Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Выручка Micron взлетела на 46 % благодаря ИИ-буму — в текущем квартале она будет ещё выше
24.09.2025 [07:51],
Алексей Разин
В конце августа в календаре американского производителя микросхем памяти Micron Technology завершился не только четвёртый квартал, но и весь фискальный год. Соответствующий трёхмесячный период позволил компании увеличить выручку на 46 % до $11,3 млрд, превысив прогноз аналитиков. В текущем квартале Micron также рассчитывает выручить больше, чем полагали инвесторы. 
Источник изображения: Micron Technology Если говорить конкретнее, в этом квартале Micron планирует выручить $12,5 млрд против ожидаемых аналитиками $11,9 млрд. Удельный доход на одну акцию составит $3,75 против упоминаемых в сторонних прогнозах $3,05. В минувшем квартале этот доход достиг $3,03 на акцию против ожидаемых $2,84. Чистая прибыль компании в прошлом квартале составила $3,2 млрд против $887 млн годом ранее. По сути, она выросла в три с лишним раза, именно на повышении прибыльности бизнеса руководство Micron намерено сосредоточиться в дальнейшем, поскольку наращивать долю рынка в ущерб доходности оно не собирается. Крупнейшим направлением деятельности для Micron в прошлом квартале были поставки микросхем памяти для нужд облачных провайдеров. Выручка на этом направлении достигла $4,54 млрд, увеличившись в годовом сравнении более чем в три раза. При этом в сегменте традиционных серверов выручка сократилась на 22 % до $1,57 млрд. Компания отмечает, что будет вынуждена увеличивать капитальные затраты ради удовлетворения спроса на свою продукцию. Если в прошлом фискальном году на строительство новых предприятий и производственных линий было направлено $13,8 млрд, то в текущем сумма может оказаться выше. Спрос на память Micron будет превышать предложение на протяжении основной части следующего года, причём бум ИИ стимулирует интерес покупателей к твердотельной памяти NAND, а не только к скоростной оперативной HBM. В сфере поставок HBM3E у Micron заключены контракты почти на весь объём выпуска в 2026 году. Уже начав поставки образцов HBM4 своим клиентам, компания рассчитывает реализовывать такую память главным образом в рамках долгосрочных контрактов. По словам представителей Micron, спрос на память вернулся к росту даже в сегментах ПК и смартфонов, поскольку и они начинают чувствовать влияние бума ИИ. Производство HBM сильнее загружает предприятия компании — причём как по объёму, так и по времени, — поэтому наращивать производственные мощности строго синхронно с динамикой спроса становится проблематично. Micron особенно гордится тем, что выпускает передовую память на территории США, а потому в контексте таможенной политики действующего президента Дональда Трампа (Donald Trump) может оказаться в выигрыше относительно южнокорейских конкурентов. Micron запустила массовые увольнения персонала в Китае
12.08.2025 [13:24],
Алексей Разин
За благополучным фасадом улучшенного прогноза по выручке в текущем квартале, как отмечает TrendForce со ссылкой на китайские СМИ, американская компания Micron Technology может скрывать неприятную правду о начавшихся сокращениях местного штата сотрудников. По данным источников, разработчики в Шанхае и Шэньчжэне покидают компанию против своей воли. 
Источник изображения: Micron Technology Помимо разработчиков и исследователей, Micron решила сократить сотрудников в Китае, отвечающих за тестирование продукции и техническую поддержку клиентов. В ответ на публикации в китайских СМИ представители компании заявили о принятом решении сократить ресурсы, задействованные в разработке мобильной твердотельной памяти NAND — причём в масштабах всего мирового рынка, а не только Китая. В частности, будет прекращена разработка решений поколения UFS 5, как отмечает TrendForce. При этом, по словам представителей Micron, это решение не повлияет на создание других перспективных продуктов в сегментах NAND и SSD, включая решения для автомобильной отрасли. Если в 2023 году доля выручки Micron на китайском рынке достигала 14 %, то в прошлом году она сократилась до 12,1 %, в том числе из-за ограничений на использование её памяти в объектах критически важной вычислительной инфраструктуры КНР. В то же время в США компания получила 52,4 % выручки, а на Тайване — 18,7 %. Это не помешало Micron в апреле 2024 года заложить фундамент нового предприятия по тестированию и упаковке памяти в китайском Сиане. На его строительство изначально планировалось выделить $600 млн, а запуск комплекса намечен на вторую половину текущего года. На фоне бума ИИ компания Micron решилась улучшить свой квартальный прогноз
12.08.2025 [08:29],
Алексей Разин
Приближение к концу очередного фискального квартала заставило Micron Technology пересмотреть изначальный прогноз по динамике выручки и норме прибыли за период. Эту новость можно отнести к разряду приятных для инвесторов, поскольку по факту Micron ожидает завершить период с более выдающимися финансовыми результатами по сравнению с заложенными в ранний прогноз. 
