Теги → fab 8
Быстрый переход

GlobalFoundries планирует расширять завод в США

Арабо-американская компания GlobalFoundries смещает приоритеты в сторону США. Со строительством завода в Китае у неё не вышло (якобы по вине китайской стороны) и компания решила вернуться к истокам. Этому также способствует политика Президента США Дональда Трампа, которая предполагает технологическую изоляцию Китая. Всё это позволяет надеяться GlobalFoundries на появления второго дыхания у завода Fab 8 в штате Нью-Йорк.

Завод GlobalFoundries Fab 8 в штате нью-Йорк (фото Glassdoor)

Завод GlobalFoundries Fab 8 в штате нью-Йорк (фото Glassdoor)

Как сообщает нам свежий пресс-релиз GlobalFoundries, компания приобрела земли возле завода Fab 8 в городе Мальта, штат Нью-Йорк. Приобретённая по «справедливой цене» земля имеет площадь 66 акров (267 тыс. м2). Что и когда компания будет строить на этой земле, ещё не определено. Всё будет зависеть от требований клиентов компании.

В то же время необходимо напомнить, что GlobalFoundries отказалась от внедрения техпроцессов с нормами ниже 12 нм. Это крайне негативно сказалось на перспективах компании. Также надо отметить, что GlobalFoundries крайне скупо инвестирует в два завода (один для обработки 200-мм пластин, а второй — 300-мм), которые достались ей от компании IBM. А ведь именно эти производства были загружены военными и правительственными заказами со стороны властей США.

Более того, вскоре завод Fab 8 будет классифицирован и оборудован как режимный объект, что ещё сильнее снижает роль бывших заводов IBM. А покупка дополнительной земли для предполагаемого расширения мощностей Fab 8 и вовсе означает, что заводам IBM работать осталось недолго. Похоже, им модернизация не светит.

Micron расширяет Fab 10 в Сингапуре: Больше слоёв в 3D NAND!

Корпорация Micron Technology в этом месяце начала строительство третьего модуля производственного комплекса Fab 10 в Сингапуре. Как и имеющиеся Fab 10X и Fab 10N, новая фабрика будет использоваться для выпуска 3D NAND флеш-памяти. Micron подчёркивает, что расширение Fab 10 не призвано увеличить количество выпускаемых пластин с микросхемами памяти, но предназначено в первую очередь для создания плацдарма при производстве новых типов многослойной 3D NAND в будущем.

Micron уже имеет две 300-мм фабрики по производству 3D NAND флеш-памяти в Сингапуре (Fab 10N и Fab 10X), которые были построены ранее в этом десятилетии. Эти комплексы в настоящее время изготавливают львиную долю флеш-памяти компании Micron. Новое здание является третьим модулем Fab 10 и будет располагаться рядом с существующими комплексами. Новая фабрика будет построена на земельном участке площадью 165 тыс. м2 на улице North Coast Drive. Для сравнения, Fab 10N (первый модуль производственного комплекса) была построена на земельном участке площадью 200 тыс. м2, а площадь её «чистой» комнаты превышала 24 тыс. м2. Micron не указывает площадь «чистой» комнаты в новом модуле из соображений конфиденциальности.

В «чистой» комнате производственного комплекса Micron

В «чистой» комнате производственного комплекса Micron

Одна из вещей, которые подчёркивает Micron, заключается в том, что расширение Fab 10 не обязательно означает, что фабрика будет обрабатывать больше пластин. Эволюция 3D NAND — очень сложный процесс (эта тема была затронута в одной из наших заметок в конце 2016 года), но ключевой особенностью, которая позволяет данному типу энергонезависимой памяти увеличивать плотность записи, является увеличение количества слоёв. Как известно, для нанесения слоёв применяют метод химического осаждения из паровой фазы (chemical vapor deposition, CVD) и соответствующее оборудование. Таким образом, по мере роста количества слоев каждая пластина проводит всё больше времени в CVD-машине. Кроме того, больше количество слоёв требует несколько большего времени для травления в них отверстий (etching). Поскольку методики травления имеет известные пределы, для увеличения количества слоёв свыше определённых значений производители NAND будут вынуждены начать применять разные экстравагантные методики вроде string stacking (построение ещё одного массива 3D NAND ячеек поверх имеющегося), что дополнительно увеличивает производственный цикл. Стремясь сохранить количество обрабатываемых пластин по мере увеличения количества слоёв 3D NAND, производители флеш-памяти должны увеличивать количество CVD-машин в чистых комнатах, что требует дополнительного пространства. Таким образом, хотя расширения производственных комплексов могут не отражаться на количестве обрабатываемых пластин, они обеспечивают рост с точки зрения общего объёма выпускаемой памяти в пересчёте на бит.

Fab 10X: первый этап расширения Fab 10. Слайд из презентации Micron 2015 года

Fab 10X: первый этап расширения Fab 10. Слайд из презентации Micron 2015 года

Ожидается, что первая фаза нового модуля Fab 10 будет завершена к лету 2019. Micron планирует получить первые коммерческие пластины, обработанные на новой фабрике, в четвёртом квартале следующего года. Как обычно, наращивание производства в новом комплексе займёт некоторое время, так что можно ожидать, что новая фабрика начнёт вносить значительный вклад в общий объём выпуска 3D NAND компанией Micron где-то в 2020 году.

Производитель не указывает, какой именно тип 3D NAND он планирует изготавливать в новом модуле Fab 10, но с учётом временных рамок можно с высокой долей вероятности утверждать, что эти микросхемы будут иметь более 64 NAND-слоёв.

