Теги → lpddr4
Быстрый переход

Знакомимся с будущими лидерами рынка китайской памяти

Аналитики торговой площадки TrendForce (электронной биржи по торговле памятью всех типов) подготовили небольшой доклад, который знакомит с тремя потенциально крупнейшими китайскими производителями памяти. Мы уже упоминали имена всех трёх компаний, но поскольку есть путаница в переводе названий на английский язык, а также за прошедший год произошёл ряд изменений в стратегии и тактике производителей, новая информация будет очень кстати.

Краткое досье на три китаские компании, котрые собираются сыграть на рынке полупроводниковой памяти (TrendForce)

Краткое досье на три китайские компании, которые собираются сыграть на рынке полупроводниковой памяти (TrendForce)

Прежде всего, TrendForce отмечает, что стратегия китайских производителей изменилась. Как вы можете помнить, два года назад были попытки Tsinghua Unigroup купить компанию Micron и долю в SK Hynix. Эти и многие другие предложения со стороны китайских производителей встретили резкое неприятие со стороны западных партнёров. Поэтому с прошлого года китайские производители стали вкладывать деньги в отечественные центры по разработкам и проектированию. При этом Китай не прекращает собирать таланты в регионе, активно нанимая инженеров в Японии, на Тайване и в Южной Корее. Серьёзность подхода налицо.

Две из трёх упоминавшихся выше компаний — JHICC и Innotron — фокусируются на производстве памяти типа DRAM. Компания JHICC (Fujian Jinhua Integrated Circuit Co) формально создана в феврале 2016 года под эгидой фонда Fujian An Xin Industrial Investment. Фонд учреждён компанией Fujian Electronics & Information Group и властями города Цюаньчжоу и городского уезда Цзиньцзян. Ранее сообщалось, что в JHICC активно участвует тайваньская компания UMC, но у неё начались серьёзные трения с Micron по этому поводу, и чем оно всё закончится пока непонятно.

Действующий завод китайской компании XMC Memory Fab (XMC)

Действующий завод китайской компании XMC Memory Fab (XMC)

Специализация компании JHICC — это память DRAM для нужд потребительской электроники. Это очень большой по потребностям рынок и JHICC рассчитывает серьёзно расширить бизнес. Более того, с помощью поддержки правительственных субсидий JHICC собирается получить патенты и выйти в течение 2018 года на международный рынок. Тем самым, кстати, она не составит конкуренции кому-то из лидеров отрасли, и этот номер может пройти для неё без последствий (подобную память выпускают преимущественно тайваньские производители условно второго эшелона).

Свежие кадры со стройки первого завода Yangtze Memory Technologies Company (Tsinghus)

Свежие кадры со стройки первого завода Yangtze Memory Technologies Company (Tsinghua, CCTV13)

Компания Innotron фокусируется на разработке и производстве мобильной памяти типа LPDDR. Это уже вызов международным лидерам отрасли. Китайские бренды на глобальном рынке смартфонов удерживают порядка 40 %. Если Innotron успешно начнёт массовый выпуск памяти LPDDR4 и найдёт общий язык с соотечественниками (а она его, скорее всего, найдёт) она станет объектом пристального внимания со стороны Samsung, SK Hynix и Micron. Компания Innotron, добавим, создана в июне 2016 года компанией Hefei Industri Investment Group (HIIG) при поддержке так называемого Большого Фонда китайского правительства, направленного на поддержку национальной полупроводниковой индустрии.

Образцы китайской 3D NAND

Образцы китайской 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

Наконец, компания Yangtze Memory Technologies Company (YMTC), созданная в июле 2016 года для производства национальной NAND флеш. Компания YMTC считается дочерней компанией Tsinghua Unigroup, в которую вошёл местный производитель XMC и которая поддержана Большим Фондом и рядом местных фондов и партнёрами Tsinghua. На первом этапе YMTC планирует выпускать 32-слойную 3D NAND и, возможно, 2D NAND для продуктов начальной категории — это карточки флеш-памяти и USB-накопители. Конкурировать с мировыми брендами и выходить на рынок SSD компания YMTC собирается после освоения производства 64- и 96-слойной 3D NAND. Это произойдёт, по оценкам аналитиков, не раньше 2020–2021 года. Стоит ещё заметить, что китайские компании исключают производство своими силами графической памяти типа GDDRх, хотя производство компьютерной памяти типа DRAM DDR всё-таки планируется. Но пока об этом подробностей нет. Ждём, чем закончатся иски Micron к UMC.

В четвёртом квартале сильнее всего подорожает память для смартфонов

Не секрет, что память DRAM дорожает во всех своих сегодняшних проявлениях: для персональных компьютеров, для серверов и для мобильных устройств в лице смартфонов и планшетов. У каждого типа (вида) памяти свои темпы наращивания стоимости. Выше всех поднялись цены на память для ПК. Графическая память, ёмкие чипы DRAM для серверных модулей и память LPDDR для смартфонов стали дороже, но не так сильно, как память для ПК. Последнее, если верить докладу аналитиков подразделения DRAMeXchange компании TrendForce, производителей памяти начинает беспокоить.

Память SK Hynix LPDDR3

Память SK Hynix LPDDR3

В четвёртом квартале текущего года, сообщает DRAMeXchange, оптовые цены на микросхемы мобильной памяти LPDDR последовательно вырастут на 10–15 %. Это связано как с общими рыночными тенденциями, так и с желанием поставщиков памяти уровнять отпускные цены на память для ПК и память для смартфонов. При этом, судя по всему, в 2018 году производители не собираются вкладывать деньги в расширение производственных мощностей. Вместо этого запланировано внедрение новых техпроцессов и усовершенствование текущих процессов (снижение уровня брака). Это означает, что поставки памяти не только не увеличатся, но могут даже сократиться, что снова рискует привести к дефициту памяти в течение всего 2018 года.

В новом смарфоне Apple «всего» 3 Гбайт оперативной памяти

В новом смартфоне Apple «всего» 3 Гбайт оперативной памяти

Возвращаясь к памяти для смартфонов, отметим, скорый выход новой серверной платформы Intel (Xeon на архитектуре Skylake), а также строительство новых ЦОД компаниями Google, Facebook, Amazon и Microsoft заставит производителей памяти переориентировать на выпуск серверных чипов DRAM больше мощностей, чем сегодня. Эти мощности придётся отобрать у памяти для ПК и памяти для смартфонов, что не будет способствовать снижению цен на память от слова совсем. Добавим к этому, что всё больше топовых смартфонов будут получать оперативную память в объёме 4 и 6 Гбайт, а это дополнительная нагрузка на производителей, поставщиков и... кошельки покупателей.

