Теги → micron technology
Быстрый переход

Micron не боится санкций Китая

Третий по величине в мире производитель памяти компания Micron опубликовал официальный ответ на постановление Народного суда промежуточной инстанции Фучжоу о запрете продавать в Китае определённые модели SSD и модулей памяти. В Micron подчёркивают, что Китай всегда стремился к протекционизму в отношении к своим компаниям, и решение суда стало реакцией на прошлогоднюю жалобу американского производителя в Генеральную прокуратуру Тайваня на компанию UMC. Тогда, напомним, с подачи Micron в офисах UMC были проведены рейды силовиков, которые обнаружили доказательства кражи технологических секретов Micron.

После выявления фактов воровства технологий компания Micron подала в суд в США гражданские иски против трёх сотрудников UMC и компании. В ответ на это в январе текущего года UMC и компания-партнёр Jinhua по разработке и будущему производству памяти типа DRAM подали встречные иски против Micron, обвинив её в нарушении ряда патентов. По заявлению компании Fujian Jinhua Integrated Circuit Co (Jinhua), Micron нарушила её международные патенты, защищённые в 2009 и 2012 годах. С использованием разработок Jinhua компания Micron выпускала продукцию, в частности 2,5-дюймовые SSD Crucial MX300 объёмом 525 Гбайт и модули памяти Crucial DDR4-2133 для ноутбуков объёмом 8 Гбайт.

Позже изучение продукции Micron в лабораториях выявило нарушение китайских патентов в целом ряде модулей памяти DDR4 для ноутбуков и настольных систем, а также в SSD серии MX500 в моделях объёмом 2 Тбайт, 1 Тбайт, 500 Гбайт и 250 Гбайт. Всего к продажам в Китае и импорту в эту страну Народный суд запретил 26 наименований продукции Micron.

Компания Micron сообщила, что получила предписание суда и будет неукоснительно его выполнять, хотя оставляет за собой право обжаловать решение и попытаться пересмотреть его или отменить. Запрещённая к продажам на территории Китая продукция Micron приносит выручку двум китайским подразделениям компании, но объём этой выручки едва превышает 1 % от совокупной годовой выручки компании. Это не та сумма, которая может повлиять на финансовое благополучие Micron или на её решимость противостоять зарождающимся в Китае конкурентам. Потеря этих денег также не повлияет на квартальные финансовые результаты текущего квартала, выручка от деятельности в котором ожидается от $8 млрд до $8,4 млрд.

Казалось бы, Micron создала прецедент, подтвердив своими пассивными действиями легитимность китайских патентов на производство памяти и продуктов на её основе. В компании это понимают и намерены попытаться пересмотреть правомочность соответствующих патентов UMC и Jinhua. Для этого в патентный офис Китая (Patent Review Board of China's State Intellectual Property Office) направлен запрос с просьбой признать патенты недействительными. Объясняется это тем, что UMC заимствовала патенты в процессе обслуживания клиентов по контрактам и не разрабатывала технологию производства памяти самостоятельно. Насколько нам известно, UMC не выпускала микросхемы памяти типа DRAM, а исключительно блоки eDRAM, SRAM и прочую память для встраиваемого применения в контроллерах и процессорах. Шаткость позиции UMC очевидна, но доказать её в китайских регулирующих органах может оказаться делом абсолютно безнадёжным.

Производство 10-нм DRAM памяти Micron пройдёт пять стадий

В преддверии симпозиума VLSI 2018 компания Micron Technology устами исполнительного вице-президента Скотта ДеБоера (Scott DeBoer) раскрыла планы по разработке новых техпроцессов производства памяти типа DRAM и 3D NAND. Начнём с оперативной памяти. Сообщается, что техпроцессы класса 10 нм пройдут пять стадий, три из которых ещё предстоит детально разработать. В настоящий момент компания массово выпускает микросхемы DRAM с использованием первого поколения техпроцесса класса 10 нм под кодовым именем 1Xnm (предположительно — это 17 нм). Во втором полугодии объёмы производства чипов с нормами 1Xnm начнут превышать объёмы производства DRAM класса 20 нм, постепенно вытесняя их из оборота.

Второе поколение техпроцесса класса 10 нм или 1Ynm уже разработано, а выпущенные с его помощью микросхемы DRAM проходят квалификационные тесты у партнёров Micron. Массовый выпуск микросхем оперативной памяти с нормами 1Ynm стартует до конца текущего года. Под кодовым именем 1Ynm может скрываться как 16-нм, так и 15-нм техпроцесс. В Micron этой информации не раскрывают.

Третье поколение техпроцесса класса 10 нм или 1Znm находится на стадии проектирования кристалла и в процессе проработки необходимых производственных операций. По слухам, это будут технологические нормы уровня 13 нм. Двумя следующими техпроцессами Micron станут техпроцессы 1α (альфа) и 1β (бета). Оба они, как понятно даже из названий, находятся на ранней стадии разработки. Техпроцессы 1α и 1β тоже будут относиться к классу 10 нм, но они могут опуститься ниже этой геометрической границы, хотя Micron не стала вводить кодовое имя класса 0Xnm. Как и компания Samsung, Micron также будет использовать в будущем сканеры диапазона EUV для производства памяти, но начнёт это делать ориентировочно с техпроцесса 1β.

Перспективные варианты по наращиванию плотности 3D NAND

Перспективные варианты по наращиванию плотности 3D NAND

Что касается многослойной памяти NAND (3D NAND), то Micron пообещала до конца календарного года приступить к производству 96-слойных 512-Гбит чипов. Поскольку ёмкость чипов не увеличится, кристаллы получатся рекордно малой для индустрии площади. В пересчёте на себестоимость кристаллов — это хорошая новость. Плохая новость заключается в том, что 96-слоёв невозможно создать в одном кристалле и новые чипы будут состоять из двух состыкованных друг с другом 48-слойных кристаллов.