Производственный комплекс Fab 10 (Micron Semiconductor Asia), вид со спутника, Google Maps

Производственный комплекс Fab 10 (Micron Semiconductor Asia), вид со спутника, Google Maps

Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra), исполнительный директор Micron, сказал, что в дополнение к расширению комплекса Fab 10 компания также расширит свои научно-исследовательские и опытно-конструкторские разработки в Сингапуре. Среди прочего, Micron планирует нанять ученых-материаловедов, инженеров-электриков, ученых-исследователей и т. д.

Хотя Micron не раскрывает производственные мощности нового модуля Fab 10, но говорит, что новый завод потребует от компании набора дополнительного персонала для работы на фабрике и в цепочке поставок. В настоящее время численность работников Micron в Сингапуре составляет 7500 человек. Новый завод и расширение НИОКР потребуют от Micron нанять ещё 1000 человек.

Твердотельный накопитель на базе памяти 3D NAND

Твердотельный накопитель на базе памяти 3D NAND

Micron начала производство памяти 3D NAND второго поколения

Micron Technology объявила о том, что начала производство многослойной памяти типа 3D NAND второго поколения в фабричном комплексе Fab 10X в Сингапуре. Новый тип памяти позволит Micron укрепить позиции на рынке твердотельных накопителей, а также несколько снизить себестоимость энергонезависимой памяти. Помимо прочего, выпуск второго поколения 3D NAND приведёт к увеличению ёмкости накопителей Micron, Crucial, а также их партнёров.

Штаб-квартира Micron

Штаб-квартира Micron

Новые вызовы

В ходе встречи и телеконференции с инвесторами и финансовыми аналитиками в этом месяце Micron подтвердила, что начала массовое изготовление 3D NAND флеш-памяти с 64 слоями в производственном комплексе Fab 10X в Сингапуре в четвёртом квартале этого календарного года, что соответствует заявленным ранее срокам. Сам по себе анонс означает как введение в строй новой фабрики, так и грядущее существенное увеличение производства NAND флеш-памяти компанией Micron: как за счёт увеличения количества обрабатываемых кремниевых пластин с соответствующими микросхемами, так и за счёт увеличения ёмкости последних. Кроме того, сам анонс массового производства энергонезависимой памяти с 64 активными слоями является знаменательным, поскольку означает, что компании удалось решить ряд технических проблем, которые возникают при создании 3D NAND c 60 ~ 70 слоями.

3D NAND разработки Micron/IMFT второго поколения: планы по снижению себестоимости

3D NAND разработки Micron/IMFT второго поколения: планы по снижению себестоимости

Эр-Сюань Пин (Er-Xuan Ping), управляющий директор подразделения памяти и технологий в Silicon Systems Group компании Applied Materials, считает, что сегодняшние технологии травления (high aspect ratio etch) отверстий в огромном количество слоёв (которые отвечают за линии чисел — word lines), чтобы затем создать линии разрядов (bit line, в терминологии 3D NAND — NAND string), имеют ряд ограничений. Эти ограничения не позволяют травить отверстия в случае, когда количество слоёв превышает 60 ~ 70. Таким образом, для создания 3D NAND с 64 активными слоями предполагается применять технологию вертикального стекирования линий разрядов (string stacking). По сути, это означает установку готовых 3D NAND-изделий друг на друга с последующим межчиповым соединением, что позволит контроллеру «видеть» два устройства как одну микросхему и управлять ею соответствующим образом. Подобное объединение представляет собой чрезвычайно сложный процесс, поскольку пластины с микросхемами должны быть идеально выровнены. Преимущества подобного процесса также очевидны: он позволяет создавать NAND-сборки с сотнями слоёв и колоссальной ёмкостью.

«Это ограничение», — сказал господин Пин. «Каждая линия разрядов ограничена количеством слоёв или другими шагами технологического процесса».

Микросхемы NAND флеш-памяти в чистой комнате фабрики IMFT

Микросхемы NAND флеш-памяти в чистой комнате фабрики IMFT

Micron не единственная компания, которая объявила о массовом производстве микросхем NAND флеш-памяти с 64 слоями. Samsung и Toshiba/Western Digital также разработали свои 64-слойные устройства. Примечательно, что ни одна из трёх компаний не упомянула о string stacking в своих анонсах соответствующих микросхем. В отрасли ходят слухи, что Micron демонстрировала 64-слойный 3D NAND чип с соединёнными линиями разрядов некоторым своим партнёрам, но официально компания про это никогда не говорила. Очень может быть, что Micron и её конкуренты нашли способ травления глубоких отверстий с использованием существующего оборудования или просто решили не упоминать особенности производства в своих официальных документах.

Новые перспективы

Надо сказать, что 64-слойное поколение 3D NAND флеш-памяти станет не только существенным испытанием с точки зрения производства, но и во многом откроет новые горизонты. Дело в том, что ёмкость таких микросхем обещает быть очень высокой, причём планы Micron (и IMFT) здесь наиболее амбициозны (компания имеет большую гибкость в области увеличения ёмкости микросхем благодаря размещению логическим цепей микросхем под самой памятью, что экономит площадь ядра): каждая 3D TLC NAND-микросхема второго поколения компании будет иметь ёмкость 768 Гбит (96 Гбайт).

