Тенденции на рынке памяти таковы, что хорошую динамику финансовых показателей демонстрируют те поставщики, которые имеют возможности снабжать Nvidia чипами HBM3E. Поскольку Micron Technology находится в их числе, её квартальная выручка в серверном сегменте выросла в три раза по сравнению с аналогичным периодом прошлого года.

Источник изображения: Micron Technologu

Совокупная выручка Micron по итогам прошлого фискального квартала выросла на 38 % до $8,05 млрд и превзошла ожидания аналитиков тоже во многом благодаря высокому спросу на микросхемы памяти в серверном сегменте. Удельный доход на одну акцию достиг $1,56 против ожидаемых $1,42. Чистая прибыль почти удвоилась до $1,58 млрд. Реализация HBM в прошлом квартале принесла компании более $1 млрд выручки. Она продолжит расти на протяжении всего календарного 2025 года, и все квоты на выпуск HBM в текущем году компания уже распродала авансом.

В своём прогнозе на текущий квартал Micron упоминает выручку в размере $8,8 млрд, что выше ожиданий аналитиков ($8,5 млрд). Текущий фискальный год, который завершится осенью, Micron рассчитывает закрыть с рекордной выручкой и существенно возросшей нормой прибыли. Подобный оптимизм руководства даже вызвал рост котировок акций компании на 6 % в моменте после завершения торгов, но к моменту завершения дополнительной торговой сессии прирост свёлся к менее чем одному проценту.

Впрочем, есть в отчётности Micron и слабые места. Например, норма прибыли в прошлом квартале не превысила 37,9 % и оказалась ниже ожиданий рынка, а в текущем она ограничится 36,5 %, что также хуже сторонних прогнозов. На улучшение ситуации с прибыльностью благодаря росту цен на микросхемы памяти руководство рассчитывает только к четвёртому фискальному кварталу, который ещё не наступил.

Южнокорейские источники сообщают, что компания Micron в обозримом будущем не планирует расширять использование EUV-сканеров при производстве памяти. Громкий анонс поставок первых в мире чипов Micron DDR5 поколения 1γ с применением EUV-литографии (длина волны 13,5 нм) оказался своего рода психологической атакой на конкурентов. В дальнейшем компания намерена полагаться на массовое использование классических 193-нм сканеров в производстве DRAM.

Источник изображений: Micron

Издание Chosun Biz сообщило, что при производстве памяти Micron DDR5 поколения 1γ (гамма) с помощью EUV-сканера обрабатывается лишь один слой из нескольких десятков. Все остальные слои создаются с использованием аргон-фторидных эксимерных лазеров (ArF) с погружением в жидкость (так называемая иммерсионная литография для повышения разрешения). Таким образом, компания продолжает применять многомасочный подход — использование нескольких фотошаблонов (масок) для каждого слоя чипов вместо одного шаблона при EUV-литографии. Это увеличивает число технологических этапов при обработке каждой кремниевой пластины с памятью, а значит, и себестоимость производства.

Издание отмечает, что многомасочный подход может быть оправдан, если он служит альтернативой EUV-сканерам для обработки 1–3 слоёв микросхем. Однако если требуется обработка большего количества слоёв с помощью EUV, ставка на ArF-литографию обойдётся производителю существенно дороже, что в перспективе сделает продукцию менее конкурентоспособной (более дорогой).

Компании Samsung и SK Hynix уже в ближайшее время планируют использовать EUV-сканеры для обработки более пяти слоёв микросхем (пока это память HBM), и на этом фоне Micron будет выглядеть серьёзно отстающей. Если информация Chosun Biz верна, компания ещё долго будет применять EUV-сканеры лишь для обработки одного критически важного слоя, полагаясь во всём остальном на 193-нм сканеры.

Компания Micron совместно с Astera Labs продемонстрировала на конференции DesignCon 2025 первый в мире твердотельный накопитель (SSD) с интерфейсом PCIe 6.0. Устройство формата E3.S было протестировано в связке с коммутационным чипом Scorpio PCIe 6.0 от Astera Labs, а также ускорителем вычислений Nvidia H100.