У Micron поломалась фабрика: ждём нового роста цен на память

Как сообщает аналитическое агентство TrendForce, 1 июля компания Micron остановила работу своей полупроводниковой фабрики по производству памяти Fab-2 из-за возникновения неисправности в системе подачи азота. Серьёзных негативных последствий для персонала предприятия это не вызвало, однако из-за инцидента пострадали полупроводниковые заготовки и часть оборудования, вследствие чего июльские поставки DRAM просядут примерно на 5,5 % в глобальном выражении. Для рынка памяти, который и без того страдает от дефицита, это может иметь катастрофические последствия. В числе пострадавших по цепочке поставок может оказаться и компания Apple, которая теперь имеет шансы не выполнить план по производству новых iPhone.

Вообще говоря, для стороннего наблюдателя сокращение глобальных поставок памяти на 5–6 % не выглядит как слишком серьёзная проблема. Но аналитики опасаются, что происшествие станет толчком для лавинообразного усугубления дефицита. Такое уже случалось в прошлом, а сейчас ситуация и без того не слишком благоприятна: вследствие увеличения спроса на память со стороны серверного и мобильного сегментов цены на чипы DRAM неуклонно растут несколько кварталов подряд. Так, с начала этого года стоимость динамической памяти выросла на 30–40 %, а предварительный прогноз на третий квартал предполагал дополнительное её подорожание ещё на 10 %. Однако данная оценка была сформулирована до происшествия на фабрике Micron, теперь же, очевидно, её придётся пересмотреть в сторону увеличения.

Происшествие в системе подачи азота произошло на тайваньской фабрике Micron, которую она получила в своё распоряжение в результате покупки компании Inotera. Утечка газа привела к загрязнению 60 тысяч полупроводниковых пластин, что потребует списать в утиль примерно половину от месячной продукции данной фабрики или 5,5 % от объёмов глобального производства, ожидаемого в июле. Кроме того, как подчёркивают аналитики, для перезапуска фабрики теперь потребуется весьма трудоёмкий процесс очистки загрязнённого оборудования, поэтому возврат к прежним объёмам производства займёт значительное время.

Отдельные опасения аналитиков вызваны тем, что на пострадавшей фабрике изготавливались чипы LPDDR4-памяти, используемые в iPhone. А это значит, что проблемы Micron легко могут вылиться в недопоставки смартфонов Apple, в том числе и перспективной модели iPhone 8.

Впрочем, сама Micron не склонна считать инцидент критическим, или по крайней мере делает такой вид. В распространённом компанией заявлении говорится о том, что «выбросов азота не было, и эвакуация персонала не производилась, а само происшествие — незначительное и существенного влияния на бизнес не окажет».

В 2017 году массовой памятью для смартфонов станет LPDDR4X

По мнению аналитиков подразделения DRAMeXchange компании TrendForce, массовой памятью для смартфонов в текущем году станет новейшая версия мобильной памяти LPDDR4X. Это тем более удивительно, что первые массовые партии памяти LPDDR4X начали появляться всего лишь около полугода назад. Собственно, процессоры, которые поддерживают LPDDR4X, сегодня можно пересчитать по пальцам одной руки — это Qualcomm Snapdragon 835 и 660 и MediaTek P20 и P30. Тем не менее, уже во втором квартале память LPDDR4X обойдёт память LPDDR4 по суммарной ёмкости всех вновь выпускаемых микросхем мобильной памяти (в пересчёте на биты).

Динамика рыночного распространенния типов мобильной памяти (DRAMeXchange)

Динамика рыночного распространения типов мобильной памяти (DRAMeXchange)

Память LPDDR4X отличается от памяти LPDDR4 лишь в одном — напряжение питания шины (VDDQ) LPDDR4X составляет 0,6 В, а не 1,1 В, как у памяти LPDDR4. За счёт этого подсистема памяти LPDDR4X потребляет на 10–20 % меньше, чем подсистема памяти LPDDR4. Что такое современные смартфоны и какие у них внутри аккумуляторы, знают все. Даже дополнительные 10 % экономии позволят немного продлить автономную работу устройств. К тому же сегодня память LPDDR4 и LPDDR4X используется не только в смартфонах, но также в сверхтонких ноутбуках, в вещах с подключением к Интернету, в автомобильной электронике и в другой продукции, где экономия потребления считается одним из важнейших факторов.

Основные преимущества LPDDR4X перед LPDDR4

Основные преимущества LPDDR4X перед LPDDR4

Вопрос цены, кстати, уже можно считать неважным. Себестоимость микросхем LPDDR4X приблизилась к себестоимости микросхем LPDDR4 и всего на 5 % в среднем больше, чем себестоимость памяти LPDDR3. Это стимулирует разработчиков мобильных платформ быстрее переходить на более производительную память LPDDR4/LPDDR4X и активнее заниматься адаптацией памяти LPDDR4X, добавляя при переходе с LPDDR3 не только рост скорости передачи данных, но также увеличивая энергоэффективность подсистем памяти. В целом, в текущем году доля памяти LPDDR4/LPDDR4X на рынке превысит долю памяти LPDDR3.

Мискросхемы SK Hynix LPDDR4X

Микросхемы SK Hynix LPDDR4X

Лидерами производства микросхем LPDDR4X считаются компании Samsung и SK Hynix. Компания Samsung начала массовый выпуск новой памяти первой в четвёртом квартале 2016 года (с использованием 18-нм технологических норм), но SK Hynix отметилась в январе началом производства самых ёмких микросхем LPDDR4X — объёмом 8 Гбайт с использованием 21-нм техпроцесса. Также в первом квартале массовый выпуск 20-нм микросхем LPDDR4X начала компания Micron. Все три производителя планируют начать во втором квартале производство многокорпусных упаковок eMCP с использованием кристаллов LPDDR4X. Это означает также, что кристаллы LPDDR4X позже можно будет встретить в составе SoC в виде встроенных модулей памяти.

Планы SK Hynix на этот год: 18-нм DRAM, 72-слойная 3D NAND, расширение фабрики M14

SK Hynix на этой неделе опубликовала финансовые результаты за 2016 год, а также рассказала о планах на 2017. Как и ожидалось, компания намерена начать массовое производство новых типов памяти и расширить производственные мощности. Примечательно то, что в краткосрочной перспективе SK Hynix намеревается вкладывать средства в увеличение производства NAND флеш-памяти, но не в увеличение выпуска DRAM.