SSD на базе 3D NAND

SSD на базе 3D NAND

Официально Micron пока не анонсировала микросхемы памяти 3D NAND второго поколения, а потому мы не обладаем всей полнотой информации о них. Тем не менее, компания раскрыла ключевые особенности чипов. Во-первых, на IEEE International Solid-State Circuits Conference в феврале Micron описала микросхему 3D TLC NAND ёмкостью 768 Гбит. Во-вторых, на 34-й конференции NASDAQ для инвесторов в июне финансовый директор компании заявил, что микросхемы 3D NAND второго поколения увеличат вдвое ёмкость по сравнению с чипами первого поколения (т. е. с 384 Гбит до 768 Гбит). В-третьих, в этом месяце Micron подтвердила наличие 64 активных слоёв в своей памяти 3D NAND второго поколения. В компании рассчитывают, что увеличение ёмкости микросхем позволит Micron снизить себестоимость производства одного бита NAND флеш-памяти на 30 процентов.

Двукратное увеличение ёмкости 3D TLC NAND-микросхем до 768 Гбит может позволить Micron использовать такие чипы в MLC-конфигурации ёмкостью 512 Гбит (впрочем, сама Micron об этом никогда не говорила). Между тем значительное увеличение ёмкости имеет как плюсы, так и минусы. С одной стороны, они дают возможность создавать устройства хранения данных большой ёмкости в миниатюрных форм-факторах (например, односторонний модуль M.2 ёмкостью 3 Тбайт). С другой стороны, SSD небольшого объёма будут иметь крайне низкую производительность из-за отсутствия параллелизма при чтении и записи. В случае с первым поколением 3D NAND компании Micron пришлось отказаться от накопителей ёмкостью 120/128 Гбайт именно из-за потенциально низкой производительности последних. Может случиться, что в следующем году компании придётся отказаться от выпуска уже накопителей класса 240/256 Гбайт. Кроме того, радикальное повышение ёмкости может сказаться на уровне выхода годных и цене.

SSD производства Micron/Crucial

SSD производства Micron/Crucial

В отличие от Micron, её конкуренты формально анонсировали свои 64-слойные 3D NAND-микросхемы. Так, Samsung объявила о планах начать производство своих 64-слойных V-NAND четвёртого поколения в последнем квартале 2016 года. Новые чипы будут иметь трёхбитовую ячейку (TLC), ёмкость 512 Гбит (по всей видимости, MLC буду выпускаться в виде отдельных микросхем или иметь меньшую ёмкость). Как только Samsung опробует V-NAND четвёртого поколения на разного рода картах памяти и других съёмных накопителях, она будет использована для производства SSD в 2017 году.

Что касается Toshiba/Western Digital, то они поставляют свою 64-слойную BiCS NAND третьего поколения некоторым своим клиентам уже несколько месяцев. Более того, первая продукция на базе данных микросхем (съёмные накопители) должна сойти с конвейера уже в четвёртом квартале. Toshiba и Western Digital весьма осторожно подходят к увеличению ёмкости своих чипов NAND, а потому изначально BiCS3 будет поставляться в конфигурации TLC с ёмкостью 256 Гбит, но в дальнейшем ёмкость будет увеличена до 512 Гбит. Следует отметить, что Western Digital считает возможным использовать 64-слойную BiCS 3D NAND в твердотельных накопителях. Таким образом, в 2017 году мир, наконец, увидит SSD на базе 3D NAND под торговыми марками Toshiba и Western Digital.

Intel ввела в строй модернизированные линии на заводе Fab 28 в Израиле

Два года назад стало известно о планах компании Intel вложить в модернизацию завода Fab 28 в Израиле (Кирьят-Гат) порядка $6 млрд. Это весьма большая сумма на фоне того, что процессоры компании для ПК продаются с потерей в объёмах. Рынок персональных компьютеров сокращается, а Intel пока так и не смогла найти себя в условиях засилья планшетов и смартфонов. Тем не менее, финансирование освоено в полном объёме и на днях новые линии на заводе компании в Кирьят-Гате были торжественно открыты премьер-министром Израиля — Биньямином Нетаньяху (Benjamin Netanyahu).

Премьер-министр Израиля открывает обновлённые линии на заводе Fab 28 (Photo: Kobi Gideon / Government Press Office)

Премьер-министр Израиля открывает обновлённые линии на заводе Fab 28 (Photo: Kobi Gideon / Government Press Office)

В сообщении об этом событии не нашлось места упоминанию об объёмах расширенного производства и задействованному техпроцессу. По непроверенной информации, завод Fab 28 должен был выпускать 10-нм процессоры Intel. Добавим, с запуском новых линий произошла задержка не менее полугода. Также, поскольку официальный старт 10-нм продукции компании ожидается примерно через год, Intel может начать выпускать на Fab 28 14-нм процессоры, но это нам ещё предстоит уточнить. К слову, по нашим данным, трансформаторную подстанцию для расширенных мощностей Fab 28 помогала модернизировать компания из Харькова.

Завод Fab 28 в Кирьят-Гате (Intel)

Завод Fab 28 в Кирьят-Гате (Intel)

За всю многолетнюю историю работы в Израиле компания Intel вложила в экономику страны около $17 млрд. В следующие десять лет Intel собирается вложить в поддержку своей деятельности в Израиле ещё около $5 млрд. Отметим, первым зарубежным исследовательским центром компании за пределами США стал центр в Хайфе, открытый в 1974 году. Благодаря инженерам из Хайфы компания смогла создать дизайн процессоров Sandy Bridge, Ivy Bridge и Skylake. Предприятие в Израиле за всё время своей работы выпустило и экспортировало свыше одного миллиарда процессоров Intel, включая легенды в лице процессоров 8088 и Pentium MMX.

