Комитет JEDEC сообщил о публикации обновлённого стандарта памяти с высокой пропускной способностью (HBM) — стали доступны чистовые спецификации стандарта HBM3. Главным изменением по сравнению с HBM прошлого поколения стало увеличение скорости обмена по каждому контакту шины данных с 3,2 Гбит/с до 6,4 Гбит/с. Для высокоёмких вычислений, включая обработку графики, это станет новым прорывом в будущее.

Источник изображения: SK hynix

С учётом вдвое возросшей скорости обмена по одному контакту, общая скорость на один модуль памяти HBM3 (на стек) будет достигать 819 Гбайт/с. Более того, это не предел возможностей HBM3. Современные решения сигнальных интерфейсов вполне допускают выйти за рамки 1 Тбайт/с для памяти HBM3. Массовыми такие решения вряд ли станут, но и Samsung, и SK Hynix готовы выпускать память HBM3 со скоростью обмена выше, чем предусмотрено стандартом JEDEC.

Количество каналов памяти также удвоено с 8 до 16, благодаря двум псевдоканалам на каждый канал. Более того, за счёт организации виртуальных каналов общее число каналов работы с памятью может быть увеличено до 32.

На момент публикации стандарта высота стеков HBM3 допускает выпуск памяти из 4, 8 и 12 слоёв. В будущем будет возможно производство модулей HBM3 из 16 слоёв памяти в стеке. На каждый слой допускается кристалл памяти ёмкостью от 8 до 32 Гбит (1–4 Гбайт). Тем самым минимальная ёмкость одного стека HBM3 составит 4 Гбайт, а максимальная — 48 Гбайт (в будущем 64 Гбайт).

Наконец, рабочее напряжение памяти HBM3 снижено до 1,1 В, как и уменьшено сигнальное напряжение на интерфейсе хоста (до 0,4 В). Это означает, что энергоэффективность работы памяти HBM3 будет выше, чем у памяти HBM2 при прочих выгодах, включая в два раза возросшую скорость передачи данных.

«С улучшенными характеристиками производительности и надёжности HBM3 позволит создать новые решения, требующие огромной пропускной способности и ёмкости памяти», — сказал Барри Вагнер (Barry Wagner), директор по техническому маркетингу в NVIDIA и председатель подкомитета JEDEC HBM.

Комитет JEDEC опубликовал обновлённые спецификации DDR5 SDRAM, которые приняты в качестве отраслевого стандарта всего три месяца назад. В документе JESD79-5A DDR5 SDRAM включены функции, предназначенные для дальнейшего повышения надежности и производительности памяти в широком спектре приложений от клиентских систем до высокопроизводительных серверов.

Для потребителей самым заметным нововведением станет повышение производительности. Новый стандарт предполагает, что платформы с поддержкой DDR5 смогут работать с памятью со скоростью до 5600 мегатранзакций в секунду, тогда как для самих модулей памяти скорость может достигать 6400 МТ/с. Это позволяет разработчикам контроллеров, платформ и процессоров начинать готовить продукты с поддержкой нового уровня скорости обмена данными — DDR5-5600. А производители памяти могут готовить стандартизированные модули DDR5-6400. Первая версия стандарта DDR5 SDRAM предполагала скорости до 4800 МТ/с.

Хотя первые процессоры с поддержкой DDR5 будут представлены уже сегодня, для массового распространения новой памяти потребуется время. А JEDEC не перестаёт совершенствовать стандарт, который слегка задержался в своём развитии. Напомним, в случае с DDR4 изначальная спецификация подразумевала скорость 2133 МТ/с, но со временем были приняты спецификации вплоть до 3200 МТ/с.

Что касается надёжности работы памяти DDR5, то новые расширения спецификаций призваны удовлетворить потребности отрасли в повышении надёжности систем и включают поддержку коррекции ошибок при ограниченных ошибках, отмену и блокировку постпакетного восстановления (sPPR), постпакетное восстановление встроенного самотестирования памяти (MBIST и mPPR), адаптивную RFM (Optional Refresh Management) и расширение MR4.

