Сегодня 22 января 2018
18+
CES 2018
Теги → micron technology
Быстрый переход

UMC направила иск с просьбой уничтожить производство памяти Micron в Китае

На днях третий в мире по величине контрактный производитель полупроводников тайваньская компания United Microelectronics Corporation (UMC) обвинила американскую компанию Micron в нарушении ряда патентов на производство памяти и продукции на её основе. В нарушении патентов обвинены китайские подразделения Micron в Шанхае и Сиане.

CNA

CNA

Компания UMC утверждает, что Micron нарушила её патентные права в КНР в области производства памяти DDR4, SSD и графических адаптеров. В своём заявлении UMC просит суд заставить ответчика не только остановить производство, использование, импорт и продажу продукции, но даже уничтожить промышленное оборудование и оснастку для выпуска памяти и флеш-памяти. В финансовом выражении Micron должна компенсировать UMC ущерб в размере 270 млн юаней ($42 млн).

Кроме представленной выше информации один абзац в пресс-релизе UMC посвящён воспеванию тяжких усилий компании по разработке новых технологий, которыми для выпуска логики или DRAM хотят воспользоваться нечистые на руку конкуренты. Но корни у этого иска совсем другие и уходят они ох как глубоко.

CNA

thestreet.com

В целом можно сказать, что иск UMC стал ответом на целую серию исков и враждебных юридических действий к ней со стороны компании Micron. Напомним, весной прошлого года Micron с помощью властей Тайваня пресекла переход на работу к китайским производителям памяти порядка сотни бывших своих сотрудников, а также заблокировала работу совместной инженерной группы из специалистов UMC и их китайских коллег, которые разрабатывали технологию производства памяти для внедрения на материковых заводах. В сентябре Micron добилась от прокуратуры Тайваня открытия дел против двух своих бывших сотрудников и одного представителя UMC, обвиняемых в краже коммерческой информации, а в декабре по этому же поводу в США был подан иск уже против компании UMC. Поэтому ответные действия UMC в правовом поле были лишь вопросом времени.

Краткое досье на три китайские компании, которые собираются сыграть на рынке полупроводниковой памяти (TrendForce)

Краткое досье на три китайские компании, которые собираются сыграть на рынке полупроводниковой памяти (TrendForce)

Следует сказать, что в данной ситуации за спиной UMC находится грозный союзник в лице национального плана Китая по укреплению полупроводниковой отрасли в стране и, прежде всего, курс на создание национального производства памяти. На это брошены такие ресурсы, что UMC в противостоянии против Micron будут помогать, как говорится, даже родные стены. Компания UMC разрабатывает технологию производства памяти для одного из трёх будущих лидеров китайского рынка памяти — для компании Fujian Jinhua Integrated Circuit Co (JHICC). Проблема китайцев в отсутствии технологий и в невозможности купить лицензии на выпуск современных версий DRAM и 3D NAND. Разборки с Micron — это один из вариантов защитить местного производителя или вынудить Micron перейти к решению вопросов с лицензированием.

Intel способна взорвать мировой рынок флеш-памяти NAND

Ранее на этой неделе мы сообщали, что компании Intel и Micron меняют отношение к совместной разработке энергонезависимой памяти 3D NAND. Партнёры по совместному предприятию IM Flash Technologies (IMFT) до конца текущего года представят созданную ими 3D NAND третьего поколения (96-слойную), и, после этого, каждая займётся разработкой многослойной NAND самостоятельно. На первый взгляд, компании приняли странное решение, ведь СП IMFT продолжит свою работу. Во всяком случае, в рамках совместного предприятия Intel и Micron продолжат разрабатывать и выпускать память 3D XPoint. Но это только на первый взгляд.

В прошлом Intel неоднократно подчёркивала, что её не интересует соревнование на рынке NAND-флеш. Она выпускает преимущественно корпоративные SSD и не ищет рынков сбыта для микросхем NAND (3D NAND). Подобная политика означает следование предложения за спросом и не предусматривает интенсивного наращивания производства. Более того, в 2012 году Intel продала свою долю в предприятии СП в Сингапуре компании Micron и ограничилась поддержкой одного лишь предприятия в штате Юта. Также в 2015 году она вложила $5 млрд в модернизацию своего 300-мм завода в Китае (в городе Далянь), который раньше выпускал 2D NAND и процессорные чипсеты компании. С мая прошлого года предприятие в Даляне выпускает 64-слойную 3D NAND, которой Intel явно не делится с Micron. Налицо отдаление от Micron, которое, как уверены наши тайваньские коллеги, может зайти очень далеко.

Образцы китайской 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

Образцы китайской 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

По сообщению тайваньского интернет-ресурса DigiTimes со ссылкой на источники среди местных производителей, Intel может лицензировать технологию производства 3D NAND компании Tsinghua Unigroup. По мнению источников, это поможет Intel углубиться в китайский рынок и китайскую экономику. С заводом понятно. Увеличение производства 3D NAND на предприятии в Даляне легко найдёт сбыт на локальном рынке. Но зачем компании Intel нужно помогать китайцам создавать собственное производство 3D NAND, не поясняется. Но этот мотив мы можем объяснить сами.

Завершение начального этапа строительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

Завершение начального этапа строительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

В сентябре 2014 года компания Intel опубликовала пресс-релиз, в котором сообщила о намерении приобрести порядка 20 % акций тогда ещё малоизвестной нам компании Tsinghua Unigroup. Сделано это было с прицелом на сотрудничество с дочерними компаниями Tsinghua: Spreadtrum Communications и RDA Microelectronics. Из этих инвестиций потом родились SoC Intel SoFIA.

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

Что само по себе необычно, Intel едва ли не впервые провела транзакцию в юанях, заплатив за акции Tsinghua Unigroup 9 млрд юаней (примерно $1,5 млрд). Тем самым понятно, что успех Tsinghua Unigroup на рынке добавит финансов в копилку Intel. Пятая часть акций — это значительная часть дохода по ним. Компания Intel имеет прямой интерес в росте прибыльности Tsinghua и, соответственно, получит свою часть бонусов после запуска заводов Tsinghua Unigroup по выпуску 3D NAND. Для такого, быть может, не жалко расстаться с Micron и даже лицензировать китайцам технологию производства 3D NAND. Вы не находите? Это взорвёт мировой рынок NAND, но Intel останется в выигрыше в любом случае, чего не скажешь о Samsung, SK Hynix и Micron.