Источник изображения: Micron Technology Итак, диапазон квартальной выручки изначально был немного шире, но ниже по своему среднему значению: от $10,4 до $11 млрд. Теперь Micron рассчитывает выручить за квартал, который завершится 28 августа текущего года, от $11,1 до $11,3 млрд. Центр диапазона, другими словами, сместился вверх на $500 млн. Норма прибыли должна уложиться в диапазон от 44 до 45 % против прежнего диапазона от 41 до 43 %. Удельный доход на одну акцию должен составить от $2,78 до $2,92 против прежнего диапазона от $2,35 до $2,65. Ключевые категории продукции, по словам представителей Micron, реализуются сейчас по более высоким ценам, чем ожидалось, что и позволяет улучшить финансовый прогноз. В особенности цены способствуют росту выручки на направлении DRAM, но наиболее прибыльная HBM как раз относится к этому сегменту. Улучшение прогноза было благосклонно воспринято фондовым рынком, акции Micron подорожали после открытия торгов в Нью-Йорке на 7,1 %, что является дневным максимум за последние три месяца. Даже если цены на HBM будут снижаться или расти меньшими темпами, объёмы поставок соответствующих микросхем позволят Micron нивелировать это влияние. Масштабные инвестиции в производство памяти на территории США, которые за несколько последующих лет в совокупности достигнут $200 млрд, ограждают продукцию Micron от воздействия повышенных таможенных пошлин. Представители компании выразили готовность активно сотрудничать и с другими производителями, развивающими своё присутствие на территории США. Micron выпустила первую в мире флеш-память SLC NAND для космических ЦОД — она не боится радиации, вакуума и мороза
23.07.2025 [17:47],
Геннадий Детинич
Компания Micron сообщила о выпуске первых в индустрии 256-гигабитных чипов SLC NAND для работы в условиях космоса. Эти микросхемы устойчивы к радиации, низким температурам и вакууму. Подобную память никто в мире больше не производит. По крайней мере, в промышленных масштабах. Новые чипы имеют высочайшую в своём классе плотность и позже будут дополнены «космическими» чипами памяти NAND, NOR и DRAM. 
Источник изображений: Micron Как справедливо отмечают в Micron, космическая экономика стремительно растет, чему способствует быстрый рост числа коммерческих и государственных миссий. Параллельно по мере развития вычислительной техники и искусственного интеллекта растет спрос на высокопроизводительные технологии обработки данных, способные работать непосредственно на орбите. Это поможет преобразовать космические операции: датчики космического корабля смогут анализировать данные, обнаруживать аномалии и принимать решения автономно, снижая зависимость от наземных систем и экономя на трафике для связи с Землёй. «Поскольку мы расширяем границы вычислительной техники в космосе, для хранения и обработки данных необходима радиационно-устойчивая память Micron, — сказал Крис Бакстер (Kris Baxter), вице-президент и корпоративный генеральный менеджер подразделения Micron по встраиваемым устройствам и автомобилестроению. — По мере расширения операций с искусственным интеллектом в космосе — от автономной навигации до анализа в режиме реального времени — Micron уделяет всё большее внимание предоставлению решений, обеспечивающих устойчивость и интеллект, необходимые для аэрокосмических миссий следующего поколения». Для подтверждения соответствия новой памяти требованиям аэрокосмической отрасли, представленные Micron чипы были испытаны по протоколам NASA PEM-INST-001 Level 2 flow и военному стандарту США MIL-STD-883 TM1019 condition D. В первом случае была проведена годичная проверка компонентов, включая циклирование при экстремальных температурах, 590 часов проверок дефектов и динамическую проверку надёжности для обеспечения возможности космических полетов. Военный стандарт проверял память Micron на устойчивость к дозам ионизирующего излучения. Стандарт измеряет совокупное количество гамма-излучения, которое изделие может поглощать и оставаться функциональным в стандартных условиях эксплуатации на орбите. Это измерение является критически важным для определения жизненного цикла памяти.  