DRAM: Расширение использования техпроцесса 21 нм и освоение 18 нм

SK Hynix начала производство DRAM по техпроцессу 21 нм в конце 2015 года. С тех пор компания постепенно расширяет использование технологии, а также старается увеличить выход годных микросхем. К настоящему времени SK Hynix использует 21 нм техпроцесс для изготовления широкого ассортимента своей продукции, включая оперативную память типов DDR4, LPDDR4, HBM2. Тем не менее, прогресс не стоит на месте: на этой неделе компания подтвердила, что она намерена начать массовое производство DRAM с использованием технологии класса 1X нм — эксперты считают, что речь идёт о 18 нм — уже в этом году.

Память SK Hynix LPDDR4X

Память SK Hynix типа LPDDR4X

SK Hynix в настоящее время не планирует существенного расширения производственных мощностей. В то же время, дальнейшее увеличение производства DRAM с использованием техпроцесса 21 нм и начало применения технологии 18 нм во второй половине года автоматически увеличат объём выпускаемой памяти (в пересчёте на бит, при условии адекватного выхода годных кристаллов). Как известно, при уменьшении ширины транзисторного затвора происходит уменьшение размеров ячеек памяти. Таким образом, объём памяти (в пересчёте на биты) на каждой 300-мм кремниевой пластине увеличивается.

Память SK Hynix DDR4

Память SK Hynix типа DDR4

Тем временем, аналитики из TrendForce считают, что спрос на DRAM в 2017 году вырастет на 20 % в годовом исчислении, в то время как производство DRAM различными производителями увеличится примерно на 19 % по сравнению с 2016 годом. Дисбаланс между спросом и предложением создаст дефицит оперативной памяти и удержит цены на высоких уровнях, говорят аналитики.

Кроме роста объёма памяти в ПК, есть ещё два фактора, которые поднимут спрос на DRAM. Во-первых, выходящие вскоре процессоры Intel Xeon поколения Skylake-EP имеют шестиканальный контроллер памяти, что означает использование минимум шести модулей памяти на процессорный разъём вместо сегодняшних четырёх. Во-вторых, флагманские смартфоны на базе Google Android получат новые подсистемы памяти объёмом 6 или 8 Гбайт LPDDR4/LPDDR4X.

NAND: 72-слойные 512-Гбит 3D NAND микросхемы к концу года

Спрос на NAND флеш-память неуклонно растет в последние годы вследствие того, что индустрия выпускает всё больше устройств на основе энергонезависимой памяти (смартфоны, твердотельные накопители, бытовая электроника и т. п. ), а объём накопителей во многих изделиях увеличивается — например, Apple iPhone 7 начального уровня теперь экипируется 32 Гбайт NAND. Для того, чтобы удовлетворить растущий спрос, производители расширяют производственные мощности и разрабатываются новые микросхемы 3D NAND большой ёмкости. В этом году SK Hynix наравне с конкурентами планирует как увеличить производство NAND, так и выпустить новые чипы памяти.

36-cлойная память SK Hynix 3D NAND (3D-V2). Иллюстрация TechInsights

36-cлойная память SK Hynix 3D NAND (3D-V2). Иллюстрация TechInsights

SK Hynix начала массовое производство 36-слойных микросхем памяти 3D NAND с двухбитовой ячейкой MLC — в компании их называют 3D-V2 — ёмкостью 128 Гбит в 2015 году. Данные микросхемы были во многом «пробой пера», они в основном используются для различных съёмных накопителей.

В прошлом году компания начала производство 48-слойных микросхем 3D TLC NAND (3D-V3), которые подходят для различных типов устройств, включая карты памяти, USB-флешки, встраиваемые накопители и SSD. Микросхемы 3D-V3 имеют ёмкость 256 Гбит — они собираются в блоки ёмкостью 512 Гбит, 1024 Гбит, 2048 Гбит и даже 4096 Гбит.

Память SK Hynix NAND

Память SK Hynix NAND

Позже в этом году SK Hynix планирует начать массовое производство 72-слойной памяти 3D TLC NAND (3D-V4), которая обещает быть весьма интересной как с точки зрения ёмкости, так и с точки зрения производительности. Во втором квартале SK Hynix планирует начать продажи микросхем 3D-V4 ёмкостью 256 Гбит. В четвёртом квартале стартует производство микросхем ёмкостью 512 Гбит (64 Гбайт), что даст возможность значительно увеличить вместительность SSD и других накопителей на базе NAND. Кроме того, размер блока (минимальная ёмкость, которую можно стереть) у 3D-V4 TLC увеличится до 13,5 Мбайт (против 9 Мбайт у 3D-V2 и 3D-V3), что повысит производительность таких микросхем по сравнению с предшественниками.

На данный момент мы не знаем, собирается ли SK Hynix увеличить скорость интерфейса своих 512-Гбит микросхем чтобы компенсировать меньший параллелизм в случае SSD небольшой ёмкости, как это сделала Samsung для своих 64-слойных 3D V-NAND чипов. Однако известно, что каталог продукции SK Hynix уже включает мультичиповые NAND-сборки ёмкостью до 8192 Гбит (1 Тбайт), что даст возможность создавать объёмные SSD малых размеров — например, односторонний модуль M.2 ёмкостью 2-4 Тбайт.

В то же время 512-Гбит микросхемы флеш-памяти неизбежно заставят SK Hynix и её партнеров отказаться от выпуска SSD малых объёмов (120/128 Гбайт), поскольку производительность таких накопителей будет очень низкой даже при высоких скоростях интерфейса (~800 Мтрансферов/с).

3D NAND на втором этаже M14

Как уже сообщалось ранее, SK Hynix планирует начать использование второго этажа производственного комплекса M14 для производства 3D NAND в 2017 году. На этой неделе компания в очередной раз подтвердила намерения, но не стала раскрывать каких-либо подробностей.

В любом случае, по мере роста производства памяти на M14, компания увеличивает свои объёмы и доход. А по мере перехода SK Hynix на выпуск 3D NAND большой ёмкости — 256 Гбит сейчас и 512 Гбит в четвёртом квартале — общий объём производства памяти (в пересчёте на бит) также увеличится.

Производственный комплекс SK Hynix M14

Производственный комплекс SK Hynix M14

В июле этого года SK Hynix также начнёт расширение «чистой» комнаты фабрики C2 в Вузи (Китай), что обойдётся в $790 млн. и займёт почти два года. Производственный комплекс C2 используется для изготовления DRAM, а его расширение позволит сохранить текущий объём выпуска оперативной памяти при переходе на более современные технологии производства, требующие применения многократного экспонирования, которое делает производственные циклы длиннее.

