Теги → lpddr3
Быстрый переход

Samsung представила 8-Гбайт LPDDR4-модуль для флагманских смартфонов и планшетов

Компания Samsung Electronics анонсировала выпуск первого в отрасли мобильного модуля памяти типа LPDDR4, который имеет ёмкость 8 Гбайт. В одном корпусе инженеры Samsung сумели разместить четыре 16-Гбит чипа, использующих передовую производственную технологию 10-нм класса. Новинка нацелена на использование в различных приложениях с высокими требованиями к подсистеме памяти, например, просмотр Ultra HD-видео на мобильных устройствах с большими экранами.

LPDDR4-модуль Samsung

LPDDR4-модуль Samsung

По мнению исполнительного вице-президента Samsung по продажам и маркетингу памяти Джу Сан Чоя (Joo Sun Choi), представленная память найдёт применение во флагманских аппаратах с поддержкой VR-технологий, 4K-видео и двумя камерами. 8-Гбайт модуль способен обеспечить производительность до 4266 Мбит/с на контакт, что в два раза выше по сравнению с типичными модулями DDR4-памяти для настольных ПК. Новая память имеет 64-разрядную шину, то есть пропускная способность новинки составляет более 34 Гбайт/с. Планшеты, оснащённые этим модулем, смогут легко работать с виртуальными машинами, воспроизводить высококачественное видео, а также выполнять другие ресурсоёмкие задачи, характерные для ПК премиум-класса.

Производство чипов Samsung

Производство чипов Samsung

Благодаря усовершенствованному техпроцессу, новинка потребляет примерно столько же мощности, сколько и 4-Гбайт чипы на базе техпроцесса 20-нм класса. Габариты корпуса памяти составляют всего 15 × 15 × 1,0 мм, что позволяет интегрировать модуль в самые тонкие устройства. Предусмотрена также интеграция модуля с UFS-памятью или мобильными процессорами приложений.

Производитель не уточнил, когда новинка будет доступна разработчикам устройств.

Micron увеличит рентабельность DRAM-бизнеса в следующем году

Хотя Micron Technology начала поставки компьютерной памяти, сделанной с использованием технологического процесса 20 нм только в середине этого года, объёмы производства оказались малы, что отразилось на рентабельности компании и её доле на рынке. Однако, компания и финансовые аналитики верят, что Micron сумеет увеличить прибыльность данного бизнеса и отвоевать утраченные позиции в следующем году благодаря 20-и 16-нм техпроцессам.

Штаб-квартира Micron Technology

Штаб-квартира Micron Technology

Сегодня компания производит 20-нм DRAM на фабрике Elpida в Хиросиме (Япония) и на фабрике Inotera Memories в Таоюань (Тайвань). К концу года 80 % DRAM на фабрике Inotera будет выпускаться по 20 нм технологическому процессу. Тем не менее, в настоящее время большая часть памяти Micron изготовлена с использованием 25- и 30-нм процессов, что означает довольно высокие затраты. Для сравнения, 60 % памяти Samsung в этом году будет выпущено по 20-нм технологии.

«Несмотря на слабый спрос и ценовое давление в этом году, прибыльность DRAM-индустрии осталась на уровне $17 млрд, а валовая прибыль выросла с 37 до 39 %», — написал Марк Ньюман (Mark Newman), аналитик из Bernstein Research, в записке для клиентов. «Как такое возможно? Благодаря сильному росту доли прибыли индустрии, контролируемой Samsung, которая сегодня составляет 60 % против 46 % в четвёртом квартале 2014 года. Samsung увеличила прибыльность благодаря технологическому превосходству. Компания первой начала массовые поставки DDR4 и LPDDR4, что дало возможность увеличить ценовую премию, а 20-нм технология производства дала преимущества по себестоимости».

Микросхемы памяти Micron

Микросхемы памяти Micron

В сентябре Micron обозначила довольно агрессивные планы по переводу производственных мощностей на 20-нм техпроцесс в финансовом 2016 году (стартовал в начале сентября). Согласно планам компании, 50 % её памяти (в пересчёте на бит) в текущем финансовом году будет произведено именно используя эти технологические нормы. Уже весной более половины изготавливаемой DRAM компании будет производиться по 20-нм техпроцессу.

