Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Crucial готовит твердотельные накопители T705 со скоростью до 14 500 Мбайт/с
05.02.2024 [23:10],
Николай Хижняк
Crucial одной из первых начала массовый выпуск потребительских твердотельных накопителей стандарта PCIe 5.0 в прошлом году. Её дебютный SSD T700 обеспечивает скорость до 12 Гбайт/с при последовательном чтении и записи. Этот показатель значительно превосходит возможности накопителей стандарта PCIe 4.0, но далёк от предела возможностей самого стандарта PCIe 5.0. Приблизиться к последнему Crucial собирается с помощью новой серии SSD T705. 
Источник изображений: Overclock3d Стало известно, что Crucial ведёт разработку SSD T705, который предложит скорости последовательного чтения до 14 500 Мбайт/с, что сделает его одним из самых быстрых твердотельных накопителей стандарта PCIe 5.0 на рынке. Согласно утечке, новинка будет предлагаться в версиях как с радиатором, так и без него. Кроме того, SSD будет выпущен в специальной версии, оснащённой белым радиатором.  На данный момент неизвестно, какой контроллер памяти используется в новой модели SSD Crucial T705. Например, в тех же накопителях Crucial T700 применяется флагманский контроллер Phison E26 первого поколения. Можно предположить, что в составе новинки используется тот же контроллер, но более скоростные микросхемы памяти, аналогично эталонному SSD Phison E26 Max14um.  Если верить данным утечки, в составе Crucial T705 будут использоваться 232-слойные чипы флеш-памяти TLC 3D NAND от Micron, родительской компании Crucial. Самой быстрой моделью Crucial T705 будет версия объёмом 2 Тбайт, которая предложит скорость последовательного чтения 14 500 Мбайт/с и последовательной записи до 12 700 Мбайт/с. В состав серии также войдёт модель объёмом 4 Тбайт, которая будет чуть медленнее 2-Тбайт версии, и вариант на 1 Тбайт, который будет медленнее остальных. Тем не менее, все три новинки будут значительно быстрее первых накопителей стандарта PCIe 5.0, предлагавших скорости до 10–12 Гбайт/с Стоимость накопителей Crucial T705 неизвестна. Информации о том, когда новинка поступит в продажу, пока тоже нет. Micron продемонстрировала громоздкие прототипы внешних SSD с USB4
12.01.2024 [17:50],
Павел Котов
Принадлежащий Micron потребительский бренд Crucial Memory продемонстрировал на выставке CES 2024 пару внешних твердотельных накопителей с интерфейсом USB4, пишет AnandTech. Это устройства, которые ещё находятся на стадии разработки, и едва ли в таком виде они выйдут на рынок. 
Источник изображений: anandtech.com Отличительной особенностью обоих устройств стал контроллер ASMedia ASM2464PD, обеспечивающий связь USB4 со скоростью 40 Гбит/с и интерфейса PCIe 4.0 x4 — в нём также реализован компонент USB Type-C PD. Портативный вариант твердотельного накопителя выполнен в формфакторе gumstick: в прозрачном корпусе разместился M.2 2280 — в данном случае 2-Тбайт Micron 3400 OEM.  Предполагается, что относительно крупного корпуса ему хватит, чтобы обойтись пассивным охлаждением. К примеру, SanDisk Extreme Pro V2 при всех своих недостатках демонстрирует высокую производительность, и с переходом на USB4 традицию можно было бы продолжить. Хотя в ADATA решили перестраховаться и остановились на активном охлаждении.  Более крупный настольный накопитель Micron с USB4 получился по-своему уникальным. В корпус с небольшим вентилятором установили SSD формфактора U.3. Ранее OWC разместила в крупном корпусе массив M.2 в программном RAID, но в Micron остановились на одном диске большой ёмкости — 8 Тбайт в демонстрируемом образце. Такому накопителю требуется внешний источник питания, но он и сам способен подавать питание на ноутбук по USB4, что можно считать компромиссом. Устройство было бы привлекательнее, получи оно несколько портов USB Type-A/Type-C, но здесь в приоритете производительность и стабильность, учитывая активное охлаждение и PCIe 4.0.  Micron в этой демонстрации сделала ставку на производительность, пожертвовав энергоэффективностью, но эти задачи будут решены с USB4-контроллером Phison U21 и находящимся в разработке аналогом от Silicon Motion. Но едва ли внешние накопители нового поколения выйдут на рынок в первой половине 2024 года. Micron первой в мире выпустила модули памяти LPCAMM2 на LPDDR5X — они быстрее, экономичнее и компактнее SO-DIMM
10.01.2024 [12:21],
Павел Котов
Компания Micron сообщила, что первой на рынке выпустила модули оперативной памяти нового стандарта LPCAMM2 (Low-Power Compression Attached Memory Module), доступные в вариантах от 16 до 64 Гбайт. Они предлагают более высокую производительность и энергоэффективность, обеспечивают экономию места и сохраняют модульность, то есть возможность апгрейда ПК. 