«Тот факт, что это обновление стандарта DDR5 публикуется так скоро после первоначального запуска DDR5 в июле 2020 года, подчеркивает постоянное стремление JEDEC к непрерывному совершенствованию и представляет собой коллективные усилия всех участвующих компаний-членов для лучшего обслуживания отрасли», — сказал Миан Куддус (Mian Quddus), председатель JEDEC.

Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC принял новый стандарт компактных запоминающих устройств под названием XFM Embedded and Removable Memory Device (XFMD).

Источник изображений: JEDEC

На своём официальном сайте организация опубликовала документ JESD233, в котором описываются характеристики и особенности нового форм-фактора для накопителей XFMD. В частности, указывается, что XFMD представляет собой новый универсальный стандарт NVMe-накопителей, который, как и нынешнее поколение подобных устройств (NVMe накопители формата M.2), использует для работы интерфейс PCI Express.

Накопители стандарта XFMD отличаются от M.2 NVMe габаритами, разъёмом и типоразмером. Это ещё более компактные запоминающие устройства, которые подходят для установки в тесные корпуса умных устройств, ультрабуков, мобильных устройств и игровых приставок. JEDEC отмечает, что с появлением XFMD на рынке возможность его использования также получат дроны, автономные видеосистемы и устройства дополненной реальности.

По своим размерам накопители XFMD будут похожи на карты памяти. Их ширина будет составлять не более 14 мм, а длина — не более 18 мм. Устройства должны поддерживать интерфейс PCI Express 4.0 и протокол NVMe 1.4. Накопители нового стандарта получат схему контактов, которая будет выглядеть следующим образом:

Схема контактов запоминающего устройства XFMD

Схема охлаждения XFMD-накопителя с помощью теплопроводящего материала

В JEDEC считают, что внедрение компактных запоминающих устройств станет хорошим началом для создания новых, сверхкомпактных гаджетов с высокой производительностью. О своей работе по внедрению нового стандарта уже сообщили такие компании, как Kioxia и MediaTek.

Комитет JEDEC опубликовал новые спецификации, которые допускают существенное увеличение пропускной способности памяти LPDDR5, а также вводят в оборот память LPDDR5X. Оба типа памяти нацелены на увеличение пропускной способности и снижение энергопотребления в мобильной электронике и системах с искусственным интеллектом. В частности, новая память появится в смартфонах для сетей 5G, что повысит их производительность и автономность.

Источник изображения: Samsung

Помимо «легализации» памяти LPDDR5X, которая станет более энергоэффективной версией LPDDR5, основные обновления спецификаций LPDDR5 включают увеличение максимальной пропускной способности с 6400 Мбит/с у предыдущей версии до 8533 Мбит/с у новых версий LPDDR5, улучшение целостности сигнала TX/RX с поддержкой выравнивания, а также повышение надежности за счет новой функции Adaptive Refresh Management. Память LPDDR5 и LPDDR5X активно продвигается в системы автопилотов автомобилей, поэтому надёжность работы этих узлов ставится во главу всех новых стандартов.

Поставлять новую память и контроллеры с поддержкой расширенных спецификаций готовятся компании Micron, Samsung и Synopsys. Поддержка LPDDR5X появится также в будущих процессорах Intel и ИИ-решениях NVIDIA на платформах ARM. Повышенная скорость работы на фоне снижения потребления будут востребованы как в потребительских устройствах, так и в промышленных.

Ассоциация стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC недавно выпустила новую версию стандарта UFS (Universal Flash Storage) с номером 2.2. Хотя организация только сейчас официально объявила об этом стандарте, запуск процессоров MediaTek Dimensity 800U и Dimensity 720 ранее уже подтвердил его существование. Тем не менее, теперь общественности сообщили детали об этом стандарте.