Источник изображения: Astera Labs

Несмотря на то, что новый SSD от Micron был впервые представлен на стенде Astera Labs в рамках DesignCon 2025, прошедшей в конце февраля в США, официальная информация о тестах была опубликована лишь на этой неделе в блоге Astera Labs. В ходе испытаний, как сообщает Tom’s Hardware, SSD продемонстрировал скорость последовательного чтения более 27 Гбайт/с на каждом диске, превысив показатели самых быстрых PCIe 5.0 SSD.

Интересно, что в августе прошлого года, Micron анонсировала этот накопитель как первый в индустрии PCIe 6.0 SSD, заявив скорость чтения в 26 Гбайт/с. Однако испытания на стенде Astera Labs позволили превзойти эти ожидания — скорость чтения достигла 27,14 Гбайт/с для каждого из двух SSD в тестовой системе. Для сравнения, самый быстрый из протестированных PCIe 5.0 SSD, Crucial T705, показал максимум 14,5 Гбайт/с, что составляет лишь половину нового рекорда Micron.

Достичь таких показателей помог сетевой коммутатор Astera Scorpio P-Series Fabric Switch, поддерживающий до 64 линий PCIe 6.0. Этот коммутатор был разработан для высокопроизводительных вычислений (HPC) и искусственного интеллекта (ИИ), обеспечивая быструю связь между процессорами, видеокартами и хранилищами. Кроме того, в тестах использовалась технология Nvidia Magnum IO GPUDirect (GDS), позволяющая устройствам хранения данных напрямую взаимодействовать с памятью GPU, минуя центральный процессор и уменьшая задержки.

Отметим, что стандарт PCIe 6.x продолжает совершенствоваться и развиваться (актуальная версия — PCIe 6.3), обещая стать новым отраслевым стандартом как для корпоративных решений, так и в перспективе для потребительских устройств. Если PCIe 5.0 обеспечивает двустороннюю пропускную способность до 128 Гбайт/с на шине x16, то PCIe 6.x удвоит этот показатель до 256 Гбайт/с.

В условиях растущего спроса на скорость в сфере ИИ и HPC, интерфейс PCIe 6.0 по факту уже готов предложить рынку долгожданное ускорение, что подтверждается совместными испытаниями Micron и Astera Labs.

Исторически потребность в больших объёмах памяти активнее демонстрировали серверные системы и рабочие станции, поэтому производители модулей памяти в первую очередь удовлетворяли запросы соответствующих сегментов рынка, оставляя направление ПК на потом. В случае с модулями DDR5 планки объёмом 64 Гбайт для обычных ПК появились в продаже лишь недавно.

Источник изображения: Akiba PC Hotline

По крайней мере, об этом можно судить по публикации хранящего традиции десятилетиями японского ресурса Akiba PC Hotline, рассказывающего о новинках знаменитого местного рынка электроники оперативно и с иллюстрациями. Японским фоторепортёрам удалось зафиксировать факт появления в местной рознице комплектов памяти типа DDR5-5600 объёмом 2 × 64 Гбайт производства Crucial, подходящих для использования в настольных ПК.

Как известно, под маркой Crucial выпускает модули памяти и твердотельные накопители американская компания Micron Technology. Производитель на данный момент предлагает комплекты DDR5-5600 из двух 64-Гбайт модулей в форматах UDIMM и SO-DIMM.

В Японии, где импортируемая электроника традиционно облагается высокими пошлинами, комплект модулей типа UDIMM стоит более $322. Память предлагает задержки CL46-45-45 и совместимость с процессорами Intel Core Ultra 14-го поколения, а также процессорами AMD Ryzen 8000 или более молодыми. Функции Intel XMP и AMD Expo соответственно обеспечивают быстрый выбор оптимального с точки зрения быстродействия режима работы, заложено по два профиля в каждом (DDR5-5600 и DDR5-5200).

Компания Micron Technology объявила, что первой в отрасли начала поставки чипов памяти DDR5, изготовленных с использованием полупроводниковой EUV-литографии. Память поставляется избранным партнёрам для оценки эффективности самых передовых на сегодня решений. Новые чипы обладают повышенной пропускной способностью, пониженным энергопотреблением и более плотным размещением ячеек — всем, что нужно для развития ИИ, от гаджетов до серверов.

Источник изображений: Micron

Новая память Micron продолжает относиться к классу 10-нм продукции. Нет точной информации, насколько цифра техпроцесса близка к 10 нм. Но это уже третье приближение к ней и, что более важно, компания наконец-то перешла к использованию литографических сканеров в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне с длиной волны 13,5 нм (EUV). Дальше масштабирование пойдёт легче.