Ирландия ждёт новостей о сокращениях на заводе Intel

Новость о грядущих увольнениях в компании Intel взбудоражила зарубежных партёров компании. У Intel несколько фабрик за рубежом, в частности — завод в Ирландии и в Израиле. Согласно планам компании, должно быть уволено 12 тысяч человек — это примерно один из каждых десяти сотрудников компании. И это на фоне стагнации экономики во всех регионах, включая крупнейшие экономики мира — США и Китая.

Впрочем, китайский штат Intel вряд ли сильно пострадает. По сравнению с зарплатами в Ирландии и Израиле в Китае доходы у сотрудников компании существенно меньше, поэтому на них особенно не сэкономишь. К тому же Intel приступила к модернизации своего завода в Китае в городе Далянь, который будет выпускать память 3D NAND и 3D XPoint, на что компания потратит порядка $5 млрд. Это мало намекает на подготовку к сокращению персонала.

Ирландский завод компании Intel всегда был в центре внимания (Intel)

Ирландский завод компании Intel всегда был в центре внимания (Intel)

Беспокойство начали выражать источники в Ирландии. На компанию Intel в Ирландии работает примерно 5 000 человек. Из них 4 500 заняты на производстве — это завод Fab 24, а 500 человек работают в исследовательском центре (250 человек) и в ряде вспомогательных подразделений. В пропорциональном отношении в Ирландии рабочих мест могут лишиться 550 сотрудников компании. Для небогатой страны это существенно. В то же время, сообщают местные источники, угрозы закрытия фабрики пока нет. В компании чуть раньше приступили к модернизации ирландского завода и собираются потратить на это около $5 млрд. Но сокращений не избежать.

Работники ирландского завода Intel радуются инвестициям в 14-нм линии (Press Photographers Assoc. of Ireland)

Работники ирландского завода Intel радуются инвестициям в 14-нм линии (Press Photographers Assoc. of Ireland)

По данным местного издания Irish Times, руководство завода разослало уведомление, что об увольнениях будет сообщено 4 мая. Деталей пока нет, но будет предложен вариант добровольного увольнения с повышенным выходным пособием. Остальных сократят с выплатой предусмотренных для такого случая сумм. Официальные представители Intel в Ирландии отказались комментировать данную информацию. Что же, до 4 мая осталось недолго. Скоро всё прояснится. Кстати, поговаривают, что компания собирается сокращать управленцев среднего звена и инженеров.

Ирландская фабрика Intel начинает поставки 14-нм микросхем

Корпорация Intel объявила, что в прошедшем квартале начала производить микропроцессоры, используя технологию 14 нм с транзисторами с вертикально расположенным затвором (fin-shaped field effect transistor, FinFET) в производственном комплексе Fab 24 в Ирландии. Выход годных микросхем в первых партиях типично несколько ниже, чем в последующих, что повлияло на финансовые результаты компании.

В третьем квартале финансового 2015 года (закончился 26 сентября, 2015 года) корпорация Intel начала поставки процессоров поколения Skylake для различных типов компьютеров, включая настольные и мобильные. Кроме того, в третьем квартале компания увеличила продажи центральных процессорных устройств, произведённых при помощи технологического процесса 14 нм.

Intel Core i7-6700K

Intel Core i7-6700K "Skylake"

Согласно комментариям производителя микросхем, компания в очередной раз продала существенное количество дорогих процессоров Core i7 (судя по всему, принадлежащим к разным поколениям), что увеличило среднюю продажную стоимость (average selling price, ASP) центральных процессорных устройств и наборов логики для клиентских ПК на 15 % по сравнению с аналогичным периодом прошлого года и на 9 % по сравнению с предыдущим кварталом.

Несмотря на увеличение ASP, Intel не смогла существенно повысить валовую прибыль вследствие возросших расходов на производство. В частности, по причине относительно низкого выхода годных 14-нм микросхем на фабрике Fab 24 в Ирландии, а также большей стоимости производства по технологическому процессу 14 нм по сравнению с технологическим процессом 22 нм.

В производственном комплексе Intel Fab 24

В производственном комплексе Intel Fab 24

«Если вы посмотрите на реконструкцию валовой прибыли, то вы увидите, что у нас были хорошие новости, связанные с богатым набором проданной продукции», — сказал Стэйси Смит (Stacy Smith), финансовый директор Intel, в ходе телеконференции с инвесторами и финансовыми аналитиками. «Это было компенсировано увеличением расходов на 14-нм производство сверх наших ожиданий. Мы ожидали плохих новостей. Но мы получили немного более плохие новости, чем мы предвидели, что стало результатом начала производства на фабрике в Ирландии раньше [планируемого]. Первые подложки с фабрики были довольно дорогими, что повлияло на общую себестоимость в компании».

Ранее Intel производила микросхемы используя технологические процессы с транзисторным затвором шириной 14 нм в производственных комплексах D1D/D1C и D1X в Хиллсборо (штат Орегон) и в Fab 12/32 в Чандлере (штат Аризона). В начале прошлого года корпорация Intel отложила установку оборудования в новую Fab 42 в городе Чандлер, однако оставила нетронутыми планы по конверсии фабрики Fab 24 в Лейкслипе, Ирландия. Судя по всему, модернизация Fab 24 завершена, а производство начато раньше запланированного срока.

«Затраты на 14-нм производство довольно быстро снижаются, однако [процент] 14-нм микросхем в [поставляемом ассортименте] становится выше», — сказал господин Смит. «При этом 14-нм [чипы] всё еще дороже, чем 22-нм [изделия]».