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

Впрочем, компания Micron уже умеет собирать стеки из кристаллов 3D NAND. Если верить источникам, 64-слойная память 3D NAND уже выпускается как в виде монолитного кристалла, так и в виде стеков из двух 32-слойных кристаллов. Кстати, выпуск монолитных 64-слойных кристаллов открывает путь к относительно простому производству четвёртого поколения 3D NAND в виде 128-слойных микросхем.

Память 3D NAND может использовать разный тип ячеек: с ловушкой заряда или с плавающим затвором

Память 3D NAND может использовать разный тип ячеек: с ловушкой заряда или с плавающим затвором

Также Micron подтвердила, что в четвёртом поколении 3D NAND она откажется от ячейки NAND с плавающим затвором и перейдёт на ячейку NAND с ловушкой заряда. Как результат, пропускная способность 3D NAND памяти компании увеличится на 30 %, а потребление энергии в пересчёте на бит сохраняемых данных снизится на 40 %. Неплохо!

О вероятной причине прекращения совместных разработок 3D NAND компаниями Intel и Micron

В начале января как гром среди ясного неба разнеслась информация, что компании Intel и Micron прекратят совместную разработку многослойной памяти 3D NAND, начиная с четвёртого поколения или, конкретизируя, после завершения разработки 96-слойной памяти. Появились спекуляции, что Intel собирается делать ставку на память 3D XPoint, хотя компании продолжат совершенствовать этот тип энергонезависимой памяти рука об руку. Что же произошло на самом деле? Ответ на этот вопрос может крыться и, скорее всего, кроется в намерении Micron изменить архитектуру ячейки 3D NAND.

Память 3D NAND может использовать разный тип ячеек: с ловушкой заряда или с плавающим затвором

Память 3D NAND может использовать разный тип ячеек: с ловушкой заряда или с плавающим затвором

На днях на годовой встрече с аналитиками представители Micron сообщили, что с четвёртого поколения 3D NAND компания откажется от ячейки с плавающим затвором в пользу ячейки с ловушкой заряда. Компании Micron и Intel единственные производители 3D NAND из большой четвёрки, кто использует FGT-ячейку (floating gate). Все другие производители многослойной NAND опираются на ячейку CTF (charge trap). Совместное предприятие Micron и Intel все три поколения 3D NAND, куда относится 32-, 64- и 96-слойная память, выпускало, выпускает и будет выпускать (применительно к 96-слойной 3D NAND) память на ячейке с плавающим затвором.

Два года назад Micron пыталась «соскочить» с ячейки FGT, но в реальности это сделать не получилось. Соответственно, эту же технологию производства компания Intel внедрила на своём китайском заводе в городе Далянь, на переоборудование которого она потратила свыше полутора лет и больше $5млрд. Можно предположить, что Intel оказалась не в восторге от предложения партнёра отказаться в четвёртом поколении 3D NAND от ячейки с плавающим затвором. Поэтому со следующего года и при  разработке четвёртого поколения 3D NAND с числом слоёв свыше 140 уровней компании пойдут разными путями.

До сих пор компании Intel и Micron придерживались принципа, что переход от выпуска планарной NAND на многослойную 3D NAND обходился дешевле, если ячейка строилась на плавающем затворе. На деле всё немного не так. Память с ячейкой на ловушке заряда ощутимо плотнее, поскольку заряд хранится в тонком слое диэлектрической плёнки. Ячейка с плавающим затвором состоит из двух затворов, один из которых — плавающий — помещён между двумя слоями диэлектрика. За счёт этого объём FGT-ячейки до пяти раз превышает объём CTF-ячейки, что негативно сказывается на плотности записи. Также число технологически циклов при производстве 3D NAND с CTF-ячейкой на 20 % меньше, чем выпуск 3D NAND с FGT-ячейкой, а это тоже деньги и немалые.

Модуль памяти NVDIMM Intel Opane DC на памяти 3D XPoint

Модуль памяти NVDIMM Intel Opane DC на памяти 3D XPoint

Следует ожидать, что Micron будет с трудностями переходить с 96-слойной FGT 3D NAND на 140-160-слойную CTF 3D NAND. Возможно даже, что компания может столкнуться с невозможностью удовлетворить запросы клиентов. Проще говоря, на каком-то этапе может возникнуть дефицит 3D NAND производства Micron. Компания Intel в этом плане будет свободна от потрясений. Не исключено, что Intel действительно хочет дотянуть до массового выпуска 3D XPoint и завязать с производством 3D NAND. В таком случае ей нечего беспокоиться о какой-то там ячейке в четвёртом или пятом поколении 3D NAND.

Подробнее о новой 3D NAND QLC памяти Intel и Micron

Как мы сообщали, компании Intel и Micron приступили к массовому производству самой ёмкой и самой плотной в индустрии флеш-памяти 3D NAND ёмкостью 1 Тбит. На основе данных чипов компания Micron разработала серию SSD 5210 Ion вместимостью от 1,92 Тбайт до 7,68 Тбайт, коммерческие поставки которых стартуют нынешней осенью. Значительно увеличить ёмкость микросхем 3D NAND и накопителей на их основе удалось благодаря реализации целого ряда технологий и нововведений.

Но начнём мы с того, что 1-Тбит 3D NAND чипы партнёров представляют собой 64-слойные кристаллы. Это самая передовая на сегодня многослойная память. До конца года Intel и Micron могут начать производство 96-слойной памяти 3D NAND, о завершении разработки которой они тоже сегодня сообщили. Нетрудно подсчитать, что это на ровном месте увеличит плотность записи ещё на 50 % в пересчёте на одну микросхему памяти. Это хороший прыжок вперёд, хотя само по себе производство 96-слойной 3D NAND обещает оказаться намного сложнее, чем выпуск 64-слойной памяти.