Если верить Micron, избранным партнёрам начали отгружаться 16-Гбит чипы DDR5. Кристаллы памяти выпущены с использованием техпроцесса 1γ (гамма). Предыдущие техпроцессы этого класса — 1α (альфа) и 1β (бета) — реализовывались с использованием сканеров с длиной волны 193 нм. Рассказывая о преимуществах чипов поколения 1γ, компания сравнивает их с чипами DDR5 предыдущего поколения — 1β. По сравнению с ними новинки на 15 % быстрее (до 9200 МТ/с), потребляют более чем на 20 % меньше энергии и обладают на 30 % большей плотностью расположения ячеек на кристалле.

Улучшенные характеристики памяти будут востребованы в периферийных устройствах с поддержкой искусственного интеллекта, в ПК с ИИ-функциями и в серверах, на которых работают большие языковые модели. Тем самым ассортимент памяти с технологическими нормами 1γ не ограничится лишь производством чипов DDR5, но также будет расширен за счёт выпуска других типов памяти, например LPDDR5X.

На фоне проблем Samsung Electronics в обеспечении компании Nvidia передовой памятью типа HBM3E, успехи американской Micron Technology в этой сфере позволяют ей претендовать на статус второго по величине поставщика Nvidia. В ближайшее время Micron начнёт снабжать этого клиента 12-ярусными стеками HBM3E, которые разработала к сентябрю прошлого года.

Источник изображения: Micron Technology

Естественно, SK hynix в этой сфере обгоняет обоих конкурентов, но в наличии нескольких поставщиков HBM3E заинтересована сама Nvidia, поскольку это позволяет ей повысить надёжность цепочек поставок и получить некоторые рычаги для торга с поставщиками. На мероприятии Wolfe Research, как сообщает Business Korea, финансовый директор Micron Technology Марк Мёрфи (Mark Murphy) рассказал о преимуществах 12-ярусных стеков HBM3E, предлагаемых компанией. По сравнению с 8-ярусными чипами HBM3E конкурентов, они обеспечивают увеличение ёмкости на 50 % и снижение энергопотребления на 20 %.

Напомним, Samsung в это время лишь договорилась о снабжении Nvidia своими 8-ярусными стеками HBM3E, которые будут применяться для производства ускорителей вычислений, предлагаемых на китайском рынке. Образцы 12-ярусной памяти HBM3E компания Samsung отправит Nvidia к концу текущего месяца, но не факт, что соответствующая продукция устроит клиента по своим характеристикам и качеству.

Как сообщалось ранее, SK hynix и Samsung стараются опередить друг друга в выводе на рынок микросхем памяти HBM4, намереваясь предложить их Nvidia в течение года. Micron Technology собирается начать поставки HBM4 в следующем году, поэтому конкуренция за соответствующие заказы Nvidia будет очень острой.

Micron обновила линейку потребительских продуктов Crucial, выпустив новые скоростные SSD, а также увеличив объём памяти для модулей DDR5 до 64 Гбайт. Твердотельный накопитель P510, представленный на глобальной выставке технологий CES 2025 в качестве главной новинки, обещает высокую скорость PCIe 5.0 и низкое энергопотребление.

Источник изображений: Micron

Твердотельный накопитель Crucial P510 с интерфейсом PCIe 5.0 разработан как для ноутбуков, так и для настольных компьютеров. Этот SSD, доступный в вариантах на 1 и 2 Тбайт, показал скорость последовательного чтения до 11 000 Мбайт/с и записи до 9 550 Мбайт/с. Несмотря на то, что P510 не превосходит по производительности флагманские модели T705 и T700, его ключевым преимуществом является сниженное энергопотребление, сообщает издание Tom's Hardware.

Основной акцент при разработке P510 был сделан на повышении энергоэффективности. По словам представителей компании, новый SSD потребляет на 25 % меньше энергии по сравнению с предыдущими PCIe 5.0 накопителями этого класса. Хотя конкретная модель, использованная для сравнения, не была названа, известно, что T705 и T700 потребляют максимум 12,3 Вт и 11,5 Вт соответственно. Таким образом, P510 может достигать максимального энергопотребления в диапазоне от 8,6 Вт до 9,2 Вт, что особенно важно для увеличения времени автономной работы в ноутбуках. В Micron подтвердили использование «новой, более энергоэффективной архитектуры» для контроллера SSD, предположительно E31T.

