стандартами JEDEC и на 4 % по сравнению с актуальными профилями EXPO. Топ-менеджер AMD Дэвид Макафи (David McAfee) пролил чуть больше света на то, что собой представляет данная технология.

Компьютер месяца — май 2026 года

Линия защиты: обзор виртуальных машин и песочниц для Android

От Ryzen 7 1800X до Ryzen 7 9850X3D: девять лет эволюции AMD в одном тесте

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Apple MacBook Neo: удивительно хороший ноутбук с процессором от iPhone

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображений: AMD

«[Профили] EXPO эволюционировали. Мы работали над ними со всеми вендорами модулей памяти. Мы увидели возможность добавить больше субтаймингов в профиль SPD и просто немного снизить задержку», — заявил Макафи в разговоре с Tom’s Hardware.

Помимо информации о возможностях EXPO ULL, AMD сообщила о совместимости новых профилей разгона ОЗУ с существующими чипсетами и материнскими платами. Однако Макафи уточнил, что не уверен, потребуется ли обновление BIOS (что, скорее всего, так). Тем не менее он всё же отметил следующее: «Мой совет всем вашим читателям и зрителям: обновите BIOS».

Модули памяти с поддержкой профилей EXPO ULL будут поставляться в новых товарных упаковках, на которых будет отмечена данная поддержка. «Будет заметно, что эти комплекты памяти другие», — уточнил Макафи.

Он также заявил, что, хотя его компания не контролирует цены на память или модули, «AMD поняла со слов партнёров, что они рассчитывают выпустить их по тем же ценам, что и текущие комплекты».

На данный момент цены на модули ОЗУ завышены из-за продолжающегося дефицита чипов памяти. Но Макафи отмечает, что не видит причин для дополнительного повышения цен. Топ-менеджер AMD заявляет, что технология EXPO ULL «просто позволяет изменить субтайминги и выжать максимум производительности из этих модулей DIMM», поэтому в технологии ULL нет ничего такого, что могло бы значительно повысить стоимость подобных модулей.

Согласно внутренним тестам AMD, в 30 играх на ПК с Ryzen 7 9700X EXPO ULL обеспечивает прирост производительности до 4 % по сравнению с обычными профилями EXPO для памяти DDR5-6000 и прибавку до 13 % по сравнению с модулями памяти стандарта JEDEC DDR5-5600. Также до 15 % повышается минимальное значение FPS в играх (1 % low) по сравнению с памятью JEDEC и на те же 4 % — по сравнению со стандартными профилями EXPO.

AMD обещает, что EXPO ULL «появится скоро», однако не называет никаких конкретных дат. Новые модули памяти с поддержкой указанных профилей разгона предложат компании G.Skill, Kingston, Lexar, XPG, TeamGroup и другие.

Компания AMD готовит новое расширение для своих профилей разгона оперативной памяти EXPO под названием EXPO Ultra Low Latency или EXPO ULL. Новый режим предназначен для комплектов памяти DDR5 для платформ Ryzen. Дебют функции ожидается с выпуском новых модулей памяти в июне.

Обзор Apple MacBook Neo: удивительно хороший ноутбук с процессором от iPhone

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

От Ryzen 7 1800X до Ryzen 7 9850X3D: девять лет эволюции AMD в одном тесте

Компьютер месяца — май 2026 года

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Линия защиты: обзор виртуальных машин и песочниц для Android

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Источник изображений: AMD

Режим EXPO ULL станет частью обновления EXPO 1.2. Функция добавляет режим памяти с низкой задержкой, автоматическим разгоном памяти и более точной настройкой для поддерживаемых комплектов ОЗУ DDR5. AMD утверждает, что EXPO ULL может улучшить как средний показатель кадров в секунду, так и его минимальное значение (1 % low) в играх.

Согласно внутренним тестам компании, EXPO ULL обеспечивает до 13 % более высокий средний FPS по сравнению с памятью стандарта JEDEC DDR5 и до 4 % более высокий средний FPS по сравнению с текущими профилями разгона EXPO. Что касается минимального значения FPS, то EXPO ULL обещает прирост до 15 % по сравнению со стандартными профилями JEDEC и до 4 % по сравнению с текущими профилями памяти EXPO. Компания заявляет, что эти данные основаны на тестировании более чем в 30 играх на системе с Ryzen 7 9700X.

EXPO ULL также нацелен на снижение задержки памяти на 5–7 нс по сравнению с обычным комплектом DDR5-6000 за счёт настройки дополнительных параметров tREFI, tRRDS, tWR, ULL Enable и VDDP.

