Intel первой разработала явно дезагрегированную чиплетную архитектуру — серверные GPU Ponte Vecchio для приложений ИИ и высокопроизводительных вычислений состояли из 47 чиплетов. Этот продукт до сих пор удерживает рекорд по количеству элементов в многослойной архитектуре, но Intel Foundry планирует нечто гораздо более экстремальное: многочиплетный корпус, объединяющий не менее 16 вычислительных элементов на восьми базовых кристаллах и 24 стека памяти HBM5.

Лучшие игры 2025 года: выбор читателей и редакции

Процессоры за 30 тысяч рублей — большой сравнительный тест

Итоги 2025-го: ИИ-лихорадка, рыночные войны, конец эпохи Windows 10 и ещё 12 главных событий года

Ryzen 9 против Core i9 и Core Ultra 9: большой тест флагманcких процессоров

Обзор ноутбука TECNO MEGABOOK S14 (S14MM): OLED с HDR как новая норма

Самые ожидаемые игры 2026 года

Лучшие ИИ-сервисы и приложения 2025 года: боты одолевают

Источник изображений: Intel

Предполагается, что такая конструкция будет иметь возможность 12-кратного масштабирования до самых больших чипов для ИИ на рынке (12-кратный размер фотошаблона, превосходящий 9,5-кратный размер фотошаблона TSMC).

Концептуальный многочиплетный корпус Intel 2.5D/3D демонстрирует 16 больших вычислительных элементов (движков искусственного интеллекта или процессоров), изготовленных по технологическому процессу Intel 14A или даже более сложному 14A-E (1,4 нм, расширенные возможности, транзисторы RibbonFET 2 второго поколения с круговым затвором, улучшенная система питания PowerVia Direct с обратной стороны). Вычислительные элементы расположены поверх восьми (предположительно, размером с фотошаблон) базовых вычислительных кристаллов, изготовленных по техпроцессу 18A-PT (1,8 нм, повышенная производительность за счёт сквозных кремниевых соединений TSV и системы питания с обратной стороны), которые могут либо выполнять дополнительную вычислительную работу, либо содержать большой объём кэш-памяти SRAM для «основных» вычислительных кристаллов, как показано в примере Intel.

Базовые кристаллы в такой конструкции соединены с вычислительными блоками с помощью передовой технологии упаковки Foveros Direct 3D, использующей сверхплотное гибридное соединение медных контактов толщиной менее 10 мкм для обеспечения максимальной пропускной способности и энергоэффективности верхних кристаллов.

Базовые кристаллы используют EMIB-T (улучшенная версия Embedded Multi-Die Interconnect Bridge с TSV), а сверху — UCIe-A для боковых (2.5D) межсоединений между собой и с кристаллами ввода-вывода, изготовленными по технологии 18A-P (1,8 нм, с улучшенной производительностью), а также с изготовленными по заказу того или иного клиента базовыми кристаллами, что позволяет разместить до 24 стеков памяти HBM5.

Примечательно, что Intel предлагает использовать EMIB-T с интерфейсом UCIe-A для подключения специализированных модулей HBM5, а не стеки HBM5 стандарта JEDEC с традиционным отраслевым интерфейсом, что, возможно, призвано повысить производительность и ёмкость. Учитывая концептуальный характер разработки, использование специализированных стеков HBM5 не является обязательным требованием проектирования. Это лишь способ показать, что Intel также может интегрировать такие чипы.

Весь пакет также может поддерживать PCIe 7.0, интерфейс 224G SerDes, некогерентные коммутационные сети, содержать оптические модули и собственные ускорители для таких задач, как безопасность, а также память LPDDR5X для увеличения ёмкости DRAM.

Intel Foundry продемонстрировала два концепта: «среднего масштаба» с четырьмя вычислительными блоками и 12 модулями HBM и «экстремальный» — с 16 блоками и 24 стеками HBM5, о котором говорится в данной заметке. Даже конструкция среднего масштаба достаточно продвинута по сегодняшним стандартам, и Intel может производить её уже сегодня.

Что касается экстремального варианта, он может появиться к концу десятилетия, когда Intel усовершенствует не только технологию 3D-упаковки Foveros Direct, но и свои производственные узлы 18A и 14A. Возможность производить такие корпуса чипов экстремального размера к концу десятилетия поставит Intel на один уровень с TSMC, которая планирует нечто подобное и даже ожидает, что по крайней мере некоторые клиенты будут использовать её решения для интеграции компонентов размером с целую кремниевую пластину примерно в 2027–2028 годах.

Спрос на ускорители вычислений Nvidia растёт опережающими темпами, и одной из причин непропорционального увеличения предложения являются проблемы с упаковкой чипов на мощностях TSMC. Представители Intel утверждают, что решения клиентов TSMC с упаковкой типа CoWoS можно без проблем перенести на фирменную технологию Foveros.