«Мы ожидаем, что 20-нм память составит более половины нашего производства DRAM в финансовом 2016 году», — сказал Марк Адамс, президент Micron, в ходе недавней телеконференции с инвесторами и финансовыми аналитиками.

Модули памяти Micron/Crucial

Модули памяти Micron/Crucial

По данным аналитиков из DRAMeXchange, именно тонкий — 20-нм — технологический процесс позволил Samsung продавать память с валовой прибылью в 47 % в третьем квартале 2015 года на фоне падения цен на DRAM. В то же время, маржа на компьютерную память Micron снизилась до 15 % (с 21 % во втором квартале). Тем не менее, сколь бы агрессивным ни был бы Samsung с внедрением еще более тонких технологических процессов в 2016, Micron удастся отвоевать место на рынке и вернуться к традиционной норме прибыльности, говорят аналитики из Bernstein Research.

«В отличие от Samsung, Micron постигли неудачи в 2015 году, и компания потеряла долю прибыли, которую контролировала», — написал господин Ньюман. «Micron не был готов к внедрению 20-нм техпроцесса, когда Samsng уже массово производил [высоко-маржинальную] LPDDR4, используя эту технологию. […] Тем не менее, то, что было попутным ветром для Samsung в 2015 году, должно стать встречным в 2016 году. Пострадавшие из-за высокой себестоимости и низкой маржи Micron и SK Hynix наверстают упущенное в 2016, когда существенно увеличат производство DDR4 и LPDDR4, используя 20-нм техпроцесс».

Производство оперативной памяти на фабрике Micron

Производство оперативной памяти на фабрике Micron

Вне всяких сомнений, Samsung останется лидером рынка оперативной памяти для компьютеров и мобильных устройств в 2016 году как по части объёмов выпуска, так и по части прибыльности. Тем не менее, маловероятно, что у компании будет настолько же серьёзное преимущество перед конкурентами, как в этом. Таким образом, если только Samsung не станет жертвовать прибылью в угоду увеличению или сохранению доли рынка, агрессивное использование 20-нм технологического процесса должно помочь Micron вернуть утраченные позиции.

Micron может начать выпуск 16-нм оперативной памяти в конце 2016 года

Micron Technology, третий по величине в мире производитель компьютерной памяти, задержался с началом производства динамической памяти с произвольным доступом (dynamic random access memory, DRAM) по технологии 20 нм. Это оказало негативный эффект на рентабельность компании и снизило её конкурентоспособность. Тем не менее, сегодня Micron успешно наращивает выпуск 20-нм и может начать использовать 16-нм технологию к концу следующего календарного года.

Micron Technology начала пробное производство DRAM по технологическом процессу 20 нм в четвёртом квартале 2014 года и начала коммерческие поставки соответствующей памяти в середине 2015. Главный конкурент, компания Samsung Electronics — крупнейший в мире производитель DRAM — начала массовое производство DRAM, используя процесс изготовления 20 нм в марте 2014 года, и сумела быстро увеличить производство, используя новую технологии. Использование тонкого техпроцесса снизило себестоимость памяти, что помогло Samsung несколько снизить энергопотребление памяти, предложить клиентам конкурентоспособные цены и в то же время остаться прибыльной. Как следствие, Micron оказалась не в лучшем положении в этом году. Однако, в случае со следующим поколением технологических процессов для изготовления DRAM очень многое может измениться.

DDR4 память Micron

DDR4 память Micron

Micron планирует закончить подготовку к производству компьютерной памяти по технологии 16 нм к концу текущего финансового года, который завершается в начале сентября. Таким образом, компания сможет начать массовое производство 16-нм DRAM уже в четвёртом квартале календарного 2016.

«Мы хотим подготовить производственные мощности [для изготовления 16-нм памяти] к концу финансового года», — сказал Эрни Мэддок (Ernin Maddock), финансовый директор и вице-президент Micron, на конференции UBS Global Technology Brokers Conference. «Как быстро мы начнём использование этой технологии будет зависеть от развития ситуации на рынке в указанный период времени. Таким образом, на основе всего, что мы видим сейчас, мы будем достаточно агрессивны в развертывании использования 16-нм технологии; примерно, как мы вели себя с 20-нм технологией».