Компания также расширила линейку модулей оперативной памяти DDR5, представив новые варианты с повышенной плотностью. Модули Crucial DDR5 Pro Overclocking теперь доступны в версии 32 Гбайт (ранее было 16 Гбайт). Также анонсировано начало продаж модулей CUDIMM на 32 Гбайт и 64 Гбайт и модулей CSODIMM на 24 Гбайт и 32 Гбайт, ограниченных частотой DDR5-6400. Для традиционных UDIMM и SODIMM компания предложит варианты объёмом 64 Гбайт и частотой DDR5-5600. Таким образом, Micron расширяет возможности для пользователей, предлагая более широкий выбор оперативной памяти повышенного объёма.

Помимо P510, компания обновила модель SSD P310, выпустив вариант с радиатором. Новый радиатор был разработан с целью уменьшения размеров для использования SSD в ограниченных пространствах, таких как PlayStation 5. Ожидается, что SSD P510 поступит в продажу весной этого года, а P310 с радиатором будет доступен уже в текущем месяце. Модули оперативной памяти с более высокой плотностью поступят на рынок в феврале.

Скромные размеры Сингапура не мешают этому карликовому государству выступать не только в роли одного из крупнейших хабов по поставке электронных компонентов, но и выпускать их в приличных количествах на своей территории. Micron собирается к 2026 году запустить здесь предприятие по упаковке чипов памяти семейства HBM, его строительство было запущено на этой неделе.

Источник изображения: Micron Technology

На соответствующей торжественной церемонии, как отмечает DigiTimes, присутствовала довольно представительная делегация сингапурских чиновников. Предприятие Micron Technology по тестированию и упаковке микросхем памяти, фундамент которого был торжественно заложен на этой неделе, будет первым в своём роде на территории Сингапура. К работе оно приступит уже в следующем году, а ещё через год Micron намеревается существенно расширить свои мощности по тестированию и упаковке чипов с использованием передовых методов.

До конца текущего десятилетия и в начале следующего Micron надеется вложить около $7 млрд в расширение подобных мощностей, создав от 1400 до 3000 новых рабочих мест. Данные показатели учитывают потребность компании в увеличении штата разработчиков соответствующих технологий и компонентов. Micron также намеревается расширять свои мощности по производству твердотельной памяти NAND на территории Сингапура. Компания будет гибко балансировать типы расширяемых производственных линий в соответствии с потребностями рынка.

Квартальное отчётное мероприятие Micron Technology на прошлой неделе позволило руководству американской компании поделиться более подробными планами по развитию ассортимента продукции. Если в 2026 году Micron приступит к производству микросхем памяти типа HBM4, то позднее собирается наладить выпуск HBM4E, главной особенностью которой станет кастомизируемый базовый кристалл.

Источник изображения: Micron Technology

Данная часть стека памяти лежит в его основе и содержит базовую логику, необходимую для работы с расположенными выше микросхемами памяти. Micron собирается наделять базовый кристалл HBM4E тем набором функций, который интересен конкретным крупным заказчикам. Насколько велика будет степень свободы Micron в этой сфере, заранее сказать сложно, но очевидно, что стандарты JEDEC будут определять какие-то рамки. Чисто технически Micron сможет добавлять поддержку новых интерфейсов, увеличивать объём кеша, добавлять шифрование данных и всё в таком духе.

Как подчеркнул глава Micron на прошлой неделе, «HBM4E обеспечит сдвиг парадигмы в бизнесе по производству памяти, поскольку предложит опцию кастомизации базового кристалла с логикой для определённых клиентов, используя передовой производственный процесс TSMC». По словам генерального директора Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), подобные возможности индивидуализации улучшат финансовые показатели компании Micron.

Если же вернуться к более близкой HBM4, то непосредственно микросхемы памяти для стеков этого типа Micron намерена выпускать с помощью своего техпроцесса 10-нм класса пятого поколения (1β), тогда как конкурирующие SK hynix и Samsung присматриваются к более современной технологии 10-нм класса шестого поколения. Наличие 2048-разрядной шины позволит HBM4 обеспечить скорость передачи информации до 6,4 гигатранзакций в секунду. Массовое производство HBM4 компания рассчитывает развернуть в 2026 календарном году. Сейчас Micron уже активно поставляет 8-ярусные стеки HBM3E для ускорителей Nvidia Blackwell, 12-ярусные проходят тестирование клиентами и получают самые лестные отзывы, по словам руководства компании.