Наконец, «космическая» NAND-память Micron прошла испытание на воздействие единичного события (SEE), что соответствует стандартам ASTM F1192 Американского общества по испытаниям и материалам и спецификациям JESD57 Совета по разработке электронных устройств (JEDEC). Тестирование SEE оценивает воздействие высокоэнергетических частиц на полупроводники и подтверждает, что компоненты могут безопасно и надёжно работать в суровых радиационных условиях, снижая риск сбоя миссии. Расширение линейки чипов памяти SLC NAND и поставка иных видов памяти, включая оперативную, произойдёт в следующем году и в дальнейшем портфель этой продукции продолжит расширяться, чтобы удовлетворить любой спрос. Micron вложит $200 млрд в производство чипов в США и создаст 90 тысяч рабочих мест
14.06.2025 [05:30],
Анжелла Марина
Micron Technology объявила о масштабных планах по инвестированию $200 млрд в развитие собственного производства полупроводниковых компонентов на территории США. В рамках этой инициативы будет создано около 90 тысяч рабочих мест, а также будут построены новые фабрики в некоторых штатах и модернизирован завод в Вирджинии. 
Источник изображения: micron.com Инвестиционные намерения были обнародованы в четверг в рамках сотрудничества с администрацией президента США Дональда Трампа (Donald Trump), которая активно поддерживает рост отечественного машиностроения и стремится укрепить позиции страны в области искусственного интеллекта (ИИ), сообщает The Wall Street Journal. Micron направит около $150 млрд на производство памяти внутри страны, включая строительство двух крупных фабрик в штате Айдахо, до четырёх фабрик в Нью-Йорке, модернизацию действующего завода в Вирджинии и развитие технологий высокопроизводительной упаковки чипов. Эти меры позволят Micron справиться с растущим рыночным спросом, сохранить долю на рынке и достичь цели по выпуску 40 % DRAM-памяти на американских мощностях. Дополнительные $50 млрд будут инвестированы в исследования и разработки, что, по заявлению компании, укрепит технологическое лидерство США. Глава компании Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) отметил, что инвестиции такого рода «демонстрируют приверженность развитию инноваций и укреплению отечественной полупроводниковой отрасли». На настоящий момент уже достигнуты договоренности о ключевых этапах строительства первой фабрики в Айдахо, где запуск производства DRAM намечен на 2027 год. В конце 2025 года планируется приступить к подготовке площадки в Нью-Йорке после завершения необходимых экологических проверок на уровне штата и федерального правительства. Кроме того, компания ожидает, что все её инвестиции в американские проекты будут соответствовать требованиям для получения налогового кредита на развитие передового машиностроения. Министр торговли США Ховард Лютник (Howard Lutnick) отметил, что президент Трамп всегда подчёркивал важность развития производства в стране, и масштабные инвестиции Micron окажут поддержку таким ключевым отраслям, как искусственный интеллект, автомобилестроение, авиакосмическая и оборонная промышленность. Micron предупредила о дальнейшем росте цен на DRAM и NAND, и обвинила в этом ИИ
31.03.2025 [22:17],
Анжелла Марина
Компания Micron официально заявила о повышении цен на память, ссылаясь на растущий спрос на DRAM и NAND-флеш. По прогнозам, тенденция к удорожанию сохранится до 2026 года. Причина проста — искусственный интеллект (ИИ), дата-центры и потребительская электроника требуют всё больше высокопроизводительных решений, однако предложение пока не успевает за спросом. 