Последней версией ветки UFS 2.x до сих пор была UFS 2.1, а 3.x — UFS 3.1. Теперь появилась версия UFS 2.2, которая предлагает несколько новых функций. Вот что сообщает ассоциация: «Целью этого стандарта является описание электрического интерфейса UFS и устройства памяти UFS. Он заменит JESD220C, UFS 2.1 и принесёт функцию под названием WriteBooster».

Итак, основное различие между UFS 2.2 и UFS 2.1 — добавление функции WriteBooster (буквально — ускоритель записи). Она улучшает скорость записи UFS 2.2 по сравнению с предшественником. Этот показатель заметно влияет на быстродействие устройства в некоторых задачах. Впервые технология WriteBooster была представлена в UFS 3.1 — она подразумевает использование более скоростного энергонезависимого кеша, выпускаемого по технологии SLC.

Сегодня смартфоны начального уровня используют накопители eMMC, тогда как поддержка UFS 2.x становится нормой в устройствах среднего класса. Флагманы же зачастую предлагают более продвинутые накопители USF 3.x. По сравнению с eMMC накопители UFS предлагает гораздо более высокую скорость последовательного чтения и записи, а также повышенную скорость произвольного чтения и записи. Кроме того, UFS может осуществлять одновременные чтение и запись, обрабатывать несколько команд одновременно. Это делает аппараты с памятью UFS гораздо более отзывчивыми.

На каждом модуле памяти можно обнаружить небольшую микросхему SPD (Serial Presence Detect), в которой записаны данные о рабочих частотах модуля и о его задержках. Эта информация считывается автоматически до загрузки операционной системы и служит основой для нормальной работы компьютера. Модули SPD выполняют свою работу свыше 20 лет и сегодня их решили радикально обновить.

Комитет JEDEC, который разрабатывает спецификации для многих отраслей микроэлектроники, объявил о публикации стандарта JESD300-5, в который вошли документы SPD5118 и SPD5108 Hub & Serial Presence Detect Device Standard. Оба документа описывают новый модуль SPD и механизмы работы с ним новой последовательной шины. Стандарт, повторим, глобально обновился впервые за более чем 20 лет.

Начнём с того, что вместо шины I²C со скоростью 1 МГц новый модуль SPD получит шину SidebandBus частотой 12,5 МГц. Шина SidebandBus разработана альянсом MIPI, который разрабатывает последовательные интерфейсы для мобильных устройств и не только.

Кроме возросшей скорости доступа к данным в SPD объём ёмкости для хранения информации о модуле памяти увеличен в два раза до 1024 байт. При этом память разделена на 16 индивидуально защищённых от записи областей. Кроме этого новая шина обеспечивает индивидуальную адресацию к 16 SPD (модулям памяти), расположенным на одной шине. Интересно, что напряжение на информационной шине при этом может лежать в диапазоне от 1 В до 3,3 В, тогда как для питания чипа SPD используется напряжение 1,8 В.

Также спецификации контроллера SPD5118 предусматривают размещение датчика температуры нагрева теплораспределительной пластины. Хост-контроллер SPD5108 такого датчика не имеет. Встроенный в модуль термодатчик измеряет температуру с точностью 0,5 °C в заданном диапазоне рабочих температур.

«SPD51x8 является первым из нового поколения стандартных контроллеров, использующих JEDEC SidebandBus для обеспечения высокой производительности», ― сказал Билл Герваси (Bill Gervasi), председатель рабочей группы JEDEC SPD. «Кроме того, JEDEC SidebandBus включает в себя множество функций для поддержки высоконадежных серверных систем, включая пакетную коррекцию ошибок, внутриполосные прерывания и механизмы гарантированного сброса шины».