Впрочем, поскольку работы будут завершены лишь в апреле 2019 года, расширения производственных мощностей не окажет никакого влияния на цены DRAM в ближайшем будущем. Кроме того, принимая во внимание причину расширения «чистой» комнаты (увеличение длины цикла производства памяти), далеко не факт, что оно вообще окажет какой-либо эффект на цены.

SK Hynix анонсировала первые в мире микросхемы LPDDR4X-4266 8 Гбайт

SK Hynix официально представила первые в мире сборки памяти LPDDR4X ёмкостью 8 Гбайт для мобильных устройств следующего поколения. Новые микросхемы памяти (dynamic random access memory, DRAM) не только обладают увеличенной производительностью и сниженным энергопотреблением шины, но и отличаются уменьшенными размерами. Заинтересованные стороны уже получили образцы микросхем LPDDR4X от SK Hynix, а первые устройства на базе нового типа памяти появятся на рынке в ближайшие месяцы.

Мискросхемы SK Hynix LPDDR4X

Мискросхемы SK Hynix LPDDR4X

LPDDR4X представляет собой новый стандарт оперативной памяти для мобильных устройств, который базируется на LPDDR4, но обеспечивает снижение энергопотребление подсистемы памяти примерно на 18–20% за счёт снижения напряжение питания шины (VDDQ) до 0,6 Вольт (на 45 %). Все остальные характеристики LPDDR4 (LP4) и LPDDR4X (LP4X) идентичны: внутренняя тактовая частота микросхем 200~266 МГц, предварительная выборка 16n и т. д. Память типа LPDDR4X уже поддержана рядом разработчиков мобильных систем на кристалле (system-on-chip, SoC). Так, MediaTek Helio P20 стал первым мобильным процессором, совместимым с LP4X. Он был анонсирован примерно год назад и первые устройства на его базе появятся в первой половине 2017 года. Кроме того, новый флагманский SoC компании Qualcomm, Snapdragon 835, также поддерживает LP4X. Учитывая, что Snapdragon 835 был анонсирован в ноябре, первые устройства на его базе появятся ещё не скоро.

Основные преимущества LPDDR4X перед LPDDR4

Основные преимущества LPDDR4X перед LPDDR4

8-Гбайт (64 Гбит) сборка памяти SK Hynix LPDDR4X использует четыре микросхемы ёмкостью 16 Гбит и характеризуется скоростью передачи данных 4266 Мтрансферов/с и пиковой пропускной способностью 34,1 Гбайт/с в случае подключения к процессору с использованием 64-разрядной шины. Новые модули памяти типа LPDDR4X поставляются в корпусах FGBA размером 12 × 12,7 мм, которые на 30 % меньше корпусов LPDDR4 размером 15 × 15 мм. Сборки SK Hynix LP4X могут быть использованы как отдельно, так и в составе упаковки типа PoP (package-on-package).

Сборки микросхем SK Hynix LPDDR4X

H9HKNNNFBUMU H9HKNNNFBMMUDR H9HKNNNEBMMUER H9HKNNNEBMAUDR
Ёмкость микросхемы памяти 16 Гбит 12 Гбит
Количество микросхем памяти 4
Ёмкость сборки 8 Гбайт (64 Гбит) 6 Гбайт (48 Гбит)
Скорость передачи данных 4266 Мтрансферов/с 3733 Мтрансферов/с
Ширина шины 64 разряда 48 разрядов
Пропускная способность сборки 34,1 Гбайт/с 29,8 Гбайт/с
Упаковка FBGA FBGA-376 FBGA-366 FBGA-376
Размеры 12 мм × 12,7 мм
Напряжение питания 1,8/1,1/0,6 Вольт
Технологический процесс 21 нм
Время доступности 2017

SK Hynix не заявляет точных значений энергопотребления сборок памяти LPDDR4X, но подтверждает, что вследствие снижения напряжения питания шины на 45 % энергопотребление подсистемы памяти в целом упало на 20 % в сравнении с энергопотреблением гипотетической подсистемы памяти LPDDR4, работающей на той же тактовой частоте в одинаковых условиях. Подобное описание не слишком точно, поскольку микросхемы LPDDR4 SK Hynix поддерживают максимальную скорость передачи данных 3733 Мтрансферов/с. Если предложить, что производитель никак не оптимизировал архитектуру самих ячеек памяти у микросхем LPDDR4X по сравнению с предшественниками, но лишь снизил напряжение питания шины до 0,6 Вольта, то подсистема памяти на базе 8 Гбайт LP4X-4266 должна потреблять чуть меньше мощности, чем подсистема памяти на базе 8 Гбайт LP4-3733, но точные данные на сегодняшний день неизвестны.

SK Hynix использует свой 21-нм технологический процесс для изготовления памяти типа LPDDR4 и LPDDR4X. Таким образом, с точки зрения технологии производства, чипы SK Hynix LP4X очень похожи на своих собратьев типа LP4, а энергопотребление самих ячеек памяти идентично.

Мискросхемы SK Hynix LPDDR4X

Мискросхемы SK Hynix LPDDR4X

Первоначально SK Hynix будет предлагать исключительно модули LPDDR4X ёмкостью 8 Гбайт со скоростью передачи данных 4266 Мтрансферов/с на основе микросхем памяти 16 Гбит. Чуть позже компания расширит семейство сборками ёмкостью 6 и 8 Гбайт со скоростями 3733 Мтрансферов/с (уже присутствуют в каталоге продукции) и 3200 Мтрансферов/с. Впоследствии SK Hynix может представить модули LPDDR4X на основе 8-Гбит микросхем, однако такие планы пока упоминаются лишь в официальном блоге компании. Модули памяти LPDDR4X относительно небольшой ёмкости имеют большой потенциал на рынке, поскольку далеко не все смартфоны (и планшеты) будут оснащаться 8 Гбайт ОЗУ в этом году. По оценкам аналитиков из IHS Markit, средний телефон высокого ценового класса будет экипироваться 3,5 Гбайт оперативной памяти (имеются в виду аппараты с 2, 3, 4, 6 и 8 Гбайт памяти). При этом стоит помнить, что требования к объёму ОЗУ у Apple iOS и Google Android существенно отличаются, смартфоны на базе последней требуют больше DRAM, и Android-аппараты с 4 Гбайт оперативной памяти станут весьма распространёнными в этом году. Что касается устройств на базе iOS, то флагманские iPhone 7 и iPhone 7 Plus оснащены лишь 2 и 3 Гбайт памяти соответственно.

