Теги → micron technology
Быстрый переход

Micron подала запрос на выкуп доли Intel в компании по производству 3D XPoint

Официальным пресс-релизом компания Intel сообщила, что её партнёр по совместному предприятию IM Flash Technology (IMFT) компания Micron воспользовалась своим правом выкупить долю Intel в СП. Процесс выкупа произойдёт не сразу, а не ранее чем через 6 месяцев, и не позже, чем через 12 месяцев. Дату будет устанавливать компания Intel. После этого Micron ещё один год будет поставлять Intel микросхемы 3D XPoint по цене, близкой к себестоимости производства. И только потом Micron будет вольна продавать чипы для накопителей Intel Optane по рыночным (контрактным) ценам.

Стоимость доли Intel в СП IMFT оценивается на уровне $1,5 млрд. Выпуском памяти 3D XPoint занимается бывший завод Micron в штате Юта. Сегодня это единственное в мире предприятие, линии которого адаптированы для производства памяти 3D XPoint. К моменту завершения всякой совместной деятельности с Micron компания Intel рассчитывает запустить производство микросхем 3D XPoint на одном из своих заводов. В декабре в ходе одного из докладов высшего руководства Intel стало известно, что для выпуска 3D XPoint компания модернизирует свою самую первую 300-мм фабрику в США. Это предприятие Fab 11X в Рио Ранчо (штат Нью-Мексико). У компании Intel есть в запасе ещё примерно два года, чтобы самостоятельно наладить производство памяти для накопителей под брендом Optane.

О том, что в области разработки и производства 3D XPoint пути Intel и Micron разойдутся, стало известно ещё в июне 2018 года. Сейчас компании завершают разработку второго поколения данного типа памяти (как считается ― памяти с изменяемым фазовым состоянием вещества или PCM). После этого каждая из них третье поколение памяти 3D XPoint будет разрабатывать самостоятельно. По некоторой информации, компания Micron заподозрена в нарушении патентов на технологии производства памяти PCM, что могло заставить компанию Intel начать отмежёвываться от партнёра.

Первым память PCM (PRAM) ещё с полсотни лет назад предложил учёный и изобретатель Стэнфорд Овшинский (Stanford Ovshinsky). За это время продано множество лицензий и получено огромное число патентов на технологии работы и производства данного вида энергонезависимой памяти. В процессе участвовали и участвуют десятки компаний и сотни научных учреждений. Там настолько всё запутанно, что можно не удивляться, если виновным в нарушении может оказаться только один из партнёров. В данном случае ― компания Micron.

Квартальный отчёт Micron: компания сожалеет, что память начала дешеветь

  • Micron промахнулась с прогнозом выручки, заработав $7,91 млрд вместо $8,02 млрд.
  • На квартальную выручку плохое влияние оказала тарифная война США и Китая.
  • Акции компании упали в цене на 7 % и больше.

Три месяца назад на волне продолжающегося роста цен на память компания Micron побила очередной финансовый рекорд и стала второй по величине полупроводниковой компанией в США. Тогда квартальная выручка Micron достигла $8,44 млрд. Но уже тогда появились признаки, что время лёгких денег для компании и индустрии производства DRAM в целом заканчивается. И действительно, отчёт за следующие три месяца работы Micron подтвердил, что компания последовательно снизила выручку на 5 % (до $7,91 млрд) и получила на 23 % меньше чистой прибыли ($3,29 млрд).

Reuters

Reuters

В годовом отношении квартальные выручка и прибыль Micron пока ещё выросли, соответственно на 16 % и 23 %, но прогноз на следующий квартал уже не оставляет сомнения, что дальше будет только хуже. Согласно прогнозу Micron, в текущем квартале выручка составит от $5,7 млрд до $6,3 млрд. Аналитики Yahoo Finance, например, ожидают от компании выручки на уровне $7,34 млрд, что существенно выше ожиданий производителя. Как на такое реагирует рынок ценных бумаг? Конечно же, снижением котировок, и акции Micron после публикации отчёта сразу упали на 8,5 %.

Интересно отметить, что Micron считает трудности временными. По словам руководства компании, снижение спроса на память для смартфонов и ПК легло на значительные инвентарные запасы памяти не только её производства, но и на запасы её конкурентов. Проблема с нераспроданной памятью может быть решена в течение первого полугодия 2019 года, и во второй половине года цены на память снова могут пойти вверх. Кстати, руководство компании SK Hynix придерживается похожего мнения. В компании призывают не рассчитывать, что в 2019 году может произойти какое-то значительное снижение цен на память.

Reuters

Reuters

Возвращаясь к компании Micron, добавим, что в 2019 финансовом году (в период с декабря 2018 года по конец ноября 2019 года) ожидается в целом прибыльный год. Но это также не означает, что компания не будет делать каких-то превентивных действий, чтобы избежать убытков. Например, уже начались разговоры о сокращении капитальных затрат в 2019 финансовом году.  Что же, если нам два года приходилось затягивать пояса, чтобы купить память, то теперь очередь затягивать пояс компании Micron.