Источник изображения: Micron, tomshardware.com Решение Micron, как отмечает Tom's Hardware, основано на недавнем периоде перепроизводства и падения доходов рынка памяти. Однако в последнее время цены начали постепенно восстанавливаться благодаря сокращению производства крупными игроками и росту интереса к ИИ и высокопроизводительным вычислениям. Теперь, когда Micron открыто заявила о повышении цен, ожидается, что за ней последуют и другие производители, такие как Samsung и SK Hynix, продолжая тенденцию удорожания. В своём обращении к партнёрам Micron подчеркнула, что ключевым фактором пересмотра ценовой политики стал «непредсказуемый спрос в различных сегментах». В частности, компания отмечает, что ИИ-приложения стремительно развиваются, а значит, необходимо поддерживать конкурентоспособность продуктовой линейки. Micron также рекомендовала партнёрам заранее планировать закупки, чтобы избежать дефицита и перебоев с поставками. Одним из главных драйверов роста цен является растущий спрос на высокоскоростную память HBM (High Bandwidth Memory), критически важную для ИИ-ускорителей и графических процессоров нового поколения. По мере того как Nvidia, AMD и Intel развивают свои ИИ-технологии, потребность в быстрой и энергоэффективной памяти только увеличивается. Несмотря на усилия Micron и её конкурентов по наращиванию объёмов производства, предложение всё ещё отстаёт от спроса, что дополнительно подогревает рост цен. Чтобы справиться с этим вызовом, Micron недавно объявила о строительстве нового завода в Сингапуре, где будет производиться HBM-память. Инвестиции в проект составят $7 млрд, а запуск намечен на 2026 год. В планах также значится выпуск передовых решений, таких как HBM3E, HBM4 и HBM4E, что, по мнению экспертов, позволит компании укрепить позиции в стремительно растущем сегменте. Влияние на рынок потребительской электроники Поскольку Micron первой объявила о росте цен, теперь остаётся ждать реакции конкурентов и клиентов. Если текущий уровень спроса сохранится, отрасль может столкнуться с продолжительным повышением цен, что повлияет не только на корпоративные дата-центры, но и на бытовые устройства — от игровых компьютеров до смартфонов. Micron удалось утроить серверную выручку благодаря спросу на HBM
21.03.2025 [04:55],
Алексей Разин
Тенденции на рынке памяти таковы, что хорошую динамику финансовых показателей демонстрируют те поставщики, которые имеют возможности снабжать Nvidia чипами HBM3E. Поскольку Micron Technology находится в их числе, её квартальная выручка в серверном сегменте выросла в три раза по сравнению с аналогичным периодом прошлого года. 
Источник изображения: Micron Technologu Совокупная выручка Micron по итогам прошлого фискального квартала выросла на 38 % до $8,05 млрд и превзошла ожидания аналитиков тоже во многом благодаря высокому спросу на микросхемы памяти в серверном сегменте. Удельный доход на одну акцию достиг $1,56 против ожидаемых $1,42. Чистая прибыль почти удвоилась до $1,58 млрд. Реализация HBM в прошлом квартале принесла компании более $1 млрд выручки. Она продолжит расти на протяжении всего календарного 2025 года, и все квоты на выпуск HBM в текущем году компания уже распродала авансом. В своём прогнозе на текущий квартал Micron упоминает выручку в размере $8,8 млрд, что выше ожиданий аналитиков ($8,5 млрд). Текущий фискальный год, который завершится осенью, Micron рассчитывает закрыть с рекордной выручкой и существенно возросшей нормой прибыли. Подобный оптимизм руководства даже вызвал рост котировок акций компании на 6 % в моменте после завершения торгов, но к моменту завершения дополнительной торговой сессии прирост свёлся к менее чем одному проценту. Впрочем, есть в отчётности Micron и слабые места. Например, норма прибыли в прошлом квартале не превысила 37,9 % и оказалась ниже ожиданий рынка, а в текущем она ограничится 36,5 %, что также хуже сторонних прогнозов. На улучшение ситуации с прибыльностью благодаря росту цен на микросхемы памяти руководство рассчитывает только к четвёртому фискальному кварталу, который ещё не наступил. В первой в мире памяти DDR5 с EUV-литографией оказалось лишь чуть-чуть EUV и много старых методов производства
11.03.2025 [10:49],
Геннадий Детинич
Южнокорейские источники сообщают, что компания Micron в обозримом будущем не планирует расширять использование EUV-сканеров при производстве памяти. Громкий анонс поставок первых в мире чипов Micron DDR5 поколения 1γ с применением EUV-литографии (длина волны 13,5 нм) оказался своего рода психологической атакой на конкурентов. В дальнейшем компания намерена полагаться на массовое использование классических 193-нм сканеров в производстве DRAM. 