Источник изображений: micron.com Массовое производство модулей LPCAMM2 компания Micron запустит в первой половине 2024 года — это новый революционный формфактор с момента выхода стандарта SODIMM в 1997 году. LPCAMM2 базируется на чипах LPDDR5X, но по сравнению с традиционным форматом предлагает снижение энергопотребления на 61 % и рост производительности на 71 % при выполнении основных рабочих нагрузок в тесте PCMark 10, таких как просмотр веб-страниц и видеоконференции. Экономия пространства относительно SO-DIMM составляет 64 %.  Модули памяти LPCAMM2 на чипах LPDDR5X достигают скорости 9600 Мбит/с, тогда как существующие планки SO-DIMM DDR5 демонстрируют 5600 Мбит/с. В режиме ожидания экономия энергии достигает 80 %, что способствует увеличению автономной работы мобильных компьютеров; в задачах, связанных с производством цифрового контента, прирост производительности составляет 7 %.  Micron будет реализовывать память LPCAMM2 под брендом Crucial не только производителям компьютеров, но и конечным пользователям — геймеры и профессионалы смогут самостоятельно заменять модули памяти. Продукция нового формата выйдет на рынок в первой половине 2024 года. Micron втайне создала 32-Гбит чип FeRAM — неубиваемую энергонезависимую память со скоростью как у DRAM
06.01.2024 [14:23],
Геннадий Детинич
Как стало известно источнику, на прошедшей в декабре конференции IEDM 2023 компания Micron за закрытыми дверями сообщила о разработке и применении кристалла памяти FeRAM огромной ёмкости. Память FeRAM производится около 20 лет, но это традиционно чипы малой ёмкости от 8 до 128 Мбит. Разработка Micron на этом фоне поражает воображение ёмкостью кристалла 32 Гбит, что можно сравнить с восходом новой энергонезависимой памяти. 
Фрагмент документа Micron с презентации двухслойной памяти FeRAM. Источник изображения: https://blocksandfiles.com Память FeRAM работает быстрее памяти NAND. По этому показателю она приближается к оперативной памяти DRAM. При этом чипы FeRAM сохраняют заряд в ячейках даже без подачи питания на них, как и прочая энергонезависимая память. Также память FeRAM более устойчива к износу, что снова делает её предпочтительнее для использования в устройствах для хранения данных. Наконец, FeRAM не боится радиации, магнитных полей и скачков температуры, что предопределило её судьбу оказаться в станках, приборах и в бортовом оборудовании аэрокосмической отрасли. Несмотря на большой набор преимуществ, память FeRAM не стала массовым явлением. Плотность размещения ячеек у неё очень и очень низкая, и массовая память NAND с её кристаллами колоссальной ёмкости не дала FeRAM никакого шанса проникнуть в область хранения данных. Впрочем, это не удалось даже памяти 3D XPoint (торговая марка Intel Optane), которую Micron разработала вместе с Intel. Доступность и дешевизна NAND сыграла свою негативную роль в печальной судьбе и этой, казалось бы, перспективной энергонезависимой памяти. Нетрудно представить, что неформальный анонс 32-Гбит кристалла FeRAM компанией Micron может считаться знаменательным событием. Сайт Blocks & Files приводит фрагмент изображения документа с презентации чипа памяти, который недоступен для публичного просмотра. По словам Micron, чипы FeRAM большой ёмкости подтолкнут развитие генеративных моделей искусственного интеллекта. Они работают быстрее NAND и обладают колоссальной износостойкостью. Опытный чип Micron выдерживает до 1015 циклов перезаписи. Это на несколько порядков больше, чем у конкурирующих чипов FeRAM компаний Fujitsu, Infineon, SK Hynix и Toshiba, не говоря о жалких тысячах циклов, если мы говорим об устойчивости к износу чипов