Если разбираться с продажами Micron по главным категориям продуктов, то можно узнать, что в отчётном квартале от поставок памяти DRAM компания получила 68 % выручки, тогда как поставки памяти NAND принесли 28 %. Квартальная выручка от поставок DRAM последовательно сократилась на 9 %, хотя за год пока ещё показала рост на 18 %. Выручка от поставок NAND снизилась на 2 % за квартал и увеличилась на 17 % за год. Средняя цена продажи оперативной памяти за квартал упала на величину до 10 %, а средняя цена продажи микросхем NAND уменьшилась до 5 %. При этом памяти DRAM компания Micron больше продавать не стала, хотя поставки NAND увеличились до 5 %.

Наконец, компанию Micron не обошла больная тема тарифной войны США и Китая. В конце сентября Президентом США Дональдом Трампом был введен 10 % тариф на товары из Китая в объёме $200 млрд. Это уменьшило валовую прибыль Micron в отчётном квартале на 0,5 %. В течение следующего года руководство компании обещает придумать, как минимизировать ущерб от санкций.

Бывший инженер Intel обвиняется в краже секретов 3D XPoint в пользу Micron

Как известно, в деле совместной разработки следующего поколения памяти 3D XPoint компании Intel и Micron «подали на развод». Начиная с 2019 года каждая из них будет самостоятельно разрабатывать этот новый вид энергонезависимой памяти и продукцию на её основе. Очевидно, это сделает обе компании конкурентами в данной области. И также понятно, что они перестанут делиться секретами производства 3D XPoint. Собственно, они уже не только перестали сотрудничать, но даже умудрились влезть в судебное разбирательство.

Наши коллеги с сайта The Register поделились ссылкой на судебный иск компании Intel, направленный в эту среду в окружной суд города Сакраменто, штат Калифорния. По словам Intel, бывший сотрудник компании — инженер Дойл Риверс (Doyle Rivers) — похитил секретные данные о технологии производства памяти 3D XPoint и передал информацию в руки сотрудников компании Micron. Точнее, он уволился из Intel, где участвовал в разработке 3D XPoint, и поступил на работу в аналогичный отдел Micron. Обычно в трудовом договоре прописывается запрет на переход к конкуренту в течение определённого срока после увольнения, что данный сотрудник полностью проигнорировал.

В Intel утверждают, что подозреваемый подвергался «агрессивной» агитации для перехода в Micron со стороны бывших коллег, которые перешли туда раньше. Чтобы влиться в новый коллектив с наибольшим эффектом, гражданин сделал попытку скачать на флешку секретные данные, к которым никто за пределами Intel, включая Micron, не имел доступа и прав на этот доступ. Система защиты не допустила копирования, после чего подозреваемый залил на флешку рабочие данные со своего ноутбука.

В персональном запросе к бывшему работнику Intel потребовала вернуть флешку. Флешка была возвращена, но оказалась очищенной от данных. Адвокат Дойла уточнил, что данные были переписаны на домашний компьютер подзащитного, после чего Intel потребовала от гражданина предоставить ноутбук на предмет поиска украденной информации или следов этой информации. В установленный компанией срок обвиняемый не отдал ноутбук и не связался с Intel. Поэтому компания просит суд разобраться в этом неприятном деле.

Micron представила первый в индустрии 1-Тбайт SSD для установки в автомобили

Через какую-то пару–тройку лет среди автомобилистов за рюмкой чая наверняка будет возникать спор о том, SSD каких компаний лучше использовать в своих машинах. Обсуждать будут не только производительность, но и устойчивость к износу, объёмы и способность переносить жару и морозы.

Аналитики и производители на эти темы уже не спорят. Они пророчат. Пройдёт совсем немного времени, и личные авто превратятся в центры обработки данных на колёсах. По мнению специалистов Strategy Analytics, например, в 2023 году будет продано 1,8 млн автомобилей с уровнем автономного вождения Level 3 (шоссейные автопилоты) или выше. Такие машины потребуют установки SSD от 1 Тбайт и большего объёма. Объёмы понадобятся для 3D-карт, записи данных в «чёрный ящик», хранения показаний датчиков, развлекательного контента с качеством 4K и многого другого.

Компания Micron подготовилась к подобному развитию сценария уже сейчас и представила самый первый, по её словам, 1-Тбайт SSD для автомобилей и промышленных установок. Новинки поставляются в виде образцов в семействах Micron 2100AI и 2100AT. В первом случае речь идёт об однокорпусном исполнении в BGA-упаковке со сторонами 16 × 20 мм (для прямой распайки на монтажную плату). Во втором случае это внешне обычный SSD PCIe в формфакторе M.2 со сторонами 22 × 30 мм с поддержкой протокола NVMe. В каждом случае модельный ряд включает изделия объёмом от 64 Гбайт до 1 Тбайт.

SSD Micron 2100 M.2 PCIe NVMe (Micron)

SSD Micron 2100 M.2 PCIe NVMe (Micron)

Заявленные скоростные характеристики накопителей составляют до 2 Гбайт/с для чтения и до 1,1 Гбайт/с для записи, что в два и полтора раза быстрее аналогичных характеристик для однокорпусных накопителей с интерфейсом UFS 2.1 и в случае SSD с интерфейсом SATA 6 Гбит/с. Выпад в сторону интерфейса UFS 2.1, надо полагать, это своеобразный привет компаниям Samsung и Western Digital, которые для автомобильной электроники предлагают накопители с шиной UFS. Также Micron заявляет, что потребление энергии SSD 2100AI и 2100AT меньше, чем в случае UFS-накопителей.