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

Дело в том, что дальше наращивать слои в одном кристалле 3D NAND оказывается экономически невыгодным. Переход от 64 слоёв к 96 слоям в разы увеличивает длительность изготовления каждой кремниевой пластины с чипами 3D NAND. Поэтому, скорее всего, вместо изготовления монолитного 96-слойного кристалла будет собираться «спайка» из двух 48-слойных кристаллов. Это предъявляет высочайшие требования к точности совмещения верхнего и нижнего слоёв двух кристаллов, что неизбежно ведёт к росту уровня брака. Вот с ним-то и будут бороться производители при переходе к 96-слойным и более «слоистым» чипам 3D NAND.

Первыми выпуск 96-слойной памяти 3D NAND обещают начать компании WD и Toshiba. Это должно произойти в третьем или в четвёртом квартале текущего года. Хотя мы вряд ли удивимся, если компания Samsung начнёт выпускать 96-слойную память раньше всех. Ещё в прошлом году Samsung показала опытный чип ёмкостью 1 Тбит с записью 4 бит в каждую ячейку (QLC, Quad-Level Cell). Возвращаясь к сегодняшнему анонсу Intel и Micron, отметим, что 1-Тбит 64-слойный чип 3D NAND представляет собой массив ячеек QLC. Иными словами, Intel и Micron первыми в индустрии преодолели знаковый порог в 1 Тбит для хранения данных в коммерческом чипе. По сравнению с 64-слойной 3D NAND TLC (три бита в ячейке) плотность записи возросла на 33 %.

О достоинствах и недостатках паммяти QLC (AnandTech)

О достоинствах и недостатках памяти QLC (AnandTech)

Но и это ещё не всё. Сам по себе 64-слойный кристалл 3D NAND QLC Intel и Micron стал заметно меньше по площади — это тоже рекорд. Для этого партнёры спроектировали и изготовили чип таким образом, чтобы управляющие и питающие цепи, которые обслуживают массив памяти, были перенесены прямо под массив с ячейками. Эта технология называется CMOS under the array (CuA) и конкуренты тоже возьмут её на вооружение. Грубо говоря, электроника перенесена в подвал под массивом памяти, что существенно сэкономило площадь кристалла. Уточним, Intel пока не называет точных цифр.

Наглядно о технологии CMOS under the array (CuA)

Наглядно о технологии CMOS under the array (CuA)

Наконец, 1-Тбит чип 64-слойной памяти 3D NAND использует четыре банка памяти вместо двух, как это было реализовано до сегодняшнего дня. Разбивка на четыре логических и, очевидно, физических массива позволяет увеличить параллельный доступ к памяти, что ускоряет операции чтения и записи. Увы, Intel снова проигнорировала точные цифры, поэтому о реальном выигрыше судить нельзя. Также следует помнить, хотя для потребителя это вряд ли будет заметно, что переход на ячейку QLC снизил устойчивость ячеек к износу примерно с 3000 циклов перезаписи/стирания до 1000 циклов. Решать вопрос с надёжностью будут как всегда — с помощью избыточного массива ячеек.

Micron инвестирует в производство на Тайване 10-нм памяти типа DRAM

Не так давно мы сообщали, что компания Micron приступила в Сингапуре к строительству нового корпуса завода для производства энергонезависимой памяти типа 3D NAND. К счастью, компания также озаботилась инвестициями в производство оперативной памяти типа DRAM, что особенно радует на фоне третьего года роста цен на память. Нельзя сказать, что дефицит тут же испарился. Однако в недалёкой перспективе ситуация с нехваткой памяти обещает определённым образом стать лучше.

Новые инвестиции Micron направлены на ускоренное внедрение на тайваньских заводах компании новейших техпроцессов с нормами класса 10 нм. На заводе в Тайчжуне, который является предприятием некогда самостоятельной компании Rexchip Electronics, Micron выпускает DRAM с нормами 1X нм (по неофициальным данным память выпускается с нормами 17 нм). К производству памяти с нормами 1Z нм предприятие будут готово во второй половине 2019 года.

Другой тайваньский завод Micron раньше принадлежал компании Inotera Memories и расположен он вблизи города Таоюань. Это предприятие выпускает память DRAM класса 20 нм. К производству памяти с норами 1X (17 нм) завод приступит во второй половине текущего года и к концу года будет готов начать выпускать память с нормами 1Y. Пока нет никакой информации о техпроцессах 1Y и 1Z. Считается, что память типа DRAM невыгодно выпускать с технологическими нормами менее 15 нм.

В «чистой» комнате производственного комплекса Micron

В «чистой» комнате производственного комплекса Micron

Впрочем, производители памяти DRAM научились упаковывать кристаллы в стеки, повышая плотность записи в пересчёте на единицу поверхности посадочного места чипа. Так, с целью расширить на Тайване выпуск стеков DRAM компания Micron расширит деятельность своего упаковочного завода на острове. На предприятие по упаковке «3D DRAM» Micron наймёт дополнительно 1150 специалистов (800 до конца года и 350+ в следующем году). В целом Micron рассчитывает вписаться в рыночные тенденции как по поставкам 3D NAND, так и DRAM.

Intel удваивает усилия по разработке 3D NAND своими силами

Долгие годы компания Intel разрабатывала и выпускала память NAND-флеш и 3D NAND вместе с компанией Micron. Начиная со следующего года каждая из этих компаний займётся самостоятельной разработкой новых версий многослойной памяти. Напомним, в январе Intel сообщила, что до конца года будет завершена разработка «третьего поколения» 3D NAND в виде 96-слойных чипов и в дальнейшем инженерные коллективы её и Micron будут работать раздельно (за исключением разработок, связанных с памятью 3D XPoint).