Micron и Intel прекращают совместную разработку памяти 3D NAND

Компании Micron и Intel опубликовали совместный пресс-релиз, в котором сообщили о намерении прекратить совместную разработку многослойной флеш-памяти 3D NAND. В настоящий момент партнёры начинают наращивать производство фирменной 3D NAND второго поколения — это 64-слойные микросхемы. Третье совместно разработанное поколение 3D NAND компании представят в конце 2018 года, а с началом 2019 года перестанут сотрудничать в области разработки новых модификаций 3D NAND. В дальнейшем каждая из компаний будет самостоятельно разрабатывать многослойную NAND-флеш в зависимости от собственных бизнес-потребностей.

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

При этом партнёры продолжат совместную разработку энергонезависимой памяти 3D XPoint. Очевидно, в этом плане компания Intel продолжает сильно зависеть от компании Micron. Первым выпуск микросхем 3D XPoint начал завод СП Micron и Intel в Штате Юта. В настоящее время это производство выпускает исключительно память 3D XPoint, хотя какие-то объёмы данной памяти выпускают также завод Intel в Китае (в городе Далянь) и завод СП в Сингапуре. Завод в Юте остаётся базовым для выпуска 3D XPoint, и его к ноябрю прошлого года дополнительно расширили. Что касается производства памяти 3D NAND, то год назад компания Intel завершила модернизацию завода в Китае и в скором времени сможет полностью обеспечить себя этими микросхемами памяти самостоятельно.

Необходимо подчеркнуть, что деятельность совместного предприятия партнёров в лице компании IM Flash Technologies не сворачивается. Предприятие IMFT создано в конце 2005 года, и оно продолжит свою работу. С образованием IMFT компания Intel вышла на рынок памяти типа NAND, хотя до этого она владела набором ключевых патентов на технологию работы и производства NAND-флеш, в частности, на технологию производства ячейки MLC. Компания Micron вышла на рынок NAND на год раньше Intel, но до союза с ней не имела какого-то успеха на нём.

Быстро подняться на новом рынке каждой из них помогли заказы Apple на память NAND для плееров iPod nano. Уже на стадии создания СП в ноябре 2005 года партнёры получили от Apple аванс в размере $250 млн. В дальнейшем может так оказаться, что компании Micron придётся платить Intel лицензионные отчисления за использование определённых технологий при производстве памяти NAND.

Китайские производители памяти неизбежно столкнутся с судебными исками

До того, как возникающие на горизонте индустрии китайские производители памяти подобные компании Tsinghua Unigroup столкнутся с лидерами рынка в лице Samsung, SK Hynix и Micron, все они, так или иначе, пройдут через залы судебных заседаний. Аналитики рынка и, в частности, представители компании IC Insights уверены, что китайцам выход на рынок DRAM и NAND будет стоить наиболее серьёзных усилий именно на правовом поприще. Точнее, в области патентного права. Никто не сомневается, что гигантские даже для США деньги на развитие местной промышленности и полупроводниковой индустрии позволят китайским компаниям построить заводы и ввести их в эксплуатацию. Одна только Tsinghua Unigroup потратит на два новых завода порядка $50 млрд примерно за пять лет, а ведь есть и другие!

Завершение начального этапа стрительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

Завершение начального этапа строительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

Первой в борьбу включилась компания Micron. Две недели назад Micron подала иск в федеральный суд Северной Калифорнии, апеллируя к Закону о защите коммерческой тайны (Defend Trade Secrets Act) и к Закону об инвестировании полученных от рэкета капиталов (Racketeer Influenced and Corrupt Organization Act). Второй закон относится к гражданскому праву, и, в целом, иск Micron носит характер борьбы с промышленным шпионажем, а не с несоблюдением патентного права. Компания Micron обвиняет тайваньскую United Microelectronics Corp (UMC) и китайскую Fujian Jinhua Integrated Circuit Co (JHICC) в воровстве коммерческих секретов и в других неправомочных действиях. Но настоящий праздник на улице законников начнётся тогда, уверены в IC Insights, когда китайские производители памяти начнут продвигать свою продукцию на рынок.

thestreet.com

thestreet.com

Начало поставок образцов или серийной продукции DRAM и NAND китайскими компаниями обещает запустить серию патентных исков против них. Китайские производители это уже проходили. Например, созданная в начале 2000-х годов компания SMIC и её последователь в лице Grace Semiconductor быстро захватили около 13 % мирового рынка контрактных полупроводников. Вскоре последовала серия исков от лидеров рынка. Так, компания TSMC через суды вынудила SMIC умерить аппетиты и продать часть акций. Сегодня SMIC удерживает менее 8 % рынка контрактных чипов и часть дивидендов выплачивает тайваньскому производителю. Нечто подобное, уверены аналитики, произойдёт на рынке памяти, что заставит китайцев оплатить патенты и интегрироваться в мировую структуру данного направления в индустрии.

Динамика годовых каптальных затрат Samsung (данные IC Insights)

Динамика годовых капитальных затрат Samsung (данные IC Insights)

В то же время, следует заметить, что та же компания Samsung не ждёт у моря погоды (не надеется на закон), а делает всё от неё зависящее, чтобы помешать выйти на рынок новичкам. В текущем году Samsung вдвое увеличила капитальные затраты на производство чипов. Это очевидным образом поднимает цену входного билета на рынок DRAM и NAND. О соблюдении закона можно спорить годами, тогда как себестоимость продукции работает здесь и сейчас. Другое дело, что китайцы мало ограниченны в средствах и, что более важно, на них не так давят законы «свободного рынка», как на зарубежных коллег. Впрочем, когда припекло, правительство Южной Кореи спасло SK Hynix без оглядки на какие-то там международные договорённости, просто завалив компанию государственными субсидиями. В Китае с этим ещё проще, так что выбранная компанией Samsung политика может оказаться единственно верной. Хочешь мира — готовься к войне.

