Теги → micron technology
Быстрый переход

Micron инвестирует в ИИ-стартапы до $100 млн

На проходящем в эти дни мероприятии Micron Insight 2018 один из крупнейших производителей компьютерной памяти Micron объявил о готовности внести значительные инвестиции в начинающих разработчиков технологий искусственного интеллекта. Ранее для инвестиционных проектов профильное подразделение Micron Ventures выбирало компании и стартапы, близкие к области деятельности материнской компании. Поднятая вокруг ИИ шумиха заставила Micron пристальнее приглядеться к теме искусственного интеллекта. Чтобы не остаться за бортом прогресса, в компании приняли решение учредить специальный фонд для инвестиций в ИИ-стартапы.

Объём фонда для инвестирования компании в ИИ составил $100 млн — довольно внушительная даже для Micron сумма. Причём пятую часть от этих денег — $20 млн — компания направит в ИИ-стартапы, возглавляемые женщинами и представителями других «не представленных» групп. Первый миллион долларов на развитие ИИ компания Micron готова раздать немедленно, $500 тыс. из которых она уже разделила между учебной организацией AI4All и учебно-исследовательской лабораторией Berkeley Artificial Intelligence Research (BAIR) Lab.

wsj.com

wsj.com

Данная новость должна напомнить всем причастным, что сезон раздачи денег за достижения в области ИИ в полном разгаре и ещё не поздно принять участие в дележе грантов. Пример с Micron в этом плане довольно показательный. Компания всегда осторожно распоряжалась средствами для инвестиций и никогда не бросалась в новые для неё области как в омут с головой.

К выходу готовятся первые потребительские SSD Micron с поддержкой NVMe

Интерфейс и протокол NVMe заслуженно и уверенно проникли в потребительский сегмент. Этот стандарт с самого начала был рассчитан на работу с NAND-флеш в многоканальном режиме и позволил не только поднять скорость работы SSD в домашних компьютерах, но также принёс снижение задержек и другие преференции, ранее доступные только в сегменте корпоративных вычислительных платформ. Этими качествами NVMe одной из первых массово воспользовалась компания Samsung, к которой позже присоединились даже игроки второго звена в виде тайваньских производителей SSD.

SSD Micron 2100 M.2 PCIe NVMe (Micron)

SSD Micron 2100 M.2 PCIe NVMe (Micron)

Удивительно, но в стороне от этого процесса до сих пор находится компания Micron. Ещё в 2016 году Micron вынашивала планы начать поставки клиентских SSD с поддержкой NVMe. На практике компания представила, но не довела до поставок SSD серии 2100 и так и не запустила в производство SSD Ballistix TX3, которыми хвалилась на Computex 2016. Оправдывая отказ от поставок SSD Ballistix TX3, компания утверждала, что NVMe-накопители не вписались в инвестиционную стратегию развития фирменных продуктовых линеек. Возможно, в этом оказался виновным начавший зарождаться во втором квартале 2016 года дефицит на рынке чипов NAND. Память Micron раскупалась с хорошей прибылью, что внезапно оказалось интереснее поставок более сложной продукции в виде SSD.

SSD Micron Ballistix TX3

SSD Micron Ballistix TX3 (ComputerBase.de)

Но время идёт, а рынок NAND стабилизируется. На последней отчётной конференции, на что обратили внимание наши коллеги с ComputerBase.de, исполнительный директор Micron Санджай Мехротра (Sanjay Mehrotra) заявил, что потребительские SSD компании с поддержкой NVMe выйдут в течение ближайших кварталов. Клиентские SSD с поддержкой NVMe станут первыми, а за ними — в конце 2019 года — последуют корпоративные линейки SSD с поддержкой NVMe. Также компания готовит к выпуску потребительские SSD с памятью 3D NAND QLC. В 2019 и 2020 годах Micron рассчитывает укрепить свои позиции на рынке SSD, что, честно говоря, с её производственной базой NAND сделать надо было давным-давно.

Micron стала второй по величине полупроводниковой компанией в США

На днях американская компания Micron Technology опубликовала отчёт о работе в четвёртом квартале финансового 2018 года (охватывает период с июня по август календарного 2018 года). Как и в предыдущие три квартала текущего фискального года, компания установила новый рекорд по выручке и, соответственно, показала рекордную выручку за весь финансовый год. В этом компании Micron помогли высокие цены на память DRAM и NAND, чего она не скрывает.

wsj.com

wsj.com

Квартальная выручка в отчётный период побила прогнозы аналитиков и достигла $8,44 млрд. За год этот показатель вырос на 38 %. В последовательном сравнении выручка выросла на 8 %: кварталом ранее она составляла $7,8 млрд. Чистая прибыль компании за отчётный период достигла $4,33 млрд или $3,56 на акцию. Кварталом ранее чистая квартальная прибыль Micron составляла $3,82 млрд, а годом ранее — $2,36 млрд. Значение валовой прибыли за квартал также увеличилось с 60,6 % до 61 %.

За весь финансовый 2018 год Micron Technology выручила $30,39 млрд или на 50 % больше, чем в 2017 финансовом году. Значительно подорожавшая память дала возможность Micron стать второй по величине полупроводниковой компанией в США (первой считается Intel). Чистая прибыль компании за 2018 финансовый год достигла $14,7 млрд или $11,95 за акцию. За 2017 год чистая прибыль составила всего $5 млрд. Огромная разница, за которую компания должна благодарить рост цен на память.