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

В принципе, намёк на отдаление от Micron появился ещё в 2015 году, когда Intel приступила к переводу своего китайского завода в городе Далянь с выпуска системной логики и NAND-флеш на производство 3D NAND. Завод модернизирован и приступил к массовому выпуску 64-слойной памяти. Очевидно, в первой половине следующего года это предприятие начнёт выпускать 96-слойную память 3D NAND. И если с производством у компании полный порядок, то инженерный коллектив явно потребует усиления. Как ни крути, инженерная база Micron в США сильна своими специалистами и оборудованием, а через несколько месяцев её двери для Intel будут закрыты.

Как сообщает сайт Motley Fool, Intel активно набирает специалистов для «формирования новой и передовой команды инженеров под руководством Technology and Strategy Office (TSO) с прицелом на значительное снижение затрат [на производство], улучшение продукции и реализацию возможностей оборудования и техпроцессов для будущих поколений производства 3D NAND». Можно предположить, что целевая инженерная группа Intel по разработке 3D NAND разместится вблизи завода в Китае (близость разработчиков и производства часто становится залогом успеха). В любом случае, Intel надо будет компенсировать интеллектуальный разрыв с Micron.

В заключение напомним, что Intel может искать тесной связи с китайскими производителями чипов. Например, циркулирует слух, что NAND-продукцию завода в городе Далянь компания будет реализовывать через местного производителя UNIC Memory Technology. Компания UNIC Memory якобы будет также упаковывать и тестировать чипы Intel 3D NAND. За прошедший год выручка Intel на направлении 3D NAND выросла на 36,6 %. Компания в основном выпускает SSD для ЦОД и серверного рынка. Работа с китайцами может позволить Intel выйти на новые для неё рынки с изделиями по конкурентной цене.

Недопоставки азота на тайваньский завод Micron приведут к росту цен на память

Вы будете смеяться, но производство памяти снова перед лицом угрозы со стороны негативных внешних факторов. К счастью, землетрясений, цунами, торнадо, пожаров и наводнений не произошло. Компьютерные сети предприятий не поразил вирус или атака хакеров. С поставками электроэнергии тоже всё в полном порядке. Никаких праздников и отпусков. Все работают не покладая рук, а подвели — подрядчики. Точнее, один из тайваньских поставщиков азота на предприятия компании Micron Memory Taiwan — компания Air Products and Chemicals (San Fu), которая временно приостановила поставки азота для производственных нужд этого производителя микросхем DRAM.

Daniel Cattermole / EyeEm / Getty Images

Daniel Cattermole / EyeEm / Getty Images

Подразделение Micron Memory Taiwan (бывшая компания Rexchip) выпускает все типы DRAM: микросхемы серверного назначения, чипы для модулей оперативной памяти ПК, память LPDDR4, память для видеокарт. Перебои с поставками азота — сырья, которое активно задействовано в техпроцессах по производству полупроводников — начались с 20 марта, когда на линиях Air Products and Chemicals обнаружились неполадки. Для ремонта оборудования компании потребовалось отправлять производителю в США. Сейчас оно восстановлено и возвращается обратно. Поставки азота в необходимых объёмах начнутся в первой половине апреля.

Что важно, с начала 2018 года крупные договоры на поставку микросхем памяти заключаются на три месяца (на квартал). Это означает, что контрактные цены на DRAM остаются без значительных изменений в течение двух других месяцев каждого нового квартала. Например, в феврале и марте контрактные цены на память практически не менялись, а величину наценки определил январь.

Так, средняя цена на 4-Гбайт модуль DDR4 в первом квартале приближалась к $33, а высшая — к $34. Тем самым в первом квартале 2018 года рост цен на память по сравнению с четвёртым кварталом 2017 года составил скромные 5 %. Во втором квартале, определяющим для которого должен стать апрель, рост цен на микросхемы DRAM также ожидался умеренным (на уровне 3 %). Но теперь возникла эта история с недопоставками азота, которая может продлить негативные ожидания на рынке и сильнее увеличить контрактные цены на DRAM на новый трёхмесячный период. Как утверждают источники, сильнее всего «сбой» повлияет на цены на память для видеокарт, с которыми и так всё непросто.

В 2018 году рост цен на память будет немного сдержан

Перед самым началом празднования китайского Нового года аналитики DRAMeXchange (подразделение компании TrendForce) успели опубликовать заметку о предполагаемом состоянии рынка памяти в первом квартале и, вчерне, о выручке производителей DRAM в 2018 году. Если сравнивать ожидания с прошлым годом, то память в 2018 году будет расти в цене не такими бурными темпами, как в 2017 году. Благодаря росту стоимости чипов DRAM производители памяти увеличили в 2017 году выручку на 76 %. За 2018 год рост выручки производителей DRAM составит не меньше 30 % в год и достигнет $96 млрд.

Данные о лидерах рынка DRAM в четвёртом квартале 2017 года (DRAMeXchange)

Данные о лидерах рынка DRAM в четвёртом квартале 2017 года (DRAMeXchange)

Интересно, что в четвёртом квартале 2017 года сильнее всего подорожала DRAM память для смартфонов. В зависимости от номенклатуры рост цен составил 5–20 % за квартал. Память для других сфер применения за это же время подорожала на 5–10 %. В первом квартале 2018 года, однако, рост цен на мобильную DRAM составит всего 3 % за квартал (о чём мы подробно рассказывали в соответствующей заметке). Память для серверов и ПК, напротив, только за январь в среднем подорожала на 5 %. Поскольку сейчас четыре крупнейшие американские компании расширяют свои ЦОД, серверная память в первом квартале не испытывает нужды в покупателях, что приведёт к квартальному росту цен на неё на 3–5 %.