NAND. Кстати, новую память компания называет NVDRAM (non-volatile dynamic random access memory). Назвать её NVRAM, очевидно, она не решилась, чтобы её FeRAM не путали с другими типами энергонезависимой памяти. Заявленная компанией скорость записи чипов FeRAM составляет 70–120 нс, тогда как цикл записи NAND приближается к 300 мкс. Время удержания данных в памяти FeRAM (заряда в ячейке) достигает 10 лет. Можно предположить, что компания Micron получила доступ к патентам и технологиям FeRAM после приобретения активов японской компании Elpida в 2013 году. Сама Elpida этот тип памяти не развивала, но принадлежащие ей на тот момент заводы тайваньских Inotera Memories и Nanya Technology были раньше в собственности компании Infineon и выпускали чипы памяти FeRAM. Переключающий элемент FeRAM обычно выполнен из пьезокерамики в виде цирконат-титаната свинца (PZT). Этот материал сохраняет поляризацию даже после снятия внешнего управляющего сигнала — электромагнитного поля. Грубо можно сказать, что каждая ячейка FeRAM состоит из управляющего транзистора и пьезокерамического конденсатора. Именно вкрапление пьезокерамического элемента делает ячейку очень большой. Как эту проблему решила Micron, не сообщается. Китайская YMTC подала в суд на Micron Technology за кражу технологий памяти 3D NAND
13.11.2023 [12:00],
Алексей Разин
Китайские производители чипов или оборудования для их производства периодически становятся подозреваемыми в делах о промышленном шпионаже, но существуют и противоположные по схеме взаимодействия прецеденты. Недавно китайская компания YMTC обвинила американского производителя памяти Micron Technology в нарушении восьми своих патентов. 
Источник изображения: Micron Technology Как сообщает Reuters, девятого ноября YMTC подала иск в Федеральный окружной суд Северного округа Калифорнии, обвинив в нарушении прав на использование интеллектуальной собственности Micron Technology и её подразделение по работе с потребительскими продуктами Micron Consumer Product Group. Какие именно технологии Micron, по мнению YMTC, незаконно у неё позаимствовала, не уточняется, но американская компания обвиняется истцом в использовании интеллектуальной собственности YMTC для конкуренции с этой компанией и укрепления своих позиций на рынке. Представители YMTC в комментариях Reuters подтвердили существование такого иска, заодно пояснив, что он имеет отношение к патентам компании, описывающим технологии разработки, изготовления и функционирования памяти типа 3D NAND. Напомним, что китайская YMTC с лета начала снабжать своих клиентов 232-слойной памятью типа 3D NAND, вплотную приблизившись к технологическим возможностям зарубежных конкурентов, а в показателях плотности хранения информации даже превзойдя их. Представители YMTC выразили надежду, что иск будет рассмотрен органами правосудия США в сжатые сроки. Напомним, что с мая текущего года продукция Micron Technology, в соответствии с решением китайских властей, не может использоваться на объектах критически важной информационной инфраструктуры КНР. При этом сама компания Micron не отказывается от намерений вложить $603 млн в расширение китайских мощностей по тестированию и упаковке памяти. От выпуска чипов типа DRAM на территории КНР она отказалась в прошлом году, хотя до этого китайский рынок обеспечивал до половины всей выручки Micron. В прошлом году эта доля не превысила 16 %. В 2018 году Micron обвинила в хищении своей интеллектуальной собственности китайскую компанию Fujian Jinhua, так что взаимоотношения с местными производителями у неё уже давно не самые благоприятные. |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