Поскольку SSD Micron 2100AI и 2100AT предназначены для автомобилей и промышленности, они выдерживают расширенный диапазон рабочих температур: от –40 °C до 105 °C. В качестве памяти для SSD выбрана 64-слойная 3D NAND TLC. Массовое производство накопителей начнётся во второй половине 2019 года.

UMC заявляет о различии технологий производства DRAM её и Micron

В ответ на обвинения компании UMC в краже технологий производства памяти у компании Micron, выдвинутые в начале этого месяца Министерством юстиции США, тайваньский производитель полупроводников выпустил новое заявление. Как утверждают в UMC, разработанная компанией технология производства DRAM и сама структура кристалла памяти отличаются от тех, которые разработаны в компании Micron. В частности, память UMC содержит запоминающие ячейки в конфигурации 3 × 2 слоя, а память Micron строится исходя из конфигурации 2 × 3 слоя.

wsj.com

wsj.com

Кроме того, компания Micron вводит в заблуждение, когда утверждает о самостоятельной разработке технологий производства памяти в США. Например, около 10 лет назад Micron выкупила у японской компании Elpida тайваньского производителя памяти компанию Rexchip и через поглощённые активы получила доступ к 25-нм производству DRAM. Компания UMC предупреждает, что она готова закрыть глаза на эту подтасовку фактов, но в случае необходимости доказывать свою правоту будет действовать решительно и по обстоятельствам.

Как поясняют в UMC, компания начала выпускать память DRAM ещё в 1996 году и делала это до 2010 года, а позже разработала и приступила к выпуску чипов со встроенной DRAM. Интересно, что одним из первых клиентов этого тайваньского контрактника на чипы DRAM была американская компания Alliance Semiconductor Corporation. Для неё UMC начала выпускать микросхемы памяти уже в 1996 году. Штат разработчиков техпроцессов производства памяти UMC в разное время в среднем насчитывал около 150 человек и только в 2016 году, когда был заключён контракт на разработку производства памяти для китайской компании Jinhua, число разработчиков было увеличено до 300 человек.

На разработку нового 32-нм техпроцесса производства DRAM для китайцев компания UMC потратила много средств и два года. Очевидно, что это не самый новейший техпроцесс, который на два поколения отстаёт от современных техпроцессов DRAM с нормами класса 10 нм. Можно поверить UMC, что она опиралась на собственные разработки, а не на украденные у Micron или у кого-то другого. Кстати, UMC докладывает, что в составе её разработчиков DRAM трудятся не более 10 % бывших работников тайваньских филиалов Micron.

Полупроводниковый завод компании UMC (UMC)

Полупроводниковый завод компании UMC (UMC)

На время разбирательства в суде дела против UMC и Jinhua со стороны Министерства юстиции США тайваньская компания приостанавливает разработки для китайской стороны и надеется на возобновления сотрудничества после улаживания конфликта.

Министерство юстиции США официально обвинило UMC и Jinhua в краже секретов Micron

Словно бы подтверждая тезис Дональда Трампа о величии Америки, технологии которой ворует кто ни попадя, Министерство юстиции США выдвинуло официальные обвинения в краже коммерческих секретов Micron компаниями UMC и Jinhua. Это уже четвёртый за последний месяц случай, когда китайские компании обвиняются в промышленном шпионаже. Но это явление носит систематический характер и за последние месяцы приобретает всё больший размах. По словам действующего директора ФБР, которого цитирует Reuters, едва ли не каждое из 56 отделений Бюро расследует факты экономического шпионажа со стороны китайцев.

Обвинение тайваньской компании UMC и китайского производителя памяти DRAM Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd — это эхо прошлогодней истории. Год назад компания Micron подала гражданский иск против UMC, JHICC и трёх бывших работников Micron, включая бывшего директора одной из тайваньских компаний, которые Micron поглотила, обвинив всех в краже технологий производства памяти типа DRAM. Компании UMC и JHICC подали встречные иски, добившись в итоге запрета продаж на территории Китая части продукции Micron. Фактически Министерство юстиции США подхватило судебную инициативу Micron и развило её до уголовного преследования UMC и Jinhua.

За официальным обвинением должны последовать суд и уголовное наказание. Также будет взыскан штраф за противоправные действия UMC и Jinhua. Для этого Министерство юстиции США также подаёт гражданский иск против обеих компаний. Компании Micron и UMC выпустили официальные пресс-релизы по поводу выдвинутого Министерством обвинения. Сайт Jinhua на момент написания новости недоступен.

Компания Micron привела краткую сводку по истории вопроса и с пониманием отнеслась к выводам Министерства юстиции США. Компания UMC, в свою очередь, выразила сожаление о том, что никто не провёл с ней консультации и не предупредил о готовящемся обвинении. В то же время UMC подчёркивает, что обвинения Министерства не несут ничего нового и фактически совпадают с поданным компанией Micron гражданским иском.

Добавим, компания Jinhua, которая является совместным предприятием между местными властями и одним из местных производителей электроники, характеризуется стороной обвинения как «полностью принадлежащая властям Китая», что, в общем-то, правда лишь отчасти. Также Jinhua «удостоилась» персональных санкций со стороны американского регулятора как угрожающая национальной безопасности США.