Лидером рынка DRAM остаётся компания Samsung и она добивается новых успехов. В четвёртом квартале 2017 года Samsung добилась рекордной выручки на этом рынке в объёме $10,1 млрд (+14,5 % за квартал). На втором месте расположилась компания SK Hynix с квартальной выручкой $6,3 млрд (+14,1 % за квартал), а на третьем — компания Micron с выручкой $4,6 млрд (+13,4 % за квартал). Совокупно Samsung и SK Hynix удерживают 74,7 % глобального рынка DRAM. Случись на Корейском полуострове локальный кризис, станет всё.

Среди всех трёх лидеров памяти наибольшая рентабельность производства DRAM у компании Samsung — 64 % в отчётном квартале. Рентабельность производства DRAM на линиях SK Hynix за квартал выросла на 3 % — до 59 %. Соответствующий показатель у Micron также вырос на 3 % — до 53 %. Добиться роста рентабельности компаниям удаётся не только за счёт увеличения цен на память, но также благодаря переходу на новые техпроцессы с меньшими нормами производства.

Перед компанией Samsung в 2018 году стоит задача значительно расширить выпуск чипов памяти с использованием 18-нм техпроцесса. При этом Samsung собирается внепланово разместить мощности по выпуску DRAM на втором этаже нового завода в Пхёнтэк (Line 1). Это производство с лета прошлого года выпускает 64-слойную 3D NAND. Поскольку память NAND перестала дорожать, Samsung решила часть линий перепрофилировать на производство памяти DRAM. Тем самым она потеснит конкурентов и создаст дополнительный барьер перед потенциальными конкурентами из Китая.

На стройплощадке завода Samsung в Пхёнтэк (BusinessKorea)

На стройплощадке завода Samsung в Пхёнтэк (BusinessKorea)

Компания SK Hynix также будет заниматься в 2018 году повышением уровня выпуска 18-нм DRAM, а вот новые линии по производству памяти (вторая 300-мм фабрика в китайском городе Уси) заработают только в 2019 году. Компания Micron наращивает производство 17-нм DRAM. Правда, руками тайваньских партнёров. Так, 90 % памяти Micron Memory Taiwan (Rexchip) выпускается с использованием 17-нм техпроцесса. Предприятие Micron Technology Taiwan (Inotera) перейдёт от использования 20-нм техпроцесса к частичному использованию 17-нм техпроцесса в середине этого года и завершит переход в первой половине 2019 года.

Вклад остальных производителей памяти в мировой рынок DRAM видится незначительным, а информацию о компаниях вы можете почерпнуть из таблицы выше.

Silicon Motion поставляет контроллеры для SSD Intel 760p

На днях на квартальной отчётной конференции руководство тайваньской компании Silicon Motion Technology раскрыло, что новейшие SSD компании Intel серии 760p основаны на фирменных контроллерах компании. Это контроллеры с поддержкой интерфейса PCI Express 3.0 и протокола NVMe. Другим крупным и хорошо известным клиентом Silicon Motion на контроллеры для SSD заявлена компания Micron. Последняя получает контроллеры Silicon Motion для выпуска SSD линейки Crucial MX500 с интерфейсом SATA 6 Гбит/с. Впрочем, нам об этом было известно, но факт сотрудничества с Intel в продвижении PCIe NVMe накопителей выглядит интересным.

Тайваньский разработчик на следующих этапах развития надеется на расширенное внедрение в инфраструктуру облачных систем хранения протоколов и стандарта NVMe, что позволит ему уйти от зависимости от контроллеров для клиентских накопителей. Так, Silicon Motion начала предпродажное распространение образцов контроллеров для SSD с поддержкой open-channel NVMe. Это архитектура, которая отдаёт контроль над физическим носителем операционной системе, вместо того, чтобы транслировать команды через контроллер SSD. Тем самым для крупных СХД появляется возможность более гибкого управления данными.

От производства всего спектра контроллеров для флеш-памяти (для клиентских, индустриальных и серверных накопителей, карт памяти и USB-накопителей) компания Silicon Motion получает 80 % выручки. За квартал этот показатель увеличился на 10 % (данные за четвёртый квартал 2017 года). Выручка за отчётный квартал от продаж контроллеров для клиентских SSD последовательно выросла на 15 %. Поставки контроллеров для модулей eMMC оставались неизменными. В целом за четвёртый квартал компания выручила $136,2 млн, что на 7 % больше, чем в третьем квартале 2017 года, но на 6 % меньше, чем в четвёртом квартале 2016 года.

В снижении выручки виновен рост цен на флеш-память. Пока производители памяти NAND стригут купоны, поставщики контролеров, включая Silicon Motion, вынуждены конкурировать на ограниченном рынке. Недостатка в контролерах нет, а память на рынке присутствует в лимитированных объёмах. В Silicon Motion считают, что предложение на рынке NAND-флеш скоро догонит спрос, но всё же на первый квартал 2018 года прогнозируют снижение продаж контроллеров для SSD.

Китайский производитель памяти ополчился на Micron

«После ряда слияний и приобретений глобальная индустрия по производству памяти развилась в олигополистический рынок, который международные гиганты собираются контролировать путём намеренного создания технологической блокады и чинят препятствия развитию китайских производителей памяти. Это серьёзно ослабляет принципы рыночной экономики и реализацию национальной стратегии Китая».