У Micron снова украли секреты, и снова они утекли в Китай

Создаётся впечатление, что с защитой интеллектуальной собственности у компании Micron как с рассохшейся бочкой — течёт изо всех щелей. Прошёл всего месяц с момента появления информации об аресте двух бывших сотрудников Micron, которые якобы передали секретную информацию о технологиях производства памяти компании тайваньскому контрактнику UMC, как вновь сообщается о кражах и арестах.

thestreet.com

thestreet.com

По данным издания United Evening News, на которое ссылается авторитетный ресурс Tapei Times, прокуратура Тайваня потребовала ареста пяти бывших сотрудников компании Inotera Memories, которая с декабря прошлого года перешла в полную собственность Micron. В период с сентября по ноябрь 2016 года указанные лица якобы передали своему будущему работодателю в Китае секретную информацию о технологиях производства памяти. Данные передавались в виде фотокопий (фотографических снимков), бумажных ксерокопий, сообщениями по электронной почте и с помощью сервиса коротких сообщений WeChat.

Все подозреваемые оставили работу в компании Inotera Memories ради перехода в профильную компанию на территории Китая. По слухам, в этом им помогла крупнейшая китайская инвестиционная компания ИТ-направленности — Tsinghua Unigroup. Последняя не раз упоминалась в наших новостях с 2015 года и отметилась желанием купить как саму компанию Micron, так и приобрести значительную долю в компании Western Digital. Обе сделки были заблокированы регулирующими органами США. Похоже, в Tsinghua Unigroup нашли другой способ решить проблему технологического голода.

Micron готова дружить с Тайванем, но не с Китаем (директор Micron Марк Дуркан и Президент Тайваня Цай Инвэнь, фото Cheng Ting-Fang)

Micron готова дружить с Тайванем, но не с Китаем (директор Micron Марк Дуркан и Президент Тайваня Цай Инвэнь, фото Cheng Ting-Fang)

Сообщается, что каждому из подозреваемых в краже технологических секретов Micron была начислена втрое большая зарплата, чем они получали в компании Inotera Memories. Речь идёт о сумме в 200 000 новых тайваньских долларов в месяц каждому, что эквивалентно $6576. Как ни крути, а это чрезвычайно весомый аргумент для смены места работы. Многие ли откажутся?

А Китай всё строит

А Китай всё строит

Компания Tsinghua Unigroup и ряд других крупных китайских компаний приступили в конце прошлого года и в этом году к строительству трёх крупных мегафабрик по производству 3D NAND и DRAM. После выхода заводов на полную мощность примерно через пять лет Китай получит доступ к достаточно недорогой национальной оперативной и энергонезависимой памяти. Он больше не будет зависеть от прихотей международного рынка памяти и от западных производителей. Также это гарантированно обрушит международный рынок памяти, о чём руководство компании Micron предупреждает при каждом удобном случае.

Micron массово переманивает специалистов у тайваньских упаковщиков чипов

Компания Micron остаётся нетерпимой к переходу своих бывших сотрудников на работу в конкурирующие структуры, но сама успешно охотится за «головами» специалистов. По информации китайского издания Apple Daily, американский производитель памяти уже переманил к себе на работу около 100 сотрудников из тайваньских компаний полупроводникового сектора, предложив им зарплату на 20–30 % больше, чем они получали. Среди них оказались специалисты компаний SPIL, Advanced Semiconductor Engineering (ASE) и Amkor Technology — мировых лидеров в области упаковки и тестирования чипов.

Новые сотрудники должны помочь Micron справиться с запланированным расширением производства на дочерних предприятиях компании на Тайване. Более того, Micron собралась строить на острове свой первый завод по 3D-упаковке микросхем. Данное желание, как и переманивание профильных специалистов, вылилось в опасения тайваньских упаковщиков в честных намерениях производителя. Вместе со специалистами Micron получит не только опыт, но, чего нельзя исключать, доступ к интеллектуальной собственности бывших работодателей.

В телефонном интервью изданию Taipei Times представитель компании SPIL сказал, что за последнее время в Micron перешли 12 инженеров. В связи с этим в компании начата внутренняя проверка с целью убедиться, что кражи интеллектуальной собственности не произошло. Это необходимая мера, которая может определить, будет ли в будущем подаваться иск к компании Micron или нет.

Интересно добавить, что Micron обещает специалистам «со стороны» денежную надбавку до 30 %, если они с помощью своих знаний помогут компании расширить производственные возможности. Всего за последующие полтора года компания планирует нанять на работу 1500 специалистов. План найма в компанию в этом году выполнен наполовину. Ранее компания собиралась до конца 2017 года взять на работу 1000 инженеров.

UMC обвиняется в краже секретов производства памяти Micron

Национальная программа по развёртыванию в Китае полномасштабного производства компьютерной памяти крайне беспокоит всех участников рынка. В случае успеха доходы нынешних лидеров — компаний Samsung, SK Hynix и Micron — могут сократиться до очень низкого уровня. Помешать или затормозить рождение в Китае национальной отрасли по производству микросхем DRAM (и 3D NAND) можно только путём блокирования сотрудничества китайцев с тайваньскими компаниями и не допустив передачу технологий на материк. В этом случае китайским компаниям придётся идти на различные уловки, ведь легального доступа к технологиям не будет.

Одним из проверенных способов получить доступ к передовым разработкам остаётся наём на работу квалифицированных кадров из компаний лидеров. Часто случается так, что вместе с багажом знаний и опыта в голове кадры прихватывают с собой фирменные наработки, после чего компания нового работодателя быстро выходит на рынок с новинками. Как правило, такие случаи расследуются, но можно отделаться штрафом и продолжить делать то, что нельзя. Стоит ли удивляться тому, что компания Micron весной этого года на достаточно высоком уровне запретила более чем сотне бывших своих сотрудников на Тайване устраиваться на работу в профильных китайских компаниях? Но этим дело не ограничилось.

thestreet.com

thestreet.com

В эту среду стало известно, что Окружная прокуратура города Тайчжун (Центральный Тайвань) вынесла обвинительное заключение по действиям компании UMC и трёх её сотрудников по фамилиям Хо, Ван и Рон (Ho, Wang и Rong). Компания и сотрудники нарушили Закон об авторском праве и Закон о профессиональной тайне. Обвиняемые незаконно получили технологии компании Micron для выпуска памяти и передали компании UMC для развёртывания бизнеса в Китае.