Источник изображений: Micron Издание Chosun Biz сообщило, что при производстве памяти Micron DDR5 поколения 1γ (гамма) с помощью EUV-сканера обрабатывается лишь один слой из нескольких десятков. Все остальные слои создаются с использованием аргон-фторидных эксимерных лазеров (ArF) с погружением в жидкость (так называемая иммерсионная литография для повышения разрешения). Таким образом, компания продолжает применять многомасочный подход — использование нескольких фотошаблонов (масок) для каждого слоя чипов вместо одного шаблона при EUV-литографии. Это увеличивает число технологических этапов при обработке каждой кремниевой пластины с памятью, а значит, и себестоимость производства. Издание отмечает, что многомасочный подход может быть оправдан, если он служит альтернативой EUV-сканерам для обработки 1–3 слоёв микросхем. Однако если требуется обработка большего количества слоёв с помощью EUV, ставка на ArF-литографию обойдётся производителю существенно дороже, что в перспективе сделает продукцию менее конкурентоспособной (более дорогой).  Компании Samsung и SK Hynix уже в ближайшее время планируют использовать EUV-сканеры для обработки более пяти слоёв микросхем (пока это память HBM), и на этом фоне Micron будет выглядеть серьёзно отстающей. Если информация Chosun Biz верна, компания ещё долго будет применять EUV-сканеры лишь для обработки одного критически важного слоя, полагаясь во всём остальном на 193-нм сканеры. Micron показала самый быстрый SSD в мире — с PCIe 6.0 и скоростью до 27 Гбайт/с
09.03.2025 [16:08],
Анжелла Марина
Компания Micron совместно с Astera Labs продемонстрировала на конференции DesignCon 2025 первый в мире твердотельный накопитель (SSD) с интерфейсом PCIe 6.0. Устройство формата E3.S было протестировано в связке с коммутационным чипом Scorpio PCIe 6.0 от Astera Labs, а также ускорителем вычислений Nvidia H100. 
Источник изображения: Astera Labs Несмотря на то, что новый SSD от Micron был впервые представлен на стенде Astera Labs в рамках DesignCon 2025, прошедшей в конце февраля в США, официальная информация о тестах была опубликована лишь на этой неделе в блоге Astera Labs. В ходе испытаний, как сообщает Tom’s Hardware, SSD продемонстрировал скорость последовательного чтения более 27 Гбайт/с на каждом диске, превысив показатели самых быстрых PCIe 5.0 SSD. Интересно, что в августе прошлого года, Micron анонсировала этот накопитель как первый в индустрии PCIe 6.0 SSD, заявив скорость чтения в 26 Гбайт/с. Однако испытания на стенде Astera Labs позволили превзойти эти ожидания — скорость чтения достигла 27,14 Гбайт/с для каждого из двух SSD в тестовой системе. Для сравнения, самый быстрый из протестированных PCIe 5.0 SSD, Crucial T705, показал максимум 14,5 Гбайт/с, что составляет лишь половину нового рекорда Micron. Достичь таких показателей помог сетевой коммутатор Astera Scorpio P-Series Fabric Switch, поддерживающий до 64 линий PCIe 6.0. Этот коммутатор был разработан для высокопроизводительных вычислений (HPC) и искусственного интеллекта (ИИ), обеспечивая быструю связь между процессорами, видеокартами и хранилищами. Кроме того, в тестах использовалась технология Nvidia Magnum IO GPUDirect (GDS), позволяющая устройствам хранения данных напрямую взаимодействовать с памятью GPU, минуя центральный процессор и уменьшая задержки. Отметим, что стандарт PCIe 6.x продолжает совершенствоваться и развиваться (актуальная версия — PCIe 6.3), обещая стать новым отраслевым стандартом как для корпоративных решений, так и в перспективе для потребительских устройств. Если PCIe 5.0 обеспечивает двустороннюю пропускную способность до 128 Гбайт/с на шине x16, то PCIe 6.x удвоит этот показатель до 256 Гбайт/с. В условиях растущего спроса на скорость в сфере ИИ и HPC, интерфейс PCIe 6.0 по факту уже готов предложить рынку долгожданное ускорение, что подтверждается совместными испытаниями Micron и Astera Labs. В продаже наконец-то появились 64-Гбайт модули DDR5, подходящие для обычных ПК
27.02.2025 [09:55],
Алексей Разин
Исторически потребность в больших объёмах памяти активнее демонстрировали серверные системы и рабочие станции, поэтому производители модулей памяти в первую очередь удовлетворяли запросы соответствующих сегментов рынка, оставляя направление ПК на потом. В случае с модулями DDR5 планки объёмом 64 Гбайт для обычных ПК появились в продаже лишь недавно. 