Какими бы передовыми ни были полупроводниковые разработки, без утверждённых стандартов и руководств по тестированию продуктов далеко не уедешь. Чтобы гарантировать качество товара, проектировщикам необходимо точно знать характеристики продуктов и иметь возможность получить независимую экспертную оценку. Всё это в полной мере касается нового класса так называемых широкозонных полупроводников, стандарты которых разрабатывает комитет JEDEC.

Перспективные направления для силовых элементов на основе нитрида галлия

Вчера рабочая группа комитета JEDEC по вопросам стандартизации широкозонных полупроводников сообщила о публикации руководства по процедурам оценки надёжности коммутации для устройств преобразования энергии на основе нитрида галлия (документ JEP180). Рекомендации созданы рабочей группой JEDEC JC-70, которая с октября 2017 года работает над стандартами для дискретных и интегрированных решений на основе нитрида галлия и карбида кремния (SiC).

В общем случае полупроводники с широкой запрещённой зоной (Wide Bandgap) характеризуются низким динамическим сопротивлением и низким пороговым напряжением переключения. Силовые транзисторы на основе GaN и SiC легко выдерживают высокие токи при очень компактных размерах. Кроме того, эти материалы показывают минимальные потери на переходных процессах, а это означает рост КПД блоков питания и инверторов. Электротранспорт, энергетика на возобновляемых ресурсах, микроэлектроника ― всё это и много другое выиграет от перевода подсистем питания на GaN- и SiC-элементную базу.

Для успешного применения силовых транзисторов GaN необходимо продемонстрировать как надёжную работу в приложениях преобразования питания, так и подтвердить длительную работу в режимах коммутации. Существующие тесты для кремниевых силовых транзисторов не могут в полной мере подходить для тестирования силовых транзисторов на основе нитрида галлия. Представленное рабочей группой комитета JEDEC руководство JEP180 впервые с момента распространения GaN-транзисторов позволит оценить надёжность приборов на технологическом уровне.

Основные производители полупроводников на базе нитрида галлия

В документе, который разрабатывался свыше двух лет, содержатся рекомендации по тестам на переключение в ускоренных режимах для определения срока службы транзисторов, по тестированию в режимах повышенных рабочих температур, в режиме истощения и в других режимах, включая интегрированные. Особенно ценным представленное руководство окажется для автомобильного и промышленного рынков, где важность подтверждения заявленных характеристик крайне высока. И можно лишь удивляться, что данное руководство не появилось десять или около того лет назад, когда силовые транзисторы на основе нитрида галлия начали понемногу появляться на горизонте.

Совершенствуются не только производство и микросхемы флеш-памяти. Интерфейсы также претерпевают изменения. Около 10 лет назад на смену параллельному интерфейсу eMMC вышел последовательный интерфейс UFS. Последняя версия UFS 3.0 одобрена два года назад. Сегодня она получила важные расширения.

Комитет JEDEC сообщил, что выпущен новый стандарт для интерфейса UFS и дополнение к нему. В частности, версия стандарта подросла до индекса 3.1. Версия 3.0 была принята 31 января 2018 года. За прошедшие с тех пор два года рабочая группа комитета разработала, согласовала и выпустила чистовую редакцию в виде основного стандарта JESD220E и дополнительного JESD220-3.

Интерфейс UFS или Universal Flash Storage проник в флагманские смартфоны и в смартфоны среднего класса. Микросхемы флеш-памяти с интерфейсом UFS 3.0 компании начали выпускать и использовать в течение 2019 года. Шина UFS показывает себя с лучшей стороны в мобильных устройствах за счёт высокой производительности со скоростью передачи данных до 2,9 Гбайт/с всего по двум линиям. Эффективность и простота обеспечили памяти с шиной UFS путь в автомобильную электронику, которая начала стремительно нуждаться в ёмкой памяти.

Новая версия UFS 3.1 не принесла роста скорости обмена. Вместо этого она добавила три новых важных функции. Во-первых, предложена архитектура с энергонезависимым кеш-буфером из памяти NAND SLC (Write Booster). Несомненно, что это приведёт к росту скорости записи. Тем самым однокорпусные накопители с шиной UFS стали полностью похожи на SSD. На монтажной плате смартфонов теперь будет располагаться полноценный флеш-диск.