Micron обвиняется в нарушении лицензионного договора на выпуск 3D XPoint

Вчерашняя новость о прекращении компаниями Intel и Micron совместных разработок памяти 3D XPoint сразу же создала впечатление, что что-то пошло не так. Да, ещё в январе Intel и Micron объявили, что со следующего года они прекращают совместную разработку памяти 3D NAND — многослойной версии NAND-флеш. Но при этом партнёры подчеркнули, что прогрессивную память 3D XPoint они продолжат разрабатывать вместе. И вдруг вчера выходит совместный пресс-релиз, в котором Intel и Micron сообщают о прекращении совместной разработки 3D XPoint после первой половины 2019 года.

Второе поколение 3D XPoint (очевидно, с бóльшим числом слоёв) станет последним совместным детищем партнёров. В то же время выпускать чипы 3D XPoint будет всё тот же завод в штате Юта, принадлежащий СП Intel-Micron Flash Technologies (IMFT). Как такое может быть? Часть линий настроены на выпуск одной версии чипов, часть — другой? Это можно, но достаточно сложно реализовать как технически, так и юридически. Зачем такие муки?

В пресс-релизе партнёры объясняют разделение разработок необходимостью каждой из компаний сосредоточиться на собственных нуждах и собственных продуктовых линейках, которые могут диктовать разные требования к технологиям производства микросхем 3D XPoint. В то же время продукции Micron на основе памяти 3D XPoint как не было, так и нет. Похоже, что-то не так либо с распределением микросхем, хотя по условиям договора компании получают их поровну, либо проблемы у Micron. И действительно, компания Micron столкнулась с проблемами лицензирования технологии, которая легла в основу микросхем 3D XPoint.

Модуль памяти NVDIMM Intel Opane DC на памяти 3D XPoint

Модуль памяти NVDIMM Intel Opane DC на памяти 3D XPoint

В комментарии к заметке о завершении партнёрства Intel и Micron по разработке 3D XPoint один из читателей сайта AnandTech привёл ссылку на иск в один из судов штата Мичиган, поданный 12 июля этого года против компании Micron. Последняя обвиняется в том, что она не выполняет своих обязательств по уплате лицензионных отчислений одному из владельцев патентов на память с изменяющимся фазовым состоянием вещества — трастовому ликвидационному фонду компании Energy Conversion Devices Inc. (ECD).

Компания ECD объявила о банкротстве в 2012 году. В ходе ликвидации предприятия были проданы подразделения компании, включая дочернее предприятие Ovonyx. Последняя была основана в 1960 году Стэнфордом Овшинским (Stanford Ovshinsky), заложившим теорию, а потом и практику создания памяти на основе изменения фазового состояния вещества. В 2012 году компания Ovonyx была куплена компанией Micron. До этого Micron, как и все остальные производители, работала по лицензии с Ovonyx, но после поглощения перестала платить роялти компании ECD. Кстати, ещё в 2011 году Micron также стала владельцем СП между Intel и STMicroelectronics компании Numonyx, которая тоже разрабатывала память PRAM или Phase change RAM (PCRAM) на основе лицензии Ovonyx. Имея такие активы, похоже, в Micron посчитали лишним платить отчисления ещё и ECD.

В исковом заявлении ликвидационный фонд ECD просит суд взыскать с Micron суммы отчислений и компенсацию в максимально возможном объёме, а также подтвердить права ECD на лицензионные отчисления, зафиксированные в договорах от 1998 и 1999 годов. Весьма вероятно, что угроза ареста продукции с памятью 3D XPoint всё это время не давала появиться SSD Micron с этой интересной памятью. Компания Intel находится в стороне от этого процесса (пока?), поэтому мы видим её продукцию под брендом Optane.

Micron не боится санкций Китая

Третий по величине в мире производитель памяти компания Micron опубликовал официальный ответ на постановление Народного суда промежуточной инстанции Фучжоу о запрете продавать в Китае определённые модели SSD и модулей памяти. В Micron подчёркивают, что Китай всегда стремился к протекционизму в отношении к своим компаниям, и решение суда стало реакцией на прошлогоднюю жалобу американского производителя в Генеральную прокуратуру Тайваня на компанию UMC. Тогда, напомним, с подачи Micron в офисах UMC были проведены рейды силовиков, которые обнаружили доказательства кражи технологических секретов Micron.

После выявления фактов воровства технологий компания Micron подала в суд в США гражданские иски против трёх сотрудников UMC и компании. В ответ на это в январе текущего года UMC и компания-партнёр Jinhua по разработке и будущему производству памяти типа DRAM подали встречные иски против Micron, обвинив её в нарушении ряда патентов. По заявлению компании Fujian Jinhua Integrated Circuit Co (Jinhua), Micron нарушила её международные патенты, защищённые в 2009 и 2012 годах. С использованием разработок Jinhua компания Micron выпускала продукцию, в частности 2,5-дюймовые SSD Crucial MX300 объёмом 525 Гбайт и модули памяти Crucial DDR4-2133 для ноутбуков объёмом 8 Гбайт.