В производственном комлексе Intel

В производственном комлексе Intel

По мере того, как использование комплекса Fab 24 будет возрастать, себестоимость продукции будет падать. Кроме того, благодаря методологии Copy Exactly рост выхода годных кристаллов на всех фабриках Intel происходит примерно в одно время. Как следствие, себестоимость 14-нм микросхем со временем станет аналогичной процессорам, произведённым по технологии 22 нм.

За минувший квартал доход Intel составил $14,5 млрд, чистая прибыль — $3,1 млрд, в то время как валовая прибыль поднялась до 63 процентов.

Intel: Планы выхода 10-нм микросхем будут обнародованы в этом году

Корпорация Intel показала первые в мире 300-мм подложки, обработанные по технологии 10 нм, в сентябре прошлого года. Несмотря на то, что разработка 10-нм технологического процесса фактически завершена, Intel в последние месяцы вела себя особенно скрытно во всём, что касается планов по выпуску микросхем в рамках данной технологии. Тем не менее компания планирует приоткрыть завесу тайны позже в этом году.

«Разработка 10-нм техпроцесса прогрессирует очень хорошо, — сказала Рене Джеймс (Renee James), президент Intel на ежегодной встрече с акционерами компании. — Во втором полугодии вы увидите увеличение расходов, связанных с подготовкой к производству 10-нм продукции. Мы расскажем о времени выхода 10-нм процессоров на рынок в конце этого – начале следующего года».

300-мм кремниевая подложка с интегральными схемами Intel

300-мм кремниевая подложка с интегральными схемами Intel

Intel пока не раскрыла каких-либо данных о своём 10-нм технологическом процессе. Единственное, что достоверно известно о 10-нм технологии изготовления микросхем Intel, это ключевые цели компании: увеличить плотность транзисторов и уменьшить стоимость каждого транзистора. Довольно очевидно, что в планах Intel – продолжение уменьшения размеров транзисторов, межблочных соединений и других составляющих микросхем, что увеличивает производительность, снижает энергопотребление и уменьшает себестоимость транзисторов. К сожалению, делать достоверные предположения о степени готовности 10-нм технологического процесса Intel на сегодняшний день невозможно, поскольку последние неофициальные сообщения противоречат друг другу.

Планомерное снижение стоимости транзисторов

Планомерное снижение стоимости транзисторов

В апреле появилась информация о том, что Intel отложила покупку оборудования, необходимого для начала массового производства 10-нм микросхем, в производственном комплексе fab 28 в Кирьят-Гат (Израиль) с марта на декабрь. Покупка оборудования является частью плана модернизации фабрики, стоимость которой оценена в $6 млрд. Промедление может потенциально задержать массовое производство чипов с использованием 10-нм техпроцесса на fab 28, которая должна стать первой фабрикой компании, массово выпускающей микросхемы по нормам 10 нм.

В мае был опубликован слайд, предположительно из документа Intel для партнёров, согласно которому компания предполагает начать коммерческие поставки процессоров Cannonlake для мобильных устройств в середине 2016 года. Производственный цикл процессоров с FinFET-транзисторами составляет около трёх месяцев, что означает, что производство должно начаться в начале 2016.

Предположительный перспективный план Intel

Предположительный перспективный план Intel

В настоящее время Intel заканчивает создание пилотной линии для изготовления микросхем по нормам 10 нм в производственном комплексе D1X в Хиллсборо, штат Орегон. Линия будет введена в эксплуатацию в ближайшее время и позволит компании получить максимально возможную информацию об особенностях массового производства своих 10-нм процессоров (таких как Cannonlake, Knights Landing и других). После того как Intel изучит все необходимые данные, отладит оборудование, приведёт эксплуатационные характеристики микросхем к требуемым значениям и достигнет целевого уровня выхода годных кристаллов, компания начнёт переносить 10-нм технологию на другие фабрики (в случае с 10 нм – на fab 28), запустив процесс, известный как Copy Exactly!.

Методология точного копирования конфигурации производственной линии была представлена Intel в конце 1980-х годов. Copy Exactly! требует полного соответствия конфигурации и настроек оборудования; одинакового состава химических растворов, применяемых в производстве; а также множества других вещей. Одна из целей Copy Exactly! – унификация качества, надёжности, производительности и уровня выхода годных продуктов Intel во всех производственных комплексах компании по всему миру. Другая – возможность изменять параметры производства одновременно на всех фабриках, синхронно улучшая какие-либо из них. Запуск процесса Copy Exactly! является важнейшей вехой на пути к массовому производству микросхем.

В случае если производственный комплекс fab 28 получит новое оборудование только в декабре 2015 года, то его установка и настройка (по технологии CE!) займут время (обычно — несколько месяцев). Как следствие, вряд ли Intel сможет начать массовое производство микросхем Cannonlake в начале 2016 года на fab 28. Разумеется, компания сможет продавать микросхемы, произведённые на фабрике D1X, однако их объёмы будут весьма невелики.

Микросхема Intel

Микросхема Intel

Очень вероятно, что Intel раскроет первые подробности о своей технологии 10 нм на предстоящем форуме разработчиков — Intel Developer Forum — в середине августа. Что касается примерных сроков выхода 10-нм решений на рынок, то данная информация будет обнародована позднее. Впрочем, сам факт того, что Intel поднимает тему введения новых технологических норм в эксплуатацию, свидетельствует об уверенности компании в своём 10-нм техпроцессе.