Планы разных производителей по внедрению новых технологических процессов для изготовления DRAM. Данные TechInsights

Планы разных производителей по внедрению новых технологических процессов для изготовления DRAM. Данные TechInsights

Производственный процесс 16 нм является первой технологией, совместно разработанной инженерами Micron из США и Японии. Затраты на проектирование данного техпроцесса выше, чем расходы на создание технологий предыдущих поколений. В апреле этого года Micron заявила, что первые образцы 16-нм микросхем памяти начали производиться на бывшей фабрике Elpida около Хиросимы (Япония). Micron возлагает большие надежды на 16-нм нормы изготовления и надеется, что её технология будет более прогрессивной, чем у Samsung.

«Если вы посмотрите на некоторые из ранних образцов [10 нм класса чипов DRAM] Samsung, вы заметите, что архитектурные изменения, которые они внедрили, не обеспечивают снижения размера ядра или увеличения плотности записи, подобных тем, что мы видели при переходе с 30-нм на 25-нм техпроцесс», — сказал Марк Дюркан (Mark Durcan), исполнительный директор Micron, в ходе одной из недавних телеконференций с инвесторами и финансовыми аналитиками. «Мы вполне ожидаем, что закроем [технологический] разрыв с Samsung при переходе на 16 нм».

К сожалению, ни Micron, ни Samsung не раскрывают подробностей о своих техпроцессов класса 10 нм (ранее поколение этих технологий обозначается как 1X nm). Считается, что первый технологический процесс Samsung в данном классе будет иметь расстояние между идентичными элементами в массиве (т.н. half pitch) в 18 нм. Компания Micron планирует быть более агрессивной и намеревается освоить сразу технологию 16 нм. Более тонкий технологический процесс позволит Micron производить микросхемы меньшего размера, что особенно важно при переходе на DDR4, а также чипы ёмкостью 8 Гбит и выше.

Особенности новых технологических процессов для изготовления DRAM. Данные TechInsights

Особенности новых технологических процессов для изготовления DRAM. Данные TechInsights

Производители DRAM считают, что дальнейшее увеличение ёмкости микросхем памяти потребует перехода на структуру ячейки 4F² (со структуры 6F², которая используется сейчас). Подобное строение ячейки потребует использования новой архитектуры транзисторов, что означает дополнительные сложности для производителей памяти. Аналитики из TechInsights полагают, что переход на ячейки 4F² и новые типы транзисторов будут происходить одновременно с переходом на технологические процессы класса 10 нм.

Будут ли Micron и Samsung переходить на ячейки 4F² уже с первым поколением 10-нм технологий неизвестно, но, судя по всему, производители DRAM станут более агрессивными с внедрением новых норм производства памяти в ближайшие годы вследствие обострившейся конкуренции и необходимости снижать производственные расходы.

Производителям DRAM удалось сохранить выручку на фоне падения цен

Несмотря на то, что цена на компьютерную память упала более, чем на 20 % в третьем квартале этого года, производителям динамических оперативных запоминающих устройств с произвольным доступом (dynamic random access memory, DRAM, ОЗУ) удалось сохранить свою выручку на уровне второго квартала. К сожалению, подобная ситуация означает, что даже рост спроса на память не способен остановить падения цен. Тем не менее, компании Samsung Electronics удалось увеличить свою долю на рынке.

Третий квартал традиционно очень хорош для продаж персональных компьютеров, смартфонов, планшетов и компонентов к ним. Спрос на ПК и другие устройства усиливается в конце августа – начале сентября, а кроме того многие компании начинают готовится к предновогоднему увеличению спроса на компьютеры и электронику. В этом году продажи ПК и компонент были слабыми, в результате чего упали цены на многие категории товаров. К примеру, выручка за оперативную память в третьем квартале упала на 1,2 % до $11,298 млрд по сравнению со вторым несмотря на то, что производители поставили больше памяти в пересчёте на бит, чем в предыдущей четверти, согласно данным DRAMeXchange.