По заявлениям компании, производство модулей памяти LPDDR4X-4266 8 Гбайт уже началось. Мобильные устройства на базе новой памяти, как ожидается, появятся на рынке в ближайшие месяцы, и весьма вероятно, что производители могут продемонстрировать свою продукцию на основе MediaTek Helio P20 и LPDDR4X на выставке MWC уже в феврале.

SK Hynix разработала 8-Гбайт микросхему памяти LPDDR4 для мобильных устройств

SK Hynix добавила в каталог своей продукции сборку микросхем памяти типа LPDDR4 ёмкостью 8 Гбайт. Новое устройство, наряду с аналогом производства Samsung, открывает производителям смартфонов и планшетов возможность создавать смартфоны и планшеты с 8 Гбайт оперативной памяти.

Производственный комплекс SK Hynix M14

Производственный комплекс SK Hynix M14

8-Гбайт (64 Гбит) сборка памяти LPDDR4 использует четыре микросхемы ёмкостью 16 Гбит и характеризуется скоростью передачи данных 3733 Мтрансферов/с и пиковой пропускной способностью 29,8 Гбайт/с в случае подключения к процессору с использованием 64-разрядной шины. Модуль памяти поставляется в корпусе типа FBGA-366 размером 15 × 15 мм и может быть использован как отдельно, так и в составе упаковки типа PoP (package-on-package). Компания SK Hynix принимает заказы на сборку в корпусе FBGA-366 уже сейчас, а начиная с первого квартала 2017 года добавит в семейство продукцию аналогичный модуль в упаковке FBGA-376 с другими напряжениями питания.

Компания SK Hynix использует технологический процесс 21 нм для изготовления 16-Гбит микросхем памяти LPDDR4. Главный конкурент SK Hynix, корпорация Samsung Electronics, применяет для изготовления аналогичных чипов техпроцесс 18 нм, что позволяет компании предлагать своим клиентам на 14 % большую скорость передачи данных (4266 Мтрансферов/с), что ценно для производительных устройств с мощным графическим ядром.

Сборки микросхем SK Hynix LPDDR4-3733 ёмкостью 8 Гбайт

H9HKNNNFBUMUBR-NMH H9HKNNNFBMMUDR-NMH
Ёмкость микросхемы памяти 16 Гбит
Количество микросхем памяти 4
Скорость передачи данных 3733 Мтрансферов/с
Ширина шины 64 разряда
Пропускная способность 29,8 Гбайт/с
Упаковка FBGA-366 15 мм × 15 мм FBGA-376 15 мм × 15 мм
Напряжение питания 1,8/1,1/1,1 Вольт 1,8/1,1/0,6 Вольт
Технологический процесс 21 нм
Время доступности Четвёртый квартал 2016 Четвёртый квартал 2017

Хотя модуль память LPDDR4 ёмкостью 8 Гбайт использует стандартные для данного типа напряжения питания, SK Hynix не указывает количество потребляемой им энергии. Между тем, если только компания не оптимизировала энергопотреблением своих 16-Гбит интегральных схем относительно предшественников, то при неизменном технологическом процессе они потребляют на 25 % больше в сравнении с чипами ёмкостью 12 Гбит. Таким образом, увеличение объёма памяти может сказаться на времени работы устройств.

Память SK Hynix LPDDR3. Иллюстративное фото

Память SK Hynix LPDDR3. Иллюстративное фото

Компания SK Hynix пока не делала никаких формальных заявлений касательно начала поставок 8-Гбайт сборок микросхем памяти LPDDR-3733. Обычно производители ОЗУ объявляют о старте продаж лишь после поставки первой коммерческой партии продукта (чего, видимо, пока не произошло). Тем не менее, само по себе добавление модуля LPDDR4 ёмкостью 8 Гбайт в каталог продукции компании означает, что устройство готово к массовому производству. По всей видимости, первые телефоны или планшеты на базе данной сборки появятся на рынке в 2017 году.

Samsung представила 8-Гбайт LPDDR4-модуль для флагманских смартфонов и планшетов

Компания Samsung Electronics анонсировала выпуск первого в отрасли мобильного модуля памяти типа LPDDR4, который имеет ёмкость 8 Гбайт. В одном корпусе инженеры Samsung сумели разместить четыре 16-Гбит чипа, использующих передовую производственную технологию 10-нм класса. Новинка нацелена на использование в различных приложениях с высокими требованиями к подсистеме памяти, например, просмотр Ultra HD-видео на мобильных устройствах с большими экранами.

LPDDR4-модуль Samsung

LPDDR4-модуль Samsung

По мнению исполнительного вице-президента Samsung по продажам и маркетингу памяти Джу Сан Чоя (Joo Sun Choi), представленная память найдёт применение во флагманских аппаратах с поддержкой VR-технологий, 4K-видео и двумя камерами. 8-Гбайт модуль способен обеспечить производительность до 4266 Мбит/с на контакт, что в два раза выше по сравнению с типичными модулями DDR4-памяти для настольных ПК. Новая память имеет 64-разрядную шину, то есть пропускная способность новинки составляет более 34 Гбайт/с. Планшеты, оснащённые этим модулем, смогут легко работать с виртуальными машинами, воспроизводить высококачественное видео, а также выполнять другие ресурсоёмкие задачи, характерные для ПК премиум-класса.

Производство чипов Samsung

Производство чипов Samsung

Благодаря усовершенствованному техпроцессу, новинка потребляет примерно столько же мощности, сколько и 4-Гбайт чипы на базе техпроцесса 20-нм класса. Габариты корпуса памяти составляют всего 15 × 15 × 1,0 мм, что позволяет интегрировать модуль в самые тонкие устройства. Предусмотрена также интеграция модуля с UFS-памятью или мобильными процессорами приложений.

Производитель не уточнил, когда новинка будет доступна разработчикам устройств.

В Samsung создан 10-нм модуль памяти LPDDR4 ёмкостью 6 Гбайт

Компания Samsung на мероприятии Mobile Solutions Forum в Шэньчжэне (Китай) продемонстрировала передовой модуль оперативной памяти LPDDR4, предназначенный для использования в мобильных устройствах — смартфонах, фаблетах и планшетах.

Показанное изделие выполнено по 10-нанометровой технологии. Ёмкость составляет 6 Гбайт, что в настоящее время является максимумом для мобильных аппаратов.