AMD перечислила несколько партнёров по производству памяти с поддержкой EXPO ULL. В их число входят G.Skill, Kingston Fury, Klevv, Lexar, TeamGroup, V-Color, XPG от Adata и Origin Code. Новые комплекты памяти от этих производителей ожидаются в июне, хотя полная поддержка функции EXPO ULL будет зависеть от производителей материнских плат и соответствующих версий BIOS. В последних релизах библиотек AGESA 1.3.0.1 и 1.3.0.1b уже добавлены дополнительные параметры настройки DDR5 для плат AM5.

Долгожданное обновление технологии разгона памяти AMD EXPO 1.2 стало доступным для материнских плат на платформе AM5. Появилась поддержка продукции трёх известных в Китае брендов. Есть мнение, что наиболее существенный эффект проявится только с процессорами следующего поколения AMD Zen 6.

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

От Ryzen 7 1800X до Ryzen 7 9850X3D: девять лет эволюции AMD в одном тесте

Обзор Apple MacBook Neo: удивительно хороший ноутбук с процессором от iPhone

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Линия защиты: обзор виртуальных машин и песочниц для Android

Компьютер месяца — май 2026 года

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Одним из нововведений стала поддержка «геометрии модулей» — по неподтверждённым данным, подразумевается память HUDIMM с одним 32-битным субканалом DDR5, выступающая компромиссом в условиях дефицита. Заявлена поддержка модулей MRDIMM (Multiplexed Rank Dual In-line Memory Modules) с высокими пропускной способностью и ёмкостью. Но эти модули предназначены для работы в корпоративных серверах и центрах обработки данных, а не на потребительской платформе AM5.

Лишь частично реализована поддержка CUDIMM (Clocked Unbuffered Dual In-line Memory Modules) и CSODIMM (Clocked Small Outline Dual In-line Memory Modules). В этих модулях используется чип CKD (Client Clock Driver), который стабилизирует работу памяти на высоких частотах, но EXPO 1.2 обрабатывает их как стандартные модули памяти, то есть преимущества CKD используются не в полной мере. Полноценной поддержки CUDIMM нет даже в AGESA 1.3.0.1, то есть AMD, вероятно, закладывает основу для того, чтобы работать с такими модулями могли грядущие процессоры Ryzen 10000 на архитектуре Zen 6.

Из хороших новостей — появился новый режим ULL (Ultra Low Latency), который позволяет снизить задержку на 5–7 нс на типичном комплекте DDR5-6000. Для любителей тонкой настройки EXPO 1.2 предлагает поддержку новых таймингов tREFI, tRRDS и tWR и опции для установки VDDP. Добавлена поддержка китайских производителей памяти RAMXEED Limited Conexant, Rui Xuan (ранее называлась Rei Zuan) и Fujitsu Synaptics.

Asus уже начала развёртывать бета-версии прошивок с предварительной поддержкой AMD EXPO 1.2 на всей линейке материнских плат серии 800. Обновления доступны для многих моделей X870E и X870, скоро к ним присоединятся и B850. Другие производители, вероятно, также реализуют поддержку EXPO 1.2 в ближайшее время.

Компания G.Skill представила комплект оперативной памяти T5 Neo DDR5-6400 RDIMM объёмом 512 Гбайт, состоящий из восьми модулей по 64 Гбайт каждый. По заявлению производителя, комплект специально оптимизирован для новых процессоров AMD Ryzen Threadripper Pro 9000 и материнских плат с чипсетом AMD WRX90.

Линия защиты: обзор виртуальных машин и песочниц для Android

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Компьютер месяца — май 2026 года

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

От Ryzen 7 1800X до Ryzen 7 9850X3D: девять лет эволюции AMD в одном тесте

Обзор Apple MacBook Neo: удивительно хороший ноутбук с процессором от iPhone

Источник изображений: G.Skill

В основе модулей памяти T5 Neo DDR5-6400 RDIMM используется 16-слойный текстолит, что повышает надёжность передачи сигнала в условиях высоких нагрузок. Модули поддерживают профили разгона AMD EXPO.

Каждый модуль серии G.Skill T5 Neo DDR5 RDIMM оснащён двумя двунаправленными TVS-диодами и предохранителем, которые обеспечивают стабильное напряжение и защищают устройство от перепадов.