Intel отказывается от совместного производства памяти 3D XPoint с Micron

Официальным пресс-релизом компания Micron сообщила, что намерена воспользоваться своим правом и выкупить долю компании Intel в совместном предприятии IM Flash Technologies. Данной возможностью Micron воспользуется после 1 января 2019 года. Затем в течение 6–12 месяцев компании закроют сделку по передаче активов, главным из которых представляется завод по обработке 300-мм кремниевых пластин в штате Юта. Это предприятие выпускает как память 3D NAND, так и микросхемы 3D XPoint. Последние практически в полном объёме забирает компания Intel для выпуска твердотельных накопителей под маркой Optane. Тем самым со временем Intel лишится поставок новейшей и необычной энергонезависимой памяти.

Поставки памяти 3D XPoint компании Intel компания Micron будет продолжать ещё один год после завершения передачи активов. Если выкуп начнётся 1 января 2019 года и продлится до 31 декабря 2019 года, то Intel будет обеспечена поставками микросхем 3D XPoint до 31 декабря 2020 года. В течение этого срока Intel должна будет наладить собственное производство памяти 3D XPoint. Можно ожидать, что память 3D XPoint она начнёт выпускать на своём китайском заводе в городе Далянь, где уже налажен полномасштабный выпуск памяти 3D NAND.

Компания Micron также заинтересована в запуске собственного производства 3D XPoint на линиях Intel. Первые фирменные SSD на памяти 3D XPoint компания Micron представит в конце 2019 года, а массовые поставки решений начнёт в 2020 году. Поэтому ей придётся ещё один год делить с бывшим партнёром относительно небольшие производственные мощности по выпуску микросхем 3D XPoint. Чем раньше Intel начнёт собственное производство этой памяти, тем быстрее будет развиваться аналогичная продуктовая линейка Micron.

Раскол в стане Intel и Micron обозначился в начале текущего года, когда компании объявили о намерении каждой из них самостоятельно разрабатывать память 3D NAND с числом слоёв свыше 96 штук. В июне компании то же самое заявили в отношении совместной разработки памяти 3D XPoint, которая завершится в начале 2019 года. Так что вопрос ликвидации совместной производственной деятельности стал лишь вопросом времени.

Компания IM Flash Technologies была создана в 2006 году. Каждый из партнёров внёс в СП по $1,2 млрд. Сейчас Micron готова заплатить Intel за её часть активов $1,5 млрд и покрыть долг Intel перед СП в объёме $1 млрд. Поскольку деятельность завода IM Flash Technologies уже входит в отчётность Micron, данная сделка не окажет заметного влияния на финансовые показатели компании. После завершения сделки завод и персонал IM Flash Technologies станут дочерним подразделением компании Micron.

Micron инвестирует в ИИ-стартапы до $100 млн

На проходящем в эти дни мероприятии Micron Insight 2018 один из крупнейших производителей компьютерной памяти Micron объявил о готовности внести значительные инвестиции в начинающих разработчиков технологий искусственного интеллекта. Ранее для инвестиционных проектов профильное подразделение Micron Ventures выбирало компании и стартапы, близкие к области деятельности материнской компании. Поднятая вокруг ИИ шумиха заставила Micron пристальнее приглядеться к теме искусственного интеллекта. Чтобы не остаться за бортом прогресса, в компании приняли решение учредить специальный фонд для инвестиций в ИИ-стартапы.

Объём фонда для инвестирования компании в ИИ составил $100 млн — довольно внушительная даже для Micron сумма. Причём пятую часть от этих денег — $20 млн — компания направит в ИИ-стартапы, возглавляемые женщинами и представителями других «не представленных» групп. Первый миллион долларов на развитие ИИ компания Micron готова раздать немедленно, $500 тыс. из которых она уже разделила между учебной организацией AI4All и учебно-исследовательской лабораторией Berkeley Artificial Intelligence Research (BAIR) Lab.

wsj.com

wsj.com

Данная новость должна напомнить всем причастным, что сезон раздачи денег за достижения в области ИИ в полном разгаре и ещё не поздно принять участие в дележе грантов. Пример с Micron в этом плане довольно показательный. Компания всегда осторожно распоряжалась средствами для инвестиций и никогда не бросалась в новые для неё области как в омут с головой.

К выходу готовятся первые потребительские SSD Micron с поддержкой NVMe

Интерфейс и протокол NVMe заслуженно и уверенно проникли в потребительский сегмент. Этот стандарт с самого начала был рассчитан на работу с NAND-флеш в многоканальном режиме и позволил не только поднять скорость работы SSD в домашних компьютерах, но также принёс снижение задержек и другие преференции, ранее доступные только в сегменте корпоративных вычислительных платформ. Этими качествами NVMe одной из первых массово воспользовалась компания Samsung, к которой позже присоединились даже игроки второго звена в виде тайваньских производителей SSD.

SSD Micron 2100 M.2 PCIe NVMe (Micron)

SSD Micron 2100 M.2 PCIe NVMe (Micron)

Удивительно, но в стороне от этого процесса до сих пор находится компания Micron. Ещё в 2016 году Micron вынашивала планы начать поставки клиентских SSD с поддержкой NVMe. На практике компания представила, но не довела до поставок SSD серии 2100 и так и не запустила в производство SSD Ballistix TX3, которыми хвалилась на Computex 2016. Оправдывая отказ от поставок SSD Ballistix TX3, компания утверждала, что NVMe-накопители не вписались в инвестиционную стратегию развития фирменных продуктовых линеек. Возможно, в этом оказался виновным начавший зарождаться во втором квартале 2016 года дефицит на рынке чипов NAND. Память Micron раскупалась с хорошей прибылью, что внезапно оказалось интереснее поставок более сложной продукции в виде SSD.

