Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Micron наладит выпуск кастомизируемой HBM4E в 2027 году при участии TSMC
26.09.2025 [07:50],
Алексей Разин
Американская компания Micron Technology старается не отставать от конкурентов в сфере освоения производства новых типов памяти, и ещё в конце прошлого года заявила, что будет сотрудничать с TSMC при производстве HBM4E, в основе которой будет лежать кастомизируемый кристалл. Недавно руководство Micron пояснило, что выпуск такой памяти будет налажен не ранее 2027 года. 
Источник изображения: Micron Technology Как можно судить по стенограмме выступления представителей Micron Technology на минувшей квартальной отчётной конференции, компания очень гордится тем, что в основе HBM4, которая будет выпускаться в 2026 году, будет лежать базовый кристалл собственного производства, изготавливаемый по технологии КМОП (CMOS). По мнению генерального директора Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), такое сочетание обеспечит HBM4 производства Micron передовым быстродействием. «HBM4E в масштабах всей отрасли не является продуктом 2026 года, это будет продукт 2027 года, мы поделимся подробностями о нём позже, и у нас будет как стандартный вариант HBM4E, так и кастомизируемый», — пояснил глава Micron на этой неделе. Ранее он отметил, что при производстве базового кристалла для HBM4E компания будет полагаться на технологические возможности TSMC. Кроме того, появление HBM4E в ассортименте продукции Micron позволит компании поднять норму прибыли, особенно в случае кастомизированной версии. В ходе своего выступления на квартальной конференции глава Micron пояснил, что TSMC будет выпускать для компании базовые кристаллы не только стандартной, но и кастомизированной версии HBM4E. В последнем случае подразумевается, что функциональность базового кристалла будет определяться конкретным заказчиком, для которого потом Micron и TSMC будут сообща изготавливать HBM4E. Создавать конкурентоспособный продукт данного поколения Micron поможет не только участие TSMC, но и использование собственного техпроцесса класса 1β для выпуска кристаллов DRAM, а также усовершенствованные технологии упаковки памяти. Micron похвалилась, что её HBM4 — самая быстрая память на рынке
24.09.2025 [11:00],
Алексей Разин
Квартальная отчётная конференция Micron Technology оказалась богата на заявления представителей компании, которые позволяли оценить текущие тенденции в развитии сегмента искусственного интеллекта. Этот производитель, например, убеждён, что сможет предлагать самую быструю память типа HBM4 на рынке. 
Источник изображения: Micron Technology Сумит Садана (Sumit Sadana), исполнительный вице-президент и директор по развитию бизнеса Micron Technology, в ходе своего выступления отметил, что по занимаемой доле рынка в сегменте HBM компания по итогам третьего календарного квартала выйдет примерно на уровень своей доли на рынке DRAM в целом, а по итогам следующего календарного года увеличит свою долю в сегменте HBM по сравнению с текущим годом. Во многом такая уверенность, как он пояснил далее, основана на способности Micron Technology предложить клиентам самую быструю память типа HBM4 на рынке. Вот что заявил представитель компании: «Мы верим, что наша HBM4 обеспечивает самое высокое быстродействие на рынке по сравнению с любым из конкурирующих продуктов. Мы уверены, что сможем полностью распродать всю производственную программу на 2026 год». По данным компании, она снабжает своих клиентов образцами HBM4 со скоростью передачи информации 11 Гбит/с. Поскольку в последние месяцы много говорится о принятом крупными производителями DRAM свернуть производство микросхем DDR4, Сумиту Садане не удалось избежать обсуждения этой темы при общении с аналитиками. Он пояснил, что без учёта LPDDR4, сама по себе DDR4 отвечает лишь за несколько процентов всего бизнеса компании. По сути, это указывает на взятый Micron курс на поэтапное прекращение выпуска DDR4. Глава Micron Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) пояснил, что HBM4 в исполнении этой компании будет оснащаться базовым кристаллом собственной разработки, она станет основным продуктом в этом сегменте рынка, производство которого будет наращиваться в 2026 году. Зато в 2027 году будет налажен выпуск HBM4E, которая будет предлагаться как в стандартизированной, так и в кастомизированной под запросы клиентов форме. В целом, Micron поставляет свою память HBM различных поколений шести крупным клиентам. Выручка Micron взлетела на 46 % благодаря ИИ-буму — в текущем квартале она будет ещё выше
24.09.2025 [07:51],
Алексей Разин
В конце августа в календаре американского производителя микросхем памяти Micron Technology завершился не только четвёртый квартал, но и весь фискальный год. Соответствующий трёхмесячный период позволил компании увеличить выручку на 46 % до $11,3 млрд, превысив прогноз аналитиков. В текущем квартале Micron также рассчитывает выручить больше, чем полагали инвесторы. 