Источник изображения: Akiba PC Hotline По крайней мере, об этом можно судить по публикации хранящего традиции десятилетиями японского ресурса Akiba PC Hotline, рассказывающего о новинках знаменитого местного рынка электроники оперативно и с иллюстрациями. Японским фоторепортёрам удалось зафиксировать факт появления в местной рознице комплектов памяти типа DDR5-5600 объёмом 2 × 64 Гбайт производства Crucial, подходящих для использования в настольных ПК. Как известно, под маркой Crucial выпускает модули памяти и твердотельные накопители американская компания Micron Technology. Производитель на данный момент предлагает комплекты DDR5-5600 из двух 64-Гбайт модулей в форматах UDIMM и SO-DIMM. В Японии, где импортируемая электроника традиционно облагается высокими пошлинами, комплект модулей типа UDIMM стоит более $322. Память предлагает задержки CL46-45-45 и совместимость с процессорами Intel Core Ultra 14-го поколения, а также процессорами AMD Ryzen 8000 или более молодыми. Функции Intel XMP и AMD Expo соответственно обеспечивают быстрый выбор оптимального с точки зрения быстродействия режима работы, заложено по два профиля в каждом (DDR5-5600 и DDR5-5200). Micron первой начала поставлять чипы DDR5, выпущенные по техпроцессу 1γ с EUV-литографией — быстрые, холодные и плотные
26.02.2025 [09:54],
Геннадий Детинич
Компания Micron Technology объявила, что первой в отрасли начала поставки чипов памяти DDR5, изготовленных с использованием полупроводниковой EUV-литографии. Память поставляется избранным партнёрам для оценки эффективности самых передовых на сегодня решений. Новые чипы обладают повышенной пропускной способностью, пониженным энергопотреблением и более плотным размещением ячеек — всем, что нужно для развития ИИ, от гаджетов до серверов. 
Источник изображений: Micron Новая память Micron продолжает относиться к классу 10-нм продукции. Нет точной информации, насколько цифра техпроцесса близка к 10 нм. Но это уже третье приближение к ней и, что более важно, компания наконец-то перешла к использованию литографических сканеров в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне с длиной волны 13,5 нм (EUV). Дальше масштабирование пойдёт легче.  Если верить Micron, избранным партнёрам начали отгружаться 16-Гбит чипы DDR5. Кристаллы памяти выпущены с использованием техпроцесса 1γ (гамма). Предыдущие техпроцессы этого класса — 1α (альфа) и 1β (бета) — реализовывались с использованием сканеров с длиной волны 193 нм. Рассказывая о преимуществах чипов поколения 1γ, компания сравнивает их с чипами DDR5 предыдущего поколения — 1β. По сравнению с ними новинки на 15 % быстрее (до 9200 МТ/с), потребляют более чем на 20 % меньше энергии и обладают на 30 % большей плотностью расположения ячеек на кристалле.  Улучшенные характеристики памяти будут востребованы в периферийных устройствах с поддержкой искусственного интеллекта, в ПК с ИИ-функциями и в серверах, на которых работают большие языковые модели. Тем самым ассортимент памяти с технологическими нормами 1γ не ограничится лишь производством чипов DDR5, но также будет расширен за счёт выпуска других типов памяти, например LPDDR5X. ИИ-чипы Nvidia получат 12-ярусные стеки памяти HBM3E от Micron — Samsung по-прежнему отстаёт
17.02.2025 [12:04],
Алексей Разин
На фоне проблем Samsung Electronics в обеспечении компании Nvidia передовой памятью типа HBM3E, успехи американской Micron Technology в этой сфере позволяют ей претендовать на статус второго по величине поставщика Nvidia. В ближайшее время Micron начнёт снабжать этого клиента 12-ярусными стеками HBM3E, которые разработала к сентябрю прошлого года. 