Во-вторых, устройства с UFS получат новое состояние DeepSleep для наименее дорогих платформ. Иначе говоря, для простых схематических решений, когда накопитель UFS использует регулятор напряжения совместно с другими элементами платформы, теперь будет доступен режим перехода в сон. Третьей новой функцией стала возможность UFS-накопителя информировать хост о снижении производительности при перегреве. Очевидно, что это будет нужно для автомобильной электроники, от работы которой зависит безопасность, поэтому она должна быть безукоризненной.

Что касается дополнительного стандарта JESD220-3, то он предоставляет опциональную возможность кешировать карту логических и физических адресов устройства UFS в системной памяти DRAM (Host Performance Booster или HPB). В случае значительных объёмов системной памяти эта опция позволит ускорить работу с массивом памяти с интерфейсом UFS. Можно ожидать, что карты памяти и массивы памяти с поддержкой спецификаций UFS 3.1 появятся в текущем году ближе к его концу.

Комитет JEDEC выпустил пресс-релиз, в котором сообщил о публикации финальной версии стандарта LPDDR5. Отсутствие чистовой версии стандарта не помешало производителям памяти, в частности ― компании Samsung, завершить разработку микросхем LPDDR5 ещё в середине прошлого года. Тем не менее, публикация стандарта JESD209-5 Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5) стала отмашкой для подготовки к выпуску смартфонов с новой версией мобильной памяти.

На старте память LPDDR5 представлена со скоростью обмена по интерфейсу с производительностью 6400 МТ/с (примерно 6400 Мбит/с). Это в два раза выше, чем в первой версии спецификации LPDDR4, опубликованной в 2014 году, и в полтора раза больше по сравнению с современной LPDDR4X с пропускной способностью I/O 4266 Мбит/с. Увеличение скорости передачи данных окажется востребовано как в мобильных устройствах ― смартфонах, планшетах и сверхтонких ноутбуках, так и в новых областях применения, например, в «умной» автомобильной электронике.

Для автомобильной электроники, например, память LPDDR5 опционально поддерживает линию Link Error Correcting Code (ECC) между DRAM и SoC для постоянной коррекции ошибок. Сбой в автомобильной системе чреват тяжкими последствиями, поэтому надёжности данных уделяется повышенное внимание. Не меньшее внимание уделено энергоэффективности новой версии памяти. Введён новый режим «глубокого сна» с двукратным снижением потребления в режиме простоя по сравнению с аналогичным режимом памяти LPDDR4. В общем случае можно говорить примерно о 30 % снижении потребления памяти LPDDR5 в сравнении с памятью LPDDR4X.

Рост пропускной способности LPDDR5, кстати, достигнут не только за счёт повышения рабочих частот, но также за счёт новой организации банков памяти. Число банков может быть 8, как раньше, так и 16. Кстати, тактовые частоты в архитектуре LPDDR5 могут отличаться друг от друга, как и вводится зональная регенерация памяти, что также добавляет эффективности в работе. Добавим, память LPDDR5 с пропускной способностью 6400 Мбит/с работает с напряжением 1,1 В. Будет также выпускаться память с пропускной способностью 5500 Мбит/с с напряжением 1,05 В.

Комитет JEDEC представил обновлённые спецификации стандарта JESD235, который описывает оперативную память типа High Bandwidth Memory (HBM). Обновлённый стандарт предлагает увеличение пропускной способности и объёма памяти данного типа.

Обновлённый стандарт JESD235B предполагает возможность создания стеков памяти типа HBM, состоящих из двух, четырёх, восьми и двенадцати слоёв, что позволяет получать сборки кристаллов общим объёмом от 1 до 24 Гбайт. Предыдущая версия стандарта предполагала укладку в штабель до восьми кристаллов, и максимальный объём достигал лишь 16 Гбайт. Каждый кристалл, напомним, может обладать объёмом до 16 Гбит (2 Гбайт).