SSD Micron Ballistix TX3

SSD Micron Ballistix TX3 (ComputerBase.de)

Но время идёт, а рынок NAND стабилизируется. На последней отчётной конференции, на что обратили внимание наши коллеги с ComputerBase.de, исполнительный директор Micron Санджай Мехротра (Sanjay Mehrotra) заявил, что потребительские SSD компании с поддержкой NVMe выйдут в течение ближайших кварталов. Клиентские SSD с поддержкой NVMe станут первыми, а за ними — в конце 2019 года — последуют корпоративные линейки SSD с поддержкой NVMe. Также компания готовит к выпуску потребительские SSD с памятью 3D NAND QLC. В 2019 и 2020 годах Micron рассчитывает укрепить свои позиции на рынке SSD, что, честно говоря, с её производственной базой NAND сделать надо было давным-давно.

Micron стала второй по величине полупроводниковой компанией в США

На днях американская компания Micron Technology опубликовала отчёт о работе в четвёртом квартале финансового 2018 года (охватывает период с июня по август календарного 2018 года). Как и в предыдущие три квартала текущего фискального года, компания установила новый рекорд по выручке и, соответственно, показала рекордную выручку за весь финансовый год. В этом компании Micron помогли высокие цены на память DRAM и NAND, чего она не скрывает.

wsj.com

wsj.com

Квартальная выручка в отчётный период побила прогнозы аналитиков и достигла $8,44 млрд. За год этот показатель вырос на 38 %. В последовательном сравнении выручка выросла на 8 %: кварталом ранее она составляла $7,8 млрд. Чистая прибыль компании за отчётный период достигла $4,33 млрд или $3,56 на акцию. Кварталом ранее чистая квартальная прибыль Micron составляла $3,82 млрд, а годом ранее — $2,36 млрд. Значение валовой прибыли за квартал также увеличилось с 60,6 % до 61 %.

За весь финансовый 2018 год Micron Technology выручила $30,39 млрд или на 50 % больше, чем в 2017 финансовом году. Значительно подорожавшая память дала возможность Micron стать второй по величине полупроводниковой компанией в США (первой считается Intel). Чистая прибыль компании за 2018 финансовый год достигла $14,7 млрд или $11,95 за акцию. За 2017 год чистая прибыль составила всего $5 млрд. Огромная разница, за которую компания должна благодарить рост цен на память.

Micron обвиняется в нарушении лицензионного договора на выпуск 3D XPoint

Вчерашняя новость о прекращении компаниями Intel и Micron совместных разработок памяти 3D XPoint сразу же создала впечатление, что что-то пошло не так. Да, ещё в январе Intel и Micron объявили, что со следующего года они прекращают совместную разработку памяти 3D NAND — многослойной версии NAND-флеш. Но при этом партнёры подчеркнули, что прогрессивную память 3D XPoint они продолжат разрабатывать вместе. И вдруг вчера выходит совместный пресс-релиз, в котором Intel и Micron сообщают о прекращении совместной разработки 3D XPoint после первой половины 2019 года.

Второе поколение 3D XPoint (очевидно, с бóльшим числом слоёв) станет последним совместным детищем партнёров. В то же время выпускать чипы 3D XPoint будет всё тот же завод в штате Юта, принадлежащий СП Intel-Micron Flash Technologies (IMFT). Как такое может быть? Часть линий настроены на выпуск одной версии чипов, часть — другой? Это можно, но достаточно сложно реализовать как технически, так и юридически. Зачем такие муки?

В пресс-релизе партнёры объясняют разделение разработок необходимостью каждой из компаний сосредоточиться на собственных нуждах и собственных продуктовых линейках, которые могут диктовать разные требования к технологиям производства микросхем 3D XPoint. В то же время продукции Micron на основе памяти 3D XPoint как не было, так и нет. Похоже, что-то не так либо с распределением микросхем, хотя по условиям договора компании получают их поровну, либо проблемы у Micron. И действительно, компания Micron столкнулась с проблемами лицензирования технологии, которая легла в основу микросхем 3D XPoint.

Модуль памяти NVDIMM Intel Opane DC на памяти 3D XPoint

Модуль памяти NVDIMM Intel Opane DC на памяти 3D XPoint

В комментарии к заметке о завершении партнёрства Intel и Micron по разработке 3D XPoint один из читателей сайта AnandTech привёл ссылку на иск в один из судов штата Мичиган, поданный 12 июля этого года против компании Micron. Последняя обвиняется в том, что она не выполняет своих обязательств по уплате лицензионных отчислений одному из владельцев патентов на память с изменяющимся фазовым состоянием вещества — трастовому ликвидационному фонду компании Energy Conversion Devices Inc. (ECD).