Приведенный выше абзац — это дословный перевод из свежего пресс-релиза китайской компании Fujian Jinhua Integrated Circuit Co., Ltd. (JHICC). По сути — это объявление войны лидерам рынка памяти, но, прежде всего, это вызов в ответ на угрозы со стороны американской компании Micron. В пресс-релизе JHICC компания Micron обвиняется в «серьёзном» нарушении ряда патентов китайского производителя. Исковое заявление против Micron подано в Народный суд промежуточной инстанции города Фучжоу. В этот же суд иск против Micron на прошлой неделе подала тайваньская компания United Microelectronics Corporation (UMC). Собственно, обе компании выступили синхронно даже в формулировках требований.

Китайская компания JHICC одна из немногих, кто собирается создать основу национального производства памяти в Китае

Китайская компания JHICC одна из немногих, кто собирается создать основу национального производства памяти в Китае

Как и компания UMC, JHICC требует от Micron не только остановить производство, использование и продажу продуктов, нарушающих её патенты, но также просит обязать американского производителя уничтожить запасы продукции, формы и производственное оборудование, задействованное для выпуска «контрафактной» памяти. Правда, в отличие от UMC компания JHICC обозначает продукцию Micron, которую необходимо уничтожить, — это 2,5-дюймовые SSD накопители линейки Crucial MX300 на памяти 3D NAND и планки памяти DDR4-2133 объёмом 8 Гбайт. Также Micron должна выплатить компании JHICC денежную компенсацию в размере 196 млн юаней ($30 млн).

Май 2017 года. Торжественное открытие строительства завода JHICC по производству памяти (JHICC )

Май 2017 года. Торжественное открытие строительства завода JHICC по производству памяти (JHICC )

Выступление компаний UMC и JHICC против Micron носят ответный характер. В прошлом году Micron вынудил заморозить проект по совместной разработке компаниями UMC и JHICC технологии производства памяти для выпуска на заводах в Китае. Также Micron инициировала судебные разбирательства против сотрудников UMC и против самой компании. Ответные иски UMC и JHICC следует расценивать как намерение китайцев в споре с Micron стоять до конца. И что-то нам подсказывает, что компании Micron придётся уступить.

UMC направила иск с просьбой уничтожить производство памяти Micron в Китае

На днях третий в мире по величине контрактный производитель полупроводников тайваньская компания United Microelectronics Corporation (UMC) обвинила американскую компанию Micron в нарушении ряда патентов на производство памяти и продукции на её основе. В нарушении патентов обвинены китайские подразделения Micron в Шанхае и Сиане.

CNA

CNA

Компания UMC утверждает, что Micron нарушила её патентные права в КНР в области производства памяти DDR4, SSD и графических адаптеров. В своём заявлении UMC просит суд заставить ответчика не только остановить производство, использование, импорт и продажу продукции, но даже уничтожить промышленное оборудование и оснастку для выпуска памяти и флеш-памяти. В финансовом выражении Micron должна компенсировать UMC ущерб в размере 270 млн юаней ($42 млн).

Кроме представленной выше информации один абзац в пресс-релизе UMC посвящён воспеванию тяжких усилий компании по разработке новых технологий, которыми для выпуска логики или DRAM хотят воспользоваться нечистые на руку конкуренты. Но корни у этого иска совсем другие и уходят они ох как глубоко.

CNA

thestreet.com

В целом можно сказать, что иск UMC стал ответом на целую серию исков и враждебных юридических действий к ней со стороны компании Micron. Напомним, весной прошлого года Micron с помощью властей Тайваня пресекла переход на работу к китайским производителям памяти порядка сотни бывших своих сотрудников, а также заблокировала работу совместной инженерной группы из специалистов UMC и их китайских коллег, которые разрабатывали технологию производства памяти для внедрения на материковых заводах. В сентябре Micron добилась от прокуратуры Тайваня открытия дел против двух своих бывших сотрудников и одного представителя UMC, обвиняемых в краже коммерческой информации, а в декабре по этому же поводу в США был подан иск уже против компании UMC. Поэтому ответные действия UMC в правовом поле были лишь вопросом времени.

Краткое досье на три китайские компании, которые собираются сыграть на рынке полупроводниковой памяти (TrendForce)

Краткое досье на три китайские компании, которые собираются сыграть на рынке полупроводниковой памяти (TrendForce)

Следует сказать, что в данной ситуации за спиной UMC находится грозный союзник в лице национального плана Китая по укреплению полупроводниковой отрасли в стране и, прежде всего, курс на создание национального производства памяти. На это брошены такие ресурсы, что UMC в противостоянии против Micron будут помогать, как говорится, даже родные стены. Компания UMC разрабатывает технологию производства памяти для одного из трёх будущих лидеров китайского рынка памяти — для компании Fujian Jinhua Integrated Circuit Co (JHICC). Проблема китайцев в отсутствии технологий и в невозможности купить лицензии на выпуск современных версий DRAM и 3D NAND. Разборки с Micron — это один из вариантов защитить местного производителя или вынудить Micron перейти к решению вопросов с лицензированием.

Intel способна взорвать мировой рынок флеш-памяти NAND

Ранее на этой неделе мы сообщали, что компании Intel и Micron меняют отношение к совместной разработке энергонезависимой памяти 3D NAND. Партнёры по совместному предприятию IM Flash Technologies (IMFT) до конца текущего года представят созданную ими 3D NAND третьего поколения (96-слойную), и, после этого, каждая займётся разработкой многослойной NAND самостоятельно. На первый взгляд, компании приняли странное решение, ведь СП IMFT продолжит свою работу. Во всяком случае, в рамках совместного предприятия Intel и Micron продолжат разрабатывать и выпускать память 3D XPoint. Но это только на первый взгляд.