Intel не хочет говорить о точных сроках появления 10-нм микропроцессоров

Хотя корпорация Intel неоднократно подтверждала разработку 10-нм технологического процесса, а также соответствующих микропроцессоров, компания никогда не стремилась рассказать о точных сроках появления новых микросхем на рынке. В конце января один из руководителей Intel на Ближнем Востоке обмолвился, что первые 10-нм чипы следует ждать в начале 2017 года, однако на прошлой неделе компания отозвала своё заявление.

«Мы планомерно следуем по намеченному законом Мура пути, это было ядром наших инноваций последние 40 лет», — сказал Тага Халифа (Taha Khalifa), генеральный менеджер Intel в регионе Ближнего Востока и Северной Африки, в интервью Gulf News. «Ожидается, что 10-нм микросхемы будут выпущены в начале 2017 года».

Планы Intel по освоению новых технологических процессов

Лидерство Intel по освоению новых технологических процессов

С тех пор, как Intel официально подтвердила, что внедрит 10-нанометровую технологию производства согласно графику, а также анонсировала планы по модернизации производственного комплекса Fab 28 (Кирьят Гат, Израиль) для изготовления 10-нм чипов, ожидалось, что компания начнёт производство центральных процессоров, известных под кодовым названием Cannonlake, во второй половине 2016 года.

Ожидания были обусловлены каденцией представления новых микропроцессоров Intel каждый год (также известная, как стратегия «Тик-Так»), принимая во внимание тот факт, что чипы Skylake должны появиться во второй половине 2015.

Считается, что микропроцессоры Cannonlake унаследуют микроархитектуру Skylake, но получат более высокие тактовые частоты и/или снижение энергопотребления благодаря более тонкому технологическому процессу. Если верить заявлению регионального руководителя Intel, то такие процессоры должны были бы начать производиться в четвертом квартале 2016 года, чтобы быть представленными в начале 2017. Хотя начало использования 10-нм технологических норм в таком случае произошло бы несколько позже ожидаемого, освоение новейшего техпроцесса всё равно бы началось на несколько кварталов раньше, чем у конкурентов гиганта.

К сожалению, на прошлой неделе крупнейший производитель микропроцессоров в мире отказался от своего комментария и сказал, что его 10-нм микросхемы «находятся в стадии разработки» и что компания в настоящее время не хочет обсуждать сроки появления соответствующей коммерческой продукции на рынке по соображениям конкурентных преимуществ.

Несмотря на то, что официально Intel не хочет рассматривать первый квартал 2017 года как срок появления процессоров Cannonlake, учитывая всё вышесказанное, было бы логичным ожидать начало их производства в конце следующего года и появление на рынке в первой половине 2017 года. Принимая во внимание, что модернизация производственного комплекса в Кирьят Гат ещё не началась, сложно ожидать начало массового производства Cannonlake ранее, чем под конец 2016. Впрочем, Intel всегда начинает изготовление чипов в комплексах D1X/D1D (Хиллсборо, Орегон, США), которые применяются для отработки массового производства по новейшим техпроцессам. В случае необходимости компания может начать продажи продукции с D1X/D1D до начала производства на других фабриках.

"Чистая" комната внутри производственного комплекса Intel

Так или иначе, но учитывая тот факт, что Intel традиционно впереди всех своих конкурентов по внедрению новейших техпроцессов, весьма вероятно, что производитель чипов станет первым в индустрии, кто задействует технологические нормы 10 нм. Такие компании, как TSMC, Samsung и GlobalFoundries планируют начать применять 10-нм техпроцессы именно в 2017 году. А значит, Intel просто обязана сделать это раньше.

В сентябре прошлого года корпорация Intel впервые показала 300-мм подложки, обработанные по технологии 10-нм. К сожалению, тогда Intel не рассказала каких-либо подробностей о новейшем технологическом процессе. Единственное, что в настоящее время известно о 10-нм техпроцессе Intel, это то, что он будет продолжать использовать транзисторы FinFET с вертикально расположенным затвором, но не будет задействовать EUV фотолитографию.

TSMC приступила к строительству шестой очереди Fab 14

TSMC Fab 14

Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) продолжает строительство новых объектов завода Fab 14 по выпуску 300-мм кремниевых пластин, находящегося в Южном научном парке Тайваня (The Southern Taiwan Science Park, STSP). В конце прошлой недели 23 ноября компания провела церемонию закладки первого кирпича в фундамент шестой очереди Fab 14. К началу строительства следующей седьмой очереди завода, по словам исполнительного вице-президента Санг-Ю Чианга (Shang-Yi Chiang), компания приступит в первом квартале 2013 года.

Санг-Ю Чианг сообщил, что в настоящее время персонал производственных объектов TSMC в Южном научном парке Тайваня насчитывает около 9 тысяч человек. На этих объектах в 2011 г. была выпущена продукция стоимостью 180 млрд новых тайваньских долларов ($6 млрд), что составило около 42% общей выручки компании.

Как утверждает Чианг, завод Fab 14 станет первым в мире предприятием, освоившим массовый выпуск SoC-решений с использованием 20-нм техпроцесса, а также первым предприятием компании по выпуску 300-мм кремниевых пластин, где приступят к массовому производству продукции с использованием 16-нм FinFET техпроцесса. В течение ближайших пяти лет компания планирует инвестировать в объекты, находящиеся на территории STSP, порядка 500 млрд новых тайваньских долларов, что позволит создать 7 тысяч новых рабочих мест.