Позже изучение продукции Micron в лабораториях выявило нарушение китайских патентов в целом ряде модулей памяти DDR4 для ноутбуков и настольных систем, а также в SSD серии MX500 в моделях объёмом 2 Тбайт, 1 Тбайт, 500 Гбайт и 250 Гбайт. Всего к продажам в Китае и импорту в эту страну Народный суд запретил 26 наименований продукции Micron.

Компания Micron сообщила, что получила предписание суда и будет неукоснительно его выполнять, хотя оставляет за собой право обжаловать решение и попытаться пересмотреть его или отменить. Запрещённая к продажам на территории Китая продукция Micron приносит выручку двум китайским подразделениям компании, но объём этой выручки едва превышает 1 % от совокупной годовой выручки компании. Это не та сумма, которая может повлиять на финансовое благополучие Micron или на её решимость противостоять зарождающимся в Китае конкурентам. Потеря этих денег также не повлияет на квартальные финансовые результаты текущего квартала, выручка от деятельности в котором ожидается от $8 млрд до $8,4 млрд.

Казалось бы, Micron создала прецедент, подтвердив своими пассивными действиями легитимность китайских патентов на производство памяти и продуктов на её основе. В компании это понимают и намерены попытаться пересмотреть правомочность соответствующих патентов UMC и Jinhua. Для этого в патентный офис Китая (Patent Review Board of China's State Intellectual Property Office) направлен запрос с просьбой признать патенты недействительными. Объясняется это тем, что UMC заимствовала патенты в процессе обслуживания клиентов по контрактам и не разрабатывала технологию производства памяти самостоятельно. Насколько нам известно, UMC не выпускала микросхемы памяти типа DRAM, а исключительно блоки eDRAM, SRAM и прочую память для встраиваемого применения в контроллерах и процессорах. Шаткость позиции UMC очевидна, но доказать её в китайских регулирующих органах может оказаться делом абсолютно безнадёжным.

Производство 10-нм DRAM памяти Micron пройдёт пять стадий

В преддверии симпозиума VLSI 2018 компания Micron Technology устами исполнительного вице-президента Скотта ДеБоера (Scott DeBoer) раскрыла планы по разработке новых техпроцессов производства памяти типа DRAM и 3D NAND. Начнём с оперативной памяти. Сообщается, что техпроцессы класса 10 нм пройдут пять стадий, три из которых ещё предстоит детально разработать. В настоящий момент компания массово выпускает микросхемы DRAM с использованием первого поколения техпроцесса класса 10 нм под кодовым именем 1Xnm (предположительно — это 17 нм). Во втором полугодии объёмы производства чипов с нормами 1Xnm начнут превышать объёмы производства DRAM класса 20 нм, постепенно вытесняя их из оборота.

Второе поколение техпроцесса класса 10 нм или 1Ynm уже разработано, а выпущенные с его помощью микросхемы DRAM проходят квалификационные тесты у партнёров Micron. Массовый выпуск микросхем оперативной памяти с нормами 1Ynm стартует до конца текущего года. Под кодовым именем 1Ynm может скрываться как 16-нм, так и 15-нм техпроцесс. В Micron этой информации не раскрывают.

Третье поколение техпроцесса класса 10 нм или 1Znm находится на стадии проектирования кристалла и в процессе проработки необходимых производственных операций. По слухам, это будут технологические нормы уровня 13 нм. Двумя следующими техпроцессами Micron станут техпроцессы 1α (альфа) и 1β (бета). Оба они, как понятно даже из названий, находятся на ранней стадии разработки. Техпроцессы 1α и 1β тоже будут относиться к классу 10 нм, но они могут опуститься ниже этой геометрической границы, хотя Micron не стала вводить кодовое имя класса 0Xnm. Как и компания Samsung, Micron также будет использовать в будущем сканеры диапазона EUV для производства памяти, но начнёт это делать ориентировочно с техпроцесса 1β.

Перспективные варианты по наращиванию плотности 3D NAND

Перспективные варианты по наращиванию плотности 3D NAND

Что касается многослойной памяти NAND (3D NAND), то Micron пообещала до конца календарного года приступить к производству 96-слойных 512-Гбит чипов. Поскольку ёмкость чипов не увеличится, кристаллы получатся рекордно малой для индустрии площади. В пересчёте на себестоимость кристаллов — это хорошая новость. Плохая новость заключается в том, что 96-слоёв невозможно создать в одном кристалле и новые чипы будут состоять из двух состыкованных друг с другом 48-слойных кристаллов.

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

Впрочем, компания Micron уже умеет собирать стеки из кристаллов 3D NAND. Если верить источникам, 64-слойная память 3D NAND уже выпускается как в виде монолитного кристалла, так и в виде стеков из двух 32-слойных кристаллов. Кстати, выпуск монолитных 64-слойных кристаллов открывает путь к относительно простому производству четвёртого поколения 3D NAND в виде 128-слойных микросхем.

Память 3D NAND может использовать разный тип ячеек: с ловушкой заряда или с плавающим затвором

Память 3D NAND может использовать разный тип ячеек: с ловушкой заряда или с плавающим затвором

Также Micron подтвердила, что в четвёртом поколении 3D NAND она откажется от ячейки NAND с плавающим затвором и перейдёт на ячейку NAND с ловушкой заряда. Как результат, пропускная способность 3D NAND памяти компании увеличится на 30 %, а потребление энергии в пересчёте на бит сохраняемых данных снизится на 40 %. Неплохо!