Итоги 2025-го: ИИ-лихорадка, рыночные войны, конец эпохи Windows 10 и ещё 12 главных событий года

Лучшие игры 2025 года: выбор читателей и редакции

Обзор ноутбука TECNO MEGABOOK S14 (S14MM): OLED с HDR как новая норма

Ryzen 9 против Core i9 и Core Ultra 9: большой тест флагманcких процессоров

Самые ожидаемые игры 2026 года

Процессоры за 30 тысяч рублей — большой сравнительный тест

Лучшие ИИ-сервисы и приложения 2025 года: боты одолевают

Источник изображения: Intel

Об этом в переписке с группой репортёров, как сообщает EE Times, заявил недавно Марк Гарднер (Mark Gardner), вице-президент Intel Foundry по упаковке и тестированию: «Что касается Foveros, то она способна обеспечить бесшовный переход. Мы взяли продукты, которые используют технологию CoWoS, и прямым образом портировали их без каких-либо изменений в дизайне на технологию Foveros».

Если учесть, что чипы для ускорителей вычислений Nvidia используют технологию упаковки CoWoS, есть вероятность их успешного переноса на конвейер Intel Foundry — хотя бы на стадии упаковки и тестирования. Важно, что тем самым Nvidia быстрее исключит транспортировку кремниевых пластин на Тайвань при условии их предварительной обработки в США на предприятии TSMC в Аризоне. То есть, политические факторы могут сыграть Intel на руку сильнее, чем технологические или экономические.

По словам представителя Intel, компания с прошлого года выпускает решения, которые изначально разрабатывались под CoWoS, но позже были приспособлены под фирменные технологии EMIB или Foveros. Для потенциальных клиентов это важно, как добавил Гарднер, поскольку это не вынуждает их долго ждать адаптации дизайна своих компонентов под возможности нового подрядчика. Внутри Intel есть команда специалистов, которые взаимодействуют с TSMC, Samsung, SK hynix и Micron в вопросах унификации правил дизайна, позволяющих использовать интерфейсы в сложной пространственной компоновке чипов с минимальными изменениями при переносе с одного конвейера на другой.

Как признался Гарднер, компания Intel разработала технологию упаковки EMIB-T с использованием межслойных соединений, которая позволяет создавать чипы с трёхмерной компоновкой и высокой пропускной способностью интерфейсов без высокого энергопотребления. Клиенты Intel уже готовы использовать эту технологию в последующие год или два. Впрочем, имена своих клиентов контрактное подразделение Intel до сих пор раскрывает неохотно, и в конкретной беседе с представителями EE Times упоминались только Mediatek и AWS (Amazon).

Эксперты TechInsights утверждают, что Intel не особо продвигает свои возможности по контрактной упаковке чипов, тогда как компания располагает не только передовыми технологиями в этой сфере, но и свободными производственными мощностями. Траектория развития полупроводниковой отрасли такова, что на нынешнем этапе упаковке важно уделять внимание, поскольку она позволяет эффективно повышать производительность компонентов без видимого прогресса в литографии.

Intel торжественно открыла в городе Рио-Ранчо (шт. Нью-Мексико, США) завод Fab 9 — предприятие запущено в рамках инвестиционной программы с бюджетом $3,5 млрд, направленной на организацию производства с использованием передовых решений в области упаковки чипов, в том числе технологии 3D-упаковки Intel Foveros, предлагающей гибкие возможности компоновки чиплетов с оптимизацией по мощности, производительности и стоимости.

Обзор ноутбука TECNO MEGABOOK S14 (S14MM): OLED с HDR как новая норма

Самые ожидаемые игры 2026 года

Ryzen 9 против Core i9 и Core Ultra 9: большой тест флагманcких процессоров

Лучшие ИИ-сервисы и приложения 2025 года: боты одолевают

Лучшие игры 2025 года: выбор читателей и редакции

Процессоры за 30 тысяч рублей — большой сравнительный тест

Итоги 2025-го: ИИ-лихорадка, рыночные войны, конец эпохи Windows 10 и ещё 12 главных событий года

Источник изображений: intc.com

Расположенные в Рио-Ранчо заводы Fab 9 и Fab 11x составляют первую действующую площадку для массового производства чипов с передовой 3D-упаковкой Intel, образуя сквозной производственный процесс, направленный на формирование эффективной цепочки поставок. Полупроводниковая промышленность вступает в эпоху гетерогенных решений, предусматривающей сочетание нескольких чиплетов в одном корпусе с передовыми технологиями, такими как Foveros и EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge) — они представляют эффективный способ достичь 1 трлн транзисторов на чипе, продлевая действие закона Мура в следующее десятилетие.

Технология 3D-упаковки Intel Foveros — первое в своём роде решение, позволяющее создавать процессоры, тайлы в которых располагаются не рядом, а вертикально. Это поможет Intel и её заказчикам комбинировать вычислительные модули для оптимизации затрат и энергоэффективности. Инвестиционная программа Intel в Рио-Ранчо с бюджетом $3,5 млрд позволила создать 3000 рабочих мест на строительстве и ещё 3500 — по всему штату.