Компания InnoGrit представила на выставке Computex 2025 твердотельный накопитель N3X, оснащённый контроллером InnoGrit Tacoma IG5669 и вторым поколением постоянной памяти XL-Flash, работающей в SLC-режиме. Устройство предназначено для корпоративных рабочих нагрузок, чувствительных к задержкам памяти и требующих максимальной надёжности.

Источник изображений: Tom's Hardware

Контроллер, используемый в InnoGrit N3X, соответствует протоколу NVMe 2.0 и поддерживает интерфейс PCIe 5.0 x4. Накопитель обеспечивает постоянную скорость чтения до 14 Гбайт/с и постоянную скорость записи до 12 Гбайт/с, а также впечатляющую производительность в операциях случайного чтения до 3,5 млн IOPS и случайной записи на уровне 700 тыс. IOPS.

Главной особенностью InnoGrit N3X, выделяющей его на фоне обычных и даже других корпоративных SSD, является низкий уровень задержки при операциях чтения и записи. Задержка при чтении составляет менее 13 мкс. Для сравнения: обычные SSD, использующие чипы памяти 3D TLC NAND, обладают задержкой порядка 50–100 мкс. Задержка при записи у новинки составляет 4 мкс (200–400 мкс у накопителей на базе 3D TLC NAND), что делает её особенно полезной для кэширования, ИИ-расчётов, вычислений в оперативной памяти и аналитики в реальном времени. InnoGrit N3X предлагает объёмы от 400 Гбайт до 3,2 Тбайт (в конфигурациях от 32 до 256 микросхем памяти), что делает эти твердотельные накопители привлекательной альтернативой снятым с производства решениям Intel Optane.

Рейтинг долговечности накопителя также впечатляет: 50 DWPD (полных циклов перезаписи в день) в течение 5 лет, что значительно превышает стандартные уровни долговечности корпоративных твердотельных накопителей на базе NAND и делает его идеальным для задач с интенсивным использованием записи, таких как кэширование, ИИ-выводы, а также передача данных, где долговечность и стабильная производительность имеют решающее значение.

InnoGrit считает, что её партнёры могли бы создавать твердотельные накопители на базе чипов памяти XL-Flash и контроллера IG5669 в форм-факторах U.2 или E3.S для серверов. Однако платформа также позволяет создавать накопители в форматах карт расширения для настольных рабочих станций и высокопроизводительных ПК.

XL-Flash от Kioxia — это высокопроизводительная технология NAND, разработанная для преодоления разрыва в задержках между DRAM и обычной флеш-памятью, что делает её жизнеспособным решением в качестве постоянной памяти для корпоративных задач, где требуется память с высокой отзывчивостью, сопоставимой с DRAM. Во втором поколении XL-Flash компания Kioxia удвоила плотность за счёт использования архитектуры MLC (многоуровневая ячейка), позволившей увеличить ёмкость кристалла памяти с 128 Гбит до 256 Гбит. Однако InnoGrit считает, что такую память имеет смысл использовать в конфигурации SLC для более высокой производительности, поскольку в конечном итоге именно это больше всего нужно пользователям подобных накопителей.

Первоначально Kioxia позиционировала XL-Flash как конкурента снятой с производства памяти Optane от Intel. Однако сейчас можно сказать, что XL-Flash приходит на смену Optane.

Китайская компания Yingren Technology, известная на международном рынке под брендом InnoGrit, сообщила о начале массового производства своего потребительского контроллера YR S820 для твердотельных накопителей стандарта PCIe 5.0.

Источник изображений: MyDrivers

В прошлом году компания начала массовое производство контроллера YR S900 для SSD PCIe 5.0 корпоративного уровня. Новый контроллер YR S820 для потребительского рынка во многом на него похож. Аналогично предшественнику он разработан для китайского рынка и использует ту же открытую архитектуру RISC-V, которая не подпадает под экспортные санкции США.

По словам Yingren Technology, в новом потребительском контроллере YR S820 реализована поддержка различных ИИ-функций. Компания не стала вдаваться в детали, но заявила, что YR S820 отлично подходит для ПК с искусственным интеллектом и оснащён «ИИ-технологией для ускоренной работы с данными, снижающей задержку и повышающей производительность в определённых задачах».

Yingren Technology не сообщила, кто именно производит контроллер YR S820 и на каком техпроцессе он основан. Хотя компания отметила, что чип использует архитектуру RISC-V, она не уточнила ни количество ядер в составе контроллера, ни их тактовую частоту. Из презентации Yingren Technology известно, что YR S820 поддерживает четыре линии PCIe 5.0 и до восьми каналов флеш-памяти NAND. Также известно, что он может работать с чипами флеш-памяти 3D TLC или QLC NAND со скоростью передачи до 2667 МТ/с на канал и использоваться в SSD объёмом до 8 Тбайт.

На бумаге новинка вполне может составить конкуренцию контроллерам от Phison и Silicon Motion. В рамках презентации Yingren Technology продемонстрировала результаты тестов SSD на базе YR S820 и 232-слойных чипов флеш-памяти X3-9070 TLC NAND от местного производителя YMTC. Накопитель обеспечил скорость последовательного чтения выше 14,2 Гбайт/с и последовательной записи выше 12,4 Гбайт/с. В то же время показатели производительности в случайных операциях чтения и записи у него составили 2 млн и 1,5 млн IOPS соответственно. Чипы памяти в составе тестового SSD работали со скоростью 2400 МТ/с, поэтому у YR S820 ещё даже остался некоторый запас .

Yingren Technology также заявляет, что YR S820 сможет обеспечить такие показатели производительности в составе потребительских накопителей без использования активных систем охлаждения у последних. Насколько это утверждение окажется близко к правде, покажут первые модели SSD на его основе. Однако все высокоскоростные накопители PCIe 5.0 требуют использования эффективной системы охлаждения. В противном случае при продолжительных нагрузках они перегреваются и теряют в производительности.

Отмечается, что Yingren Technology в настоящий момент рассылает образцы контроллера YR S820 местным производителям памяти NAND и DRAM. Хотя компания подтвердила, что уже приступила к началу массового производства контроллера, она не уточнила, когда можно ожидать в продаже первые продукты на его основе.