Около половины рынка микросхем памяти HBM сейчас контролирует южнокорейская SK hynix. В конце февраля текущего года Micron Technology заявила, что со второго квартала начнёт поставлять 8-ярусные стеки HBM3E для нужд Nvidia, которая будет устанавливать их в ускорители H200. На этой неделе стало известно, что подобную память Micron начала поставлять и загадочному второму крупному клиенту.

Источник изображения: Micron Technology

Под этим размытым определением может скрываться AMD, которая также оснащает свои ускорители вычислений семейства Instinct памятью типа HBM3E, но говорить об однозначном соответствии нельзя. Более того, на квартальной отчётной конференции на этой неделе руководство Micron Technology заявило, что в первом квартале следующего года компания начнёт снабжать своими микросхемами памяти семейства HBM третьего крупного клиента.

В сентябре текущего года Micron представила 12-ярусные стеки HBM3E, тем самым продемонстрировав устранение отставания от SK hynix. Третий игрок этого рынка, южнокорейская компания Samsung Electronics, уже не первый месяц подряд пытается сертифицировать свою память типа HBM3E под нужды Nvidia, но раз за разом терпит неудачу, несмотря на регулярные заверения в близости успеха. На квартальной конференции руководство Micron подчеркнуло, что её 12-ярусной памятью HBM3E клиенты весьма довольны.

Ёмкость рынка микросхем типа HBM компания Micron в привязке к 2025 году оценивает более чем в $30 млрд против ранее упоминавшихся $25 млрд. К 2028 году ёмкость рынка вырастет до $64 млрд, а по итогам 2030 года превысит $100 млрд. В текущем году данная величина не превысит $16 млрд, как считают в Micron. Что характерно, все заказы на производство HBM на следующий год у компании уже распределены, а цены зафиксированы в контрактах.

Смещение, с которым американский производитель памяти Micron Technology отчитывается о своей деятельности относительно прочих компаний полупроводникового сектора, позволяет более чутко контролировать ситуацию на рынке чипов. На этой неделе Micron разочаровала инвесторов своим прогнозом на текущий фискальный квартал и дала понять, что за пределами рынка ИИ говорить о восстановлении спроса не приходится.

Источник изображения: Micron Technology

Аналитики в среднем рассчитывали на прогноз по выручке в размере $8,98 млрд по итогам текущего фискального квартала, который завершится в конце февраля, но руководство Micron Technology разочаровало их заявлением о том, что по итогам периода компания планирует выручить от $7,7 до $8,1 млрд. К концу торговой сессии акции Micron на этом фоне упали в цене на 4,33 %, а после закрытия торгов просели ещё на 16,12 % до $87,15 за штуку. Падению не смогли воспрепятствовать даже неплохие результаты предыдущего фискального квартала, которые соответствовали ожиданиям рынка по величине выручки ($8,71 млрд) и оказались лучше прогнозов по удельному доходу на одну акцию ($1,79 против $1,75).

Между тем, в качестве сфер деятельности с положительной динамикой роста выручки Micron на квартальной конференции отметила серверное направление и ускорители вычислений Nvidia как таковые, поскольку для некоторой части их ассортимента она поставляет память типа HBM3E. Рынок памяти в целом вернётся к росту весной следующего года или к лету, а вот в сегменте потребительских изделий в ближайшие месяцы улучшений ожидать не приходится. Именно потребительский сектор определяет значительную часть выручки Micron, поэтому прогресс на серверном направлении такую тенденцию компенсировать не сможет.

В прошлом квартале выручка компании выросла на 84 % до $8,71 млрд. В серверном сегменте выручка Micron выросла на 400 % по сравнению с аналогичным периодом прошлого года. Это подразделение определяет более половину выручки Micron. Так или иначе, подъёма на серверном направлении не хватило для того, чтобы компенсировать спад в потребительском сегменте. С другой стороны, коррекция складских запасов в потребительском секторе выражается сильнее, чем ранее. К весне они должны достигнуть нормальных значений, по мнению руководства Micron. Также сообщается, что рынок ПК по итогам 2025 года вырастет примерно на 5 %, причём основная часть роста придётся на вторую половину года. Обладатели устройств данного типа обновляют их более медленно, чем ожидалось.

