Samsung возлагает большие надежды на 2-нанометровый производственный процесс. Оба предприятия компании должны освоить массовое производство по этому техпроцессу до конца года. В случае успеха Samsung рассчитывает перехватить часть заказов у TSMC и переломить негативное развитие событий для своего полупроводникового подразделения.

Источник изображения: Samsung

Предыдущий опыт Samsung с транзисторами GAA (Gate-all-Around) должен помочь ей быстрее отладить 2-нанометровый техпроцесс. В 2024 году Samsung стала первой компанией в мире, которая смогла массово применять технологию GAA-транзисторов для производства чипов. Samsung приступила к исследованию технологии GAA ещё в начале 2000-х годов и впервые внедрила её для своего 3-нм техпроцесса в 2022 году.

Однако из-за мировой экономической нестабильности, высокой стоимости производства, а также ограниченной клиентской базы в таких секторах, как мобильные устройства, спрос на 3-нм техпроцесс Samsung оказался несущественным. Как результат, лидерство в производстве 3-нм чипов перешло к тайваньскому контрактному производителю чипов TSMC, который использует более традиционные (и дешёвые) методы производства транзисторов.

Теперь Samsung вынуждена сделать ставку на 2-нанометровый техпроцесс после того, как 3-нанометровая технология не получила должной популярности у заказчиков. Компания на протяжении последнего времени пытается получить достаточно значимые заказы от крупных разработчиков микросхем на фоне практически абсолютного доминирования TSMC. На данный момент Samsung, в дополнение к производству собственного чипа Exynos 2600, удалось заключить договор на производство 2-нм чипов для японской компании Preferred Networks.

TSMC, в свою очередь, планирует начать массовое производство по 2-нанометровому техпроцессу на своих заводах в Баошане и Гаосюне на Тайване в конце этого года. Предприятия TSMC станут первыми фабриками, на которых будет применена технология GAA к узлу 2-нм. Похоже, что Samsung не удалось сохранить лидерство в этой сфере.

Судя по многочисленным сообщениям, выход годных чипов по 2-нанометровой технологии TSMC уже достиг 70 %, что ставит её в очень выгодное положение для начала массового производства. Неудивительно, что такие крупные компании, как Apple, Nvidia, Qualcomm и AMD, рассматривают TSMC в качестве основного поставщика чипов.

Ближайшие полгода покажут, сможет ли Samsung возродить доверие к своему полупроводниковому производству для возвращения таких заказчиков, как Nvidia и Qualcomm.

Компания Samsung разрабатывает транзисторы GAA (Gate-all-Around) нового поколения, которые будут применяться в чипах, производимых по её 2-нм техпроцессе. Компания планирует внедрить технологию в следующем году. Об этом сообщает южнокорейское издание Business Korea, ссылающееся на свои источники в отрасли.

Источник изображений: Samsung

Со ссылкой на свои источники издание также отмечает, что Samsung собирается представить доклад о третьем поколении технологии GAA для своего 2-нм техпроцесса (SF2) в рамках конференции по вопросам полупроводниковых технологий VLSI Symposium 2024, которая будет проходить на Гавайях с 16 по 20 июня.

Технология GAA, которую первой в мире поставила на коммерческие рельсы именно компания Samsung, это технология производства транзисторов с затвором, который полностью окружает канал. Поскольку с каждым переходом на новый техпроцесс транзисторы в составе полупроводника становятся меньше, контролировать движение тока в них становится всё сложнее. Однако GAA предлагает совершенно новую архитектуру транзистора, которая позволяет повысить его энергоэффективность.

В настоящий момент Samsung является единственной компанией в мире, которая может массово применять технологию GAA-транзисторов для производства чипов. Она приступила к исследованию GAA ещё в начале 2000-х годов и впервые внедрила её для своего 3-нм техпроцесса в 2022 году. Однако из-за мировой экономической нестабильности, высокой стоимости производства, а также ограниченной клиентской базы в таких секторах, как мобильные устройства, спрос на 3-нм техпроцесс Samsung оказался несущественным. Как результат, лидерство в производстве 3-нм чипов перешло к тайваньскому контрактному производителю чипов TSMC, который использует более традиционные (и дешёвые) методы производства транзисторов.

В ответ Samsung готовит второе поколение транзисторов GAA для 3-нм техпроцесса, которое она собирается представить в течение этого года. А в следующем году компания представит третье поколение GAA для 2-нм техпроцесса, чтобы закрепить лидерство в этом направлении. TSMC и Intel тоже планируют в конечном итоге перейти на использование технологии GAA с переходом на 2-нм техпроцесс производства, но случится это позже, чем у Samsung. Таким образом, у южнокорейской компании будет некое преимущество перед конкурентами. По крайней мере в теории.

Официальное название технологии GAA от Samsung — MBCFET. Первое поколение GAA для техпроцесса 3 нм по сравнению с предыдущим поколением FinFET-транзисторов Samsung обеспечило 23-процентную прибавку в производительности, 16-процентное увеличение плотности и 45-процентное повышение энергоэффективности. Второе поколение GAA для 3 нм техпроцесса, как ожидается, обеспечит 30-процентную прибавку в производительности, 35-процентное повышение плотности, а также 50-процентное снижение в энергопотреблении. Что касается третьего поколения MBCFET, то для него также ожидается значительная прибавка в производительности с более чем 50-процентным повышением энергоэффективности по сравнению с предыдущим поколением технологии.