О вероятной причине прекращения совместных разработок 3D NAND компаниями Intel и Micron

В начале января как гром среди ясного неба разнеслась информация, что компании Intel и Micron прекратят совместную разработку многослойной памяти 3D NAND, начиная с четвёртого поколения или, конкретизируя, после завершения разработки 96-слойной памяти. Появились спекуляции, что Intel собирается делать ставку на память 3D XPoint, хотя компании продолжат совершенствовать этот тип энергонезависимой памяти рука об руку. Что же произошло на самом деле? Ответ на этот вопрос может крыться и, скорее всего, кроется в намерении Micron изменить архитектуру ячейки 3D NAND.

Память 3D NAND может использовать разный тип ячеек: с ловушкой заряда или с плавающим затвором

Память 3D NAND может использовать разный тип ячеек: с ловушкой заряда или с плавающим затвором

На днях на годовой встрече с аналитиками представители Micron сообщили, что с четвёртого поколения 3D NAND компания откажется от ячейки с плавающим затвором в пользу ячейки с ловушкой заряда. Компании Micron и Intel единственные производители 3D NAND из большой четвёрки, кто использует FGT-ячейку (floating gate). Все другие производители многослойной NAND опираются на ячейку CTF (charge trap). Совместное предприятие Micron и Intel все три поколения 3D NAND, куда относится 32-, 64- и 96-слойная память, выпускало, выпускает и будет выпускать (применительно к 96-слойной 3D NAND) память на ячейке с плавающим затвором.

Два года назад Micron пыталась «соскочить» с ячейки FGT, но в реальности это сделать не получилось. Соответственно, эту же технологию производства компания Intel внедрила на своём китайском заводе в городе Далянь, на переоборудование которого она потратила свыше полутора лет и больше $5млрд. Можно предположить, что Intel оказалась не в восторге от предложения партнёра отказаться в четвёртом поколении 3D NAND от ячейки с плавающим затвором. Поэтому со следующего года и при  разработке четвёртого поколения 3D NAND с числом слоёв свыше 140 уровней компании пойдут разными путями.

До сих пор компании Intel и Micron придерживались принципа, что переход от выпуска планарной NAND на многослойную 3D NAND обходился дешевле, если ячейка строилась на плавающем затворе. На деле всё немного не так. Память с ячейкой на ловушке заряда ощутимо плотнее, поскольку заряд хранится в тонком слое диэлектрической плёнки. Ячейка с плавающим затвором состоит из двух затворов, один из которых — плавающий — помещён между двумя слоями диэлектрика. За счёт этого объём FGT-ячейки до пяти раз превышает объём CTF-ячейки, что негативно сказывается на плотности записи. Также число технологически циклов при производстве 3D NAND с CTF-ячейкой на 20 % меньше, чем выпуск 3D NAND с FGT-ячейкой, а это тоже деньги и немалые.

Модуль памяти NVDIMM Intel Opane DC на памяти 3D XPoint

Модуль памяти NVDIMM Intel Opane DC на памяти 3D XPoint

Следует ожидать, что Micron будет с трудностями переходить с 96-слойной FGT 3D NAND на 140-160-слойную CTF 3D NAND. Возможно даже, что компания может столкнуться с невозможностью удовлетворить запросы клиентов. Проще говоря, на каком-то этапе может возникнуть дефицит 3D NAND производства Micron. Компания Intel в этом плане будет свободна от потрясений. Не исключено, что Intel действительно хочет дотянуть до массового выпуска 3D XPoint и завязать с производством 3D NAND. В таком случае ей нечего беспокоиться о какой-то там ячейке в четвёртом или пятом поколении 3D NAND.

Подробнее о новой 3D NAND QLC памяти Intel и Micron

Как мы сообщали, компании Intel и Micron приступили к массовому производству самой ёмкой и самой плотной в индустрии флеш-памяти 3D NAND ёмкостью 1 Тбит. На основе данных чипов компания Micron разработала серию SSD 5210 Ion вместимостью от 1,92 Тбайт до 7,68 Тбайт, коммерческие поставки которых стартуют нынешней осенью. Значительно увеличить ёмкость микросхем 3D NAND и накопителей на их основе удалось благодаря реализации целого ряда технологий и нововведений.

Но начнём мы с того, что 1-Тбит 3D NAND чипы партнёров представляют собой 64-слойные кристаллы. Это самая передовая на сегодня многослойная память. До конца года Intel и Micron могут начать производство 96-слойной памяти 3D NAND, о завершении разработки которой они тоже сегодня сообщили. Нетрудно подсчитать, что это на ровном месте увеличит плотность записи ещё на 50 % в пересчёте на одну микросхему памяти. Это хороший прыжок вперёд, хотя само по себе производство 96-слойной 3D NAND обещает оказаться намного сложнее, чем выпуск 64-слойной памяти.

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

Дело в том, что дальше наращивать слои в одном кристалле 3D NAND оказывается экономически невыгодным. Переход от 64 слоёв к 96 слоям в разы увеличивает длительность изготовления каждой кремниевой пластины с чипами 3D NAND. Поэтому, скорее всего, вместо изготовления монолитного 96-слойного кристалла будет собираться «спайка» из двух 48-слойных кристаллов. Это предъявляет высочайшие требования к точности совмещения верхнего и нижнего слоёв двух кристаллов, что неизбежно ведёт к росту уровня брака. Вот с ним-то и будут бороться производители при переходе к 96-слойным и более «слоистым» чипам 3D NAND.