Источник изображения: Micron Technology Естественно, SK hynix в этой сфере обгоняет обоих конкурентов, но в наличии нескольких поставщиков HBM3E заинтересована сама Nvidia, поскольку это позволяет ей повысить надёжность цепочек поставок и получить некоторые рычаги для торга с поставщиками. На мероприятии Wolfe Research, как сообщает Business Korea, финансовый директор Micron Technology Марк Мёрфи (Mark Murphy) рассказал о преимуществах 12-ярусных стеков HBM3E, предлагаемых компанией. По сравнению с 8-ярусными чипами HBM3E конкурентов, они обеспечивают увеличение ёмкости на 50 % и снижение энергопотребления на 20 %. Напомним, Samsung в это время лишь договорилась о снабжении Nvidia своими 8-ярусными стеками HBM3E, которые будут применяться для производства ускорителей вычислений, предлагаемых на китайском рынке. Образцы 12-ярусной памяти HBM3E компания Samsung отправит Nvidia к концу текущего месяца, но не факт, что соответствующая продукция устроит клиента по своим характеристикам и качеству. Как сообщалось ранее, SK hynix и Samsung стараются опередить друг друга в выводе на рынок микросхем памяти HBM4, намереваясь предложить их Nvidia в течение года. Micron Technology собирается начать поставки HBM4 в следующем году, поэтому конкуренция за соответствующие заказы Nvidia будет очень острой. Micron представила SSD Crucial P510 с низким энергопотреблением и PCIe 5.0, а также модули DDR5 объёмом 64 Гбайт
09.01.2025 [04:55],
Анжелла Марина
Micron обновила линейку потребительских продуктов Crucial, выпустив новые скоростные SSD, а также увеличив объём памяти для модулей DDR5 до 64 Гбайт. Твердотельный накопитель P510, представленный на глобальной выставке технологий CES 2025 в качестве главной новинки, обещает высокую скорость PCIe 5.0 и низкое энергопотребление. 
Источник изображений: Micron Твердотельный накопитель Crucial P510 с интерфейсом PCIe 5.0 разработан как для ноутбуков, так и для настольных компьютеров. Этот SSD, доступный в вариантах на 1 и 2 Тбайт, показал скорость последовательного чтения до 11 000 Мбайт/с и записи до 9 550 Мбайт/с. Несмотря на то, что P510 не превосходит по производительности флагманские модели T705 и T700, его ключевым преимуществом является сниженное энергопотребление, сообщает издание Tom's Hardware. Основной акцент при разработке P510 был сделан на повышении энергоэффективности. По словам представителей компании, новый SSD потребляет на 25 % меньше энергии по сравнению с предыдущими PCIe 5.0 накопителями этого класса. Хотя конкретная модель, использованная для сравнения, не была названа, известно, что T705 и T700 потребляют максимум 12,3 Вт и 11,5 Вт соответственно. Таким образом, P510 может достигать максимального энергопотребления в диапазоне от 8,6 Вт до 9,2 Вт, что особенно важно для увеличения времени автономной работы в ноутбуках. В Micron подтвердили использование «новой, более энергоэффективной архитектуры» для контроллера SSD, предположительно E31T.  Компания также расширила линейку модулей оперативной памяти DDR5, представив новые варианты с повышенной плотностью. Модули Crucial DDR5 Pro Overclocking теперь доступны в версии 32 Гбайт (ранее было 16 Гбайт). Также анонсировано начало продаж модулей CUDIMM на 32 Гбайт и 64 Гбайт и модулей CSODIMM на 24 Гбайт и 32 Гбайт, ограниченных частотой DDR5-6400. Для традиционных UDIMM и SODIMM компания предложит варианты объёмом 64 Гбайт и частотой DDR5-5600. Таким образом, Micron расширяет возможности для пользователей, предлагая более широкий выбор оперативной памяти повышенного объёма.  Помимо P510, компания обновила модель SSD P310, выпустив вариант с радиатором. Новый радиатор был разработан с целью уменьшения размеров для использования SSD в ограниченных пространствах, таких как PlayStation 5. Ожидается, что SSD P510 поступит в продажу весной этого года, а P310 с радиатором будет доступен уже в текущем месяце. Модули оперативной памяти с более высокой плотностью поступят на рынок в феврале. Micron в следующем году начнёт собирать память HBM в Сингапуре — запущено строительство фабрики
08.01.2025 [14:33],
Алексей Разин
Скромные размеры Сингапура не мешают этому карликовому государству выступать не только в роли одного из крупнейших хабов по поставке электронных компонентов, но и выпускать их в приличных количествах на своей территории. Micron собирается к 2026 году запустить здесь предприятие по упаковке чипов памяти семейства HBM, его строительство было запущено на этой неделе. 