Что касается пропускной способности, то она выросла с 2000 до 2400 Мбит/с на контакт. В результате общая пропускная способность одного стека памяти типа HBM, подключённого по 1024-битной шине, достигает 307 Гбайт/с, тогда как раньше этот показатель составлял 256 Гбайт/с. Получается, что, используя два стека HBM2 вместе с 2048-битной шиной, можно обеспечить пропускную способность до 614 Гбайт/с.

Конечно, это пока что лишь стандарт, и существует он только на бумаге, а потому пройдёт некоторое время, пока производители памяти действительно смогут предложить стеки с характеристиками, описанными выше. Однако в итоге подобные или близкие решения всё же должны появиться в высокопроизводительных вычислительных системах.

Комитет JEDEC Solid State Technology Association опубликовал финальные спецификации стандарта Universal Flash Storage версии 3.0 (UFS). С момента принятия спецификаций UFS 2.1 прошло около двух лет (приняты в апреле 2016 года). Но на тот момент скорость обмена по шине UFS осталась без изменения. Версия UFS 2.0, принятая в начале октября 2013 года, предписывала скорость обмена по одной линии интерфейса на уровне 600 Мбайт/с. Всего шина UFS содержит две линии с последовательной передачей данных. Скорость интерфейса в такой конфигурации предполагала передачу данных на уровне 1,2 Гбайт/с. В версии UFS 3.0 скорость обмена увеличена до 11,6 Гбит/с на линию или до 2,4 Гбайт/с на обе линии интерфейса.

Шина UFS пока прописалась преимущественно во флагманских моделях смартфонов, хотя она также ориентирована на использование в персональных компьютерах (ноутбуках). Данный интерфейс занимает промежуточное положение между памятью eMMC и SSD-накопителями. Добавим, ориентация на мобильные устройства вылилась в то, что в качестве физического уровня доступа для интерфейса UFS выбрана сигнальная структура альянса MIPI (Mobile Industry Processor Interface). Если точнее, интерфейс UFS 3.0 опирается на версию MIPI M-PHY v4.1 и транспортный уровень MIPI UniProSM v1.8.

Стандарт UFS также описывает возможность использования съёмных карт памяти с этим интерфейсом или UFS Card Extension. Скорость обмена с картами памяти пока не повышена и использует физический уровень M-PHY HS-Gear3, хотя версия стандарта для карт расширения получила обновление до версии 1.1. Также номер увеличился у спецификаций UFS Host Controller Interface (UFSHCI) до версии 3.0. Сообщается, что внесённые в стандарт изменения упростят проектировщикам разработку контроллеров.

Карты памяти Samsung в формфакторе UFS (не совместимы с microSD)

Отметим, что интерфейс UFS демонстрирует хорошее соотношение производительности к потреблению, что приобретает важность не только для носимой электроники, но также для автомобильной. Ожидается, что шина UFS окажется востребованной в автомобилях. В версии UFS 3.0 стандарта для этого предусмотрели два «автомобильных» нововведения. Во-первых, для контролеров предусмотрен расширенный рабочий температурный режим от −40 °C до 105 °C. Во-вторых, введён режим обновления команд, что призвано улучшить механизмы контроля концентраторов и способствовать улучшению надёжности в работе с данными.

Однокорпусные SSD Toshiba с шиной UFS 2.1 для автомобильных систем

Разработка контроллеров с поддержкой спецификаций UFS 3.0 стартовала несколько месяцев назад. В коммерческих устройствах интерфейс UFS 3.0 обещает появиться к концу текущего года или в первой половине следующего года.