Модуль памяти Samsung

Модуль памяти Samsung

По данным International Data Corp., продажи компьютеров в третьем квартале 2015 года составили 71 млн единиц, что на 10,8 % меньше, чем в тот же период прошлого года, но на 7,4 % больше, чем в предыдущем квартале. Продажи планшетов в указанный период составили 48,7 млн (на 12,6 % меньше, чем в третьем квартале предыдущего года, но на 8,94 % выше, чем во втором квартале этого года). Тем не менее, продажи смартфонов в тот же период выросли до 355,2 млн (на 6,8 % по сравнению в третьим кварталом 2014 и на 5,3 % по сравнению со вторым кварталом 2015).

Несмотря на довольно удручающие цифры для рынков ПК и планшетов, очевидно, что продажи электроники в третьем квартале выросли, как вырос спрос и поставки оперативной памяти для них. Тем не менее, вследствие роста производства оперативной памяти тремя крупнейшими производителями, цены на DRAM продолжали падать. Поскольку все компании стремятся сократить себестоимость, то они продолжают внедрять более тонкие технологии производства, что увеличивает объём выпуска и влияет на цены.

Производство DRAM на фабрике Micron

Производство DRAM на фабрике Micron

Чтобы в какой-то мере компенсировать снижающуюся стоимость оперативной памяти для персональных компьютеров (DDR3, DDR4), производители увеличивают производство ОЗУ для серверов и мобильных телефонов, поскольку цены на такую память менее волатильны. Так, доля памяти LPDDR разных поколения составила 40 % от всего глобального производства DRAM в третьем квартале (серьёзно увеличившись с 33,7 % во втором). Именно увеличение выпуска LPDDR и серверных DDR4 и DDR3 позволило индустрии удержать выручку примерно на уровне второго квартала несмотря на падение цен на ОЗУ для ПК. Тем не менее, по мере дальнейшего роста производства, цены на LPDDR также серьёзно снизятся, говорят в DRAMeXchange.

«Доля ОЗУ для мобильных устройств увеличится в общем объеме производства DRAM в соответствии с ростом продажи смартфонов в четвертом квартале», — сказал Аврил Ву (Avril Wu), ассистирующий вице-президент DRAMeXchange. «Тем не менее, рынок будет зависеть от негативных сезонных встречных ветров в последующий период. Производители увеличат объём выпуска памяти (в пересчёте на бит) при переходе на 20-21-нм технологические процессы. Таким образом, проблема переизбытка будет ухудшаться, а цены на DRAM будут продолжать снижение в ближайшем будущем».

Модули память SK Hynix

Модули память Samsung

Благодаря агрессивному внедрению 20-нм технологического процесса производства микросхем памяти, Samsung Electronics удалось не только остаться крупнейшим производителем динамических оперативных запоминающих устройств, но и самым прибыльным. Валовая прибыль от продажи DRAM компанией составила 47 % в третьем квартале, по данным DRAMeXchange. Валовая прибыль DRAM-бизнеса SK Hynix составила 36 %, тогда как маржа на компьютерную память Micron Technology упала до 15 % (с 21 % кварталом ранее).

Samsung Electronics удалось укрепить позиции на падающем рынке оперативной памяти в третьем квартале: рыночная доля компании в отчётный период составила 46,7 %. Доля SK Hynix поднялась до 28%, а доля Micron упала до 19,2 %, согласно данным DRAMeXchange.

Доли рынка производителей DRAM

Доли рынка производителей DRAM по данным DRAMeXechange

Учитывая традиционное лидерство Samsung в области технологических процессов, компания останется самым прибыльным производителем ОЗУ в ближайшие кварталы. Micron надеется, что её технологический процесс 16 нм позволит опередить Samsung по части себестоимости производства, однако достоверно неизвестно, когда компания сможет задействовать его в значительных масштабах.

Samsung приступила к производству первого 20-нм чипа мобильной памяти

Производитель всевозможной электроники Samsung Electronics объявил о начале серийного производства первых 20-нм чипов оперативной памяти (DRAM) для мобильных устройств. Полгода назад южнокорейская корпорация начала выпускать аналогичные микросхемы, предназначенные для персональных компьютеров.