Источник изображения: Micron Technology На соответствующей торжественной церемонии, как отмечает DigiTimes, присутствовала довольно представительная делегация сингапурских чиновников. Предприятие Micron Technology по тестированию и упаковке микросхем памяти, фундамент которого был торжественно заложен на этой неделе, будет первым в своём роде на территории Сингапура. К работе оно приступит уже в следующем году, а ещё через год Micron намеревается существенно расширить свои мощности по тестированию и упаковке чипов с использованием передовых методов. До конца текущего десятилетия и в начале следующего Micron надеется вложить около $7 млрд в расширение подобных мощностей, создав от 1400 до 3000 новых рабочих мест. Данные показатели учитывают потребность компании в увеличении штата разработчиков соответствующих технологий и компонентов. Micron также намеревается расширять свои мощности по производству твердотельной памяти NAND на территории Сингапура. Компания будет гибко балансировать типы расширяемых производственных линий в соответствии с потребностями рынка. Память HBM4E от Micron получит кастомизируемый базовый кристалл
23.12.2024 [13:43],
Алексей Разин
Квартальное отчётное мероприятие Micron Technology на прошлой неделе позволило руководству американской компании поделиться более подробными планами по развитию ассортимента продукции. Если в 2026 году Micron приступит к производству микросхем памяти типа HBM4, то позднее собирается наладить выпуск HBM4E, главной особенностью которой станет кастомизируемый базовый кристалл. 
Источник изображения: Micron Technology Данная часть стека памяти лежит в его основе и содержит базовую логику, необходимую для работы с расположенными выше микросхемами памяти. Micron собирается наделять базовый кристалл HBM4E тем набором функций, который интересен конкретным крупным заказчикам. Насколько велика будет степень свободы Micron в этой сфере, заранее сказать сложно, но очевидно, что стандарты JEDEC будут определять какие-то рамки. Чисто технически Micron сможет добавлять поддержку новых интерфейсов, увеличивать объём кеша, добавлять шифрование данных и всё в таком духе. Как подчеркнул глава Micron на прошлой неделе, «HBM4E обеспечит сдвиг парадигмы в бизнесе по производству памяти, поскольку предложит опцию кастомизации базового кристалла с логикой для определённых клиентов, используя передовой производственный процесс TSMC». По словам генерального директора Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), подобные возможности индивидуализации улучшат финансовые показатели компании Micron. Если же вернуться к более близкой HBM4, то непосредственно микросхемы памяти для стеков этого типа Micron намерена выпускать с помощью своего техпроцесса 10-нм класса пятого поколения (1β), тогда как конкурирующие SK hynix и Samsung присматриваются к более современной технологии 10-нм класса шестого поколения. Наличие 2048-разрядной шины позволит HBM4 обеспечить скорость передачи информации до 6,4 гигатранзакций в секунду. Массовое производство HBM4 компания рассчитывает развернуть в 2026 календарном году. Сейчас Micron уже активно поставляет 8-ярусные стеки HBM3E для ускорителей Nvidia Blackwell, 12-ярусные проходят тестирование клиентами и получают самые лестные отзывы, по словам руководства компании. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