Материалы по теме:

Правительство Тайваня поможет TSMC перейти на 450-мм пластины

Переход на использование 450-мм кремниевых пластин, который должен привести за собой существенное снижение себестоимости интегральных микросхем, оказывается очень дорогостоящей затеей. Настолько дорогой, что даже ведущие мировые чипмейкеры уровня тайваньской компании TSMC вынуждены обращаться за помощью в финансировании к государству. Согласно сообщению информационного агентства Reuters, правительство Тайваня одобрила заявку местной Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. о выделении денежных средств на строительство фабрики по выпуску микросхем из 450-мм пластин.

План, одобренный комитетом по экономическому планированию и развитию Тайваня, предусматривает выделение средств в размере $8 – 10 млрд на инвестиции в развитие промышленного комплекса TSMC. Согласно прогнозам, инвестиции приведут к созданию завода, выпускающего к 2019 году продукции на сумму около $6,7 млрд в год.

В 2011 году компания TSMC уже обнародовала план по запуску первой производственной 450-мм линии на своей фабрике Fab 12 в городе Синчу, Тайвань. Этот проект должен завершиться к 2013 году, после чего стартует строительство полноценного завода Fab 15 в тайваньском Тайчунге, работающего именно c 450-мм кремниевыми пластинами.

На пилотной линии на заводе Fab 12 будет освоен технологический процесс с топологической нормой 20 нанометров. Фабрика в Тайчунге будет выпускать уже 14-нм интегральные микросхемы.

Материалы по теме:

TSMC начала строительство пятой очереди Fab 14

Компания 9 апреля TSMC провела церемонию закладки первого кирпича в фундамент пятой очереди (Phase 5) завода Fab 14, расположенного в Южном научном парке Тайваня (The Southern Taiwan Science Park, STSP). Так же, как и шестая очередь (Phase 6) комплекса Fab 12 в научном парке Хсинчу (Hsinchu Science Park), новый модуль Phase 5 предназначен для выпуска продукции с использованием 20-нм техпроцесса.

TSMC Fab 14

Запуск шестой очереди комплекса Fab 12 в Хсинчу намечен на 2013 год, а старт выпуска продукции пятой очередью Fab 14 запланирован на начало 2014 года. Согласно данным источников Digitimes, только «чистые комнаты» (изолированные производственные помещения, где поддерживаются стерильные условия с возможностью контроля целого ряда параметров, включая влажность, температуру и давление) пятой и планируемой шестой очередей Fab 14 будут занимать площадь около 87 тысяч квадратных метров, что в четыре раза больше габаритов обычной фабрики по выпуску 300-мм кремниевых пластин.

Fab 14 является вторым заводом TSMC по производству 300-мм пластин (первый — Fab 12). Его первая очередь была запущена в 2004 году. В настоящее время производственная мощность четырех очередей завода составляет 550 тысяч пластин в квартал, что позволяет считать его крупнейшим в мире среди предприятий по выпуску данной продукции. По оценкам экспертов, выручка от выпуска продукции четырьмя очередями Fab 14 составляет около $6 млрд в год. После завершения строительства пятая и шестая очереди Fab 14, как ожидается, будут приносить не меньший доход.

Материалы по теме:

GlobalFoundries раскрыла планы по освоению 22-нм техпроцесса

Один из крупнейших контрактных производителей микросхем, компания GlobalFoundries, продолжает осваивать все более тонкие техпроцессы. В соответствии с намеченным графиком, фирма планирует прийти к 22-нм производству к 2012 году. Ранее предполагалось, что выпуск подобных микросхем будет налажен после запуска фабрики Fab 8, строительство которой ведется в данный момент в Нью-Йорке, однако, если верить главному менеджеру Fab 1 Юдо Нотелферу (Udo Nothelfer), первые 22-нм продукты от GlobalFoundries могут появиться и раньше.
GlobalFoundries
Представитель компании заявил, что Fab 1 не только перейдет на использование 32-нм и 28-нм технологий до конца этого года, но и займется активным освоением 22-нм техпроцесса. Связано это в первую очередь с желанием «обкатать» тонкую технологию до начала массового производства микросхем на Fab 8. Кроме того, GlobalFoundries уверена, что 22-нм чипы будут востребованы заказчикам раньше, чем будет завершено строительство новой фабрики. Словом, миниатюризация приходит в нашу жизнь даже быстрее, чем мы рассчитывали. Материалы по теме: Источник:

