Производители памяти уже смотрят в более далёкое будущее, в котором у прирастающей числовыми индексами HBM появятся более прогрессивные преемники. Компания Samsung Electronics собирается продвигать память типа zHBM, которая обещает обладать в восемь раз более высоким быстродействием по сравнению с HBM5. При этом плотность хранения данных окажется более чем в 10 раз выше.

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Компьютер месяца — август 2026 года

Источник изображения: Samsung Electronics

Энергетическая эффективность zHBM будет в три раза превосходить HBM5, а тепловое сопротивление сократится более чем в два раза. Секрет высокого быстродействия и высокой энергетической эффективности zHBM кроется в технологии объединения нескольких кремниевых пластин, которая позволяет реализовать десятки тысяч каналов передачи информации в одном стеке. Ещё одно преимущество zHBM заключается в способности монтажа стека памяти непосредственно на графический процессор (GPU). В современной компоновке память HBM разных поколений располагается на одной подложке с GPU в горизонтальной плоскости. Кроме того, zHBM поддерживает интеграцию кастомной логики в стек памяти по запросу конкретного клиента. Непосредственно HBM5, по оценкам Samsung, должна удвоить пропускную способность относительно HBM4E, но при этом снизить тепловое сопротивление на 20 % благодаря использованию прогрессивной технологии терморегулирования.

Для сегмента ИИ-вычислений предназначена и память типа zNAND-O, которая базируется на V-NAND. Она устроена таким образом, чтобы минимизировать задержки при передаче данных между соседними компонентами вычислительных систем. Впервые Samsung представила концепцию Z-NAND в 2025 году, пообещав увеличение производительности в 15 раз и сокращение энергопотребления на 80 %. По предварительным оценкам, Z-NAND будет до четырёх раз дороже обычной TLC NAND. В одном стеке будут объединяться до четырёх или восьми слоёв памяти.

Попутно на мероприятии FMS 2026 в Калифорнии Samsung Electronics рассказала о твердотельной памяти V10 BV-NAND с количеством слоёв более 400 штук, которая использует новую технологию формирования межслойных соединений. Впервые о технологии V-NAND компания поведала 13 лет назад. По сравнению с поколением V9, память V10 BV-NAND обеспечивает увеличение плотности хранения данных на 58 %. Скорости чтения, записи и передачи информации по интерфейсу также увеличены по сравнению с памятью предыдущего поколения. Отмечается, что памятью типа V-NAND активно интересуется Nvidia, а в поколении V11 подобная память получит 500 слоёв.

Samsung напомнила, что начала поставлять образцы HBM4E своим клиентам ещё в мае этого года, а также первой начала массово выпускать HBM4 с использованием 4-нм базового кристалла и DRAM 10-нм класса (1c). Память типа HBM5 была показана на FMS 2026 в виде модели. Заодно была продемонстрирована память типа LPDDR5X-PIM, которая позволяет часть вычислительных операций выполнять без передачи информации в центральный процессор. Помимо повышения скорости обработки данных, такое решение позволяет снизить энергопотребление.

Недавно компания Samsung Electronics отчиталась о начале поставок образцов памяти типа HBM4E, но она одновременно уже полным ходом разрабатывает и HBM5. На выставке Computex 2025 она продемонстрировала лишь масштабный макет чипа HBM5, который призван в общих чертах показать его устройство, но уже на этом этапе понятно, что технологически это будет не самый простой вид продукции Samsung.

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Компьютер месяца — август 2026 года

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Источник изображения: Asia Business Daily

Начнём с того, что базовый кристалл для HBM5 компания собирается выпускать собственными силами по 2-нм технологии. Количество слоёв DRAM, которые будут выпускаться по технологии класса 1c, может варьироваться в случае с HBM5 от 12 до 20 штук. Технический директор профильного подразделения Samsung Electronics Сон Чжэ Хёк (Song Jaehyuk), который присутствовал на стенде компании на Computex 2026, пообещал использование компоновки транзисторов с окружающим затвором (GAA) при производстве 2-нм чипов. Кроме того, он выразил уверенность, что Samsung в целом сможет освоить технологии тоньше 1 нм. Наличие у Samsung контрактного подразделения, по словам представителя компании, позволяет ей удовлетворять требования самых строгих клиентов, включая Nvidia.

Для сравнения, HBM4E подразумевает использование 4-нм базового кристалла и техпроцесса 1c для изготовления чипов DRAM, формирующих стек памяти. Важным нововведением HBM5 станет использование теплоотводного канала Heat Path Block (HPB). Память HBM5 не только увеличит количество слоёв DRAM в стеке, но и скорость обмена информации, поэтому отводу тепла от элементов стека Samsung собирается уделять особое внимание. Технология уже отлажена на примере HBM4E, в дальнейшем компания собирается применять продвинутые способы отвода тепла для повышения стабильности работы памяти такой компоновки. Массовым производством HBM5 южнокорейский гигант собирается заняться с 2028 года. Уже в рамках HBM5E кристаллы DRAM в стеке начнут производиться по более продвинутому техпроцессу 1d.

У конкурирующей SK hynix за охлаждение элементов в стеке будет отвечать схожая технология iHBM, поэтому нельзя утверждать, что решение Samsung в чём-то уникально. Именно при производстве HBM5 компания SK hynix собирается внедрить iHBM в условиях массового выпуска памяти. Кроме того, в составе HBM5 этого производителя также будут присутствовать 2-нм чипы.