На производственные конвейеры встали 6-гигабитные чипы LPDDR3, изготавливаемые по нормам 20-нанометрового класса. Новая память характеризуется скоростью передачи 2133 Мбит/с в расчете на один вывод, что заметно больше по сравнению с показателем микросхем LPDDR2, равным 800 Мбит/с.

engadget.com

engadget.com

Четыре чипа LPDDR3 плотностью 6 Гбит могут быть скомпонованы в одном корпусе, что позволит получить модули мобильной «оперативки» объёмом 3 Гбайт, которые на 20 % меньше и на 10 % энергоэффективнее по сравнению с аналогичными продуктами Samsung, в основе в которых лежат чипы, создаваемые в соответствии с нормативами 25-нм техпроцесса. Кроме того, 20-нм процесс обеспечивает 30-процентный прирост в производительности.

По словам разработчиков, новая память способна стать ведущим продуктом в условиях растущего спроса на смартфоны, планшеты и носимую электронику. Samsung также будет выпускать 20-нм чипы DRAM в версиях плотностью 4 и 8 Гбит.

pcmag.com

pcmag.com

Южнокорейский производитель напоминает, что в марте он приступил к производству компьютерных 20-нм чипов DDR3 плотностью 4 Гбит.

Компания Samsung представила LPDDR4-память для смартфонов

Южнокорейская компания Samsung объявила о создании первых в отрасли мобильных чипов памяти LPDDR4 ёмкостью 8 Гбит.

Стандарт Low Power Double Data Rate 4 (LPDDR4) по сравнению с LPDDR3 обеспечивает увеличение скорости передачи данных и снижение энергопотребления. Однако нужно заметить, что пока именно LPDDR3 набирает обороты, а многие смартфоны и планшеты до сих пор комплектуются памятью LPDDR2.

Так или иначе, но в перспективе производители мобильных устройств перейдут на LPDDR4. Представленные изделия Samsung выполнены по «технологии 20-нанометрового класса». Использование 8-гигабитных чипов позволяет создавать низковольтные модули ОЗУ ёмкостью 4 Гбайт. Чипы обеспечивают скорость передачи данных до 3200 Мбит/с на один вывод.

В целом скорость передачи информации повышена на 50% по сравнению с LPDDR3 или DDR3. При этом при напряжении питания в 1,1 В энергопотребление уменьшилось на 40%.

Новые чипы памяти найдут применение в смартфонах и фаблетах, оснащённых дисплеем ультравысокого разрешения (2К), высокопроизводительных планшетах, а также тонких и лёгких ноутбуках. Пониженное энергопотребление положительно отразится на времени автономной работы гаджетов, а увеличенная пропускная способность — на общем быстродействии. 

Разработка LPDDR4 идёт полным ходом

Работа над созданием оперативной памяти типа LPDDR4, предыдущие версии которой активно используются в мобильных устройствах вроде смартфонов и планшетов, продолжается ударными темпами.

Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) — комитет по инженерной стандартизации стремится удвоить скорость передачи данных в сравнении с LPDDR3, но, самое главное, — вдобавок сократить и энергопотребление оперативной памяти в 2 раза. Первая публикация стандартов обновленной мобильной памяти будет сделана не раньше 2014 года. И это несмотря на то, что предыдущее поколение LPDDR3 по-прежнему только набирает свои обороты, а многие смартфоны и планшеты до сих пор комплектуются LPDDR2.  

www.jedec.org

www.jedec.org

Low Power Memory Device Standard с индексом 4 должен войти в нишу последнего и наиболее технологичного поколения ультрабуков, смартфонов, планшетных компьютеров и других подобных устройств. Хун Вуон (Hung Vuong), председатель JEDEC-подкомитета JC-42.6 рассказал, что их группа заканчивает работу над определением спецификации LPDDR4 и готова представить их общественности в течении следующего года. JEDEC рассказала о своих планах на счет разработок LPDDR4 в августе 2013 года. Радуют достаточно стабильные темпы работы: спецификация третьего поколения оперативной памяти была официально представлена в мае 2012. Публикация стандарта LPDDR2 в феврале 2012 года дала технологическую паузу, которая, соответственно, продлилась чуть больше двух лет. В идеале комитет должен представить свои наработки по новому стандарту в начале II квартала 2014. 

Для LPDDR4 комитет  JEDEC ориентируется на скорость передачи данных в 3200 Мбит/с, а также ищет действенные решения для понижения энергопотребления на 50%. При создании нового поколения оперативной памяти пристальное внимание было обращено на архитектурные изменения, изменения напряжения и интерфейса.