В прошлом Intel неоднократно подчёркивала, что её не интересует соревнование на рынке NAND-флеш. Она выпускает преимущественно корпоративные SSD и не ищет рынков сбыта для микросхем NAND (3D NAND). Подобная политика означает следование предложения за спросом и не предусматривает интенсивного наращивания производства. Более того, в 2012 году Intel продала свою долю в предприятии СП в Сингапуре компании Micron и ограничилась поддержкой одного лишь предприятия в штате Юта. Также в 2015 году она вложила $5 млрд в модернизацию своего 300-мм завода в Китае (в городе Далянь), который раньше выпускал 2D NAND и процессорные чипсеты компании. С мая прошлого года предприятие в Даляне выпускает 64-слойную 3D NAND, которой Intel явно не делится с Micron. Налицо отдаление от Micron, которое, как уверены наши тайваньские коллеги, может зайти очень далеко.

Образцы китайской 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

Образцы китайской 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

По сообщению тайваньского интернет-ресурса DigiTimes со ссылкой на источники среди местных производителей, Intel может лицензировать технологию производства 3D NAND компании Tsinghua Unigroup. По мнению источников, это поможет Intel углубиться в китайский рынок и китайскую экономику. С заводом понятно. Увеличение производства 3D NAND на предприятии в Даляне легко найдёт сбыт на локальном рынке. Но зачем компании Intel нужно помогать китайцам создавать собственное производство 3D NAND, не поясняется. Но этот мотив мы можем объяснить сами.

Завершение начального этапа строительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

Завершение начального этапа строительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

В сентябре 2014 года компания Intel опубликовала пресс-релиз, в котором сообщила о намерении приобрести порядка 20 % акций тогда ещё малоизвестной нам компании Tsinghua Unigroup. Сделано это было с прицелом на сотрудничество с дочерними компаниями Tsinghua: Spreadtrum Communications и RDA Microelectronics. Из этих инвестиций потом родились SoC Intel SoFIA.

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

Что само по себе необычно, Intel едва ли не впервые провела транзакцию в юанях, заплатив за акции Tsinghua Unigroup 9 млрд юаней (примерно $1,5 млрд). Тем самым понятно, что успех Tsinghua Unigroup на рынке добавит финансов в копилку Intel. Пятая часть акций — это значительная часть дохода по ним. Компания Intel имеет прямой интерес в росте прибыльности Tsinghua и, соответственно, получит свою часть бонусов после запуска заводов Tsinghua Unigroup по выпуску 3D NAND. Для такого, быть может, не жалко расстаться с Micron и даже лицензировать китайцам технологию производства 3D NAND. Вы не находите? Это взорвёт мировой рынок NAND, но Intel останется в выигрыше в любом случае, чего не скажешь о Samsung, SK Hynix и Micron.

Micron и Intel прекращают совместную разработку памяти 3D NAND

Компании Micron и Intel опубликовали совместный пресс-релиз, в котором сообщили о намерении прекратить совместную разработку многослойной флеш-памяти 3D NAND. В настоящий момент партнёры начинают наращивать производство фирменной 3D NAND второго поколения — это 64-слойные микросхемы. Третье совместно разработанное поколение 3D NAND компании представят в конце 2018 года, а с началом 2019 года перестанут сотрудничать в области разработки новых модификаций 3D NAND. В дальнейшем каждая из компаний будет самостоятельно разрабатывать многослойную NAND-флеш в зависимости от собственных бизнес-потребностей.

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

При этом партнёры продолжат совместную разработку энергонезависимой памяти 3D XPoint. Очевидно, в этом плане компания Intel продолжает сильно зависеть от компании Micron. Первым выпуск микросхем 3D XPoint начал завод СП Micron и Intel в Штате Юта. В настоящее время это производство выпускает исключительно память 3D XPoint, хотя какие-то объёмы данной памяти выпускают также завод Intel в Китае (в городе Далянь) и завод СП в Сингапуре. Завод в Юте остаётся базовым для выпуска 3D XPoint, и его к ноябрю прошлого года дополнительно расширили. Что касается производства памяти 3D NAND, то год назад компания Intel завершила модернизацию завода в Китае и в скором времени сможет полностью обеспечить себя этими микросхемами памяти самостоятельно.

Необходимо подчеркнуть, что деятельность совместного предприятия партнёров в лице компании IM Flash Technologies не сворачивается. Предприятие IMFT создано в конце 2005 года, и оно продолжит свою работу. С образованием IMFT компания Intel вышла на рынок памяти типа NAND, хотя до этого она владела набором ключевых патентов на технологию работы и производства NAND-флеш, в частности, на технологию производства ячейки MLC. Компания Micron вышла на рынок NAND на год раньше Intel, но до союза с ней не имела какого-то успеха на нём.

Быстро подняться на новом рынке каждой из них помогли заказы Apple на память NAND для плееров iPod nano. Уже на стадии создания СП в ноябре 2005 года партнёры получили от Apple аванс в размере $250 млн. В дальнейшем может так оказаться, что компании Micron придётся платить Intel лицензионные отчисления за использование определённых технологий при производстве памяти NAND.

Китайские производители памяти неизбежно столкнутся с судебными исками

До того, как возникающие на горизонте индустрии китайские производители памяти подобные компании Tsinghua Unigroup столкнутся с лидерами рынка в лице Samsung, SK Hynix и Micron, все они, так или иначе, пройдут через залы судебных заседаний. Аналитики рынка и, в частности, представители компании IC Insights уверены, что китайцам выход на рынок DRAM и NAND будет стоить наиболее серьёзных усилий именно на правовом поприще. Точнее, в области патентного права. Никто не сомневается, что гигантские даже для США деньги на развитие местной промышленности и полупроводниковой индустрии позволят китайским компаниям построить заводы и ввести их в эксплуатацию. Одна только Tsinghua Unigroup потратит на два новых завода порядка $50 млрд примерно за пять лет, а ведь есть и другие!