Источник изображения: Micron Technology Если говорить конкретнее, в этом квартале Micron планирует выручить $12,5 млрд против ожидаемых аналитиками $11,9 млрд. Удельный доход на одну акцию составит $3,75 против упоминаемых в сторонних прогнозах $3,05. В минувшем квартале этот доход достиг $3,03 на акцию против ожидаемых $2,84. Чистая прибыль компании в прошлом квартале составила $3,2 млрд против $887 млн годом ранее. По сути, она выросла в три с лишним раза, именно на повышении прибыльности бизнеса руководство Micron намерено сосредоточиться в дальнейшем, поскольку наращивать долю рынка в ущерб доходности оно не собирается. Крупнейшим направлением деятельности для Micron в прошлом квартале были поставки микросхем памяти для нужд облачных провайдеров. Выручка на этом направлении достигла $4,54 млрд, увеличившись в годовом сравнении более чем в три раза. При этом в сегменте традиционных серверов выручка сократилась на 22 % до $1,57 млрд. Компания отмечает, что будет вынуждена увеличивать капитальные затраты ради удовлетворения спроса на свою продукцию. Если в прошлом фискальном году на строительство новых предприятий и производственных линий было направлено $13,8 млрд, то в текущем сумма может оказаться выше. Спрос на память Micron будет превышать предложение на протяжении основной части следующего года, причём бум ИИ стимулирует интерес покупателей к твердотельной памяти NAND, а не только к скоростной оперативной HBM. В сфере поставок HBM3E у Micron заключены контракты почти на весь объём выпуска в 2026 году. Уже начав поставки образцов HBM4 своим клиентам, компания рассчитывает реализовывать такую память главным образом в рамках долгосрочных контрактов. По словам представителей Micron, спрос на память вернулся к росту даже в сегментах ПК и смартфонов, поскольку и они начинают чувствовать влияние бума ИИ. Производство HBM сильнее загружает предприятия компании — причём как по объёму, так и по времени, — поэтому наращивать производственные мощности строго синхронно с динамикой спроса становится проблематично. Micron особенно гордится тем, что выпускает передовую память на территории США, а потому в контексте таможенной политики действующего президента Дональда Трампа (Donald Trump) может оказаться в выигрыше относительно южнокорейских конкурентов. Micron запустила массовые увольнения персонала в Китае
12.08.2025 [13:24],
Алексей Разин
За благополучным фасадом улучшенного прогноза по выручке в текущем квартале, как отмечает TrendForce со ссылкой на китайские СМИ, американская компания Micron Technology может скрывать неприятную правду о начавшихся сокращениях местного штата сотрудников. По данным источников, разработчики в Шанхае и Шэньчжэне покидают компанию против своей воли. 
Источник изображения: Micron Technology Помимо разработчиков и исследователей, Micron решила сократить сотрудников в Китае, отвечающих за тестирование продукции и техническую поддержку клиентов. В ответ на публикации в китайских СМИ представители компании заявили о принятом решении сократить ресурсы, задействованные в разработке мобильной твердотельной памяти NAND — причём в масштабах всего мирового рынка, а не только Китая. В частности, будет прекращена разработка решений поколения UFS 5, как отмечает TrendForce. При этом, по словам представителей Micron, это решение не повлияет на создание других перспективных продуктов в сегментах NAND и SSD, включая решения для автомобильной отрасли. Если в 2023 году доля выручки Micron на китайском рынке достигала 14 %, то в прошлом году она сократилась до 12,1 %, в том числе из-за ограничений на использование её памяти в объектах критически важной вычислительной инфраструктуры КНР. В то же время в США компания получила 52,4 % выручки, а на Тайване — 18,7 %. Это не помешало Micron в апреле 2024 года заложить фундамент нового предприятия по тестированию и упаковке памяти в китайском Сиане. На его строительство изначально планировалось выделить $600 млн, а запуск комплекса намечен на вторую половину текущего года. На фоне бума ИИ компания Micron решилась улучшить свой квартальный прогноз
12.08.2025 [08:29],
Алексей Разин
Приближение к концу очередного фискального квартала заставило Micron Technology пересмотреть изначальный прогноз по динамике выручки и норме прибыли за период. Эту новость можно отнести к разряду приятных для инвесторов, поскольку по факту Micron ожидает завершить период с более выдающимися финансовыми результатами по сравнению с заложенными в ранний прогноз. 