Комитет JEDEC сообщил об учреждении двух подкомитетов, которые займутся разработкой стандарта для всеобъемлющей характеристики силовых элементов на основе так называемых широкозонных полупроводников (JC-70 Wide Bandgap Power Electronic Conversion Semiconductors). В основном речь идёт о стандартизации транзисторов для блоков питания и подсистем питания, в том числе интегрированных. На сегодня для этого в используются соединения нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (SiC). Соответственно, один подкомитет займётся стандартизацией элементов на основе нитрида галлия, а второй — на основе карбида кремния.

Слева для сравнения 200-В обычный Si (кремниевый) MOSFET и 200-В eGaN FET, а справа исполнение для 600-В GaN приборов (www.researchgate.net)

Полупроводники с широкой запрещённой зоной (Wide Bandgap) обладают низким динамическим сопротивлением и низким пороговым напряжением переключения. Силовые транзисторы на основе GaN и SiC способны выдерживать значительные токи при весьма компактных размерах. Также эти материалы демонстрируют минимальные потери при переходных процессах, что ощутимо повышает КПД блоков питания на транзисторах из нитрида галлия на подложках из карбида кремния. Всё это востребовано в связи с тенденцией перехода на электротранспорт и в свете всеобщей борьбы со снижением издержек на преобразование электроэнергии.

Широкозонные полупроводники делают «идеальную пилу» при преобразовании импульса, которая не уходит в минус (Fujitsu Laboratories)

Комитет JC-70 Wide Bandgap Power Electronic Conversion Semiconductors временно возглавят представители компаний Infineon, Texas Instruments и Wolfspeed (ранее Cree Company). Все эти компании активно выпускают силовые элементы на широкозонных полупроводниках. Совокупная доля компаний Infineon и Wolfspeed на рынке SiC-элементов, например, приближается к 70 %. Одним словом, за дело возьмутся специалисты.

Следует сказать, что рабочая группа по изучению вопросов стандартизации широкозонных полупроводников — GaNSPEC — была создана внутри индустрии ещё весной 2016 года. Вскоре после этого комитет JEDEC начал обеспечивать группе поддержку в логистике. Аналогичная группа SiCSPEC изучала карбидокремниевые элементы. Обе группы включают порядка 50 представителей производителей полупроводников, промышленного оборудования, разработчиков технологий, учёных и работников государственных лабораторий из США, Европы и Азии. Все они дальше будут работать под эгидой JEDEC.

Широкозонные полупроводники имеют неограниченную сферу применеия (https://www.pntpower.com)

В результате деятельности комитета обещает появиться стандарт, облегчающий разработку, производство и использование широкозонных полупроводников в силовых элементах. Блоки питания станут на порядок компактнее и намного эффективнее.

Универсальные флеш-накопители, повсеместно интегрируемые сегодня в мобильные устройства в качестве носителей информации, переходят на новые стандарты для повышения уровня быстродействия. Пока одни считают память UFS бесперспективной, невзирая на её тотальное превосходство по скорости над eMMC, технология продолжает своё развитие и ожидает грядущий «апдейт».

На данный момент актуальной версией спецификации UFS значится стандарт 2.1, но пока он является прерогативой исключительно флагманских гаджетов. О массовом распространении UFS 2.1 и даже UFS 2.0 говорить пока не приходится. Однако такое положение вещей никоим образом не помешало, согласно информации от комитета инженерной стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC, началу проектирования контроллера типа UFS 3.0.

beebom.com

Релиз отвечающей требованиям стандарта UFS 3.0 памяти намечен на вторую половину 2018 года. Исходя из имеющихся сведений, такие флеш-накопители смогут в теории демонстрировать максимальную скорость последовательного считывания данных до 2,4 Гбайт/с. Такие показатели гарантируют UFS 3.0 звание самой быстрой памяти для смартфонов, которое она унаследует от UFS 2.1 благодаря почти двукратному превосходству над последним.

beebom.com

Тайваньская компания Phison прошла стадию лицензирования технологии и уже приступила к разработке первого контроллера UFS 3.0. Поставки накопителей следующего поколения, вероятнее всего, начнутся под конец 2018 года. Тогда же и дебютируют смартфоны с памятью класса UFS 3.0, более широкий ассортимент которых нам будет доступен уже в 2019.