Первыми выпуск 96-слойной памяти 3D NAND обещают начать компании WD и Toshiba. Это должно произойти в третьем или в четвёртом квартале текущего года. Хотя мы вряд ли удивимся, если компания Samsung начнёт выпускать 96-слойную память раньше всех. Ещё в прошлом году Samsung показала опытный чип ёмкостью 1 Тбит с записью 4 бит в каждую ячейку (QLC, Quad-Level Cell). Возвращаясь к сегодняшнему анонсу Intel и Micron, отметим, что 1-Тбит 64-слойный чип 3D NAND представляет собой массив ячеек QLC. Иными словами, Intel и Micron первыми в индустрии преодолели знаковый порог в 1 Тбит для хранения данных в коммерческом чипе. По сравнению с 64-слойной 3D NAND TLC (три бита в ячейке) плотность записи возросла на 33 %.

О достоинствах и недостатках паммяти QLC (AnandTech)

О достоинствах и недостатках памяти QLC (AnandTech)

Но и это ещё не всё. Сам по себе 64-слойный кристалл 3D NAND QLC Intel и Micron стал заметно меньше по площади — это тоже рекорд. Для этого партнёры спроектировали и изготовили чип таким образом, чтобы управляющие и питающие цепи, которые обслуживают массив памяти, были перенесены прямо под массив с ячейками. Эта технология называется CMOS under the array (CuA) и конкуренты тоже возьмут её на вооружение. Грубо говоря, электроника перенесена в подвал под массивом памяти, что существенно сэкономило площадь кристалла. Уточним, Intel пока не называет точных цифр.

Наглядно о технологии CMOS under the array (CuA)

Наглядно о технологии CMOS under the array (CuA)

Наконец, 1-Тбит чип 64-слойной памяти 3D NAND использует четыре банка памяти вместо двух, как это было реализовано до сегодняшнего дня. Разбивка на четыре логических и, очевидно, физических массива позволяет увеличить параллельный доступ к памяти, что ускоряет операции чтения и записи. Увы, Intel снова проигнорировала точные цифры, поэтому о реальном выигрыше судить нельзя. Также следует помнить, хотя для потребителя это вряд ли будет заметно, что переход на ячейку QLC снизил устойчивость ячеек к износу примерно с 3000 циклов перезаписи/стирания до 1000 циклов. Решать вопрос с надёжностью будут как всегда — с помощью избыточного массива ячеек.

Micron инвестирует в производство на Тайване 10-нм памяти типа DRAM

Не так давно мы сообщали, что компания Micron приступила в Сингапуре к строительству нового корпуса завода для производства энергонезависимой памяти типа 3D NAND. К счастью, компания также озаботилась инвестициями в производство оперативной памяти типа DRAM, что особенно радует на фоне третьего года роста цен на память. Нельзя сказать, что дефицит тут же испарился. Однако в недалёкой перспективе ситуация с нехваткой памяти обещает определённым образом стать лучше.

Новые инвестиции Micron направлены на ускоренное внедрение на тайваньских заводах компании новейших техпроцессов с нормами класса 10 нм. На заводе в Тайчжуне, который является предприятием некогда самостоятельной компании Rexchip Electronics, Micron выпускает DRAM с нормами 1X нм (по неофициальным данным память выпускается с нормами 17 нм). К производству памяти с нормами 1Z нм предприятие будут готово во второй половине 2019 года.

Другой тайваньский завод Micron раньше принадлежал компании Inotera Memories и расположен он вблизи города Таоюань. Это предприятие выпускает память DRAM класса 20 нм. К производству памяти с норами 1X (17 нм) завод приступит во второй половине текущего года и к концу года будет готов начать выпускать память с нормами 1Y. Пока нет никакой информации о техпроцессах 1Y и 1Z. Считается, что память типа DRAM невыгодно выпускать с технологическими нормами менее 15 нм.

В «чистой» комнате производственного комплекса Micron

В «чистой» комнате производственного комплекса Micron

Впрочем, производители памяти DRAM научились упаковывать кристаллы в стеки, повышая плотность записи в пересчёте на единицу поверхности посадочного места чипа. Так, с целью расширить на Тайване выпуск стеков DRAM компания Micron расширит деятельность своего упаковочного завода на острове. На предприятие по упаковке «3D DRAM» Micron наймёт дополнительно 1150 специалистов (800 до конца года и 350+ в следующем году). В целом Micron рассчитывает вписаться в рыночные тенденции как по поставкам 3D NAND, так и DRAM.

Intel удваивает усилия по разработке 3D NAND своими силами

Долгие годы компания Intel разрабатывала и выпускала память NAND-флеш и 3D NAND вместе с компанией Micron. Начиная со следующего года каждая из этих компаний займётся самостоятельной разработкой новых версий многослойной памяти. Напомним, в январе Intel сообщила, что до конца года будет завершена разработка «третьего поколения» 3D NAND в виде 96-слойных чипов и в дальнейшем инженерные коллективы её и Micron будут работать раздельно (за исключением разработок, связанных с памятью 3D XPoint).