Предполагается, что новый модуль ОЗУ будет применяться во флагманском фаблете Galaxy Note 6, анонс которого ожидается позднее в текущем году. Использование 10-нанометрового техпроцесса обеспечит повышение быстродействия и снижение энергопотребления по сравнению с памятью нынешнего поколения.

По слухам, Galaxy Note 6 получит 5,8-дюймовый дисплей формата QHD (2560 × 1440 точек). Устройство якобы будет предлагаться в версиях с чипом Exynos 8 Octa 8890 (восемь вычислительных ядер, графический контроллер ARM Mali-T880) и процессором Snapdragon 823 (четыре ядра, графический блок Adreno 530).

Среди других характеристик фаблета называются сканер для идентификации пользователей по радужной оболочке глаза, симметричный порт USB Type-C и аккумуляторная батарея ёмкостью 4000 мА·ч. В качестве программной платформы будет использоваться операционная система Android 6.0 Marshmallow. 

Micron увеличит рентабельность DRAM-бизнеса в следующем году

Хотя Micron Technology начала поставки компьютерной памяти, сделанной с использованием технологического процесса 20 нм только в середине этого года, объёмы производства оказались малы, что отразилось на рентабельности компании и её доле на рынке. Однако, компания и финансовые аналитики верят, что Micron сумеет увеличить прибыльность данного бизнеса и отвоевать утраченные позиции в следующем году благодаря 20-и 16-нм техпроцессам.

Штаб-квартира Micron Technology

Штаб-квартира Micron Technology

Сегодня компания производит 20-нм DRAM на фабрике Elpida в Хиросиме (Япония) и на фабрике Inotera Memories в Таоюань (Тайвань). К концу года 80 % DRAM на фабрике Inotera будет выпускаться по 20 нм технологическому процессу. Тем не менее, в настоящее время большая часть памяти Micron изготовлена с использованием 25- и 30-нм процессов, что означает довольно высокие затраты. Для сравнения, 60 % памяти Samsung в этом году будет выпущено по 20-нм технологии.

«Несмотря на слабый спрос и ценовое давление в этом году, прибыльность DRAM-индустрии осталась на уровне $17 млрд, а валовая прибыль выросла с 37 до 39 %», — написал Марк Ньюман (Mark Newman), аналитик из Bernstein Research, в записке для клиентов. «Как такое возможно? Благодаря сильному росту доли прибыли индустрии, контролируемой Samsung, которая сегодня составляет 60 % против 46 % в четвёртом квартале 2014 года. Samsung увеличила прибыльность благодаря технологическому превосходству. Компания первой начала массовые поставки DDR4 и LPDDR4, что дало возможность увеличить ценовую премию, а 20-нм технология производства дала преимущества по себестоимости».

Микросхемы памяти Micron

Микросхемы памяти Micron

В сентябре Micron обозначила довольно агрессивные планы по переводу производственных мощностей на 20-нм техпроцесс в финансовом 2016 году (стартовал в начале сентября). Согласно планам компании, 50 % её памяти (в пересчёте на бит) в текущем финансовом году будет произведено именно используя эти технологические нормы. Уже весной более половины изготавливаемой DRAM компании будет производиться по 20-нм техпроцессу.

«Мы ожидаем, что 20-нм память составит более половины нашего производства DRAM в финансовом 2016 году», — сказал Марк Адамс, президент Micron, в ходе недавней телеконференции с инвесторами и финансовыми аналитиками.

Модули памяти Micron/Crucial

Модули памяти Micron/Crucial

По данным аналитиков из DRAMeXchange, именно тонкий — 20-нм — технологический процесс позволил Samsung продавать память с валовой прибылью в 47 % в третьем квартале 2015 года на фоне падения цен на DRAM. В то же время, маржа на компьютерную память Micron снизилась до 15 % (с 21 % во втором квартале). Тем не менее, сколь бы агрессивным ни был бы Samsung с внедрением еще более тонких технологических процессов в 2016, Micron удастся отвоевать место на рынке и вернуться к традиционной норме прибыльности, говорят аналитики из Bernstein Research.

«В отличие от Samsung, Micron постигли неудачи в 2015 году, и компания потеряла долю прибыли, которую контролировала», — написал господин Ньюман. «Micron не был готов к внедрению 20-нм техпроцесса, когда Samsng уже массово производил [высоко-маржинальную] LPDDR4, используя эту технологию. […] Тем не менее, то, что было попутным ветром для Samsung в 2015 году, должно стать встречным в 2016 году. Пострадавшие из-за высокой себестоимости и низкой маржи Micron и SK Hynix наверстают упущенное в 2016, когда существенно увеличат производство DDR4 и LPDDR4, используя 20-нм техпроцесс».

Производство оперативной памяти на фабрике Micron

Производство оперативной памяти на фабрике Micron

Вне всяких сомнений, Samsung останется лидером рынка оперативной памяти для компьютеров и мобильных устройств в 2016 году как по части объёмов выпуска, так и по части прибыльности. Тем не менее, маловероятно, что у компании будет настолько же серьёзное преимущество перед конкурентами, как в этом. Таким образом, если только Samsung не станет жертвовать прибылью в угоду увеличению или сохранению доли рынка, агрессивное использование 20-нм технологического процесса должно помочь Micron вернуть утраченные позиции.

Micron может начать выпуск 16-нм оперативной памяти в конце 2016 года

Micron Technology, третий по величине в мире производитель компьютерной памяти, задержался с началом производства динамической памяти с произвольным доступом (dynamic random access memory, DRAM) по технологии 20 нм. Это оказало негативный эффект на рентабельность компании и снизило её конкурентоспособность. Тем не менее, сегодня Micron успешно наращивает выпуск 20-нм и может начать использовать 16-нм технологию к концу следующего календарного года.

Micron Technology начала пробное производство DRAM по технологическом процессу 20 нм в четвёртом квартале 2014 года и начала коммерческие поставки соответствующей памяти в середине 2015. Главный конкурент, компания Samsung Electronics — крупнейший в мире производитель DRAM — начала массовое производство DRAM, используя процесс изготовления 20 нм в марте 2014 года, и сумела быстро увеличить производство, используя новую технологии. Использование тонкого техпроцесса снизило себестоимость памяти, что помогло Samsung несколько снизить энергопотребление памяти, предложить клиентам конкурентоспособные цены и в то же время остаться прибыльной. Как следствие, Micron оказалась не в лучшем положении в этом году. Однако, в случае со следующим поколением технологических процессов для изготовления DRAM очень многое может измениться.