Источник изображения: Micron Technology Итак, диапазон квартальной выручки изначально был немного шире, но ниже по своему среднему значению: от $10,4 до $11 млрд. Теперь Micron рассчитывает выручить за квартал, который завершится 28 августа текущего года, от $11,1 до $11,3 млрд. Центр диапазона, другими словами, сместился вверх на $500 млн. Норма прибыли должна уложиться в диапазон от 44 до 45 % против прежнего диапазона от 41 до 43 %. Удельный доход на одну акцию должен составить от $2,78 до $2,92 против прежнего диапазона от $2,35 до $2,65. Ключевые категории продукции, по словам представителей Micron, реализуются сейчас по более высоким ценам, чем ожидалось, что и позволяет улучшить финансовый прогноз. В особенности цены способствуют росту выручки на направлении DRAM, но наиболее прибыльная HBM как раз относится к этому сегменту. Улучшение прогноза было благосклонно воспринято фондовым рынком, акции Micron подорожали после открытия торгов в Нью-Йорке на 7,1 %, что является дневным максимум за последние три месяца. Даже если цены на HBM будут снижаться или расти меньшими темпами, объёмы поставок соответствующих микросхем позволят Micron нивелировать это влияние. Масштабные инвестиции в производство памяти на территории США, которые за несколько последующих лет в совокупности достигнут $200 млрд, ограждают продукцию Micron от воздействия повышенных таможенных пошлин. Представители компании выразили готовность активно сотрудничать и с другими производителями, развивающими своё присутствие на территории США. Micron выпустила первую в мире флеш-память SLC NAND для космических ЦОД — она не боится радиации, вакуума и мороза
23.07.2025 [17:47],
Геннадий Детинич
Компания Micron сообщила о выпуске первых в индустрии 256-гигабитных чипов SLC NAND для работы в условиях космоса. Эти микросхемы устойчивы к радиации, низким температурам и вакууму. Подобную память никто в мире больше не производит. По крайней мере, в промышленных масштабах. Новые чипы имеют высочайшую в своём классе плотность и позже будут дополнены «космическими» чипами памяти NAND, NOR и DRAM. 
Источник изображений: Micron Как справедливо отмечают в Micron, космическая экономика стремительно растет, чему способствует быстрый рост числа коммерческих и государственных миссий. Параллельно по мере развития вычислительной техники и искусственного интеллекта растет спрос на высокопроизводительные технологии обработки данных, способные работать непосредственно на орбите. Это поможет преобразовать космические операции: датчики космического корабля смогут анализировать данные, обнаруживать аномалии и принимать решения автономно, снижая зависимость от наземных систем и экономя на трафике для связи с Землёй. «Поскольку мы расширяем границы вычислительной техники в космосе, для хранения и обработки данных необходима радиационно-устойчивая память Micron, — сказал Крис Бакстер (Kris Baxter), вице-президент и корпоративный генеральный менеджер подразделения Micron по встраиваемым устройствам и автомобилестроению. — По мере расширения операций с искусственным интеллектом в космосе — от автономной навигации до анализа в режиме реального времени — Micron уделяет всё большее внимание предоставлению решений, обеспечивающих устойчивость и интеллект, необходимые для аэрокосмических миссий следующего поколения». Для подтверждения соответствия новой памяти требованиям аэрокосмической отрасли, представленные Micron чипы были испытаны по протоколам NASA PEM-INST-001 Level 2 flow и военному стандарту США MIL-STD-883 TM1019 condition D. В первом случае была проведена годичная проверка компонентов, включая циклирование при экстремальных температурах, 590 часов проверок дефектов и динамическую проверку надёжности для обеспечения возможности космических полетов. Военный стандарт проверял память Micron на устойчивость к дозам ионизирующего излучения. Стандарт измеряет совокупное количество гамма-излучения, которое изделие может поглощать и оставаться функциональным в стандартных условиях эксплуатации на орбите. Это измерение является критически важным для определения жизненного цикла памяти.  