Для представленных модулей заявлены тайминги CL38-48-48-102. Комплект успешно прошёл проверку в приложении Memtest на материнской плате ASUS Pro WS WRX90E-SAGE SE в сочетании с процессором Ryzen Threadripper Pro 9945WX.

В продажу комплект G.Skill T5 Neo DDR5-6400 RDIMM объёмом 512 Гбайт поступит в августе. Стоимость производитель пока не раскрыл.

Компания G.Skill расширила ассортимент высокоскоростной памяти DDR5-6000 с низкими задержками, разработанной специально для платформы AMD Socket AM5, представив новый двухканальный комплект объёмом 96 Гбайт (2 × 48 Гбайт). Ранее производитель анонсировал двухканальные комплекты высокоскоростной ОЗУ DDR5-6000 и DDR5-8000 объёмом 48 и 192 Гбайт для той же платформы.

Линия защиты: обзор виртуальных машин и песочниц для Android

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Apple MacBook Neo: удивительно хороший ноутбук с процессором от iPhone

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

От Ryzen 7 1800X до Ryzen 7 9850X3D: девять лет эволюции AMD в одном тесте

Компьютер месяца — май 2026 года

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображений: G.Skill

Для нового комплекта памяти DDR5-6000 объёмом 96 Гбайт G.Skill заявляет тайминги CL26-36-36-96. Модули ОЗУ поддерживают профили разгона AMD EXPO. Производитель отмечает, что память тестировалась на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Hero в сочетании с процессором Ryzen 9 9950X3D, а также на плате MSI MPG X870E Carbon WIFI в паре с процессором Ryzen 9 9900X. Ниже представлены результаты тестов в утилите Memtest.

G.Skill также обновила спецификации ранее представленного комплекта памяти DDR5-6000 CL26-39-39-96 общим объёмом 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт). Производителю удалось снизить задержки этой памяти до CL26-36-36-96. Указанный комплект был протестирован на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Hero в паре с процессором Ryzen 9 9900X.

Анонсированные комплекты памяти будут предлагаться компанией G.Skill в рамках её фирменных серий ОЗУ Trident Z5 Royal Neo, Trident Z5 Neo RGB и Ripjaws M5 Neo RGB. Старт продаж новинок ожидается в мае.

Компания Biwin пополнила ассортимент модулей оперативной памяти Black Opal OC Lab Gold Edition DW100 RGB двумя четырёхканальными комплектами общим объёмом 192 Гбайт (4×48 Гбайт) со скоростью 6000 и 6400 МТ/с. Стоимость комплектов составляет от $849.

От Ryzen 7 1800X до Ryzen 7 9850X3D: девять лет эволюции AMD в одном тесте

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Компьютер месяца — май 2026 года

Линия защиты: обзор виртуальных машин и песочниц для Android

Обзор Apple MacBook Neo: удивительно хороший ноутбук с процессором от iPhone

Источник изображений: Biwin

Для комплекта DDR5-6400 производитель заявляет тайминги CL30-39-39-108, а для DDR5-6000 — CL28-36-36-102. Оба имеют рабочее напряжение 1,4 В и поддерживают профили разгона AMD EXPO. Модули памяти оснащены радиаторами с RGB-подсветкой.

Компания заявляет, что комплект DDR5-6000 проходил тестирование утилитой MemtestPro на платформе AMD Socket AM5 в сочетании с процессором Ryzen 9 (модель чипа не указана, предположительно это 16-ядерный Ryzen 9 9950X3D) в течение 7 часов, продемонстрировав стабильность работы и отсутствие ошибок. В свою очередь, тестирование комплекта DDR5-6400 проводилось в TestMem5 всего в течение часа, но память также работала полностью стабильно и без ошибок.

Скриншот теста комплекта памяти DDR5-6400 также показывает, что напряжение CPU SoC составляло 1,26 В (1,3 В считается пределом напряжения для SoC-чипов Ryzen платформы AM5). Новые комплекты памяти тестировались на материнских платах MSI и Gigabyte с чипсетами AMD X870.

Компания G.Skill представила самые скоростные модули ОЗУ DDR5 с поддержкой профилей разгона AMD EXPO. Среди представленных новинок оказались двухканальные комплекты DDR5-8000 с таймингами CL36, DDR5-6000 с таймингами CL26, а также четырёхканальные комплекты DDR5-6000 с таймингами CL28.