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

В принципе, намёк на отдаление от Micron появился ещё в 2015 году, когда Intel приступила к переводу своего китайского завода в городе Далянь с выпуска системной логики и NAND-флеш на производство 3D NAND. Завод модернизирован и приступил к массовому выпуску 64-слойной памяти. Очевидно, в первой половине следующего года это предприятие начнёт выпускать 96-слойную память 3D NAND. И если с производством у компании полный порядок, то инженерный коллектив явно потребует усиления. Как ни крути, инженерная база Micron в США сильна своими специалистами и оборудованием, а через несколько месяцев её двери для Intel будут закрыты.

Как сообщает сайт Motley Fool, Intel активно набирает специалистов для «формирования новой и передовой команды инженеров под руководством Technology and Strategy Office (TSO) с прицелом на значительное снижение затрат [на производство], улучшение продукции и реализацию возможностей оборудования и техпроцессов для будущих поколений производства 3D NAND». Можно предположить, что целевая инженерная группа Intel по разработке 3D NAND разместится вблизи завода в Китае (близость разработчиков и производства часто становится залогом успеха). В любом случае, Intel надо будет компенсировать интеллектуальный разрыв с Micron.

В заключение напомним, что Intel может искать тесной связи с китайскими производителями чипов. Например, циркулирует слух, что NAND-продукцию завода в городе Далянь компания будет реализовывать через местного производителя UNIC Memory Technology. Компания UNIC Memory якобы будет также упаковывать и тестировать чипы Intel 3D NAND. За прошедший год выручка Intel на направлении 3D NAND выросла на 36,6 %. Компания в основном выпускает SSD для ЦОД и серверного рынка. Работа с китайцами может позволить Intel выйти на новые для неё рынки с изделиями по конкурентной цене.

Недопоставки азота на тайваньский завод Micron приведут к росту цен на память

Вы будете смеяться, но производство памяти снова перед лицом угрозы со стороны негативных внешних факторов. К счастью, землетрясений, цунами, торнадо, пожаров и наводнений не произошло. Компьютерные сети предприятий не поразил вирус или атака хакеров. С поставками электроэнергии тоже всё в полном порядке. Никаких праздников и отпусков. Все работают не покладая рук, а подвели — подрядчики. Точнее, один из тайваньских поставщиков азота на предприятия компании Micron Memory Taiwan — компания Air Products and Chemicals (San Fu), которая временно приостановила поставки азота для производственных нужд этого производителя микросхем DRAM.

Daniel Cattermole / EyeEm / Getty Images

Daniel Cattermole / EyeEm / Getty Images

Подразделение Micron Memory Taiwan (бывшая компания Rexchip) выпускает все типы DRAM: микросхемы серверного назначения, чипы для модулей оперативной памяти ПК, память LPDDR4, память для видеокарт. Перебои с поставками азота — сырья, которое активно задействовано в техпроцессах по производству полупроводников — начались с 20 марта, когда на линиях Air Products and Chemicals обнаружились неполадки. Для ремонта оборудования компании потребовалось отправлять производителю в США. Сейчас оно восстановлено и возвращается обратно. Поставки азота в необходимых объёмах начнутся в первой половине апреля.

Что важно, с начала 2018 года крупные договоры на поставку микросхем памяти заключаются на три месяца (на квартал). Это означает, что контрактные цены на DRAM остаются без значительных изменений в течение двух других месяцев каждого нового квартала. Например, в феврале и марте контрактные цены на память практически не менялись, а величину наценки определил январь.

Так, средняя цена на 4-Гбайт модуль DDR4 в первом квартале приближалась к $33, а высшая — к $34. Тем самым в первом квартале 2018 года рост цен на память по сравнению с четвёртым кварталом 2017 года составил скромные 5 %. Во втором квартале, определяющим для которого должен стать апрель, рост цен на микросхемы DRAM также ожидался умеренным (на уровне 3 %). Но теперь возникла эта история с недопоставками азота, которая может продлить негативные ожидания на рынке и сильнее увеличить контрактные цены на DRAM на новый трёхмесячный период. Как утверждают источники, сильнее всего «сбой» повлияет на цены на память для видеокарт, с которыми и так всё непросто.

В 2018 году рост цен на память будет немного сдержан

Перед самым началом празднования китайского Нового года аналитики DRAMeXchange (подразделение компании TrendForce) успели опубликовать заметку о предполагаемом состоянии рынка памяти в первом квартале и, вчерне, о выручке производителей DRAM в 2018 году. Если сравнивать ожидания с прошлым годом, то память в 2018 году будет расти в цене не такими бурными темпами, как в 2017 году. Благодаря росту стоимости чипов DRAM производители памяти увеличили в 2017 году выручку на 76 %. За 2018 год рост выручки производителей DRAM составит не меньше 30 % в год и достигнет $96 млрд.

Данные о лидерах рынка DRAM в четвёртом квартале 2017 года (DRAMeXchange)

Данные о лидерах рынка DRAM в четвёртом квартале 2017 года (DRAMeXchange)

Интересно, что в четвёртом квартале 2017 года сильнее всего подорожала DRAM память для смартфонов. В зависимости от номенклатуры рост цен составил 5–20 % за квартал. Память для других сфер применения за это же время подорожала на 5–10 %. В первом квартале 2018 года, однако, рост цен на мобильную DRAM составит всего 3 % за квартал (о чём мы подробно рассказывали в соответствующей заметке). Память для серверов и ПК, напротив, только за январь в среднем подорожала на 5 %. Поскольку сейчас четыре крупнейшие американские компании расширяют свои ЦОД, серверная память в первом квартале не испытывает нужды в покупателях, что приведёт к квартальному росту цен на неё на 3–5 %.