Наконец, «космическая» NAND-память Micron прошла испытание на воздействие единичного события (SEE), что соответствует стандартам ASTM F1192 Американского общества по испытаниям и материалам и спецификациям JESD57 Совета по разработке электронных устройств (JEDEC). Тестирование SEE оценивает воздействие высокоэнергетических частиц на полупроводники и подтверждает, что компоненты могут безопасно и надёжно работать в суровых радиационных условиях, снижая риск сбоя миссии. Расширение линейки чипов памяти SLC NAND и поставка иных видов памяти, включая оперативную, произойдёт в следующем году и в дальнейшем портфель этой продукции продолжит расширяться, чтобы удовлетворить любой спрос. Micron вложит $200 млрд в производство чипов в США и создаст 90 тысяч рабочих мест
14.06.2025 [05:30],
Анжелла Марина
Micron Technology объявила о масштабных планах по инвестированию $200 млрд в развитие собственного производства полупроводниковых компонентов на территории США. В рамках этой инициативы будет создано около 90 тысяч рабочих мест, а также будут построены новые фабрики в некоторых штатах и модернизирован завод в Вирджинии. 
Источник изображения: micron.com Инвестиционные намерения были обнародованы в четверг в рамках сотрудничества с администрацией президента США Дональда Трампа (Donald Trump), которая активно поддерживает рост отечественного машиностроения и стремится укрепить позиции страны в области искусственного интеллекта (ИИ), сообщает The Wall Street Journal. Micron направит около $150 млрд на производство памяти внутри страны, включая строительство двух крупных фабрик в штате Айдахо, до четырёх фабрик в Нью-Йорке, модернизацию действующего завода в Вирджинии и развитие технологий высокопроизводительной упаковки чипов. Эти меры позволят Micron справиться с растущим рыночным спросом, сохранить долю на рынке и достичь цели по выпуску 40 % DRAM-памяти на американских мощностях. Дополнительные $50 млрд будут инвестированы в исследования и разработки, что, по заявлению компании, укрепит технологическое лидерство США. Глава компании Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) отметил, что инвестиции такого рода «демонстрируют приверженность развитию инноваций и укреплению отечественной полупроводниковой отрасли». На настоящий момент уже достигнуты договоренности о ключевых этапах строительства первой фабрики в Айдахо, где запуск производства DRAM намечен на 2027 год. В конце 2025 года планируется приступить к подготовке площадки в Нью-Йорке после завершения необходимых экологических проверок на уровне штата и федерального правительства. Кроме того, компания ожидает, что все её инвестиции в американские проекты будут соответствовать требованиям для получения налогового кредита на развитие передового машиностроения. Министр торговли США Ховард Лютник (Howard Lutnick) отметил, что президент Трамп всегда подчёркивал важность развития производства в стране, и масштабные инвестиции Micron окажут поддержку таким ключевым отраслям, как искусственный интеллект, автомобилестроение, авиакосмическая и оборонная промышленность. Micron предупредила о дальнейшем росте цен на DRAM и NAND, и обвинила в этом ИИ
31.03.2025 [22:17],
Анжелла Марина
Компания Micron официально заявила о повышении цен на память, ссылаясь на растущий спрос на DRAM и NAND-флеш. По прогнозам, тенденция к удорожанию сохранится до 2026 года. Причина проста — искусственный интеллект (ИИ), дата-центры и потребительская электроника требуют всё больше высокопроизводительных решений, однако предложение пока не успевает за спросом. 