Степень доверия руководства Nvidia к способности Samsung Electronics выпускать качественную память типа HBM4 была в этом месяце подтверждена совместным фото основателя первой из компаний с представителями второй. Дженсен Хуанг (Jensen Huang) прямо на кремниевой пластине с чипами HBM4 назвал эту память «удивительной». При этом Samsung уже разрабатывает HBM5 и HBM5E.

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Компьютер месяца — август 2026 года

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Источник изображения: Samsung Electronics

Соответствующую информацию на прошлой неделе опубликовал южнокорейский ресурс Business Korea. В случае с HBM5 в исполнении Samsung базовый кристалл для стека памяти будет выпускаться по 2-нм технологии, а HBM5E примерит кристаллы DRAM, выпущенные по седьмому поколению 10-нм техпроцесса, который условно обозначается как «1d». Samsung уже удалось договориться с Nvidia о производстве специализированных процессоров Groq 3 по 4-нм технологии на своих контрактных мощностях. Руководитель профильного подразделения Samsung Хан Чжин Ман (Han Jin-man) подчеркнул, что 4-нм процесс компании «никак нельзя считать посредственным».

Это заявление было сделано представителем Samsung Electronics на мероприятии GTC 2026, которое Nvidia проводила в Калифорнии для своих партнёров. Если учесть, что и руководство конкурирующей SK hynix было приглашено на конференцию в Сан-Хосе, лучшей иллюстрации значимости корейских поставщиков HBM в восприятии Nvidia и придумать сложно.

Представители Samsung пояснили, что HBM5 будет производиться с использованием 2-нм техпроцесса силами самой компании, если говорить о базовом кристалле. Чипы DRAM в стеке HBM5 будут выпускаться по шестому поколению 10-нм техпроцесса (1c). Строго говоря, последний уже применяется при выпуске кристаллов DRAM в стеке HBM4, он просто будет перенесён на HBM5. Основным новшеством станет использование собственного 2-нм техпроцесса Samsung для изготовления базового кристалла. В случае с HBM4 базовый кристалл Samsung производит по 4-нм технологии. Она смогла опередить конкурентов с началом поставок HBM4 для нужд Nvidia.

HBM5E будет выпускаться с использованием более свежего варианта 10-нм техпроцесса 1d в случае с кристаллами DRAM в стеке, а в его основании будет лежать базовый кристалл, производимый по всё тому же 2-нм техпроцессу. Очевидно, «шахматный порядок» модернизации техпроцессов при выпуске HBM позволяет Samsung снизить технологические риски. Спрос на 4-нм техпроцесс в ближайшее время будет заметно расти, как убеждены в Samsung, поскольку он применяется для выпуска базовых кристаллов HBM4.

В отношении стартапа Groq, который был недавно куплен Nvidia, способность Samsung выпускать его чипы объясняется просто: они сотрудничали ещё до сделки с 2023 года, Samsung принимала участие в разработке чипов LPU. На этапе подготовки к сделке Nvidia пришла к выводу, что 4-нм техпроцесс Samsung для соответствующих нужд вполне подходит, поэтому подрядчика по производству чипов Groq менять не стали. Их массовый выпуск будет начат на рубеже третьего и четвёртого кварталов этого года. Серьёзный спрос на чипы Groq 3 будет наблюдаться, начиная со следующего года. Глава Nvidia на GTC 2026 также оставил свой автограф и на кремниевой пластине с чипами Groq 3, назвав их «сверхбыстрыми».

Производство многоярусной памяти HBM3E уже требует использование передовых технологий, оборудования и материалов, что подтверждается неспособностью Samsung наладить выпуск подобных чипов, удовлетворяющих высоким требованиям Nvidia. В дальнейшем HBM примерит не только погружное и сквозное охлаждение, но и перейдёт на более сложные методы упаковки, включая интеграцию на GPU.

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Компьютер месяца — август 2026 года

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Источник изображения: SK hynix

Профессор Корейского института науки и передовых технологий (KAIST) Ким Чжон Хо (Kim Joungho), как отмечает The Elec, во время своего недавнего доклада описал возможные пути развития технологий производства памяти класса HBM. Уже в рамках HBM5 может быть предложен вариант охлаждения стека памяти методом погружения в диэлектрическую жидкость, поскольку сейчас «посредник» в виде металлического теплораспределителя не демонстрирует хорошего запаса по эффективности на будущее. Производители серверных систем погружное охлаждение невольно начали практиковать после того, как плотность теплового потока современных ускорителей вычислений заметно выросла.

В целом, профессором Кимом предварительно разработана дорожная карта развития HBM на срок до 2040 года, когда на рынке уже будет предлагаться HBM8, хотя эти этапы всё равно являются приблизительными. Например, память поколения HBM7 уже будет предусматривать сквозное охлаждения стека памяти, когда охлаждающая жидкость будет циркулировать по микроканалам внутри самих микросхем и базового кристалла. Твердотельная память NAND со временем тоже станет многоярусной, как HBM. На определённом этапе базовый кристалл переедет из основания стека на его верхушку, а HBM8 наверняка позволит интегрировать стек памяти прямо на кристалл графического процессора.

Технологии и материалы для производства стеков HBM также будут совершенствоваться. Например, HBM6 предложит использование стекла и кремния одновременно для создания подложки. Гибридные методы межслойного соединения будут внедрены уже в ближайшее время, а HBM5 предложит до 20 слоёв памяти в одном стеке. На рынок память типа HBM5 выйдет примерно к 2029 году.