В мобильном сегменте выручка Micron по итогам минувшего квартала последовательно сократилась на 19 %, во многом из-за корректировки складских запасов. Автомобильное направление и сегмент промышленной автоматизации также продемонстрировали снижение выручки. В 2025 фискальном году, который уже начался, Micron рассчитывает потратить на строительство новых предприятий и закупку оборудования $14 млрд. Все три крупнейших производителя памяти, как отмечает руководство Micron, сейчас более сдержанно подходят к вопросу строительства новых предприятий, и это должно способствовать уменьшению колебаний цен на рынке памяти.

Министерство торговли США завершило оформление субсидии в размере более $6,1 млрд для производителя чипов памяти Micron Technology для стимулирования строительства отечественных предприятий по производству полупроводников, пишет Reuters со ссылкой на заявление Белого дома.

Источник изображения: Micron Technology

Сумма субсидии для Micron Technology, которая не изменилась по сравнению с первоначально объявленной в апреле этого года, является одной из крупнейших среди государственных грантов, выделенных компаниям по производству чипов в рамках принятого в 2022 году «Закона о чипах и науке» (CHIPS and Science Act). Средства будут направлены на финансирование строительства заводов Micron Technology в Нью-Йорке и Айдахо, что, как ожидается, создаст не менее 20 тыс. рабочих мест к концу десятилетия.

Министерство торговли США и Micron Technology также согласовали предварительные условия дополнительных инвестиций в размере $275 млн для расширения завода компании в Манассасе (штат Вирджиния), где в основном производятся чипы для автомобильного, сетевого и промышленного рынков. Эти инвестиции, как подчеркнули в Белом доме, помогут «закрепить критически важную технологию, на которую полагаются оборонная промышленность, автомобильный сектор и национальная безопасность».

Администрация президента Джо Байдена (Joe Biden) усилила меры по стимулированию роста внутреннего производства полупроводников, стремясь сократить зависимость от поставок из Китая и Тайваня. В США уже завершили оформление ряда субсидий, включая грант в размере $7,86 млрд для Intel, $6,6 млрд для американского подразделения Taiwan Semiconductor Manufacturing Co (TSMC) и $1,5 млрд для GlobalFoundries.

Заключительные гранты будут предоставлены всего за несколько недель до вступления в должность избранного президента Дональда Трампа (Donald Trump), который подверг критике инициативу администрации Байдена.

Micron представила обновлённый логотип. По мнению компании, он отражает её 46-летнюю историю и устремление в будущее, включая роль компании в эпоху ИИ и высокопроизводительных вычислений. Новый логотип символизирует стремление Micron оставаться лидером отрасли, уделяя особое внимание инновациям и превосходству.

Источник изображения: Micron Technology

Компания Micron, основанная в 1978 году, уже более 46 лет остаётся лидером в производстве передовых решений для хранения данных и памяти. Её первый значительный прорыв состоялся в 1981 году с выпуском памяти 64K DRAM, произведённой в подвале стоматологического кабинета в Бойсе (штат Айдахо).

Одними из последних достижений Micron считает запуск производства флеш-памяти 3D NAND девятого поколения и успехи в разработке памяти HBM3E. Эти технологии не только изменили подходы к обработке и хранению данных, но и стали ключевыми драйверами прогресса в таких областях, как ИИ и высокопроизводительные вычисления.

Новый логотип Micron отражает приверженность компании к постоянным улучшениям. Цвет логотипа напоминает кремниевые пластины — основу полупроводникового производства. Этот оттенок символизирует связь компании с технологией, подчёркивая её стремление к технологическому прогрессу и отсылая к сложным процессам, определяющим её успех.

Изогнутые формы букв в логотипе были выбраны не случайно: они вдохновлены точными контурами кремниевых пластин и символизируют лидерство компании в индустрии, а также служат визуальной метафорой её постоянного совершенствования и превосходства. Кроме того, плавные, текучие линии логотипа передают ощущение движения и прогресса, отражая динамичную природу технологической сферы.

Градиентные цвета логотипа вдохновлены отражениями света на кремниевых пластинах и олицетворяют приверженность компании равенству и смелости. Они символизируют глобальное присутствие компании и разнообразие взглядов и идей, которые Micron активно развивает, интегрируя их в инновации и технологические решения. Эти идеи составляют основу инструментария компании и на протяжении последнего года определяли вид её рекламных материалов.