Лидером рынка DRAM остаётся компания Samsung и она добивается новых успехов. В четвёртом квартале 2017 года Samsung добилась рекордной выручки на этом рынке в объёме $10,1 млрд (+14,5 % за квартал). На втором месте расположилась компания SK Hynix с квартальной выручкой $6,3 млрд (+14,1 % за квартал), а на третьем — компания Micron с выручкой $4,6 млрд (+13,4 % за квартал). Совокупно Samsung и SK Hynix удерживают 74,7 % глобального рынка DRAM. Случись на Корейском полуострове локальный кризис, станет всё.

Среди всех трёх лидеров памяти наибольшая рентабельность производства DRAM у компании Samsung — 64 % в отчётном квартале. Рентабельность производства DRAM на линиях SK Hynix за квартал выросла на 3 % — до 59 %. Соответствующий показатель у Micron также вырос на 3 % — до 53 %. Добиться роста рентабельности компаниям удаётся не только за счёт увеличения цен на память, но также благодаря переходу на новые техпроцессы с меньшими нормами производства.

Перед компанией Samsung в 2018 году стоит задача значительно расширить выпуск чипов памяти с использованием 18-нм техпроцесса. При этом Samsung собирается внепланово разместить мощности по выпуску DRAM на втором этаже нового завода в Пхёнтэк (Line 1). Это производство с лета прошлого года выпускает 64-слойную 3D NAND. Поскольку память NAND перестала дорожать, Samsung решила часть линий перепрофилировать на производство памяти DRAM. Тем самым она потеснит конкурентов и создаст дополнительный барьер перед потенциальными конкурентами из Китая.

На стройплощадке завода Samsung в Пхёнтэк (BusinessKorea)

На стройплощадке завода Samsung в Пхёнтэк (BusinessKorea)

Компания SK Hynix также будет заниматься в 2018 году повышением уровня выпуска 18-нм DRAM, а вот новые линии по производству памяти (вторая 300-мм фабрика в китайском городе Уси) заработают только в 2019 году. Компания Micron наращивает производство 17-нм DRAM. Правда, руками тайваньских партнёров. Так, 90 % памяти Micron Memory Taiwan (Rexchip) выпускается с использованием 17-нм техпроцесса. Предприятие Micron Technology Taiwan (Inotera) перейдёт от использования 20-нм техпроцесса к частичному использованию 17-нм техпроцесса в середине этого года и завершит переход в первой половине 2019 года.

Вклад остальных производителей памяти в мировой рынок DRAM видится незначительным, а информацию о компаниях вы можете почерпнуть из таблицы выше.

Silicon Motion поставляет контроллеры для SSD Intel 760p

На днях на квартальной отчётной конференции руководство тайваньской компании Silicon Motion Technology раскрыло, что новейшие SSD компании Intel серии 760p основаны на фирменных контроллерах компании. Это контроллеры с поддержкой интерфейса PCI Express 3.0 и протокола NVMe. Другим крупным и хорошо известным клиентом Silicon Motion на контроллеры для SSD заявлена компания Micron. Последняя получает контроллеры Silicon Motion для выпуска SSD линейки Crucial MX500 с интерфейсом SATA 6 Гбит/с. Впрочем, нам об этом было известно, но факт сотрудничества с Intel в продвижении PCIe NVMe накопителей выглядит интересным.

Тайваньский разработчик на следующих этапах развития надеется на расширенное внедрение в инфраструктуру облачных систем хранения протоколов и стандарта NVMe, что позволит ему уйти от зависимости от контроллеров для клиентских накопителей. Так, Silicon Motion начала предпродажное распространение образцов контроллеров для SSD с поддержкой open-channel NVMe. Это архитектура, которая отдаёт контроль над физическим носителем операционной системе, вместо того, чтобы транслировать команды через контроллер SSD. Тем самым для крупных СХД появляется возможность более гибкого управления данными.

От производства всего спектра контроллеров для флеш-памяти (для клиентских, индустриальных и серверных накопителей, карт памяти и USB-накопителей) компания Silicon Motion получает 80 % выручки. За квартал этот показатель увеличился на 10 % (данные за четвёртый квартал 2017 года). Выручка за отчётный квартал от продаж контроллеров для клиентских SSD последовательно выросла на 15 %. Поставки контроллеров для модулей eMMC оставались неизменными. В целом за четвёртый квартал компания выручила $136,2 млн, что на 7 % больше, чем в третьем квартале 2017 года, но на 6 % меньше, чем в четвёртом квартале 2016 года.

В снижении выручки виновен рост цен на флеш-память. Пока производители памяти NAND стригут купоны, поставщики контролеров, включая Silicon Motion, вынуждены конкурировать на ограниченном рынке. Недостатка в контролерах нет, а память на рынке присутствует в лимитированных объёмах. В Silicon Motion считают, что предложение на рынке NAND-флеш скоро догонит спрос, но всё же на первый квартал 2018 года прогнозируют снижение продаж контроллеров для SSD.