CNA

CNA

Граждане Хо и Ван скопировали данные и передали их сотруднику UMC по фамилии Рон. Последний доработал технологический процесс и, когда в феврале этого года прокуратура пришла с обыском в центр разработок UMC на Тайване, дал двум другим обвиняемым команду уничтожить следы на цифровых носителях. Бывшие работники Micron Хо и Ван работали, соответственно, начальником секции и заместителем директора по производству. В компании UMC первый возглавил отдел разработок, а второй стал главным технологом по комплектующим. Оба они утверждают, что прихватили данные Micron для личных исследований.

Остаётся напомнить, что компания UMC стала партнёром одного из трёх крупнейших (в перспективе) производителей памяти в Китае. Это совместное предприятие Fujian Jin Hua Integrated Circuit компаний UMC и Jin Hua. Для этого завода UMC взялась разработать технологию производства памяти DRAM. Пока, как видим, с разработкой не заладилось. Кстати, партнёром завода по упаковке памяти «UMC» должна стать тайваньская компания SPIL. К ней со стороны правительства Тайваня тоже есть вопросы. Ждём, когда их зададут. По всей строгости закона.

В июле закупочные цены на модули памяти для ПК выросли на 4,6%

Если где-то в Юго-Восточной Азии случаются наводнение, землетрясение, выброс чего-то нехорошего на производстве или какой-то иной катаклизм локального масштаба, то к гадалке можно не ходить — цены на память, жёсткие диски или другие комплектующие начнут расти ускоренными темпами. В июле мы заблаговременно предупредили, что выброс азота на одном из тайваньских заводов компании Micron привёл к остановке производства памяти, что дополнительно поднимет цены на модули DRAM и даже микросхемы LPDDR. Сегодня аналитики компании TrendForce подсчитали, что остановка производства Micron плюс ряд других объективных факторов всего за месяц привели к росту цен на память на 4,6 %.

Если учесть, что с первого по второй квартал закупочные цены на микросхемы памяти выросли примерно на 10 %, то скачок за месяц (с июня по июль) на 4,6 % может считаться событием, нарушающим тенденцию. К середине июля компания Micron восстановила производство на заводе N2 (Fab-2) в полном объёме. Чистые потери от простоя составили 30 тысяч пластин и ещё 20 тысяч пластин были загрязнены в процессе выброса газа и впоследствии уничтожены. Если в течение августа Micron тем или иным способом не компенсирует недостачу, закупочные цены на память будут расти сильнее ожидаемого.

На второй квартал 2017 года, отмечают аналитики TrendForce, сложилась казусная и опасная ситуация. Цены на 4-Гбит микросхемы DDR4 (для ПК) впервые в истории превысили стоимость до этого всегда более дорогой 4-Гбит мобильной памяти LPDDR4. Оптовая стоимость микросхем DDR4 и LPDDR4 стала сближаться с начала текущего года. До этого память для ПК была вдвое и даже больше дешевле мобильной памяти для смартфонов и планшетов. Пользователей ПК это точно не обрадует, хотя эта ситуация способствует проникновению в ПК и ноутбуки памяти LPDDR4, благо современные процессоры Intel поддерживают память типа LPDDR4.

Динамика измененния оптовых цен на память DDR4 и LPDDR4 (TrendForce)

Динамика изменения оптовых цен на память DDR4 и LPDDR4 (TrendForce)

В первом квартале 2017 года закупочная стоимость 4-Гбайт модулей DDR4 последовательно выросла на 40 % и достигла $24. Во втором квартале модули памяти подорожали ещё на 10 % — до $27. В третьем квартале, похоже, оптовые закупочные цены на 4-Гбайт модули DDR4 преодолеют отметку в $30. В том, что это произойдёт, можно не сомневаться. В пересчёте на биты ориентировочный рост производства памяти в 2017 году ожидается на уровне 19,5 %, тогда как рост спроса на память за этот же период ожидается на уровне 22 %. В предыдущие годы, для сравнения, прирост производства памяти в битах находился на уровне 25 % в год. Иными словами, дефицит продолжит вносить свои коррективы в ценообразование на рынке памяти во всех её проявлениях.

Китайский чипмейкер намерен выпускать DRAM и 3D NAND последних поколений

Свежеиспеченный китайский производитель компьютерной и энергонезависимой памяти 3D NAND — компания Yangtze Memory Technologies (по другой версии — Yangtze River Storage Technology) — определилась с видом и поколением будущей продукции, которую она начнёт выпускать с 2018 года. Согласно комментариям исполнительного директора YMT (YRST), Чарльза Кау (Charles Kau), микросхемы DRAM «национальной» памяти стартуют с техпроцесса 18–20 нм, а «национальная» память 3D NAND начнёт свой жизненный путь с 32-слойного поколения. Также до конца года будет представлен разработанный техпроцесс для производства 64-слойной 3D NAND.

forbes.com

forbes.com

Если все заявленные цели будут достигнуты, технологический зазор между китайскими производителями и лидерами отрасли — компаниями Micron, Samsung и Sk Hynix — сократится до минимального значения. Безусловно, по объёмам производства китайские чипмейкеры в лице YMT (YRST) и двух других компаний всё ещё будут серьёзно отставать от мировых лидеров рынка DRAM и NAND. Это отставание может быть сокращено ближе к 2025 году, когда все запланированные в Китае новые заводы по выпуску памяти выйдут на полную мощность и будут построены новые производства.

Что касается актуальности разработок китайцев, то мы напомним, что с этого года начинается по-настоящему массовый выпуск 64-слойной NAND. К июлю память с 64 слоями начнёт выпускать новый завод Samsung, а давно работающее предприятие компании в Южной Корее нарастит объёмы производства за счёт перевода линий с выпуска 32-слойной памяти на 64-слойную. Также объёмы выпуска 64-слойной NAND увеличит компания Toshiba. Ограниченный выпуск такой памяти она начала в августе прошлого года. Компания SK Hynix пока выпускает 48-слойную NAND, но со второй половины текущего года приступит к выпуску 72-слойной NAND TLC. Тем самым китайцы в 2018 году будут выпускать 32-слойную память NAND, на год отставая от лидеров рынка.