Источник изображения: Micron, tomshardware.com Решение Micron, как отмечает Tom's Hardware, основано на недавнем периоде перепроизводства и падения доходов рынка памяти. Однако в последнее время цены начали постепенно восстанавливаться благодаря сокращению производства крупными игроками и росту интереса к ИИ и высокопроизводительным вычислениям. Теперь, когда Micron открыто заявила о повышении цен, ожидается, что за ней последуют и другие производители, такие как Samsung и SK Hynix, продолжая тенденцию удорожания. В своём обращении к партнёрам Micron подчеркнула, что ключевым фактором пересмотра ценовой политики стал «непредсказуемый спрос в различных сегментах». В частности, компания отмечает, что ИИ-приложения стремительно развиваются, а значит, необходимо поддерживать конкурентоспособность продуктовой линейки. Micron также рекомендовала партнёрам заранее планировать закупки, чтобы избежать дефицита и перебоев с поставками. Одним из главных драйверов роста цен является растущий спрос на высокоскоростную память HBM (High Bandwidth Memory), критически важную для ИИ-ускорителей и графических процессоров нового поколения. По мере того как Nvidia, AMD и Intel развивают свои ИИ-технологии, потребность в быстрой и энергоэффективной памяти только увеличивается. Несмотря на усилия Micron и её конкурентов по наращиванию объёмов производства, предложение всё ещё отстаёт от спроса, что дополнительно подогревает рост цен. Чтобы справиться с этим вызовом, Micron недавно объявила о строительстве нового завода в Сингапуре, где будет производиться HBM-память. Инвестиции в проект составят $7 млрд, а запуск намечен на 2026 год. В планах также значится выпуск передовых решений, таких как HBM3E, HBM4 и HBM4E, что, по мнению экспертов, позволит компании укрепить позиции в стремительно растущем сегменте. Влияние на рынок потребительской электроники Поскольку Micron первой объявила о росте цен, теперь остаётся ждать реакции конкурентов и клиентов. Если текущий уровень спроса сохранится, отрасль может столкнуться с продолжительным повышением цен, что повлияет не только на корпоративные дата-центры, но и на бытовые устройства — от игровых компьютеров до смартфонов. Micron удалось утроить серверную выручку благодаря спросу на HBM
21.03.2025 [04:55],
Алексей Разин
Тенденции на рынке памяти таковы, что хорошую динамику финансовых показателей демонстрируют те поставщики, которые имеют возможности снабжать Nvidia чипами HBM3E. Поскольку Micron Technology находится в их числе, её квартальная выручка в серверном сегменте выросла в три раза по сравнению с аналогичным периодом прошлого года. 
Источник изображения: Micron Technologu Совокупная выручка Micron по итогам прошлого фискального квартала выросла на 38 % до $8,05 млрд и превзошла ожидания аналитиков тоже во многом благодаря высокому спросу на микросхемы памяти в серверном сегменте. Удельный доход на одну акцию достиг $1,56 против ожидаемых $1,42. Чистая прибыль почти удвоилась до $1,58 млрд. Реализация HBM в прошлом квартале принесла компании более $1 млрд выручки. Она продолжит расти на протяжении всего календарного 2025 года, и все квоты на выпуск HBM в текущем году компания уже распродала авансом. В своём прогнозе на текущий квартал Micron упоминает выручку в размере $8,8 млрд, что выше ожиданий аналитиков ($8,5 млрд). Текущий фискальный год, который завершится осенью, Micron рассчитывает закрыть с рекордной выручкой и существенно возросшей нормой прибыли. Подобный оптимизм руководства даже вызвал рост котировок акций компании на 6 % в моменте после завершения торгов, но к моменту завершения дополнительной торговой сессии прирост свёлся к менее чем одному проценту. Впрочем, есть в отчётности Micron и слабые места. Например, норма прибыли в прошлом квартале не превысила 37,9 % и оказалась ниже ожиданий рынка, а в текущем она ограничится 36,5 %, что также хуже сторонних прогнозов. На улучшение ситуации с прибыльностью благодаря росту цен на микросхемы памяти руководство рассчитывает только к четвёртому фискальному кварталу, который ещё не наступил. В первой в мире памяти DDR5 с EUV-литографией оказалось лишь чуть-чуть EUV и много старых методов производства
11.03.2025 [10:49],
Геннадий Детинич
Южнокорейские источники сообщают, что компания Micron в обозримом будущем не планирует расширять использование EUV-сканеров при производстве памяти. Громкий анонс поставок первых в мире чипов Micron DDR5 поколения 1γ с применением EUV-литографии (длина волны 13,5 нм) оказался своего рода психологической атакой на конкурентов. В дальнейшем компания намерена полагаться на массовое использование классических 193-нм сканеров в производстве DRAM. 