Сегодня Micron предоставляет передовые решения для центров обработки и хранения данных, ИИ, высокопроизводительных вычислений и других ключевых отраслей. Эти технологии применяются в смартфонах, ПК, автомобилях и других устройствах, позволяя им работать быстрее и умнее. Решения Micron помогают сообществам людей и организациям принимать более эффективные решения и решать сложные задачи.

Фискальный квартал и год в целом в календаре Micron Technology завершились 29 августа, поэтому их итоги компания подвела лишь на этой неделе. Выручка за последний квартал минувшего фискального года выросла на 93 % до $7,75 млрд, годовая выручка выросла на 62 % до $25,11 млрд, но в текущем квартале она достигнет $8,7 млрд, превысив ожидания аналитиков. Акции производителя памяти на этом фоне выросли почти на 15 %.

Источник изображений: Micron Technology

Американская Micron Technology пока является наименее крупным игроком рынка памяти типа HBM, поскольку она по занимаемой доле рынка уступает как лидирующей SK hynix, так и южнокорейскому гиганту Samsung Electronics, который занимает первое место в мире по объёмам поставок всех типов памяти в совокупности. Это не мешает Micron заявлять, что она уже поставляет образцы 12-слойных стеков HBM3E объёмом 36 Гбайт, лишь чуть-чуть уступая по темпам технологического развития SK hynix. Последняя, напомним, уже приступила к их массовому производству. Micron намеревается сделать это в начале следующего календарного года.

Росту курса акций Micron способствовали и результаты прошлого квартала, которые превзошли ожидания аналитиков. По словам представителей компании, тенденция к росту спроса на микросхемы памяти наметилась и в сегменте ПК, а также смартфонов. Внедрение в этих устройствах функций локального ускорения работы систем искусственного интеллекта подразумевает увеличение потребности в объёме памяти, поэтому спрос на продукцию Micron будет расти, как считает компания. Объёмы поставок ПК по итогам текущего календарного года вырастут на несколько процентов, по мнению руководства компании. В следующем году рост рынка ПК ускорится, во многом из-за выхода Windows 12 и завершения поддержки Windows 10. Если в среднем ПК содержал 12 Гбайт оперативной памяти в прошлом году, то по мере распространения функции ИИ минимальным объёмом станут 16 Гбайт ОЗУ, а в среднем и верхнем ценовых диапазонов нормой станет наличие 32 и 64 Гбайт оперативной памяти соответственно.

Сильны конкурентные позиции Micron и в сегменте серверной памяти, как отмечает руководство. Высокий спрос на HBM заставил Micron распределить все квоты на её производство не только на текущий, но и на следующий год. В сегменте смартфонов объёмы поставок по итогам 2024 календарного года, по мнению Micron, вырастут на величину до 5 %, и продолжат рост в 2025 году. Если в прошлом году флагманские смартфоны в среднем оснащались 8 Гбайт памяти, то в следующем норма вырастет до 12 или 16 Гбайт.

Текущий фискальный квартал Micron рассчитывает завершить с рекордной выручкой в размере от $8,5 до $8,9 млрд. При этом норма прибыли компании достигнет 39,5 %. В минувшем квартале норма прибыли не превышала 35,3 %, но за год до этого она вообще была отрицательной. Аналитики в среднем рассчитывали на $8,28 млрд выручки и 37,7 % нормы прибыли в своих прогнозах на текущий фискальный квартал, поэтому акции компании и подскочили в цене после публикации отчётности. В наступившем фискальном году Micron рассчитывает получить многомиллиардную выручку в трёх категориях: HBM, оперативная память большой ёмкости и твердотельная память серверного назначения. В прошлом фискальном году Micron увеличила долю памяти серверного класса в общей выручки до рекордного уровня.

В прошлом квартале Micron достигла рекордной выручки в сегменте NAND и твердотельных накопителей. По итогам всего минувшего фискального года компания достигла рекордной выручки на серверном и автомобильном направлениях. В следующем календарном году Micron надеется приступить к массовому производству микросхем DRAM с использованием EUV-технологии класса 1γ, опытное уже осуществляется.