Компания ECD объявила о банкротстве в 2012 году. В ходе ликвидации предприятия были проданы подразделения компании, включая дочернее предприятие Ovonyx. Последняя была основана в 1960 году Стэнфордом Овшинским (Stanford Ovshinsky), заложившим теорию, а потом и практику создания памяти на основе изменения фазового состояния вещества. В 2012 году компания Ovonyx была куплена компанией Micron. До этого Micron, как и все остальные производители, работала по лицензии с Ovonyx, но после поглощения перестала платить роялти компании ECD. Кстати, ещё в 2011 году Micron также стала владельцем СП между Intel и STMicroelectronics компании Numonyx, которая тоже разрабатывала память PRAM или Phase change RAM (PCRAM) на основе лицензии Ovonyx. Имея такие активы, похоже, в Micron посчитали лишним платить отчисления ещё и ECD.

В исковом заявлении ликвидационный фонд ECD просит суд взыскать с Micron суммы отчислений и компенсацию в максимально возможном объёме, а также подтвердить права ECD на лицензионные отчисления, зафиксированные в договорах от 1998 и 1999 годов. Весьма вероятно, что угроза ареста продукции с памятью 3D XPoint всё это время не давала появиться SSD Micron с этой интересной памятью. Компания Intel находится в стороне от этого процесса (пока?), поэтому мы видим её продукцию под брендом Optane.

Micron не боится санкций Китая

Третий по величине в мире производитель памяти компания Micron опубликовал официальный ответ на постановление Народного суда промежуточной инстанции Фучжоу о запрете продавать в Китае определённые модели SSD и модулей памяти. В Micron подчёркивают, что Китай всегда стремился к протекционизму в отношении к своим компаниям, и решение суда стало реакцией на прошлогоднюю жалобу американского производителя в Генеральную прокуратуру Тайваня на компанию UMC. Тогда, напомним, с подачи Micron в офисах UMC были проведены рейды силовиков, которые обнаружили доказательства кражи технологических секретов Micron.

После выявления фактов воровства технологий компания Micron подала в суд в США гражданские иски против трёх сотрудников UMC и компании. В ответ на это в январе текущего года UMC и компания-партнёр Jinhua по разработке и будущему производству памяти типа DRAM подали встречные иски против Micron, обвинив её в нарушении ряда патентов. По заявлению компании Fujian Jinhua Integrated Circuit Co (Jinhua), Micron нарушила её международные патенты, защищённые в 2009 и 2012 годах. С использованием разработок Jinhua компания Micron выпускала продукцию, в частности 2,5-дюймовые SSD Crucial MX300 объёмом 525 Гбайт и модули памяти Crucial DDR4-2133 для ноутбуков объёмом 8 Гбайт.

Позже изучение продукции Micron в лабораториях выявило нарушение китайских патентов в целом ряде модулей памяти DDR4 для ноутбуков и настольных систем, а также в SSD серии MX500 в моделях объёмом 2 Тбайт, 1 Тбайт, 500 Гбайт и 250 Гбайт. Всего к продажам в Китае и импорту в эту страну Народный суд запретил 26 наименований продукции Micron.

Компания Micron сообщила, что получила предписание суда и будет неукоснительно его выполнять, хотя оставляет за собой право обжаловать решение и попытаться пересмотреть его или отменить. Запрещённая к продажам на территории Китая продукция Micron приносит выручку двум китайским подразделениям компании, но объём этой выручки едва превышает 1 % от совокупной годовой выручки компании. Это не та сумма, которая может повлиять на финансовое благополучие Micron или на её решимость противостоять зарождающимся в Китае конкурентам. Потеря этих денег также не повлияет на квартальные финансовые результаты текущего квартала, выручка от деятельности в котором ожидается от $8 млрд до $8,4 млрд.

Казалось бы, Micron создала прецедент, подтвердив своими пассивными действиями легитимность китайских патентов на производство памяти и продуктов на её основе. В компании это понимают и намерены попытаться пересмотреть правомочность соответствующих патентов UMC и Jinhua. Для этого в патентный офис Китая (Patent Review Board of China's State Intellectual Property Office) направлен запрос с просьбой признать патенты недействительными. Объясняется это тем, что UMC заимствовала патенты в процессе обслуживания клиентов по контрактам и не разрабатывала технологию производства памяти самостоятельно. Насколько нам известно, UMC не выпускала микросхемы памяти типа DRAM, а исключительно блоки eDRAM, SRAM и прочую память для встраиваемого применения в контроллерах и процессорах. Шаткость позиции UMC очевидна, но доказать её в китайских регулирующих органах может оказаться делом абсолютно безнадёжным.

Производство 10-нм DRAM памяти Micron пройдёт пять стадий

В преддверии симпозиума VLSI 2018 компания Micron Technology устами исполнительного вице-президента Скотта ДеБоера (Scott DeBoer) раскрыла планы по разработке новых техпроцессов производства памяти типа DRAM и 3D NAND. Начнём с оперативной памяти. Сообщается, что техпроцессы класса 10 нм пройдут пять стадий, три из которых ещё предстоит детально разработать. В настоящий момент компания массово выпускает микросхемы DRAM с использованием первого поколения техпроцесса класса 10 нм под кодовым именем 1Xnm (предположительно — это 17 нм). Во втором полугодии объёмы производства чипов с нормами 1Xnm начнут превышать объёмы производства DRAM класса 20 нм, постепенно вытесняя их из оборота.