Источник изображений: Micron Издание Chosun Biz сообщило, что при производстве памяти Micron DDR5 поколения 1γ (гамма) с помощью EUV-сканера обрабатывается лишь один слой из нескольких десятков. Все остальные слои создаются с использованием аргон-фторидных эксимерных лазеров (ArF) с погружением в жидкость (так называемая иммерсионная литография для повышения разрешения). Таким образом, компания продолжает применять многомасочный подход — использование нескольких фотошаблонов (масок) для каждого слоя чипов вместо одного шаблона при EUV-литографии. Это увеличивает число технологических этапов при обработке каждой кремниевой пластины с памятью, а значит, и себестоимость производства. Издание отмечает, что многомасочный подход может быть оправдан, если он служит альтернативой EUV-сканерам для обработки 1–3 слоёв микросхем. Однако если требуется обработка большего количества слоёв с помощью EUV, ставка на ArF-литографию обойдётся производителю существенно дороже, что в перспективе сделает продукцию менее конкурентоспособной (более дорогой).  Компании Samsung и SK Hynix уже в ближайшее время планируют использовать EUV-сканеры для обработки более пяти слоёв микросхем (пока это память HBM), и на этом фоне Micron будет выглядеть серьёзно отстающей. Если информация Chosun Biz верна, компания ещё долго будет применять EUV-сканеры лишь для обработки одного критически важного слоя, полагаясь во всём остальном на 193-нм сканеры. Micron показала самый быстрый SSD в мире — с PCIe 6.0 и скоростью до 27 Гбайт/с
09.03.2025 [16:08],
Анжелла Марина
Компания Micron совместно с Astera Labs продемонстрировала на конференции DesignCon 2025 первый в мире твердотельный накопитель (SSD) с интерфейсом PCIe 6.0. Устройство формата E3.S было протестировано в связке с коммутационным чипом Scorpio PCIe 6.0 от Astera Labs, а также ускорителем вычислений Nvidia H100. 
Источник изображения: Astera Labs Несмотря на то, что новый SSD от Micron был впервые представлен на стенде Astera Labs в рамках DesignCon 2025, прошедшей в конце февраля в США, официальная информация о тестах была опубликована лишь на этой неделе в блоге Astera Labs. В ходе испытаний, как сообщает Tom’s Hardware, SSD продемонстрировал скорость последовательного чтения более 27 Гбайт/с на каждом диске, превысив показатели самых быстрых PCIe 5.0 SSD. Интересно, что в августе прошлого года, Micron анонсировала этот накопитель как первый в индустрии PCIe 6.0 SSD, заявив скорость чтения в 26 Гбайт/с. Однако испытания на стенде Astera Labs позволили превзойти эти ожидания — скорость чтения достигла 27,14 Гбайт/с для каждого из двух SSD в тестовой системе. Для сравнения, самый быстрый из протестированных PCIe 5.0 SSD, Crucial T705, показал максимум 14,5 Гбайт/с, что составляет лишь половину нового рекорда Micron. Достичь таких показателей помог сетевой коммутатор Astera Scorpio P-Series Fabric Switch, поддерживающий до 64 линий PCIe 6.0. Этот коммутатор был разработан для высокопроизводительных вычислений (HPC) и искусственного интеллекта (ИИ), обеспечивая быструю связь между процессорами, видеокартами и хранилищами. Кроме того, в тестах использовалась технология Nvidia Magnum IO GPUDirect (GDS), позволяющая устройствам хранения данных напрямую взаимодействовать с памятью GPU, минуя центральный процессор и уменьшая задержки. Отметим, что стандарт PCIe 6.x продолжает совершенствоваться и развиваться (актуальная версия — PCIe 6.3), обещая стать новым отраслевым стандартом как для корпоративных решений, так и в перспективе для потребительских устройств. Если PCIe 5.0 обеспечивает двустороннюю пропускную способность до 128 Гбайт/с на шине x16, то PCIe 6.x удвоит этот показатель до 256 Гбайт/с. В условиях растущего спроса на скорость в сфере ИИ и HPC, интерфейс PCIe 6.0 по факту уже готов предложить рынку долгожданное ускорение, что подтверждается совместными испытаниями Micron и Astera Labs. В продаже наконец-то появились 64-Гбайт модули DDR5, подходящие для обычных ПК
27.02.2025 [09:55],
Алексей Разин
Исторически потребность в больших объёмах памяти активнее демонстрировали серверные системы и рабочие станции, поэтому производители модулей памяти в первую очередь удовлетворяли запросы соответствующих сегментов рынка, оставляя направление ПК на потом. В случае с модулями DDR5 планки объёмом 64 Гбайт для обычных ПК появились в продаже лишь недавно. 