Кроме показателей скорости передачи данных и параметров энергопотребления, были произведены, как указано выше, значительные архитектурные преобразования. На кристалле LPDDR4 будет располагаться 2 канала 16-битной памяти DRAM. Был изменен также и интерфейс: теперь будет использована новая логическая схема low-voltage swing terminated logic (LVSTL), имеющая неоспоримые преимущества, опять-таки, в плане потребления энергии. 

www.jedec.org

www.jedec.org

"Наша цель не только в наращивании производительной мощности, мы активно занимаемся серьёзными задачами в вопросе энергопотребления, поэтому наш взор сейчас сфокусирован именно на данном направлении. Как только будет достигнута нижняя планка необходимой производительности, мы сразу переключимся на работу над энергосбережением, чтобы достичь здесь максимально возможного значения", — заявил Дэн Скиннер (Dan Skinner), директор по развитию архитектуры в Micron Technology и член подкомитета JC-42.6.

В подтверждение этим словам третьим параметром, который подвергся серьёзным доработкам, стало напряжение. Теперь LPDDR4 использует для работы напряжение питания, равное 1,1 В, но и здесь в запасе имеется "площадка" для манёвра. Планируется, что в будущем напряжение может стать ещё меньше и понизится от заявленного значения на 0,1 В.

www.jedec.com

www.jedec.com

Не стоит удивляться тому, что рост производительности может отойти в гонке характеристик на второй план. Для мобильных систем параметр энергоэффективности всегда стоял в приоритете при разработке архитектуры оперативной памяти, в то время как персональные компьютеры и серверы как раз могли пожертвовать низким энергопотреблением в угоду быстродействию. Однако даже сейчас крупнейшие производители стали уделять данному показателю повсеместное внимание, в том числе и в области серверных разработок.

Точная дата выпуска LPDDR4, само собой, указана не была. Господин Вуонг подтвердил, что подкомитет JEDEC JC-42.6 продолжает над ней свою работу, в которую входит увеличение предела максимальной скорости оперативной памяти до 4266 Мбит/с.

Samsung впервые покажет LPDDR4-память для смартфонов

В рамках мероприятия ISSCC (International Solid-State Circuits Conference), которое состоится в феврале следующего года в Сан-Франциско, южнокорейские компании Samsung Electronics и SK Hynix представят свои новые достижения в области памяти.

В частности, Samsung впервые продемонстрирует маломощную оперативную память DDR4 SDRAM для смартфонов. Компания готовит доклад, в ходе которого её представитель расскажет о 8-Гбит LPDDR4-микросхемах с производительностью 3,2 Гбит/с в расчете на один контакт при напряжении питания 1 В. Эти чипы будут выполнены с использованием 25-нм техпроцесса. Ожидается, что новинки начнут вытеснять LPDDR3-память в смартфонах и других мобильных устройствах уже в следующем году. Кроме того, Samsung представит самую маленькую в мире SRAM-ячейку. Она выполнена на 14-нм FinFET-транзисторах и имеет площадь всего 0,064 мм2.

В свою очередь, SK Hynix впервые расскажет о своей так называемой памяти с высокой пропускной способностью (HBM, High-Bandwidth Memory). 8-Гбит модуль включает четыре полупроводниковых кристалла, соединенных по технологии TSV (Through Silicon Vias). 29-нм чип обеспечивает производительность 128 Гбайт/с при напряжении питания 1,2 В.

Другие производители памяти также покажут в рамках ISSCC 2014 свои перспективные разработки. Micron планирует представить стек памяти Hybrid Memory Cube (HMC), нацеленный на использование в высокопроизводительных системах. В настоящее время она уже предлагает партнерам ознакомительные образцы 4-Гбайт чипов HMC с производительностью 160 Гбайт/с.

SK Hynix анонсировала 6-Гбит LPDDR3-чипы 20-нм класса

На днях компания SK Hynix заявила о выпуске 6-Гбит микросхем оперативной памяти типа LPDDR3 с использованием техпроцесса 20-нм класса. Новинки отличаются высокой производительностью, малой потребляемой мощностью и нацелены на использование в мобильных устройствах премиум-класса.