DDR4 память Micron

DDR4 память Micron

Micron планирует закончить подготовку к производству компьютерной памяти по технологии 16 нм к концу текущего финансового года, который завершается в начале сентября. Таким образом, компания сможет начать массовое производство 16-нм DRAM уже в четвёртом квартале календарного 2016.

«Мы хотим подготовить производственные мощности [для изготовления 16-нм памяти] к концу финансового года», — сказал Эрни Мэддок (Ernin Maddock), финансовый директор и вице-президент Micron, на конференции UBS Global Technology Brokers Conference. «Как быстро мы начнём использование этой технологии будет зависеть от развития ситуации на рынке в указанный период времени. Таким образом, на основе всего, что мы видим сейчас, мы будем достаточно агрессивны в развертывании использования 16-нм технологии; примерно, как мы вели себя с 20-нм технологией».

Планы разных производителей по внедрению новых технологических процессов для изготовления DRAM. Данные TechInsights

Планы разных производителей по внедрению новых технологических процессов для изготовления DRAM. Данные TechInsights

Производственный процесс 16 нм является первой технологией, совместно разработанной инженерами Micron из США и Японии. Затраты на проектирование данного техпроцесса выше, чем расходы на создание технологий предыдущих поколений. В апреле этого года Micron заявила, что первые образцы 16-нм микросхем памяти начали производиться на бывшей фабрике Elpida около Хиросимы (Япония). Micron возлагает большие надежды на 16-нм нормы изготовления и надеется, что её технология будет более прогрессивной, чем у Samsung.

«Если вы посмотрите на некоторые из ранних образцов [10 нм класса чипов DRAM] Samsung, вы заметите, что архитектурные изменения, которые они внедрили, не обеспечивают снижения размера ядра или увеличения плотности записи, подобных тем, что мы видели при переходе с 30-нм на 25-нм техпроцесс», — сказал Марк Дюркан (Mark Durcan), исполнительный директор Micron, в ходе одной из недавних телеконференций с инвесторами и финансовыми аналитиками. «Мы вполне ожидаем, что закроем [технологический] разрыв с Samsung при переходе на 16 нм».

К сожалению, ни Micron, ни Samsung не раскрывают подробностей о своих техпроцессов класса 10 нм (ранее поколение этих технологий обозначается как 1X nm). Считается, что первый технологический процесс Samsung в данном классе будет иметь расстояние между идентичными элементами в массиве (т.н. half pitch) в 18 нм. Компания Micron планирует быть более агрессивной и намеревается освоить сразу технологию 16 нм. Более тонкий технологический процесс позволит Micron производить микросхемы меньшего размера, что особенно важно при переходе на DDR4, а также чипы ёмкостью 8 Гбит и выше.

Особенности новых технологических процессов для изготовления DRAM. Данные TechInsights

Особенности новых технологических процессов для изготовления DRAM. Данные TechInsights

Производители DRAM считают, что дальнейшее увеличение ёмкости микросхем памяти потребует перехода на структуру ячейки 4F² (со структуры 6F², которая используется сейчас). Подобное строение ячейки потребует использования новой архитектуры транзисторов, что означает дополнительные сложности для производителей памяти. Аналитики из TechInsights полагают, что переход на ячейки 4F² и новые типы транзисторов будут происходить одновременно с переходом на технологические процессы класса 10 нм.

Будут ли Micron и Samsung переходить на ячейки 4F² уже с первым поколением 10-нм технологий неизвестно, но, судя по всему, производители DRAM станут более агрессивными с внедрением новых норм производства памяти в ближайшие годы вследствие обострившейся конкуренции и необходимости снижать производственные расходы.

Производителям DRAM удалось сохранить выручку на фоне падения цен

Несмотря на то, что цена на компьютерную память упала более, чем на 20 % в третьем квартале этого года, производителям динамических оперативных запоминающих устройств с произвольным доступом (dynamic random access memory, DRAM, ОЗУ) удалось сохранить свою выручку на уровне второго квартала. К сожалению, подобная ситуация означает, что даже рост спроса на память не способен остановить падения цен. Тем не менее, компании Samsung Electronics удалось увеличить свою долю на рынке.

Третий квартал традиционно очень хорош для продаж персональных компьютеров, смартфонов, планшетов и компонентов к ним. Спрос на ПК и другие устройства усиливается в конце августа – начале сентября, а кроме того многие компании начинают готовится к предновогоднему увеличению спроса на компьютеры и электронику. В этом году продажи ПК и компонент были слабыми, в результате чего упали цены на многие категории товаров. К примеру, выручка за оперативную память в третьем квартале упала на 1,2 % до $11,298 млрд по сравнению со вторым несмотря на то, что производители поставили больше памяти в пересчёте на бит, чем в предыдущей четверти, согласно данным DRAMeXchange.

Модуль памяти Samsung

Модуль памяти Samsung

По данным International Data Corp., продажи компьютеров в третьем квартале 2015 года составили 71 млн единиц, что на 10,8 % меньше, чем в тот же период прошлого года, но на 7,4 % больше, чем в предыдущем квартале. Продажи планшетов в указанный период составили 48,7 млн (на 12,6 % меньше, чем в третьем квартале предыдущего года, но на 8,94 % выше, чем во втором квартале этого года). Тем не менее, продажи смартфонов в тот же период выросли до 355,2 млн (на 6,8 % по сравнению в третьим кварталом 2014 и на 5,3 % по сравнению со вторым кварталом 2015).

Несмотря на довольно удручающие цифры для рынков ПК и планшетов, очевидно, что продажи электроники в третьем квартале выросли, как вырос спрос и поставки оперативной памяти для них. Тем не менее, вследствие роста производства оперативной памяти тремя крупнейшими производителями, цены на DRAM продолжали падать. Поскольку все компании стремятся сократить себестоимость, то они продолжают внедрять более тонкие технологии производства, что увеличивает объём выпуска и влияет на цены.

Производство DRAM на фабрике Micron

Производство DRAM на фабрике Micron

Чтобы в какой-то мере компенсировать снижающуюся стоимость оперативной памяти для персональных компьютеров (DDR3, DDR4), производители увеличивают производство ОЗУ для серверов и мобильных телефонов, поскольку цены на такую память менее волатильны. Так, доля памяти LPDDR разных поколения составила 40 % от всего глобального производства DRAM в третьем квартале (серьёзно увеличившись с 33,7 % во втором). Именно увеличение выпуска LPDDR и серверных DDR4 и DDR3 позволило индустрии удержать выручку примерно на уровне второго квартала несмотря на падение цен на ОЗУ для ПК. Тем не менее, по мере дальнейшего роста производства, цены на LPDDR также серьёзно снизятся, говорят в DRAMeXchange.