Похожая картина с производством DRAM. В настоящий момент компания Samsung в ограниченных количествах выпускает 18-нм память DRAM. У компаний Micron и SK Hynix имеются в активе техпроцессы выпуска DRAM с нормами класса 10 нм, но с внедрением в массовое производство пока есть трудности. Китайцы же сразу намерены вскочить на подножку поезда под номером «18». Это амбициозно, но совершенно неясно, насколько выполнимо в сжатые сроки. Ведь память нужна уже сейчас, а разработка — это долгая история чреватая, к тому же, судебными разборками. Вспомним свежую историю, когда Micron на прошлой неделе заблокировала процесс разработки технологии выпуска DRAM в центре исследований тайваньской компании UMC. Препятствий на этом пути настолько много, что делать прогнозы практически невозможно.

Micron принимает меры для защиты от утечек технологий DRAM в Китай

Ранее представители компании Micron уже высказывали опасения, что планы китайских компаний построить на территории материкового Китая как минимум три новых гигантских завода по выпуску памяти DRAM и NAND нанесёт серьёзный удар по отрасли. Это будет чревато перепроизводством и обесцениванием компьютерной памяти, что сделает невозможным инвестиции в развитие отрасли. Чтобы предотвратить подобный сценарий, в компании Micron отказываются продавать китайским компаниям технологии производства DRAM. К огорчению для Micron, не все могут устоять перед искушением заработать на китайцах и вместе с китайцами.

Слабым звеном стала тайваньская компания United Microelectronics Corporation (UMC). Напомним, UMC собирается наладить в Китае производство памяти совместно с местной компанией GigaDevice и властями города Хэфэй (Hefei). Технологию производства DRAM на мощностях совместного предприятия в Китае разрабатывают в лаборатории UMC на тайваньском заводе компании в Южном технологическом парке. В разработке также принимают участие китайские инженеры, командированные на Тайвань компанией Fujian Jinhua. Как видим, UMC готовится импортировать технологию выпуска памяти в Китай, что, как стало известно, очень не понравилось компании Micron.

По сообщению тайваньского издания Economic Daily News (EDN), на которое сослался тайваньский интернет-ресурс DigiTimes, компания Micron инициировала на Тайване судебные преследования бывших своих сотрудников из местного населения. Это инженеры, ранее работавшие в совместных или дочерних предприятиях Micron: в компаниях Inotera Memories и Rexchip Electronics. Допрошено около 100 бывших сотрудников. Некоторым из подозреваемых запрещено покидать Тайвань до завершения расследования. Это специалисты, которые намеревались устроиться на работу в компании Hefei Chang Xin, Tsinghua Unigroup и Fujian Jinhua Integrated Circuit. Что более существенно, временно остановлена разработка технологии производства DRAM в лабораториях компании UMC.

Прибыль Micron выросла пятикратно

Производитель микросхем памяти Micron Technology завершил второй квартал 2017 финансового года с 5-кратным ростом прибыли. Компании помогают растущие продажи и цены на чипы.

По итогам трёхмесячного отчётного периода, конец которого пришёлся на 2 марта 2017 года, чистая прибыль Micron составила $894 млн долларов против $180 млн прибыли годом ранее. Выручка компании подскочила на 58 %, достигнув $4,65 млрд.

wsj.com

wsj.com

Комментируя финансовые результаты, генеральный директор Micron Марк Дуркан (Michael Durcan) назвал прошлый квартал периодом «высокого спроса и ограниченного предложения» на рынке памяти. Во второй финансовой четверти относительно первой средняя стоимость DRAM-чипов подскочила на 21 %, а продажи микросхем NAND flash повысились на 18 %, говорится в отчёте Micron.

Агентство Reuters отмечает, что в последние кварталы средняя цена DRAM-памяти увеличивается за счёт стабилизации рынка компьютеров и быстрого роста облачной индустрии.

wsj.com

wsj.com

Доходы Micron оказались выше прогнозов Уолл-стрит, то же самое касается прогноза на третий квартал 2017 финансового года. Благодаря этому акции компании подорожали на 10 %. За последние 12 месяцев котировки американского чипмейкера поднялись почти на 150 %. 

Выручка Micron выросла впервые за 7 кварталов

Впервые почти за два года выросла выручка американского производителя чипов памяти Micron Technology. Это произошло благодаря повышению спроса и цен на микросхемы, сообщает агентство Reuters.

За трёхмесячный отчётный период, конец которого пришёлся на 1 декабря 2016 года, чистая прибыль Micron составила $180 млн против $206 млн прибыли годом ранее. На скорректированной основе (без учёта нерегулярных расходов и доходов) прибыль достигла 32 центов на акцию, превысив средний прогноз в 28 центов от опрошенных Thomson Reuters I/B/E/S аналитиков.

wsj.com

wsj.com

Продажи Micron подскочили на 18,5 % почти до $4 млрд. Выручка компании выросла впервые за семь кварталов.

В прошлом финансовом квартале продажи чипов памяти DRAM и NAND flash у Micron увеличились на 18 % и 26 % соответственно. При этом средняя стоимость микросхем оперативной памяти повысилась на 5 %.

«Положительный импульс на рынке произошёл за счёт благоприятных тенденций спроса и ограниченного предложения в отрасли, что послужило основой для сильных результатов в нашем первом квартале», — отметил глава Micron Марк Дуркан (Mark Durcan).

wsj.com

wsj.com

После публикации квартальной отчётности котировки Micron подскочили на 7,4 % в ходе электронных торгов после прекращения основных в среду, 21 декабря. С начала года акции компании подорожали на 45 %. 

Micron начала производство памяти 3D NAND второго поколения

Micron Technology объявила о том, что начала производство многослойной памяти типа 3D NAND второго поколения в фабричном комплексе Fab 10X в Сингапуре. Новый тип памяти позволит Micron укрепить позиции на рынке твердотельных накопителей, а также несколько снизить себестоимость энергонезависимой памяти. Помимо прочего, выпуск второго поколения 3D NAND приведёт к увеличению ёмкости накопителей Micron, Crucial, а также их партнёров.