Четыре микросхемы могут быть объединены в один чип ёмкостью 3 Гбайт. По сравнению с 4-Гбит решениями SK Hynix, новые микросхемы отличаются на 30% меньшим током нагрузки в режиме ожидания. При этом новинки работают при напряжении питания всего 1,2 В.

Новая LPDDR3-память отличается производительностью 1866 Мбит/с. При использовании 32-битного интерфейса обеспечивается пропускная способность 7,4 Гбайт/с в одноканальном режиме и 14,8 Гбайт/с в двухканальном режиме.

Образцы новых микросхем уже доступны заказчикам, а массовое производство запланировано на первый квартал следующего года.

Смартфоны класса high-end будут комплектоваться 3 Гбайт оперативной памяти

Компания Samsung объявила о начале массового производства модулей памяти LPDDR3 (Low Power Double Data Rate 3) объёмом 3 Гбайт, предназначенных для использования в смартфонах следующего поколения.

В изделиях объединены шесть чипов памяти ёмкостью 4 Гбит каждый. Они сконфигурированы в два блока по три чипа. Для связи модуля LPDDR3 с мобильным процессором приложений используется два симметричных канала, каждый из которых обеспечивает доступ к 1,5 Гбайт памяти.

Новые модули будут производиться по «технологии 20-нанометрового класса». Заявленная скорость передачи данных достигает 2 133 Мбит/с на вывод.

Samsung подчёркивает, что появление модулей LPDDR3 объёмом 3 Гбайт позволит сократить разрыв между компьютерами начального уровня и смартфонами. Одним из первых мобильных устройств, которое получит 3 Гбайт оперативной памяти, может стать фаблет Galaxy Note III. Анонс этого гаджета ожидается в сентябре на выставке IFA в Берлине.

SK Hynix выпустила 8-Гбит LPDDR3-чипы

Компания SK Hynix торжественно заявила о том, что ей удалось разработать первые в отрасли восьмигигабитные микросхемы памяти типа LPDDR3, используя  передовой техпроцесс 20-нм класса. Новые чипы отличаются высокой производительностью, экономичным энергопотреблением и нацелены на применение в мобильных устройствах.

На базе этих микросхем можно создавать приборы памяти ёмкостью до 4 Гбайт. При этом их габаритные размеры будут гораздо меньшими по сравнению с решениями аналогичного объёма, использующими 4-Гбит чипы. Скорость передачи данных новинок достигает 2133 Мбит/с, что выше типичного значения 1600 Мбит/с. При использовании 32-разрядной шины пропускная способность памяти составляет до 8,5 Гбайт/с в одноканальном режиме и до 17 Гбайт/с в двухканальном. Напряжение питания при этом составляет всего 1,2 В.

Новинки могут использоваться в ультрабуках и планшетах класса High-End. Они будут поставляться в форматах PoP (Package on Package), eMMC (embedded Multi Media Card). Образцы чипов уже отгружаются заказчикам, а массовое производство стартует ближе к концу года.

Материалы по теме:

Источник:

Samsung пустила в серию 20-нм мобильные DRAM-чипы

При выборе современного смартфона пользователи редко обращают особое внимание на подсистему оперативной памяти — обычно дело заканчивается лишь информацией об объеме “оперативки”. Но это отнюдь не означает, что разработчики интегральных микросхем не занимаются развитием и усовершенствованием мобильной DRAM. Например, компания Samsung только что объявила о старте серийного выпуска новых чипов типа LPDDR3, изготовленных по 20-нм технологическому процессу и имеющих емкость 4 Гбит.

По замыслу разработчиков, микросхемы LPDDR3 должны заменить на рынке микросхемы типа LPDDR2, по крайней мере, в секторе “топовых” смартфонов и планшетных компьютеров. Для этого новички обладают целым рядом преимуществ: меньшими размерами, большей эффективностью, более высокой производительностью (пропускная способность 2133 Мбит/с против 800 Мбит/с у LPDDR2), и — что очень важно для рынка портативной электроники, — сниженным на 20% энергопотреблением. Отметим, что объединив четыре чипа LPDDR3, OEM-производители оперативной памяти получат в результате модуль объемом 2 Гбайт, “упакованный” в весьма и весьма компактный корпус толщиной всего 0,8 мм.