Второе поколение техпроцесса класса 10 нм или 1Ynm уже разработано, а выпущенные с его помощью микросхемы DRAM проходят квалификационные тесты у партнёров Micron. Массовый выпуск микросхем оперативной памяти с нормами 1Ynm стартует до конца текущего года. Под кодовым именем 1Ynm может скрываться как 16-нм, так и 15-нм техпроцесс. В Micron этой информации не раскрывают.

Третье поколение техпроцесса класса 10 нм или 1Znm находится на стадии проектирования кристалла и в процессе проработки необходимых производственных операций. По слухам, это будут технологические нормы уровня 13 нм. Двумя следующими техпроцессами Micron станут техпроцессы 1α (альфа) и 1β (бета). Оба они, как понятно даже из названий, находятся на ранней стадии разработки. Техпроцессы 1α и 1β тоже будут относиться к классу 10 нм, но они могут опуститься ниже этой геометрической границы, хотя Micron не стала вводить кодовое имя класса 0Xnm. Как и компания Samsung, Micron также будет использовать в будущем сканеры диапазона EUV для производства памяти, но начнёт это делать ориентировочно с техпроцесса 1β.

Перспективные варианты по наращиванию плотности 3D NAND

Перспективные варианты по наращиванию плотности 3D NAND

Что касается многослойной памяти NAND (3D NAND), то Micron пообещала до конца календарного года приступить к производству 96-слойных 512-Гбит чипов. Поскольку ёмкость чипов не увеличится, кристаллы получатся рекордно малой для индустрии площади. В пересчёте на себестоимость кристаллов — это хорошая новость. Плохая новость заключается в том, что 96-слоёв невозможно создать в одном кристалле и новые чипы будут состоять из двух состыкованных друг с другом 48-слойных кристаллов.

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

Впрочем, компания Micron уже умеет собирать стеки из кристаллов 3D NAND. Если верить источникам, 64-слойная память 3D NAND уже выпускается как в виде монолитного кристалла, так и в виде стеков из двух 32-слойных кристаллов. Кстати, выпуск монолитных 64-слойных кристаллов открывает путь к относительно простому производству четвёртого поколения 3D NAND в виде 128-слойных микросхем.

Память 3D NAND может использовать разный тип ячеек: с ловушкой заряда или с плавающим затвором

Память 3D NAND может использовать разный тип ячеек: с ловушкой заряда или с плавающим затвором

Также Micron подтвердила, что в четвёртом поколении 3D NAND она откажется от ячейки NAND с плавающим затвором и перейдёт на ячейку NAND с ловушкой заряда. Как результат, пропускная способность 3D NAND памяти компании увеличится на 30 %, а потребление энергии в пересчёте на бит сохраняемых данных снизится на 40 %. Неплохо!

О вероятной причине прекращения совместных разработок 3D NAND компаниями Intel и Micron

В начале января как гром среди ясного неба разнеслась информация, что компании Intel и Micron прекратят совместную разработку многослойной памяти 3D NAND, начиная с четвёртого поколения или, конкретизируя, после завершения разработки 96-слойной памяти. Появились спекуляции, что Intel собирается делать ставку на память 3D XPoint, хотя компании продолжат совершенствовать этот тип энергонезависимой памяти рука об руку. Что же произошло на самом деле? Ответ на этот вопрос может крыться и, скорее всего, кроется в намерении Micron изменить архитектуру ячейки 3D NAND.

Память 3D NAND может использовать разный тип ячеек: с ловушкой заряда или с плавающим затвором

Память 3D NAND может использовать разный тип ячеек: с ловушкой заряда или с плавающим затвором

На днях на годовой встрече с аналитиками представители Micron сообщили, что с четвёртого поколения 3D NAND компания откажется от ячейки с плавающим затвором в пользу ячейки с ловушкой заряда. Компании Micron и Intel единственные производители 3D NAND из большой четвёрки, кто использует FGT-ячейку (floating gate). Все другие производители многослойной NAND опираются на ячейку CTF (charge trap). Совместное предприятие Micron и Intel все три поколения 3D NAND, куда относится 32-, 64- и 96-слойная память, выпускало, выпускает и будет выпускать (применительно к 96-слойной 3D NAND) память на ячейке с плавающим затвором.

Два года назад Micron пыталась «соскочить» с ячейки FGT, но в реальности это сделать не получилось. Соответственно, эту же технологию производства компания Intel внедрила на своём китайском заводе в городе Далянь, на переоборудование которого она потратила свыше полутора лет и больше $5млрд. Можно предположить, что Intel оказалась не в восторге от предложения партнёра отказаться в четвёртом поколении 3D NAND от ячейки с плавающим затвором. Поэтому со следующего года и при  разработке четвёртого поколения 3D NAND с числом слоёв свыше 140 уровней компании пойдут разными путями.

До сих пор компании Intel и Micron придерживались принципа, что переход от выпуска планарной NAND на многослойную 3D NAND обходился дешевле, если ячейка строилась на плавающем затворе. На деле всё немного не так. Память с ячейкой на ловушке заряда ощутимо плотнее, поскольку заряд хранится в тонком слое диэлектрической плёнки. Ячейка с плавающим затвором состоит из двух затворов, один из которых — плавающий — помещён между двумя слоями диэлектрика. За счёт этого объём FGT-ячейки до пяти раз превышает объём CTF-ячейки, что негативно сказывается на плотности записи. Также число технологически циклов при производстве 3D NAND с CTF-ячейкой на 20 % меньше, чем выпуск 3D NAND с FGT-ячейкой, а это тоже деньги и немалые.