Компьютер месяца — май 2026 года

Линия защиты: обзор виртуальных машин и песочниц для Android

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Apple MacBook Neo: удивительно хороший ноутбук с процессором от iPhone

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

От Ryzen 7 1800X до Ryzen 7 9850X3D: девять лет эволюции AMD в одном тесте

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Источник изображений: G.Skill

Для двухканального комплекта DDR5-8000 объёмом 48 Гбайт (2×24 Гбайт) производитель заявляет тайминги CL36-48-48. Память была протестирована на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Hero в сочетании с процессором Ryzen 9 9900X.

Для комплекта DDR5-6000 того же объёма заявлены тайминги CL26-39-39. Эти комплекты компания протестировала на плате MSI MPG X870E Carbon WIFI в сочетании с тем же процессором Ryzen.

Для четырёхканального комплекта DDR5-6000 объёмом 192 Гбайт (4×48 Гбайт) производитель заявил тайминги CL28-36-36. Память тестировалась на плате MSI MPG X870E Carbon WIFI в сочетании с процессором Ryzen 7 9800X3D.

Анонсированные комплекты памяти будут предлагаться компанией G.Skill в рамках её фирменных серий ОЗУ Trident Z5 Royal Neo, Trident Z5 Neo RGB и Ripjaws M5 Neo RGB. Старт продаж новинок ожидается в апреле.

Компания Biwin представила OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5 — первые в мире модули оперативной памяти DDR5 с поддержкой двух профилей разгона AMD EXPO. Новинки разработаны в коллаборации с экспертами OC Lab.

Линия защиты: обзор виртуальных машин и песочниц для Android

От Ryzen 7 1800X до Ryzen 7 9850X3D: девять лет эволюции AMD в одном тесте

Компьютер месяца — май 2026 года

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Apple MacBook Neo: удивительно хороший ноутбук с процессором от iPhone

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Источник изображений: Biwin

Модули памяти OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5 поставляются в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Первый профиль разгона AMD EXPO соответствует DDR5-8000 CL34/CL36, а второй — DDR5-6400 CL28. Таким образом, пользователи могут выбирать между повышенной частотой или пониженными задержками.

Компания заявляет, что новые модули ОЗУ поддерживают дополнительный ручной разгон до 8400 МТ/с при сохранении низких таймингов CAS на уровне CL34. Это возможно при использовании материнских плат Asus, MSI, Gigabyte и ASRock. Biwin предоставила скриншоты из программы Memtest, демонстрирующие работу новых модулей ОЗУ на материнских платах с чипсетами AMD X870, B850 и B840 в сочетании с процессорами серии Ryzen 9000.

Производитель отмечает, что модули памяти могут работать при таймингах CL28. Однако с помощью дополнительной ручной оптимизации можно понизить задержки до CL26. Компания также добавляет, что новинки были протестированы при рабочих напряжениях 1,45 и 1,50 В, при этом их средняя рабочая температура составляла менее 50 градусов Цельсия.

В продаже модули памяти Biwin OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5 должны появиться в конце марта. Их стоимость будет начинаться от $169.

Компания G.Skill представила двухканальные комплекты высокоскоростных модулей оперативной памяти Trident Z5 Royal Neo с низкими задержками. Новинки выделяются поддержкой профилей разгона AMD EXPO, которые упрощают повышение частоты оперативной памяти в системах с процессорами AMD Ryzen.

От Ryzen 7 1800X до Ryzen 7 9850X3D: девять лет эволюции AMD в одном тесте

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Компьютер месяца — май 2026 года

Линия защиты: обзор виртуальных машин и песочниц для Android

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Apple MacBook Neo: удивительно хороший ноутбук с процессором от iPhone

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Источник изображений: G.Skill

Производитель анонсировал комплекты оперативной памяти DDR5-6000 общим объёмом 32 Гбайт, 48 Гбайт, 64 Гбайт и 96 Гбайт, каждый из которых состоит из пары модулей соответственно объёмом 16, 24, 32 и 48 Гбайт. Все они обладают таймингами CL28-36-36-96 и полностью совместимы с платформой AMD Socket AM5. К сожалению, на момент публикации данной заметки производитель не указал напряжение, при котором работают новые комплекты оперативной памяти.

Модули памяти Trident Z5 Royal Neo оснащены блестящими радиаторами в золотом или серебряном исполнении, а также продвинутой RGB-подсветкой с оформлением в стиле кристаллов.

Стоимость новинок компания не сообщила. В продаже двухканальные комплекты высокоскоростной оперативной памяти Trident Z5 Royal Neo с низкими задержками появятся в августе.