Строительство фабрики Globalfoundries Fab 2 началось

Компания Globalfoundries начала строительство своей второй фабрики по производству интегральных микросхем памяти - расположенной близ Нью-Йорка в технопарке Luther Forest Technology Campus фабрики Fab 2. Если верить утвержденным планам, на строительство завода будет потрачено $4,2 млрд.
GlobalFoundries Fab 2
Возведение промышленных зданий займет три года, в октябре 2011 года Globalfoundries рассчитывает начать установку оборудования, в начале 2012 года будет проведено тестирование производственного оборудования, а во второй половине 2012 года будут изготовлены первые интегральные микросхемы, предназначенные для продажи. Непосредственно на предприятии будут работать полторы тысячи сотрудников, занятых непосредственно на производстве, и около пяти тысяч сотрудников вспомогательного персонала. Как мы уже сказали, компания Globalfoundries планирует потратить $4,2 млрд на строительство, оснащение оборудованием и подготовку технологий изготовления интегральных микросхем. Но на этом расширение промышленного ресурса не заканчивается - компания Globalfoundries рассчитывает вложить средства и в модернизацию одной из фабрик, доставшихся ей от AMD - GlobalFoundries Module 2. Что интересно, хотя затраты на оплату труда сотрудников близ Нью-Йорка значительно выше, нежели затраты многих азиатских компаний, чипмейкер будет делать ставку на разработку и внедрение новых методов производства, чтобы поставлять своим клиентам как можно более качественную и прогрессивную продукцию.
GlobalFoundries
По плану, после окончания всех подготовительных работ на фабрике Fab 2 будут изготовлять интегральные микросхемы, в первую очередь речь идет о центральных процессорах компании AMD, по 28-нм технологическому процессу. В дальнейшем планируется освоить и 22-нм технологический процесс "кремний-на-изоляторе". Впрочем, в списке партнеров Globalfoundries будут значиться и другие клиенты, помимо AMD. Пока информация о том, что будет очередным клиентом чипмейкера, остается недоступной, но Globalfoundries обещает предоставить отсутствующие пока сведения общественности на следующей неделе. При этом слухи говорят нам, что этой компанией может стать разработчик графических процессоров, компания NVIDIA. Если вспомнить, что Globalfoundries выбрала в качестве своего главного конкурента тайваньскую TSMC, которая является давним партнером калифорнийской NVIDIA, то подтверждение слухов можно рассматривать в качестве значительной победы Globalfoundries. Стоит заметить, что стратегия Globalfoundries значительно отличается от стратегии TSMC. Если последняя работает с большим количеством компаний, в том числе и небольшими фирмами-стартапами, то Globalfoundries будет ориентироваться на привлечение небольшого числа - около двадцати - крупных компаний. При этом на пользу Globalfoundries должна сыграть близость к европейским и североамериканским разработчикам интегральных микросхем. Материалы по теме: - GlobalFoundries осваивает 22-нм техпроцесс;
- Intel публично "пригрозила" AMD.

Завод Intel в Китае сразу будет выпускать 65-нм чипы

Кирби Джефферсон (Kirby Jefferson), руководитель строящегося в Китае завода Fab 68, заявил, что Intel приняла решение сразу же подготавливать производство к выпуску продукции по 65-нм нормам на 300-мм подложках, а не по 90-нм, как планировалось ранее. Джефферсон утверждает, что компания уже получила соответствующее разрешение от правительства США. По его словам, строительство завода идет в соответствии с намеченным графиком, который предусматривает окончание строительных работ в третьем квартале текущего года, монтаж оборудования в четвертом квартале и начало производства в 2010 г. Общий объем инвестиций, вложенных Intel в проект с момента его начала в 2007 г., оценивается в сумме 2,5 млрд долл. Численность персонала, уже работающего на Fab 68, составляет 500 человек, а по мере начала производства это количество планируется увеличить до 1200-1500 сотрудников. Ожидается, что основной продукцией завода станут чипы для компьютеров массового применения, каковыми, по словам Джефферсона, к тому времени станут ультратонкие ноутбуки. Таким образом, позиция производства Intel в Китае будет выглядеть достаточно выигрышно по сравнению с тайваньскими TSMC и UMC, которым правительство пока что не разрешает выпускать в этой стране чипы по техпроцессам менее 0,18 мкм. В то же время, в июне руководство Тайваня намеревалось пересмотреть ограничения на инвестиции в 300-мм китайские полупроводниковые заводы. Материалы по теме: - Intel начала строить 300-мм фабрику в Китае;
- Intel готова потратить $7 млрд на новые фабрики.

Globalfoundries начинает строительство фабрики в Нью-Йорке

Новый производитель интегральных микросхем, компания Globalfoundries, основанная только в 2009 году на базе двух дрезденских фабрик AMD, планирует стать одним из крупнейших мировых чипмейкеров. В качестве своих прямых конкурентов руководство Globalfoundries рассматривает такие крупные предприятия, как тайваньскую TSMC и южнокорейскую Samsung.
Luther Forest
Технопарк Luther Forest
Но для успешного достижения поставленных амбициозных целей чипмейкеру необходимо не только своевременно проводить исследования по разработке новых технологий изготовления интегральных микросхем. С этим у компании сегодня проблем нет – на прошедшей выставке Computex 2009 общественности показали кремниевые пластины со сформированной на них структурой 45-нм, 32-нм и даже 28-нм микросхем. Не менее важным является и расширение производственной базы. Это является обязательным фактором для привлечения большого числа крупных клиентов и наращивания объемов выпуска полупроводниковой продукции.
Globalfoundries Fab 2
Фабрика Globalfoundries Fab 2
Основным направлением для наращивания производственного ресурса в данный момент является строительство комплекса Fab 2 в технопарке Luther Forest Technology Campus (LFTC), находящегося около Нью-Йорка. Именно эта фабрика станет одной из самых передовых и крупных в мировом масштабе, и существенно усилит производственные возможности Globalfoundries. И теперь уже можно не сомневаться, что строительство комплекса переходит в фазу активных действий – завершены все необходимые административные процедуры. Практически завершена процедура покупки земельного участка площадью 223 акра, на которых и будет располагаться завод; подписан контракт с компанией, которая займется подготовкой площадки под строительство сооружений. Ожидается, что в течение двух лет будет полностью завершено строительство помещений. Еще от двенадцать до восемнадцать месяцев уйдет на подготовку фабрики к старту производственного цикла. И уже в 2012 году ожидается начало серийного изготовления интегральных микросхем. Материалы по теме: - AMD выпустит 32-нм чипы производства Foundry Co. в 2010 году;
- Акционеры AMD одобрили образование The Foundry Company;
- AMD против Intel - конкуренция возобновляется.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