Завершение начального этапа стрительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

Завершение начального этапа строительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

Первой в борьбу включилась компания Micron. Две недели назад Micron подала иск в федеральный суд Северной Калифорнии, апеллируя к Закону о защите коммерческой тайны (Defend Trade Secrets Act) и к Закону об инвестировании полученных от рэкета капиталов (Racketeer Influenced and Corrupt Organization Act). Второй закон относится к гражданскому праву, и, в целом, иск Micron носит характер борьбы с промышленным шпионажем, а не с несоблюдением патентного права. Компания Micron обвиняет тайваньскую United Microelectronics Corp (UMC) и китайскую Fujian Jinhua Integrated Circuit Co (JHICC) в воровстве коммерческих секретов и в других неправомочных действиях. Но настоящий праздник на улице законников начнётся тогда, уверены в IC Insights, когда китайские производители памяти начнут продвигать свою продукцию на рынок.

thestreet.com

thestreet.com

Начало поставок образцов или серийной продукции DRAM и NAND китайскими компаниями обещает запустить серию патентных исков против них. Китайские производители это уже проходили. Например, созданная в начале 2000-х годов компания SMIC и её последователь в лице Grace Semiconductor быстро захватили около 13 % мирового рынка контрактных полупроводников. Вскоре последовала серия исков от лидеров рынка. Так, компания TSMC через суды вынудила SMIC умерить аппетиты и продать часть акций. Сегодня SMIC удерживает менее 8 % рынка контрактных чипов и часть дивидендов выплачивает тайваньскому производителю. Нечто подобное, уверены аналитики, произойдёт на рынке памяти, что заставит китайцев оплатить патенты и интегрироваться в мировую структуру данного направления в индустрии.

Динамика годовых каптальных затрат Samsung (данные IC Insights)

Динамика годовых капитальных затрат Samsung (данные IC Insights)

В то же время, следует заметить, что та же компания Samsung не ждёт у моря погоды (не надеется на закон), а делает всё от неё зависящее, чтобы помешать выйти на рынок новичкам. В текущем году Samsung вдвое увеличила капитальные затраты на производство чипов. Это очевидным образом поднимает цену входного билета на рынок DRAM и NAND. О соблюдении закона можно спорить годами, тогда как себестоимость продукции работает здесь и сейчас. Другое дело, что китайцы мало ограниченны в средствах и, что более важно, на них не так давят законы «свободного рынка», как на зарубежных коллег. Впрочем, когда припекло, правительство Южной Кореи спасло SK Hynix без оглядки на какие-то там международные договорённости, просто завалив компанию государственными субсидиями. В Китае с этим ещё проще, так что выбранная компанией Samsung политика может оказаться единственно верной. Хочешь мира — готовься к войне.

У Micron снова украли секреты, и снова они утекли в Китай

Создаётся впечатление, что с защитой интеллектуальной собственности у компании Micron как с рассохшейся бочкой — течёт изо всех щелей. Прошёл всего месяц с момента появления информации об аресте двух бывших сотрудников Micron, которые якобы передали секретную информацию о технологиях производства памяти компании тайваньскому контрактнику UMC, как вновь сообщается о кражах и арестах.

thestreet.com

thestreet.com

По данным издания United Evening News, на которое ссылается авторитетный ресурс Tapei Times, прокуратура Тайваня потребовала ареста пяти бывших сотрудников компании Inotera Memories, которая с декабря прошлого года перешла в полную собственность Micron. В период с сентября по ноябрь 2016 года указанные лица якобы передали своему будущему работодателю в Китае секретную информацию о технологиях производства памяти. Данные передавались в виде фотокопий (фотографических снимков), бумажных ксерокопий, сообщениями по электронной почте и с помощью сервиса коротких сообщений WeChat.

Все подозреваемые оставили работу в компании Inotera Memories ради перехода в профильную компанию на территории Китая. По слухам, в этом им помогла крупнейшая китайская инвестиционная компания ИТ-направленности — Tsinghua Unigroup. Последняя не раз упоминалась в наших новостях с 2015 года и отметилась желанием купить как саму компанию Micron, так и приобрести значительную долю в компании Western Digital. Обе сделки были заблокированы регулирующими органами США. Похоже, в Tsinghua Unigroup нашли другой способ решить проблему технологического голода.

Micron готова дружить с Тайванем, но не с Китаем (директор Micron Марк Дуркан и Президент Тайваня Цай Инвэнь, фото Cheng Ting-Fang)

Micron готова дружить с Тайванем, но не с Китаем (директор Micron Марк Дуркан и Президент Тайваня Цай Инвэнь, фото Cheng Ting-Fang)

Сообщается, что каждому из подозреваемых в краже технологических секретов Micron была начислена втрое большая зарплата, чем они получали в компании Inotera Memories. Речь идёт о сумме в 200 000 новых тайваньских долларов в месяц каждому, что эквивалентно $6576. Как ни крути, а это чрезвычайно весомый аргумент для смены места работы. Многие ли откажутся?

А Китай всё строит

А Китай всё строит

Компания Tsinghua Unigroup и ряд других крупных китайских компаний приступили в конце прошлого года и в этом году к строительству трёх крупных мегафабрик по производству 3D NAND и DRAM. После выхода заводов на полную мощность примерно через пять лет Китай получит доступ к достаточно недорогой национальной оперативной и энергонезависимой памяти. Он больше не будет зависеть от прихотей международного рынка памяти и от западных производителей. Также это гарантированно обрушит международный рынок памяти, о чём руководство компании Micron предупреждает при каждом удобном случае.