В ближайшем будущем компания Samsung планирует сделать ставку именно на 20-нм интегральные микросхемы оперативной памяти, постоянно увеличивая объемы выпуска изделий нового поколения. Это позволит ей успешно бороться с конкурентами на рынке мобильных DRAM-микросхем, который, по данным аналитического агентства Gartner, будет из года в год только наращивать объемы. Прогноз на ближайшее время выглядит следующим образом: по итогам 2013 года ожидается увеличение объемов рынка оперативной памяти на 13%, до отметки в $29,6 млрд. Из них около 35% будет приходиться именно на сегмент мобильной DRAM, или около $10 млрд.

Материалы по теме:

Samsung и Hynix захватили почти 80% рынка мобильных DRAM

Мы уже говорили о распределении рынка DRAM в целом между тремя основными игроками — Samsung, Hynix и Micron вместе с Elpida (Micron завершит поглощение последней в текущем году). Что касается мобильных микросхем ОЗУ, то ситуация в общих чертах такая же самая, но всё же Samsung и Hynix чувствуют здесь себя увереннее.

Вместе эти два лидера охватывают около 80% всего сегмента, согласно итогам четвертого квартала 2012 года, которые подвели аналитики из DRAMeXchange. Samsung укрепила свои позиции и увеличила долю с 52,3% до 54,7%. При этом её выручка выросла на 26,9% — до $1,5 млрд. Hynix также усилила позиции — её доля выросла с 21,2% до 23,8%. В целом выручка на мировом рынке мобильных DRAM-чипов увеличилась за квартал на 21,4%.

А вот Elpida Memory показала спад в четвёртом квартале. Её доля сократилась с 20,8% до 19%. Доля Micron и вовсе упала с 4,2% до 1,3%. Замыкает пятёрку компания Winbond Electronics с долей 0,9%.

Материалы по теме:

Источник:

Rambus представила архитектуру мобильного ОЗУ R+ LPDDR3

Компания Rambus анонсировала платформу R+, в рамках которой представлена архитектура для мобильной оперативной памяти R+ LPDDR3. Новинка полностью совместима с отраслевыми стандартами и отличается при этом более высокими энергоэффективностью и производительностью.

Архитектура R+ LPDDR3 включает контроллер памяти и DRAM-интерфейс. По сравнению с другими решениями, она позволяет уменьшить потребляемую мощность ОЗУ на 25%. Скорость передачи данных достигает 3200 Мбит/с, что в два раза превышает показатели современных LPDDR3-модулей. Память на основе новой архитектуры нацелена на мобильные устройства с поддержкой потокового HD-видео, требовательных игр и приложений с интенсивной обработкой данных.

Ключевые характеристики R+ LPDDR3:

  • Скорость передачи данных от 1600 до 3200 Мбит/с;
  • Поддержка протоколов LPDDR2, LPDDR3 и R+ LPDDR3;
  • Совместимость со стандартами DFI 3.1 и JEDEC LPDDR3;
  • Производство с использованием 28-нм SLP-техпроцесса компании GLOBALFOUNDRIES.

Контроллер и интерфейс ОЗУ уже доступны заказчикам.

Материалы по теме:

Источник:

Samsung выпустила первые 2-Гбайт LPDDR3-чипы 30-нм класса

Южнокорейская компания Samsung Electronics заявила о запуске массового производства первых в мире 2-Гбайт микросхем памяти LPDDR3 по нормам техпроцесса 30-нм класса. Новые чипы нацелены на использование в мобильных устройствах следующего поколения.

Новинка Samsung представляет собой четыре кристалла, заключенные в один корпус. По мнению разработчиков, LPDDR3-память является необходимым атрибутом современного планшетного компьютера или смартфона наряду с мощным процессором, дисплеем высокого разрешения и поддержкой 3D-видео.

Пропускная способность новых чипов составляет 1600 Мбит/с на один контакт, что примерно на 50% выше по сравнению с LPDDR2. В целом, скорость передачи данных достигает 12,8 Гбайт/с. Это позволяет с комфортом просматривать Full HD-видео на дисплеях с диагональю экрана более четырёх дюймов.

Отметим, LPDDR2-память 30-нм класса компания Samsung начала выпускать с октября прошлого года.

Материалы по теме:

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