Штаб-квартира Micron

Штаб-квартира Micron

Новые вызовы

В ходе встречи и телеконференции с инвесторами и финансовыми аналитиками в этом месяце Micron подтвердила, что начала массовое изготовление 3D NAND флеш-памяти с 64 слоями в производственном комплексе Fab 10X в Сингапуре в четвёртом квартале этого календарного года, что соответствует заявленным ранее срокам. Сам по себе анонс означает как введение в строй новой фабрики, так и грядущее существенное увеличение производства NAND флеш-памяти компанией Micron: как за счёт увеличения количества обрабатываемых кремниевых пластин с соответствующими микросхемами, так и за счёт увеличения ёмкости последних. Кроме того, сам анонс массового производства энергонезависимой памяти с 64 активными слоями является знаменательным, поскольку означает, что компании удалось решить ряд технических проблем, которые возникают при создании 3D NAND c 60 ~ 70 слоями.

3D NAND разработки Micron/IMFT второго поколения: планы по снижению себестоимости

3D NAND разработки Micron/IMFT второго поколения: планы по снижению себестоимости

Эр-Сюань Пин (Er-Xuan Ping), управляющий директор подразделения памяти и технологий в Silicon Systems Group компании Applied Materials, считает, что сегодняшние технологии травления (high aspect ratio etch) отверстий в огромном количество слоёв (которые отвечают за линии чисел — word lines), чтобы затем создать линии разрядов (bit line, в терминологии 3D NAND — NAND string), имеют ряд ограничений. Эти ограничения не позволяют травить отверстия в случае, когда количество слоёв превышает 60 ~ 70. Таким образом, для создания 3D NAND с 64 активными слоями предполагается применять технологию вертикального стекирования линий разрядов (string stacking). По сути, это означает установку готовых 3D NAND-изделий друг на друга с последующим межчиповым соединением, что позволит контроллеру «видеть» два устройства как одну микросхему и управлять ею соответствующим образом. Подобное объединение представляет собой чрезвычайно сложный процесс, поскольку пластины с микросхемами должны быть идеально выровнены. Преимущества подобного процесса также очевидны: он позволяет создавать NAND-сборки с сотнями слоёв и колоссальной ёмкостью.

«Это ограничение», — сказал господин Пин. «Каждая линия разрядов ограничена количеством слоёв или другими шагами технологического процесса».

Микросхемы NAND флеш-памяти в чистой комнате фабрики IMFT

Микросхемы NAND флеш-памяти в чистой комнате фабрики IMFT

Micron не единственная компания, которая объявила о массовом производстве микросхем NAND флеш-памяти с 64 слоями. Samsung и Toshiba/Western Digital также разработали свои 64-слойные устройства. Примечательно, что ни одна из трёх компаний не упомянула о string stacking в своих анонсах соответствующих микросхем. В отрасли ходят слухи, что Micron демонстрировала 64-слойный 3D NAND чип с соединёнными линиями разрядов некоторым своим партнёрам, но официально компания про это никогда не говорила. Очень может быть, что Micron и её конкуренты нашли способ травления глубоких отверстий с использованием существующего оборудования или просто решили не упоминать особенности производства в своих официальных документах.

Новые перспективы

Надо сказать, что 64-слойное поколение 3D NAND флеш-памяти станет не только существенным испытанием с точки зрения производства, но и во многом откроет новые горизонты. Дело в том, что ёмкость таких микросхем обещает быть очень высокой, причём планы Micron (и IMFT) здесь наиболее амбициозны (компания имеет большую гибкость в области увеличения ёмкости микросхем благодаря размещению логическим цепей микросхем под самой памятью, что экономит площадь ядра): каждая 3D TLC NAND-микросхема второго поколения компании будет иметь ёмкость 768 Гбит (96 Гбайт).

SSD на базе 3D NAND

SSD на базе 3D NAND

Официально Micron пока не анонсировала микросхемы памяти 3D NAND второго поколения, а потому мы не обладаем всей полнотой информации о них. Тем не менее, компания раскрыла ключевые особенности чипов. Во-первых, на IEEE International Solid-State Circuits Conference в феврале Micron описала микросхему 3D TLC NAND ёмкостью 768 Гбит. Во-вторых, на 34-й конференции NASDAQ для инвесторов в июне финансовый директор компании заявил, что микросхемы 3D NAND второго поколения увеличат вдвое ёмкость по сравнению с чипами первого поколения (т. е. с 384 Гбит до 768 Гбит). В-третьих, в этом месяце Micron подтвердила наличие 64 активных слоёв в своей памяти 3D NAND второго поколения. В компании рассчитывают, что увеличение ёмкости микросхем позволит Micron снизить себестоимость производства одного бита NAND флеш-памяти на 30 процентов.

Двукратное увеличение ёмкости 3D TLC NAND-микросхем до 768 Гбит может позволить Micron использовать такие чипы в MLC-конфигурации ёмкостью 512 Гбит (впрочем, сама Micron об этом никогда не говорила). Между тем значительное увеличение ёмкости имеет как плюсы, так и минусы. С одной стороны, они дают возможность создавать устройства хранения данных большой ёмкости в миниатюрных форм-факторах (например, односторонний модуль M.2 ёмкостью 3 Тбайт). С другой стороны, SSD небольшого объёма будут иметь крайне низкую производительность из-за отсутствия параллелизма при чтении и записи. В случае с первым поколением 3D NAND компании Micron пришлось отказаться от накопителей ёмкостью 120/128 Гбайт именно из-за потенциально низкой производительности последних. Может случиться, что в следующем году компании придётся отказаться от выпуска уже накопителей класса 240/256 Гбайт. Кроме того, радикальное повышение ёмкости может сказаться на уровне выхода годных и цене.

SSD производства Micron/Crucial

SSD производства Micron/Crucial

В отличие от Micron, её конкуренты формально анонсировали свои 64-слойные 3D NAND-микросхемы. Так, Samsung объявила о планах начать производство своих 64-слойных V-NAND четвёртого поколения в последнем квартале 2016 года. Новые чипы будут иметь трёхбитовую ячейку (TLC), ёмкость 512 Гбит (по всей видимости, MLC буду выпускаться в виде отдельных микросхем или иметь меньшую ёмкость). Как только Samsung опробует V-NAND четвёртого поколения на разного рода картах памяти и других съёмных накопителях, она будет использована для производства SSD в 2017 году.