«Доля ОЗУ для мобильных устройств увеличится в общем объеме производства DRAM в соответствии с ростом продажи смартфонов в четвертом квартале», — сказал Аврил Ву (Avril Wu), ассистирующий вице-президент DRAMeXchange. «Тем не менее, рынок будет зависеть от негативных сезонных встречных ветров в последующий период. Производители увеличат объём выпуска памяти (в пересчёте на бит) при переходе на 20-21-нм технологические процессы. Таким образом, проблема переизбытка будет ухудшаться, а цены на DRAM будут продолжать снижение в ближайшем будущем».

Модули память SK Hynix

Модули память Samsung

Благодаря агрессивному внедрению 20-нм технологического процесса производства микросхем памяти, Samsung Electronics удалось не только остаться крупнейшим производителем динамических оперативных запоминающих устройств, но и самым прибыльным. Валовая прибыль от продажи DRAM компанией составила 47 % в третьем квартале, по данным DRAMeXchange. Валовая прибыль DRAM-бизнеса SK Hynix составила 36 %, тогда как маржа на компьютерную память Micron Technology упала до 15 % (с 21 % кварталом ранее).

Samsung Electronics удалось укрепить позиции на падающем рынке оперативной памяти в третьем квартале: рыночная доля компании в отчётный период составила 46,7 %. Доля SK Hynix поднялась до 28%, а доля Micron упала до 19,2 %, согласно данным DRAMeXchange.

Доли рынка производителей DRAM

Доли рынка производителей DRAM по данным DRAMeXechange

Учитывая традиционное лидерство Samsung в области технологических процессов, компания останется самым прибыльным производителем ОЗУ в ближайшие кварталы. Micron надеется, что её технологический процесс 16 нм позволит опередить Samsung по части себестоимости производства, однако достоверно неизвестно, когда компания сможет задействовать его в значительных масштабах.

Объём оперативной памяти в смартфонах и планшетах достигнет 6 Гбайт

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли микрочипов памяти LPDDR4 (Low Power, Double Data Rate 4) Mobile DRAM ёмкостью 12 Гбит.

Изделия выпускаются с применением 20-нанометровой технологии. Samsung утверждает, что по сравнению с решениями предыдущего поколения объёмом 8 Гбит новые чипы обеспечивают увеличение быстродействия более чем на 30 % — до 4266 Мбит/с. По сравнению с памятью DDR4 DRAM для персональных компьютеров энергопотребление снижено на 20 %.

Два или четыре микрочипа LPDDR4 ёмкостью 12 Гбит могут быть объединены в одной упаковке: в этом случае мобильные устройства получат соответственно 3 или 6 Гбайт оперативной памяти.

Отметим, что в настоящее время смартфоны, фаблеты и планшеты топового уровня комплектуются 4 Гбайт ОЗУ. Новое достижение Samsung позволит увеличить максимальный объём оперативной памяти в полтора раза.

Южнокорейский производитель добавляет, что 6 Гбайт памяти LPDDR4 получат флагманские мобильные устройства следующего поколения. По всей видимости, такие аппараты появятся на рынке в 2016 году. 

Память LPDDR4 в смартфоне OnePlus 2 подтверждена официально

Китайская компания OnePlus продолжает порционно раскрывать информацию о своей предстоящей новинке — смартфоне OnePlus 2. На этот раз она официально подтвердила, что модель получит 4 Гбайт оперативной памяти стандарта LPDDR4, которая работает значительно быстрее по сравнению с LPDDR3 и при этом более энергоэффективна. В цифрах это выглядит так: напряжение памяти в OnePlus 2 составит 1,1 В вместо прежних 1,2 В, а пропускная способность RAM достигнет 32 Гбит/с, то есть увеличится вдвое по отношению к данному показателю у OnePlus One.

Впрочем, было бы странно и нелогично со стороны OnePlus не оснастить свою новинку памятью LPDDR4, когда её поддерживает однокристальная система Qualcomm Snapdragon 810. Именно этот чип и окажется внутри смартфона, о чём мы писали ранее. При этом в компании утверждают, что речь идёт о ревизии v2.1, которая лишена всех недостатков, из-за которых этот процессор заработал себе не самую лучшую репутацию в мире мобильных устройств.

OnePlus One в разобранном виде (фото iFixit)

OnePlus One в разобранном виде (фото iFixit)

Напомним, что дата официального анонса OnePlus 2 уже также определена — смартфон покажут 27 июля на шоу виртуальной реальности. Ожидается, что его стоимость не превысит $450, что, впрочем, всё равно окажется почти на $150 больше первоначальной цены предшественника OnePlus One.

Смартфон LG G Flex 2 одним из первых получил память LPDDR4

Аналитики предсказывали появление оперативной памяти LPDDR4 в смартфонах во второй половине 2015 года, однако производители гаджетов уже начинают внедрять её в свою продукцию. Одной из первых на новую «оперативку» перешла компания LG Electronics.

Как сообщает южнокорейское издание Yonhap, появившийся в конце января в магазинах изогнутый смартфон LG G Flex 2 оборудован 2 Гбайт оперативной памяти, созданной на основе 8-гигабитных чипов памяти LPDDR4 производства SK hynix. Такие микросхемы, изготовленные по 20-нм технологии, компания начала поставлять на массовый рынок в понедельник, 9 февраля.

Память LPDDR4 примерно в два раза быстрее предшественницы LPDDR3, а также на 30 % превосходит её в части энергоэффективности. Использование четырёх чипов LPDDR4 обеспечивает 4 Гбайт DRAM-памяти высокой плотности, благодаря чему в мобильных устройствах улучшается запись 4K-видео и ускоряется непрерывная съёмка фотографий высокого разрешения.

techwireasia.com

techwireasia.com

Стандарт LPDDR3 пока используется во многих смартфонах, но в недалёком будущем, как полагают отраслевые эксперты, начнётся массовый переход на LPDDR4. По прогнозам DRAMeXchange, в 2015 году крупнейшим производителем памяти LPDDR4 станет Samsung (начала выпускать новые чипы в конце 2014-го) с 30-процентной рыночной долей, следом за лидером расположится SK hynix с показателем в 18 %. К концу прошлого года чипы LPDDR4 заняли не более 1 % мирового производства оперативной памяти.   

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