Модуль памяти NVDIMM Intel Opane DC на памяти 3D XPoint

Модуль памяти NVDIMM Intel Opane DC на памяти 3D XPoint

Следует ожидать, что Micron будет с трудностями переходить с 96-слойной FGT 3D NAND на 140-160-слойную CTF 3D NAND. Возможно даже, что компания может столкнуться с невозможностью удовлетворить запросы клиентов. Проще говоря, на каком-то этапе может возникнуть дефицит 3D NAND производства Micron. Компания Intel в этом плане будет свободна от потрясений. Не исключено, что Intel действительно хочет дотянуть до массового выпуска 3D XPoint и завязать с производством 3D NAND. В таком случае ей нечего беспокоиться о какой-то там ячейке в четвёртом или пятом поколении 3D NAND.

Подробнее о новой 3D NAND QLC памяти Intel и Micron

Как мы сообщали, компании Intel и Micron приступили к массовому производству самой ёмкой и самой плотной в индустрии флеш-памяти 3D NAND ёмкостью 1 Тбит. На основе данных чипов компания Micron разработала серию SSD 5210 Ion вместимостью от 1,92 Тбайт до 7,68 Тбайт, коммерческие поставки которых стартуют нынешней осенью. Значительно увеличить ёмкость микросхем 3D NAND и накопителей на их основе удалось благодаря реализации целого ряда технологий и нововведений.

Но начнём мы с того, что 1-Тбит 3D NAND чипы партнёров представляют собой 64-слойные кристаллы. Это самая передовая на сегодня многослойная память. До конца года Intel и Micron могут начать производство 96-слойной памяти 3D NAND, о завершении разработки которой они тоже сегодня сообщили. Нетрудно подсчитать, что это на ровном месте увеличит плотность записи ещё на 50 % в пересчёте на одну микросхему памяти. Это хороший прыжок вперёд, хотя само по себе производство 96-слойной 3D NAND обещает оказаться намного сложнее, чем выпуск 64-слойной памяти.

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

Дело в том, что дальше наращивать слои в одном кристалле 3D NAND оказывается экономически невыгодным. Переход от 64 слоёв к 96 слоям в разы увеличивает длительность изготовления каждой кремниевой пластины с чипами 3D NAND. Поэтому, скорее всего, вместо изготовления монолитного 96-слойного кристалла будет собираться «спайка» из двух 48-слойных кристаллов. Это предъявляет высочайшие требования к точности совмещения верхнего и нижнего слоёв двух кристаллов, что неизбежно ведёт к росту уровня брака. Вот с ним-то и будут бороться производители при переходе к 96-слойным и более «слоистым» чипам 3D NAND.

Первыми выпуск 96-слойной памяти 3D NAND обещают начать компании WD и Toshiba. Это должно произойти в третьем или в четвёртом квартале текущего года. Хотя мы вряд ли удивимся, если компания Samsung начнёт выпускать 96-слойную память раньше всех. Ещё в прошлом году Samsung показала опытный чип ёмкостью 1 Тбит с записью 4 бит в каждую ячейку (QLC, Quad-Level Cell). Возвращаясь к сегодняшнему анонсу Intel и Micron, отметим, что 1-Тбит 64-слойный чип 3D NAND представляет собой массив ячеек QLC. Иными словами, Intel и Micron первыми в индустрии преодолели знаковый порог в 1 Тбит для хранения данных в коммерческом чипе. По сравнению с 64-слойной 3D NAND TLC (три бита в ячейке) плотность записи возросла на 33 %.

О достоинствах и недостатках паммяти QLC (AnandTech)

О достоинствах и недостатках памяти QLC (AnandTech)

Но и это ещё не всё. Сам по себе 64-слойный кристалл 3D NAND QLC Intel и Micron стал заметно меньше по площади — это тоже рекорд. Для этого партнёры спроектировали и изготовили чип таким образом, чтобы управляющие и питающие цепи, которые обслуживают массив памяти, были перенесены прямо под массив с ячейками. Эта технология называется CMOS under the array (CuA) и конкуренты тоже возьмут её на вооружение. Грубо говоря, электроника перенесена в подвал под массивом памяти, что существенно сэкономило площадь кристалла. Уточним, Intel пока не называет точных цифр.

Наглядно о технологии CMOS under the array (CuA)

Наглядно о технологии CMOS under the array (CuA)

Наконец, 1-Тбит чип 64-слойной памяти 3D NAND использует четыре банка памяти вместо двух, как это было реализовано до сегодняшнего дня. Разбивка на четыре логических и, очевидно, физических массива позволяет увеличить параллельный доступ к памяти, что ускоряет операции чтения и записи. Увы, Intel снова проигнорировала точные цифры, поэтому о реальном выигрыше судить нельзя. Также следует помнить, хотя для потребителя это вряд ли будет заметно, что переход на ячейку QLC снизил устойчивость ячеек к износу примерно с 3000 циклов перезаписи/стирания до 1000 циклов. Решать вопрос с надёжностью будут как всегда — с помощью избыточного массива ячеек.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