Samsung решила назвать обновлённую версию 3-нм технологии производства чипов «2 нм техпроцессом», сообщает ComputerBase со ссылкой на сообщения корейских СМИ. Меньшее число формально повышает конкурентоспособность компании по отношению к её главным соперникам в лице TSMC и Intel.

Источник изображения: Babak Habibi / unsplash.com

В полупроводниковой отрасли актуален девиз «чем меньше, тем лучше». На фоне бума технологий искусственного интеллекта вопрос разработки более эффективных и современных вычислительных компонентов оказывается как никогда актуальным: каждый причастный к отрасли игрок стремится на этом заработать, и Samsung не исключение. Дорожная карта Samsung в сфере полупроводникового производства была утверждена и доведена до сведения общественности. Испытание первого 3-нм техпроцесса GAA стартовало в 2022 году. Поначалу выход годной продукции был крайне низким, но компании удалось стабилизировать его на уровне 60 %. В этом году Samsung рассчитывает начать работу с обновлённой версией этой технологии, ранее получившей название SF3.

Дорожная карта полупроводникового производства Samsung до 2027 года. Источник изображения: twitter.com/Redfire75369

Обновлённый техпроцесс теперь будет обозначаться как «2-нм продукт» — во второй половине года производство расширится, как ранее планировалось в отношении второго поколения технологии GAA, передают корейские СМИ, но официального подтверждения информации ещё не последовало. В этой связи сразу возникает множество вопросов. Недавно стало известно, что Samsung поможет Arm в оптимизации процессоров под технологию 2 нм, и теперь нет ясности, имеется в виду теперешняя SF3 или «честные» 2 нм. Развёртывание технологии SF2 ранее намечалось на 2025 год — ждёт ли её переименование? За техпроцессом SF2 должен был следовать SF1.4, а значит, SF2 может превратиться в SF1.8.

Тем временем Intel уже готовится к выводу на рынок собственного техпроцесса класса 2 нм (Intel 20A) — возможно, поэтому Samsung вынуждена активизироваться. В условиях жёсткой конкуренции полупроводниковые подрядчики должны демонстрировать потенциальным клиентам, что у них есть такие же или более совершенные технологии, как у конкурентов — независимо от того, чем они на самом деле являются. Ожидаемая двухлетняя фора Samsung как первой компании, совершившей переход на GAA-транзисторы и техпроцесс 3 нм, на деле не дала корейской компании ощутимых преимуществ. Напротив, TSMC лишь укрепила своё лидерство. А следующей на очереди может стать Intel, которая уже к 2030 надеется стать вторым в мире полупроводниковым подрядчиком, сместив Samsung, и корейской компании приходится реагировать.

Хотя Samsung начала массовое производство чипов на базе техпроцесса SF3E (3 нм, транзисторы GAA) примерно год назад, к настоящему моменту мало кто из производителей электроники подтвердил его использование в своих продуктах. Недавно аналитики TechInsights выяснили, что одним из первых заказчиков 3-нм чипов у Samsung стала компания MicroBT, выпускающая ASIC-майнеры. Выполненный по технологии SF3E чип применяется в её криптомайнере Whatsminer M56S++.

Источник изображения: Arm

Специализированные интегральные схемы ASIC для добычи криптовалюты представляют собой небольшие чипы с относительно малым количеством входящих в их состав транзисторов и повторяющимися логическими структурами, похожими на простые битовые ячейки памяти SRAM. В целом за счёт простоты производства таких чипов это делает их весьма подходящей платформой для тестирования передовых технологически процессов. Поэтому совсем неудивительно, что техпроцесс SF3E нашёл своё первое практическое применение именно в среде криптомайнинга.

К сожалению, в открытом доступе о ASIC-майнере Whatsminer M56S++ не так много информации. Известно лишь, что система компании MictoBT на основе этого чипа обеспечивает хешрейт на уровне 240–256 Тхеш/с и обладает энергоэффективностью 22 джоуля на терахэш.

Источник изображения: Samsung

На данный момент неизвестно, используется ли 3-нм технология SF3E компании Samsung в каких-либо других коммерческих решениях помимо оборудования для майнига. Однако сама Samsung заявляет, что «использует этот техпроцесс в своих продуктах».

«Мы массово производим чипы на основе первого поколения 3-нм техпроцесса со стабильным уровнем выхода годных микросхем. С учётом этого опыта мы уже ведём разработку второго поколения техпроцесса, который обеспечит ещё более высокий выход годных чипов», — цитирует портал Tom’s Hardware одно из недавних заявлений компании.

По сравнению с техпроцессами 5-нм класса Samsung второго поколения (SF5, 5LPP), SF3E обещает снижение энергопотребления микросхем до 45 % при сохранении той же частоты работы, либо повышение производительности до 23 % при сохранении количества транзисторов и мощности. Кроме того, чипы с использованием SF3E занимают на 16 % меньшую площадь.