Совсем недавно мы писали о том, что комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC), в числе прочего ответственный за разработку спецификаций новых поколений полупроводниковой памяти DRAM, планирует завершить подготовку стандарта DDR5 в 2018 году. Но DDR5 — это не просто более высокая скорость передачи данных в сравнении с DDR4, основным стандартом оперативной памяти сейчас. Это ещё и ряд новых технологий на стыке DRAM и энергонезависимой памяти; такое сочетание уже получило устоявшееся название NVDIMM, хотя текущие реализации далеки от идеала.

Технически объявленное «удвоение характеристик» означает создание чипов DDR5 ёмкостью 32 Гбит со скоростью передачи данных 4266‒6400 мегатранзакций в секунду на контакт. Если модули DDR5 сохранят разрядность шины 64 бита на модуль, это означает появление односторонних модулей DDR5-6400 ёмкостью 32 Гбайт со скоростью передачи данных 51,2 Гбайт/с. «Дружественный пользователю интерфейс» может означать новую, более удобную систему фиксации модуля в системной плате. На сегодня в этом плане сложно придумать что-то действительно новое, но, возможно, инженерам JEDEC удастся всех удивить.

JEDEC обещает решить и проблему падения эффективности подсистем памяти, которая в пересчёте на канал падает по мере увеличения количества каналов, но пока не известно, как именно это будет сделано. Более подробная информация ожидается на мероприятии Server Forum, которое состоится в Санта-Кларе, штат Калифорния, США, и начнётся 19 июня. В числе планируемых к 2018 году стандартов относится и новое поколение энергонезависимых модулей памяти NVDIMM-P, которое не будет ограничено объёмом, диктуемым технологиями DRAM. Ёмкость таких модулей может достигать единиц терабайт, но при этом в жертву приносится латентность, составляющая сотни наносекунд.

В разработке индустриальных стандартов, которые касаются области информационных технологий, не самую последнюю роль играет комитет JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council, или Сообщество (Комитет) инженеров, специализирующихся в области электронных устройств). После того, как устройства на твердотельной памяти набрали силу, название комитета было расширено до JEDEC Solid State Technology Association. В рабочих группах комитета были представители многих стран, хотя рабочие группы, которые занимались разработкой стандартов, обычно собирались только в США и в Европе (реже).

Теперь настало время включить в разработку индустриальных стандартов китайские компании, уверены в JEDEC. Развитая индустрия, масса опытных кадров и исследовательских центров делают Китай достойным партнёром для обсуждения проблем отрасли и для разработки стандартов мирового уровня. Без всякого сомнения, это важный этап на пути развития мировой полупроводниковой индустрии.

Согласно официальному пресс-релизу комитета, первая рабочая группа организована при комитете JEDEC JC-14 (Committee for Quality & Reliability). Комитет JC-14 занимается стандартизацией качества и надёжности полупроводниковой продукции и электроники. «Китайскому качеству» принято не доверять. Но вина в этом не китайской промышленности, а тех, кто заказывает и закупает в Китае товары для локальных рынков, ибо «качество» продукции можно заказать любое — это только вопрос цены. Было бы хорошо возложить контроль над качеством на плечи самих китайцев или хотя бы поощрить китайские компании уважать общеиндустриальные стандарты качества и надёжности.

Динамика развития производства электроники в Китае за предыдущее десятилетие (http://www.pwc.com)

Инициатором создания в Китае первой рабочей группы JEDEC стала компания Huawei Technologies. Она же помогла провести первую встречу 18 марта в Шеньжене. На встрече были представители 40 китайских компаний. Вторая встреча участников группы должна пройти в июне этого года и комитет распространяет контакты с целью найти как можно больше желающих принять участие в новом заседании.