Источник изображения: Akiba PC Hotline По крайней мере, об этом можно судить по публикации хранящего традиции десятилетиями японского ресурса Akiba PC Hotline, рассказывающего о новинках знаменитого местного рынка электроники оперативно и с иллюстрациями. Японским фоторепортёрам удалось зафиксировать факт появления в местной рознице комплектов памяти типа DDR5-5600 объёмом 2 × 64 Гбайт производства Crucial, подходящих для использования в настольных ПК. Как известно, под маркой Crucial выпускает модули памяти и твердотельные накопители американская компания Micron Technology. Производитель на данный момент предлагает комплекты DDR5-5600 из двух 64-Гбайт модулей в форматах UDIMM и SO-DIMM. В Японии, где импортируемая электроника традиционно облагается высокими пошлинами, комплект модулей типа UDIMM стоит более $322. Память предлагает задержки CL46-45-45 и совместимость с процессорами Intel Core Ultra 14-го поколения, а также процессорами AMD Ryzen 8000 или более молодыми. Функции Intel XMP и AMD Expo соответственно обеспечивают быстрый выбор оптимального с точки зрения быстродействия режима работы, заложено по два профиля в каждом (DDR5-5600 и DDR5-5200). Micron первой начала поставлять чипы DDR5, выпущенные по техпроцессу 1γ с EUV-литографией — быстрые, холодные и плотные
26.02.2025 [09:54],
Геннадий Детинич
Компания Micron Technology объявила, что первой в отрасли начала поставки чипов памяти DDR5, изготовленных с использованием полупроводниковой EUV-литографии. Память поставляется избранным партнёрам для оценки эффективности самых передовых на сегодня решений. Новые чипы обладают повышенной пропускной способностью, пониженным энергопотреблением и более плотным размещением ячеек — всем, что нужно для развития ИИ, от гаджетов до серверов. 
Источник изображений: Micron Новая память Micron продолжает относиться к классу 10-нм продукции. Нет точной информации, насколько цифра техпроцесса близка к 10 нм. Но это уже третье приближение к ней и, что более важно, компания наконец-то перешла к использованию литографических сканеров в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне с длиной волны 13,5 нм (EUV). Дальше масштабирование пойдёт легче.  Если верить Micron, избранным партнёрам начали отгружаться 16-Гбит чипы DDR5. Кристаллы памяти выпущены с использованием техпроцесса 1γ (гамма). Предыдущие техпроцессы этого класса — 1α (альфа) и 1β (бета) — реализовывались с использованием сканеров с длиной волны 193 нм. Рассказывая о преимуществах чипов поколения 1γ, компания сравнивает их с чипами DDR5 предыдущего поколения — 1β. По сравнению с ними новинки на 15 % быстрее (до 9200 МТ/с), потребляют более чем на 20 % меньше энергии и обладают на 30 % большей плотностью расположения ячеек на кристалле.  Улучшенные характеристики памяти будут востребованы в периферийных устройствах с поддержкой искусственного интеллекта, в ПК с ИИ-функциями и в серверах, на которых работают большие языковые модели. Тем самым ассортимент памяти с технологическими нормами 1γ не ограничится лишь производством чипов DDR5, но также будет расширен за счёт выпуска других типов памяти, например LPDDR5X. ИИ-чипы Nvidia получат 12-ярусные стеки памяти HBM3E от Micron — Samsung по-прежнему отстаёт
17.02.2025 [12:04],
Алексей Разин
На фоне проблем Samsung Electronics в обеспечении компании Nvidia передовой памятью типа HBM3E, успехи американской Micron Technology в этой сфере позволяют ей претендовать на статус второго по величине поставщика Nvidia. В ближайшее время Micron начнёт снабжать этого клиента 12-ярусными стеками HBM3E, которые разработала к сентябрю прошлого года. 