Китайский производитель памяти ополчился на Micron

«После ряда слияний и приобретений глобальная индустрия по производству памяти развилась в олигополистический рынок, который международные гиганты собираются контролировать путём намеренного создания технологической блокады и чинят препятствия развитию китайских производителей памяти. Это серьёзно ослабляет принципы рыночной экономики и реализацию национальной стратегии Китая».

Приведенный выше абзац — это дословный перевод из свежего пресс-релиза китайской компании Fujian Jinhua Integrated Circuit Co., Ltd. (JHICC). По сути — это объявление войны лидерам рынка памяти, но, прежде всего, это вызов в ответ на угрозы со стороны американской компании Micron. В пресс-релизе JHICC компания Micron обвиняется в «серьёзном» нарушении ряда патентов китайского производителя. Исковое заявление против Micron подано в Народный суд промежуточной инстанции города Фучжоу. В этот же суд иск против Micron на прошлой неделе подала тайваньская компания United Microelectronics Corporation (UMC). Собственно, обе компании выступили синхронно даже в формулировках требований.

Китайская компания JHICC одна из немногих, кто собирается создать основу национального производства памяти в Китае

Китайская компания JHICC одна из немногих, кто собирается создать основу национального производства памяти в Китае

Как и компания UMC, JHICC требует от Micron не только остановить производство, использование и продажу продуктов, нарушающих её патенты, но также просит обязать американского производителя уничтожить запасы продукции, формы и производственное оборудование, задействованное для выпуска «контрафактной» памяти. Правда, в отличие от UMC компания JHICC обозначает продукцию Micron, которую необходимо уничтожить, — это 2,5-дюймовые SSD накопители линейки Crucial MX300 на памяти 3D NAND и планки памяти DDR4-2133 объёмом 8 Гбайт. Также Micron должна выплатить компании JHICC денежную компенсацию в размере 196 млн юаней ($30 млн).

Май 2017 года. Торжественное открытие строительства завода JHICC по производству памяти (JHICC )

Май 2017 года. Торжественное открытие строительства завода JHICC по производству памяти (JHICC )

Выступление компаний UMC и JHICC против Micron носят ответный характер. В прошлом году Micron вынудил заморозить проект по совместной разработке компаниями UMC и JHICC технологии производства памяти для выпуска на заводах в Китае. Также Micron инициировала судебные разбирательства против сотрудников UMC и против самой компании. Ответные иски UMC и JHICC следует расценивать как намерение китайцев в споре с Micron стоять до конца. И что-то нам подсказывает, что компании Micron придётся уступить.

UMC направила иск с просьбой уничтожить производство памяти Micron в Китае

На днях третий в мире по величине контрактный производитель полупроводников тайваньская компания United Microelectronics Corporation (UMC) обвинила американскую компанию Micron в нарушении ряда патентов на производство памяти и продукции на её основе. В нарушении патентов обвинены китайские подразделения Micron в Шанхае и Сиане.

CNA

CNA

Компания UMC утверждает, что Micron нарушила её патентные права в КНР в области производства памяти DDR4, SSD и графических адаптеров. В своём заявлении UMC просит суд заставить ответчика не только остановить производство, использование, импорт и продажу продукции, но даже уничтожить промышленное оборудование и оснастку для выпуска памяти и флеш-памяти. В финансовом выражении Micron должна компенсировать UMC ущерб в размере 270 млн юаней ($42 млн).

Кроме представленной выше информации один абзац в пресс-релизе UMC посвящён воспеванию тяжких усилий компании по разработке новых технологий, которыми для выпуска логики или DRAM хотят воспользоваться нечистые на руку конкуренты. Но корни у этого иска совсем другие и уходят они ох как глубоко.

CNA

thestreet.com

В целом можно сказать, что иск UMC стал ответом на целую серию исков и враждебных юридических действий к ней со стороны компании Micron. Напомним, весной прошлого года Micron с помощью властей Тайваня пресекла переход на работу к китайским производителям памяти порядка сотни бывших своих сотрудников, а также заблокировала работу совместной инженерной группы из специалистов UMC и их китайских коллег, которые разрабатывали технологию производства памяти для внедрения на материковых заводах. В сентябре Micron добилась от прокуратуры Тайваня открытия дел против двух своих бывших сотрудников и одного представителя UMC, обвиняемых в краже коммерческой информации, а в декабре по этому же поводу в США был подан иск уже против компании UMC. Поэтому ответные действия UMC в правовом поле были лишь вопросом времени.

Краткое досье на три китайские компании, которые собираются сыграть на рынке полупроводниковой памяти (TrendForce)

Краткое досье на три китайские компании, которые собираются сыграть на рынке полупроводниковой памяти (TrendForce)

Следует сказать, что в данной ситуации за спиной UMC находится грозный союзник в лице национального плана Китая по укреплению полупроводниковой отрасли в стране и, прежде всего, курс на создание национального производства памяти. На это брошены такие ресурсы, что UMC в противостоянии против Micron будут помогать, как говорится, даже родные стены. Компания UMC разрабатывает технологию производства памяти для одного из трёх будущих лидеров китайского рынка памяти — для компании Fujian Jinhua Integrated Circuit Co (JHICC). Проблема китайцев в отсутствии технологий и в невозможности купить лицензии на выпуск современных версий DRAM и 3D NAND. Разборки с Micron — это один из вариантов защитить местного производителя или вынудить Micron перейти к решению вопросов с лицензированием.