Что касается Toshiba/Western Digital, то они поставляют свою 64-слойную BiCS NAND третьего поколения некоторым своим клиентам уже несколько месяцев. Более того, первая продукция на базе данных микросхем (съёмные накопители) должна сойти с конвейера уже в четвёртом квартале. Toshiba и Western Digital весьма осторожно подходят к увеличению ёмкости своих чипов NAND, а потому изначально BiCS3 будет поставляться в конфигурации TLC с ёмкостью 256 Гбит, но в дальнейшем ёмкость будет увеличена до 512 Гбит. Следует отметить, что Western Digital считает возможным использовать 64-слойную BiCS 3D NAND в твердотельных накопителях. Таким образом, в 2017 году мир, наконец, увидит SSD на базе 3D NAND под торговыми марками Toshiba и Western Digital.

Micron активно наращивает производство памяти 3D NAND

Финансовый директор корпорации Micron Technology в ходе встречи с финансовыми аналитиками сделал несколько важных заявлений, касающихся перевода производства компании на флеш-память типа 3D NAND. Некоторое время назад выпуск компанией 3D NAND превысил выпуск традиционной планарной (2D) NAND в пересчёте на бит. При этом себестоимость 3D NAND первого поколения в пересчёте на бит находится на ожидаемых уровнях.

Рубикон перейдён

Эрни Мэддок (Ernie Maddock), финансовый директор Micron, на встрече с аналитиками на конференции Barclays Technology Conference заявил, что компания достигла точки, когда она производит больше флеш-памяти типа 3D NAND (в пересчёте на бит), чем флеш-памяти типа 2D NAND. Увеличить производство энергонезависимой памяти 3D NAND с точки зрения общей ёмкости всех микросхем относительно несложно, поскольку каждая микросхема 3D NAND флеш-памяти c трёхбитовой ячейкой (3D TLC NAND) может хранить до 384 Гбит данных, тогда как микросхемы 2D NAND с двухбитовой и трёхбитовой ячейками могут хранить лишь по 128 Гбит данных (имеются в виду микросхемы разработанные Micron/IMFT). Таким образом, как только количество обрабатываемых кремниевых пластин и выход годных достигают определённого уровня, общая ёмкость производимой 3D NAND начинает превышать общую ёмкость 2D NAND.

Micron 3D NAND: Преимущества и динамика выхода годных

Основные преимущества Micron 3D NAND

Хотя вопрос балансировки выпуска выглядит простым на бумаге, он не является таковым в действительности. Дело в том, что технологические процессы производства 2D и 3D NAND очень сильно различаются. Производство современной планарной NAND флеш-памяти полагается на фотолитографию с многократным экспонированием, а для перехода на более тонкий техпроцесс требуется перейти на более продвинутые сканеры (непростая, но знакомая производителям операция). Изготовление многослойной 3D NAND полагается на напыление (осаждение) и травление: во-первых, на кремниевую пластину требуется нанести множество тонких слоёв (процесс называется alternating stack deposition), чтобы создать линии чисел (word line); во-вторых, нужно протравить в них миллионы отверстий (процесс имеет название high aspect ratio etch), чтобы затем создать линии разрядов (bit line). Для нанесения слоёв применяют метод химического осаждения из паровой фазы (chemical vapor deposition, CVD) и соответствующее оборудование. Для травления отверстий используют химические вещества (и, следовательно, иные инструменты), а затем удаляют ненужный материал. Разумеется, фотолитография при изготовлении 3D NAND никуда не исчезает, однако время её использования существенно сокращается (в том числе по причине отсутствия необходимости в многократном экспонировании) как в абсолютных, так и в относительных значениях. Таким образом, для производства 3D NAND в чистые комнаты фабрик следует установить дополнительные CVD-машины, устройства для травления отверстий, а также иной инструментарий. Считается, что дополнительное оборудование увеличивает требования к площадям чистых комнат в два, а то и в четыре раза, по сравнению с тем, которое требуется для обработки аналогичного количества пластин с 2D NAND.

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

Учитывая необходимость установки дополнительного оборудования и возросшие требования к площади чистых комнат, очевидно, что начать производство 3D NAND на фабрике, которая уже изготавливает 2D NAND, довольно сложно. Владельцам фабрик необходимо приостановить работу комплекса, установить новые устройства (и демонтировать старые, место в чистых комнатах драгоценно), настроить оборудование и лишь затем начинать производство. Принимая во внимание тот факт, что Micron начала массовое производство памяти 3D NAND примерно в начале 2016 года, быстрое увеличение объёмов производства выглядит впечатляюще, принимая во внимание все сложности. Тем не менее, учитывая возросшую в три раза (относительно 2D NAND) ёмкость каждой микросхемы, быстрое увеличение ёмкости всего объёма производимых интегральных схем было ожидаемо.

Новая стратегия

По мере того, как Micron переводит свои производственные мощности на изготовление 3D NAND, компания также реализует свою новую стратегию, согласно которой её основной продукцией становятся конечные устройства, а не непосредственно память. Данная стратегия была озвучена в начале 2015 года, но её реальное внедрение началось лишь недавно.

SSD на базе Micron 3D NAND

SSD на базе Micron 3D NAND

В настоящее время Micron сворачивает производство 2D NAND и наращивает изготовление 3D NAND, при этом снижает объёмы памяти, отгружаемые третьим компаниям. Так, согласно некоторым данным, отдельные клиенты Micron сейчас вынуждены покупать планарную NAND флеш-память у Toshiba, поскольку американская компания более не может обеспечить их необходимыми микросхемами. Более того, Micron поставляет 3D NAND исключительно своему давнему партнёру, компании ADATA. Последнее является индикатором того, что Micron существенно сворачивает своё присутствие на спотовом и контрактном рынках памяти. Это не означает, что Micron никогда более не продаст микросхем NAND сторонним компаниям, в конце концов, основной задачей любого коммерческого предприятия являются извлечение прибыли. Тем не менее, вряд ли большое количество производителей SSD смогут использовать память Micron в будущем.

Следствием постепенной реализации Micron новой бизнес-стратегии, а также того факта, что Toshiba/Western Digital и SK Hynix в данный момент не поставляют сторонним компания 3D NAND-память для SSD, является тот факт, что ADATA оказывается единственным независимым производителем твердотельных накопителей, который имеет с своём семействе продукции SSD на базе 3D NAND. Разумеется, это вряд ли продлится очень долго, поскольку Toshiba/Western Digital уже поставляют пригодную для SSD память BiCS третьего поколения своим партнёрам, однако на данный момент у ADATA есть некое преимущество перед конкурентами.