Источник изображения: Micron Technology Естественно, SK hynix в этой сфере обгоняет обоих конкурентов, но в наличии нескольких поставщиков HBM3E заинтересована сама Nvidia, поскольку это позволяет ей повысить надёжность цепочек поставок и получить некоторые рычаги для торга с поставщиками. На мероприятии Wolfe Research, как сообщает Business Korea, финансовый директор Micron Technology Марк Мёрфи (Mark Murphy) рассказал о преимуществах 12-ярусных стеков HBM3E, предлагаемых компанией. По сравнению с 8-ярусными чипами HBM3E конкурентов, они обеспечивают увеличение ёмкости на 50 % и снижение энергопотребления на 20 %. Напомним, Samsung в это время лишь договорилась о снабжении Nvidia своими 8-ярусными стеками HBM3E, которые будут применяться для производства ускорителей вычислений, предлагаемых на китайском рынке. Образцы 12-ярусной памяти HBM3E компания Samsung отправит Nvidia к концу текущего месяца, но не факт, что соответствующая продукция устроит клиента по своим характеристикам и качеству. Как сообщалось ранее, SK hynix и Samsung стараются опередить друг друга в выводе на рынок микросхем памяти HBM4, намереваясь предложить их Nvidia в течение года. Micron Technology собирается начать поставки HBM4 в следующем году, поэтому конкуренция за соответствующие заказы Nvidia будет очень острой. Micron представила SSD Crucial P510 с низким энергопотреблением и PCIe 5.0, а также модули DDR5 объёмом 64 Гбайт
09.01.2025 [04:55],
Анжелла Марина
Micron обновила линейку потребительских продуктов Crucial, выпустив новые скоростные SSD, а также увеличив объём памяти для модулей DDR5 до 64 Гбайт. Твердотельный накопитель P510, представленный на глобальной выставке технологий CES 2025 в качестве главной новинки, обещает высокую скорость PCIe 5.0 и низкое энергопотребление. 
Источник изображений: Micron Твердотельный накопитель Crucial P510 с интерфейсом PCIe 5.0 разработан как для ноутбуков, так и для настольных компьютеров. Этот SSD, доступный в вариантах на 1 и 2 Тбайт, показал скорость последовательного чтения до 11 000 Мбайт/с и записи до 9 550 Мбайт/с. Несмотря на то, что P510 не превосходит по производительности флагманские модели T705 и T700, его ключевым преимуществом является сниженное энергопотребление, сообщает издание Tom's Hardware. Основной акцент при разработке P510 был сделан на повышении энергоэффективности. По словам представителей компании, новый SSD потребляет на 25 % меньше энергии по сравнению с предыдущими PCIe 5.0 накопителями этого класса. Хотя конкретная модель, использованная для сравнения, не была названа, известно, что T705 и T700 потребляют максимум 12,3 Вт и 11,5 Вт соответственно. Таким образом, P510 может достигать максимального энергопотребления в диапазоне от 8,6 Вт до 9,2 Вт, что особенно важно для увеличения времени автономной работы в ноутбуках. В Micron подтвердили использование «новой, более энергоэффективной архитектуры» для контроллера SSD, предположительно E31T.  Компания также расширила линейку модулей оперативной памяти DDR5, представив новые варианты с повышенной плотностью. Модули Crucial DDR5 Pro Overclocking теперь доступны в версии 32 Гбайт (ранее было 16 Гбайт). Также анонсировано начало продаж модулей CUDIMM на 32 Гбайт и 64 Гбайт и модулей CSODIMM на 24 Гбайт и 32 Гбайт, ограниченных частотой DDR5-6400. Для традиционных UDIMM и SODIMM компания предложит варианты объёмом 64 Гбайт и частотой DDR5-5600. Таким образом, Micron расширяет возможности для пользователей, предлагая более широкий выбор оперативной памяти повышенного объёма.  Помимо P510, компания обновила модель SSD P310, выпустив вариант с радиатором. Новый радиатор был разработан с целью уменьшения размеров для использования SSD в ограниченных пространствах, таких как PlayStation 5. Ожидается, что SSD P510 поступит в продажу весной этого года, а P310 с радиатором будет доступен уже в текущем месяце. Модули оперативной памяти с более высокой плотностью поступят на рынок в феврале. |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