Компания продвигается в строительстве нового предприятия в Айдахо и ожидает получить разрешение властей на строительство предприятия в штате Нью-Йорк. В Индии возводится предприятие по тестированию и упаковке микросхем памяти, а китайское предприятие Micron такого профиля расширяется даже в условиях обоюдных санкций со стороны США и Китая. Приобретённое Micron предприятие Innolux по производству ЖК-панелей на Тайване будет переоборудовано под тестирование и сборку микросхем памяти DRAM.

Поставки HBM принесли в минувшем фискальном году сотни миллионов долларов выручки, как пояснили представители компании. В 2025 году ёмкость рынка HBM достигнет $25 млрд против $4 млрд двумя годами ранее, как ожидают в Micron, и доля данной компании на рынке HBM должна сравняться с её позициями на рынке DRAM в целом.

Спрос на DRAM по итогам текущего календарного года, как считают в Micron, вырастет на величину до 19 %, на память типа NAND — в районе 15 %, а в следующем году оба сегмента будут демонстрировать рост объёмов реализации памяти в среднем на 15 %. Цены на память в 2025 году будут расти из-за ограниченности производственных мощностей по сравнению с уровнем спроса.

Капитальные расходы Micron в минувшем фискальном году достигли $8,1 млрд, в наступившем они будут гораздо выше, достигая 35 % прогнозируемой выручки. В основном это будет вызвано необходимостью наращивать выпуск HBM и строить новые предприятия в США, которые будут субсидироваться властями по «Закону о чипах».

В прошедшем фискальном квартале выручка Micron на 69 % определялась реализацией микросхем типа DRAM. Профильная выручка компании выросла на 93 % в годовом сравнении и достигла $5,3 млрд. По итогам всего фискального года поставки DRAM увеличили профильную выручку Micron на 60 % до $17,6 млрд, это соответствует 70 % всей выручки компании за период.

В принципе, выручка от реализации NAND в четвёртом фискальном квартале не отставала по своей динамике от сегмента DRAM, увеличившись на 96 % до $2,4 млрд, но на этот тип продукции пришлось не более 31 % всей выручки Micron. Более того, в сегменте NAND компания в прошлом квартале получила рекордную выручку. По итогам года в целом профильная выручка выросла на 72 % до $7,2 млрд, но эта сумма соответствует только 29 % всей выручки компании.

Срез выручки четвёртого фискального квартала по направлениям деятельности выглядит таким образом: вычислительные и сетевые решения, охватывающие серверный сегмент, прибавили последовательно 17 % до $3 млрд, мобильное подразделение в силу сезонных явлений прибавило в выручке на 18 % последовательно до $1,9 млрд. В сегменте систем хранения данных рост выручки почти на четверть последовательно до $1,7 млрд был вызван спросом на твердотельные накопители серверного назначения, в этой сфере был установлен новый рекорд по выручке. Строго говоря, выручка от реализации NAND по итогам всего фискального года тоже была рекордной для Micron. Наконец, в сегменте встраиваемых решений выручка Micron сократилась на 9 % в последовательном сравнении до $1,2 млрд.

По данным тайваньских СМИ, на которые ссылается TrendForce, в этот вторник в районе 13:35 по местному времени на севере Тайваня произошёл сбой в системе энергоснабжения, от которого могли пострадать предприятия полупроводниковой отрасли, расположенные в регионе. От происшествия могло пострадать оборудование на фабриках Nanya и Micron по выпуску памяти.

Источник изображения: Micron Technology

Как сообщили тайваньские СМИ, на расположенных на севере Тайваня предприятиях Nanya Technology энергоснабжение отсутствовало на протяжении 20 минут, но для критических фаз производства была задействована система резервного электропитания. По этой причине участки фотолитографии и травления на этих предприятиях Nanya должны были минимально пострадать от отключения, а на не оснащённых такой системой участках производства пока ведётся оценка возможного ущерба.

Предприятие Micron Technology, как отмечают тайваньские источники, столкнулось с кратковременной просадкой напряжения, и пока есть основания надеяться, что его деятельность не была затронута инцидентом. Тем не менее, по некоторым слухам, у компании пострадали части оборудования для сухого травления и иммерсионной литографии.

В любом случае, даже если Nanya и Micron столкнулись с нарушением своих производственных процессов на севере Тайваня, имеющихся запасов готовой продукции должно хватить для бесперебойного снабжения клиентов компаний.