Себестоимость 3D NAND соответствует ожиданиям

В ходе упомянутой конференции финансовый директор Micron также отметил, что себестоимость памяти 3D NAND первого поколения в пересчёте на бит соответствует первоначальным прогнозам компании: она на 20–25 процентов ниже по сравнению с себестоимостью планарной NAND флеш-памяти, производимой по технологии 16 нм.

Кремниевая пластина с NAND флеш-памятью Micron/IMFT

Кремниевая пластина с NAND флеш-памятью Micron/IMFT

Когда речь идет о себестоимости, то дать какие-либо оценки высказываниям высокопоставленных сотрудников довольно сложно. Поскольку техпроцессы для производства планарной и многослойной NAND флеш-памяти совершенно различны, то и себестоимость 128-Гбит 2D NAND и 384-Гбит 3D NAND-микросхем должна отличаться, даже несмотря на схожую площадь ядра (173 мм2 и 168,5 мм2) и при одинаковом проценте выхода годных. При этом последнее маловероятно просто вследствие того, что Micron лишь начинает учиться массово производить 3D NAND и едва ли процент выхода годных микросхем по-настоящему высок (впрочем, подобные цифры строго засекречены). Тем не менее, существенно более высокая ёмкость микросхем 3D NAND разработки Micron/IMFT отчасти позволяют компенсировать возможный относительно невысокий выход годных кристаллов. В конечном итоге, если себестоимость 3D NAND в пересчёте на бит ниже себестоимости 2D NAND и Micron получает от продажи такой памяти прибыль, это всё, что имеет значение для фирмы и её инвесторов.

Твердотельный накопитель Crucial MX

Твердотельный накопитель Crucial MX

Что имеет значение для покупателей, так это стоимость конечных изделий — твердотельных накопителей и другой продукции на базе NAND флеш-памяти. Согласно некоторым источникам, в последние месяцы Micron агрессивно продвигала семейство SSD MX300 в различные каналы продаж. Последнее косвенно подтверждает, что объёмы производства 3D NAND находятся на высоком уровне. Кроме того, если посмотреть на стоимость накопителей Crucial MX300 525 Гбайт и Samsung 850 EVO 500 Гбайт в популярном магазине Amazon, то заметно не только то, что продукт Micron дешевле ($130 против $170), но и то, что MX300 не стал дороже в последние месяцы. Судя по всему, себестоимость данных накопителей находится на комфортном для Micron уровне, и компания может позволить себе увеличивать их продажи без риска потерпеть убытки.

Цены на накопители Crucial MX300 525 Гбайт. График сайта CamelCamelCame.com

Цены на накопители Crucial MX300 525 Гбайт. График сайта CamelCamelCamel.com

Цены на накопители Samsung 850 EVO 500 Гбайт. График сайта CamelCamelCame.com

Цены на накопители Samsung 850 EVO 500 Гбайт. График сайта CamelCamelCamel.com

Стоит отметить, что Micron необходимо стать агрессивной на рынке SSD, чтобы в дальнейшем перейти от продажи сырья (микросхем) к продаже устройств. За последние несколько кварталов доля Micron на рынке твердотельных накопителей сократилась с 7,1 % в первом квартале 2015 года до 3,9 % во втором квартале 2016 года (данные TrendFocus). При этом, несмотря на повсеместный рост продаж SSD, поставки накопителей Micron упали с 1,65 млн единиц до 1,25 млн единиц в квартал.

Судя по всему, Micron производит серьёзное наступление на рынок при помощи накопителей MX300 на базе 3D NAND. При этом отдельной хорошей новостью для компании является отсутствие в модельном ряду MX300 устройств ёмкостью 120/128 Гбайт, что исключает участие Micron в ценовых войнах с поставщиками самых дешёвых SSD.

Micron предупредила Китай об опасности перепроизводства памяти

Попытки китайских компаний наладить самые тесные отношения с зарубежными производителями компьютерной памяти ни к чему не привели. Так, в 2015 году Сенат США заблокировал сделку по продаже 15 % акций компании Western Digital одному из инвестиционных фондов из Китая, тогда же был объявлен запрет на продажу в руки Tsinghua Unigroup компании Micron за $23 млрд. Возведённые на пути китайцев барьеры привели к тому, что китайские компании сменили стратегию на пути к независимости от иностранных производителей. Вместо партнёрства, приглашение к которому остаётся открытым, Китай приступил к программе по созданию национального мегапроизводства компьютерной и флеш-памяти.

Директор Micron и Президент Тайваня Цай Инвэнь (Tsai Ing-wen)

Директор Micron Марк Дуркан и Президент Тайваня Цай Инвэнь (Photo by Cheng Ting-Fang)

Вполне ожидаемо, что планы Китая инвестировать в производство памяти обеспокоили лидеров рынка. В частности, в понедельник на церемонии празднования поглощения тайваньской компании Inotera Memories исполнительный директор компании Micron Марк Дуркан (Mark Durcan) открыто предупредил Китай об опасности перепроизводства на рынке компьютерной памяти. По его словам, существует абсолютная опасность, если Китай реализует все задуманные планы по строительству в стране заводов по выпуску памяти. Только одна компания Yangtze River Storage Technology (Changjiang Storage) в ближайшие пять лет планирует на эти цели потратить $24 млрд, а кроме неё о строительстве современных заводов по выпуску DRAM сообщили ещё две китайские корпорации. Всё это рискует обрушить рынок памяти, который только-только прошёл пик своего падения.

Вместо углубления связей с китайскими компаниями компания Micron делает ставку на развитие производства на Тайване. Поглощение Inotera Memories поднимает долю выпущенной на Тайване DRAM в продукции Micron до 60 %. В ближайшие годы Micron будет расширять производственную базу на острове и уже намекнула о создании 1000 новых рабочих мест. Руководство Тайваня, в свою очередь, в лице президента республики Цай Инвэнь (Tsai Ing-wen), пообещало обеспечить новые производства Micron на острове землёй и необходимыми объёмами воды и электроэнергии.